KR20110107134A - 발광 유닛 및 형광등형 조명 기구 - Google Patents

발광 유닛 및 형광등형 조명 기구 Download PDF

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Abstract

본 발명은 발광 유닛 및 형광등형 조명 기구에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광 유닛은, 히트싱크와; 상기 히트싱크 상에 소정 패턴으로 형성된 전극층; 및 상기 히트싱크 또는 상기 전극층 상에 배열되며, 상기 전극층과 전기적으로 결선되어 소정 파장의 광을 조사하는 복수의 발광칩을 포함한다. 이에 의해, 발광 유닛의 두께를 줄임으로써 방열 효율을 향상시키고 제조 공정을 간단히 할 뿐 아니라, 나아가 발광 유닛의 너비를 줄임으로써 발광 유닛에서 발산되는 빛의 각도를 넓게 확보할 수 있다.

Description

발광 유닛 및 형광등형 조명 기구{LIGHT EMITTING UNIT AND FLUORESCENT LAMP TYPE LIGHTING APPARATUS}
본 발명은 발광 유닛 및 형광등형 조명 기구에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광 유닛의 두께를 줄임으로써 방열 효율을 향상시키고 제조 공정을 간단히 할 뿐 아니라, 나아가 발광 유닛의 폭을 줄임으로써 발광 유닛에서 발산되는 빛의 각도를 넓게 확보할 수 있는 발광 유닛 및 형광등형 조명 기구에 관한 것이다.
어레이(array) 타입의 표면 실장형 발광 유닛에는 복수의 발광칩이 일렬로 배치된다. 이 경우, 복수의 발광칩은 표면 실장 기술(Surface Mounting Technology: SMT)을 사용하여, 칩 패키지(Chip Package) 형태 또는 칩 온 보드(Chip On Board: COB) 형태로 발광 유닛에 실장될 수 있다.
도 1a는 칩 패키지 형태로 복수의 발광칩이 실장되는 경우를 도시한 도면이다.
도 1a에서, 각각의 발광칩(13)은 발광칩 패키지(10) 형태로 공정되어 인쇄회로기판(20)에 실장된다.
발광칩 패키지(10)는 리드 프레임(lead frame)(11)과 발광칩(13)을 포함하여 구성된다.
리드 프레임(11)은 발광칩(13)을 올려 부착하는 기판으로, 발광칩(13)에 전류를 공급하고 이를 지지해준다. 리드 프레임(11)은 기판(11a)과 전극(11b)으로 구성된다.
발광칩(13)은 리드 프레임(11)상에 고정된 상태로 접합(다이 본딩, Die Bonding)된다. 구체적으로, 발광칩(13)은 리드 프레임(11)의 전극(11b)상에 접합된다. 또한, 발광칩(13)과 리드 프레임(11)의 전극(11b)은 와이어(15)에 의하여 전기적으로 연결(와이어 본딩: Wire Bonding)된다.
또한, 소정 높이를 가지는 댐(17)이 발광칩(13) 주위에 사출 성형될 수 있고, 발광칩(13)상에 형광체(19)가 도포될 수 있다.
인쇄회로기판(20)은 히트싱크(25), 접착층(23) 및 베이스 기판(27)으로 구성된다. 히트싱크(25)상에는 접착제가 도포된 접착층(23)이 존재한다. 접착층(23) 상단에는 베이스 기판(27)이 배치되며, 베이스 기판(27)은 접착제에 의하여 히트 싱크(25)와 접합된다. 베이스 기판(27)상에는 소정 패턴으로 형성된 전도성 회로(미도시)가 존재한다. 이 경우, 복수의 발광칩 패키지(10)는 솔더(29)등을 이용하여 상기 전도성 회로상에 실장된다.
도 1b는 칩 온 보드 형태로 복수의 발광칩이 실장되는 경우를 도시한 도면이다.
도 1b에서, 각각의 발광칩(30)은 인쇄회로기판(20)상에 직접 실장된다.
인쇄회로기판(20)은 히트싱크(25), 접착층(23) 및 베이스 기판(27)으로 구성된다. 히트싱크(25)상에는 접착제가 도포된 접착층(23)이 존재한다. 접착층(23) 상단에는 베이스 기판(27)이 배치된다. 베이스 기판(27)상에는 소정 패턴으로 형성된 전도성 회로(미도시)가 존재한다.
각각의 발광칩(30)은 접착층(23) 또는 베이스 기판(27)상에 고정된 상태로 접합된다(다만, 도 1b에서는 발광칩(30)이 접착층(23)상에 접합된 경우만을 도시하였다). 또한, 발광칩(30)과 전도성 회로는 와이어(31)에 의하여 전기적으로 연결된다. 이 경우, 소정 높이를 가지는 댐(32)이 발광칩(30) 주위에 사출 성형될 수 있고, 발광칩(30)상에 형광체(33)가 도포될 수 있다.
이처럼, 어레이 타입의 표면 실장형 발광 유닛은, 일반적으로 알루미늄 등의 금속 재질로 구성된 히트싱크의 상단에 접착제를 도포하고, 그 상단에 베이스 기판을 접착한다. 베이스 기판의 상단에는 전도체로 된 전도성 회로를 접착하며, 이후, 표면 실장 기술을 사용하여 접착제 또는 전도성 회로상에 복수의 발광칩을 칩 온 보드(COB) 또는 칩 패키지 형태로 접합한다.
이 경우, 히트싱크와 발광칩 사이에는 베이스 기판 및 접착층 등이 형성되어 있어, 방열 효율이 저하되고 발광 유닛의 두께 및 폭이 두꺼워진다. 나아가, 발광 유닛의 제조 공정이 복잡하여 발광 유닛 제조에 소요되는 시간이 길어지고, 제조 비용이 상승하게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 발광 유닛의 두께를 줄임으로써 방열 효율을 향상시키고 제조 공정을 간단히 할 뿐 아니라, 나아가 발광 유닛의 폭을 줄임으로써 발광 유닛에서 발산되는 빛의 각도를 넓게 확보할 수 있는 발광 유닛 및 형광등형 조명 기구를 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 발광 유닛에 있어서, 히트싱크와; 상기 히트싱크 상에 소정 패턴으로 형성된 전극층; 및 상기 히트싱크 또는 상기 전극층 상에 배열되며, 상기 전극층과 전기적으로 결선되어 소정 파장의 광을 조사하는 복수의 발광칩을 포함하는 발광 유닛에 의해 달성된다.
상기 발광 유닛에 있어서, 상기 히트싱크는 절연성 물질로 이루어질 수 있다.
상기 발광 유닛에 있어서, 상기 히트싱크는 전도성 물질로 이루어지며, 상기 히트싱크와 상기 전극층 사이에는 접착제가 도포될 수 있다.
상기 발광 유닛에 있어서, 상기 히트싱크의 표면 중 적어도 일부에 열 확산제가 도포될 수 있다.
상기 발광 유닛에 있어서, 상기 전극층 상에 상기 복수의 발광칩과 인접하여 소정 높이로 형성된 댐 보드; 및 상기 복수의 발광칩 상에 도포되며, 상기 복수의 발광칩에서 조사된 광의 파장을 변환하는 파장변환부재를 더 포함할 수 있다.
상기 발광 유닛에 있어서, 상기 복수의 발광칩은, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 포함할 수 있다.
한편, 상기 목적은, 본 발명에 따라, 형광등형 조명 기구에 있어서, 하우징; 상기 하우징에 형성되며, 등기구의 소켓에 결합되는 전극; 및 상기 하우징 내에 수용되며, 앞서 기재한 어느 하나의 특징에 따른 발광 유닛을 포함하는 형광등형 조명에 의해 달성될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 발광 유닛의 두께를 줄임으로써 방열 효율을 향상시키고 제조 공정을 간단히 할 뿐 아니라, 나아가 발광 유닛의 폭을 줄임으로써 발광 유닛에서 발산되는 빛의 각도를 넓게 확보할 수 있는 발광 유닛 및 형광등형 조명 기구가 제공된다.
본 발명에 의하면, 방열 효율이 향상될 뿐 아니라 제조 공정이 간단하여 제조 단가가 절약되고, 조명 기구 상단의 빛 각도를 더 넓게 확보할 수 있다.
도 1a는 칩 패키지 형태로 복수의 발광칩이 실장되는 경우를 도시한 도면.
도 1b는 칩 온 보드 형태로 복수의 발광칩이 실장되는 경우를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 유닛의 구성을 도시한 도면.
도 3은 도 2에 도시된 발광 유닛의 단면을 개략적으로 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 유닛의 구성을 도시한 도면.
도 5는 도 4에 도시된 발광 유닛의 단면을 개략적으로 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 형광등형 조명 기구의 구성을 도시한 도면.
도 7a는 일반적인 발광 유닛의 사시도
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 유닛의 사시도.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다. 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 유닛의 구성을 도시한 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 발광 유닛(200)은, 히트싱크(210), 전극층(220) 및 복수의 발광칩(230)을 포함할 수 있다.
히트싱크(210)는 금속 기판으로 발광 유닛(200)에서 발생하는 열을 흡수하여 외부로 발산할 수 있다. 본 실시예에 의하면, 히트싱크(210)는 절연성 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 히트싱크(210)는 질화 알루미늄(Aluminum Nitride: AlN) 등의 재질로 구성될 수 있다.
히트싱크(210)의 표면에는 소정 형태의 홈이 형성될 수 있다. 히트싱크(210) 표면에 형성된 홈은 열을 방출할 수 있는 표면적을 늘리는 역할을 한다. 이에 의해, 히트싱크(210)는 발광 유닛(200)에서 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있다. 상기 히트싱크(210)의 표면에 형성되는 홈은 바둑판, 가로 줄무늬, 세로 줄무늬 등 다양한 형태로 형성될 수 있다.
한편, 히트싱크(210)의 표면 중 적어도 일부에는 열 확산제가 도포될 수 있다. 이 경우, 열 확산제는 금속 표면에 얇은 산화막을 만드는 아노다이징(Anodizing)에 의하여 히트싱크(210) 표면에 도포될 수 있다. 상기 열 확산제는 세라믹 재질의 재료를 포함할 수 있다.
전극층(220)은 히트싱크(210)상에 소정 패턴(221, 222, 223, 224)으로 형성될 수 있다. 전극층(220)은 전도성 물질로 구성되며, 복수의 발광칩(230)과 와이어(232)로 연결되어 전류를 도통시킨다. 전도성 물질은 은(Ag), 구리(Cu) 등의 금속을 포함할 수 있다.
본 실시예에 의하면, 전극층(220)은 히트싱크(210)상에 직접 전도성 회로를 패터닝(patterning)하는 방식으로 형성될 수 있다.
복수의 발광칩(230)은 히트싱크(210) 또는 전극층(220)상에 배열되며, 접착제(231)에 의하여 고정된 상태로 다이 본딩된다. 도 2에서는 복수의 발광칩(230)이 히트싱크(210)상에 접합된 경우, 즉 전극층(220)에 의하여 형성되는 소정 패턴(221, 222, 223, 224)이외의 부분에 접합된 경우만을 도시하였다. 그러나, 복수의 발광칩(230)은 전극측(220)상에 배열될 수도 있다. 즉, 전극층(220)에 의하여 형성되는 소정 패턴(221, 222, 223, 224)상에 직접 접합될 수도 있다.
이 경우, 복수의 발광칩(230)은 전극층(220)과 전기적으로 결선되어 소정 파장의 광을 조사할 수 있다.
한편, 복수의 발광칩(230)은 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 발광 유닛(200)은 댐 보드(233)와 파장 변환 부재(234)를 더 포함할 수 있다.
댐 보드(233)는 전극층(220)상에 복수의 발광칩(230)과 인접하여 소정 높이로 형성될 수 있다. 댐 보드(233)는 복수의 발광칩(230)으로부터 발광되는 빛의 투과, 반사 등 다양한 기능을 수행할 수 있으며, 수행하는 기능에 따라 다양한 재질로 구성될 수 있다. 구체적으로, 댐 보드(233)는 투명 필름(film), 투명 수지(resin) 및 에폭시(epoxy) 수지 등의 재질로 구성될 수 있다.
파장 변환 부재(234)는 복수의 발광칩(230)상에 도포되며, 복수의 발광칩 (230)에서 조사된 광의 파장을 변환할 수 있다. 파장 변환 부재(234)는 형광체(Phosphor), 수지 등의 재질로 구성될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 발광 유닛의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
본 실시예에서 히트싱크(210)는 절연성 물질로 구성된다. 따라서, 전극층 (220)은 히트싱크(210)상에 직접 전도성 회로를 패터닝(patterning)하는 방식으로 형성될 수 있다. 도 3을 참조하면, 히트싱크(210)상에 전극층(220)이 배치되며, 전극층(220) 상에 발광칩(230)이 접합된다.
기존에는, 히트싱크(210)와 전극층(220)사이에 베이스 기판(미도시) 및 접착층(미도시)이 더 형성되어 있었다. 일반적으로 히트싱크(210)는 금속성 재질로 구성되어 전도성을 가지므로, 히트싱크(210)상에 직접 전도성 회로물을 접합하게 되면 쇼트가 발생한다. 따라서, 히트싱크(210)상에 절연성을 가지는 베이스 기판 및 접착층을 접합하고, 그 위에 전극층(220)을 형성하였다. 따라서, 발광 유닛(200)의 두께가 두꺼워져 방열 효율이 저하되고, 제조 공정이 복잡해졌다.
본 발명에 의하면, 히트싱크(210)를 절연성 물질로 구성하고, 히트싱크(210) 상에 직접 전극층(220)을 형성한다. 따라서, 생략되는 베이스 기판 및 접착층의 두께만큼 발광 유닛의 두께가 얇아져서 방열 효율이 높아지고, 제조 공정을 간단하게 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 유닛의 구성을 도시한 도면이다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 유닛(200)은 히트싱크(210), 전극층 (220) 및 복수의 발광칩(230)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 히트싱크(210)는 전도성 물질로 구성될 수 있다. 구체적으로, 히트싱크(210)는 알루미늄, 스테인레스(Stainless), SUS(Steel Us Stainless) 등 열 및 전류를 전달할 수 있는 금속 재질로 구성될 수 있다. 나아가, 히트싱크(210)는 FR4(Flame Retardant 4) 등 회로 기판의 베이스 기판으로 사용할 수 있는 재질로 구성될 수 있다.
본 실시예에서, 전극층(220)은 히트싱크(210)상에 얇은 접착층(225a)을 도포한 후, 형성된 접착층(225a)상에 소정 패턴(226, 227, 228, 229)의 전도성 회로(225b)를 접착하는 방식으로 형성될 수 있다.
접착층(225a)은 접착제, 접착 필름 등으로 구성될 수 있다. 이 경우, 접착제 및 접착 필름은 열 전도성이 있는 재질로 이루어질 수 있다.
전도성 회로(225b)는 전도성 호일(foil), 전도성 잉크, 은 페이스트(paste) 등의 재질로 구성될 수 있다.
그 외 복수의 발광칩(230), 접착제(231), 와이어(232), 댐 보드(233) 및 파장 변환 부재(234)는 도 2에 도시된 것과 내용이 동일하므로, 설명을 생략한다.
도 5는 도 4에 도시된 발광 유닛의 단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
본 실시예에서 히트싱크(210)는 전도성 물질로 구성된다. 따라서, 전극층 (220)은 히트싱크(210)상에 얇은 접착층(225a)을 도포한 후, 형성된 접착층(225a) 상에 전도성 회로(225b)를 접착하는 방식으로 형성될 수 있다. 이 경우, 접착층 (225a)은 절연 기능을 수행할 수 있다. 도 5를 참조하면, 히트싱크(210)상에 접착층(225a)이 배치되며, 접착층(225a)상에 전도성 회로(225b)가 접합된다.
기존에는 쇼트 현상을 방지하기 위하여, 히트싱크(210)와 전도성 회로(225b) 사이에 베이스 기판(미도시) 및 접착층(미도시)이 더 형성되어 있었다.
본 발명에 의하면, 히트싱크(210)상에 절연 기능을 수행할 수 있는 접착층(225a)을 도포하고, 접착층(225a)상에 전도성 회로(225b)를 부착한다. 나아가, 접착층(225a)은 전도성 호일(foil) 또는 전도성 잉크 재질의 전도성 회로를 부착하기 위한 것으로, 베이스 기판을 접착하기 위한 기존의 접착층(미도시) 보다 두께가 얇다. 따라서, 베이스 기판 및 접착층의 두께만큼 발광 유닛의 두께가 얇아져서 방열 효율이 높아지고, 제조 공정을 간단하게 할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 형광등형 조명 기구의 구성을 도시한 도면이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 형광등형 조명 기구(600)는 하우징(610)과 전극(620a, 620b) 및 발광 유닛(630)을 포함할 수 있다.
하우징(패키지)(610)은 발광 유닛(630)을 보호한다. 이 경우, 하우징(610)은 발광 유닛(630)을 감싸는 반원 형태일 수 있다. 한편, 하우징(610)은 빛을 투과시키는 투명 부재로 이루어질 수 있다.
전극(620a, 620b)은 하우징(610)에 형성되며, 등기구의 소켓에 결합될 수 있다.
발광 유닛(630)은 하우징(610) 내에 수용되며, 도 2 및 도 4에 도시된 본 발명의 실시예에 의한 발광 유닛(630)일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 발광 유닛(630)은, 히트싱크가 절연성 물질로 구성되고, 히트싱크 상에 직접 전도성 회로를 패터닝(patterning)하는 방식으로 제조될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 유닛(630)은, 히트싱크가 전도성 물질로 구성되고, 히트싱크 상에 얇은 접착층을 도포한 후, 형성된 접착층 상에 전도성 회로를 접착하는 방식으로 제조될 수 있다.
도 7a는 일반적인 발광 유닛의 사시도이고, 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 유닛의 사시도이다.
도 7a를 참조하면, 발광 유닛(700)은 히트싱크(미도시), 히트싱크 상에 배치된 베이스 기판(710), 베이스 기판(710)상에 형성된 전도성 회로(720)를 포함한다. 전도성 회로(720)상에는 발광칩(702) 또는 발광칩 패키지(704)가 실장될 수 있다.
도 7b를 참조하면, 발광 유닛(750)은 히트싱크(미도시), 히트싱크 또는 접착층(미도시) 상에 형성된 전도성 회로(720)를 포함한다. 전도성 회로(720)상에는 발광칩(702) 또는 발광칩 패키지(704)가 실장될 수 있다.
본 실시예에 의하면, 베이스 기판(미도시)을 생략하고 히트싱크 또는 접착층상에 직접 전도성 회로(720)를 접합하므로, 베이스 기판의 폭만큼 발광 유닛(750)의 폭이 줄어든다.
따라서, 발광 유닛(750)의 폭을 줄임으로써 광각을 넓힐 수 있다. 예를 들어, 본 실시예에 의한 발광 유닛(750)을 포함한 조명 기구 상단의 빛 각도를 90도 이상 더 확보할 수 있다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
200: 발광 유닛　 　　　　　　　　210: 히트싱크
220: 전극층 230: 발광칩
231: 접착제 232: 와이어
233: 댐 보드 234: 파장 변환 부재

Claims (7)

  1. 발광 유닛에 있어서,
    히트싱크와;
    상기 히트싱크 상에 소정 패턴으로 형성된 전극층; 및
    상기 히트싱크 또는 상기 전극층 상에 배열되며, 상기 전극층과 전기적으로 결선되어 소정 파장의 광을 조사하는 복수의 발광칩을 포함하는 발광 유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 히트싱크는 절연성 물질로 이루어지는 발광 유닛.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 히트싱크는 전도성 물질로 이루어지며,
    상기 히트싱크와 상기 전극층 사이에는 접착제가 도포되는 발광 유닛.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 히트싱크의 표면 중 적어도 일부에 열 확산제가 도포되는 발광 유닛.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전극층 상에 상기 복수의 발광칩과 인접하여 소정 높이로 형성된 댐 보드; 및
    상기 복수의 발광칩 상에 도포되며, 상기 복수의 발광칩에서 조사된 광의 파장을 변환하는 파장변환부재를 더 포함하는 발광 유닛.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광칩은, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 포함하는 발광 유닛.
  7. 형광등형 조명 기구에 있어서,
    하우징;
    상기 하우징에 형성되며, 등기구의 소켓에 결합되는 전극; 및
    상기 하우징 내에 수용되며, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 발광 유닛을 포함하는 형광등형 조명 기구.
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KR20150002293U (ko) * 2015-05-08 2015-06-17 동-양 치오우 무포장 웨이퍼 led 발광 조명 구조

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013154338A1 (ko) * 2012-04-10 2013-10-17 주식회사 케이엠더블유 확장이 용이한 엘이디 실내 조명장치
US9534754B2 (en) 2012-04-10 2017-01-03 Kmw Inc. Easily expandable indoors LED lighting device
KR20150002293U (ko) * 2015-05-08 2015-06-17 동-양 치오우 무포장 웨이퍼 led 발광 조명 구조

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