KR20110077098A - Apparatus and method of inspecting leds - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An apparatus and a method for inspecting a light emitting diode is provided to check whether or not the light emitting diode has a poor phosphor layer. CONSTITUTION: An apparatus for inspecting a light emitting diode includes an irradiation portion(130), an image acquisition part(140), and a determining unit(150). The irradiation portion irradiates ultraviolet ray to a light emitting diode having a phosphor material layer. The image acquisition part detects the visible ray emitted due to the ultraviolet ray from the fluorescent material layer. The image acquisition part acquires an image of the light emitting diode. The determining unit determines whether or not the light emitting diode is poor using the image.

Description

발광 다이오드 검사 장치 및 방법{Apparatus and method of inspecting LEDs}Apparatus and method of inspecting LEDs

본 발명은 발광 다이오드 검사 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 다이오드의 형광 물질층의 이상 여부를 검사하는 발광 다이오드 검사 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode inspection device and method, and more particularly to a light emitting diode inspection device and method for inspecting the abnormality of the fluorescent material layer of the light emitting diode.

발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 최근 발광 효율의 향상으로 그 응용범위가 초기의 신호 표시용에서 휴대폰용 백라이트 유닛(Back Light Unit, BLU)과 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD)와 같은 대형 표시장치의 광원 및 조명용으로 더욱 넓어지고 있다. 그 이유는 상기 발광 다이오드가 종래의 조명인 전구나 형광등에 비해 소모전력이 적고 수명이 길기 때문이다.Light Emitting Diodes (LEDs) have recently been improved in light emission efficiency, and their application ranges from early signal displays such as backlight units (BLUs) and liquid crystal displays (LCDs) for mobile phones. It is becoming wider for light sources and lighting of large display devices. The reason for this is that the light emitting diode consumes less power and has a longer life than conventional light bulbs and fluorescent lamps.

상기 발광 다이오드는 리드 프레임, 상기 리드 프레임 상에 부착되는 발광다이오드 칩, 상기 칩과 리드 프레임을 연결하는 와이어 및 상기 칩 상에 구비되는 형광 물질층을 포함한다. The light emitting diode includes a lead frame, a light emitting diode chip attached to the lead frame, a wire connecting the chip and the lead frame, and a fluorescent material layer provided on the chip.

상기 발광 다이오드의 검사는 가시광선을 광원으로 하여 발광 다이오드로의 이미지를 획득하고, 획득된 이미지를 이용하여 이루어진다. The inspection of the light emitting diode is performed by obtaining an image to the light emitting diode using visible light as a light source and using the obtained image.

그러나, 상기 가시광선을 광원으로 하여 획득된 이미지는 상기 형광 물질층이 거의 투명하게 나타난다. 상기 이미지에서 상기 형광 물질층이 구별되지 않아 상기 형광 물질층의 크기를 정확하게 확인하기 어렵다. 또한, 상기 이미지에서 상기 형광 물질층의 하부에 위치하는 상기 와이어와 상기 형광 물질층의 상에 위치하는 이물질을 구분하기 어렵다. 따라서, 상기 발광 다이오드의 불량 여부를 확인하기 어렵다.  However, in the image obtained by using the visible light as a light source, the fluorescent material layer is almost transparent. Since the fluorescent material layer is not distinguished in the image, it is difficult to accurately determine the size of the fluorescent material layer. In addition, it is difficult to distinguish the wire located under the fluorescent material layer from the foreign material located on the fluorescent material layer in the image. Therefore, it is difficult to determine whether the light emitting diode is defective.

본 발명은 형광 물질층을 갖는 발광 다이오드의 불량을 확인하기 위한 발광 다이오드 검사 장치를 제공한다.The present invention provides a light emitting diode inspection device for identifying a failure of a light emitting diode having a fluorescent material layer.

본 발명은 형광 물질층을 갖는 발광 다이오드의 불량을 확인하기 위한 발광 다이오드 검사 방법을 제공한다.The present invention provides a light emitting diode inspection method for identifying a defect of a light emitting diode having a fluorescent material layer.

본 발명에 따른 발광 다이오드 검사 장치는 형광 물질층을 갖는 발광 다이오드로 자외선을 조사하는 조사부와, 상기 자외선으로 인해 상기 형광 물질로부터 방출되는 가시광선을 검출하여 상기 발광 다이오드의 이미지를 획득하는 이미지 획득부 및 상기 이미지를 이용하여 상기 발광 다이오드의 불량 여부를 판단하는 판단부를 포함할 수 있다. An LED inspection apparatus according to the present invention includes an irradiation unit for irradiating ultraviolet rays with a light emitting diode having a fluorescent material layer, and an image obtaining unit for detecting an image of visible light emitted from the fluorescent substance due to the ultraviolet rays. And a determination unit to determine whether the light emitting diode is defective using the image.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 이미지 획득부는 상기 발광 다이오드의 수직 상방에 배치되어 상기 형광 물질로부터 방출되는 가시광선을 검출하는 제1 획득부 및 상기 발광 다이오드의 일측 상방에 배치되어 상기 형광 물질로부터 방출되는 가시광선을 검출하는 제2 획득부를 포함하며, 상기 이미지 획득부는 두 개의 발광 다이오드 이미지 또는 3차원의 발광 다이오드 이미지를 획득할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the image acquisition unit is disposed above the light emitting diode vertically and the first acquisition unit for detecting visible light emitted from the fluorescent material and disposed above one side of the light emitting diode and the fluorescence And a second acquirer configured to detect visible light emitted from the material, wherein the image acquirer may acquire two light emitting diode images or a three-dimensional light emitting diode image.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 발광 다이오드 검사 장치는 상기 발광 다이오드 또는 상기 발광 다이오드로 이루어진 발광 다이오드 어레이를 지지하는 지지부 및 상기 자외선이 상기 발광 다이오드 또는 상기 발광 다이오드 어레이 를 스캐닝하도록 상기 지지대를 이동시키는 구동부를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the LED inspection apparatus includes a support for supporting the LED or the LED array consisting of the LED and the support for the ultraviolet ray to scan the LED or the LED array. The driving unit may further include a moving unit.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 이미지의 형광 물질층의 크기가 기 설정된 기준 크기보다 작거나 큰 경우, 상기 판단부는 상기 발광 다이오드를 불량으로 판단할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, when the size of the fluorescent material layer of the image is smaller or larger than a predetermined reference size, the determination unit may determine the light emitting diode as defective.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 이미지의 형광 물질층 상에 이물질이 위치하는 경우, 상기 판단부는 상기 발광 다이오드를 불량으로 판단할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, when the foreign material is located on the fluorescent material layer of the image, the determination unit may determine the light emitting diode as bad.

본 발명에 따른 발광 다이오드 검사 방법은 형광 물질층을 갖는 발광 다이오드로 자외선을 조사하는 단계와, 상기 자외선으로 인해 상기 형광 물질층으로부터 방출되는 가시광선을 검출하는 단계와, 검출된 가시광선을 이용하여 상기 발광 다이오드의 이미지를 획득하는 단계 및 상기 획득된 이미지를 이용하여 상기 형광 물질층의 불량 여부를 판단하는 단계를 포함할 수 있다. The light emitting diode inspection method according to the present invention comprises the steps of irradiating ultraviolet light with a light emitting diode having a fluorescent material layer, detecting the visible light emitted from the fluorescent material layer due to the ultraviolet light, and using the detected visible light The method may include obtaining an image of the light emitting diode and determining whether the fluorescent material layer is defective by using the obtained image.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 가시광선을 검출하는 단계는 상기 형광 물질로부터 수직 상방으로 방출되는 가시광선 및 상기 형광 물질로부터 일측 상방으로 방출되는 가시광선을 각각 검출하고, 상기 발광 다이오드의 이미지를 획득하는 단계는 두 개의 발광 다이오드 이미지 또는 3차원의 발광 다이오드 이미지를 획득할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the detecting of the visible light may include detecting visible light emitted vertically upward from the fluorescent material and visible light emitted upward from one side of the fluorescent material, respectively, Acquiring an image may acquire two light emitting diode images or a three-dimensional light emitting diode image.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 발광 다이오드 검사 방법은 상기 자외선이 상기 발광 다이오드를 스캐닝하도록 상기 발광 다이오드를 이동시키는 단계를 더 포함할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, the light emitting diode inspection method may further include moving the light emitting diode so that the ultraviolet ray scans the light emitting diode.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 이미지의 형광 물질층의 크기가 기준 크기보다 작거나 큰 경우 상기 발광 다이오드를 불량으로 판단할 수 있다. According to one embodiment of the present invention, when the size of the fluorescent material layer of the image is smaller or larger than the reference size, it may be determined that the light emitting diode is defective.

본 발명의 일 실시예들에 따르면, 상기 이미지의 형광 물질층 상에 이물질이 위치하는 경우 상기 발광 다이오드를 불량으로 판단할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, when a foreign material is located on the fluorescent material layer of the image, the light emitting diode may be determined as defective.

본 발명에 따른 발광 다이오드 검사 장치 및 방법은 조사된 자외선에 대응하여 형광 물질층으로부터 방출되는 가시광선을 이용하여 발광 다이오드의 이미지를 획득한다. 상기 이미지는 상기 형광 물질층이 발광하므로 선명하며, 상기 형광 물질층 하부의 와이어가 거의 보이지 않는다. 상기 형광 물질층의 형태를 정확하게 식별되므로, 상기 형광 물질층의 크기를 용이하게 확인할 수 있다. 또한, 상기 와이어가 거의 보이지 않으므로, 상기 이미지에서 이물질을 용이하게 확인할 수 있다. The LED inspection apparatus and method according to the present invention obtains an image of the LED using visible light emitted from the fluorescent material layer in response to the irradiated ultraviolet rays. The image is clear because the fluorescent material layer emits light, and the wire under the fluorescent material layer is hardly visible. Since the shape of the fluorescent material layer is correctly identified, the size of the fluorescent material layer can be easily confirmed. In addition, since the wire is almost invisible, foreign matters can be easily identified in the image.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치 및 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a light emitting diode inspection apparatus and method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown in an enlarged scale than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.1 is a schematic block diagram illustrating a light emitting diode inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 발광 다이오드 검사 장치(100)는 발광 다이오드(10)를 지지하는 지지부(110), 상기 지지부(110)를 이동시키기 위한 구동부(120), 상기 발광 다이오드(10)로 자외선을 조사하는 조사부(130), 상기 발광 다이오드(10)로부터 방출되는 가시광선을 검출하여 상기 발광 다이오드(10)의 이미지를 획득하는 이미지 획득부(140), 상기 이미지를 이용하여 상기 발광 다이오드(10)의 이상 여부를 판단하는 판단부(150) 및 상기 생성된 이미지를 표시하기 위한 표시부(160)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the LED inspection apparatus 100 includes a support 110 supporting the light emitting diode 10, a driver 120 for moving the support 110, and ultraviolet rays to the light emitting diode 10. Irradiation unit 130 for irradiating the light, the image acquisition unit 140 for obtaining an image of the light emitting diode 10 by detecting the visible light emitted from the light emitting diode 10, the light emitting diode 10 using the image Determination unit 150 to determine whether or not the abnormality and a display unit 160 for displaying the generated image.

상기 지지부(110)는 상기 발광 다이오드(10)를 수평 상태로 지지한다. 일 예로, 상기 지지부(110)는 하나의 발광 다이오드(10)를 지지할 수 있다. 다른 예로, 상기 지지부(110)는 다수의 발광 다이오드(10)로 이루어진 발광 다이오드 어레이를 지지할 수 있다. 상기 지지부(110)는 평판 형태를 갖는다.The support part 110 supports the light emitting diode 10 in a horizontal state. For example, the support 110 may support one light emitting diode 10. As another example, the support 110 may support a light emitting diode array including a plurality of light emitting diodes 10. The support 110 has a flat plate shape.

상기 발광 다이오드(10)는 리드 프레임, 상기 리드 프레임 상에 부착되는 발광다이오드 칩, 상기 칩과 리드 프레임을 연결하는 와이어 및 상기 칩 상에 구비되는 형광 물질층을 포함한다. The light emitting diode 10 includes a lead frame, a light emitting diode chip attached to the lead frame, a wire connecting the chip and the lead frame, and a fluorescent material layer provided on the chip.

상기 구동부(120)는 상기 지지부(110)와 연결되며, 상기 지지부(110)를 상기 수평 방향으로 이동시킨다. 상기 구동부(120)는 상기 지지부(110)를 상기 수평 방향과 수직하는 상하 방향으로 이동시킬 수도 있다. 상기 구동부(120)의 예로는 리니어 모터, 실린더 등을 들 수 있다.The driving part 120 is connected to the support part 110 and moves the support part 110 in the horizontal direction. The driving unit 120 may move the support 110 in a vertical direction perpendicular to the horizontal direction. Examples of the driving unit 120 may include a linear motor, a cylinder, and the like.

상기 조사부(130)는 상기 지지부(110)의 상방에 배치되며, 상기 발광 다이오드(10)를 향해 자외선을 조사한다. 상기 조사부(130)는 자외선을 발광하는 광원을 포함한다. 상기 광원의 예로는 자외선 레이저 (UV laser), UV LED, 제논 아크 램프(xenon arc lamp), 수은 아크 램프 및 제논 수은 아크 램프 등을 들 수 있다.The irradiator 130 is disposed above the support 110 and irradiates ultraviolet light toward the light emitting diode 10. The irradiator 130 includes a light source that emits ultraviolet rays. Examples of the light source include an ultraviolet laser, a UV LED, a xenon arc lamp, a mercury arc lamp, and a xenon mercury arc lamp.

상기 발광 다이오드(10)를 지지하는 지지부(110)를 이동시킨 후, 상기 조사부(130)가 상기 자외선을 조사함으로써 상기 자외선을 원하는 영역의 발광 다이오드(10)에만 선택적으로 조사할 수 있다. 또한, 상기 발광 다이오드(10)를 지지하는 지지부(110)를 이동시키면서 상기 조사부(130)가 상기 자외선을 조사함으로써, 상기 자외선을 전체 영역의 상기 발광 다이오드(10)에 조사할 수 있다. After moving the support 110 supporting the light emitting diode 10, the irradiation unit 130 may irradiate the ultraviolet light to selectively irradiate the ultraviolet light only to the light emitting diode 10 in a desired region. In addition, the irradiation unit 130 irradiates the ultraviolet light while moving the support 110 supporting the light emitting diode 10, thereby irradiating the ultraviolet light to the light emitting diode 10 in the entire region.

상기 발광 다이오드(10)에 상기 자외선을 조사하는 이유는 형광 발생 원리를 이용하기 위해서이다. 구체적으로, 상기 발광 다이오드(10)에 상기 자외선을 조사하면, 상기 자외선의 에너지로 인해 기저 상태(ground state)의 상기 형광 물질층의 전자가 여기 상태(excited state)가 된다. 상기 전자가 여기 상태를 지속적으로 유지하지 못하고 일부 에너지가 손실되면서 다시 기저 상태로 된다. 상기 여기 상태의 전자가 다시 기저 상태로 될 때 발생하는 에너지로 인해 상기 형광 물질층은 빛을 발한다. 이때, 상기 빛은 상기 일부 에너지의 손실로 인해 상기 자외선보다 낮은 에너지의 파장, 즉 파장이 길어진 가시광선이 된다.The reason for irradiating the ultraviolet light to the light emitting diode 10 is to use the fluorescence generating principle. Specifically, when the ultraviolet light is irradiated onto the light emitting diode 10, electrons of the fluorescent material layer in a ground state are in an excited state due to the energy of the ultraviolet light. The electrons do not continue to be in an excited state, and some energy is lost to the ground state again. The fluorescent material layer emits light due to the energy generated when the electrons in the excited state return to the ground state. In this case, the light becomes a visible light having a wavelength lower than that of the ultraviolet light, that is, the wavelength is longer due to the loss of some energy.

상기 이미지 획득부(140)는 상기 지지부(110)의 상방에 상기 조사부(130)와 인접하도록 배치되며, 상기 발광 다이오드(10)로부터 방출되는 가시광선을 검출하여 상기 발광 다이오드(10)의 이미지를 획득한다. 예를 들면, 상기 이미지 획득부(140)는 상기 자외선 조사로 인해 상기 발광 다이오드(10)의 형광 물질층으로부터 방출되는 가시광선을 검출한다. 이후, 상기 이미지 획득부(140)는 상기 가시광 선을 전하로 변환시켜 상기 발광 다이오드(10)의 이미지를 획득한다. The image acquisition unit 140 is disposed above the support unit 110 to be adjacent to the irradiation unit 130, and detects visible light emitted from the light emitting diode 10 to display an image of the light emitting diode 10. Acquire. For example, the image acquisition unit 140 detects visible light emitted from the fluorescent material layer of the light emitting diode 10 due to the ultraviolet irradiation. Thereafter, the image acquisition unit 140 converts the visible light into electric charges to obtain an image of the light emitting diode 10.

상기 이미지 획득부(140)는 제1 획득부(142)와 제2 획득부(144)를 포함한다. The image acquirer 140 includes a first acquirer 142 and a second acquirer 144.

상기 제1 획득부(142)는 상기 지지부(110)의 수직 상방에 배치되며, 상기 발광 다이오드(10)로부터 수직 상방으로 방출되는 가시광선을 검출하여 상기 발광 다이오드(10)의 이미지를 획득한다. The first acquirer 142 is disposed above the support 110, and detects visible light emitted vertically upward from the light emitting diode 10 to obtain an image of the light emitting diode 10.

상기 제2 획득부(144)는 상기 지지부(110)의 일측 상방에 배치되며, 상기 발광 다이오드(10)로부터 상기 일측 상방을 향해 방출되는 가시광선, 즉 상기 발광 다이오드(10)로부터 경사지도록 방출되는 가시광선을 검출하여 상기 발광 다이오드(10)의 이미지를 획득한다.The second acquisition unit 144 is disposed above one side of the support unit 110 and is emitted to be inclined from the light emitting diode 10 toward the one side upward, that is, to be inclined from the light emitting diode 10. Visible light is detected to obtain an image of the light emitting diode 10.

상기 제1 획득부(142) 및 상기 제2 획득부(144)가 각각 이미지를 획득하므로, 상기 이미지 획득부(140)는 상기 발광 다이오드(10)의 이미지를 두 개 획득하거나, 상기 두 개의 이미지를 이용하여 상기 발광 다이오드(10)의 3차원 이미지를 획득할 수 있다. Since the first acquirer 142 and the second acquirer 144 acquire images, respectively, the image acquirer 140 acquires two images of the light emitting diode 10 or the two images. By using to obtain a three-dimensional image of the light emitting diode (10).

도 2a 및 도 2b는 도 1의 이미지 획득부에서 획득된 이미지를 나타내는 사진들이다.2A and 2B are photographs illustrating images acquired by the image acquisition unit of FIG. 1.

도 2a를 참조하면, 상기 이미지는 상기 제1 획득부(142)에서 획득된 상기 발광 다이오드(10)의 상부 이미지이다. Referring to FIG. 2A, the image is an upper image of the light emitting diode 10 acquired by the first acquirer 142.

도 2b를 참조하면, 상기 이미지는 상기 제2 획득부(144)에서 획득된 상기 발광 다이오드(10)의 측면 이미지이다. Referring to FIG. 2B, the image is a side image of the light emitting diode 10 obtained by the second acquirer 144.

상기 발광 다이오드(10)의 상부 이미지 및 측면 이미지를 이용하여 상기 발 광 다이오드(10)의 불량을 보다 정확하게 확인할 수 있다.The defect of the light emitting diode 10 may be confirmed more accurately by using the top image and the side image of the light emitting diode 10.

다시 도 1을 참조하면, 상기 판단부(150)는 상기 이미지 획득부(140)와 연결되며, 상기 이미지 획득부(140)에서 획득된 이미지를 이용하여 상기 발광 다이오드(10)의 불량 여부를 판단한다. 상기 판단부(150) 상기 이미지를 정상 상태의 기준 이미지와 비교하여 상기 발광 다이오드(10)의 불량 여부를 확인할 수 있다. Referring back to FIG. 1, the determination unit 150 is connected to the image acquisition unit 140 and determines whether the light emitting diode 10 is defective using the image acquired by the image acquisition unit 140. do. The determination unit 150 may determine whether the light emitting diode 10 is defective by comparing the image with a reference image in a normal state.

상기 발광 다이오드(10)의 불량으로는 상기 형광 물질층의 크기 불량, 상기 이물질 존재, 상기 와이어의 접촉 불량 등을 들 수 있다. 상기 형광 물질층의 크기 불량은 상기 형광 물질층의 크기가 기준 크기보다 작거나 큰 경우를 말한다. 상기 이물질 존재 등은 상기 형광 물질층 상에 상기 이물질이 고착되는 경우를 말한다. 상기 와이어의 접촉 불량은 상기 와이어가 상기 칩 또는 상기 리드 프레임과 접촉하지 않고 이격되는 경우를 말한다. Examples of the defect of the light emitting diode 10 may include a poor size of the fluorescent material layer, the presence of the foreign matter, a poor contact of the wire, and the like. The size defect of the fluorescent material layer refers to a case in which the size of the fluorescent material layer is smaller or larger than a reference size. The presence of the foreign matter refers to a case where the foreign matter is fixed on the fluorescent material layer. The poor contact of the wires refers to a case in which the wires are spaced apart without contacting the chip or the lead frame.

일 예로, 상기 이미지의 형광 물질층 크기가 상기 기준 이미지의 형광 물질층 크기와 오차 범위 내에서 같은 경우, 상기 판단부(150)는 상기 발광 다이오드(10)를 정상으로 판단한다. 상기 이미지의 형광 물질층 크기가 상기 기준 이미지의 형광 물질층 크기와 오차 범위를 벗어나 작거나 큰 경우, 상기 판단부(150)는 상기 발광 다이오드(10)를 불량으로 판단한다. For example, when the fluorescent material layer size of the image is the same as the fluorescent material layer size of the reference image within the error range, the determination unit 150 determines the light emitting diode 10 as normal. When the size of the fluorescent material layer of the image is smaller or larger than the size and the error range of the fluorescent material layer of the reference image, the determination unit 150 determines the light emitting diode 10 as defective.

다른 예로, 상기 형광 물질층 상에 상기 이물질이 존재하지 않는 경우, 상기 판단부(150)는 상기 발광 다이오드(10)를 정상으로 판단한다. 상기 형광 물질층 상에 상기 이물질이 존재하는 경우, 상기 이물질이 상기 발광 다이오드(10)의 밝기에 악영향을 미칠 수 있으므로, 상기 판단부(150)는 상기 발광 다이오드(10)를 불량으 로 판단한다. As another example, when the foreign matter does not exist on the fluorescent material layer, the determination unit 150 determines the light emitting diode 10 as normal. When the foreign matter is present on the fluorescent material layer, the foreign matter may adversely affect the brightness of the light emitting diode 10, and the determination unit 150 determines the light emitting diode 10 as defective. .

또 다른 예로, 상기 와이어가 상기 칩 또는 상기 리드 프레임과 접촉하는 경우, 상기 판단부(150)는 상기 발광 다이오드(10)를 정상으로 판단한다. 상기 와이어가 상기 칩 또는 상기 리드 프레임과 접촉하지 않고 이격된 경우, 상기 판단부(150)는 상기 발광 다이오드(10)를 불량으로 판단한다.As another example, when the wire is in contact with the chip or the lead frame, the determination unit 150 determines the light emitting diode 10 as normal. When the wire is spaced apart without contacting the chip or the lead frame, the determination unit 150 determines the light emitting diode 10 as defective.

상기 자외선이 가시광선보다 높은 에너지를 가지므로, 상기 자외선을 조사하여 생성된 이미지는 상기 가시광선을 조사하여 생성되는 이미지보다 선명하다. 따라서, 상기 발광 다이오드(10)의 불량 여부를 용이하게 판단할 수 있다. 특히, 상기 이미지에서 상기 형광 물질층의 형태가 정확하게 식별되므로, 상기 형광 물질층의 크기를 용이하게 확인할 수 있다. 또한, 상기 형광 물질층에 의해 덮여지는 상기 와이어가 보이지 않으므로, 상기 와이어와 상기 이물질을 구별할 필요없이 상기 형광 물질층 상에 존재하는 이물질만을 용이하게 확인할 수 있다. Since the ultraviolet light has a higher energy than visible light, an image generated by irradiating the ultraviolet light is clearer than an image generated by irradiating the visible light. Therefore, whether the light emitting diode 10 is defective can be easily determined. In particular, since the shape of the fluorescent material layer is correctly identified in the image, the size of the fluorescent material layer can be easily confirmed. In addition, since the wire covered by the fluorescent material layer is not visible, only the foreign material present on the fluorescent material layer can be easily identified without the need to distinguish the wire from the foreign material.

또한, 상기 두 개의 발광 다이오드(10) 이미지 또는 상기 발광 다이오드(10)의 3차원 이미지를 이용하는 경우, 하나의 2차원 이미지일 때 보다 상기 발광 다이오드(10)에 대한 정보를 보다 많이 획득할 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드(10)의 불량 여부를 보다 정확하게 판단할 수 있으므로, 상기 발광 다이오드(10)에 대한 검사 정확성을 향상시킬 수 있다.In addition, when the two light emitting diodes 10 images or the three-dimensional images of the light emitting diodes 10 are used, more information about the light emitting diodes 10 may be obtained than when the two light emitting diodes 10 are one-dimensional images. . Therefore, since it is possible to more accurately determine whether the light emitting diode 10 is defective, the inspection accuracy of the light emitting diode 10 can be improved.

상기 표시부(160)는 상기 이미지 획득부(140)와 연결되며, 상기 이미지 획득부(140)에서 획득한 이미지를 표시한다. 또한, 상기 표시부(160)는 상기 판단부(150)와 연결되며, 상기 판단부(150)의 판단 결과를 표시할 수 있다. 일 예로, 상기 표시부(160)는 상기 판단부(150)에서 불량 부위가 표시될 수 있다. The display unit 160 is connected to the image acquisition unit 140 and displays an image acquired by the image acquisition unit 140. In addition, the display unit 160 may be connected to the determination unit 150 and display the determination result of the determination unit 150. For example, the display unit 160 may display a defective portion on the determination unit 150.

상기 발광 다이오드 검사 장치(100)는 광원으로 상기 자외선을 사용하여 선명한 발광 다이오드(10)의 이미지를 획득할 수 있고, 상기 발광 다이오드(10)의 이미지를 두 개 획득하거나 3차원 이미지로 획득할 수 있으므로, 상기 형광 물질의 크기 불량, 이물질의 존재, 와이어의 접촉 불량 등 상기 발광 다이오드(10)의 불량 여부를 용이하고 정확하게 판단할 수 있다.The light emitting diode inspection apparatus 100 may obtain a clear image of the light emitting diode 10 by using the ultraviolet light as a light source, and obtain two images of the light emitting diode 10 or obtain a three-dimensional image. Therefore, it is possible to easily and accurately determine whether the light emitting diode 10 is defective, such as a poor size of the fluorescent material, the presence of a foreign material, and a poor contact of a wire.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a light emitting diode inspection method according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 발광 다이오드를 향해 자외선을 조사한다(S110).Referring to FIG. 3, ultraviolet rays are irradiated toward the light emitting diodes (S110).

상기 자외선의 광원으로는 자외선 레이저, 자외선 발광다이오드, 제논 아크 램프, 수은 아크 램프 및 제논 수은 아크 램프 등을 들 수 있다.Examples of the ultraviolet light source include an ultraviolet laser, an ultraviolet light emitting diode, a xenon arc lamp, a mercury arc lamp, and a xenon mercury arc lamp.

일 예로, 상기 자외선은 하나의 발광 다이오드를 향해 조사될 수 있다. 다른 예로, 상기 자외선은 다수의 발광 다이오드로 이루어진 발광 다이오드 어레이를 향해 조사될 수 있다. For example, the ultraviolet light may be irradiated toward one light emitting diode. As another example, the ultraviolet light may be irradiated toward a light emitting diode array including a plurality of light emitting diodes.

상기 발광 다이오드를 이동시킨 후, 상기 자외선을 조사하여 상기 자외선을 원하는 영역의 발광 다이오드에만 선택적으로 조사할 수 있다. 또한, 상기 발광 다이오드를 이동시키면서 상기 자외선을 조사하여 상기 자외선을 전체 영역의 상기 발광 다이오드에 조사할 수 있다. After moving the light emitting diode, the ultraviolet light may be irradiated to selectively irradiate the ultraviolet light only to a light emitting diode in a desired region. In addition, the ultraviolet light may be irradiated to the light emitting diode of the entire region by moving the ultraviolet light while moving the light emitting diode.

상기 발광 다이오드는 리드 프레임, 상기 리드 프레임 상에 부착되는 발광다이오드 칩, 상기 칩과 리드 프레임을 연결하는 와이어 및 상기 칩 상에 구비되는 형광 물질층을 포함한다. The light emitting diode includes a lead frame, a light emitting diode chip attached to the lead frame, a wire connecting the chip and the lead frame, and a fluorescent material layer provided on the chip.

상기 발광 다이오드에 상기 자외선을 조사하면, 상기 자외선의 에너지로 인해 기저 상태의 상기 형광 물질층의 전자가 여기 상태가 된다. 상기 전자가 여기 상태를 지속적으로 유지하지 못하고 일부 에너지가 손실되면서 다시 기저 상태로 된다. 상기 여기 상태의 전자가 다시 기저 상태로 될 때 발생하는 에너지로 인해 상기 형광 물질층은 빛을 발한다. 이때, 상기 빛은 상기 일부 에너지의 손실로 인해 상기 자외선보다 낮은 에너지의 파장, 즉 파장이 길어진 가시광선이 된다. When the ultraviolet light is irradiated onto the light emitting diode, electrons of the fluorescent material layer in the ground state are excited by the energy of the ultraviolet light. The electrons do not continue to be in an excited state, and some energy is lost to the ground state again. The fluorescent material layer emits light due to the energy generated when the electrons in the excited state return to the ground state. In this case, the light becomes a visible light having a wavelength lower than that of the ultraviolet light, that is, the wavelength is longer due to the loss of some energy.

상기 자외선에 의해 상기 발광 다이오드의 형광 물질층로부터 상기 가시광선이 방출되면, 상기 방출되는 가시광선을 검출한다(S120).When the visible light is emitted from the fluorescent material layer of the light emitting diode by the ultraviolet rays, the emitted visible light is detected (S120).

상기 가시광선은 상기 발광 다이오드의 수직 상방 및 상기 발광 다이오드의 일측 상방, 즉 상기 발광 다이오드로부터 경사지는 방향으로 방출된다. 따라서, 상기 발광 다이오드의 수직 상방으로 방출되는 가시광선과 상기 발광 다이오드로부터 상기 일측 상방, 즉 상기 경사 방향으로 방출되는 가시광선을 검출할 수 있다.The visible light is emitted vertically above the light emitting diode and above one side of the light emitting diode, that is, in a direction inclined from the light emitting diode. Therefore, the visible light emitted vertically above the light emitting diode and the visible light emitted above the one side, that is, in the oblique direction, can be detected from the light emitting diode.

이후, 상기 가시광선을 전하로 변환시켜 상기 발광 다이오드의 이미지를 획득한다(S130). Thereafter, the visible light is converted into a charge to obtain an image of the light emitting diode (S130).

상기 수직 상방으로 방출된 가시광선과 상기 경사 방향으로 방출된 가시광선을 이용하여 발광 다이오드 이미지를 획득하므로, 상기 발광 다이오드의 이미지는 두 개이거나 3차원 이미지일 수 있다.Since a light emitting diode image is obtained using the visible light emitted vertically upward and the visible light emitted in the oblique direction, the image of the light emitting diode may be two or three-dimensional.

다음으로, 상기 획득된 이미지를 이용하여 상기 발광 다이오드의 불량 여부를 판단한다(S140). Next, it is determined whether the light emitting diode is defective using the obtained image (S140).

예를 들면, 상기 발광 다이오드의 불량 여부 판단은 상기 이미지를 정상 상태의 기준 이미지와 비교하여 이루어질 수 있다.For example, determining whether the light emitting diode is defective may be performed by comparing the image with a reference image in a normal state.

상기 발광 다이오드의 불량으로는 상기 형광 물질층의 크기 불량, 상기 이물질 존재, 상기 와이어의 접촉 불량 등을 들 수 있다. 상기 형광 물질층의 크기 불량은 상기 형광 물질층의 크기가 기준 크기보다 작거나 큰 경우를 말한다. 상기 이물질 존재 등은 상기 형광 물질층 상에 상기 이물질이 고착되는 경우를 말한다. 상기 와이어의 접촉 불량은 상기 와이어가 상기 칩 또는 상기 리드 프레임과 접촉하지 않고 이격되는 경우를 말한다. Examples of the defect of the light emitting diode may include a poor size of the fluorescent material layer, the presence of the foreign matter, a poor contact of the wire, and the like. The size defect of the fluorescent material layer refers to a case in which the size of the fluorescent material layer is smaller or larger than a reference size. The presence of the foreign matter refers to a case where the foreign matter is fixed on the fluorescent material layer. The poor contact of the wires refers to a case in which the wires are spaced apart without contacting the chip or the lead frame.

일 예로, 상기 이미지의 형광 물질층 크기가 상기 기준 이미지의 형광 물질층 크기와 오차 범위 내에서 같은 경우, 상기 발광 다이오드를 정상으로 판단한다. 상기 이미지의 형광 물질층 크기가 상기 기준 이미지의 형광 물질층 크기와 오차 범위를 벗어나 작거나 큰 경우, 상기 발광 다이오드를 불량으로 판단한다. As an example, when the fluorescent material layer size of the image is the same as the fluorescent material layer size of the reference image within the error range, the light emitting diode is determined to be normal. If the fluorescent material layer size of the image is small or large outside the fluorescent material layer size and the error range of the reference image, the light emitting diode is determined to be defective.

다른 예로, 상기 형광 물질층 상에 상기 이물질이 존재하지 않는 경우, 상기 발광 다이오드를 정상으로 판단한다. 상기 형광 물질층 상에 상기 이물질이 존재하는 경우, 상기 이물질이 상기 발광 다이오드의 밝기에 악영향을 미칠 수 있으므로, 상기 발광 다이오드를 불량으로 판단한다. As another example, when the foreign matter does not exist on the fluorescent material layer, the light emitting diode is determined to be normal. When the foreign matter is present on the fluorescent material layer, the foreign matter may adversely affect the brightness of the light emitting diode, so the light emitting diode is determined to be defective.

또 다른 예로, 상기 와이어가 상기 칩 또는 상기 리드 프레임과 접촉하는 경우, 상기 판단부(150)는 상기 발광 다이오드(10)를 정상으로 판단한다. 상기 와이어가 상기 칩 또는 상기 리드 프레임과 접촉하지 않고 이격된 경우, 상기 판단부(150)는 상기 발광 다이오드(10)를 불량으로 판단한다.As another example, when the wire is in contact with the chip or the lead frame, the determination unit 150 determines the light emitting diode 10 as normal. When the wire is spaced apart without contacting the chip or the lead frame, the determination unit 150 determines the light emitting diode 10 as defective.

다음으로, 상기 획득된 발광 다이오드의 이미지, 상기 발광 다이오드의 불량 판단 결과가 표시될 수 있다(S150). Next, an image of the obtained light emitting diode and a failure determination result of the light emitting diode may be displayed (S150).

일 예로, 상기 발광 다이오드의 이미지는 3차원으로 표시되고, 상기 불량 판단 결과는 불량 부위가 표시될 수 있다. For example, the image of the light emitting diode may be displayed in three dimensions, and the defective portion may be displayed as a result of the defect determination.

상기 자외선이 가시광선보다 높은 에너지를 가지므로, 상기 자외선을 조사하여 생성된 이미지는 상기 가시광선을 조사하여 생성되는 이미지보다 선명하다. 따라서, 상기 발광 다이오드의 불량 여부를 용이하게 판단할 수 있다. 특히, 상기 이미지에서 상기 형광 물질층의 형태가 정확하게 식별되므로, 상기 형광 물질층의 크기 상태를 용이하게 확인할 수 있다. 또한, 상기 형광 물질층에 의해 덮여지는 상기 와이어가 보이지 않으므로, 상기 와이어와 상기 이물질을 구별할 필요없이 상기 형광 물질층 상에 존재하는 이물질만을 용이하게 확인할 수 있다. Since the ultraviolet light has a higher energy than visible light, an image generated by irradiating the ultraviolet light is clearer than an image generated by irradiating the visible light. Therefore, it is easy to determine whether the light emitting diode is defective. In particular, since the shape of the fluorescent material layer is correctly identified in the image, the size state of the fluorescent material layer can be easily confirmed. In addition, since the wire covered by the fluorescent material layer is not visible, only the foreign material present on the fluorescent material layer can be easily identified without the need to distinguish the wire from the foreign material.

또한, 상기 두 개의 발광 다이오드 이미지 또는 상기 발광 다이오드의 3차원 이미지를 이용하는 경우, 하나의 2차원 이미지일 때 보다 상기 발광 다이오드에 대한 정보를 보다 많이 획득할 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드의 불량 여부를 보다 정확하게 판단할 수 있으므로, 상기 발광 다이오드에 대한 검사 정확성을 향상시킬 수 있다.In addition, when the two light emitting diode images or the three-dimensional image of the light emitting diodes are used, more information on the light emitting diodes may be obtained than when the two light emitting diode images are one two-dimensional images. Therefore, it is possible to more accurately determine whether the light emitting diode is defective, thereby improving inspection accuracy of the light emitting diode.

도 4a 및 도 4b는 가시광선을 광원으로 하여 획득된 정상 이미지와 자외선을 광원으로 하여 획득된 정상 이미지를 나타내는 사진들이다.4A and 4B are photographs showing normal images acquired by using visible light as a light source and normal images obtained by using ultraviolet light as a light source.

도 4a를 참조하면, 상기 이미지에서 형광 물질층(A)이 반투명하게 나타나므로 상기 형광 물질층(A)이 구별되지 않아 상기 형광 물질층(A)의 크기를 확인하기 어려움을 알 수 있다. 또한, 상기 형광 물질층(A)이 반투명하므로 상기 이미지에서 상기 형광 물질층(A)의 하부에 위치하는 와이어(A)가 잘 드러남을 알 수 있다. Referring to FIG. 4A, since the fluorescent material layer A appears translucent in the image, it may be difficult to identify the size of the fluorescent material layer A since the fluorescent material layer A is not distinguished. In addition, since the fluorescent material layer (A) is translucent, it can be seen that the wire (A) located below the fluorescent material layer (A) is well visible in the image.

도 4b를 참조하면, 상기 이미지에서 형광 물질층(C)이 자외선에 인해 발광하므로, 상기 형광 물질층(C)이 선명하여 상기 형광 물질층(C)의 크기를 정확하게 확인할 수 있다. 또한, 상기 형광 물질층(C)의 발광에 따라 상기 이미지에서 상기 형광 물질층(C)의 하부에 위치하는 와이어가 거의 드러나지 않음을 알 수 있다. Referring to FIG. 4B, since the fluorescent material layer C emits light due to ultraviolet rays in the image, the fluorescent material layer C may be clear and thus the size of the fluorescent material layer C may be accurately identified. In addition, as the fluorescent material layer C emits light, the wires positioned below the fluorescent material layer C may be barely exposed in the image.

도 5a 내지 도 5b는 가시광선을 광원으로 하여 획득된 불량 이미지와 자외선을 광원으로 하여 획득된 불량 이미지를 나타내는 사진들이다.5A to 5B are photographs showing a bad image obtained by using visible light as a light source and a bad image obtained by using ultraviolet light as a light source.

도 5a를 참조하면, 상기 이미지에서 형상이 형광 물질층(A)이 구별되지 않아 상기 형광 물질층(A)이 정상인지 불량인지 확인하기 어려움을 알 수 있다.Referring to FIG. 5A, since the shape of the fluorescent material layer A is not distinguished from the image, it may be difficult to determine whether the fluorescent material layer A is normal or bad.

도 5b를 참조하면, 상기 이미지에서 형광 물질층(C)이 크기가 과도하게 커 상기 형광 물질층(C)이 불량임을 정확하게 확인할 수 있다.Referring to FIG. 5B, it may be confirmed that the fluorescent material layer C is excessively large in the image so that the fluorescent material layer C is defective.

도 6a 내지 도 6b는 가시광선을 광원으로 하여 획득된 불량 이미지와 자외선을 광원으로 하여 획득된 불량 이미지를 나타내는 사진들이다.6A to 6B are photographs illustrating a bad image obtained by using visible light as a light source and a bad image obtained by using ultraviolet light as a light source.

도 6a를 참조하면, 상기 이미지에서 형상이 형광 물질층(A)이 구별되지 않아 상기 형광 물질층(A)이 정상인지 불량인지 확인하기 어려움을 알 수 있다.Referring to FIG. 6A, since the shape of the fluorescent material layer A is not distinguished from the image, it may be difficult to determine whether the fluorescent material layer A is normal or bad.

도 6b를 참조하면, 상기 이미지에서 형광 물질층(C)이 크기가 과도하게 작아 상기 형광 물질층(C)이 불량임을 정확하게 확인할 수 있다.Referring to FIG. 6B, the fluorescent material layer C may be excessively small in the image, and it may be confirmed that the fluorescent material layer C is defective.

도 7a 내지 도 7b는 가시광선을 광원으로 하여 획득된 불량 이미지와 자외선을 광원으로 하여 획득된 불량 이미지를 나타내는 사진들이다.7A to 7B are photographs showing a bad image obtained by using visible light as a light source and a bad image obtained by using ultraviolet light as a light source.

도 7a를 참조하면, 상기 이미지에서 상기 형광 물질층(A)의 하부에 위치하는 와이어(B)와 상기 형광 물질층(A) 상에 위치하는 이물질(D)이 유사하여 구분이 어려움을 알 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드의 불량 여부를 확인하기 어렵다. Referring to FIG. 7A, it may be difficult to distinguish the wire B located below the fluorescent material layer A and the foreign material D located on the fluorescent material layer A in the image. have. Therefore, it is difficult to determine whether the light emitting diode is defective.

도 7b를 참조하면, 상기 이미지에서 상기 형광 물질층(C)의 하부에 위치하는 와이어가 거의 드러나지 않고 상기 형광 물질층(C)의 상부에 위치하는 이물질(E)만이 선명하게 나타나므로, 상기 이물질(E)을 분명하게 구별할 수 있음을 알 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드의 불량 여부를 용이하게 확인할 수 있다. Referring to FIG. 7B, since the wire located below the fluorescent material layer C is hardly revealed in the image, only the foreign material E located above the fluorescent material layer C is clearly visible. It can be seen that (E) can be clearly distinguished. Therefore, it is easy to check whether the light emitting diode is defective.

도 4a 내지 도 7b를 참조하면, 광원으로 가시광선을 사용하는 경우보다 상기 자외선을 사용하는 경우 형광 물질층이 선명한 발광 다이오드의 이미지를 획득할 수 있으므로, 상기 형광 물질의 크기 불량 및 이물질의 존재 등 상기 발광 다이오드의 불량 여부를 보다 용이하게 판단할 수 있다. Referring to FIGS. 4A to 7B, when the ultraviolet light is used, the fluorescent material layer may obtain an image of a light emitting diode having a clear light emitting layer, rather than the case of using the visible light as a light source. It may be easier to determine whether the light emitting diode is defective.

본 발명에 따른 발광 다이오드 검사 장치 및 방법은 조사된 자외선에 대응하여 형광 물질층으로부터 방출되는 가시광선을 이용하여 발광 다이오드의 이미지를 획득한다. 상기 이미지는 상기 형광 물질층이 발광하므로 선명하며, 상기 형광 물질층 하부의 와이어가 거의 보이지 않는다. 상기 형광 물질층의 형태를 정확하게 식별되므로, 상기 형광 물질층의 크기를 용이하게 확인할 수 있다. 또한, 상기 와이어가 거의 보이지 않으므로, 상기 이미지에서 이물질을 용이하게 확인할 수 있다. The LED inspection apparatus and method according to the present invention obtains an image of the LED using visible light emitted from the fluorescent material layer in response to the irradiated ultraviolet rays. The image is clear because the fluorescent material layer emits light, and the wire under the fluorescent material layer is hardly visible. Since the shape of the fluorescent material layer is correctly identified, the size of the fluorescent material layer can be easily confirmed. In addition, since the wire is almost invisible, foreign matters can be easily identified in the image.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 장치를 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.1 is a schematic block diagram illustrating a light emitting diode inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2a 및 도 2b는 도 1의 이미지 획득부에서 획득된 이미지를 나타내는 사진들이다.2A and 2B are photographs illustrating images acquired by the image acquisition unit of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 검사 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a light emitting diode inspection method according to an embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 7b는 가시광선을 광원으로 하여 획득된 이미지와 자외선을 광원으로 하여 획득된 이미지를 나타내는 사진들이다.4A to 7B are photographs showing images obtained by using visible light as a light source and images obtained by using ultraviolet light as a light source.

<발명의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the invention>

100 : 발광 다이오드 검사 장치 110 : 지지부100: light emitting diode inspection device 110: support

120 : 구동부 130 ; 조사부120: drive unit 130; Investigation

140 : 이미지 획득부 150 : 판단부140: image acquisition unit 150: determination unit

160 : 표시부 10 : 발광 다이오드160: display unit 10: light emitting diode

Claims (10)

형광 물질층을 갖는 발광 다이오드로 자외선을 조사하는 조사부;Irradiation unit for irradiating ultraviolet light with a light emitting diode having a fluorescent material layer; 상기 자외선으로 인해 상기 형광 물질로부터 방출되는 가시광선을 검출하여 상기 발광 다이오드의 이미지를 획득하는 이미지 획득부; 및An image obtaining unit which detects visible light emitted from the fluorescent material due to the ultraviolet light and obtains an image of the light emitting diode; And 상기 이미지를 이용하여 상기 발광 다이오드의 불량 여부를 판단하는 판단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.And a determination unit to determine whether the light emitting diode is defective using the image. 제1항에 있어서, 상기 이미지 획득부는 상기 발광 다이오드의 수직 상방에 배치되어 상기 형광 물질로부터 방출되는 가시광선을 검출하는 제1 획득부; 및The display apparatus of claim 1, wherein the image acquisition unit comprises: a first acquisition unit disposed vertically above the light emitting diode to detect visible light emitted from the fluorescent material; And 상기 발광 다이오드의 일측 상방에 배치되어 상기 형광 물질로부터 방출되는 가시광선을 검출하는 제2 획득부를 포함하며, A second acquisition unit disposed above one side of the light emitting diode to detect visible light emitted from the fluorescent material; 상기 이미지 획득부는 두 개의 발광 다이오드 이미지 또는 3차원의 발광 다이오드 이미지를 획득하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.The image acquiring unit acquires two light emitting diode images or a three-dimensional light emitting diode image. 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드 또는 상기 발광 다이오드로 이루어진 발광 다이오드 어레이를 지지하는 지지부; 및According to claim 1, Support portion for supporting the light emitting diode array consisting of the light emitting diode or the light emitting diode; And 상기 자외선이 상기 발광 다이오드 또는 상기 발광 다이오드 어레이를 스캐닝하도록 상기 지지대를 이동시키는 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.And a driving unit to move the support so that the ultraviolet rays scan the light emitting diode or the light emitting diode array. 제1항에 있어서, 상기 이미지의 형광 물질층의 크기가 기 설정된 기준 크기보다 작거나 큰 경우, 상기 판단부는 상기 발광 다이오드를 불량으로 판단하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.The apparatus of claim 1, wherein when the size of the fluorescent material layer of the image is smaller or larger than a predetermined reference size, the determination unit determines the light emitting diode as defective. 제1항에 있어서, 상기 이미지의 형광 물질층 상에 이물질이 위치하는 경우, 상기 판단부는 상기 발광 다이오드를 불량으로 판단하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 장치.The device of claim 1, wherein when the foreign material is located on the fluorescent material layer of the image, the determination unit determines that the light emitting diode is defective. 형광 물질층을 갖는 발광 다이오드로 자외선을 조사하는 단계;Irradiating ultraviolet light with a light emitting diode having a layer of fluorescent material; 상기 자외선으로 인해 상기 형광 물질층으로부터 방출되는 가시광선을 검출하는 단계;Detecting visible light emitted from the fluorescent material layer due to the ultraviolet light; 검출된 가시광선을 이용하여 상기 발광 다이오드의 이미지를 획득하는 단계;Acquiring an image of the light emitting diode using the detected visible light; 상기 획득된 이미지를 이용하여 상기 형광 물질층의 불량 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 방법.And determining whether the fluorescent material layer is defective by using the acquired image. 제6항에 있어서, 상기 가시광선을 검출하는 단계는 상기 형광 물질로부터 수직 상방으로 방출되는 가시광선 및 상기 형광 물질로부터 일측 상방으로 방출되는 가시광선을 각각 검출하고, The method of claim 6, wherein the detecting of the visible light comprises: detecting visible light emitted vertically upward from the fluorescent material and visible light emitted upward from one side of the fluorescent material; 상기 발광 다이오드의 이미지를 획득하는 단계는 두 개의 발광 다이오드 이 미지 또는 3차원의 발광 다이오드 이미지를 획득하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 방법.The acquiring an image of the light emitting diode may include obtaining two light emitting diode images or a three-dimensional light emitting diode image. 제6항에 있어서, 상기 자외선이 상기 발광 다이오드를 스캐닝하도록 상기 발광 다이오드를 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 방법.7. The method of claim 6, further comprising moving the light emitting diode such that the ultraviolet light scans the light emitting diode. 제6항에 있어서, 상기 이미지의 형광 물질층의 크기가 기준 크기보다 작거나 큰 경우 상기 발광 다이오드를 불량으로 판단하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 방법.The method of claim 6, wherein when the size of the fluorescent material layer of the image is smaller or larger than a reference size, the light emitting diode is determined to be defective. 제6항에 있어서, 상기 이미지의 형광 물질층 상에 이물질이 위치하는 경우 상기 발광 다이오드를 불량으로 판단하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 검사 방법.The method of claim 6, wherein when the foreign material is located on the fluorescent material layer of the image, the light emitting diode is determined to be defective.
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