KR20110077951A - 플라즈마 식각 장치 및 식각 방법 - Google Patents

플라즈마 식각 장치 및 식각 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110077951A
KR20110077951A KR1020090134652A KR20090134652A KR20110077951A KR 20110077951 A KR20110077951 A KR 20110077951A KR 1020090134652 A KR1020090134652 A KR 1020090134652A KR 20090134652 A KR20090134652 A KR 20090134652A KR 20110077951 A KR20110077951 A KR 20110077951A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
etching
substrate
plasma
chamber
etching apparatus
Prior art date
Application number
KR1020090134652A
Other languages
English (en)
Inventor
조상진
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020090134652A priority Critical patent/KR20110077951A/ko
Publication of KR20110077951A publication Critical patent/KR20110077951A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651—Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

기판의 중심부와 외곽부에서의 식각 불균일을 해소할 수 있게 하는 플라즈마 식각 장치는, 식각이 이루어질 공간을 제공하는 챔버와, 챔버 내부에 구비되어 챔버 내부로 로딩된 기판이 안착되는 기판 지지부와, 기판 지지부의 상측에 대향 배치되고, 기판으로 향하는 플라즈마의 흐름을 차단하는 차폐부, 및 챔버의 플라즈마 형성을 위한 전원을 인가하는 전극부를 포함한다.
식각, 플라즈마 식각, 차폐부, 식각 균일도

Description

플라즈마 식각 장치 및 식각 방법{Plasma etching apparatus and etching method using the same}
본 발명은 플라즈마 식각 장치 및 식각 방법에 관한 것으로, 특히 기판의 중앙부와 외곽에서의 식각 균일도를 향상시킬 수 있는 구조의 플라즈마 식각 장치와 이를 이용한 플라즈마 식각 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조공정에는 반도체기판 상에 박막을 형성하는 박막 형성공정, 미세 패턴을 형성하기 위해 박막 상에 마스크 패턴을 형성하는 사진 공정, 박막을 식각하여 미세 패턴을 형성하는 식각 공정 등이 있다. 그 중 식각(etching) 공정은 반도체기판 상에 반도체 집적회로를 위한 패턴을 형성하는 공정으로, 사진 공정에 의해 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 포토레지스트 패턴 아래의 막질을 선택적으로 제거하는 공정이다.
식각 공정은 크게 습식 식각과 건식 식각으로 분류될 수 있다. 습식 식각은 소자의 최소 선폭이 수 ㎛ 내지 수십 ㎛대의 집적회로 소자에 범용으로 사용되었으나, 고집적회로 소자에서는 등방성 식각이 보이는 집적도의 한계 때문에 최근에는 거의 사용되지 않고 있다. 건식 식각은 플라즈마를 사용하여 피가공 재료, 예를 들 어 반도체기판을 플라즈마 상태의 활성 미립자(래디컬)와 화학반응에 의하여 제거하는 방법과 이온을 가속시켜 물리적으로 제거하는 방법 또는 이 두 가지 방법을 혼용하여 제거하는 방법을 일컫는다. 플라즈마 식각은 플루오린(F2)이나 클로린(Cl2)과 같은 화학적으로 반응하는 원소가 포함된 가스에 전기장을 가함으로써 행해진다. 플라즈마는 화학적으로 반응하는 이온을 방출해서 재료가 빨리 식각되도록 하며 화학 물질에 전하를 주어 화학 물질이 웨이퍼에 수직으로 향하게 해준다. 이에 따라 거의 완벽한 수직 식각 측면을 얻을 수 있어 최근 고집적화된 반도체 소자를 제조하기 위해 주로 사용된다.
최근에는 반도체 소자가 고집적화되면서 미세 패턴의 선폭이 점점 작아지고 있고, 이로 인해 미세 패턴을 형성하는 식각 공정에 사용되는 식각 장치의 역할이 더욱 중요해지고 있다. 플라즈마 식각 장치는 챔버 내의 두 전극 사이에 반응성이 큰 할로겐 원소들을 포함한 화합물을 식각 가스로 공급하고, 이와 동시에 전극의 한쪽에 고주파 전력을 인가한다. 이에 따라 전극 사이에 고주파 전계가 형성되어 챔버 내에 공급된 식각 가스가 플라즈마 상태를 형성하며, 이때 활성화된 이온을 이용하여 반도체기판의 식각 공정을 진행한다.
도 1은 종래의 플라즈마 식각 장치의 일 예를 나타낸 개략도이다.
도 1을 참조하면, 플라즈마 식각 장치는 플라즈마를 형성하기 위한 반응 가스가 공급되는 식각 챔버(10)를 포함한다. 기판(W)이 안치되며 하부 전극으로 작용하는 정전척(Electro Static Chuck: ESC)(20)이 식각 챔버(10)의 저면에 배치된다. 고주파 전압을 인가하여 플라즈마를 형성시키는 상부 전극(30)이 식각 챔버(10)의 상부에 배치된다. 반응 가스를 식각 챔버(10) 내로 제공하는 가스 확산링(gas diffusing ring; 70)이 상부 전극(30)의 가장자리 하부에 배치된다. 상부 전극(30)으로 RF 파워를 인가하기 위한 RF 정합기(60)가 식각 챔버(10)의 상부 즉, 상부 전극(30) 상에 배치된다. 식각 챔버(10)로 진공을 제공하기 위한 진공 펌프(50)가 식각 챔버(10)의 하부에 연결되고 진공 센서(40)가 식각 챔버(10)의 측면에 부착된다.
그런데, 종래의 플라즈마 식각 장치의 경우 에너지원을 인가하는 방식과 기술적인 이유로 인해 플라즈마층이 챔버의 중심부에 집중되어 원형의 형태로 형성되게 된다. 따라서, 가스입자의 분포나 플라즈마 형태로 원기둥 형태를 나타내고 실질적으로 기판에 입사되는 면 단위의 플라즈마는 원형의 형태를 나타낸다. 이때, 가스입자의 분포, 에너지 밀도의 분포 등의 이유로 동심원을 그리는 형태로 기판의 중심부와 외곽부의 식각속도에 차이가 나게 된다. 이를 반지름 효과(radius effect)라고 하는데, 이러한 현상으로 인해 기판의 패턴의 CD 및 식각 깊이 등에 차이가 생기게 된고 식각 균일도가 저하된다. 더욱이, 갈수록 반도체기판이 대형화되는 추세에 따라 그 영향과 불균일도는 더욱 심화되고 있는 실정이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기판의 중심부와 외곽부에서의 식각 불균일을 해소할 수 있는 플라즈마 식각 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 기판의 중심부와 외곽부에서의 식각 불균일을 해소할 수 있게 하는 플라즈마 식각 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 따른 플라즈마 식각 장치는, 식각이 이루어질 공간을 제공하는 챔버와, 챔버 내부에 구비되어 챔버 내부로 로딩된 기판이 안착되는 기판 지지부와, 기판 지지부의 상측에 대향 배치되고, 기판으로 향하는 플라즈마의 흐름을 차단하는 차폐부, 및 챔버의 플라즈마 형성을 위한 전원을 인가하는 전극부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 차폐부는 기판의 중앙부로 공급되는 플라즈마의 흐름을 차단하기 위하여 ┏┓ 형태의 구조물일 수 있다. 이때, 차폐부의 직경은 상기 기판의 직경보다 작은 것이 바람직하다.
상기 차폐부는 중앙부가 뚫린 도넛 형태의 구조물일 수도 있다.
또한, 상기 기판 지지부는 상, 하 높이 조절이 가능한 것일 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 식각 방법은, 피식각층이 형성된 기판을 차폐부가 설치된 챔버 내에 로딩하는 단계와, 챔버 내부로 식각 가스를 공급하고 플라즈마를 발생시켜 피식각층에 대한 식각이 이루어 지도록 하는 단계, 및 피식각층이 소정 두께 식각되면 기판을 차폐부에 근접시켜 원하는 두께로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 차폐부는 기판의 중앙부로 공급되는 플라즈마의 흐름을 차단하기 위하여 ┏┓ 형태의 구조물이거나, 기판의 외곽부로 공급되는 플라즈마의 흐름을 차단하기 위한 도넛 형태의 구조물일 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다.
본 발명은, 기판의 중심부와 외곽부에서의 식각 속도의 차이를 인위적으로 보상하여 식각 균일도를 향상시키는 방법을 제시한다. 이를 위하여 본 발명에서는 기판의 영역에 따라 가스 공급량을 조절할 수 있도록 식각 장치를 구성한다. 즉, 식각 속도가 빠른 곳은 식각 가스입자나 플라즈마의 양을 줄이고 식각 속도가 느린 곳은 반대로 식각 가스입자나 플라즈마의 양을 늘일 수 있도록 식각 장치를 구성한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 도시한 개략도이다.
본 발명에 따른 플라즈마 식각 장치는, 플라즈마를 형성하기 위한 반응 가스가 공급되는 식각 챔버(110)를 포함한다. 기판(W)이 안치되는 정전척(ESC)(120)이 식각 챔버(110)의 저면에 배치된다. 정전척(120)은 식각 챔버에 파워를 인가하기 위한 하부 전극 역할을 하며, 상, 하 이동하여 높이 조절이 가능하도록 구성된다. 챔버에 고주파 전압을 인가하여 플라즈마를 형성시키는 상부 전극(130)은 식각 챔버(110)의 상부에 배치된다. 챔버 내에 반응 가스들이 주입될 수 있도록 상부 전극(130)에 소정의 홀들이 구비되거나, 반응 가스를 식각 챔버(110) 내로 제공하는 가스 확산링(gas diffusing ring; 170)이 상부 전극(130)의 가장자리 하부에 배치될 수 있다. 그리고, 상부 전극(130)으로 RF 파워를 인가하기 위한 RF 정합기(160)가 식각 챔버(110)의 상부 즉, 상부 전극(130) 상에 배치된다. 또한, 식각 챔버(110)로 진공을 제공하기 위한 진공 펌프(150)가 식각 챔버(110)의 하부에 연결되고 진공 센서(140)가 식각 챔버(110)의 측면에 부착된다.
특히, 식각 챔버(110) 내부 기판(W) 상부에는 기판(W)의 중앙부로 향하는 플라즈마를 차단하거나 양을 줄이기 위한 ┏┓ 형태의 구조물(180)이 배치된다. 상기 구조물(180)은 기판(W)보다 작은 크기로, 기판(W)과 일정 거리를 두고 배치된다. 식각 과정에서 기판(W)이 안치된 정전척(120)의 높이를 조절하여 상기 구조물(180)과 기판(W) 사이의 거리를 조절할 수 있다. ┏┓ 형태의 구조물(180)은 기판(W) 중앙부의 상부에 일정 거리를 두고 배치되어 식각 과정에서 기판(W)의 중앙부로 공급되는 가스입자의 밀도를 낮추는 역할을 하게 된다. 기판(W)의 중앙부로 공급되는 플라즈마 가스 입자의 밀도가 낮아지면 식각 속도도 떨어지게 된다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 플라즈마 식각 장치를 이용하여 기판 상에 형성된 피식각층을 식각하는 과정을 설명하기 위한 개략도들이다.
먼저, 식각하고자 하는 피식각층과, 레지스트와 같은 마스크층이 형성된 기판(W)을 식각 챔버(110)에 로딩하여 플라즈마 차폐를 위한 구조물(180)과 일정 거리를 유지하도록 정전척(120)에 안치한다. 다음에, 식각 챔버(110) 내부를 진공으로 만든 다음, 식각 가스를 공급하고 상부 전극(130) 및 하부 전극(120)에 각각 RF 파워를 인가한다. 그러면, 식각 챔버(110) 내부의 공간, 즉 기판(W)과 상부 전극(130) 사이에 플라즈마가 형성되면서 식각 가스가 이온화된다. 챔버(110) 내부에 형성된 플라즈마 이온들이 기판(W)을 향하여 집속되고, 집속된 플라즈마 이온들은 기판(W) 상에 형성되어 있는 피식각층과 반응하여 피식각층을 소정 형태로 식각하게 된다.
이때, 식각 공정의 초기에는, 도 3에 도시된 바와 같이 기판(W)이 구조물(180)로부터 최대한 멀리 위치하도록 정전척(120)의 높이를 조절하여 구조물에 의한 영향을 받지 않고 식각이 이루어지도록 한다. 구조물(180)이 기판(W)으로부터 멀리 위치하면 구조물에 의한 영향이 줄어들기 때문에 기판의 전체 영역에 대해 식각이 이루어진다.
식각이 진행됨에 따라, 도 4에 도시된 바와 같이 정전척(120)을 상승시켜 기판(W)을 구조물(180)에 가깝게 접근시킨다. 구조물(180)이 기판(W)에 가깝게 위치하면 구조물(180) 하부로 유입되는 가스 입자의 밀도가 낮아지게 되고, 이에 따라 기판 중앙부에 가해지는 플라즈마의 밀도도 낮아지게 된다. 즉, 기판(W)이 구조물(180)에 근접할수록 기판 중앙부의 식각율은 낮아지고 외곽부의 식각률은 증가하게 된다. 따라서, 기판 중앙부에 분포하는 가스 입자의 밀도가 높아지는 반지름 효 과(radius effect)가 제거되면서 전체적으로 균일한 식각이 이루어지게 된다. 또한, 정전척과 구조물의 근접 정도에 따라 식각률을 조절할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 6은 도 5에 도시된 플라즈마 식각 장치의 차폐부에 대한 사시도이다. 도시되지 않은 부분은 도 2와 동일한 부분을 나타낸다.
식각 챔버(110) 내부의 기판(W) 상부에, 기판(W)으로 향하는 플라즈마를 차단하거나 양을 줄이기 위한 ┏┓ 형태의 구조물(182)이 배치된다. 상기 구조물(182)은 도 2의 플라즈마 식각 장치와는 달리, 도 6에 도시된 것과 같이 중심부가 뚫린 도넛 형태의 구조물로서, 기판(W)과 일정 거리를 두고 배치된다. 식각 과정에서 기판(W)이 안치된 정전척(120)의 높이를 조절하여 상기 구조물(182)과 기판(W) 사이의 거리를 조절할 수 있음은 도 2에 도시된 식각 장치와 동일하다. 상기 구조물(182)는 도시된 것과 같이 사각일 수도 있고 경우에 따라서는 다른 형태를 가질 수도 있다. 도넛 형태의 구조물(180)은 기판(W)의 외곽부로 공급되는 가스입자의 밀도를 낮추는 역할을 하게 된다. 따라서, 기판(W)의 외곽부의 식각 속도가 빠른 경우 본 실시예와 같이 도넛 모양의 구조물을 설치하고 정전척의 높이를 조절하여 식각을 진행하면 기판(W)의 외곽으로 공급되는 플라즈마 가스 입자의 밀도를 낮추어 전체적으로 균일한 식각이 이루어지도록 할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 전 영역에 걸쳐 균일한 식각이 이루어지도록 할 수 있으며, 기판의 대형화에 대응하여 경제성 및 효율성을 높일 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.
도 1은 종래의 플라즈마 식각 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 도시한 개략도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 플라즈마 식각 장치를 이용하여 기판 상에 형성된 피식각층을 식각하는 과정을 설명하기 위한 개략도들이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 식각 장치를 도시한 개략도이다.
도 6은 도 5에 도시된 플라즈마 식각 장치의 차폐부의 사시도이다.

Claims (7)

  1. 식각이 이루어질 공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 구비되어 상기 챔버 내부로 로딩된 기판이 안착되는 기판 지지부;
    상기 기판 지지부의 상측에 대향 배치되고, 상기 기판으로 향하는 플라즈마의 흐름을 차단하는 차폐부; 및
    상기 챔버의 플라즈마 형성을 위한 전원을 인가하는 전극부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 차폐부는 기판의 중앙부로 공급되는 플라즈마의 흐름을 차단하기 위하여 ┏┓ 형태의 구조물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 차폐부의 직경은 상기 기판의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 차폐부는 중앙부가 뚫린 도넛 형태의 구조물인 것을 특징으로 하는 플 라즈마 식각 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 상, 하 높이 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 장치.
  6. 피식각층이 형성된 기판을 차폐부가 설치된 챔버 내에 로딩하는 단계;
    상기 챔버 내부로 식각 가스를 공급하고 플라즈마를 발생시켜 상기 피식각층에 대한 식각이 이루어지도록 하는 단계; 및
    상기 피식각층이 소정 두께 식각되면 상기 기판을 차폐부에 근접시켜 원하는 두께로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 차폐부는 기판의 중앙부로 공급되는 플라즈마의 흐름을 차단하기 위하여 ┏┓ 형태의 구조물이거나, 기판의 외곽부로 공급되는 플라즈마의 흐름을 차단하기 위한 도넛 형태의 구조물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각 방법.
KR1020090134652A 2009-12-30 2009-12-30 플라즈마 식각 장치 및 식각 방법 KR20110077951A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090134652A KR20110077951A (ko) 2009-12-30 2009-12-30 플라즈마 식각 장치 및 식각 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090134652A KR20110077951A (ko) 2009-12-30 2009-12-30 플라즈마 식각 장치 및 식각 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110077951A true KR20110077951A (ko) 2011-07-07

Family

ID=44917474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090134652A KR20110077951A (ko) 2009-12-30 2009-12-30 플라즈마 식각 장치 및 식각 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110077951A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105006418A (zh) * 2014-04-17 2015-10-28 紫焰科技股份有限公司 非接触式物理蚀刻系统

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105006418A (zh) * 2014-04-17 2015-10-28 紫焰科技股份有限公司 非接触式物理蚀刻系统
CN105006418B (zh) * 2014-04-17 2017-04-12 紫焰科技股份有限公司 非接触式物理蚀刻系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102098698B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
TWI570802B (zh) Electrolytic etching device
TWI386996B (zh) 具有可調整電極區域比例之局限電漿
US8066895B2 (en) Method to control uniformity using tri-zone showerhead
KR102455673B1 (ko) 포커스 링 및 기판 처리 장치
JP5421527B2 (ja) フォトマスクのプラズマエッチング方法及び装置
KR101118003B1 (ko) 플라즈마 공정의 균일성 향상을 위한 단차부가 있는 상부 전극
JP4970434B2 (ja) プラズマリアクタ及びプラズマリアクタの使用方法
TWI528491B (zh) Plasma processing device, plasma processing method, program
TWI407503B (zh) 光罩的電漿蝕刻方法與設備
US9039913B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
TW202105502A (zh) 具有晶圓邊緣電漿殼層調諧能力的半導體電漿處理設備
KR20150086530A (ko) 플라즈마 밀도가 균일한 용량 결합 플라즈마 장비
JP7296456B2 (ja) 基板の縁部での向上した処理を伴う処理チャンバ
KR20160140450A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 포커스 링
KR20190044889A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
KR20110077951A (ko) 플라즈마 식각 장치 및 식각 방법
US20040261714A1 (en) Plasma processing apparatus
TWI842751B (zh) 具有基板邊緣加強處理的處理腔室及噴淋頭組件，及其方法
JP7249358B2 (ja) 基板処理装置
CN118280799A (zh) 一种等离子体刻蚀设备
JPH07263411A (ja) プラズマエッチング装置
KR20060114910A (ko) 건식식각장치의 포커스링

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination