KR20110073661A - Light emitting device having light emitting diode package - Google Patents

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한경보
김태훈
장승호
김민주
최재용
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device with a light emitting diode package is provided to couple a light emitting diode package with a printed circuit board, thereby simplifying processes. CONSTITUTION: A first lead terminal(130) and a second lead terminal(150) are electrically connected to light emitting diode chips respectively. A first electrode(230) is electrically connected to the first lead terminal. A second electrode(250) is electrically connected to the second lead terminal. A first coupling unit is formed on one end of the first lead terminal. A third coupling unit is coupled with the first coupling unit in the first electrode. A second coupling unit is formed on one end of the second lead terminal. A fourth coupling unit is coupled with the second coupling unit in the second electrode.

Description

발광 다이오드 패키지를 구비한 발광 장치{Light emitting device having light emitting diode package} Light emitting device having a light emitting diode package

본 발명은 발광 다이오드를 구비한 발광 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 인쇄회로기판에 발광 다이오드 패키지가 결합된 구조의 발광 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device having a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting device having a structure in which a light emitting diode package is coupled to a printed circuit board.

발광 다이오드를 구비한 발광 장치는 박막 성장 기술의 발달과 함께 효율 좋은 발광 재료의 개발로 인해서 광통신 수단의 송신 모듈, 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD)의 백라이트, 형광등이나 백열전구를 대체할 수 있는 조명 장치, 및 신호등에까지 그 응용이 확대되고 있다.Light-emitting devices with light-emitting diodes can replace optical communication means transmission modules, liquid crystal display (LCD) backlights, fluorescent lamps, or incandescent bulbs due to the development of thin-film growth technology and efficient light emitting materials. Its application is expanding to existing lighting devices and traffic lights.

발광 다이오드는 외부회로에서 양극과 음극 사이에 전압이 인가되면 양극과 음극으로 정공과 전자가 주입되고 양극과 음극 사이에 형성된 활성층에서 상기 정공과 전자가 재결합하면서 여분의 에너지가 광으로 변환되어 외부로 방출하게 되는 원리이다. When a voltage is applied between an anode and a cathode in an external circuit, holes and electrons are injected into the anode and the cathode, and extra energy is converted into light as the holes and electrons recombine in the active layer formed between the anode and the cathode. It's a principle of release.

이와 같은 발광 다이오드는 칩(Chip) 상태로 인쇄회로기판(Printed Circuit Board) 상에 결합되거나 또는 패키지(Package) 상태로 인쇄회로기판 상에 결합되 어, 외부 전원과 연결된 인쇄회로기판으로부터 전류를 인가받아 발광을 하게 된다. Such a light emitting diode is coupled on a printed circuit board in a chip state or on a printed circuit board in a package state to apply current from a printed circuit board connected to an external power source. It will receive light.

따라서, 발광 다이오드를 이용하는 발광 장치는 인쇄회로기판에 발광 다이오드 칩이 결합된 구조(Chip on Board: COB 구조) 또는 인쇄회로기판에 발광 다이오드 패키지가 결합된 구조(Package on Board: POB 구조)로 나눌 수 있다. Therefore, a light emitting device using a light emitting diode may be divided into a structure in which a light emitting diode chip is coupled to a printed circuit board (Chip on Board (COB structure)) or a structure in which a light emitting diode package is coupled to a printed circuit board (Package on Board: POB structure). Can be.

상기 POB 구조의 발광 장치는 일반적으로 인쇄회로기판 상의 전극과 발광 다이오드 패키지의 리드 단자들 사이를 솔더링 공정을 통해 결합하여 제조된다. The light emitting device having the POB structure is generally manufactured by bonding between an electrode on a printed circuit board and lead terminals of a light emitting diode package through a soldering process.

이하, 도면을 참조로 종래 솔더링 공정에 의해 제조된 POB구조의 발광 장치에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, a light emitting device having a POB structure manufactured by a conventional soldering process will be described with reference to the drawings.

도 1은 종래의 POB구조의 발광 장치의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device having a conventional POB structure.

도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 POB구조의 발광 장치는 인쇄회로기판(10), 발광 다이오드 패키지(20), 및 상기 인쇄회로기판(10)과 발광 다이오드 패키지(20) 사이를 전기적으로 연결함과 더불어 양자 사이를 결합하기 위한 솔더(solder)(30)를 포함하여 이루어진다. As can be seen in Figure 1, the conventional light emitting device of the POB structure is electrically connected between the printed circuit board 10, the light emitting diode package 20, and the printed circuit board 10 and the light emitting diode package 20. And a solder 30 for coupling between the two.

상기 인쇄회로기판(10) 상에는 외부 전원과 연결되는 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)이 형성되어 있다. The first electrode 13 and the second electrode 15 connected to the external power source are formed on the printed circuit board 10.

상기 발광 다이오드 패키지(20)는 발광 다이오드 칩(21), 제1 리드 단자(23), 제2 리드 단자(25), 몰드부(27), 및 봉지부(29)를 포함하여 이루어진다. The light emitting diode package 20 includes a light emitting diode chip 21, a first lead terminal 23, a second lead terminal 25, a mold part 27, and an encapsulation part 29.

상기 발광 다이오드 칩(21)은 상기 제1 리드 단자(23) 상에 위치하며, 도전성 와이어(W)에 의해 상기 제1 리드 단자(23) 및 상기 제2 리드 단자(25)와 전기적으로 연결되어 있다. The light emitting diode chip 21 is positioned on the first lead terminal 23 and electrically connected to the first lead terminal 23 and the second lead terminal 25 by a conductive wire (W). have.

상기 제1 리드 단자(23)는 상기 솔더(30)에 의해 상기 인쇄회로기판(10)의 제1 전극(13)과 전기적으로 연결되어 있고, 상기 제2 리드 단자(25)도 상기 솔더(30)에 의해 상기 인쇄회로기판(10)의 제2 전극(15)과 전기적으로 연결되어 있다. The first lead terminal 23 is electrically connected to the first electrode 13 of the printed circuit board 10 by the solder 30, and the second lead terminal 25 is also the solder 30. Is electrically connected to the second electrode 15 of the printed circuit board 10.

이와 같이 상기 솔더(30)는 상기 발광 다이오드 패키지(20)의 제1 리드 단자(23) 및 제2 리드 단자(25)를 상기 인쇄회로기판(10) 상의 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)과 각각 연결시키는 역할을 하며, 그와 동시에 상기 발광 다이오드 패키지(20)를 상기 인쇄회로기판(10)에 고정결합시키는 역할을 하는 것이다. As such, the solder 30 may connect the first lead terminal 23 and the second lead terminal 25 of the light emitting diode package 20 to the first electrode 13 and the second electrode on the printed circuit board 10. And the light emitting diode package 20 is fixedly coupled to the printed circuit board 10 at the same time.

상기 몰드부(27)는 상기 제1 리드 단자(23) 및 제2 리드 단자(25)를 지지하는 역할을 한다. The mold part 27 supports the first lead terminal 23 and the second lead terminal 25.

상기 봉지부(29)는 상기 몰드부(27) 상부의 개구영역 내에 형성되며 투광성 수지로 이루어진다. The encapsulation portion 29 is formed in an opening region of the upper portion of the mold portion 27 and is made of a light transmitting resin.

이와 같이, 종래의 POB 구조의 발광 장치는 상기 솔더(30)에 의해서 인쇄회로기판(10) 상에 발광 다이오드 패키지(20)가 결합되어 있는 구조인데, 이와 같은 종래의 POB 구조의 발광 장치는 다음과 같은 문제점이 있다. As described above, the light emitting device of the conventional POB structure is a structure in which the LED package 20 is coupled to the printed circuit board 10 by the solder 30. There is the same problem.

우선, 상기 솔더(30)를 이용하여 인쇄회로기판(10) 상에 발광 다이오드 패키지(20)를 결합하는 공정이 매우 복잡하기 때문에 생산성이 떨어지는 단점이 있다. First, since the process of bonding the LED package 20 to the printed circuit board 10 using the solder 30 is very complicated, there is a disadvantage in that productivity is low.

또한, 상기 발광 다이오드 패키지(20)의 제1 리드 단자(23) 및 제2 리드 단자(25)를 인쇄회로기판(10) 상의 제1 전극(13) 및 제2 전극(15)과 각각 연결시키기 위해서, 상기 제1 리드 단자(23) 및 제2 리드 단자(25)를 구부리는 공정이 필요하 게 되어 그만큼 공정이 복잡하게 되어 생산성이 떨어지는 단점이 있다. In addition, the first lead terminal 23 and the second lead terminal 25 of the LED package 20 may be connected to the first electrode 13 and the second electrode 15 on the printed circuit board 10, respectively. In order to do this, a process of bending the first lead terminal 23 and the second lead terminal 25 is required, and thus, the process is complicated and the productivity is lowered.

또한, 상기 솔더(30)에 의해서 발광 다이오드 패키지(20)가 인쇄회로기판(10) 상에 고정결합되어 있기 때문에, 상기 발광 다이오드 패키지(20)에 문제가 생길 경우 상기 발광 다이오드 패키지(20)만을 분리하여 교체하거나 수리할 수가 없다. 따라서, 상기 발광 다이오드 패키지(20)에 문제가 생길 경우에는 발광 장치 전체를 폐기해야 하기 때문에 경제성이 떨어지는 단점이 있다. In addition, since the LED package 20 is fixedly coupled to the printed circuit board 10 by the solder 30, when the LED package 20 has a problem, only the LED package 20 is used. It cannot be removed and replaced. Therefore, when a problem occurs in the light emitting diode package 20, since the entire light emitting device must be discarded, there is a disadvantage in inferior economic efficiency.

또한, 상기 발광 다이오드 패키지(20)를 인쇄회로기판(10) 상부에 실장하기 때문에 발광 장치의 두께가 두꺼워져 슬림형태의 발광 장치를 제조하는데 한계가 있다. In addition, since the light emitting diode package 20 is mounted on the printed circuit board 10, the thickness of the light emitting device is increased, and thus there is a limitation in manufacturing a slim light emitting device.

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 인쇄회로기판에 발광 다이오드 패키지를 결합하는 공정을 단순화하여 생산성을 향상시키고, 발광 다이오드 패키지에 문제가 생길 경우 발광 다이오드 패키지만을 분리하여 교체하거나 수리할 수 있도록 하여 경제성 면에서도 유리하고, 두께를 최소화하여 슬림 형태로 구현이 가능하도록 하는 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been devised to solve the conventional problems, and the present invention simplifies the process of coupling the light emitting diode package to the printed circuit board to improve productivity, and if only a problem occurs in the light emitting diode package by separating only the light emitting diode package It is an object of the present invention to provide a light emitting device that can be replaced or repaired, which is advantageous in terms of economics, and can be implemented in a slim form by minimizing thickness.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 발광 다이오드 칩, 및 상기 발광 다이오드 칩과 각각 전기적으로 연결되어 있는 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자를 포함하여 이루어진 발광 다이오드 패키지; 및 상기 발광 다이오드 패키지의 제1 리드 단자와 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극 및 상기 발광 다이오드 패키지의 제2 리드 단자와 전기적으로 연결되어 있는 제2 전극을 포함하여 이루어진 인쇄회로기판을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 리드 단자의 일단에는 제1 결합부가 형성되어 있고 상기 제1 전극에는 상기 제1 결합부와 암수 결합할 수 있는 제3 결합부가 형성되어 있고, 상기 제2 리드 단자의 일단에는 제2 결합부가 형성되어 있고 상기 제2 전극에는 상기 제2 결합부와 암수 결합할 수 있는 제4 결합부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치를 제공한다. The present invention provides a light emitting diode package comprising a light emitting diode chip and a first lead terminal and a second lead terminal electrically connected to the light emitting diode chip, respectively; And a printed circuit board including a first electrode electrically connected to a first lead terminal of the LED package and a second electrode electrically connected to a second lead terminal of the LED package. A first coupling part is formed at one end of the first lead terminal, and a third coupling part is formed at the first electrode to allow male and female coupling with the first coupling part, and a second coupling part is formed at one end of the second lead terminal. Provided is a light emitting device, characterized in that the coupling portion is formed and the second electrode is provided with a fourth coupling portion capable of male and female coupling with the second coupling portion.

상기 인쇄회로기판은 상기 발광 다이오드 패키지를 수용하기 위한 관통홀을 구비하고 있고, 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 관통홀을 통해서 상측 방향 또는 하측 방향으로 상기 인쇄회로기판과 결합 또는 분리가 가능할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 전극은 상기 관통홀의 일측에 형성되어 있고, 상기 제2 전극은 상기 관통홀의 타측에 형성될 수 있다. The printed circuit board may include a through hole for accommodating the LED package, and the LED package may be coupled to or separated from the printed circuit board in an upward direction or a downward direction through the through hole. In this case, the first electrode may be formed on one side of the through hole, and the second electrode may be formed on the other side of the through hole.

상기 제1 리드 단자와 상기 제1 전극은 서로 교차하는 방향으로 연결되어 있고, 상기 제2 리드 단자와 상기 제2 전극도 서로 교차하는 방향으로 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자는 수평 방향으로 배열되어 있고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 수직 방향으로 배열될 수 있다. The first lead terminal and the first electrode may be connected in a direction crossing each other, and the second lead terminal and the second electrode may be connected in a direction crossing each other. In this case, the first lead terminal and the second lead terminal may be arranged in a horizontal direction, and the first electrode and the second electrode may be arranged in a vertical direction.

상기 제1 결합부는 곡선형 또는 다각형 단면의 홈 구조 또는 돌출 구조로 이루어지고, 상기 제3 결합부는 곡선형 또는 다각형 단면의 돌출 구조 또는 홈 구조로 이루어질 수 있다. The first coupling portion may have a groove structure or a protrusion structure having a curved or polygonal cross section, and the third coupling portion may have a protrusion structure or a groove structure having a curved or polygonal cross section.

상기 제1 결합부는 상기 제1 리드 단자의 일단에 복수 개가 형성되고, 상기 제3 결합부는 상기 제1 전극에 복수 개가 형성될 수 있다. A plurality of first coupling parts may be formed at one end of the first lead terminal, and a plurality of third coupling parts may be formed at the first electrode.

상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자는 구부리지 않은 직선 구조로 형성될 수 있다. The first lead terminal and the second lead terminal may be formed in a straight structure that is not bent.

상기 발광 다이오드 패키지는 상기 발광 다이오드 칩이 위치하는 안착부를 추가로 포함하여 이루어지고, 상기 안착부는 상기 발광 다이오드 칩이 위치하는 부분이 다른 부분에 비하여 상대적으로 낮은 높이로 형성될 수 있다. The light emitting diode package may further include a seating portion in which the light emitting diode chip is located, and the seating portion may be formed at a relatively lower height than a portion in which the light emitting diode chip is located.

상기 발광 다이오드 패키지는 상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자를 지지하기 위한 몰드부; 및 상기 몰드부 상측의 개구 영역에 형성된 봉지부를 추가로 포 하여 이루어질 수 있다. The LED package may include a mold unit for supporting the first lead terminal and the second lead terminal; And an encapsulation part formed in the opening area above the mold part.

이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above has the following effects.

본 발명에 따르면, 종래와 같이 복잡한 공정인 솔더 공정을 이용하지 않고 간단한 공정인 암수 결합 공정을 이용하여 인쇄회로기판에 발광 다이오드 패키지를 결합할 수 있기 때문에 공정이 단순화되어 생산성이 향상될 수 있다. According to the present invention, the LED package may be coupled to the printed circuit board using a simple male and female coupling process, rather than using a solder process, which is a complicated process as in the related art, thereby simplifying the process and improving productivity.

또한, 발광 다이오드 패키지에 문제가 발생한 경우 인쇄회로기판으로부터 발광 다이오드 패키지를 용이하게 분리할 수 있기 때문에, 발광 다이오드 패키지 만을 교체하거나 수리할 수 있어 발광 장치 전체를 폐기해야 하는 종래와 비교하여 경제성 면에서도 유리하다. In addition, when a problem occurs in the LED package, since the LED package can be easily separated from the printed circuit board, only the LED package can be replaced or repaired. It is advantageous.

또한, 인쇄회로기판의 관통홀 내에 발광 다이오드 패키지가 삽입되기 때문에 발광 장치 전체의 두께를 최소화할 수 있어 슬림 형태의 발광 장치 구현이 용이하다.In addition, since the light emitting diode package is inserted into the through-hole of the printed circuit board, the thickness of the entire light emitting device can be minimized, making it easy to implement a slim light emitting device.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 개략적인 단면도로서, 도 2a는 발광 다이오드 패키지(100)와 인쇄회로기판(200)이 분리된 모습을 도시한 것이고, 도 2b는 발광 다이오드 패키지(100)와 인쇄회로기판(200)이 결합된 모습을 도시한 것이다. 2A and 2B are schematic cross-sectional views of a light emitting device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2A shows a state in which the LED package 100 and the printed circuit board 200 are separated. The light emitting diode package 100 and the printed circuit board 200 are combined.

도 2a 및 도 2b에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는, 발광 다이오드 패키지(100) 및 인쇄회로기판(200)을 포함하여 이루어진다. As shown in FIGS. 2A and 2B, the light emitting device according to the exemplary embodiment includes a light emitting diode package 100 and a printed circuit board 200.

상기 발광 다이오드 패키지(100)는 발광 다이오드 칩(110), 제1 리드 단자(130), 제2 리드 단자(150), 몰드부(170), 및 봉지부(190)를 포함하여 이루어진다. The light emitting diode package 100 includes a light emitting diode chip 110, a first lead terminal 130, a second lead terminal 150, a mold unit 170, and an encapsulation unit 190.

상기 발광 다이오드 칩(110)은 상기 제1 리드 단자(130) 위에 위치하며, 구체적으로 도시하지는 않았지만, 상기 발광 다이오드 칩(110)은 기판, N형 반도체층, P형 반도체층, 활성층, N형 전극, 및 P형 전극을 포함하여 이루어진다. The light emitting diode chip 110 is positioned on the first lead terminal 130, and although not specifically illustrated, the light emitting diode chip 110 may include a substrate, an N-type semiconductor layer, a P-type semiconductor layer, an active layer, and an N-type. Electrode, and a P-type electrode.

상기 발광 다이오드 칩(110)을 구성하는 기판으로는 주로 사파이어 기판이 이용될 수 있고, 상기 N형 반도체층 및 P형 반도체층으로는 GaN, AlGaN, InGaN, AlN, AlInGaN 등과 같은 질화물 반도체가 이용될 수 있고, 상기 활성층은 상기 N형 반도체층과 P형 반도체층 사이에 형성되어 발광을 하는 층으로서 InGaN층을 우물로 하고 (Al)GaN층을 벽층(Barrier Layer)으로 하는 다중양자우물구조(MQW)로 형성될 수 있고, 상기 N형 전극은 상기 N형 반도체층과 연결되어 있고, 상기 P형 전극은 상기 P형 반도체층과 연결되어 있다. 이상과 같은 상기 발광 다이오드 칩(110)의 구성은 종래에 공지된 다양한 형태로 변경 형성될 수 있다. A sapphire substrate may be mainly used as the substrate constituting the light emitting diode chip 110, and nitride semiconductors such as GaN, AlGaN, InGaN, AlN, and AlInGaN may be used as the N-type semiconductor layer and the P-type semiconductor layer. The active layer may be formed between the N-type semiconductor layer and the P-type semiconductor layer to emit light. A multi-quantum well structure (MQW) including an InGaN layer as a well and an (Al) GaN layer as a barrier layer The N-type electrode is connected to the N-type semiconductor layer, the P-type electrode is connected to the P-type semiconductor layer. The configuration of the LED chip 110 as described above may be formed in various forms known in the art.

상기 발광 다이오드 칩(110)은 도전성 와이어(W)에 의해서 상기 제1 리드 단자(130) 및 제2 리드 단자(150)와 각각 전기적으로 연결되어 있다. 구체적으로는 상기 발광 다이오드 칩(110)의 P형 전극이 상기 제1 리드 단자(130)와 전기적으로 연결되고, 상기 발광 다이오드 칩(110)의 N형 전극이 상기 제2 리드 단자(150)와 전기적으로 연결된다. 이와 같은 상기 발광 다이오드 칩(110)과 상기 제1 리드 단자(130) 또는 제2 리드 단자(150) 사이의 전기적 연결은 당업계에 공지된 다양한 방법으로 변경 형성될 수 있다. The light emitting diode chip 110 is electrically connected to the first lead terminal 130 and the second lead terminal 150 by a conductive wire (W), respectively. Specifically, the P-type electrode of the LED chip 110 is electrically connected to the first lead terminal 130, and the N-type electrode of the LED chip 110 is connected to the second lead terminal 150. Electrically connected. The electrical connection between the LED chip 110 and the first lead terminal 130 or the second lead terminal 150 may be modified by various methods known in the art.

상기 제1 리드 단자(130)는 상기 발광 다이오드 칩(110)의 P형 전극과 상기 인쇄회로기판(200)의 제1 전극(230) 사이를 전기적으로 연결시키는 역할을 하는 것으로서, 전술한 바와 같이 상기 발광 다이오드 칩(110)의 P형 전극과는 도전성 와이어(W)에 의해 연결될 수 있고, 상기 인쇄회로기판(200)의 제1 전극(230)과는 암수 결합에 의해 연결된다. 이와 같이 상기 인쇄회로기판(200)의 제1 전극(230)과 암수 결합하기 위해서, 상기 제1 리드 단자(130)의 일단에는 제1 결합부(135)가 형성되어 있다. The first lead terminal 130 serves to electrically connect the P-type electrode of the LED chip 110 and the first electrode 230 of the printed circuit board 200, as described above. The P-type electrode of the LED chip 110 may be connected by a conductive wire (W), and the first electrode 230 of the printed circuit board 200 is connected by a male and female coupling. As described above, a first coupling part 135 is formed at one end of the first lead terminal 130 in order to couple the first electrode 230 of the printed circuit board with the male and female.

상기 제2 리드 단자(150)는 상기 발광 다이오드 칩(110)의 N형 전극과 상기 인쇄회로기판(200)의 제2 전극(250) 사이를 전기적으로 연결시키는 역할을 하는 것으로서, 전술한 바와 같이 상기 발광 다이오드 칩(110)의 N형 전극과는 도전성 와이어(W)에 의해 연결될 수 있고, 상기 인쇄회로기판(200)의 제2 전극(250)과는 암수 결합에 의해 연결된다. 이와 같이 상기 인쇄회로기판(200)의 제2 전극(250)과 암수 결합하기 위해서, 상기 제2 리드 단자(150)의 일단에는 제2 결합부(155)가 형성되어 있다. The second lead terminal 150 serves to electrically connect between the N-type electrode of the LED chip 110 and the second electrode 250 of the printed circuit board 200, as described above. The N-type electrode of the LED chip 110 may be connected by a conductive wire (W), and is connected to the second electrode 250 of the printed circuit board 200 by male and female coupling. As described above, a second coupling part 155 is formed at one end of the second lead terminal 150 in order to couple the second electrode 250 of the printed circuit board 200 with the male and female.

상기 제1 리드 단자(130)의 제1 결합부(135) 및 상기 제2 리드 단자(150)의 제2 결합부(155)에 대한 구체적인 설명은 후술하기로 한다. A detailed description of the first coupling part 135 of the first lead terminal 130 and the second coupling part 155 of the second lead terminal 150 will be described later.

이상과 같은 제1 리드 단자(130) 및 제2 리드 단자(150)는 상기 몰드부(170) 에 의해 지지되는데, 상기 인쇄회로기판(200)의 제1 전극(230) 및 제2 전극(250)과 각각 연결되기 위해서 상기 몰드부(170)의 외부로 연장되어 있다. The first lead terminal 130 and the second lead terminal 150 as described above are supported by the mold unit 170, and the first electrode 230 and the second electrode 250 of the printed circuit board 200. Are respectively extended to the outside of the mold unit 170 to be connected to each other.

특히, 상기 제1 리드 단자(130) 및 제2 리드 단자(150)는 구부리지 않은 직선 구조로 이루어져 있기 때문에 상기 제1 리드 단자(130) 및 제2 리드 단자(150)를 구부리기 위한 별도의 공정이 필요하지 않게 된다. 또한, 상기 제1 리드 단자(130) 및 제2 리드 단자(150)는 수평 상태로 배열되어 있기 때문에 발광 장치 전체의 두께를 줄일 수 있는 이점이 있다. In particular, since the first lead terminal 130 and the second lead terminal 150 have a straight structure that is not bent, a separate process for bending the first lead terminal 130 and the second lead terminal 150 may be performed. It is not necessary. In addition, since the first lead terminal 130 and the second lead terminal 150 are arranged in a horizontal state, there is an advantage of reducing the thickness of the entire light emitting device.

상기 몰드부(170)는 상기 제1 리드 단자(130) 및 제2 리드 단자(150)를 지지하기 위한 것으로서 일반적으로 사출성형에 의해 제조될 수 있다. 상기 몰드부(170)는 상술한 지지 역할 이외에 상기 발광 다이오드 칩(110)에서 방출된 광을 반사시키는 역할도 수행한다. The mold unit 170 is for supporting the first lead terminal 130 and the second lead terminal 150 and may be generally manufactured by injection molding. The mold unit 170 also serves to reflect light emitted from the LED chip 110 in addition to the above-described support role.

상기 봉지부(190)는 상기 몰드부(170) 상측의 개구 영역에 형성되어, 상기 발광 다이오드 칩(110)과 도전성 와이어(W)를 보호함과 더불어 상기 발광 다이오드 칩(110)에서 방출되는 광 분포를 조절하는 역할을 한다. The encapsulation part 190 is formed in an opening area above the mold part 170 to protect the light emitting diode chip 110 and the conductive wire W and to emit light from the light emitting diode chip 110. It controls the distribution.

상기 봉지부(190)는 투광성 실리콘 또는 투광성 수지를 이용하여 형성할 수 있으며, 특히 상기 발광 다이오드 칩(110)에서 청색광을 방출하는 경우 상기 봉지부(190)에 상기 청색광과 보색관계 색상의 형광체를 추가로 주입함으로써 발광 장치에서 백색광이 방출될 수 있도록 할 수 있다. The encapsulation part 190 may be formed using a transparent silicone or a translucent resin. In particular, when the blue light is emitted from the LED chip 110, the encapsulation part 190 may include a phosphor having a complementary color with the blue light. Further injection may allow white light to be emitted from the light emitting device.

이상과 같은 상기 몰드부(170) 및 봉지부(190)는 당업계에 공지된 다양한 방법에 따라 그 재료 및 구조 등이 변경형성될 수 있다. The mold unit 170 and the encapsulation unit 190 as described above may be modified and formed in the material and structure thereof according to various methods known in the art.

상기 인쇄회로기판(200)은 PCB(Printed Circuit Board), FPCB(Flexible Printed Circuit Board), RFPCB(Rigid-Flexible Printed Circuit Board), AL PCB(Aluminium Printed Circuit Board) 등 다양한 인쇄회로기판이 이용될 수 있다. The printed circuit board 200 may use various printed circuit boards such as a printed circuit board (PCB), a flexible printed circuit board (FPCB), a rigid-flexible printed circuit board (RFPCB), and an aluminum printed circuit board (AL PCB). have.

상기 인쇄회로기판(200)은 상술한 구조의 발광 다이오드 패키지(100)를 수용하기 위한 관통홀(210)을 구비하고 있다. The printed circuit board 200 includes a through hole 210 for accommodating the LED package 100 having the above-described structure.

상기 관통홀(210)의 일측에는 제1 전극(230)이 형성되어 있고, 상기 관통홀(210)의 타측에는 제2 전극(250)이 형성되어 있다. The first electrode 230 is formed at one side of the through hole 210, and the second electrode 250 is formed at the other side of the through hole 210.

상기 제1 전극(230)은 상기 발광 다이오드 패키지(100)의 제1 리드 단자(130)와 연결되고, 상기 제2 전극(250)은 상기 발광 다이오드 패키지(100)의 제2 리드 단자(150)와 연결된다. The first electrode 230 is connected to the first lead terminal 130 of the LED package 100, and the second electrode 250 is the second lead terminal 150 of the LED package 100. Connected with.

상기 제1 전극(230) 및 제2 전극(250)은 수직 상태로 배열되어 있다. 따라서, 수직 상태로 배열된 상기 제1 전극(230) 및 제2 전극(250)은 수평 상태로 배열된 상기 제1 리드 단자(130) 및 상기 제2 리드 단자(150) 각각과 서로 교차하는 형태로 연결되게 된다. The first electrode 230 and the second electrode 250 are arranged in a vertical state. Accordingly, the first electrode 230 and the second electrode 250 arranged in the vertical state cross each other with the first lead terminal 130 and the second lead terminal 150 arranged in the horizontal state. Will be connected to.

상기 제1 전극(230)에는 제3 결합부(235)가 형성되어 있어, 상기 제1 전극(230)에 형성된 제3 결합부(235)와 상기 제1 리드 단자(130)의 일단에 형성된 제1 결합부(135) 사이에서 암수 결합이 이루어진다. 따라서, 상기 제3 결합부(235)가 암 형태의 홈 구조로 이루어진 경우에는 상기 제1 결합부(135)가 수 형태의 돌출 구조로 이루어지게 되고, 상기 제3 결합부(235)가 수 형태의 돌출 구조로 이루어진 경우에는 상기 제1 결합부(135)가 암 형태의 홈 구조로 이루어지게 된다. A third coupling part 235 is formed on the first electrode 230, and a third coupling part 235 formed on the first electrode 230 and a first end of the first lead terminal 130 are formed. Male and female coupling is made between the coupling portion 135. Therefore, when the third coupling portion 235 has a female groove structure, the first coupling portion 135 has a male protrusion structure, and the third coupling portion 235 has a male structure. When the protruding structure of the first coupling portion 135 is made of a female groove shape.

상기 제2 전극(250)에는 제4 결합부(255)가 형성되어 있어, 상기 제2 전극(250)에 형성된 제4 결합부(255)와 상기 제2 리드 단자(150)의 일단에 형성된 제2 결합부(155) 사이에서 암수 결합이 이루어진다. 따라서, 상기 제4 결합부(255)가 암 형태의 홈 구조로 이루어진 경우에는 상기 제2 결합부(155)가 수 형태의 돌출 구조로 이루어지게 되고, 상기 제4 결합부(255)가 수 형태의 돌출 구조로 이루어진 경우에는 상기 제2 결합부(155)가 암 형태의 홈 구조로 이루어지게 된다. A fourth coupling part 255 is formed on the second electrode 250 to form a fourth coupling part 255 formed on the second electrode 250 and one end of the second lead terminal 150. Male and female coupling is performed between the two coupling portions 155. Therefore, when the fourth coupling portion 255 has a female groove structure, the second coupling portion 155 has a male protrusion structure, and the fourth coupling portion 255 has a male structure. When the protruding structure of the second coupling portion 155 is made of a female groove shape.

이와 같이, 상기 제1 결합부(135), 제2 결합부(155), 제3 결합부(235), 제4 결합부(255) 각각은 수 형태의 돌출 구조 또는 암 형태의 홈 구조로 이루어지게 되는데, 그에 대해서 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다. As such, each of the first coupling part 135, the second coupling part 155, the third coupling part 235, and the fourth coupling part 255 may be formed in a male structure or a groove structure of a female shape. This is described in more detail as follows.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 상기 제1 리드 단자(130)와 상기 제1 전극(230) 사이의 암수 결합 모습을 도시한 단면도이다. 3A to 3D are cross-sectional views illustrating male and female couplings between the first lead terminal 130 and the first electrode 230 according to various embodiments of the present disclosure.

도 3a 내지 도 3d에서 알 수 있듯이, 상기 제1 리드 단자(130)의 일단에 형성된 제1 결합부(135)는 수 형태의 돌출 구조로 이루어지고, 상기 제1 전극(230)에 형성된 제3 결합부(235)는 암 형태의 홈 구조로 이루어진다. As shown in FIGS. 3A to 3D, the first coupling part 135 formed at one end of the first lead terminal 130 has a protruding structure in the form of a male, and a third formed in the first electrode 230. Coupling portion 235 is made of a female groove shape.

이때, 도 3a에서 알 수 있듯이 상기 제1 결합부(135) 및 제3 결합부(235)는 원형 단면구조로 이루어질 수도 있고, 도 3b에서 알 수 있듯이 상기 제1 결합부(135) 및 제3 결합부(235)는 사각형 단면구조로 이루어질 수도 있고, 도 3c에서 알 수 있듯이 상기 제1 결합부(135) 및 제3 결합부(235)는 삼각형 단면구조로 이루어질 수도 있고, 도 3d에서 알 수 있듯이 상기 제1 결합부(135) 및 제3 결합부(235)는 복수 개가 형성될 수도 있다. At this time, as can be seen in Figure 3a, the first coupling portion 135 and the third coupling portion 235 may be formed in a circular cross-sectional structure, as can be seen in Figure 3b the first coupling portion 135 and the third The coupling portion 235 may have a rectangular cross-sectional structure, and as shown in FIG. 3C, the first coupling portion 135 and the third coupling portion 235 may have a triangular cross-sectional structure, as shown in FIG. 3D. As shown, a plurality of first coupling parts 135 and third coupling parts 235 may be formed.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 다른 다양한 실시예에 따른 상기 제1 리드 단자(130)와 상기 제1 전극(230) 사이의 암수 결합 모습을 도시한 단면도이다. 4A to 4D are cross-sectional views illustrating male and female couplings between the first lead terminal 130 and the first electrode 230 according to various embodiments of the present disclosure.

도 4a 내지 도 4d에서 알 수 있듯이, 상기 제1 리드 단자(130)의 일단에 형성된 제1 결합부(135)는 암 형태의 돌출 구조로 이루어지고, 상기 제1 전극(230)에 형성된 제3 결합부(235)는 수 형태의 홈 구조로 이루어진다. As shown in FIGS. 4A to 4D, the first coupling part 135 formed at one end of the first lead terminal 130 has a protruding structure having a female shape, and a third formed at the first electrode 230. Coupling portion 235 is made of a groove shape of a male form.

이때, 도 4a에서 알 수 있듯이 상기 제1 결합부(135) 및 제3 결합부(235)는 원형 단면구조로 이루어질 수도 있고, 도 4b에서 알 수 있듯이 상기 제1 결합부(135) 및 제3 결합부(235)는 사각형 단면구조로 이루어질 수도 있고, 도 4c에서 알 수 있듯이 상기 제1 결합부(135) 및 제3 결합부(235)는 삼각형 단면구조로 이루어질 수도 있고, 도 4d에서 알 수 있듯이 상기 제1 결합부(135) 및 제3 결합부(235)는 복수 개가 형성될 수도 있다. At this time, as can be seen in Figure 4a, the first coupling portion 135 and the third coupling portion 235 may be formed in a circular cross-sectional structure, as can be seen in Figure 4b the first coupling portion 135 and the third The coupling part 235 may have a rectangular cross-sectional structure, and as shown in FIG. 4C, the first coupling part 135 and the third coupling part 235 may have a triangular cross-sectional structure, as shown in FIG. 4D. As shown, a plurality of first coupling parts 135 and third coupling parts 235 may be formed.

이상 설명한 구조 이외에, 상기 제1 결합부(135) 및 제3 결합부(235)는 원형, 타원형 등 다양한 곡선형 단면 구조로 이루어질 수 있고, 삼각형, 사각형, 오각형 등 다양한 다각형 단면구조로 이루어질 수도 있다. 또한, 상기 제1 결합부(135) 및 제3 결합부(235)는 상기 제1 리드 단자(130) 및 상기 제1 전극(230) 각각에 2개 이상의 복수 개로 형성될 수도 있다. In addition to the above-described structure, the first coupling portion 135 and the third coupling portion 235 may be made of various curved cross-sectional structures, such as circular, elliptical, or may be made of various polygonal cross-sectional structures, such as triangles, squares, and pentagons. . In addition, two or more first coupling parts 135 and third coupling parts 235 may be formed in each of the first lead terminal 130 and the first electrode 230.

이상은 서로 암수 결합하는 상기 제1 결합부(135) 및 상기 제3 결합부(235)의 구체적인 구성에 대해서 설명하였으며, 상기 제3 결합부(155) 및 상기 제4 결합부(255)의 구성도 마찬가지이므로 그에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다. The above has described the specific configuration of the first coupling portion 135 and the third coupling portion 235 which are male and female coupling with each other, the configuration of the third coupling portion 155 and the fourth coupling portion 255 Since it is also the same, a detailed description thereof will be omitted.

이상 설명한 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는, 발광 다이오드 패키 지(100)와 인쇄회로기판(200) 사이의 결합이 종래와 같은 솔더에 의한 방식이 아니고 분리가능한 암수 결합에 의한 방식이다. In the light emitting device according to the embodiment of the present invention described above, the coupling between the LED package 100 and the printed circuit board 200 is not a conventional solder method but a separable male and female coupling method.

즉, 도 2a 및 도 2b에서 알 수 있듯이, 상기 발광 다이오드 패키지(100)를 상기 인쇄회로기판(200)의 관통홀(210) 방향으로 삽입하는 간단한 작업에 의해서 상기 발광 다이오드 패키지(100)와 상기 인쇄회로기판(200) 사이에 암수 결합이 이루어져 상호 간의 결합이 완성되게 된다. 2A and 2B, the light emitting diode package 100 and the light emitting diode package 100 may be inserted by a simple operation of inserting the light emitting diode package 100 in the direction of the through hole 210 of the printed circuit board 200. Male and female coupling is made between the printed circuit board 200 to complete the coupling between each other.

또한, 상기 발광 다이오드 패키지(100)에 소정의 압력을 가하는 간단한 작업에 의해서 상기 발광 다이오드 패키지(100)와 상기 인쇄회로기판(200) 사이의 암수 결합이 해제되어 상기 발광 다이오드 패키지(100)를 상기 인쇄회로기판(200)으로부터 분리할 수 있게 된다. In addition, the male and female coupling between the light emitting diode package 100 and the printed circuit board 200 is released by a simple operation of applying a predetermined pressure to the light emitting diode package 100 so as to release the light emitting diode package 100 from the light emitting diode package 100. It can be separated from the printed circuit board 200.

특히, 상기 인쇄회로기판(200)에는 관통홀(210)이 형성되어 있기 때문에 상측 방향 및 하측 방향 중 어느 방향으로도 상기 발광 다이오드 패키지(100)와 상기 인쇄회로기판(200) 사이의 결합 또는 분리가 가능하다. In particular, since the through-hole 210 is formed in the printed circuit board 200, coupling or separation between the LED package 100 and the printed circuit board 200 in any of an upper direction and a lower direction. Is possible.

따라서, 본 발명에 따르면, 종래와 같이 복잡한 공정인 솔더 공정을 이용하지 않고 간단한 공정인 암수 결합 공정을 이용하여 인쇄회로기판(200)에 발광 다이오드 패키지(100)를 결합할 수 있기 때문에 공정 단순화로 인한 생산성 향상을 기대할 수 있다. Therefore, according to the present invention, the LED package 100 may be coupled to the printed circuit board 200 using a simple male and female coupling process, rather than using a solder process, which is a complicated process, and thus, the process may be simplified. Productivity improvement can be expected.

또한, 발광 다이오드 패키지(100)에 문제가 발생한 경우 인쇄회로기판(200)으로부터 발광 다이오드 패키지(100)를 용이하게 분리할 수 있기 때문에, 발광 다이오드 패키지(100) 만을 교체하거나 수리할 수 있어 발광 장치 전체를 폐기해야 하는 종래와 비교하여 경제성 면에서도 유리하다. In addition, when a problem occurs in the LED package 100, since the LED package 100 can be easily separated from the printed circuit board 200, only the LED package 100 can be replaced or repaired. It is also advantageous in terms of economics as compared with the conventional case where the whole must be discarded.

또한, 인쇄회로기판(200)의 관통홀(210) 내에 발광 다이오드 패키지(100)가 삽입되기 때문에 발광 장치 전체의 두께를 최소화할 수 있어 슬림 형태의 발광 장치 구현이 용이하게 된다. In addition, since the LED package 100 is inserted into the through hole 210 of the printed circuit board 200, the thickness of the entire light emitting device can be minimized, thereby facilitating the implementation of a slim light emitting device.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 장치의 개략적인 단면도로서, 이는 발광 다이오드 패키지(100)의 구성 중에서 제1 리드 단자(130) 및 제2 리드 단자(150)의 형태가 다소 변경된 점과 발광 다이오드 칩(110)이 안착부(115) 상에 위치하는 점을 제외하고는 전술한 도 2에 따른 발광 장치와 동일하다. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to another exemplary embodiment, in which the shape of the first lead terminal 130 and the second lead terminal 150 is slightly changed in the configuration of the LED package 100. The light emitting diode chip 110 is the same as the light emitting device of FIG. 2 except that the light emitting diode chip 110 is positioned on the seating portion 115.

따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다. Therefore, like reference numerals refer to like elements, and detailed descriptions of the same elements will be omitted.

도 5에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 발광 다이오드 칩(110)이 안착부(115) 상에 위치하고 있고, 상기 안착부(115)는 상기 몰드부(170)에 의해 지지되어 있다. 상기 안착부(115)는 상기 발광 다이오드 칩(110)이 위치하는 부분이 다른 부분에 비하여 상대적으로 낮은 높이로 형성된다. 결국, 도 5에 따른 발광 장치에서는 전술한 도 2에 따른 발광 장치에서보다 상대적으로 낮은 위치에 상기 발광 다이오드 칩(110)이 위치할 수 있다. As can be seen in Figure 5, according to another embodiment of the present invention, the light emitting diode chip 110 is located on the seating portion 115, the seating portion 115 is supported by the mold portion 170 have. The seating part 115 is formed at a relatively lower height than a portion where the light emitting diode chip 110 is located. As a result, in the light emitting device of FIG. 5, the light emitting diode chip 110 may be positioned at a relatively lower position than in the light emitting device of FIG. 2.

상기 제1 리드 단자(130) 및 제2 리드 단자(150)의 형태는 상기 안착부(115)의 형태에 대응하도록 구성될 수 있다. 도시된 바와 같이, 상기 제1 리드 단자(130) 및 제2 리드 단자(150)는 전체적으로는 수평 상태로 배열되며 중간에 구부러진 부분이 존재할 수 있다. 다만, 상기 구부러진 부분의 굽힘각은 대략 45도 이 내이기 때문에, 종래와 같이 90도 이상으로 구부리는 경우와는 구별된다. Shapes of the first lead terminal 130 and the second lead terminal 150 may be configured to correspond to the shape of the seating portion 115. As shown, the first lead terminal 130 and the second lead terminal 150 may be arranged in a horizontal state as a whole and a bent portion may be present in the middle. However, since the bending angle of the bent portion is within about 45 degrees, it is distinguished from the case of bending at 90 degrees or more as in the prior art.

도 1은 종래의 POB구조의 발광 장치의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device having a conventional POB structure.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치의 개략적인 단면도이다. 2A and 2B are schematic cross-sectional views of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 제1 리드 단자와 제1 전극 사이의 암수 결합 모습을 도시한 단면도이다.3A to 3D are cross-sectional views illustrating a male and female coupling state between a first lead terminal and a first electrode according to various embodiments of the present disclosure.

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 다른 다양한 실시예에 따른 제1 리드 단자와 제1 전극 사이의 암수 결합 모습을 도시한 단면도이다.4A to 4D are cross-sectional views illustrating a male and female coupling state between a first lead terminal and a first electrode according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 장치의 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부 구성에 대한 부호의 설명><Description of the code | symbol about the structure of the principal part of drawing>

100: 발광 다이오드 패키지 110: 발광 다이오드 칩100: light emitting diode package 110: light emitting diode chip

130: 제1 리드 단자 135: 제1 결합부130: first lead terminal 135: first coupling portion

150: 제2 리드 단자 155: 제2 결합부150: second lead terminal 155: second coupling portion

200: 인쇄회로기판 210: 관통홀200: printed circuit board 210: through hole

230: 제1 전극 235: 제3 결합부230: first electrode 235: third coupling portion

250: 제2 전극 255: 제4 결합부250: second electrode 255: fourth coupling portion

Claims (10)

발광 다이오드 칩, 및 상기 발광 다이오드 칩과 각각 전기적으로 연결되어 있는 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자를 포함하여 이루어진 발광 다이오드 패키지; 및A light emitting diode package comprising a light emitting diode chip and a first lead terminal and a second lead terminal electrically connected to the light emitting diode chip, respectively; And 상기 발광 다이오드 패키지의 제1 리드 단자와 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극 및 상기 발광 다이오드 패키지의 제2 리드 단자와 전기적으로 연결되어 있는 제2 전극을 포함하여 이루어진 인쇄회로기판을 포함하여 이루어지고, And a printed circuit board including a first electrode electrically connected to the first lead terminal of the LED package and a second electrode electrically connected to the second lead terminal of the LED package. 상기 제1 리드 단자의 일단에는 제1 결합부가 형성되어 있고 상기 제1 전극에는 상기 제1 결합부와 암수 결합할 수 있는 제3 결합부가 형성되어 있고, A first coupling portion is formed at one end of the first lead terminal, and a third coupling portion is formed at the first electrode to enable male and female coupling with the first coupling portion. 상기 제2 리드 단자의 일단에는 제2 결합부가 형성되어 있고 상기 제2 전극에는 상기 제2 결합부와 암수 결합할 수 있는 제4 결합부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치. A second coupling portion is formed at one end of the second lead terminal, and the second electrode is formed with a fourth coupling portion capable of male and female coupling with the second coupling portion. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 인쇄회로기판은 상기 발광 다이오드 패키지를 수용하기 위한 관통홀을 구비하고 있고, 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 관통홀을 통해서 상측 방향 또는 하측 방향으로 상기 인쇄회로기판과 결합 또는 분리가 가능한 것을 특징으로 하는 발광 장치. The printed circuit board includes a through hole for accommodating the light emitting diode package, and the light emitting diode package is coupled to or separated from the printed circuit board in an upward direction or a downward direction through the through hole. Light emitting device. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제1 전극은 상기 관통홀의 일측에 형성되어 있고, 상기 제2 전극은 상기 관통홀의 타측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치. And the first electrode is formed at one side of the through hole, and the second electrode is formed at the other side of the through hole. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 리드 단자와 상기 제1 전극은 서로 교차하는 방향으로 연결되어 있고, 상기 제2 리드 단자와 상기 제2 전극도 서로 교차하는 방향으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치. And the first lead terminal and the first electrode are connected in a direction crossing each other, and the second lead terminal and the second electrode are connected in a direction crossing each other. 제4항에 있어서, 5. The method of claim 4, 상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자는 수평 방향으로 배열되어 있고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 수직 방향으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치. And the first lead terminal and the second lead terminal are arranged in a horizontal direction, and the first electrode and the second electrode are arranged in a vertical direction. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 결합부는 곡선형 또는 다각형 단면의 홈 구조 또는 돌출 구조로 이루어져 있고, 상기 제3 결합부는 곡선형 또는 다각형 단면의 돌출 구조 또는 홈 구조로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치. The first coupling portion has a groove structure or a protrusion structure having a curved or polygonal cross section, and the third coupling portion has a protrusion structure or a groove structure having a curved or polygonal cross section. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 결합부는 상기 제1 리드 단자의 일단에 복수 개가 형성되어 있고, 상기 제3 결합부는 상기 제1 전극에 복수 개가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치. And a plurality of first coupling parts are formed at one end of the first lead terminal, and a plurality of third coupling parts are formed at the first electrode. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자는 구부리지 않은 직선 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치. The first lead terminal and the second lead terminal is a light emitting device, characterized in that formed in a straight structure not bent. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 발광 다이오드 칩이 위치하는 안착부를 추가로 포함하여 이루어지고, 상기 안착부는 상기 발광 다이오드 칩이 위치하는 부분이 다른 부분에 비하여 상대적으로 낮은 높이로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 장치. The light emitting diode package may further include a mounting part in which the light emitting diode chip is located, and the mounting part is formed at a relatively lower height than a portion in which the light emitting diode chip is located. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 제1 리드 단자 및 제2 리드 단자를 지지하기 위한 몰드부; 및 상기 몰드부 상측의 개구 영역에 형성된 봉지부를 추가로 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 장치.The LED package may include a mold unit for supporting the first lead terminal and the second lead terminal; And an encapsulation portion formed in the opening region above the mold portion.
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KR20150129770A (en) * 2013-03-05 2015-11-20 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 Optoelectronic component and electronic device having an optoelectronic component

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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