KR20110091217A - Extreme ultra violet mask and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: EUV(Extreme Ultra Violet) reflective mask and a forming method thereof are provided to simplify a mask manufacturing process by changing the structure of an EUV mask. CONSTITUTION: A multi thin film(115), which includes a plurality of trenches(120), is included on the top of a quartz substrate. The multi thin film includes molybdenum(105) and silicon(110). Forty molybdenum and forty silicon are alternatively laminated on multi thin film which is exposed in a trench. A quartz substrate is exposed in the trench. A method for manufacturing a EUV mask comprises a step which forms the multi thin film on a quartz substrate and a step which forms the trench by etching the multi thin film.

Description

ＥＵＶ 마스크 및 그 형성방법{EXTREME ULTRA VIOLET MASK AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}EV mask and its formation method {EXTREME ULTRA VIOLET MASK AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 EUV 마스크 및 그 형성방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 반도체 제조공정 중 노광 공정에 사용되는 마스크 중 반사 마스크에 해당되는 EUV 마스크 및 그 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to an EUV mask and a method of forming the same. More specifically, the present invention relates to an EUV mask corresponding to a reflective mask among masks used in an exposure process in a semiconductor manufacturing process, and a method of forming the same.

반도체 소자의 크기가 점차 감소함에 따라 반도체 공정기술에서도 많은 기술개발이 이루어지고 있다. 그 중에서 노광공정 기술이 가장 큰 변화를 이루고 있으며, 특히 40nm 이하 소자에서는 기존에 사용하였던 이머젼(immersion) 기술 또한 한계에 이르게 되어 EUV(Extreme Ultra Violet) 리소그래피에 대한 개발이 이루어지고 있다.As the size of semiconductor devices is gradually reduced, many technological developments have been made in semiconductor process technology. Among them, the exposure process technology is making the biggest changes, and in particular, the immersion technology used in devices below 40 nm has also reached its limit, and development of extreme ultra violet (EUV) lithography is being made.

EUV 노광은 기존의 노광 기술과 달리 파장이 13.5 nm로 매우 짧은 광원을 사용하여 노광을 하므로 선폭이 40 nm 이하인 반도체 소자 개발에 있어서 핵심적인 공정기술로 취급되고 있다. 다만 EUV는 기존 노광원에 비하여 매우 짧은 파장을 가진 광원을 사용하기 때문에, 종래의 투과 마스크가 아닌 반사 마스크를 사용하게 된다.EUV exposure is treated as a key process technology in the development of semiconductor devices with a line width of 40 nm or less because the exposure is performed using a very short light source with a wavelength of 13.5 nm, unlike conventional exposure technology. However, since EUV uses a light source having a very short wavelength compared to a conventional exposure source, it uses a reflective mask instead of a conventional transmission mask.

도 1a 내지 도 1d는 종래의 EUV 마스크의 형성 방법을 도시한 단면도들 이다. 1A to 1D are cross-sectional views illustrating a method of forming a conventional EUV mask.

도 1a 내지 도 1d를 참조하면, 석영 기판(10)에는 다중 박막(40)이 형성되고 이 다중 박막(40)의 상부에 흡수층(20)이 형성된다. 다중 박막(40)은 빛의 간섭 효과를 줄이기 위한 것으로 몰리브덴(42)과 실리콘(44)이 차례로 적층된 구조를 가진다. 1A to 1D, multiple thin films 40 are formed on a quartz substrate 10, and an absorption layer 20 is formed on the multiple thin films 40. The multiple thin film 40 has a structure in which molybdenum 42 and silicon 44 are sequentially stacked in order to reduce interference effects of light.

그 다음, 흡수층(20) 상부에 감광막 패턴(25)을 형성하고, 감광막 패턴(25)을 마스크로 흡수층(20)을 식각하여 흡수층 패턴(20a)을 형성한다. 여기서, 흡수층(20)은 크롬을 포함하는 물질로 형성한다. Next, the photoresist pattern 25 is formed on the absorber layer 20, and the absorber layer 20 is etched using the photoresist pattern 25 as a mask to form the absorber layer pattern 20a. Here, the absorbing layer 20 is formed of a material containing chromium.

그 다음, 감광막 패턴(25)을 제거한다. 이때, 흡수층 패턴(20a)을 형성하기 위한 식각 공정은 건식으로 진행하는데, 이러한 건식 식각 공정 시 반사체인 다중 박막(40) 표면에 데미지가 전사되어 반사율이 저하되는 현상이 발생할 수 있다. 또한, 다중 박막(40) 표면에 데미지가 있으면 마스크 해상력이 저하되는 문제가 발생한다. Next, the photosensitive film pattern 25 is removed. At this time, the etching process for forming the absorber layer pattern 20a is performed in a dry manner, the damage may be transferred to the surface of the multiple thin film 40, which is a reflector during the dry etching process, the reflectance may decrease. In addition, when the damage is on the surface of the multi-film 40, a problem that the mask resolution is lowered.

도 2는 종래 기술에 따른 반사 마스크를 도시한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view showing a reflective mask according to the prior art.

도 2를 참조하면, 석영 기판(10)에는 다중 박막(40)이 형성되고 이 다중 박막(40)의 상부에 흡수층 패턴(20a)이 형성된다. 이러한 반사 마스크에서는 입사광(A)이 다중 박막(40) 표면에서 반사되어 반사광(B)으로 반사되는데, 이 때 흡수층 패턴(20a)이 위치한 부분에서는 입사광(A)이 흡수되면서 흡수층 패턴(20a)의 형상이 반사광(B)에 반영되고 이 결과 노광 대상인 감광막에 패터닝이 이루어지게 된다.Referring to FIG. 2, multiple thin films 40 are formed on the quartz substrate 10, and an absorbing layer pattern 20a is formed on the multiple thin films 40. In such a reflective mask, incident light A is reflected from the surface of the multiple thin film 40 to be reflected by the reflected light B. At this time, the incident light A is absorbed in the portion where the absorbing layer pattern 20a is positioned, so that the absorption layer pattern 20a The shape is reflected in the reflected light B, and as a result, patterning is performed on the photosensitive film to be exposed.

도 2에 도시된 바와 같이 EUV 마스크에서 반사 마스크를 사용하는 이유는, EUV 광원은 종래의 광원에 비하여 짧은 파장을 가지기 때문에 종래와 같은 투과 마스크로 구성할 경우, 광원이 석영 기판(10)에 흡수되어 버리기 때문이다.The reason why the reflective mask is used in the EUV mask as shown in FIG. 2 is that the EUV light source has a shorter wavelength than that of the conventional light source. Because it becomes.

그리고 반사 마스크를 사용하려면, 광원으로부터 입사된 입사광(A) 또한 마스크에 대하여 수직하게 입사되지 않고 소정 각도 경사진 상태로 마스크에 입사되어야 한다. 이는 광원이 서로 간섭하는 현상을 방지하기 위한 것으로, 이 때 입사광이 경사진 각도는 장비 구성에 따라 다르겠지만, 마스크 표면에 수직한 직선으로부터 6° 기울어지는 것이 일반적이다.In order to use the reflective mask, the incident light A incident from the light source must also be incident on the mask in a state inclined at a predetermined angle without being incident perpendicularly to the mask. This is to prevent the light sources from interfering with each other. At this time, the angle at which the incident light is inclined depends on the configuration of the equipment, but it is generally inclined 6 ° from a straight line perpendicular to the mask surface.

그런데, 이와 같이 6° 경사지게 입사광(A)을 조사하는 EUV 노광공정에서는 또 다른 문제점이 발생한다. 종래 EUV 마스크의 문제점을 도시한 사시도인 도 3 및 도 4를 참조하면, 입사광(A)은 6° 경사진 우측 방향에서 조사되고 반사광(B)은 6° 경사지게 좌측 방향으로 반사되며, 이 때 입사각과 반사각이 동일한 것은 스넬의 법칙(snell's law)으로 알려져 있다.However, another problem arises in the EUV exposure process of irradiating incident light A at a 6 ° incline. 3 and 4, which are perspective views illustrating problems of the conventional EUV mask, incident light A is radiated from the right direction inclined by 6 ° and reflected light B is reflected in the left direction at an inclination of 6 °, wherein the incident angle The same angle of reflection as is known as Snell's law.

먼저 도 3a과 같이 흡수층 패턴(20a)이 입사광(A) 및 반사광(B)과 평행한 방향으로 형성되는 경우에는, 흡수층 패턴(20a)이 위치한 부분을 제외하면 입사광(A)이 문제없이 반사되어 반사광(B)으로 반사된다. 그런데 도 3b와 같이 흡수층 패턴(20a)이 입사광(A) 및 반사광(B)과 수직한 방향으로 형성되는 경우에는, 흡수층 패턴(20a)이 위치하지 않은 부분에서도, 입사광(A)이 흡수층 패턴(20a)에 흡수되어 버리는 문제가 발생한다. 이는 흡수층 패턴(20a)도 소정 높이를 가지고 있고 입사광(A)이 경사지게 조사됨에 따라 발생하는 문제이며, 이를 그림자 효과(Shadowing Effect)라 한다.First, when the absorption layer pattern 20a is formed in a direction parallel to the incident light A and the reflected light B as shown in FIG. 3A, the incident light A is reflected without a problem except for a portion where the absorption layer pattern 20a is located. Reflected by the reflected light (B). However, when the absorbing layer pattern 20a is formed in the direction perpendicular to the incident light A and the reflected light B as shown in FIG. 3B, the incident light A is absorbed by the absorbing layer pattern (even when the absorbing layer pattern 20 a is not located). The problem of absorption in 20a) arises. This is a problem that occurs when the absorption layer pattern 20a also has a predetermined height and the incident light A is irradiated obliquely, which is called a shadowing effect.

이러한 그림자 효과 때문에, 흡수층 패턴(20a)이 형성된 방향에 따라 입사광(A)이 흡수되는 정도가 일정하지 않게 되어, 실제 EUV 패터닝 후에는 동일한 사이즈의 패턴도 형성된 방향에 따라 실제로 다르게 패터닝되는 문제점이 있다.Due to the shadow effect, the degree of absorption of incident light A is not constant according to the direction in which the absorbing layer pattern 20a is formed, and there is a problem in that after the actual EUV patterning, the pattern of the same size is actually patterned differently according to the forming direction. .

본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, EUV 마스크의 다중 박막을 부분적으로 식각하여 식각된 부분이 흡수부의 역할을 하도록 함으로써, 그림자 효과(Shadowing effect)를 방지하여, 종래 그림자 효과의 보정 공정을 불필요하게 하고 마스크 제작 시간을 단축시킨다. 또한, 그림자 효과를 방지함으로써, 해상도가 향상되며, CD 균일도가 향상된 패턴을 형성할 수 있는 EUV 마스크 및 그 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the conventional problems as described above, by partially etching the multiple thin film of the EUV mask so that the etched portion serves as the absorber, thereby preventing the shadowing effect (shadowing effect), the conventional shadow effect This eliminates the need for the correction process and shortens the mask manufacturing time. In addition, it is an object of the present invention to provide an EUV mask capable of forming a pattern with improved resolution and improved CD uniformity by preventing a shadow effect and a method of forming the same.

본 발명에 따른 EUV 마스크는 석영 기판과, 석영 기판의 상부에 다중 박막을 포함하되, 상기 다중 박막은 다수의 트렌치를 포함하는 것을 특징으로 한다.The EUV mask according to the present invention includes a quartz substrate and multiple thin films on the quartz substrate, wherein the multiple thin films include a plurality of trenches.

나아가, 다중 박막은 몰리브덴과 실리콘을 포함하며, 바람직하게는 다중 박막은 40개의 몰리브덴과 40개의 실리콘의 번갈아 적층된 구조로 형성된다.Furthermore, the multiple thin films include molybdenum and silicon, and preferably, the multiple thin films are formed of an alternating structure of 40 molybdenum and 40 silicon.

그리고, 트렌치는 다중 박막이 노출되도록 형성되거나, 트렌치는 상기 석영 기판이 노출되도록 형성된다. The trench is formed to expose multiple thin films, or the trench is formed to expose the quartz substrate.

또한, 본 발명에 따른 EUV 마스크 형성방법은 석영 기판 상부에 다중 박막을 형성하는 단계와, 다중 박막을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the EUV mask forming method according to the invention is characterized in that it comprises the step of forming a multi-layer on the quartz substrate, and forming a trench by etching the multi-layer.

나아가, 다중 박막은 몰리브덴과 실리콘을 포함하며, 바람직하게는 다중 박막은 40개의 몰리브덴과 40개의 실리콘의 적층 구조로 형성한다.Furthermore, the multiple thin films include molybdenum and silicon, and preferably the multiple thin films are formed of a laminated structure of 40 molybdenum and 40 silicon.

그리고, 트렌치는 다중 박막이 노출되도록 형성하거나, 석영 기판이 노출되도록 형성한다.The trench is formed to expose multiple thin films or to expose a quartz substrate.

본 발명의 EUV 마스크 및 그 형성방법은 다음과 같은 효과를 제공한다.The EUV mask of the present invention and a method of forming the same provide the following effects.

첫째, EUV 마스크의 구조를 변경함으로써, 마스크 반사율이 개선되어 해상력이 향상된다. First, by changing the structure of the EUV mask, the mask reflectance is improved and the resolution is improved.

둘째, EUV 마스크의 구조를 변경함으로써, 마스크 제작 공정이 단순해진다. Second, by changing the structure of the EUV mask, the mask fabrication process is simplified.

셋째, EUV 마스크의 구조를 변경함으로써, 흡수층을 생략할 수 있어 그림자 효과(Shadowing Effect)를 방지할 수 있다. Third, by changing the structure of the EUV mask, it is possible to omit the absorbing layer to prevent the shadowing effect (Shadowing Effect).

넷째, EUV 마스크의 구조를 변경함으로써, 패터닝 시 패턴의 CD(Critical Dimension) 균일도가 향상된다. Fourth, by changing the structure of the EUV mask, the CD (Critical Dimension) uniformity of the pattern at the time of patterning is improved.

도 1a 내지 도 1d는 종래의 EUV 마스크의 형성 방법을 도시한 단면도.
도 2는 종래 기술에 따른 EUV 마스크를 도시한 단면도.
도 3a 및 도 3b는 종래 기술에 따른 EUV 마스크의 문제점을 도시한 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 EUV 마스크를 도시한 단면도.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 EUV 마스크 형성 방법을 도시한 단면도.1A to 1D are cross-sectional views showing a method of forming a conventional EUV mask.
2 is a cross-sectional view of an EUV mask according to the prior art.
3A and 3B are perspective views illustrating problems of the EUV mask according to the prior art.
4 is a sectional view of an EUV mask according to the present invention;
5A to 5D are cross-sectional views illustrating a method of forming an EUV mask according to the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 EUV 마스크 및 그 형성방법의 일실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of an EUV mask and a method of forming the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 따른 EUV 마스크를 도시한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view of an EUV mask according to the present invention.

도 4를 참조하면, 석영 기판(100)과 다중 박막(115)이 형성되며, 다중 박막(115) 내에 다수의 트렌치(120)를 포함한다. 구체적으로, 석영 기판(100)의 상부 표면에 다중 박막(115)이 형성되고, 이 다중 박막(115)이 부분적으로 식각되어 트렌치(120)가 형성된다. 여기서, 다중 박막(115)은 빛의 간섭 효과를 줄이기 위한 것으로 몰리브덴(105)과 실리콘(110)이 차례로 다수 층이 적층된 구조를 가진다. 이때 다중 박막(115)은 40개의 몰리브덴(105)과 40개의 실리콘(110)이 번갈아 적층된 구조를 가지는 것이 빛의 간섭을 감소시키기에 가장 바람직하다. Referring to FIG. 4, a quartz substrate 100 and multiple thin films 115 are formed and include a plurality of trenches 120 in the multiple thin films 115. Specifically, multiple thin films 115 are formed on the upper surface of the quartz substrate 100, and the multiple thin films 115 are partially etched to form trenches 120. Here, the multiple thin film 115 has a structure in which a plurality of layers of molybdenum 105 and silicon 110 are sequentially stacked in order to reduce interference effects of light. In this case, it is most preferable that the multiple thin film 115 has a structure in which 40 molybdenum 105 and 40 silicon 110 are alternately stacked to reduce interference of light.

또한, 트렌치(120)는 도 4 (ⅰ)과 같이 석영 기판(100)이 노출되도록 형성할 수 도 있고, 도 4 (ⅱ)와 같이 다중 박막(115)을 일부만 식각하여 형성할 수 도 있다. 이렇게 트렌치(120)의 식각 깊이를 조절하여 흡수층의 역할을 하도록 할 수 있다. 여기서, 트렌치(120)가 형성된 부분은 흡수부로 사용되며, 식각되지 않은 다중박막(115) 형성된 부분은 반사부로 사용된다. In addition, the trench 120 may be formed to expose the quartz substrate 100 as shown in FIG. 4 (i) or may be formed by etching only a part of the multiple thin film 115 as shown in FIG. 4 (ii). In this way, the etching depth of the trench 120 may be adjusted to serve as an absorbing layer. Here, the portion where the trench 120 is formed is used as an absorbing portion, and the portion where the non-etched multiple thin film 115 is formed is used as a reflecting portion.

이와 같이, 트렌치(120)이 형성되어 주기성이 깨진 부분은 빛이 흡수되고, 주기성이 유지된 곳은 빛을 반사하게 된다. 이는 다중 박막(115)을 충분히 깊게 식각할 경우 EUV의 짧은 파장이 트렌치의 일정 깊이에서 소멸되어 반사가 되지 않는 원리이다. 따라서, 흡수층 역할을 할 수 있는 트렌치를 형성함으로써, 그림자 효과(Shadowing Effect) 없이 노광이 가능하게 된다. 또한, 그림자 효과 없이 노광이 가능하게 되므로 노광 시 해상도가 향상되고, 패턴의 CD 균일도(Critical Dimension Uniformity)가 향상되는 효과가 있다. As such, when the trench 120 is formed and the periodicity is broken, light is absorbed, and where the periodicity is maintained, the light is reflected. This is a principle that when the multiple thin film 115 is sufficiently deeply etched, the short wavelength of the EUV disappears at a predetermined depth of the trench and is not reflected. Therefore, by forming a trench that can serve as an absorbing layer, exposure is possible without a shadowing effect. In addition, since the exposure can be performed without a shadow effect, the resolution is improved during exposure, and the CD uniformity of the pattern is improved.

여기서, 상술한 EUV 마스크는 EUV 전용 마스크 이외에 바이너리 마스크(Binary mask) 또는 위상 반전 마스크(Phase shift mask)에 적용할 수 있다. Herein, the above-described EUV mask may be applied to a binary mask or a phase shift mask in addition to the EUV mask.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 EUV 마스크 형성 방법을 도시한 단면도들이다. 5A to 5D are cross-sectional views illustrating a method of forming an EUV mask according to the present invention.

도 5a를 참조하면, 석영 기판(100) 상부에 다중 박막(115)을 형성한다. 다중 박막(115)은 빛의 간섭 효과를 줄이기 위한 것으로 몰리브덴(105)과 실리콘(110)이 차례로 다수 층 적층된 구조를 가진다. 이 때 다중 박막(115)은 40개의 몰리브덴(105)과 40개의 실리콘(110)이 번갈아 적층된 구조를 가지는 것이 빛의 간섭을 감소시키기에 가장 바람직하다.Referring to FIG. 5A, multiple thin films 115 are formed on the quartz substrate 100. The multiple thin film 115 has a structure in which a plurality of layers of molybdenum 105 and silicon 110 are sequentially stacked in order to reduce interference effects of light. At this time, it is most preferable that the multiple thin film 115 has a structure in which 40 molybdenum 105 and 40 silicon 110 are alternately stacked to reduce interference of light.

다음으로, 도 5b 및 도 5c를 참조하면, 다중 박막(115)의 상부에 흡수부를 정의하는 감광막 패턴(117)을 형성한다. 그 다음, 감광막 패턴(117)을 마스크로 다중 박막(115)을 식각하여 다수의 트렌치(120)를 형성한다. 이때, 트렌치(120)는 도 5c (ⅰ)와 같이 석영 기판(100)이 노출되도록 형성할 수 있다. 또한, 트렌치(120)는 도 5c (ⅱ)와 같이 다중 박막(115)을 일부만 식각하여 형성할 수 도 있다. 이와 같이 트렌치(120)의 깊이를 조절하여 흡수층 역할을 할 수 있도록 한다.Next, referring to FIGS. 5B and 5C, a photosensitive film pattern 117 defining an absorbing part is formed on the multiple thin film 115. Next, the multiple thin films 115 are etched using the photoresist pattern 117 as a mask to form a plurality of trenches 120. In this case, the trench 120 may be formed such that the quartz substrate 100 is exposed as shown in FIG. 5C. In addition, the trench 120 may be formed by etching only a part of the multiple thin film 115 as illustrated in FIG. 5C (ii). As such, the depth of the trench 120 may be adjusted to serve as an absorbing layer.

그 다음, 감광막 패턴(117)을 제거한다. 여기서, 트렌치(120)가 형성된 부분은 흡수부로 사용되며, 식각되지 않은 다중박막(115) 형성된 부분은 반사부로 사용된다. Next, the photoresist pattern 117 is removed. Here, the portion in which the trench 120 is formed is used as an absorbing portion, and the portion in which the non-etched multiple thin film 115 is formed is used as a reflecting portion.

상술한 바와 같이 다중 박막(115)을 식각하여 트렌치(120)를 형성하여 다중 박막(115)의 주기성을 깨뜨림으로써, 종래 기술에서의 흡수부 역할을 하게 된다. 그 이유는, 주기적으로 쌓여진 다중 박막(115) 구조 내에서 주기성이 깨진 부분에서만 빛이 반사되지 않고 흡수되기 때문이다. 이러한 현상은 다중 박막(115)을 충분히 깊게 식각할 경우 EUV의 짧은 파장이 트렌치의 일정 깊이에서 소멸되어 반사가 되지 않는 원리이다.As described above, by forming the trench 120 by etching the multiple thin film 115 to break the periodicity of the multiple thin film 115, it serves as an absorber in the prior art. This is because light is not reflected and absorbed only at the broken portions in the structure of the multiple thin film 115 periodically stacked. This phenomenon is a principle that when the multiple thin film 115 is sufficiently deeply etched, the short wavelength of the EUV disappears at a certain depth of the trench and is not reflected.

이와 같이, 트렌치(120)가 형성되어 주기성이 깨진 부분은 빛이 흡수되고, 주기성이 유지된 곳은 빛을 반사하므로 그림자 효과(Shadowing Effect) 없이 노광이 가능하게 된다. 또한, 그림자 효과 없이 노광이 가능하게 되므로 노광 시 해상도가 향상되고, 패턴의 CD 균일도가 향상되는 효과가 있다. As such, since the trench 120 is formed and the periodicity is broken, light is absorbed, and where the periodicity is maintained, the light is reflected, so that the exposure can be performed without a shadowing effect. In addition, since the exposure can be performed without the shadow effect, the resolution is improved at the time of exposure, and the CD uniformity of the pattern is improved.

여기서, 상술한 EUV 마스크 형성방법은 EUV 전용 마스크 형성방법 이외에 바이너리 마스크(Binary mask) 또는 위상 반전 마스크(Phase shift mask) 형성 시 적용할 수 있다. Here, the above-described EUV mask forming method may be applied to forming a binary mask or a phase shift mask in addition to the EUV-only mask forming method.

본 발명은 기재된 실시예에 한정하는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 한 다양하게 수정 및 변형을 할 수 있음은 당업자에게 자명하다고 할 수 있는 바, 그러한 변형예 또는 수정예들은 본 발명의 특허청구범위에 속하는 것이다.The present invention is not limited to the described embodiments, and various modifications and changes can be made to those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention. It belongs to the claims of the.

100 : 석영 기판 105 : 몰리브덴
110 : 실리콘 115 : 다중박막
120 : 트렌치100: quartz substrate 105: molybdenum
110 silicon 115 multi-layer thin film
120: trench

Claims (10)

석영 기판;
상기 석영 기판의 상부에 다중 박막을 포함하되, 상기 다중 박막은 다수의 트렌치를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.Quartz substrates;
An EUV mask comprising multiple thin films on top of the quartz substrate, wherein the multiple thin films comprise a plurality of trenches. 제 1 항에 있어서,
상기 다중 박막은 몰리브덴과 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.The method of claim 1,
And the multiple thin film comprises molybdenum and silicon. 제 1 항에 있어서,
상기 다중 박막은 40개의 몰리브덴과 40개의 실리콘의 번갈아 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.The method of claim 1,
The multi-layer thin film is EUV mask, characterized in that the alternating structure of 40 molybdenum and 40 silicon. 제 1 항에 있어서,
상기 트렌치는 상기 다중 박막이 노출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.The method of claim 1,
The trench is EUV mask, characterized in that formed to expose the multiple thin film. 제 1 항에 있어서,
상기 트렌치는 상기 석영 기판이 노출되도록 형성된 것을 특징으로 하는 EUV 마스크.The method of claim 1,
And the trench is formed to expose the quartz substrate. 석영 기판 상부에 다중 박막을 형성하는 단계; 및
상기 다중 박막을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 형성방법.Forming multiple thin films on the quartz substrate; And
Forming a trench by etching the multiple thin film. 제 6 항에 있어서,
상기 다중 박막은 몰리브덴과 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 형성방법.The method according to claim 6,
The multiple thin film is a method of forming an EUV mask, characterized in that the molybdenum and silicon. 제 6 항에 있어서,
상기 다중 박막은 40개의 몰리브덴과 40개의 실리콘의 적층 구조인 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 형성방법.The method according to claim 6,
The multilayer thin film is a method of forming an EUV mask, characterized in that the laminated structure of 40 molybdenum and 40 silicon. 제 6 항에 있어서,
상기 트렌치는 상기 다중 박막이 노출되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 형성 방법.The method according to claim 6,
And forming the trench to expose the multiple thin films. 제 6 항에 있어서,
상기 트렌치는 상기 석영 기판이 노출되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 EUV 마스크의 형성 방법.The method according to claim 6,
And forming the trench so that the quartz substrate is exposed.
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