KR20110104336A - Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 LED 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 소결 타입의 Ag 페이스트를 이용한 와이어 본딩 패드를 포함하여 구성함으로써 반사막과 와이어 본딩 패드가 한번에 형성되어 제작 공정을 간소화하고 제작 비용을 절감할 뿐 아니라 솔더링이 가능한 LED 패키지를 제공하게 된다.

Description

ＬＥＤ 패키지 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE AND FABRICATING METHOD THEREOF}
본 발명은 LED 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세히는 Ag 페이스트로 형성된 와이어 본딩 패드를 포함함으로써 반사막과 와이어 본딩 패드가 한번에 형성되고 Au 프린팅 또는 도금 공정이 따로 필요치 않는 LED 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들어 내고, 이들의 재결합에 의하여 전기 에너지를 빛 에너지로 바꾸어 주어 발광시키는 금속간 화합물 접합 다이오드를 말한다. 즉, 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데 전자와 정공이 떨어져 있을 때보다 작은 에너지가 되므로 이때 발생하는 에너지의 차이로 인해 빛을 방출한다. 이러한 LED는 일반적인 표시 장치는 물론이고 조명 장치나 LCD 표시 장치의 백라이트 소자에도 응용되는 등 적용 영역이 점차 다양해지고 있다. 특히 LED는 비교적 낮은 전압으로 구동이 가능하면서도 높은 에너지 효율로 인해 발열이 낮고 수명이 긴 장점을 가지고 있으며, 종래에는 구현이 어려웠던 백색광을 고휘도로 제공할 수 있는 기술이 개발됨에 따라 현재 사용되고 있는 대부분의 광원 장치를 대체할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
이러한 LED를 세라믹 기판상에 탑재한 LED 패키지에 있어서 와이어 본딩을 위한 대표적인 방법은 도금을 통한 패드를 형성하거나 금(Au) 프린팅 하는 방법이 있다. 이때 도금을 통한 패드를 형성하는 경우 무전해 도금 또는 전해 도금으로 진행되나, 무전해의 경우 Ag의 두께를 1μm 이상 구현하기 어려우며, 전해 도금의 경우 전해 라인(Line)을 따로 구성해야 하는 문제점이 있다. 또한, Au 프린팅의 경우 재료비의 상승과 반사막을 따로 구성해 주어야 하므로 공정 비용 상승 및 공정 불량 가능성이 존재하는 문제점이 존재한다.
본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 LED 패키지에 있어서 Au 와이어 본딩 패드가 아닌 Ag 페이스트로 형성된 와이어 본딩 패드를 이용함으로써 기존의 Au 와이어 본딩의 특성을 유지한 채, 반사막과 와이어 본딩 패드가 한번에 형성되고 와이어 본딩 패드를 구성하기 위해 Au 프린팅 또는 도금 공정과 같은 별도의 공정이 필요치 않게 되어 제작 공정을 간소화 하고 제작 비용을 절감할 수 있을 뿐 만 아니라 솔더링 또한 가능하게 된다.
상술한 과제를 해결하기 위하여 제공되는 본 발명의 구성은 기판; 상기 기판상에 마운팅된 LED칩; 상기 기판상에 은(Ag) 페이스트로 형성된 와이어 본딩 패드; 및 상기 LED칩과 와이어 본딩 패드를 연결하는 와이어;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지를 제공하여 도금에서 구현하는 Ag 패드를 구성 가능하게 하고 동시에 반사막 역할까지 수행할 수 있게 된다.
특히, 상기 Ag 페이스트는 0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있으며, 상기 Ag 페이스트는 0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더와 1.5 ~3μm의 입도를 갖는 Ag 파우더가 7:3 내지 5:5의 조성비로 이루어 지는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 Ag 페이스트는 구형의 Ag 파우더를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하여 소결성을 증대시킬 수 있다.
아울러, 상기 기판은 세라믹 기판인 것을 특징으로 할 수 있으며, 상기 세라믹 기판은 저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기판 또는 알루미나(Al2O3) 기판인 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 와이어는 금(Au) 와이어인 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, (A) 기판상에 회로패턴과 Ag 페이스트로 이루어진 와이어 본딩 패드를 형성하는 단계; (B) 상기 기판상에 LED칩을 마운팅 하는 단계; (C) 상기 와이어 본딩 패드와 LED칩을 와이어 본딩하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조 방법을 제공하여 반사막과 와이어 본딩 패드를 한번에 형성할 수 있다.
특히, 상기 (A)단계는 저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기판 또는 알루미나(Al2O3) 기판 상에 상기 회로 패턴과 와이어 본딩 패드를 형성하는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 (A)단계는 0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더로 Ag 페이스트를 형성하는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다.
아울러, 상기 (A)단계는 0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더와 1.5 ~ 3μm의 입도를 갖는 Ag 파우더의 비율이 7:3 내지 5:5가 되도록 Ag 페이스트를 형성하는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다.
특히, 상기 (A)단계는 구형의 Ag 파우더를 이용하여 Ag 페이스트를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하여 소결성을 증대시킬 수 있다.
또한, 상기 (C)단계는 금(Au) 와이어로 상기 와이어 본딩 패드와 LED칩을 와이어 본딩하는 단계인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, LED 패키지에서의 와이어 본딩 패드에 있어서, Au 패드가 아닌 Ag 페이스트를 이용한 Ag 패드를 형성함으로써 와이어 본딩 패드 뿐 만이 아니라 반사막도 함께 형성되고, 별도의 Au 프린팅 또는 도금 공정이 필요치 않게 되어 LED 패키지의 제작 공정을 간소화하고 제작 비용을 절감할 수 있는 효과를 가지게 된다. 또한, Ag의 소결 조직을 치밀화시키고 표면 특성을 개선하여 솔더링 또한 가능하게 되는 효과도 제공하게 된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 2a 및 도 2b는 일반적인 Ag 페이스트의 소결 조직과 본 발명에 따른 Ag 페이스트의 소결 조직을 확대한 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 BST(Ball Share Test) 와 WPT(Wire Pull Test) 결과를 나타낸 도면이다.
이하 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따른 LED 패키지의 단면도를 도시한 도면이다. 본 발명은 기판, 상기 기판상에 마운팅된 LED칩, 상기 기판상에 은(Ag) 페이스트로 형성된 와이어 본딩 패드 및 상기 LED 칩과 와이어 본딩 패드를 연결하는 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 및 그 제조 방법을 요지로 하는 것으로 Ag 페이스트를 이용하여 도금에서 구현하는 Ag 패드를 구성 가능하게 하고, 동시에 반사막 역할까지 수행할 수 있는 LED 패키지를 제공하는 것을 그 핵심으로 한다. 도면을 참조하여 살펴보면, 패턴이 형성되어 있는 기판(100)상에는 와이어 본딩 패드(110)가 형성되어 있고, LED 칩(130)이 마운팅(Mounting)되어 있으며 상기 LED 칩(130)과 패드(110)는 와이어(120)로 본딩되어 있다. 상기 와이어(120)는 금(Au) 와이어인 것이 바람직하다. 또한, 상기 기판(100)은 세라믹 기판, 그 중 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic : LTCC) 기판이나 알루미나(Al2O3) 기판인 것이 바람직하다. LTCC는 1000℃ 이하의 저온에서 소성한 저온 소성다층 세라믹으로, 전기적인 특성의 우수성과 초소형화가 가능하면서도 저항이 낮고, 가공 정밀도가 우수하여 복합적인 기능을 발휘할 수 있는 특징이 있어 여러 기술 분야에서 사용되고 있다.
상기 와이어 본딩 패드(110)는 Ag 페이스트를 이용하여 형성된 것으로 본 발명에서 사용되는 Ag 페이스트의 경우 0.2 ~ 0.9㎛의 입도를 갖는 Ag 파우더(Powder)를 단독으로 사용하여도 특성 구현에는 문제가 없다. 다만, 공정의 안정성이나 편의성을 위하여 0.2 ~ 0.9㎛의 입도를 갖는 Ag 파우더와 입성장 제어를 위해 1.5 ~ 3㎛의 Ag 파우더를 7:3 내지 5:5의 비율로 혼합하여 제조한 페이스트인 것이 바람직하다. 특히, 파우더의 형태는 소결성의 증대를 위하여 구형의 파우더를 사용하는 것이 바람직하다. 일반적인 Ag 페이스트를 사용할 경우 도 2a와 같이 Ag의 소결 조직이 불균질하여, 와이어 본딩시 본딩면이 고르지 못하여 최종적으로 와이어 본딩 실패의 원인이 되며, 표면이 거칠어 빛을 조사시에 난반사에 의한 광량이 감소하는 문제가 발생한다. 또한, 더욱이 솔더에 의한 리칭(Leaching)과 젖음성 저하로 인하여 솔더링이 불가능하게 된다. 따라서 본 발명에 따른 와이어 본딩 패드(110)는 도 2b에서와 같이 Ag의 소결 조직이 치밀화되고 표면 모폴로지(Morphology)가 1㎚ ~ 5㎛로 형성하여 상기의 문제점을 해결할 수 있게 된다. 또한, 솔더링의 경우 표면 특성이 개선되어 납의 젖음성이 향상되며, 그레인(Grain) 사이즈의 증가로 인하여 리칭 특성이 개선되는 효과가 생기게 된다. 따라서 본 발명은 기존의 Au 패드를 대체하여 별도의 Au 프린팅이나 도금 공정을 거치지 않게 되므로 제작 공정이 단순화 되고 제작 비용이 절감된다. 또한, 본 발명의 소결 타입의 Ag 페이스트를 이용하여 와이어 본딩 패드(110)를 형성함으로써 반사막도 동시에 형성할 수 있으며 솔더링이 가능한 패드(110)가 형성될 수 있다.
LED의 와이어(120) 접합에 있어 접합 강도를 측정하는 방법으로는 볼 쉐어 테스트(Ball Share Test : BST) 와이어 풀 테스트(Wire Pull Test : WPT)가 대표적인데 도 3a 및 도 3b는 이를 측정한 결과를 도시한 도면이다. 이는 본 발명에 따른 Ag 페이스트를 이용하여 알루미나 기판(100) 위에 패턴을 구성하여 약 850℃에서 30분 가량 열처리하여 측정한 결과이다. 도 3a 와 도 3b에서와 같이 BST 값은 Au와 동등하거나 그 이상의 결과를 얻을 수 있었으며 WPT 값은 기준치인 8g 이상의 결과를 얻을 수 있었다.
이상 도면과 명세서에서 최적 실시예들이 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100: 기판 110: 와이어 본딩 패드
120: 와이어 130: LED 칩

Claims (13)

  1. 기판;
    상기 기판상에 마운팅된 LED칩;
    상기 기판상에 은(Ag) 페이스트로 형성된 와이어 본딩 패드; 및
    상기 LED칩과 와이어 본딩 패드를 연결하는 와이어;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 Ag 페이스트는,
    0.2 ~ 0.9㎛의 입도를 갖는 Ag 파우더로 이루어진 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 Ag 페이스트는,
    0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더와 1.5 ~ 3μm의 입도를 갖는 Ag 파우더가 7:3 내지 5:5의 조성비로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  4. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 Ag 페이스트는,
    구형의 Ag 파우더를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은,
    세라믹 기판인 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 세라믹 기판은,
    저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기판 또는 알루미나(Al2O3) 기판인 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 와이어는,
    금(Au) 와이어인 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  8. (A) 기판상에 회로패턴과 Ag 페이스트로 이루어진 와이어 본딩 패드를 형성하는 단계;
    (B) 상기 기판상에 LED칩을 마운팅 하는 단계;
    (C) 상기 와이어 본딩 패드와 LED칩을 와이어 본딩하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 (A)단계는,
    저온 동시 소성 세라믹(LTCC) 기판 또는 알루미나(Al2O3) 기판 상에 상기 회로 패턴과 와이어 본딩 패드를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조 방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 (A)단계는,
    0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더로 Ag 페이스트를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조 방법.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 (A)단계는,
    0.2 ~ 0.9μm의 입도를 갖는 Ag 파우더와 1.5 ~ 3μm의 입도를 갖는 Ag 파우더의 비율이 7:3 내지 5:5가 되도록 Ag 페이스트를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조 방법.
  12. 청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
    상기 (A)단계는,
    구형의 Ag 파우더를 이용하여 Ag 페이스트를 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조 방법.
  13. 청구항 8에 있어서,
    상기 (C)단계는,
    금(Au) 와이어로 상기 와이어 본딩 패드와 LED칩을 와이어 본딩하는 단계인 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조 방법.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013148573A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (led) devices, components and methods
USD738542S1 (en) 2013-04-19 2015-09-08 Cree, Inc. Light emitting unit
US9538590B2 (en) 2012-03-30 2017-01-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
US9786825B2 (en) 2012-02-07 2017-10-10 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US9806246B2 (en) 2012-02-07 2017-10-31 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US9826581B2 (en) 2014-12-05 2017-11-21 Cree, Inc. Voltage configurable solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
US10267506B2 (en) 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11284018A (ja) 1998-03-31 1999-10-15 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
WO2006135130A1 (en) * 2005-06-15 2006-12-21 Lg Chem, Ltd. Light emitting diode device using electrically conductive interconnection section

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10267506B2 (en) 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
US11101408B2 (en) 2011-02-07 2021-08-24 Creeled, Inc. Components and methods for light emitting diode (LED) lighting
US9786825B2 (en) 2012-02-07 2017-10-10 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US9806246B2 (en) 2012-02-07 2017-10-31 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
WO2013148573A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (led) devices, components and methods
US8895998B2 (en) 2012-03-30 2014-11-25 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components and methods
CN104247061A (zh) * 2012-03-30 2014-12-24 克利公司 陶瓷基发光二极管(led)装置、组件和方法
US9538590B2 (en) 2012-03-30 2017-01-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
USD738542S1 (en) 2013-04-19 2015-09-08 Cree, Inc. Light emitting unit
US9826581B2 (en) 2014-12-05 2017-11-21 Cree, Inc. Voltage configurable solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device

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