KR20110116628A - A marble chip, a marble comprising the same and preparation method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 마블칩, 이를 포함하는 인조대리석 및 이들의 제조방법에 관한 것으로, 그 목적하는 바는 무수물로부터 에폭시아크릴레이트 및 반응성 모노머로 이루어진 불포화 에스터계 수지 조성물을 마블칩에 적용함으로서, 마블칩 제조 시간을 단축하고 제조에 필요한 에너지를 절약할 뿐만 아니라, 모재와의 결합력이 우수하고, 내부에 함유된 착색 무늬부를 통하여, 칩의 단면상으로는 무늬 형상을 나타내며, 투명 베이스부에 의한 입체감 및 착색 무늬부의 색상에 의한 화려함을 표현할 수 있다. 이와 같이 본 발명의 마블칩은 기존 단색의 칩에 비하여 다양한 재질 및 무늬 등을 표현할 수 있어서, 기존의 단조로운 외관에서 벗어나 인조대리석의 무늬 및 색상 등의 외관 형태를 다양화할 수 있는 이점이 있다.The present invention relates to a marble chip, artificial marble comprising the same, and a method for manufacturing the same, the purpose of which is to prepare a marble chip by applying an unsaturated ester resin composition composed of an epoxy acrylate and a reactive monomer from the anhydride to the marble chip It not only shortens the time and saves energy required for manufacturing, but also has excellent bonding force with the base material, and shows the pattern shape on the cross section of the chip through the colored pattern portion contained therein, and the three-dimensional effect and the colored pattern portion by the transparent base portion. Can express the splendor by the color. As described above, the marble chip of the present invention can express various materials and patterns as compared with the conventional monochromatic chip, and thus, there is an advantage of diversifying the appearance form such as the pattern and color of artificial marble from the existing monotonous appearance.

Description

마블칩, 이를 포함하는 인조대리석 및 이들의 제조방법 {A marble chip, a marble comprising the same and preparation method thereof}Marble chip, artificial marble comprising the same and a method of manufacturing the same {A marble chip, a marble comprising the same and preparation method

본 발명은 마블칩, 이를 포함하는 인조대리석 및 이들의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a marble chip, artificial marble comprising the same and a method of manufacturing the same.

천연 대리석은 표면경도가 높고, 수려한 외관으로 건축용 소재로 각광받고 있지만, 내충격성이 약하고, 가공이 어려우며, 고가라는 점 등의 이유로 대중화의 한계가 있다. 이러한 한계로 인해 개발된 인조대리석은 천연대리석과 비교할 때, 강도가 높고 다양한 이미지, 무늬, 색 등을 구현하며 가공성이 매우 뛰어나고 우수한 내후성 등의 많은 장점으로 인하여 수요가 증가하고 있다.
Natural marble has a high surface hardness and has a beautiful appearance, making it a popular construction material. However, natural marble has a limited popularity due to its low impact resistance, difficulty in processing, and high price. Due to these limitations, artificial marble, which is developed in comparison with natural marble, has increased demand due to many advantages such as high strength, various images, patterns, and colors, excellent processability, and excellent weather resistance.

일반적으로 인조대리석은 성형공법이나 레진(Resin)에 따라 아크릴계와 불포화 폴리에스터계, 에폭시계, 엔지니어드 스톤계의 종류로 구분된다. 이중 아크릴계 인조대리석은 메틸메타크릴레이트(Methyl methacrylate)와 같은 모노머와 폴리메틸메타크릴레이트(Poly methylmethacrylate, PMMA)를 혼합한 시럽(syrub)에 무기 충전제, 색깔 및 패턴을 구현하는 마블칩을 혼합하고 중합개시제를 용해시킨 후, 이를 적정한 온도에서 캐스팅(casting)하여 제조하는 것이 일반적이다. In general, artificial marble is classified into acrylic, unsaturated polyester, epoxy, and engineered stone according to the molding method or resin. The double acrylic artificial marble is a syrup mixed with a monomer such as methyl methacrylate and poly methylmethacrylate (PMMA), and a marble chip that implements an inorganic filler, color and pattern, is mixed. After dissolving the polymerization initiator, it is generally prepared by casting at an appropriate temperature.

현재까지 상업화되어 있는 투명한 마블칩을 사용한 인조대리석은 폴리메틸메타크릴레이트(Poly methymetacrylate)계 수지나 불포화 폴리에스테르 수지를 마블칩으로 사용하여 제조된 것이다. 마블칩은 인조대리석의 다양한 색깔과 패턴을 구현하기 위한 것으로, 마블칩에 의해 구현되는 외관이 상품가치에 가장 큰 영향을 미친다.
Artificial marble using a transparent marble chip that has been commercialized to date is manufactured using polymethyl methacrylate resin or unsaturated polyester resin as a marble chip. Marble chips are designed to realize various colors and patterns of artificial marble, and the appearance of marble chips has the greatest impact on the value of products.

따라서 인조대리석의 마블칩은 비중을 모재와 동일하게 조정하여 성형시간에 구애없이 칩이 가라앉지 않도록 조절하고, 경화시간과는 상관없이 일정한 패턴을 가질 수 있어야 하며, 모재와 동일한 연마성을 가져 인조대리석으로 제조 후 평탄성과 평활성이 동시에 만족해야할 것이다. 또한 인조대리석 제품의 고급화에 기여할 수 있는 보석과 같은 형상을 나타내기 위해 고굴절율이 요구되고 있다.Therefore, the marble chip of artificial marble should be adjusted to the specific gravity as the base material so that the chip does not sink regardless of the molding time, and it should be able to have a certain pattern regardless of the hardening time. After making from marble, the flatness and smoothness should be satisfied at the same time. In addition, a high refractive index is required to exhibit a jewel-like shape that can contribute to the high quality of artificial marble products.

상기 PMMA계 수지나 불포화 폴리에스테르 수지로 제조된 투명칩들은 비중이 1.15~1.24로서, 모재의 비중보다 낮아 인조대리석 제조 시, 투명칩이 모두 상층부로 뜨는 현상이 발생하여 균일한 칩 분포가 불가능한 문제점이 있고, 균일한 칩 분포를 갖는 인조대리석을 제조하려면 기존 사용량의 약 2배 이상을 투입함으로 인해 경제적 손실이 매우 큰 단점과 칩 투입량 증가에 따른 인조대리석의 두께 조절이 매우 어려운 문제점이 있었다.
The transparent chips made of the PMMA resin or unsaturated polyester resin have a specific gravity of 1.15 to 1.24, which is lower than the specific gravity of the base material, so that the transparent chips float to the upper part when manufacturing artificial marble, which makes uniform chip distribution impossible. In order to manufacture artificial marble having a uniform chip distribution, there is a problem in that it is very difficult to control the thickness of the artificial marble due to an increase in chip input due to a large economic loss due to the input of about two times or more of the existing usage.

이를 개선하기 위해 불포화 폴리에스테르 수지를 할로겐화하여 경화물의 비중을 높이는 방법과 할로겐화 에폭시아크릴레이트 및 반응성 모노머로 이루어진 수지 조성로 마블칩을 제조하는 방법 등이 제시되었다. 그러나 불포화 폴리에스테르 수지는 이중결합의 분포가 불규칙하고 바인더 내부의 이중결합 수를 조절하는 어려움으로 인해 경화시 수축방향이 이중결합이 많은 쪽으로 편향되어 내부 크랙이 발생되는 단점이 있고, 지방족 고분자를 바인더와 혼합하여 수축을 방지할 수 있으나, 경화물의 색상이 백탁되어 투명칩으로서의 기능을 할 수가 없었다.
In order to improve this, a method of increasing the specific gravity of a cured product by halogenating an unsaturated polyester resin and a method of manufacturing a marble chip using a resin composition composed of a halogenated epoxy acrylate and a reactive monomer have been proposed. However, unsaturated polyester resins have a disadvantage in that the distribution of double bonds is irregular and the cracking direction is deflected toward a large number of double bonds during curing due to difficulty in controlling the number of double bonds in the binder. And shrinkage can be prevented, but the color of the cured product becomes cloudy and could not function as a transparent chip.

이러한 내부 크랙발생과, 백탁 현상을 개선하기 위해 할로겐화 에폭시아크릴레이트 및 반응성 모노머로 이루어진 수지 조성물을 마블칩에 적용하는 방법이 제시되었다. 그러나 할로겐화 에폭시아크릴레 수지 바인더를 제조하기 위한 원료로서 할로겐화 에폭시는 상온에서 고형의 상태이기 때문에 이를 유동화 시키기 위해 반응기 내부의 온도를 80~110℃까지 승온하고, 아크릴산(또는 메타크릴산)을 드로핑하기 위해 반응기 내부의 온도를 85℃까지 냉각시킴으로 인하여 시간이 오래 걸리고, 또한 에너지 소비 측면에서 매우 비경제적이고, 최종 수지 조성물을 얻기까지 많은 시간이 소요되는 단점이 있었다.In order to improve such internal cracking and turbidity, a method of applying a resin composition composed of a halogenated epoxy acrylate and a reactive monomer to a marble chip has been proposed. However, since the halogenated epoxy is a solid state at room temperature as a raw material for producing a halogenated epoxy acrylic resin binder, the temperature inside the reactor is raised to 80 to 110 ° C. in order to fluidize it, and the acrylic acid (or methacrylic acid) is dropped. In order to cool the temperature inside the reactor to 85 ℃ in order to take a long time, it is also very economical in terms of energy consumption, it takes a long time to obtain a final resin composition.

이에 본 발명자들은 상기 문제점을 해결하기 위해 연구와 실험을 거듭하여 본 발명을 제안하게 된 것으로, 본 발명은 무수물로부터 에폭시아크릴레이트 및 반응성 모노머로 이루어진 불포화 에스터계 수지 조성물을 마블칩에 적용함으로서 이를 이용하여 인조대리석을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.In order to solve the above problems, the present inventors have repeatedly studied and experimented to propose the present invention. The present invention uses the unsaturated ester resin composition composed of epoxy acrylate and a reactive monomer from anhydride to a marble chip. To provide artificial marble, which has a purpose.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 인조대리석용 마블칩은 Marble chip for artificial marble of the present invention for achieving the above object

투명 베이스부 및 상기 투명 베이스부에 포함된 착색 줄무늬부를 포함하되, It includes a transparent base portion and the colored stripes included in the transparent base portion,

상기 투명 베이스부는 무수물로부터 에폭시아크릴레이트 및 반응성 모노머로 이루어진 불포화 에스터계 수지 조성물을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
The transparent base portion is characterized in that it comprises an unsaturated ester resin composition composed of an epoxy acrylate and a reactive monomer from an anhydride.

또한, 본 발명의 인조대리석용 마블칩 제조방법은 투명 베이스부에 착색 줄무늬부를 형성시킨 다음 칩 형태로 가공하는 마블칩 제조방법에 있어서, In addition, in the marble chip manufacturing method of the present invention in the marble chip manufacturing method of forming a colored stripe portion in the transparent base portion and then processing in the form of chips,

상기 투명 베이스부는 The transparent base portion

무수물 30~60중량부, 하이드록시 아크릴레이트 10~30중량부, 반응색상 개선제 0.001~0.003중량부, 반응 촉매: 0.01~0.4중량부, 중합 금지제 0.01~0.1중량부로 변성 할로겐화 아크릴레이트 또는 변성 할로겐화 에스터 합성하는 단계; 30 to 60 parts by weight of anhydride, 10 to 30 parts by weight of hydroxy acrylate, 0.001 to 0.003 parts by weight of reaction color improver, reaction catalyst: 0.01 to 0.4 parts by weight, halogenated acrylate or modified halogenated to 0.01 to 0.1 parts by weight of polymerization inhibitor Ester synthesis;

상기 변성 할로겐화 아크릴레이트 또는 변성 할로겐화 에스터에 에폭시 수지 10~30중량부를 중합하여 할로겐화 에폭시아크릴레이트를 합성하는 단계; 및 Synthesizing a halogenated epoxy acrylate by polymerizing 10 to 30 parts by weight of the epoxy resin to the modified halogenated acrylate or modified halogenated ester; And

상기 할로겐화 에폭시아크릴레이트에 중합금지제 0.001~0.004중량부, 반응성 모노머 5~25중량부를 첨가하여 희석하는 단계; 에 의해 제작되는 것을 특징으로 한다.
Adding and diluting 0.001 to 0.004 parts by weight of a polymerization inhibitor and 5 to 25 parts by weight of a reactive monomer to the halogenated epoxy acrylate; It is characterized by being manufactured by.

또한, 본 발명의 인조대리석의 제조방법은 상기 방법에 의해 제조된 마블칩을 인조대리석용 원료조성물로서 적용하는 것을 특징으로 한다.
In addition, the method of manufacturing the artificial marble of the present invention is characterized in that the marble chip prepared by the above method is applied as a raw material composition for artificial marble.

또한, 본 발명의 인조대리석은 베이스 수지 및 마블칩을 포함하여 이루어지는 인조대리석에 있어서, 상기 마블칩으로는 상술한 마블칩을 사용하는 것을 특징으로 한다.
In addition, the artificial marble of the present invention is characterized in that the above-mentioned marble chip is used as the marble chip in the artificial marble comprising a base resin and a marble chip.

이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 인조대리석용 마블칩 수지조성물은 변성 할로겐화 아크릴레이트 또는 변성 할로겐화 에스터) 합성 단계에서 할로겐화 무수물, 하이드록시 아크릴레이트, 반응색상 개선제, 반응 촉매, 중합 금지제를 사용하고, 변성 할로겐화 에폭시아크릴레이트 합성단계에서 에폭시 수지를 첨가하고, 희석하는 단계에서 중합금지제, 반응성 모노머를 첨가하며 경우에 따라 금속비누염을 사용할 수도 있다.Marble chip resin composition for artificial marble of the present invention is a modified halogenated epoxy acrylate using a halogenated anhydride, a hydroxy acrylate, a reaction color improving agent, a reaction catalyst, a polymerization inhibitor in the modified halogenated acrylate or modified halogenated ester) An epoxy resin is added in the synthesis step, a polymerization inhibitor and a reactive monomer are added in the dilution step, and a metal soap salt may be used in some cases.

이때, 상기 무수물은 가공을 위한 점도 조절 마블 형성시의 문제를 감안하여 30~60중량부를 사용하는 것이 바람직하며, 30중량부 미만이면 비중이 낮아 제품으로 사용하기 어렵다는 문제가 있고, 60중량부를 초과하면 비중이 너무 높아져 제품에 투입하였을 때 가라않는 문제가 있기 때문이다.At this time, the anhydride is preferably 30 to 60 parts by weight in consideration of problems in forming the viscosity control marble for processing, less than 30 parts by weight has a problem that it is difficult to use as a product with a low specific gravity, more than 60 parts by weight This is because there is a problem that the specific gravity is too high and when it is put into the product.

또한 상기 하이드록시 아크릴레이트는 10~30중량부를 사용하는데, 그 이유는 상온에서 적정 점도로 조절하기 위해서이다. In addition, the hydroxy acrylate is used in 10 to 30 parts by weight, for the purpose of adjusting to an appropriate viscosity at room temperature.

또한, 상기 반응색상 개선제는 0.001~0.003중량부를 사용하는데, 그 이유는 소량만으로도 색상 변화가 커지기 때문에 상술한 정도의 함량이 최적이기 때문이다. In addition, the reaction color improving agent is used in 0.001 ~ 0.003 parts by weight, because the color change is large because only a small amount of the above-described content is optimal.

또한, 상기 반응 촉매는 0.01~0.4중량부를 사용하는데, 그 이유는 제품의 경도와 강도를 조절하기 위해서 분자량을 일정하게 조절하기 위해서이다.
In addition, the reaction catalyst is used 0.01 to 0.4 parts by weight, in order to control the molecular weight in order to control the hardness and strength of the product.

또한, 변성 할로겐화 아크릴레이트 또는 변성 할로겐화 에스터 합성하는 과정에서 사용하는 상기 중합 금지제는 0.01~0.1중량부를 사용하는데, 이를 초과시에는 반응을 너무 억제하여 제조시 시간이 많이 소요되기 때문이다. In addition, the polymerization inhibitor used in the synthesis of the modified halogenated acrylate or modified halogenated ester is used 0.01 to 0.1 parts by weight, since it exceeds the reaction too much, it takes a long time in manufacturing.

또한, 상기 에폭시 수지는 10~30중량부를 사용하는데, 그 이유는 비중을 조절하기 위해서이다.
In addition, the epoxy resin is used 10 to 30 parts by weight, for the purpose of adjusting the specific gravity.

또한, 모노머를 첨가하는 과정에서 사용하는 상기 중합금지제는 0.001~0.004중량부를 사용하는데, 그 이유는 반응 시간을 조절하기 위해서이다. 상기 반응성 모노머는 5~25중량부를 사용하는데, 그 이유는 점도 조절을 위해서이다.
In addition, the polymerization inhibitor used in the process of adding a monomer uses 0.001 to 0.004 parts by weight, for the purpose of adjusting the reaction time. The reactive monomer is used 5 to 25 parts by weight, for the purpose of viscosity control.

이러한 비율의 원료를 사용하여 합성하는 방법을 다음에서 단계별로 구분하여 설명한다. The synthesis method using these ratios of raw materials will be described in the following stages.

먼저, 변성 할로겐화 아크릴레이트 또는 변성 할로겐화 에스터) 합성 단계는 하프-에스터화 반응으로서 할로겐화 무수물로부터 변성 할로겐화 아크릴레이트 (또는 할로겐화 에스터)를 합성하는 단계로 무수물 당량이 100~500인 할로겐화 무수물과 하이드록시 아크릴레이트, 염기류의 반응 촉매, 반응색상 개선제를 교반기, 온도계, 질소 공급장치 및 드로핑 장치 등이 설치된 반응조에 할로겐화 무수물 30~60 중량부, 하이드록시 아크릴레이트 10~30중량부, 반응촉매 0.01~0.4중량부, 반응색상 개선제 0.001~0.003중량부, 중합금지제 0.01~0.1중량부를 넣고 질소를 공급하면서 반응조 내용물의 온도를 90~105℃로 승온한 후 등온을 유지하며 반응시켜 산가 60~90 mgKOH/g 변성 할로겐화 아크릴레이트(또는 변성 할로겐화 에스터)를 합성한다.
First, the modified halogenated acrylate or modified halogenated ester) synthesis step is a half-esterification step for synthesizing the modified halogenated acrylate (or halogenated ester) from the halogenated anhydride. Halogenated anhydride and hydroxy acryl having an anhydride equivalent of 100 to 500. 30 to 60 parts by weight of a halogenated anhydride, 10 to 30 parts by weight of hydroxy acrylate, and a reaction catalyst of 0.01 to 0.4 in a reaction tank provided with a stirrer, a thermometer, a nitrogen supply device, and a dropping device. Part by weight, 0.001 to 0.003 parts by weight of reaction color improving agent, 0.01 to 0.1 parts by weight of polymerization inhibitor, and while supplying nitrogen, the temperature of the contents of the reactor was raised to 90-105 ° C., and then reacted while maintaining isothermal acid value 60-90 mgKOH / g Synthesized modified halogenated acrylate (or modified halogenated ester).

이때, 상기 무수물은, 할로겐화 무수물(테트라브로모프탈릭안하이드라이드, 테트라클로로프탈릭안하이드라이드), 아세트산무수물, 말레산 무수물, 테트라 하이드로프탈릭 무수물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 혹은 2종 이상의 혼합물인 것이 바람직하다. 또한, 상기 아크릴레이트는, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시메틸아크릴레이트, 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 4-하이드록시 부틸아트릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 혹은 2종 이상의 혼합물인 것이 바람직하다. 또한, 상기 반응색상 개선제로는 인산 또는 아인산 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 반응 촉매로는 트리에틸아민, 에틸트리메틸 암모늄브로마이드, 디메틸벤질아민, 디노르말부틸아민, 디메틸페닐벤질아민, 테트라메틸암모늄클로라이드, 크롬아세틸아세테이트, 트리페닐스티핀, 디메틸벤질암모늄클로라이드, 트리페닐포스핀, 에틸메틸이미다졸 및 디메틸이미다졸, 리튬카보네이트, 티타늄테트라아이소프로폭사이드, 암모늄비카보네이트, 소듐비카본이트, 소듐알루미네이트, 소듐아세테이트안하이드로스로 이루어진 군으로부터 하나 또는 둘 이상을 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 중합 금지제로서 하이드로퀴논, 톨루하이드로퀴논, 하이드로퀴논모노메틸에티르, 파라벤조퀴논, 디메틸파라벤조퀴논 및 파라터셔립틸카테콜로 이루어진 군으로부터 하나 또는 둘 이상을 선택하여 사용하는 것이 바람직하다.
In this case, the anhydride is one or a mixture of two or more selected from the group consisting of halogenated anhydrides (tetrabromophthalic hydride, tetrachlorophthalic anhydride), acetic anhydride, maleic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride Is preferably. Moreover, the said acrylate is 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxymethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxy butyl acrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol It is preferable that it is 1 type, or 2 or more types of mixtures chosen from the group which consists of tetraacrylate. In addition, it is preferable to use a phosphoric acid or a phosphorous acid compound as the reaction color improving agent. In addition, the reaction catalyst is triethylamine, ethyltrimethyl ammonium bromide, dimethylbenzylamine, dinormalbutylamine, dimethylphenylbenzylamine, tetramethylammonium chloride, chromium acetylacetate, triphenylstypine, dimethylbenzyl ammonium chloride, tri One or two from the group consisting of phenylphosphine, ethylmethylimidazole and dimethylimidazole, lithium carbonate, titanium tetraisopropoxide, ammonium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium aluminate, sodium acetate anhydrous It is preferable to select and use the above. In addition, it is preferable to use one or two or more selected from the group consisting of hydroquinone, toluhydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, parabenzoquinone, dimethylparabenzoquinone, and parasitaryl catechol as the polymerization inhibitor. .

다음으로, 변성 할로겐화 에폭시아크릴레이트 합성단계는 상기 변성 할로겐화 아크릴레이트(또는 변성 에스터) 합성단계 반응 후 에폭시수지 10~30 중량부를 드로핑 반응시켜 에폭시 수지 말단의 에틸렌옥사이드가 개환되면서 변성 할로겐화 아크릴레이트 또는 변성 할로겐화 에스터)와 반응하여 변성 할로겐화 에폭시아크릴레이트를 합성한다.
Next, the modified halogenated epoxy acrylate synthesis step is a modified halogenated acrylate or ring-opening ethylene oxide at the end of the epoxy resin by dropping the epoxy resin dropping reaction after the reaction of the modified halogenated acrylate (or modified ester) synthesis step React with the modified halogenated ester) to synthesize modified halogenated epoxyacrylate.

이때, 상기 에폭시 수지는, 비스페놀-A형 에폭시 수지, 비스페놀-A형 또는 페놀-포름 알데히드 노블락 형 할로겐화 에폭시 수지, 비스페놀-F형 에폭시 수지, O-크레졸 노블락형 에폭시 수지, 페놀-노블락 형 에폭시 수지, 비스페놀-A 노블락형 에폭시 수지, 고무 변성형(Dimer, CTBN, NBR, 아크릴 고무 변성등) 에폭시 수지, 우레탄 변성형 에폭시 수지, 폴리올 변성형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시수지, 수소 치환 형 비스페놀-A형 에폭시 수지, 비스페놀-A형 free형 에폭시 수지, 트리메칠올 프로판형 에폭시수지, UV-경화형 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 혹은 2종 이상 혼합물인 것이 바람직하다.
At this time, the epoxy resin is a bisphenol-A type epoxy resin, a bisphenol-A type or a phenol-formaldehyde noblock type halogenated epoxy resin, a bisphenol-F type epoxy resin, an O-cresol noblock type epoxy resin, a phenol-noblock type epoxy resin , Bisphenol-A noblock type epoxy resin, rubber modified (Dimer, CTBN, NBR, acrylic rubber modified) epoxy resin, urethane modified epoxy resin, polyol modified epoxy resin, polyfunctional epoxy resin, hydrogen substituted bisphenol-A It is preferable that it is 1 type, or 2 or more types of mixtures chosen from the group which consists of a type | mold epoxy resin, a bisphenol-A free type | mold epoxy resin, a trimethylol propane type epoxy resin, and a UV-curable epoxy resin.

다음으로, 반응성 모노머의 첨가 단계는 상기에서 제조된 변성 에폭시아크릴레이트 수지 바인더를 75~80℃로 냉각시켜 중합금지제 0.001~0.004중량부를 넣고, 변성 에폭시아크릴레이트 수지 바인더 70~95중량부에 반응성 모노머 5~25 중량부를 넣어 희석 후 60℃이하로 냉각 시키는 단계로, 경화성 조절을 위하여 금속 비누염 0.00005~0.0002중량부가 사용될 수도 있다.
Next, in the step of adding the reactive monomer, the modified epoxy acrylate resin binder prepared above is cooled to 75 to 80 ° C. to put 0.001 to 0.004 parts by weight of a polymerization inhibitor, and the reactive epoxy acrylate resin binder is reactive to 70 to 95 parts by weight. After dilution, 5-25 parts by weight of monomer is cooled to 60 ° C. or lower, and 0.00005 to 0.0002 parts by weight of metal soap salt may be used to control the curing property.

이때, 상기 중합금지제로는 하이드로퀴논, 톨루하이드로퀴논, 하이드로퀴논모노메틸에티르, 파라벤조퀴논, 디메틸파라벤조퀴논 및 파라터셔립틸카테콜로 이루어진 군으로부터 하나 또는 둘 이상을 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. 상기 반응성 모노머로는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 옥실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 옥타데실(메타)아크릴레이트, 메틸사이클로헥실(메타)아크릴레이트, 메톡시페닐(메타)아크릴레이트, 브로모페닐(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,2-프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,3-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,3-프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올(메타)아크릴레이트, 1,5-펜탄디올디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디알릴테레프탈레이트, 디알릴프탈레이트, 디알릴카보네이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 에톡시에톡시아크릴레이트, 글리시딜메타크릴산의 에폭시아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 글리세린트리(메타)아크릴레이트, 메틸프로판디올디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 스타이렌, 할로겐화 스타이렌, α-메틸스타이렌, α-메틸스타이렌다이머, 비닐톨루엔, 디비닐벤젠 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 1종 이상 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. 상기 금속 비누염으로는 코발트, 구리, 칼슘, 칼륨, 아연 및 지르코늄이 염 중 하나 또는 둘 이상의 조합으로 사용할 수도 있다.
In this case, it is preferable to use one or two or more selected from the group consisting of hydroquinone, toluhydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, parabenzoquinone, dimethylparabenzoquinone, and parasitratyl catechol as the polymerization inhibitor. . As said reactive monomer, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, oxyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acryl Rate, methylcyclohexyl (meth) acrylate, methoxyphenyl (meth) acrylate, bromophenyl (meth) acrylate, ethylene glycol (meth) acrylate, 1,2-propylene glycol (meth) acrylate, 1 , 3-butanediol di (meth) acrylate, 1,3-propylene glycol (meth) acrylate, 1,4-butanediol (meth) acrylate, 1,5-pentanediol di (meth) acrylate, dipropylene glycol Di (meth) acrylate, diallyl terephthalate, diallyl phthalate, diallyl carbonate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, ethoxyethoxyacrylate, epoxy acrylate of glycidyl methacrylate, 1, 6-hexanedioldi (meth Ta) acrylate, glycerin tri (meth) acrylate, methylpropanedioldi (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, styrene, halogenated styrene, α-methylstyrene, α-methylstyrene It is preferable to use at least one selected from the group consisting of dimers, vinyltoluene, divinylbenzene, and mixtures thereof. As the metal soap salt, cobalt, copper, calcium, potassium, zinc and zirconium may be used in one or a combination of two or more salts.

그런 다음 색상을 나타나기 위한 안료를 혼합하여 착색 줄무늬부용으로 사용될 슬러리를 제조하게 된다. 이때 무늬는 줄무늬에 한정하는 것은 아니며, 스트라이프, 파도 무늬 등도 포함할 수 있다.
Then, a pigment to be used to mix the color to prepare a slurry to be used for the colored stripes. At this time, the pattern is not limited to stripes, and may include stripes, waves, and the like.

다음으로 칩형태로 가공하는 단계를 거치는데, 칩형태로의 가공은 통상의 방법으로 행할 수 있는데, 그 크기는 칩 형상과 작업성을 고려할 때 100내지 2.5메쉬인 것이 보다 바람직하다.
Next, the step of processing in the form of a chip, the processing in the form of a chip can be performed by a conventional method, the size is more preferably 100 to 2.5 mesh considering the chip shape and workability.

이와 같은 방법으로 제조된 마블칩은 모재와의 결합력이 우수하고, 모재와 동일한 샌딩성 및 경도 특성과 고비중, 고굴절율, 고투명성, 고평활성 및 내구성, 내열성, 내약품성, 내충격성을 갖는다. 따라서, 본 발명에 따른 마블칩을 사용한 인조대리석은 원재료의 비중차에 의한 문제가 발생하지 않으면서도 우수한 물성을 보인다.
The marble chip manufactured in this way has excellent bonding strength with the base material, and has the same sanding properties and hardness properties as the base material, high specific gravity, high refractive index, high transparency, high smoothness and durability, heat resistance, chemical resistance, and impact resistance. Therefore, the artificial marble using the marble chip according to the present invention exhibits excellent physical properties without causing problems due to the specific gravity difference of the raw materials.

이상 설명한 본 발명의 마블칩은 통상의 방법으로 인조대리석으로 제조할 수 있다. 즉, 본 발명의 마블칩을 이용한 인조대리석 제조에 사용되는 베이스 수지의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 즉, 본 발명에서는 예를 들면, 아크릴계, 폴리에스테르계, 에폭시계, 멜라민계 및 E-스톤(engineered stone) 계열의 인조대리석과 같은 이 분야에서 공지된 각종의 인조대리석 제조를 위해 사용되는 베이스 수지를 제한 없이 사용할 수 있다. 즉, 본 발명의 인조대리석은 아크릴 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지 및 멜라민 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 베이스 수지를 포함할 수 있다. 이를 보다 구체적으로 예를 들어 설명하면 다음과 같다.
The marble chip of the present invention described above can be manufactured from artificial marble in a conventional manner. That is, the kind of base resin used for manufacturing artificial marble using the marble chip of the present invention is not particularly limited. That is, in the present invention, for example, a base resin used for manufacturing various kinds of artificial marble known in the art such as acrylic, polyester, epoxy, melamine, and E-stone (engineered stone) artificial marble. Can be used without limitation. That is, the artificial marble of the present invention may include one or more base resins selected from the group consisting of acrylic resins, unsaturated polyester resins, epoxy resins, and melamine resins. This will be described in more detail with an example.

상기에서 아크릴 수지의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트 및 글리시딜 (메타)아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 아크릴계 단량체의 중합체를 사용할 수 있다. 또한, 상기 불포화 폴리에스테르의 종류 역시 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 α,β-불포화 이염기산 또는 상기 이염기산 및 포화 이염기산의 혼합물과 다가 알코올의 축합 반응을 통해 제조되는 것으로서, 산가가 5 내지 40이고, 분자량이 1,000 내지 5,000인 폴리에스테르 수지를 사용할 수 있다. 상기에서 사용되는 α,β-불포화 이염기산 또는 포화 이염기산의 예로는 무수 말레산 (maleic anhydride), 시트라콘산(citraconic acid), 푸마르산 (fumaric acid), 이타콘산 (itaconic acid), 프탈산 (phthalic acid), 무수 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산(terephthalic acid), 호박산 (succinic acid), 아디프산 (aipic acid), 세바스산 (sebacic acid) 및/또는 테트라히드로프탈산 등을 들 수 있고; 다가 알코올의 예로는 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 폴리 프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌 글리콜, 수소화 비스페놀 A, 트리메틸롤 프로판 모노아릴 에테르, 네오펜틸 글리콜, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올 및/또는 글리세린 등을 들 수 있다. 상기 폴리에스테르 수지는 또한, 필요에 따라서는, 아크릴산, 프로피온산 (propionic acid) 및/또는 안식향산(benzoic acid) 등의 일염기산; 또는 트리멜리트산(trimellitic acid) 및/또는 벤졸의 테트라카본산 등의 다염기산 등을 추가로 포함할 수 있다.
The specific kind of acrylic resin is not specifically limited in the above, For example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) Polymers of one or more acrylic monomers selected from the group consisting of) acrylates and glycidyl (meth) acrylates. In addition, the type of the unsaturated polyester is also not particularly limited, and is, for example, prepared by the condensation reaction of an α, β-unsaturated dibasic acid or a mixture of the dibasic acid and a saturated dibasic acid with a polyhydric alcohol. A polyester resin having a molecular weight of 1,000 to 5,000 can be used. Examples of the α, β-unsaturated dibasic acids or saturated dibasic acids used above include maleic anhydride, citraconic acid, fumaric acid, itaconic acid and phthalic acid. acid), phthalic anhydride, isophthalic acid, terephthalic acid, succinic acid, adipic acid, sebacic acid and / or tetrahydrophthalic acid; Examples of polyhydric alcohols include ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, polypropylene glycol, 1,3-butylene glycol, hydrogenated bisphenol A, trimethylol propane monoaryl ether, Neopentyl glycol, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol and / or glycerin. The polyester resin may also be, if necessary, monobasic acids such as acrylic acid, propionic acid and / or benzoic acid; Or a polybasic acid such as trimellitic acid and / or tetracarboxylic acid of benzol.

또한, 상기에서 사용될 수 있는 에폭시 수지의 종류 역시 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 이관능 또는 다관능성 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 상기 이관능 또는 다관능성 에폭시 수지의 예로는, 비스페놀 A형 에폭시수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 테트라페닐 에탄 에폭시 수지 및 페놀 노볼락형 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택 하나 이상의 것을 들 수 있다.
In addition, the type of epoxy resin that can be used above is not particularly limited, and for example, a bifunctional or polyfunctional epoxy resin can be used. Examples of the bi- or polyfunctional epoxy resins include one or more selected from the group consisting of bisphenol A type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, tetraphenyl ethane epoxy resins and phenol novolac type epoxy resins.

본 발명의 인조대리석은 상기와 같은 베이스 수지와 함께 전술한 본 발명에 따른 마블칩을 포함한다. 이와 같은 마블칩은 베이스 수지 100 중량부에 대하여 5 내지 40 중량부의 양으로 포함되는 것이 바람직하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.The artificial marble of the present invention includes a marble chip according to the present invention described above together with the base resin as described above. Such a marble chip is preferably included in an amount of 5 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the base resin, but is not limited thereto.

본 발명의 인조대리석은 또한 상기 성분에 추가로 무기 충진물, 가교제 및 중합 개시제와 같은 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 이 때 상기 첨가제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여, 무기 충진물이 100 내지 200 중량부, 가교제가 0.1 내지 10 중량부, 중합 개시제가 0.1 내지 10 중량부인 것이 바람직하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
The artificial marble of the present invention may also further comprise additives such as inorganic fillers, crosslinking agents and polymerization initiators in addition to the above components. In this case, the additive is preferably 100 to 200 parts by weight of inorganic filler, 0.1 to 10 parts by weight of crosslinking agent, and 0.1 to 10 parts by weight of polymerization initiator, based on 100 parts by weight of the base resin, but is not limited thereto.

상기에서 무기 충진물의 종류로는 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘 및 알루민산 칼슘 등으로, 굴절율이 1.57 내지 1.62인 것이 바람직하며, 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용 가능하다. 또한, 상기 무기충진물은 수지와의 분산성, 제품의 기계적 강도 향상 및 침전방지 등을 위해 실란계 커플링제, 티타네이트계 커플링제 또는 스테아린산 등으로 표면 처리되어 있을 수 있다.
As the inorganic filler, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium aluminate, and the like, preferably having a refractive index of 1.57 to 1.62, which may be used alone or in combination of two or more thereof. In addition, the inorganic filler may be surface-treated with a silane coupling agent, titanate coupling agent or stearic acid for dispersibility with the resin, improving the mechanical strength of the product and preventing precipitation.

또한, 본 발명에서 사용할 수 있는 가교제의 예로는 분자 내에 공중합 가능한 이중결합을 포함하여, 인조대리석의 베이스 수지를 구성하는 시럽과 가교 결합할 수 있는 다관능성 아크릴 단량체를 들 수 있고, 구체적으로는 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디메타크릴이트, 테트라에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 1,6-헥산 디올 디메타크릴레이트, 폴리부틸렌 글리콜 디메타크릴레이트 및 네오펜틸 글리콜 디메타크릴레이트 중에서 선택되는 단독 또는 2종 이상의 혼합물을 들 수 있으며, 이중 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트가 특히 바람직하다. 상기 가교제는 베이스 수지 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부로 사용하는 것이 바람직하다. 상기 함량이 0.1 중량부보다 작으면, 표면에 요철이 발생하거나, 인조대리석 상부 및 하부에 기포가 발생하는 등 원료들 간의 결합력이 떨어질 우려가 있고, 또한 내열성 및 내열 변색성도 저하될 수 있다. 또한, 상기 함량이 10 중량부를 초과하면, 칩들의 상분리로 인해 인조대리석 패턴에 문제가 생길 우려가 있다.
In addition, examples of the crosslinking agent that can be used in the present invention include polyfunctional acrylic monomers capable of crosslinking with the syrup constituting the base resin of artificial marble, including a double bond copolymerizable in a molecule, and specifically, ethylene Glycol Dimethacrylate, Diethylene Glycol Dimethacrylate, Triethylene Glycol Dimethacrylate, Tetraethylene Glycol Dimethacrylate, 1,6-hexane Diol Dimethacrylate, Polybutylene Glycol Dimethacrylate And neopentyl glycol dimethacrylate, either alone or in combination of two or more thereof. Of these, ethylene glycol dimethacrylate is particularly preferred. The crosslinking agent is preferably used in an amount of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the base resin. When the content is less than 0.1 parts by weight, there is a fear that the bonding strength between the raw materials, such as irregularities on the surface, bubbles generated on the top and bottom of the artificial marble may fall, and also heat resistance and heat discoloration resistance may be lowered. In addition, when the content exceeds 10 parts by weight, there is a concern that a problem occurs in the artificial marble pattern due to the phase separation of the chips.

또한, 상기 중합개시제는 본 발명에서 경화제의 역할을 하는 것으로 중합 촉진제와 함께 사용되는 것이 일반적이고, 그 예로는 유기 과산화물을 들 수 있다. 구체적으로는, 벤조일 퍼옥사이드, 디큐밀(Dicumyl) 퍼옥사이드와 같은 디아실 퍼옥사이드; 부틸하이드로 퍼옥사이드, 쿠밀하이드로 퍼옥사이드와 같은 하이드로 퍼옥사이드; t-부틸 퍼옥시 말레인산; t-부틸하이드로 퍼옥사이드; 아세틸 퍼옥사이드; 라우로일 퍼옥사이드; 아조비스이소부티로니트릴; 아조비스디메틸발레로(valero) 니트릴; t-부틸 퍼옥시네오데카노에이트 (Neodecanoate); 및 t-아밀퍼옥시 2-에틸헥사노에이트 중에서 선택되는 단독 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 아민의 퍼옥사이드 및 술폰산의 혼합물; 또는 퍼옥사이드 및 코발트 화합물의 혼합물을 사용하여 중합과 경화가 실온에서 수행되도록 할 수 있다.In addition, the polymerization initiator plays a role of a curing agent in the present invention, and it is generally used together with a polymerization accelerator, and examples thereof include organic peroxides. Specifically, diacyl peroxide, such as benzoyl peroxide and Dicumyl peroxide; Hydroperoxides such as butylhydro peroxide, cumylhydro peroxide; t-butyl peroxy maleic acid; t-butylhydro peroxide; Acetyl peroxide; Lauroyl peroxide; Azobisisobutyronitrile; Azobisdimethylvaleronitrile; t-butyl peroxyneodecanoate (Neodecanoate); And t-amylperoxy 2-ethylhexanoate may be used alone or in a mixture of two or more thereof. Further, in the present invention, a mixture of amine peroxide and sulfonic acid; Or mixtures of peroxide and cobalt compounds can be used to allow polymerization and curing to be carried out at room temperature.

본 발명의 인조대리석은 또한, 노르말 도데실메르캅탄, 터셔리 도데실메르캅탄, 벤질메르캅탄 및 트리메틸벤질메르캅탄 등의 메르캅탄 화합물과 같은 라디칼 운반체를 추가로 포함할 수 있다. 이 때 라디칼 운반체의 함량은 베이스 수지 100 중량부에 대하여 0.1 내지 5 중량부가 바람직하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
The artificial marble of the present invention may further include radical carriers such as mercaptan compounds such as normal dodecyl mercaptan, tertiary dodecyl mercaptan, benzyl mercaptan and trimethylbenzyl mercaptan. At this time, the content of the radical carrier is preferably 0.1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the base resin, but is not limited thereto.

본 발명의 인조대리석은 또한 전술한 마블칩 외에 아크릴계, 불포화 폴리에스테르계 또는 에폭시계로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 투명 수지를 포함하는 투명 수지 시럽, 무기 충진물, 가교제 및 중합 개시제를 포함하는 슬러리로 제조된 단색 칩을 40 중량부 이하의 양으로 추가로 포함할 수 있다. 이 때 상기 슬러리의 조성은 투명 수지 100 중량부에 대하여, 무기 충진물이 100 내지 200 중량부, 가교제 및 중합개시제가 각각 0.1 내지 10 중량부의 양으로 포함되는 것이 바람직하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.The artificial marble of the present invention is also a slurry containing a transparent resin syrup, an inorganic filler, a crosslinking agent, and a polymerization initiator containing one or two or more transparent resins selected from acrylic, unsaturated polyester or epoxy in addition to the above-mentioned marble chips. The prepared monochromatic chip may be further included in an amount of 40 parts by weight or less. At this time, the composition of the slurry is preferably 100 to 200 parts by weight of the inorganic filler, 0.1 to 10 parts by weight of the crosslinking agent and the polymerization initiator, respectively, based on 100 parts by weight of the transparent resin, but is not limited thereto.

본 발명의 인조대리석은 또한, 상기 성분에 추가로, 인조대리석의 일반적인 첨가 성분을 추가로 포함할 수 있으며, 그 예로는 실리콘계 또는 비실리콘계 소포제; 실란계(트리메톡시실란), 산계 또는 티타네이트계 커플링제; 유기 또는 무기안료 또는 염료; 페닐살리실레이트(Phenyl Salicylate)계, 벤조페논(Benzophenone)계, 벤조트리아졸(Benzotriazole)계, 니켈 유도체계 또는 라디칼 제거제(Radical Scavenger)계 자외선 흡수제; 할로겐계, 인계 또는 무기금속계 난연제; 스테아린산계 또는 실리콘계 이형제; 카테콜(Catechol)계 또는 하이드로퀴논류계 중합억제제; 페놀계, 아민계, 퀴논계, 유황계 또는 인계 산화방지제 중에서 선택되는 1종 이상을 들 수 있다.
The artificial marble of the present invention may further include, in addition to the above components, a general addition component of artificial marble, and examples thereof include silicone-based or non-silicone-based antifoaming agents; Silane-based (trimethoxysilane), acid-based or titanate-based coupling agents; Organic or inorganic pigments or dyes; Phenyl Salicylate-based, Benzophenone-based, Benzotriazole-based, Nickel derivative-based or Radical Scavenger-based UV absorbers; Halogen-based, phosphorus- or inorganic metal-based flame retardants; Stearic acid type or silicone type release agent; Catechol-based or hydroquinone-based polymerization inhibitors; 1 or more types chosen from a phenol type, an amine type, a quinone type, sulfur type, or phosphorus antioxidant.

본 발명에서 인조대리석을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 발명에서는 전술한 베이스 수지 시럽 및 기타 첨가물을 포함하는 인조대리석용 원료 조성물에 적절한 양의 마블칩을 배합하고, 이를 캐스팅이나 프레스 공법과 같은 일반적인 방법으로 경화시켜, 인조대리석을 제조할 수 있다.
The method for producing the artificial marble in the present invention is not particularly limited. For example, in the present invention, an appropriate amount of marble chips is blended with the raw material composition for artificial marble including the base resin syrup and other additives described above, and cured by a general method such as casting or press method to produce artificial marble. can do.

본 발명에서는 또한, 경화 후 인조대리석의 상부 및/또는 하부를 일정한 두께로 연마하는 공정, 기타 재단 및 샌딩 공정과 같은 일반적인 후처리 공정을 추가로 수행할 수도 있다. 특히 상기 후처리 공정을 통하여는, 인조 대리석의 내부에 포함될 수 있는 칩을 표면으로 노출시켜, 무늬칩의 투명한 면 및 상기 면으로부터 비치는 무늬를 구현하여, 독특한 외관 효과를 구현할 수도 있다.In the present invention, it is also possible to further perform general post-treatment processes such as grinding the top and / or bottom of the artificial marble to a certain thickness after curing, and other cutting and sanding processes. In particular, through the post-treatment process, by exposing the chip that can be included in the interior of the marble to the surface, to implement the transparent surface of the pattern chip and the pattern reflected from the surface, it is possible to implement a unique appearance effect.

본 발명에 의하면 마블칩 제조 시간을 단축하고 제조에 필요한 에너지를 절약할 뿐만 아니라, 모재와의 결합력이 우수하고, 기존 단색의 칩에 비하여 다양한 재질 및 무늬 등을 표현할 수 있어서, 기존의 단조로운 외관에서 벗어나 인조대리석의 무늬 및 색상 등의 외관 형태를 다양화할 수 있다.The present invention not only shortens the time for manufacturing the marble chip and saves the energy required for manufacturing, but also has excellent bonding strength with the base material, and can express various materials and patterns as compared with the conventional monochromatic chip, and thus, in the conventional monotonous appearance, In addition, it can diversify the appearance form such as the pattern and color of the artificial marble.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마블칩의 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 마블칩을 포함하여 제작된 인조대리석의 사진으로서 적용한 색상에 따라 완성된 인조대리석의 사진을 (a) 내지 (c)로서 각각 도시한 도면이다.
1 is a photograph of a marble chip according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a view showing a photograph of the finished artificial marble (a) to (c), respectively, according to the color applied as a photograph of the artificial marble made by including a marble chip manufactured according to an embodiment of the present invention.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 본 발명에 따른 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으므로, 본 발명의 범위가 아래에서 설명되는 실시예에 한정되지는 않는다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. Embodiments according to the present invention can be modified in many different forms, the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.

(1)불포화 (1) unsaturated 에스터계Ester system 에폭시  Epoxy 투명수지Transparent resin 제조 Produce

수지 Suzy 제조예Manufacturing example 1 One

할로겐화 무수물로서 테트라브로모프탈릭안하이드라이드(TBPAn, Great Lake제품 PHT-4)를 46.98중량부, 하이드록시 아크릴레이트로서 2-하이드록시에틸아크릴레이트(우림켐텍 제품) 23.527중량부, 반응색상 개선제로서 인산(대정화금제품) 0.002중량부, 반응 촉매로서 중탄산나트륨(대정화금제품) 0.53중량부, 중합 금지제로서 테트라하이드로퀴논 0.01중량부를 교반기, 온도계, 질소 공급장치 및 드로핑 장치 등이 설치된 반응기에 투입하고, 반응온도를 95~105℃로 승온하여 하프 에스터반응을 통해 산가 80mKOH/g 이하의 변성 할로겐화 아크릴레이트를 합성하였다. 반응기 온도를 80~90℃냉각 후 비스페놀에이형 에폭시 수지(국도화학 제품 YD-128) 18.95중량부를 드로핑 반응시켰다. 반응물의 온도를 95~105℃로 유지하여 산가 10mKOH/g 이하의 할로겐화 에폭시아크릴레이트 수지 바인더를 제조하였다.46.98 parts by weight of tetrabromophthalic anhydride (TBPAn, PHT-4 manufactured by Great Lake) as the halogenated anhydride, 23.527 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate (manufactured by Woorim Chemtech) as hydroxy acrylate, and a reaction color improving agent 0.002 parts by weight of phosphoric acid (large purified gold product), 0.53 parts by weight of sodium bicarbonate (large purified gold product) as reaction catalyst, 0.01 parts by weight of tetrahydroquinone as polymerization inhibitor, agitator, thermometer, nitrogen supply device and dropping device Into the reactor, the reaction temperature was raised to 95 ~ 105 ℃ to synthesize a modified halogenated acrylate having an acid value of 80mKOH / g or less through a half ester reaction. After the reactor temperature was cooled to 80 ° C. to 90 ° C., 18.95 parts by weight of a bisphenol-A epoxy resin (YD-128 manufactured by Kukdo Chemical Co., Ltd.) was dripped. The temperature of the reactants was maintained at 95 to 105 ° C to prepare a halogenated epoxy acrylate resin binder having an acid value of 10 mKOH / g or less.

상기에서 제조된 할로겐화 에폭시아크릴레이트 수지 바인더를 70~90℃로 냉각시켜 중합금지제 0.001중량부를 넣고, 반응성 모노머로서 스타이렌 모노머 10중량부로 희석 후 60℃이하로 냉각시켜 변성 할로겐화 에폭시아크릴레이트 수지를 제조하였다.
The halogenated epoxy acrylate resin binder prepared above was cooled to 70-90 ° C., and then 0.001 parts by weight of a polymerization inhibitor was added, and diluted to 10 parts by weight of a styrene monomer as a reactive monomer, followed by cooling to 60 ° C. or lower to give a modified halogenated epoxy acrylate resin. Prepared.

수지 Suzy 제조예Manufacturing example 2 2

무수물로서 테트라하이드로프탈릭무수물(THPAn, 용산화학주식회사 제품) 8.82중량부와 테트라브로모프탈릭안하이드라이드(TBPAn, Great Lake제품 PHT-4)를 19.88중량부, 아크릴레이트로서 2-하이드록시에틸아크릴레이트(우림켐텍 제품) 19.68중량부, 반응색상 개선제로서 인산(대정화금제품) 0.002중량부, 반응 촉매로서 중탄산나트륨(대정화금제품) 0.458중량부, 할로겐화 에폭시 수지(국도화학, YDB-400) 41.16중량부를 사용하여 산가 30mKOH/g이하인 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 할로겐화 변성 에폭시 아크릴레이트 수지를 제조하였다.
8.82 parts by weight of tetrahydrophthalic anhydride (THPAn, manufactured by Yongsan Chemical Co., Ltd.) and tetrabromophthalic hydride (TBPAn, PHT-4 manufactured by Great Lake) as an anhydride, 2-hydroxyethylacrylic as acrylate. 19.68 parts by weight of lute (product of Woorim Chemtech), 0.002 parts by weight of phosphoric acid (large purified gold product) as reaction color improving agent, 0.458 parts by weight of sodium bicarbonate (large purified gold product) as reaction catalyst, halogenated epoxy resin (Kukdo Chemical, YDB-400) A halogenated modified epoxy acrylate resin was prepared in the same manner as in Example 1, except that the acid value was 30 mKOH / g or less using 41.16 parts by weight.

수지 Suzy 제조예Manufacturing example 3 3

테트라브로모프탈릭안하이드라이드(TBPAn, Great Lake제품 PHT-4)를 37.19중량부, 나노 실리카가 50% 분산된 2-하이드록시에틸아크릴레이트(이엔비 코리아) 37.25 중량부, 에폭시 수지(국도화학 제품 YD-128) 15.56중량부를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 할로겐화 에폭시아크릴레이트 수지를 제조하였다.
37.19 parts by weight of tetrabromophthalic hydride (TBPAn, PHT-4 from Great Lake), 37.25 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate (ENB KOREA) with 50% nano-silica dispersed, epoxy resin (Kukdo Chemical) A halogenated epoxy acrylate resin was prepared in the same manner as in Example 1, except that 15.56 parts by weight of the product YD-128) was used.

수지 제조 Resin manufacturing 비교예Comparative example

할로겐화 에폭시 수지(국도화학, YDB-400) 69.37 중량부를 교반기, 온도계, 질소 공급장치 및 드로핑 장치가 장착된 반응기에 투입한 후, 교반하면서 반응기의 온도를 90~95℃로 유지하면서 용융시켜 유동성을 확인한 후 90℃ 이하에서 중합방지제로서 테트라하이드로퀴논 0.01 중량부, 반응색상 개선제로서 인산 0.004중량부를 투입하고 1분 이내에 아크릴산 12.25 중량부 및 디메틸벤질아민 0.12중량부를 미리 혼합하여 드로핑 장치에 넣어둔 혼합용액을 드로핑 하였다. 69.37 parts by weight of a halogenated epoxy resin (Kukdo Chemical, YDB-400) was added to a reactor equipped with a stirrer, a thermometer, a nitrogen supply device, and a dropping device, and then melted while maintaining the reactor temperature at 90 to 95 ° C. while stirring. After confirming that, 0.01 parts by weight of tetrahydroquinone as a polymerization inhibitor and 0.004 parts by weight of phosphoric acid as a reaction color improving agent were added at 90 ° C. or lower, and 12.25 parts by weight of acrylic acid and 0.12 parts by weight of dimethylbenzylamine were mixed in one minute and placed in a dropping apparatus. The mixed solution was dropped.

반응물의 온도를 95~100℃로 유지하면서 산가 10mgKOH/g의 브롬화 비스페놀에이형 에폭시아크릴레이트 수지 바인더를 제조 하였다. 상기에서 제조된 브롬화 에폭시아크릴레이트 수지 바인더를 80℃로 냉각시켜 하이드로퀴논 모노메틸에테르를 0.004 중량부로 넣고 스티렌모노머 18 중량부 혼합용액으로 희석 후 60 ℃ 이하로 급냉각하여 수지를 제조하였다.
The bromide bisphenol-A epoxy acrylate resin binder of 10 mgKOH / g acid value was prepared while maintaining the temperature of the reactant at 95 ~ 100 ℃. The brominated epoxy acrylate resin binder prepared above was cooled to 80 ° C., hydroquinone monomethyl ether was added at 0.004 parts by weight, diluted with 18 parts by weight of a styrene monomer mixed solution, and rapidly cooled to 60 ° C. or less to prepare a resin.

착색 줄무늬용 For colored stripes 슬러리Slurry 제조 Produce

한편, 착색 줄무늬부용 슬러리를 제작하기 위하여 불포화 에스터계 에폭시 투명수지 80 중량% 및 메틸메타크릴레이트 20 중량%를 포함하는 수지 시럽 100 중량부에, t-부틸 퍼옥시 네오데카노에이트 0.2 중량부, t-아밀 퍼옥시 2-에틸 헥사노에이트 0.3 중량부, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트 3중량부, 노르말 도데실메르캅탄 0.2 중량부, 소포제로서 BYK 555(BYK-Chemie사, 독일) 0.2 중량부, 커플링제로서 BYK 900(BYK-Chemie사, 독일) 0.75 중량부 및 자외선 안정(흡수)제로서 Hisorp-P(LG화학(제)) 0.2 중량부, 3가지 색상을 나타내기 위한 안료 0.5 중량부씩을 각각 혼합하여 착색 줄무늬부 용으로 사용될 슬러리를 3가지 색상으로 제조하였다.
On the other hand, 0.2 parts by weight of t-butyl peroxy neodecanoate, in 100 parts by weight of a resin syrup containing 80% by weight of unsaturated ester epoxy transparent resin and 20% by weight of methyl methacrylate in order to produce a slurry for colored streaks; 0.3 part by weight of t-amyl peroxy 2-ethyl hexanoate, 3 parts by weight of ethylene glycol dimethacrylate, 0.2 part by weight of normal dodecyl mercaptan, 0.2 part by weight of BYK 555 (BYK-Chemie, Germany) as an antifoaming agent, 0.75 parts by weight of BYK 900 (BYK-Chemie, Germany) as a coupling agent and 0.2 parts by weight of Hisorp-P (manufactured by LG Chemical) as an ultraviolet light stabilizer (absorption), and 0.5 parts by weight of pigments for three colors. Each mixture was prepared in three colors to be used for coloring streaks.

(2) 마블 칩 제조(2) marble chip manufacturing

상기에서 제조된 3가지 색상의 착색 줄무늬용 조성물을 상기 수지 제조예 1-3 및 수지 제조비교예로서 미리 제조해놓은 투명 수지가 흐르고 있는 경사판에 분사시켜, 색상 두께가 약 2mm인 줄무늬를 갖는 투명 마블 평판을 제조한 후, 80 ℃ 오븐에서 경화시켰다. 이어서, 파쇄기를 사용하여 100 내지 2.5 메쉬의 직경 분포를 갖도록 파쇄하여 도 1에 나타난 바와 같은 투명 줄무늬칩을 제조하였다.
The three-color colored striped composition prepared above was sprayed onto a slant plate through which a transparent resin prepared in advance as the resin preparation example 1-3 and the resin preparation comparative example flowed, and the transparent marble having a stripe having a color thickness of about 2 mm. The plate was prepared and then cured in an 80 ° C. oven. Subsequently, using a crusher to shred to have a diameter distribution of 100 to 2.5 mesh to prepare a transparent striped chip as shown in FIG.

이렇게 하여 제조된 고상 칩을 제조한 다음 아래와 같은 사항으로 대한 물성을 비교하여 그 결과를 하기 표1에 나타내었다. 이때, 물성 평가방법은 하기와 같은 방법으로 수행하였다.Thus prepared solid chip was prepared and then compared to the physical properties for the following matters are shown in Table 1 below. At this time, the physical property evaluation method was performed by the following method.

(1) 고상 칩의 비중: KSM 3015 방법으로 측정하였다.(1) Specific gravity of solid state chip: Measured by KSM 3015 method.

(2) Haze 지수: KSM ISO 14782 방법으로 측정하였다.(2) Haze index: measured by KSM ISO 14782 method.

(3) 굴곡강도: ISO R3286으로 측정하였다.(3) Flexural strength: measured by ISO R3286.

(4) 인장탄성율 및 굴곡탄성율: ISO R3268 방법으로 측정하였다.(4) Tensile modulus and flexural modulus: measured by ISO R3268 method.

(5) 하중 열변형온도(HDT): KSMISO75-1 방법으로 측정하였다.(5) Load heat deflection temperature (HDT): Measured by KSMISO75-1 method.

(6) 색 지수(Yellow Index): KSM 3026 방법으로 측정하였다.(6) Color Index: Measured by KSM 3026 method.

(7) 경화 상태: 최종 경화 후 육안으로 관찰하였다.
(7) Curing state: It was visually observed after the final curing.

수지 제조예Resin Production Example 수지 제조비교예Resin Manufacturing Comparative Example 1One 22 33 비중(고상)/20℃Specific gravity (solid phase) / 20 ℃ 1.6381.638 1.6311.631 1.6821.682 1.5821.582 HazeHaze 1212 1111 1717 1414 굴곡강도(Kg/cm2)Flexural Strength (Kg / cm 2 ) 14201420 15021502 14861486 13121312 굴곡탄성율(Kg/cm2)Flexural modulus (Kg / cm 2 ) 3461534615 3430134301 3471134711 3489034890 하중 열변형 온도℃Heat Deflection Temperature 117117 116116 115115 108108 인장탄성율(Kg/cm2)Tensile Modulus (Kg / cm 2 ) 3403834038 3410634106 3416934169 3421034210 수지 바인더 제조시간Resin Binder Manufacturing Time 6시간6 hours 6시간6 hours 6시간6 hours 20시간20 hours Yellow IndexYellow index 1010 1212 1111 1515 경화 상태Curing state 양호Good 양호Good 양호Good 내부 균열발생Internal cracking Barcol 경도Barcol Hardness 3232 3434 3939 2727

상기 표 1에서 보는 바와 같이, 수지 제조비교예에서는 고상의 에폭시를 용융시킨 다음 경화시키는 타입이므로 황변의 문제가 여전히 남아있고, 고상의 에폭시를 용융시키기 위한 준비 시간에만 약 12 시간이 소요되는 문제가 있다. 따라서, 연속 작업을 위해서는 여러 개의 용기를 준비하여 용융시키게 된다.
As shown in Table 1, in the resin preparation comparative example, since the type of the solid epoxy is melted and then hardened, the problem of yellowing remains, and the problem of requiring only about 12 hours for the preparation time for melting the solid epoxy is have. Therefore, several containers are prepared and melted for continuous operation.

반면, 수지 제조예1~3에서는 굴곡탄성율과 인장탄성율을 수지 제조비교예와 비교할 때 거의 비슷한 수준을 유지하면서도, 비중이 높아 모재 내에서 칩 분포도가 높고, 하중 열변형 온도가 높기 때문에 인조대리석의 열 가공시 모재와의 결합력이 우수하여 칩의 돌출이나 박리되는 현상이 발생되지 않는다. 또한 황변 지수가 낮아 수지 바인더 제조 후 저장시간 및 마블칩의 제조 과정에서 황변 가능성이 매우 적고, 수지 바인더 제조에 소요되는 시간이 짧아 높은 생산성을 갖기 때문에 현재 인조대리석 수요의 증가에 적합하다고 할 수 있다. On the other hand, in the resin preparation examples 1 to 3, the flexural modulus and the tensile modulus were maintained at about the same level as the resin preparation comparative example, but the specific gravity was high, the chip distribution in the base material was high, and the load heat deformation temperature was high. In thermal processing, the bonding force with the base material is excellent, so that the protrusion or peeling of the chip does not occur. In addition, the yellowing index is low, so the possibility of yellowing in the storage time and the manufacturing process of the marble chip after the resin binder is very small, and the time required for the manufacture of the resin binder is short, so that it is suitable for the increase in the demand of artificial marble. .

구체적인 제조예로는 이에 한정하는 것은 아니나, 일례로서 다음과 같다.Although it is not limited to this as a specific manufacturing example, As an example, it is as follows.

(3) 인조대리석 (3) artificial marble 제조예Manufacturing example 1 One

폴리메틸메타크릴레이트 28 중량% 및 메틸메타크릴레이트 72 중량%의 혼합물을 포함하는 수지 시럽100 중량부에, 수산화 알루미늄 160 중량부, t-부틸 퍼옥시 네오데카노에이트 0.2 중량부, t-아밀 퍼옥시 2-에틸 헥사노에이트 0.3 중량부, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트 3 중량부, 노르말 도데실메르캅탄 0.2 중량부, 소포제로서 BYK 555(BYK-Chemie사, 독일) 0.2 중량부, 커플링제로서 BYK 900(BYK-Chemie사제, 독일) 0.75 중량부. 자외선 안정(흡수)제로서 Hisorp-P(LG화학) 0.2 중량부, 미리 제조한 단색 칩 25 중량부 및 상기에서 제조된 투명 줄무늬 칩 15 중량부를 혼합하여 인조대리석 슬러리를 제조하고, 14 mm 두께의 성형틀에 부은 후, 80 ℃ 열풍 오븐에서 경화시켰다. 경화가 완료된 후 상부를 1mm, 그리고 하부를 2mm 두께로 연마하여 천연석 질감의 인조대리석을 제조하였다(도 2a 참조).
100 parts by weight of a resin syrup comprising a mixture of 28% by weight polymethyl methacrylate and 72% by weight methyl methacrylate, 160 parts by weight of aluminum hydroxide, 0.2 parts by weight of t-butyl peroxy neodecanoate, t-amyl 0.3 part by weight of peroxy 2-ethyl hexanoate, 3 parts by weight of ethylene glycol dimethacrylate, 0.2 part by weight of normal dodecyl mercaptan, 0.2 part by weight of BYK 555 (BYK-Chemie, Germany) as a defoamer, a coupling agent 0.75 parts by weight of BYK 900 (manufactured by BYK-Chemie, Germany). An artificial marble slurry was prepared by mixing 0.2 parts by weight of Hisorp-P (LG Chemistry), 25 parts by weight of a monochromatic chip prepared in advance, and 15 parts by weight of a transparent stripe chip prepared above, as a UV stabilizer (absorption). After pouring into a mold, it was cured in an 80 ° C. hot air oven. After completion of the hardening, the upper portion was polished to a thickness of 1mm, and the lower portion to 2mm to prepare a natural marble artificial marble (see Fig. 2a).

(4) 인조대리석 (4) artificial marble 제조예2Preparation Example 2

투명 줄무늬칩의 함량이 30 중량부로 하고, 단색 일반 칩의 함량을 10 중량부로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 인조대리석을 제조하였다(도 2b 및 2c 참조). The artificial marble was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the content of the transparent striped chip was 30 parts by weight and the content of the monochromatic general chip was 10 parts by weight (see FIGS. 2B and 2C).

Claims (10)

투명 베이스부 및 상기 투명 베이스부에 포함된 착색 줄무늬부를 포함하되,
상기 투명 베이스부는 무수물로부터 에폭시아크릴레이트 및 반응성 모노머로 이루어진 불포화 에스터계 수지 조성물을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는
인조대리석용 마블칩.
It includes a transparent base portion and the colored stripes included in the transparent base portion,
The transparent base portion comprises an unsaturated ester resin composition composed of an epoxy acrylate and a reactive monomer from an anhydride
Marble chip for artificial marble.
제 1 항에 있어서, 상기 불포화 에스터계 수지 조성물은
변성 할로겐화 아크릴레이트 또는 변성 할로겐화 에스터 합성하는 과정에서의 원료조성물이, 무수물30~60중량부, 하이드록시 아크릴레이트 10~30중량부, 반응색상 개선제 0.001~0.003중량부, 반응 촉매 0.01~0.4중량부, 중합 금지제 0.01~0.1중량부로 구성되며;
변성 할로겐화 에폭시아크릴레이트를 합성하는 과정에서의 원료조성물이, 에폭시 수지 10~30중량부로 구성되며;
반응성 모노머를 첨가하는 과정에서의 원료조성물이, 중합금지제 0.001~0.004중량부, 반응성 모노머 5~25중량부로 이루어지는 것을 특징으로 하는
인조대리석용 마블칩.
The method of claim 1, wherein the unsaturated ester resin composition
Modified halogenated acrylate or modified halogenated ester The raw material composition in the process of synthesis is 30 to 60 parts by weight of anhydride, 10 to 30 parts by weight of hydroxy acrylate, 0.001 to 0.003 parts by weight of reaction color improving agent, 0.01 to 0.4 parts by weight of reaction catalyst , 0.01 to 0.1 parts by weight of a polymerization inhibitor;
The raw material composition in the process of synthesize | combining a modified halogenated epoxy acrylate is comprised by 10-30 weight part of epoxy resins;
The raw material composition in the process of adding a reactive monomer comprises 0.001 to 0.004 parts by weight of a polymerization inhibitor and 5 to 25 parts by weight of a reactive monomer.
Marble chip for artificial marble.
제 2 항에 있어서,
상기 무수물은, 할로겐화 무수물(테트라브로모프탈릭안하이드라이드, 테트라클로로프탈릭안하이드라이드), 아세트산무수물, 말레산 무수물, 테트라 하이드로프탈릭 무수물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 혹은 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는
인조대리석용 마블칩.
The method of claim 2,
The anhydride is one or a mixture of two or more selected from the group consisting of halogenated anhydrides (tetrabromophthalic anhydride, tetrachlorophthalic anhydride), acetic anhydride, maleic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride Characterized
Marble chip for artificial marble.
제 2 항에 있어서,
상기 반응 촉매는, 트리에틸아민, 에틸트리메틸 암모늄브로마이드, 디메틸벤질아민, 디노르말부틸아민, 디메틸페닐벤질아민, 테트라메틸암모늄클로라이드, 크롬아세틸아세테이트, 트리페닐스티핀, 디메틸벤질암모늄클로라이드, 트리페닐포스핀, 에틸메틸이미다졸 및 디메틸이미다졸, 리튬카보네이트, 티타늄테트라아이소프로폭사이드, 암모늄비카보네이트, 소듐비카본이트, 소듐알루미네이트, 소듐아세테이트안하이드로스로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 혹은 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는
인조대리석용 마블칩.
The method of claim 2,
The reaction catalyst is triethylamine, ethyltrimethyl ammonium bromide, dimethylbenzylamine, dinormalbutylamine, dimethylphenylbenzylamine, tetramethylammonium chloride, chromium acetylacetate, triphenylstypine, dimethylbenzyl ammonium chloride, triphenylphosph 1 or 2 selected from the group consisting of fin, ethyl methylimidazole and dimethyl imidazole, lithium carbonate, titanium tetraisopropoxide, ammonium bicarbonate, sodium bicarbonate, sodium aluminate, sodium acetate anhydrous Characterized in that it is a mixture of more than one species
Marble chip for artificial marble.
제 2 항에 있어서,
상기 하이드록시 아크릴레이트는, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시메틸아크릴레이트, 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 4-하이드록시 부틸아트릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 혹은 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는
인조대리석용 마블칩.
The method of claim 2,
The hydroxy acrylate is 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxymethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxy butyl attrile, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol It is one or a mixture of two or more selected from the group consisting of tetraacrylate
Marble chip for artificial marble.
제 2 항에 있어서,
상기 에폭시 수지는, 비스페놀-A형 에폭시 수지, 비스페놀-A형 또는 페놀-포름 알데히드 노블락 형 할로겐화 에폭시 수지, 비스페놀-F형 에폭시 수지, O-크레졸 노블락형 에폭시 수지, 페놀-노블락 형 에폭시 수지, 비스페놀-A 노블락형 에폭시 수지, 고무 변성형(Dimer, CTBN, NBR, 아크릴 고무 변성등) 에폭시 수지, 우레탄 변성형 에폭시 수지, 폴리올 변성형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시수지, 수소 치환 형 비스페놀-A형 에폭시 수지, 비스페놀-A형 free형 에폭시 수지, 트리메칠올 프로판형 에폭시수지, UV-경화형 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 혹은 2종 이상 혼합물인 것을 특징으로 하는
인조대리석용 마블칩.
The method of claim 2,
The epoxy resin is a bisphenol-A type epoxy resin, a bisphenol-A type or a phenol-formaldehyde noblock type halogenated epoxy resin, a bisphenol-F type epoxy resin, an O-cresol noblock type epoxy resin, a phenol-noblock type epoxy resin, a bisphenol -A noblock type epoxy resin, rubber modified type (Dimer, CTBN, NBR, acrylic rubber modified) epoxy resin, urethane modified epoxy resin, polyol modified epoxy resin, polyfunctional epoxy resin, hydrogen substituted bisphenol-A epoxy Resin, bisphenol-A free epoxy resin, trimethylol propane epoxy resin, UV-curable epoxy resin selected from the group consisting of one or two or more characterized in that the mixture
Marble chip for artificial marble.
제 2 항에 있어서,
상기 반응성 모노머는 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 옥실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 옥타데실(메타)아크릴레이트, 메틸사이클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 페닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 클로로페닐(메타)아크릴레이트, 메톡시페닐(메타)아크릴레이트, 브로모페닐(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,2-프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,3-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,3-프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,5-펜탄디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디알릴테레프탈레이트, 디알릴프탈레이트, 디알릴카르보네이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 에톡시에톡시에틸아크릴레이트, 글리시딜메타크릴산의 에폭시아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 글리세린트리(메타)아크릴레이트, 메틸프로판디올디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 스티렌, 할로겐화 스티렌, 비닐톨루엔, 디비닐벤젠, 알파메틸스티렌, 알파메틸스티렌다이머, 디클로로에탄, 1.2-디클로로에틸렌, 트리클로로에탄로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 혹은 2종 이상인 것을 특징으로 하는
인조대리석용 마블칩.
The method of claim 2,
The reactive monomer is methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, oxyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate , Methylcyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, chlorophenyl (meth) acrylate, methoxyphenyl (meth) acrylate, bro Morphenyl (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, 1,2-propylene glycol (meth) acrylate, 1,3-butanediol di (meth) acrylate, 1,3-propylene glycol (meth) Acrylate, 1,4-butanedioldi (meth) acrylate, 1,5-pentanedioldi (meth) acrylate, neopentylglycoldi (meth) acrylate, diethylene glycoldi (meth) acrylate, triethylene Glycoldi (meth) acrylate, di Lohylene glycol di (meth) acrylate, diallyl terephthalate, diallyl phthalate, diallyl carbonate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) Acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, ethoxyethoxyethyl acrylate, epoxy acrylate of glycidyl methacrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, glycerin tree (meth) Acrylate, methylpropanedioldi (meth) acrylate, polyethyleneglycoldi (meth) acrylate, styrene, halogenated styrene, vinyltoluene, divinylbenzene, alphamethylstyrene, alphamethylstyrenedimer, dichloroethane, 1.2-dichloroethylene , Trichloroethane, characterized in that one or two or more selected from the group consisting of
Marble chip for artificial marble.
투명 베이스부에 착색 줄무늬부를 형성시킨 다음 칩 형태로 가공하는 마블칩 제조방법에 있어서,
상기 투명 베이스부는
무수물 30~60중량부, 하이드록시 아크릴레이트 10~30중량부, 반응색상 개선제 0.001~0.003중량부, 반응 촉매: 0.01~0.4중량부, 중합 금지제 0.01~0.1중량부로 변성 할로겐화 아크릴레이트 또는 변성 할로겐화 에스터 합성하는 단계;
상기 변성 할로겐화 아크릴레이트 또는 변성 할로겐화 에스터에 에폭시 수지 10~30중량부를 중합하여 할로겐화 에폭시아크릴레이트를 합성하는 단계; 및
상기 할로겐화 에폭시아크릴레이트에 중합금지제 0.001~0.004중량부, 반응성 모노머 5~25중량부를 첨가하여 희석하는 단계; 에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는
인조대리석용 마블칩의 제조방법.
In the marble chip manufacturing method of forming a colored stripe on the transparent base portion and then processed into a chip form,
The transparent base portion
30 to 60 parts by weight of anhydride, 10 to 30 parts by weight of hydroxy acrylate, 0.001 to 0.003 parts by weight of reaction color improver, reaction catalyst: 0.01 to 0.4 parts by weight, halogenated acrylate or modified halogenated to 0.01 to 0.1 parts by weight of polymerization inhibitor Ester synthesis;
Synthesizing a halogenated epoxy acrylate by polymerizing 10 to 30 parts by weight of the epoxy resin to the modified halogenated acrylate or modified halogenated ester; And
Adding and diluting 0.001 to 0.004 parts by weight of a polymerization inhibitor and 5 to 25 parts by weight of a reactive monomer to the halogenated epoxy acrylate; Characterized in that produced by
Method for manufacturing marble chip for artificial marble.
제 8 항의 방법에 의해 제조된 마블칩을 인조대리석용 원료조성물에 적용하여 제조되는 것을 특징으로 하는
인조대리석의 제조방법.
A marble chip prepared by the method of claim 8 is produced by applying to the raw material composition for artificial marble
Method of manufacturing artificial marble.
베이스 수지 및 마블칩을 포함하여 이루어지는 인조대리석에 있어서,
상기 마블칩으로는 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 의한 마블칩을 사용하는 것을 특징으로 하는
인조대리석.
In the artificial marble comprising a base resin and a marble chip,
A marble chip according to any one of claims 1 to 7 is used as the marble chip.
Artificial marble.
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