KR20110106617A - Method for reparing defects of active channel of thin film transistor - Google Patents
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Abstract
박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법이 제공된단. 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법은 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함을 발견하고, 결함을 갖는 액티브 채널 상에 액티브 채널 용액을 도포하고, 액티브 채널 용액이 도포된 액티브 채널에 대해 어닐링 공정을 수행하는 것을 포함한다.Provided are methods for repairing active channel defects in thin film transistors. The active channel defect repair method of the thin film transistor includes detecting an active channel defect of the thin film transistor, applying an active channel solution on the defective active channel, and performing an annealing process on the active channel to which the active channel solution is applied. do.
Description
본 발명은 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for repairing an active channel defect of a thin film transistor.
표시 장치 중 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display: LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display: FPD) 중 하나로써, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판 및 그 사이에 위치하는 액정층으로 이루어진다. 액정 표시 장치는 두 장의 기판에 형성되어 있는 전극에 전압을 인가하여, 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써, 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.Among the display devices, liquid crystal display (LCD) is one of the most widely used flat panel displays (FPDs), which are two substrates on which electrodes are formed and a liquid crystal layer disposed between them. Is done. The liquid crystal display device is a display device that adjusts the amount of light transmitted by applying a voltage to electrodes formed on two substrates and rearranging liquid crystal molecules of the liquid crystal layer.
이러한 액정 표시 장치는 액정층의 액정 분자들을 재배열시키기 위해 다수의 박막 트랜지스터를 구비할 수 있으며, 이 박막 트랜지스터는 기판 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기 전극들 사이에 반도체층으로 이루어진 채널 영역을 형성함으로써 상기 기판에 형성된 전극에 전압을 인가할 수 있도록 하는 소자이다.Such a liquid crystal display may include a plurality of thin film transistors to rearrange liquid crystal molecules of a liquid crystal layer, the thin film transistors forming a gate electrode, a source electrode and a drain electrode on a substrate, and a semiconductor between the electrodes. It is a device that can apply a voltage to the electrode formed on the substrate by forming a channel region consisting of a layer.
한편, 다수의 박막 트랜지스터를 제조하는 과정에서 반도체층에 결함이 존재하는 박막 트랜지스터를 발견할 경우, 이러한 박막 트랜지스터는 레이저 가공을 통해 사용을 중지 시킴으로써 오프 픽셀(off pixel)로 전환하는 방식을 취하고 있다.Meanwhile, when a thin film transistor having a defect in a semiconductor layer is found in a process of manufacturing a plurality of thin film transistors, the thin film transistor is switched to off pixels by stopping use through laser processing. .
하지만 이렇게 오프 픽셀로 전환된 박막 트랜지스터가 많아질 경우, 액정 표시장치가 본래의 기능을 발휘할 수 없어 전체 패널을 폐기 처분하거나, 전체적으로 반도체층을 다시 적층해야만 하여 비용 면에서 많은 손해를 보는 문제점이 있다.However, when the number of thin film transistors switched to off-pixels increases, the liquid crystal display device cannot perform its original function, and thus, the entire panel must be disposed of or the semiconductor layers must be stacked again. .
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 액정 표시장치의 제조 비용을 저감할 수 있는 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide a method for repairing an active channel defect of a thin film transistor which can reduce the manufacturing cost of a liquid crystal display device.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법의 일 태양(aspect)은, 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함을 발견하고, 결함을 갖는 액티브 채널 상에 액티브 채널 용액을 도포하고, 액티브 채널 용액이 도포된 액티브 채널에 대해 어닐링 공정을 수행하는 것을 포함한다.One aspect of the active channel defect repair method of the thin film transistor of the present invention for achieving the above technical problem is to find an active channel defect of the thin film transistor, apply an active channel solution on the active channel having a defect, Performing an annealing process on the active channel to which the active channel solution has been applied.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법의 다른 태양은, 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함을 발견하고, 결함을 갖는 액티브 채널 상에 잉크젯, 롤투롤 또는 프린팅 공정 중 적어도 어느 하나의 공정을 이용하여 액티브 채널 용액을 도포하고, 액티브 채널 용액이 도포된 액티브 채널에 대해 열, 레이저 또는 자외선 중 적어도 어느 하나를 이용하여 어닐링을 수행하고, 어닐링 수행된 액티브 채널의 오버 플로우되게 도포된 용액을 레이저를 통해 제거하여 액티브 채널을 패터닝하는 것을 포함한다.Another aspect of the active channel defect repair method of the thin film transistor of the present invention for achieving the above technical problem is to find an active channel defect of the thin film transistor, at least any of the inkjet, roll-to-roll or printing process on the defective active channel Applying the active channel solution using one process, performing annealing using at least one of heat, laser or ultraviolet rays to the active channel to which the active channel solution is applied, and applying the overflow of the annealed active channel Removing the solution through a laser to pattern the active channel.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법 중 용액 도포 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 용액 도포 단계와 어닐링 단계를 동시에 수행할 수 있는 장비를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법 중 액티브 채널 패터닝 단계를 설명하기 위한 도면들이다.1 is a flowchart illustrating a method for repairing an active channel defect of a thin film transistor according to an exemplary embodiment of the inventive concept.
2 is a view for explaining a solution coating step of the active channel defect repair method of a thin film transistor according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining the equipment that can perform the solution applying step and the annealing step at the same time.
4 and 5 are diagrams for describing an active channel patterning step in an active channel defect repair method of a thin film transistor according to an embodiment of the inventive concept.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. The size and relative size of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity of explanation.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.When elements or layers are referred to as "on" or "on" of another element or layer, intervening other elements or layers as well as intervening another layer or element in between. It includes everything. On the other hand, when a device is referred to as "directly on" or "directly on", it means that no device or layer is intervened in the middle.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification, and "and / or" includes each and every combination of one or more of the mentioned items.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "이루어지다(made of)"는 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms "comprises" and / or "made of" means that a component, step, operation, and / or element may be embodied in one or more other components, steps, operations, and / And does not exclude the presence or addition thereof.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.Embodiments described herein will be described with reference to plan and cross-sectional views, which are ideal schematic diagrams of the invention. Accordingly, shapes of the exemplary views may be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include variations in forms generated by the manufacturing process. Thus, the regions illustrated in the figures have schematic attributes, and the shape of the regions illustrated in the figures is intended to illustrate a particular form of region of the device, and is not intended to limit the scope of the invention.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.
이하 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법을 설명한다. 본 실시예에서는 바텀 게이트(bottom gate)방식의 박막 트랜지스터를 예로 들어 설명하나 본 발명이 이제 제한되는 것은 아니다. 즉 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에서는 탑 게이트(top gate)방식의 박막 트랜지스터가 예시될 수 있다.Hereinafter, a method of repairing an active channel defect of a thin film transistor according to an exemplary embodiment of the inventive concept will be described with reference to FIGS. 1 to 5. In this embodiment, a bottom gate thin film transistor is described as an example, but the present invention is not limited thereto. That is, in another exemplary embodiment of the inventive concept, a top gate thin film transistor may be exemplified.
도 1은 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법 중 용액 도포 단계를 설명하기 위한 도면이다. 도 3은 용액 도포 단계와 어닐링 단계를 동시에 수행할 수 있는 장비를 설명하기 위한 도면이며, 도 4 및 도 5는 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법 중 액티브 채널 패터닝 단계를 설명하기 위한 도면들이다.1 is a flowchart illustrating a method for repairing an active channel defect of a thin film transistor according to an embodiment of the inventive concept, and FIG. 2 is an active channel of the thin film transistor according to an embodiment of the inventive concept. It is a figure for demonstrating the solution application | coating step of the defect repair method. 3 is a view for explaining the equipment that can perform the solution coating step and the annealing step at the same time, Figures 4 and 5 of the active channel defect repair method of a thin film transistor according to an embodiment of the present invention Figures for explaining the active channel patterning step.
먼저, 도 1을 참조하면, 박막 트랜지스터의 액티브 채널의 결함을 발견한다(S100).First, referring to FIG. 1, a defect of an active channel of a thin film transistor is found (S100).
구체적으로 도 2를 참조하면, 액티브 채널에 결함을 갖는 박막 트랜지스터(100)는 기판(10) 상에 게이트 전극(20)이 형성되고, 게이트 전극(20) 상에 게이트 절연막(30)이 형성되고, 게이트 절연막(30) 상에 소스 전극(41) 및 드레인 전극(42)이 형성되며, 소스 전극(41)과 드레인 전극(42) 사이에 형성된 결함 액티브 채널(51)이 형성되어 있을 수 있다.In detail, referring to FIG. 2, in the
여기서 기판(10)은 비도전성 물질, 예를 들면 유리나 세라믹 등과 같은 물질로 이루어질 수 있고, 게이트 전극(20)은 전도성 높은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등으로 이루어질 수 있고, 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(미도시)을 포함하는 다중막 구조일 수도 있다.Here, the
또한, 게이트 절연막(30)은 질화 실리콘(SiNx) 등으로 이루어질 수 있으며, 소스 전극(41) 및 드레인 전극(42)은 앞서 설명한 게이트 전극(20)과 동일하게 전도성 높은 금속 또는 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막일 수 있다.In addition, the
결함 액티브 채널(51)은 도 2에 도시한 바와 같이 소스 전극(41)과 드레인 전극(42)사이에 고르게 형성되지 못하고, 일정 부분이 뜯겨져 나가게 형성되거나 막이 박리된 채로 형성된 것일 수 있다. 이러한 결함 액티브 채널(51)은 박막 트랜지스터(100)의 구동 불량을 유발하여 액정 패널의 신뢰도를 저감시킬 수 있다.As shown in FIG. 2, the defective
다음 도 1을 참조하면, 결함 액티브 채널 상에 액티브 채널 용액을 도포한다(S110).Next, referring to FIG. 1, an active channel solution is coated on a defective active channel (S110).
본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법의 결함 액티브 채널(51)은 결함 산화물 반도체층일 수 있다. 보다 구체적으로 결함 액티브 채널(51)은 결함 GIZO(GaInZnO) 반도체층일 수 있다.According to an embodiment of the inventive concept, the defect
따라서, 도 2에 도시된 바와 같이 잉크젯(Ink-Jet) 도포 노즐(60)을 통해 액티브 채널 용액(solution)(예를 들어 GIZO 반도체 용액)을 결함 액티브 채널(51)에 도포할 수 있다. 이는 결함 액티브 채널(51)의 결함 부위를 수리하기 위함일 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 2, an active channel solution (eg, a GIZO semiconductor solution) may be applied to the defective
도 2에서는 비록, 잉크젯 공정을 통해 결함 액티브 채널(51)상에 액티브 채널 용액을 도포하는 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 즉, 롤투롤(Roll-to-Roll) 또는 프린팅(printing) 등의 공정을 통해서도 결함 액티브 채널(51)상에 액티브 채널 용액을 도포할 수 있다.Although FIG. 2 illustrates the application of the active channel solution on the defective
다음 도 1을 참조하면, 액티브 채널 용액이 도포된 액티브 채널에 대해 어닐링(annealing)을 수행한다(S120).Next, referring to FIG. 1, annealing is performed on the active channel to which the active channel solution is applied (S120).
구체적으로 도 3을 참조하면, 잉크젯 도포 노즐(60)과 레이저 어닐부(70)를 동시에 포함하는 장비(200)에 박막 트랜지스터(100)를 고정시키고, 결함 액티브 채널(51)에 액티브 채널 용액을 도포하는 것과 액티브 채널 용액이 도포된 액티브 채널에 대해 어닐링을 수행하는 것을 동일한 장비에서 수행할 수 있다. 하지만, 이는 제조 공정의 편의를 위해 예시한 것일 뿐, 본 발명이 이제 제한되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상에 의한 다른 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법에서는 각각 다른 장비에서 도포 공정과 어닐링 공정을 수행할 수도 있다.Specifically, referring to FIG. 3, the
이 때, 어닐링 공정은 열(thermal), 레이저(laser) 또는 자외선(UV) 중 적어도 어느 하나를 이용하여 어닐링을 수행하는 것일 수 있다.In this case, the annealing process may be annealing using at least one of thermal, laser, or ultraviolet (UV) light.
다음 도 1을 참조하면, 어닐링 수행된 액티브 채널에 대해 액티브 채널 패터닝(patterning)을 수행한다(S130).Next, referring to FIG. 1, active channel patterning is performed on an annealed active channel (S130).
구체적으로 도 4를 참조하면, 오버플로우(over flow)되게 도포된 액티브 채널 용액(53)에 레이저를 조사하여 오버플로우되게 도포된 액티브 채널 용액(53)을 제거함으로써 액티브 채널(52)을 패터닝할 수 있다. 도 5는 오버플로우되게 도포된 액티브 채널 용액(53)이 제거되어 액티브 채널(52)이 패터닝된 모습이다.Specifically, referring to FIG. 4, the
이처럼, 본 발명의 기술적 사상에 의한 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법을 따를 경우, 액티브 채널에 결함이 발생했을 경우 해당 액티브 채널을 제거하여 결함 박막 트랜지스터를 오프 픽셀시키거나 모든 액티브 채널을 다시 도포하는 공정을 수행하지 않고, 결함이 발생한 액티브 채널만 선별적으로 수리할 수 있으므로, 액정 표시장치의 제조 비용을 저감시킬 수 있다.As described above, when the active channel defect repair method of the thin film transistor according to the exemplary embodiment of the inventive concept is performed, when a defect occurs in the active channel, the active thin film transistor is removed to off-pixel the defective thin film transistor or all active Since only the active channel having a defect can be repaired selectively without performing the process of reapplying the channel, the manufacturing cost of the liquid crystal display can be reduced.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments but may be manufactured in various forms, and having ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.
10: 기판 20: 게이트 전극
30: 게이트 절연막 41: 소스 전극
42: 드레인 전극 51: 결함 액티브 채널
52: 액티브 채널 53: 오버플로우 용액
60: 잉크젯 도포 노즐 70: 레이저 어닐부
S100~S130: 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법10
30: gate insulating film 41: source electrode
42: drain electrode 51: defective active channel
52: active channel 53: overflow solution
60: inkjet coating nozzle 70: laser annealing
S100-S130: How to Repair Active Channel Defects in Thin Film Transistors
Claims (10)
상기 결함을 갖는 상기 액티브 채널 상에 상기 액티브 채널 용액(solution)을 도포하고,
상기 액티브 채널 용액이 도포된 상기 액티브 채널에 대해 어닐링(annealing) 공정을 수행하는 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법.Detect active channel defects in thin film transistors,
Apply the active channel solution onto the defective active channel,
And performing an annealing process on the active channel to which the active channel solution is applied.
상기 결함을 갖는 상기 액티브 채널 상에 상기 액티브 채널 용액을 도포하는 것은 잉크젯(Ink-Jet), 롤투롤(Roll-to-Roll) 또는 프린팅(printing) 공정 중 적어도 어느 하나의 공정을 이용하여 상기 용액을 도포하는 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법.The method of claim 1,
Applying the active channel solution on the defective active channel may be performed using at least one of an ink-jet, roll-to-roll, or printing process. Method for repairing an active channel defect of a thin film transistor comprising applying a.
상기 액티브 채널은 산화물 반도체층을 포함하는 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법.The method of claim 2,
And the active channel comprises an oxide semiconductor layer.
상기 산화물은 GIZO를 포함하는 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법.The method of claim 3,
And the oxide comprises GIZO.
상기 어닐링 공정은 열(thermal), 레이저(laser) 또는 자외선(UV) 중 적어도 어느 하나를 이용하여 어닐링을 수행하는 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법.The method of claim 1,
The annealing process includes performing annealing using at least one of thermal, laser, or ultraviolet (UV) light.
상기 용액 도포와 상기 어닐링 공정은 동일한 장비에서 수행되는 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법.The method of claim 1,
The solution coating and the annealing process are performed in the same equipment.
상기 액티브 채널을 패터닝하는 것을 더 포함하는 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법.The method of claim 1,
And patterning the active channel.
상기 액티브 채널을 패터닝하는 것은 레이저를 이용하여 상기 액티브 채널을 패터닝하는 것을 포함하는 액티브 채널 결함 수리 방법.The method of claim 7, wherein
Patterning the active channel comprises patterning the active channel using a laser.
상기 레이저를 이용하여 상기 액티브 채널을 패티닝하는 것은 오버 플로우되게 도포된 상기 용액을 상기 레이저를 통해 제거하여 상기 액티브 채널을 패터닝하는 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법.The method of claim 8,
The patterning of the active channel using the laser patterning the active channel by removing the overflowed solution through the laser patterning the active channel.
상기 결함을 갖는 액티브 채널 상에 잉크젯, 롤투롤 또는 프린팅 공정 중 적어도 어느 하나의 공정을 이용하여 상기 액티브 채널 용액을 도포하고,
상기 액티브 채널 용액이 도포된 상기 액티브 채널에 대해 열, 레이저 또는 자외선 중 적어도 어느 하나를 이용하여 어닐링을 수행하고,
상기 어닐링 수행된 상기 액티브 채널의 오버 플로우되게 도포된 상기 용액을 레이저를 통해 제거하여 상기 액티브 채널을 패터닝하는 것을 포함하는 박막 트랜지스터의 액티브 채널 결함 수리 방법.Detect active channel defects in thin film transistors,
Applying the active channel solution on at least one of an inkjet, roll-to-roll, or printing process onto the defective active channel,
Annealing is performed on the active channel to which the active channel solution is applied using at least one of heat, laser, or ultraviolet rays,
And removing the overflow-coated solution of the active channel, which has been annealed, through a laser to pattern the active channel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100025765A KR20110106617A (en) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | Method for reparing defects of active channel of thin film transistor |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1020100025765A KR20110106617A (en) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | Method for reparing defects of active channel of thin film transistor |
Publications (1)
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|---|---|
| KR20110106617A true KR20110106617A (en) | 2011-09-29 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020100025765A KR20110106617A (en) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | Method for reparing defects of active channel of thin film transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20110106617A (en) |
-
2010
- 2010-03-23 KR KR1020100025765A patent/KR20110106617A/en not_active Application Discontinuation
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