KR20110072281A - 플라즈마 발생장치 - Google Patents

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Abstract

대형화가 용이하도록 구조가 개선된 플라즈마 발생장치가 개시된다. 이를 위한, 플라즈마 발생장치는 피처리물체를 처리하는 처리공간이 형성되고, 상면이 개구되게 형성된 챔버 본체와, 챔버 본체의 상측에 배치된 유전체 플레이트와, 유전체 플레이트의 상측에 배치되어 처리공간에 유도 전계를 형성하는 안테나와, 챔버 본체와 유전체 플레이트 사이에 개재되어 유전체 플레이트의 하면의 적어도 일부가 챔버 본체 내부로 노출될 수 있도록 유전체 플레이트 하면의 가장자리의 적어도 일부를 상방으로 지지하도록 형성된 리드 플레이트와, 리드 플레이트의 상측에 결합된 구조물을 포함하며, 구조물은 안테나가 수용되는 안테나실이 형성되어 안테나로부터 발생되는 유도 전계를 차폐하는 커버부재와, 커버부재를 지지하는 프레임부재를 포함한다. 이에 따라, 구조물이 프레임부재와 커버부재로 이루어져 있으므로, 구조물의 자중을 과도하게 증가시키지 않으면서도 플라즈마 발생장치의 대형화를 용이하게 구현할 수 있다.

Description

플라즈마 발생장치{Apparatus for generating plasma}
본 발명은 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 평판패널 또는 웨이퍼를 제조하기 위한 공정에 사용되는 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 웨이퍼 또는 평판표시장치 등과 같은 미세패턴을 요구하는 기술분야에서는 플라즈마 식각(Plasma Etching) 및 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등 각종 표면처리 공정을 수행하기 위해 플라즈마를 사용한다. 이러한 플라즈마를 생성하기 위해서는 이온화 가스에 RF를 공급하는 방식이 일반적으로 사용되는데, 플라즈마 제조공정에서 이온화 가스를 플라즈마로 만들기 위해 RF를 공급하는 방식은 다양한 형태로 구현되어 왔다.
플라즈마 발생장치의 구조의 일예로, 안테나와, 유전체 플레이트와, 챔버 본체를 포함한다. 안테나는 고주파 전력을 인가받아 유도 전계를 발생시켜서 후술할 챔버 본체에 플라즈마가 발생될 수 있게 한다. 유전체 플레이트는 안테나의 하측에 배치되어 후술할 챔버 본체와 안테나 사이를 절연한다. 챔버 본체의 내부에는 기판 또는 웨이퍼 등의 피처리물체의 표면이 플라즈마에 의해 처리되는 처리공간이 형성된다. 이러한 챔버 본체의 상면에는 리드 플레이트가 배치된다. 리드 플레이 트는 유전체 플레이트 하면의 가장자리를 상방으로 지지하도록 형성된다.
한편, 챔버 본체의 처리공간에서 피처리물체를 처리하는 과정은 진공 상태에서 진행되는 것이 일반적이다. 그리고, 유전체 플레이트의 소재로 세라믹, 석영 등이 사용된다. 따라서, 유전체 플레이트의 상측이 대기압 상태 인 경우, 챔버 본체의 처리공간과 외부의 압력 차에 의해 유전체 플레이트 및 리드 플레이트에 응력이 작용하게 된다. 이러한 응력과 리드 플레이트의 자중에 의해 리드 플레이트가 변형될 수 있다. 그리고, 리드 플레이트의 변형에 의해 유전체 플레이트에 크랙이 발생할 수 있다. 또한, 상기와 같은 플라즈마 발생장치가 대형화될수록 유전체 플레이트의 넓이 및 두께도 커지게 된다. 이에 따라, 유전체 플레이트의 자중이 증가되고, 증가된 자중에 의해 리드 플레이트에 과도한 응력이 작용하여 리드 플레이트가 변형될 수 있다.
한편, 전술한 구조와 다르게 리드 플레이트의 상면에 상측 챔버가 배치되어 유전체 플레이트의 상측이 진공 상태일 수 있다. 상측 챔버는 하면에 개구되게 형성된 육면체인 것이 일반적이고, 상기 육면체를 구성하는 면들은 특정 두께로 이루어진다. 이러한 상측 챔버를 포함하는 플라즈마 발생장치가 대형화될수록 상측 챔버가 내압에 의해 변형되지 않게 하기 위하여 상기 면들의 두께도 두꺼워져야 한다. 그러나, 면들의 두께가 증가할수록 제조가 어려워질 뿐만 아니라, 상측 챔버의 자중이 과도하게 증가될 수 밖에 없으므로 리드 플레이트 또는 상측 챔버 자체의 변형을 초래할 수 있다.
본 발명은 대형화가 용이하도록 구조가 개선된 플라즈마 발생장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 발생장치는 플라즈마 발생장치는 피처리물체를 처리하는 처리공간이 형성되고, 상면이 개구되게 형성된 챔버 본체와, 챔버 본체의 상측에 배치된 유전체 플레이트와, 유전체 플레이트의 상측에 배치되어 처리공간에 유도 전계를 형성하는 안테나와, 챔버 본체와 유전체 플레이트 사이에 개재되어 유전체 플레이트의 하면의 적어도 일부가 챔버 본체 내부로 노출될 수 있도록 유전체 플레이트 하면의 가장자리의 적어도 일부를 상방으로 지지하도록 형성된 리드 플레이트와, 리드 플레이트의 상측에 결합된 구조물을 포함하며, 구조물은 안테나가 수용되는 안테나실이 형성되어 안테나로부터 발생되는 유도 전계를 차폐하는 커버부재와, 커버부재를 지지하는 프레임부재를 포함한다.
본 발명에 따른 플라즈마 발생장치는 구조물이 프레임부재와 커버부재로 이루어져 있으므로, 구조물의 자중을 과도하게 증가시키지 않으면서도 플라즈마 발생장치의 대형화를 용이하게 구현할 수 있다.
이하 첨부된 도면에 따라서 본 발명의 기술적 구성을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 플라즈마 발생장치를 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 플라즈마 발생장치(100)는 챔버 본체(110)와, 유전체 플레이트(130)와, 안테나(120)와, 리드 플레이트(180)와, 구조물(140)을 포함한다.
챔버 본체(110)의 내부에는 피처리물체를 처리하는 처리공간이 형성된다. 처리공간에서는 피처리물체가 에칭(etching), 증착(evaporation) 및 표면개질(reforming) 등의 다양한 방법에 의해 처리된다. 처리공간은 미도시된 진공 펌프에 의해 진공인 상태가 유지될 수 있다. 이를 위한 챔버 본체(130)는 상면이 개구되게 형성된다. 챔버 본체(130)의 개구된 상면을 통하여 후술할 유전체 플레이트(130)의 하면이 노출된다.
안테나(120)는 플라즈마를 생성하기 위한 유도 전계를 발생시킨다. 이를 위해 안테나(120)에는 주파수가 대략 13.56㎒인 고주파 전력이 인가될 수 있다. 안테나(120)는 미도시된 급전부를 포함하며, 급전부는 후술할 전원공급부재와 전기적으로 연결된다. 전원공급부재는 RF 전력을 공급하는 역할을 한다. 전원공급부재와 안테나(120)를 연결하는 라인 상에는 정합기가 배치될 수 있다. 정합기는 안테나(120)의 임피던스를 제어한다. 안테나(120)는 챔버 본체(110)의 처리공간에 기 체의 자속선을 유도적으로 공급할 수 있도록 전기 전도형 금속으로 이루어질 수 있다.
유전체 플레이트(130)는 챔버 본체(130)의 상측, 바람직하게는 후술할 리드 플레이트(180)의 상면에 배치되어 하면이 챔버 본체(130) 내부로 노출되도록 형성된다. 유전체 플레이트(130)는 안테나(120)에 인가된 고주파 전력이 챔버 본체(110)로 전달되는 것을 방지한다. 이를 위한 유전체 플레이트(130) 소재의 일예로 세라믹, 석영 등이 사용될 수 있는데, 이러한 소재는 절연성이 우수하여 안테나(120)에 인가된 고주파 전력의 전달을 제한하기에 적합하다.
리드 플레이트(180)는 유전체 플레이트(130)의 하면의 적어도 일부가 챔버 본체(110) 내부로 노출될 수 있게 한다. 이를 위한 리드 플레이트(180)는 챔버 본체(110)와 유전체 플레이트(130) 사이에 개재되어 유전체 플레이트(130) 하면의 가장자리의 적어도 일부를 상방으로 지지하도록 형성된다. 즉, 리드 플레이트(180)는 챔버 본체(110)의 상면의 가장자리와 대응되도록 형성된다. 피처리물체가 평판패널 제조용 기판인 경우, 리드 플레이트(180)의 형상은 기판과 대응되는 사각형이다. 단, 리드 플레이트(180)의 형상을 이에 한정하지는 않는다.
상기와 같은 리드 플레이트(180)에 의해 유전체 플레이트(130)의 하면의 일부는 챔버 본체(110)의 처리공간으로 노출된다. 리드 플레이트(180)는 챔버 본체(110)와 동일한 재질의 일체화된 부재일 수도 있고, 챔버 본체(110)와 리드 플레이트(180)를 각각 제조하여 서로 결합시키는 것도 가능하다. 이러한 리드 플레이트(180)와 챔버 본체(110)가 각각 제조되는 경우, 리드 플레이트(180)와 챔버 본 체(110) 사이에는 씰링부재가 개재될 수 있다. 또한, 리드 플레이트(180)와 유전체 플레이트(130) 사이에는 씰링부재가 개재될 수 있다. 씰링부재들은 챔버 본체(110)의 처리공간이 진공인 경우, 이러한 진공상태가 유지될 수 있게 한다. 한편, 리드 플레이트(180)의 내부를 통하여 플라즈마를 생성하기 위한 가스가 이송되어 챔버 본체(110)의 처리공간으로 분사될 수 있다. 그리고, 씰링부재들은 처리공간에 분사된 가스가 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있다.
구조물(140)은 리드 플레이트(180)의 상측에 결합된다. 구조물(140) 내 에는 안테나(120)가 수용된다. 이러한 구조물(140)은 커버부재(160)와 프레임부재(150)를 포함한다. 커버부재(160)는 안테나(120)를 수용할 수 있도록 형성되어 안테나(120)로부터 발생되는 유도 전계를 차폐한다. 이를 위한 커버부재(160) 내에는 안테나실이 형성된다. 이러한 커버부재(160)의 상세한 형상은 후술하기로 한다. 프레임부재(150)는 커버부재(160)를 지지한다. 즉, 프레임부재(150)는 구조물(140)의 골격을 형성하고, 커버부재(160)는 골격 사이의 빈공간을 채우도록 형성된다. 이러한 프레임부재(150)의 높이 및 넓이는 안테나(120)의 높이 및 넓이 보다는 큰 값인 것이 바람직하다. 이는 프레임부재(150) 내에 안테나(120)가 수용될 수 있게 하기 위함이다.
상기와 같은 구조로 이루어진 본 발명의 플라즈마 발생장치(100)는, 구조물(140)이 프레임부재(150)와 커버부재(160)로 이루어져 있으므로, 구조물(140)의 자중을 과도하게 증가시키지 않으면서도 플라즈마 발생장치(100)의 대형화를 용이하게 구현할 수 있다. 또한, 구조물(140)은 골격 형태의 프레임부재(150)와, 커버 부재(160)를 별도로 제조하여 조립할 수 있으므로, 일체로 형성된 상측 챔버를 제조하는 방법보다 용이하게 제조할 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 플라즈마 발생장치(100)의 분해사시도이다.
도 3을 참조하여 전술한 프레임부재(150)의 구조를 상세하게 설명한다. 프레임부재는(150)는 제1지지부(151)와, 제2지지부(152)를 포함한다.
제1지지부(151)는 리드 플레이트(180)로부터 상방으로 일정 거리 이격 배치된다. 즉, 제1지지부(151)는 리드 플레이트(180)로부터 안테나(120)의 높이 보다 더 높은 위치에 위치된다.
제2지지부(152)는 제1지지부(151)와 리드 플레이트(180)를 연결하도록 형성된다. 제2지지부(152)는 제1지지부(151)가 수평 및 수직으로 이동되는 것을 제한한다.
상기와 같은 제1지지부(151)와, 제2지지부(152)로 이루어진 프레임부재(150)는 구조물(140) 자체의 형상을 유지하면서 구조물(140)을 경량화하는데 있어서 유리하므로, 플라즈마 발생장치(100)가 대형화되더라도 유전체 플레이트(130)의 자중, 챔버 본체(110)에서 발생된 진공압력, 커버부재(160)의 자중 및 프레임부재(150)의 자중 등에 의해 구조물(140)이 변형되는 것을 방지할 수 있다.
전술한 제1지지부(151)와 제2지지부(152)의 구조의 일예를 설명한다.
제1지지부(151)는 제1수평지지빔(151a)과 제2수평지지빔(151b)을 포함할 수 있고, 제2지지부(152)는 두 개의 제1수직지지빔(152a)들과 두 개의 제2수직지지빔(152b)을 포함할 수 있다.
제1지지부(151)의 제1수평지지빔(151a)과 제2수평지지빔(151b)은 일부가 교차되도록 형성된다. 더욱 상세하게 설명하면, 제1지지부(151)의 제1수평지지빔(151a)과 제2수평지지빔(151b)은 동일한 수평면에 중간 부분이 90°로 서로 교차되도록 형성된다. 예를 들어, 구조물(140)의 형상이 직사각형인 경우, 제1수평지지빔(151a)과 제2수평지지빔(151b)은 서로 다른 길이로 이루어지고, 제1수평지지빔(151a)과 제2수평지지빔(151b)은 중간 부분이 서로 교차하도록 형성된다. 이에 따라, 제1지지부(151)의 형상은 "+" 십자형상이 된다. 여기서, 구조물(140)이 정사각형인 경우, 제1수평지지빔(151a)과 제2수평지지빔(151b)은 동일한 길이가 된다.
제2지지부(152)의 구조를 상세하게 설명하면, 두 개의 제1수직지지빔(152a)들은 제1수평지지빔(151a)의 양단과 리드 플레이트(180)를 연결한다. 즉, 어느 하나의 제1수직지지빔(152a)의 상단은 제1수평지지빔(151a)의 일단에 연결되고, 제1수직지지빔(152a)의 하단은 리드 플레이트(180)에 연결된다. 그리고, 나머지 하나의 제1수직지지빔(152a)의 상단은 제1수평지지빔(151a)의 타단에 연결되고, 제1수직지지빔(152a)의 하단은 리드 플레이트(180)에 연결된다.
두 개의 제2수직지지빔(152b)들은 리드 플레이트(180)와 제2수평지지빔(151b)의 양단을 각각 연결한다. 이러한 제2수직지지빔(152b)들 중에서 어느 하나의 제2수직지지빔(152b)의 상단은 제1수평지지빔(151a)의 일단에 연결되고, 제2수직지지빔(152b)의 하단은 리드 플레이트(180)에 연결된다. 그리고, 나머지 하나의 제2수직지지빔(152b)의 상단은 제1수평지지빔(151a)의 타단에 연결되고, 제2수 직지지빔(152b)의 하단은 리드 플레이트(180)에 연결된다.
한편, 프레임부재(150)가 상기와 같은 구조로 이루어진 경우, 커버부재(160)는 4개의 단위 커버부(161,162,163,164)들을 포함할 수 있다. 단위 커버부(161)는 우면부(161b), 좌면부(161a) 및 상면부(161c)를 포함한다. 그리고, 각각의 우면부(161b), 좌면부(161a) 및 상면부(161c)는 서로 90°를 이루도록 형성된다. 이러한 단위 커버부(164)는 제1수직지지빔(152a)과 제2수직지지빔(152b) 각각의 측면에 결합된다. 상기와 같은 형상의 커버부재(160)가 프레임부재(150)에 결합됨으로써, 구조물(140) 내부에 안테나(120, 도 2 참조)가 수용될 수 있는 안테나실(120)이 형성될 수 있다.
이와 다르게, 커버부재(160)의 변형예로 하측이 개구된 육면체일 수 있다. 이 경우, 프레임부재(150)는 커버부재(160)의 외면에 형성되어 커버부재(160)의 형상이 유지될 수 있게 한다.
한편, 전술한 제1지지부(252)의 형상을 전술한 구조로 한정하지는 않으며, 영문 알파벳 "H","I" 또는 한글 모음인 "ㅍ","ㅁ" 형상 등 다양한 형상이 될 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 플라즈마 발생장치에서 단위 유전체와 리드 플레이트를 발췌하여 도시한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 유전체 플레이트(130)는 복수의 단위 유전체(131,132,133,134)들을 포함할 수 있다. 단위 유전체(131,132,133,134)들은 서로 동일한 크기 및 형상으로 이루어질 수 도 있다. 이와 다르게 단위 유전 체(131,132,133,134)들은 서로 다른 크기 및 형상으로 이루어질 수 도 있다. 예를 들어, 유전체 플레이트(130)는 4개의 단위 유전체(131,132,133,134)들로 이루어질 수 있다. 그리고, 단위 유전체(131,132,133,134)들은 동일한 크기의 정사각형일 수 있다. 이러한 단위 유전체(131,132,133,134)들 각각은 동일한 평면에 가로 2개, 세로 2개씩 나란하게 배치된다.
도 5는 단위 유전체의 변형예를 도시한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 유전체 플레이트(730)의 변형예로 3개의 단위 유전체(731,732,733)들로 이루어질 수 있다. 그리고, 단위 유전체(731,732,733)들은 동일한 크기의 직사각형일 수 있다. 이러한 단위 유전체(731,732,733)들은 동일한 평면에 3개의 단위 유전체(731,732,733)가 순차적으로 배치될 수 있다.
한편, 상기와 같은 단위 유전체(731,732,733)들이 안착될 수 있도록 리드 플레이트(180)는 적어도 하나의 유전체 지지부(181)를 포함한다. 유전체 지지부(181)는 적어도 양단이 리드 플레이트(180)에 연결된다. 이러한 유전체 지지부(181)는 단위 유전체(931)의 하면의 적어도 일부를 상방으로 지지한다. 이를 위한 유전체 지지부(181)는 바(bar)형상일 수 있다. 그리고, 바형상의 유전체 지지부(181)의 폭은 단위 유전체(131,132)들 사이의 간격보다 넓게 형성되어, 단위 유전체(131,132)의 하면의 가장자리의 적어도 일부를 상방으로 지지한다.
한편, 도 4로 되돌아가서 유전체 지지부(181)는 단위 유전체(133)의 하면과 대응되는 영역(181a)이 인입되게 형성되어 단위 유전체(133)의 하면의 가장자리의 적어도 일부가 유전체 지지부(181)에 안착되게 하여 단위 유전체(133)가 리드 플레 이트(180)에 안정적으로 수용되게 할 수 있다.
한편, 도 3으로 되돌아가서 구조물(140)은 제3지지부(153)를 더 포함할 수 있다. 제3지지부(153)는 상단이 제1지지부(151)에 결합되고, 하단이 유전체 지지부(181)에 결합된다. 유전체 플레이트(130)의 자중 및 챔버 본체(110)의 처리공간 내의 진공압력에 의해 유전체 지지부(181)에 응력이 작용될 수 있다. 제3지지부(153)는 유전체 지지부(181)에 작용하는 응력이 제1지지부(151)로 분산되도록 한다. 제3지지부(153)는 제1지지부(151)와 일체로 형성되는 것도 가능하고, 제3지지부(153)와 제1지지부(151)를 각각 제조하여 결합시키는 것도 가능하다. 제3지지부(153)와 제1지지부(151)의 결합 또는 제3지지부(153)와 유전체 지지부(181)의 결합은 볼트 결합 또는 용접이 사용될 수 있다. 단, 상기 결합방법을 볼트 결합 또는 용접으로 한정하지는 않는다.
상기와 같은 제3지지부(153)에 의해 유전체 플레이트(130)의 넓이 및 두께가 증가되어 유전체 지지부(181)에 가해지는 응력의 크기가 증가되더라도, 유전체 지지부(181)가 변형되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 커버부재(160)는 프레임부재(150)보다 두께가 얇게 형성된 것이 바람직하다.
커버부재(160)의 두께가 프레임부재(150)의 두께보다 같거나 두꺼운 경우, 커버부재(160)의 자중에 의해 프레임부재(150)에 과도한 응력이 전달되어 프레임부재(150)의 변형을 초래할 수 있다. 그러나, 상기와 같이 커버부재(160)의 두께를 프레임부재(150)의 두께보다 얇게 형성함으로써, 커버부재(160)의 자중을 최소화하 여 프레임부재(150)가 변형되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기와 같이 커버부재(160)의 두께를 프레임부재(150)의 두께보다 얇게 하기 위해 프레임부재(150)는 강성이 우수한 소재가 사용될 수 있다. 이러한 프레임부재(150)의 소재의 일예로 강철(steel)일 수 있다. 프레임부재(150)는 강철중에서도 강성이 상대적으로 우수한 탄소강, 합급강 등이 사용될 수 있다. 그리고, 커버부재(160)의 소재의 일예로 알루미늄 또는 도전성 강화 플라스틱일 수 있다. 특히, 알루미늄은 다른 금속들보다 가볍고 내구성이 우수하다.
여기서, 프레임부재(150)가 강철로 이루어지고, 커버부재(160)가 알루미늄인 것으로 한정하지는 않으며, 구조물의 자중을 감소시킬 수 있으면서 구조물이 변형되지 않을 수 있는 소재이면 어떤 소재를 사용하여도 무방하다.
한편, 도 2로 되돌아가서 플라즈마 발생장치(100)의 상세한 구조의 일예를 설명한다.
플라즈마 발생장치(100)는 고정유닛(170)과 미도시된 가스공급유닛을 더 포함할 수 있다.
고정유닛(170)은 유전체 플레이트(130)의 하측에 배치되고, 챔버 본체(110)의 처리공간에 배치된다. 고정유닛(170)에는 피처리 물체가 안착된다. 여기서, 피처리 물체는 웨이퍼 또는 평판패널을 제조하는데 사용되는 기판일 수 있다. 이러한 고정유닛(170)의 일예로 정전척일 수 있다. 정전척은 정전력을 발생시켜서 피처리 물체의 이동을 제한한다. 이를 위해 정전척은 미도시된 직류전원과 전기적으로 연결되어, 직류전원으로부터 주파수가 2㎒ 내지 4㎒인 전력이 인가된다. 이 러한 전력이 정전척에 인가되면, 정전척으로부터 정전력이 발생되어 피처리물체가 안정적으로 고정될 수 있다. 이러한 정전척에는 가열 수단이나 냉각 수단이 배치될 수 있다. 이는, 기판의 온도를 일정 온도로 유지하여 플라즈마에 의해 기판이 과열되어 파손되는 것을 방지하기 위함이다.
미도시된 가스공급유닛은 일측이 챔버 본체(110)의 처리공간과 연통되도록 배치되어 챔버 본체(110)의 처리공간으로 가스를 공급한다. 가스공급유닛에서 공급되는 가스는 챔버 본체(110)를 관통하여 챔버 본체(110)의 처리공간으로 공급될 수 있다. 한편, 미도시되엇으나 전술한 프레임부재(150)의 리드 플레이트(180) 및 유전체 지지부(181) 내부에 가스 유로를 형성하고 리드 플레이트(180) 및 유전체 지지부(181)의 하측에 복수개의 분사홀들을 형성하여 리드 플레이트(180) 및 유전체 지지부(181)를 통하여 챔버 본체(110)의 처리공간으로 가스가 분사되도록 하는 것도 가능하다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 플라즈마 발생장치를 도시한 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 발생장치의 X-X라인을 따라 취한 단면도.
도 3은 도 1에 도시된 플라즈마 발생장치의 분해사시도.
도 4는 도 3에 도시된 플라즈마 발생장치에서 단위 유전체와 리드 플레이트를 발췌하여 도시한 평면도.
도 5는 단위 유전체의 변형예를 도시한 평면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100: 플라즈마 발생장치 110: 챔버 본체
120: 안테나 130: 유전체 플레이트
131,132,133,134: 단위 유전체
140: 구조물 150: 프레임부재
151: 제1지지부 151a: 제1수평지지빔
151b: 제2수평지지빔 152: 제2지지부
152a: 제1수직지지빔 152b: 제2수직지지빔
153: 제3지지부 160: 커버부재
170: 고정유닛 180: 리드 플레이트
181: 유전체 지지부

Claims (5)

  1. 피처리물체를 처리하는 처리공간이 형성되고, 상면이 개구되게 형성된 챔버 본체와, 상기 챔버 본체의 상측에 배치된 유전체 플레이트와, 상기 유전체 플레이트의 상측에 배치되어 상기 처리공간에 유도 전계를 형성하는 안테나와, 상기 챔버 본체와 상기 유전체 플레이트 사이에 개재되어 상기 유전체 플레이트의 하면의 적어도 일부가 챔버 본체 내부로 노출될 수 있도록 상기 유전체 플레이트 하면의 가장자리의 적어도 일부를 상방으로 지지하도록 형성된 리드 플레이트와, 상기 리드 플레이트의 상측에 결합된 구조물을 포함하는 플라즈마 발생장치에 있어서,
    상기 구조물은:
    상기 안테나가 수용되는 안테나실이 형성되어 상기 안테나로부터 발생되는 유도 전계를 차폐하는 커버부재; 및
    상기 커버부재를 지지하는 프레임부재;
    를 포함하는 플라즈마 발생장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 프레임부재는:
    상기 리드 플레이트로부터 상방으로 일정 거리 이격 배치된 제1지지부; 및
    상기 제1지지부와 상기 리드 플레이트를 연결하도록 형성된 제2지지부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유전체 플레이트는 복수의 단위 유전체들을 포함하고,
    상기 리드 플레이트는,
    상기 단위 유전체의 하면의 적어도 일부를 상방으로 지지하도록 적어도 양단이 상기 리드 플레이트에 연결된 적어도 하나의 유전체 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 구조물은,
    상단이 상기 제1지지부에 결합되고, 하단이 상기 유전체 지지부에 결합된 제3지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 커버부재는,
    상기 프레임부재보다 두께가 얇게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
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