KR20110076056A - Wafer edge expose apparatus of semiconductor photolithography equipment - Google Patents

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KR20110076056A KR1020090132654A KR20090132654A KR20110076056A KR 20110076056 A KR20110076056 A KR 20110076056A KR 1020090132654 A KR1020090132654 A KR 1020090132654A KR 20090132654 A KR20090132654 A KR 20090132654A KR 20110076056 A KR20110076056 A KR 20110076056A
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Abstract

PURPOSE: A wafer edge exposure of a semiconductor exposure equipment is provided to improve the characteristics of the device by providing symmetric wafer edge exposure environment. CONSTITUTION: A light from a light source(100) is provided to a first edge surface through a first optical path. A light reflected from the first edge surface of a wafer(1) is provided to a second edge surface of the wafer through a second optical path. The second edge surface is opposite to the first edge surface. The first optical path comprises a first mirror(20). The first mirror reflects the light from the light source toward the first edge surface of the wafer. The first optical path comprises a first slit(10). The first slit transmits the light from the light source.

Description

반도체 노광 장비의 웨이퍼 에지 노광 장치{WAFER EDGE EXPOSE APPARATUS OF SEMICONDUCTOR PHOTOLITHOGRAPHY EQUIPMENT}Wafer edge exposure apparatus of semiconductor exposure equipment {WAFER EDGE EXPOSE APPARATUS OF SEMICONDUCTOR PHOTOLITHOGRAPHY EQUIPMENT}

본 발명은 반도체 노광 장비에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 에지에서의 노광 균일성을 제공하는데 적합한 반도체 노광 장비의 웨이퍼 에지 노광(Wafer Edge Expose) 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to semiconductor exposure equipment, and more particularly, to a wafer edge exposure apparatus of semiconductor exposure equipment suitable for providing exposure uniformity at the wafer edge.

반도체 소자의 제조 공정 중 노광(photolithography) 공정은 웨이퍼(wafer) 상에 포토레지스트(photoresist)를 도포하고, 웨이퍼 상에 구현하고자 하는 레티클(reticle) 위로 빛을 투사하여 현상액을 도포하는 과정을 수행함으로서 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정을 일컫는다.The photolithography process of manufacturing a semiconductor device is performed by applying a photoresist onto a wafer and applying a developer by projecting light onto a reticle to be implemented on the wafer. The process of forming a photoresist pattern is called.

이러한 노광 공정 중 포토레지스트를 도포하는 과정은, 웨이퍼 상에 균일한 두께의 포토레지스트를 도포하는 과정이 필요한데, 보통 스핀(spin) 코팅 기법과 스프레이(spray) 코팅 기법을 사용하고 있다.The process of applying the photoresist during the exposure process requires a process of applying a photoresist having a uniform thickness on the wafer, which is generally using a spin coating technique and a spray coating technique.

두 가지의 코팅 방법 중 스핀 척(spin chuck) 내부에 안착된 웨이퍼 위에 포토레지스트 액을 배출시킨 후 스핀 척을 회전시킴으로써 배출된 포토레지스트 액이 웨이퍼 전체 표면에 고루 도포될 수 있도록 하는 스핀 코팅법이 주로 사용된다.Among the two coating methods, the spin coating method is to discharge the photoresist liquid on the wafer seated inside the spin chuck and then rotate the spin chuck so that the discharged photoresist liquid can be evenly applied to the entire surface of the wafer. Mainly used.

그러나 스핀 코팅에 의한 포토레지스트 도포 방법은 웨이퍼가 회전할 때 웨이퍼의 중앙(center)과 에지(edge)의 응력 차이로 인한 포토레지스트의 두께 차이가 발생하게 된다. 또한, 일반적으로 반도체 제조 공정은 다양한 형태의 막이 적층되는 구조를 가지고 있는데, 노광 공정 시 균일한 두께를 유지하여, 균일한 선폭을 가지는 패턴을 형성하기 위해 노광 공정 전에 화학적 기계적 연마(CMP) 방법을 사용하게 되지만, 연마 과정 시 중앙과 에지의 연마 속도 차이에 의해 웨이퍼 중앙과 에지 간의 하부 필름의 단차가 발생하게 된다.However, in the photoresist coating method by spin coating, the thickness difference of the photoresist occurs due to the stress difference between the center and the edge of the wafer when the wafer rotates. In addition, a semiconductor manufacturing process generally has a structure in which various types of films are stacked, and a chemical mechanical polishing (CMP) method is performed before the exposure process in order to form a pattern having a uniform line width by maintaining a uniform thickness during the exposure process. However, in the polishing process, the difference in the polishing speed between the center and the edge causes a step difference in the lower film between the center and the edge of the wafer.

위에서 기술한 두 가지에 의해 포토레지스트를 도포하고 난 후에는 웨이퍼의 중앙과 에지 사이에는 단차가 발생하게 되고, 노광 공정 진행시 웨이퍼 면의 반사도 차이에 의해 웨이퍼 에지에서는 패턴이 쓰러지거나 패턴 브릿지 등이 발생하게 되어, 소자의 불량이 발생하게 되고 떨어진 패턴은 근접한 패턴에 결함 소스로 작용하게 된다.After the photoresist is applied by the two methods described above, a step is generated between the center and the edge of the wafer.At the time of the exposure process, the pattern is collapsed at the wafer edge due to the difference in reflectivity of the wafer. As a result, defects in the device may occur, and the dropped pattern may serve as a defect source in the adjacent pattern.

상술한 바와 같은 이유로 칩(chip)의 수율을 감소시키는 문제를 해결하기 위해, 웨이퍼 에지부를 노광하여 에지부의 포토레지스트를 미리 제거하는 웨이퍼 에지 노광(Wafer Edge Expose, WEE) 기법이 제안된 바 있다.In order to solve the problem of reducing the yield of the chip for the reason as described above, a wafer edge exposure (WEE) technique that exposes the wafer edge portion to remove the photoresist of the edge portion in advance has been proposed.

이때, 웨이퍼 에지 노광 공정을 진행하는 과정에서 사용되는 광원은 포토레지스트의 타입을 고려하지 않고, 넓은 대역폭(broad band width)을 갖는 수은 램프(lamp)를 광원으로 사용한다. 그러나, 웨이퍼 에지 노광 장비의 광원이 웨이퍼 에지에서 원하는 위치에서 벗어나 있을 경우에는 웨이퍼 에지의 균일한 간격의 노 광이 되지 못하고 현상액을 도포하고 난 후에는 비대칭의 노광이 이루어져 원하지 않는 불량 영역을 발생할 수 있게 된다.In this case, the light source used in the process of performing the wafer edge exposure process uses a mercury lamp having a wide bandwidth as a light source without considering the type of photoresist. However, if the light source of the wafer edge exposure equipment is out of the desired position at the wafer edge, the exposure of the wafer edge may not be evenly spaced, and after application of the developer, an asymmetrical exposure may occur, which may cause unwanted defect areas. Will be.

즉, 실제 소자를 제조하는 과정에서 웨이퍼 에지 노광 장비의 노광 램프와 웨이퍼의 정확한 정렬이 되지 않아, 웨이퍼 에지 노광 불량이 발생할 수 있으며, 노광 공정과 식각 공정을 진행하게 되면 에지에서 발생하는 금속들이 파티클 소스가 될 수 있고, 불필요한 소자의 불량을 초래할 수도 있다.In other words, the wafer is not properly aligned with the exposure lamp of the wafer edge exposure equipment in the process of manufacturing the actual device, so that the wafer edge exposure failure may occur. When the exposure process and the etching process are performed, the metals generated at the edges are particles. It can be a source and cause unnecessary device defects.

이에 본 발명에서는, 웨이퍼 에지 노광(Wafer Edge Expose, WEE) 장비의 노광 영역의 간격을 웨이퍼 전체에 고르게 하여, 노광 공정과 현상 공정 진행 시 발생할 수 있는 패턴 불균일성을 해결하여, 노광 공정이나, 이후 식각 공정 후 웨이퍼 에지에서 발생할 수 있는 불량 원인을 제거할 수 있는 웨이퍼 에지 노광 장치를 제안하고자 한다.Accordingly, in the present invention, the gap between the exposure areas of the wafer edge exposure (WEE) equipment is evenly distributed over the entire wafer, thereby solving pattern unevenness that may occur during the exposure process and the development process. The present invention proposes a wafer edge exposure apparatus capable of eliminating defects that may occur at the wafer edge after processing.

본 발명의 과제를 해결하기 위한 반도체 노광 장비의 웨이퍼 에지 노광 장치에 따르면, 광원에서 발생된 광이 웨이퍼의 제 1 에지 면으로 제공되는 제 1 광 경로와, 상기 웨이퍼의 제 1 에지 면에서 반사된 광이 상기 웨이퍼의 제 1 에지 면과 마주보는 상기 웨이퍼의 제 2 에지 면으로 제공되는 제 2 광 경로를 포함하도록 구 성될 수 있다.According to the wafer edge exposure apparatus of the semiconductor exposure equipment for solving the problems of the present invention, the light generated from the light source is provided to the first edge surface of the wafer, and reflected from the first edge surface of the wafer The light may be configured to include a second optical path provided to the second edge face of the wafer facing the first edge face of the wafer.

여기서, 상기 제 1 광 경로에는, 상기 광원으로부터 발생되는 광을 상기 웨이퍼의 제 1 에지 면으로 반사시키는 제 1 미러가 구비될 수 있다.Here, the first optical path may be provided with a first mirror for reflecting light generated from the light source to the first edge surface of the wafer.

또한, 상기 제 1 광 경로에는, 상기 광원으로부터 발생되는 광을 슬릿 상의 형태로 투영시키는 제 1 슬릿이 더 구비될 수 있다.In addition, the first light path may further include a first slit for projecting light generated from the light source in the form of a slit.

또한, 상기 제 2 광 경로에는, 상기 웨이퍼의 제 1 에지 면에서 반사된 광을 반사시키는 제 2 미러와, 상기 제 2 미러에서 반사된 광의 세기를 감지하는 수광 센서와, 상기 수광 센서를 통과한 광을 반사시키는 제 3 미러와, 상기 제 3 미러를 통해 반사된 광을 반사시키는 제 4 미러와, 상기 제 4 미러를 통해 반사된 광을 상기 웨이퍼의 제 2 에지 면으로 반사시키는 제 5 미러가 구비될 수 있다.The second optical path may include a second mirror that reflects light reflected from the first edge surface of the wafer, a light receiving sensor that senses the intensity of the light reflected by the second mirror, and a light passing through the light receiving sensor. A third mirror for reflecting light, a fourth mirror for reflecting light reflected through the third mirror, and a fifth mirror for reflecting light reflected through the fourth mirror to a second edge surface of the wafer; It may be provided.

또한, 상기 제 2 광 경로에는, 상기 제 4 미러를 통해 반사된 광을 슬릿 상의 형태로 투영시키는 제 2 슬릿이 더 구비될 수 있다.In addition, the second optical path may further include a second slit for projecting the light reflected through the fourth mirror in the form of a slit.

본 발명에 의하면, 좌우 대칭의 웨이퍼 에지 노광 환경을 제공하여 소자의 특성을 향상시킬 수 있으며, 공정 시간을 단축시켜 생산량을 극대화할 수 있다. 또한, 불균일한 웨이퍼 에지 노광에 의해 발생할 수 있는 파티클 소스(particle source)를 감소시킴으로써, 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to improve the characteristics of the device by providing a symmetrical wafer edge exposure environment, it is possible to shorten the process time to maximize the yield. In addition, by reducing the particle source that can be caused by non-uniform wafer edge exposure, it is possible to improve the characteristics of the device.

본 발명은 반도체 노광 장비에 관한 것으로, 웨이퍼 노광 광원을 사용하여 웨이퍼 에지부의 노광 공정을 수행할 시, 웨이퍼 에지부의 레이어(layer)간에 발생하는 단차에 의한 불량을 방지하고, 균일한 두께의 웨이퍼 에지 노광(Wafer Edge Exposure, WEE) 환경을 구현하고자 한다. 또한, 불균일한 웨이퍼 에지 노광에 의해 발생할 수 있는 파티클 소스(particle source)를 감소시킴으로써, 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 방안을 구현하고자 한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor exposure apparatus, and when performing an exposure process of a wafer edge portion using a wafer exposure light source, to prevent defects caused by steps generated between layers of the wafer edge portion, and to ensure a wafer edge having a uniform thickness. We want to implement a Wafer Edge Exposure (WEE) environment. In addition, by reducing the particle source (particle source) that can be caused by uneven wafer edge exposure, it is to implement a method that can improve the characteristics of the device.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 도면부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like numbers refer to like elements throughout.

본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 그리고 후술되는 용어들은 본 발명의 실시예에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In describing the embodiments of the present invention, if it is determined that a detailed description of a known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, terms to be described below are terms defined in consideration of functions in the embodiments of the present invention, which may vary according to intentions or customs of users and operators. Therefore, the definition should be made based on the contents throughout the specification.

본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서 몇 가지 대체 실시예들에서는 블록들 또는 단계들에서 언급된 기능들이 순서를 벗어나서 발생하는 것도 가능함을 주목해야 한다. 예컨대, 잇달아 도시되어 있는 두 개의 블록들 또는 단계들은 사실 실질적으로 동시에 수행되는 것도 가능하고 또는 그 블록들 또는 단계들이 때때로 해당하는 기능에 따라 역순으로 수행되는 것도 가능하다.In describing the embodiments of the present invention, it should be noted that in some alternative embodiments the functions mentioned in the blocks or steps may occur out of order. For example, the two blocks or steps shown in succession may in fact be executed substantially concurrently or the blocks or steps may sometimes be performed in the reverse order, depending on the functionality involved.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예를 설명하기에 앞서, 본 실시예에 적용되는 반도체 노광 공정에 대해 간략히 언급하면 다음과 같다.Prior to describing an embodiment of the present invention, the semiconductor exposure process applied to the present embodiment will be briefly described as follows.

본 실시예에 적용될 수 있는 노광 공정은, 도시 생략된 웨이퍼 척 상부에 웨이퍼를 안착시킨 후 노광 장비에 연결된 노즐을 통하여 웨이퍼 상부에 포토레지스트를 도포하게 되고, 이때 웨이퍼를 회전시킴으로서 포토레지스트가 웨이퍼 전면에 골고루 퍼지게 한다.In the exposure process applicable to the present embodiment, the wafer is placed on the wafer chuck, not shown, and then the photoresist is applied to the upper portion of the wafer through a nozzle connected to the exposure equipment. Spread evenly on

이때, 노광 공정에 사용되는 포토레지스트는, 예컨대 I-Line 또는 KrF(248nm) 또는 ArF(193nm) 또는 EUV 또는 VUV 등의 용도의 포토레지스트가 선택적으로 사용될 수 있으며, 생산하고자 하는 소자의 특성에 따라 해당 용도의 포토레지스트가 결정될 수 있을 것이다.In this case, the photoresist used in the exposure process, for example, I-Line or KrF (248nm) or ArF (193nm) or EUV or VUV can be used selectively photoresist, depending on the characteristics of the device to be produced The photoresist for that application may be determined.

다음에, 웨이퍼 에지를 노광하는 웨이퍼 에지 노광 공정을 진행하게 되는데, 이 공정은 노광 광원인 넓은 대역폭을 갖는 수은 램프를 고정시키고, 노광하고자 하는 에지의 크기만큼 웨이퍼를 광원에 이동시켜 공정을 진행하게 된다.Next, a wafer edge exposure process of exposing the wafer edge is performed. The process involves fixing a mercury lamp having a wide bandwidth, which is an exposure light source, and moving the wafer to the light source by the size of the edge to be exposed. do.

그러나, 수은 램프와 웨이퍼의 위치가 원하는 위치에 도달하지 못하거나 넘어가면 웨이퍼가 회전하는 동안에 노광이 진행되기 때문에 비정상적으로 노광이 진행될 수 있다.However, if the positions of the mercury lamp and the wafer do not reach or exceed the desired position, the exposure may proceed abnormally because the exposure proceeds while the wafer is rotating.

이와 같은 문제를 해결하기 위해서, 본 실시예에서는 넓은 대역폭을 사용하는 수은 램프의 광 경로를 미러 등을 이동하여 반사시켜 반대편의 에지 부분에 정확히 노광되도록 하는 것을 특징으로 한다.In order to solve such a problem, the present embodiment is characterized in that the light path of the mercury lamp using a wide bandwidth is reflected by moving the mirror or the like so as to be accurately exposed to the opposite edge portion.

이에, 본 실시예에 따른 반도체 노광 장비의 웨이퍼 에지 노광 장치에 대해 도 1을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Thus, the wafer edge exposure apparatus of the semiconductor exposure apparatus according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. 1.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 노광 장비의 웨이퍼 에지 노광(Wafer Edge Expose, WEE) 장치에 대한 구성도로서, 광원(100), 수광센서(200), 제 1 슬릿(slit)(10), 제 2 슬릿(12), 제 1 미러(mirror)(20), 제 2 미러(22), 제 3 미러(24), 제 4 미러(26), 제 5 미러(28) 등을 포함할 수 있다.1 is a block diagram of a wafer edge exposure (WEE) device of a semiconductor exposure apparatus according to an embodiment of the present invention, the light source 100, the light receiving sensor 200, the first slit (10) ), A second slit 12, a first mirror 20, a second mirror 22, a third mirror 24, a fourth mirror 26, a fifth mirror 28, and the like. Can be.

도 1에서 광원(100)은, 예컨대 수은 램프 등이 적용될 수 있으며, 반도체 노광 장비에서 비교적 넓은 대역폭을 갖는 광을 발생할 수 있다.In FIG. 1, for example, a mercury lamp may be applied to the light source 100 and may generate light having a relatively wide bandwidth in the semiconductor exposure equipment.

광원(100)으로부터 발생되는 광은 제 1 슬릿(10)을 통과하면서 슬릿 상의 형태로 투영되며, 제 1 미러(20)는 제 1 슬릿(10)을 통과하여 투영된 광을 웨이퍼(1) 의 전면, 구체적으로 웨이퍼(1)의 제 1 에지 면으로 광 경로를 변경시킬 수 있다.Light generated from the light source 100 is projected in the form of a slit while passing through the first slit 10, and the first mirror 20 transmits the light projected through the first slit 10 to the wafer 1. It is possible to change the optical path to the entire surface, specifically to the first edge surface of the wafer 1.

이러한 광원(100)에서 웨이퍼(1)의 제 1 에지 면으로 제공되는 광의 경로를 제 1 광 경로라 지칭할 수 있다.The path of light provided from the light source 100 to the first edge surface of the wafer 1 may be referred to as a first light path.

이후, 광 경로는 웨이퍼(1)의 제 1 에지 면에서 반사되어 제 2 미러(22)로 제공된다.The light path is then reflected at the first edge face of the wafer 1 and provided to the second mirror 22.

제 2 미러(22)는 웨이퍼(1)의 제 1 에지 면에서 반사된 광 경로를 수광 센서(200)로 변경시킬 수 있다.The second mirror 22 may change the light path reflected from the first edge surface of the wafer 1 to the light receiving sensor 200.

수광 센서(200)는 제 2 미러(22)를 통해 변경된 광 경로에서 광의 세기를 감지하는 역할을 할 수 있다. 구체적으로, 수광 센서(200)는 후술하는 웨이퍼(1)의 반대편 에지 면, 예컨대 웨이퍼(1)의 제 1 에지 면과 마주보는 제 2 에지 면에서 정확히 노광 공정이 진행될 수 있도록, 최초 입사된 광의 세기를 감지하는 역할을 할 수 있다.The light receiving sensor 200 may serve to detect the intensity of light in the changed light path through the second mirror 22. In detail, the light receiving sensor 200 may be configured to provide an accurate exposure process on the opposite edge surface of the wafer 1, for example, the second edge surface facing the first edge surface of the wafer 1. It can play a role of sensing strength.

수광 센서(200)를 통과한 광은 제 3 미러(24)로 제공될 수 있으며, 제 3 미러(24)는 수광 센서(200)를 통과한 광의 광 경로를 제 4 미러(26)로 변경시킬 수 있다.The light passing through the light receiving sensor 200 may be provided to the third mirror 24, and the third mirror 24 may change the light path of the light passing through the light receiving sensor 200 to the fourth mirror 26. Can be.

제 4 미러(26)는 제 3 미러(24)를 통해 변경된 광 경로를 제 2 슬릿(12)으로 변경시킬 수 있다.The fourth mirror 26 may change the changed optical path through the third mirror 24 to the second slit 12.

제 4 미러(26)에 의해 경로 변경된 광은 제 2 슬릿(12)을 통과하면서 슬릿 상의 형태로 투영될 수 있으며, 제 5 미러(28)는 제 2 슬릿(12)을 통과하여 투영된 광을 웨이퍼(1)의 전면, 구체적으로 웨이퍼(1)의 제 2 에지 면, 구체적으로 상술한 웨이퍼(1)의 제 1 에지 면과 정확히 마주보는 반대쪽 면으로 광 경로를 변경시킬 수 있다.The light redirected by the fourth mirror 26 may be projected in the form of a slit while passing through the second slit 12, and the fifth mirror 28 may pass the projected light through the second slit 12. The optical path can be altered to the front surface of the wafer 1, specifically the second edge surface of the wafer 1, specifically the opposite side of the wafer 1 that is exactly opposite to the first edge surface of the wafer 1 described above.

이러한 웨이퍼(1)의 제 1 에지 면에서 웨이퍼(1)의 제 2 에지 면으로 제공되는 광의 경로를 제 2 광 경로라 지칭할 수 있다.The path of light provided from the first edge face of the wafer 1 to the second edge face of the wafer 1 may be referred to as a second light path.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 광원에서 발생된 광을 슬릿 등을 통하여 웨이퍼 전면에 조사하고, 슬릿 상의 형태로서 투영시키며, 반사된 광은 수광 센서를 통해 광의 세기가 감지되고, 다시 반대편 슬릿으로 이동하여 웨이퍼 반대편에 정확한 넓이의 웨이퍼 에지 노광 공정을 진행하도록 함으로써, 좌우의 불균일한 웨이퍼 에지 노광 진행을 억제하게 된다.As described above, the present invention, the light generated from the light source is irradiated to the front surface of the wafer through the slit or the like, and projected in the form of a slit, the reflected light is sensed by the light receiving sensor, the intensity of the light, and back to the opposite slit By moving the wafer edge exposure process with the correct width to the opposite side of the wafer, the left and right uneven wafer edge exposure progress is suppressed.

한편, 지금까지 본 발명의 실시예에 대해 상세히 기술하였으나 본 발명은 이러한 실시예에 국한되는 것은 아니며, 후술하는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주 내에서 당업자로부터 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다.Meanwhile, the embodiments of the present invention have been described in detail, but the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications may be made by those skilled in the art within the spirit and scope of the present invention described in the claims below. to be.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 노광 장비에서의 웨이퍼 에지 노광 장치에 대한 구성도.1 is a block diagram of a wafer edge exposure apparatus in a semiconductor exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

Claims (5)

광원에서 발생된 광이 웨이퍼의 제 1 에지 면으로 제공되는 제 1 광 경로와,A first optical path through which light generated at the light source is provided to the first edge surface of the wafer, 상기 웨이퍼의 제 1 에지 면에서 반사된 광이 상기 웨이퍼의 제 1 에지 면과 마주보는 상기 웨이퍼의 제 2 에지 면으로 제공되는 제 2 광 경로를 포함하도록 구성되는And a second light path, wherein the light reflected at the first edge face of the wafer is provided to the second edge face of the wafer facing the first edge face of the wafer. 반도체 노광 장비의 웨이퍼 에지 노광 장치.Wafer edge exposure apparatus of semiconductor exposure equipment. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 광 경로에는,In the first optical path, 상기 광원으로부터 발생되는 광을 상기 웨이퍼의 제 1 에지 면으로 반사시키는 제 1 미러가 구비되는A first mirror is provided to reflect light generated from the light source to the first edge surface of the wafer. 반도체 노광 장비의 웨이퍼 에지 노광 장치.Wafer edge exposure apparatus of semiconductor exposure equipment. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제 1 광 경로에는,In the first optical path, 상기 광원으로부터 발생되는 광을 슬릿 상의 형태로 투영시키는 제 1 슬릿이 더 구비되는Further provided with a first slit for projecting the light generated from the light source in the form of a slit 반도체 노광 장비의 웨이퍼 에지 노광 장치.Wafer edge exposure apparatus of semiconductor exposure equipment. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 광 경로에는,In the second optical path, 상기 웨이퍼의 제 1 에지 면에서 반사된 광을 반사시키는 제 2 미러와,A second mirror reflecting light reflected from the first edge surface of the wafer, 상기 제 2 미러에서 반사된 광의 세기를 감지하는 수광 센서와,A light receiving sensor for detecting an intensity of light reflected from the second mirror; 상기 수광 센서를 통과한 광을 반사시키는 제 3 미러와,A third mirror for reflecting light passing through the light receiving sensor; 상기 제 3 미러를 통해 반사된 광을 반사시키는 제 4 미러와,A fourth mirror for reflecting light reflected through the third mirror; 상기 제 4 미러를 통해 반사된 광을 상기 웨이퍼의 제 2 에지 면으로 반사시키는 제 5 미러가 구비되는A fifth mirror for reflecting light reflected through the fourth mirror to a second edge surface of the wafer is provided 반도체 노광 장비의 웨이퍼 에지 노광 장치.Wafer edge exposure apparatus of semiconductor exposure equipment. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 2 광 경로에는,In the second optical path, 상기 제 4 미러를 통해 반사된 광을 슬릿 상의 형태로 투영시키는 제 2 슬릿이 더 구비되는A second slit is further provided to project the light reflected through the fourth mirror in the form of a slit. 반도체 노광 장비의 웨이퍼 에지 노광 장치.Wafer edge exposure apparatus of semiconductor exposure equipment.
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