KR20110071036A - Display device - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 표시장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a display device.
현재는 박막트랜지스터(Thin-Film-Transistor)와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 매트릭스 방식으로 배열된 액티브 매트릭스형 액정표시장치가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다. Currently, an active matrix liquid crystal display device having a thin film transistor (Thin-Film-Transistor) and pixel electrodes connected to the thin film transistor in a matrix manner is attracting the most attention due to its excellent resolution and ability to implement video.
특히, 어레이 기판에 공통전극 및 화소전극이 함께 배치되는 횡전계방식(IPS: In-Plane Switching)의 액정표시장치가 널리 사용되고 있다.In particular, in-plane switching (IPS) liquid crystal display devices in which a common electrode and a pixel electrode are disposed together on an array substrate are widely used.
종래기술에 따른 액정표시장치의 구동영역에 대한 빛샘은 상부 기판에 마련된 블랙 매트릭스에 의해 차단되는 데, 만약 상부 기판 및 하부 기판의 합착시 발생될 수 있는 오정렬등으로 인해 빛샘 또는 픽셀 사이의 불균일이 발생하게 된다. Light leakage to the driving region of the liquid crystal display according to the prior art is blocked by the black matrix provided on the upper substrate, if the unevenness between the light leakage or the pixel due to misalignment that may occur when the upper substrate and the lower substrate is bonded. Will occur.
또한, 이렇게 발생될 수 있는 빛샘을 막기 위해, 블랙매트릭스의 폭을 넓게 하는 경우에는 개구율이 감소하게 되는 문제점이 있다. In addition, in order to prevent light leakage that may be generated in this way, when the width of the black matrix is widened, there is a problem that the aperture ratio is reduced.
실시예는 블랙매트릭스 패턴의 오정렬에 의해서, 화소 영역들 사이의 휘도 차이가 발생되는 현상을 방지하는 표시장치를 제공하고자 한다.Embodiments provide a display device that prevents a phenomenon in which luminance differences between pixel regions are generated due to misalignment of a black matrix pattern.
일 실시예에 따른 표시장치는 제 1 방향으로 연장되는 제 1 게이트 배선; 상기 제 1 게이트 배선과 나란히 배치되는 제 2 게이트 배선; 상기 제 1 게이트 배선 및 상기 제 2 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선; 상기 데이터 배선에 인접하여, 상기 데이터 배선과 나란히 배치되는 제 1 공통 배선; 상기 제 1 공통 배선과 전기적으로 연결되고, 상기 데이터 배선과 인접하여, 상기 데이터 배선과 나란히 배치되는 제 2 공통 배선; 상기 제 1 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 교차하는 영역에 배치되는 제 1 박막 트랜지스터; 상기 제 1 박막 트랜지스터와 연결되고, 상기 제 1 공통 배선과 중첩되는 제 1 메인 화소전극; 및 상기 제 2 공통 배선과 중첩되고, 상기 제 2 공통 배선에 접속되는 제 2 메인 공통전극을 포함하고, 상기 데이터 배선은 상기 제 1 공통 배선 및 상기 제 2 공통 배선 사이에 배치된다.In an exemplary embodiment, a display device includes: a first gate wire extending in a first direction; A second gate line arranged in parallel with the first gate line; A data line crossing the first gate line and the second gate line; First common wiring adjacent to the data wiring and arranged in parallel with the data wiring; A second common line electrically connected to the first common line and adjacent to the data line and disposed in parallel with the data line; A first thin film transistor disposed in an area crossing the first gate line and the data line; A first main pixel electrode connected to the first thin film transistor and overlapping the first common line; And a second main common electrode overlapping the second common wiring and connected to the second common wiring, wherein the data wiring is disposed between the first common wiring and the second common wiring.
일 실시예에 따른 표시장치는 서로 나란히 연장되는 제 1 게이트 배선 및 제 2 게이트 배선; 상기 제 1 게이트 배선 및 상기 제 2 게이트 배선과 교차하는 제 1 데이터 배선 및 제 2 데이터 배선; 상기 제 1 데이터 배선에 인접하여, 상기 제 1 데이터 배선과 나란히 배치되는 제 1 공통 배선; 상기 제 2 데이터 배선에 인접하여, 상기 제 2 데이터 배선과 나란히 배치되는 제 2 공통 배선; 상기 제 1 공통 배 선 및 상기 제 2 공통 배선 사이에 개재되며, 상기 제 1 공통 배선 및 상기 제 2 공통 배선과 연결되고, 상기 제 1 공통 배선과 제 1 화소 영역을 정의하고, 상기 제 2 공통 배선과 제 2 화소 영역을 정의하는 제 3 공통배선; 상기 제 1 게이트 배선과 상기 제 1 데이터 배선이 교차하는 영역에 배치되는 제 1 박막 트랜지스터; 상기 제 1 박막 트랜지스터와 연결되며, 상기 제 3 공통전극과 일부 중첩되는 제 1 메인 화소전극; 및 상기 제 3 공통전극에 접속되고, 상기 제 1 메인 화소전극과 이격되며, 상기 제 3 공통전극과 일부 중첩되는 제 2 메인 공통전극을 포함한다.In an exemplary embodiment, a display device includes: a first gate line and a second gate line extending in parallel with each other; First and second data wires crossing the first gate wire and the second gate wire; A first common line adjacent to the first data line and arranged in parallel with the first data line; A second common wiring adjacent to the second data wiring and arranged in parallel with the second data wiring; Interposed between the first common line and the second common line, connected to the first common line and the second common line, define the first common line and the first pixel area, and define the second common line. A third common wiring defining a wiring and a second pixel region; A first thin film transistor disposed in a region where the first gate line and the first data line cross each other; A first main pixel electrode connected to the first thin film transistor and partially overlapping the third common electrode; And a second main common electrode connected to the third common electrode, spaced apart from the first main pixel electrode, and partially overlapping with the third common electrode.
실시예에 따른 표시장치는 데이터 배선을 중심으로 양쪽에 메인 화소전극 및 메인 공통전극을 각각 배치시킨다. 특히, 실시예에 따른 표시장치는 데이터 배선을 중심으로 한쪽에 메인 화소전극을 배치시키고, 다른 한쪽에 메인 공통전극을 배치시킨다.In the display device according to the exemplary embodiment, the main pixel electrode and the main common electrode are disposed on both sides of the data line. In particular, the display device according to the embodiment arranges the main pixel electrode on one side and the main common electrode on the other side of the data line.
즉, 실시예에 따른 표시장치는 이와 같은 배치구조를 반복하여, 다수 개의 픽셀 영역을 구성할 수 있다.That is, the display device according to the exemplary embodiment may configure the plurality of pixel areas by repeating such an arrangement structure.
따라서, 실시예에 따른 표시장치는 다수 개의 메인 공통 전극들 및 다수 개의 메인 화소전극들을 위와 같은 구조로 규칙적으로 배치시킬 수 있으므로, 서브 공통 전극들 및 서브 화소전극들을 원하는 방향으로 연장시킬 수 있다.Therefore, the display device according to the exemplary embodiment may regularly arrange the plurality of main common electrodes and the plurality of main pixel electrodes in the above structure, and thus the sub common electrodes and the sub pixel electrodes may extend in a desired direction.
따라서, 실시예에 따른 표시장치는 동일한 형상을 가지는 화소 영역들을 포함한다. 이에 따라서, 블랙매트릭스 패턴이 미스 얼라인되더라도, 각각의 화소 영역의 휘도는 동일하게 감소된다.Therefore, the display device according to the embodiment includes pixel areas having the same shape. Accordingly, even if the black matrix pattern is misaligned, the luminance of each pixel area is equally reduced.
따라서, 실시예에 따른 표시장치는 화소 영역들 사이에서 휘도차이가 발생되는 것을 방지하고, 향상된 화질을 구현할 수 있다.Accordingly, the display device according to the exemplary embodiment may prevent the luminance difference from occurring between the pixel areas and implement an improved image quality.
실시 예의 설명에 있어서, 각 패널, 부재, 판, 시트, 커버 또는 층 등이 각 패널, 부재, 판, 시트, 커버 또는 층 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 하부에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiment, each panel, member, plate, sheet, cover, or layer is formed on or under the "on" of each panel, member, plate, sheet, cover, or layer, or the like. When described as being "in" and "under" includes both those that are formed "directly" or "indirectly" through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.
도 1은 TFT어레이 기판을 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1에서 B-B`를 따라서 절단한 단면도이다. 도 4는 도 1에서 C-C`를 따라서 절단한 단면도이다. 도 5는 TFT어레이 기판 및 블랙매트릭스 패턴이 정상적으로 얼라인된 상태를 도시한 평면도이다. 도 6은 TFT어레이 기판 및 블랙매트릭스 패턴이 미스 얼라인된 상태를 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing a TFT array substrate. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 1. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 1. 4 is a cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG. 1. 5 is a plan view showing a state in which a TFT array substrate and a black matrix pattern are normally aligned. FIG. 6 is a plan view illustrating a state in which a TFT array substrate and a black matrix pattern are misaligned.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 TFT어레이 기판(10), 컬러필터 기판(20) 및 액정층(30)을 포함한다.1 to 6, the liquid crystal display according to the embodiment includes a
상기 TFT어레이 기판(10)은 상기 컬러필터 기판(20)과 대향한다. 상기 TFT어레이 기판(10)은 상기 액정층(30)을 구동하기 위한 다수 개의 구동 소자들을 포함한다.The
상기 TFT어레이 기판(10)은 투명기판(100), 다수 개의 게이트 배선들(GL1, GL2...), 다수 개의 데이터 배선들(DL1, DL2...), 다수 개의 공통 배선들(CL), 다수 개의 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...), 다수 개의 화소 전극들(210, 220...) 및 다수 개의 공통 전극들(310, 320...)을 포함한다.The
상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)은 제 1 방향으로 연장된다. 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)은 서로 나란히 배치된다. 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)은 상기 투명기판(100) 상에 배치된다. 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)은 서로 일정한 간격으로 이격된다.The gate lines GL1, GL2... Extend in the first direction. The gate lines GL1, GL2... Are arranged next to each other. The gate lines GL1, GL2... Are disposed on the
예를 들어, 상기 TFT어레이 기판(10)은 제 1 게이트 배선(GL1) 및 제 2 게이트 배선(GL2)을 포함할 수 있다.For example, the
상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 2 게이트 배선(GL2)은 서로 나란히 배치된다. 상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 2 게이트 배선(GL2)은 서로 이격되어 상기 제 1 방향으로 연장된다.The first gate line GL1 and the second gate line GL2 are arranged side by side with each other. The first gate line GL1 and the second gate line GL2 are spaced apart from each other and extend in the first direction.
상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 2 게이트 배선(GL2)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴, 티타늄, 알루미늄 또는 텅스텐 등을 들 수 있다.Examples of the material used for the first gate line GL1 and the second gate line GL2 include molybdenum, titanium, aluminum, tungsten, and the like.
상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)과 교차한다. 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 서로 이격된다. 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 제 2 방향으로 서로 나란히 연장된다.The data lines DL1, DL2... Intersect the gate lines GL1, GL2. The data lines DL1, DL2... Are spaced apart from each other. The data lines DL1, DL2... Extend in parallel with each other in a second direction.
상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)을 덮는 게이트 절연막(140) 상에 배치된다. 즉, 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...) 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...) 사이에 상기 게이트 절연막(140)이 개재된다.The data lines DL1, DL2... Are disposed on the
상기 데이터 배선들(DL1, DL2...) 및 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)은 두 개의 화소 영역들(P1, P2...)을 정의한다. 즉, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...) 및 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)이 정의하는 영역에 두 개의 화소 영역들이 배치된다.The data lines DL1, DL2... And the gate lines GL1, GL2... Define two pixel areas P1, P2. That is, two pixel areas are disposed in an area defined by the data lines DL1, DL2... And the gate lines GL1, GL2.
상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴, 티타늄, 알루미늄 또는 텅스텐 등과 같은 금속 등을 들 수 있다.Examples of the material used for the data wires DL1, DL2... May include a metal such as molybdenum, titanium, aluminum, tungsten, or the like.
예를 들어, 상기 TFT어레이 기판(10)은 제 1 데이터 배선(DL1), 제 2 데이터 배선(DL2) 및 제 3 데이터 배선(DL3)을 포함한다.For example, the
상기 제 1 데이터 배선(DL1), 상기 제 2 데이터 배선(DL2) 및 상기 제 3 데이터 배선(DL3)은 서로 나란히 배치되며, 상기 제 1 게이트 배선(GL1), 상기 제 2 게이트 배선(GL2)과 교차한다. 상기 제 1 데이터 배선(DL1), 상기 제 2 데이터 배선(DL2) 및 상기 제 3 데이터 배선(DL3)은 상기 제 2 방향으로 연장된다.The first data line DL1, the second data line DL2, and the third data line DL3 are arranged in parallel with each other, and the first gate line GL1 and the second gate line GL2 are disposed in parallel with each other. To cross. The first data line DL1, the second data line DL2, and the third data line DL3 extend in the second direction.
상기 공통 배선들(CL)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...) 사이에 각각 개재된다. 상기 공통 배선들(CL)은 서로 전기적으로 연결된다. 상기 공통 배선들(CL)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)과 같은 층에 배치될 수 있다. 즉, 상기 공통 배선들(CL)은 상기 투명기판(100) 상에 배치되며, 상기 게이트 절연막(140)에 의해서 덮힌다.The common lines CL are interposed between the gate lines GL1 and GL2... The common lines CL are electrically connected to each other. The common lines CL may be disposed on the same layer as the gate lines GL1 and GL2. That is, the common lines CL are disposed on the
상기 공통 배선들(CL)은 다수 개의 화소 영역들(P1, P2...)을 정의하며 연장된다. 즉, 상기 공통 배선들(CL)로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴, 티타늄, 알루미늄 또는 텅스텐 등과 같은 금속 등을 들 수 있다.The common lines CL extend and define a plurality of pixel regions P1, P2... That is, examples of the material used as the common lines CL may include a metal such as molybdenum, titanium, aluminum, or tungsten.
또한, 상기 공통 배선들(CL)은 불투명하며, 상기 화소 영역들(P1, P2...)을 둘러싼다. 상기 공통 배선들(CL)은 상기 공통 전극들(310, 320...)과 전기적으로 연결된다. 상기 공통 배선들(CL)을 통하여, 상기 공통 전극들(310, 320...)에 공통 전압이 인가된다.In addition, the common lines CL are opaque and surround the pixel areas P1, P2... The common wires CL are electrically connected to the
상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 2 게이트 배선(GL2) 사이에 개재되는 공통 전극(CL)은 다수 개의 서브 공통 배선들(101, 102...) 및 다수 개의 연결 공통 배선들(111, 112...)을 포함한다.The common electrode CL interposed between the first gate line GL1 and the second gate line GL2 includes a plurality of sub
상기 서브 공통 배선들(101, 102...)은 상기 제 1 데이터 배선(DL1), 상기 제 2 데이터 배선(DL2) 및 상기 제 3 데이터 배선(DL3)과 나란히 연장된다. 상기 연결 공통 배선들(111, 112...)은 상기 서브 공통 배선들(101, 102...)을 각각 서로 연결한다. 상기 서브 공통 배선들(101, 102...) 및 상기 연결 공통 배선들(111, 112...)은 서로 일체로 형성될 수 있다.The sub
제 1 서브 공통 배선(101) 및 제 2 서브 공통 배선(102)은 제 1 화소 영역(P1)을 정의한다. 또한, 제 3 서브 공통 배선(103) 및 제 4 서브 공통 배선(104)은 제 2 화소 영역(P2)을 정의한다. 마찬가지로, 제 4 서브 공통 배선(104) 및 제 5 서브 공통 배선(105)은 제 3 화소 영역(P3)을 정의한다.The first sub
같은 방식으로, 제 6 서브 공통 배선(106) 및 제 7 서브 공통 배선(107)은 제 4 화소 영역(P4)을 정의하고, 제 7 서브 공통 배선(107) 및 제 8 서브 공통 배선(108)은 제 5 화소 영역(P5)을 정의한다. 마찬가지로, 제 9 서브 공통 배선(109) 및 제 10 서브 공통 배선(110)은 제 6 화소 영역(P6)을 정의한다.In the same manner, the sixth sub common wiring 106 and the seventh sub
또한, 상기 제 2 서브 공통 배선(102) 및 상기 제 3 서브 공통 배선(103)은 상기 제 1 데이터 배선(DL1)에 인접하여 배치된다. 또한, 상기 제 2 서브 공통 배선(102) 및 상기 제 3 서브 공통 배선(103) 사이에 상기 제 1 데이터 배선(DL1)이 배치된다.In addition, the second sub
마찬가지로, 상기 제 5 서브 공통 배선(105) 및 상기 제 6 서브 공통 배선(106)은 상기 제 2 데이터 배선(DL2)에 인접하여 배치된다. 또한, 상기 제 5 서브 공통 배선(105) 및 상기 제 6 서브 공통 배선(106) 사이에 상기 제 2 데이터 배선(DL2)이 배치된다.Similarly, the fifth sub
마찬가지로, 상기 제 8 서브 공통 배선(108) 및 상기 제 9 서브 공통 배선(109)은 상기 제 3 데이터 배선(DL3)에 인접하여 배치된다. 또한, 상기 제 8 서브 공통 배선(108) 및 상기 제 9 서브 공통 배선(109) 사이에 상기 제 3 데이터 배선(DL3)이 배치된다.Similarly, the eighth sub
상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...) 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)이 교차하는 영역에 배치된다. 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)로부터 인가되는 게이트 신호에 의해서 구동되며, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)로부터 인가되는 데이터 신호를 선택적으로 상기 화소 전극들(210, 220...)에 각각 인가한다.The thin film transistors TR1, TR2... Are disposed in an area where the gate lines GL1, GL2... And the data lines DL1, DL2. The thin film transistors TR1, TR2... Are driven by a gate signal applied from the gate lines GL1, GL2..., And are applied from the data lines DL1, DL2. A data signal is selectively applied to the
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...)은 게이트 전극(130), 반도체층(150), 소오스 전극(160) 및 드레인 전극(170)을 포함한다.As illustrated in FIG. 2, the thin film transistors TR1 and TR2... Include the
상기 게이트 전극(130)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)과 일체로 형성된다. 즉, 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)의 일부가 상기 게이트 전극(130)에 해당된다. 더 자세하게, 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)에서 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...)의 채널에 대응하는 부분이 상기 게이트 전극(130)에 해당된다.The
상기 반도체층(150)은 상기 게이트 절연막(140) 상에 배치된다. 상기 반도체층(150)은 상기 게이트 전극(130)에 대응한다. 상기 반도체층(150)은 아몰퍼스 실리콘으로 이루어지는 액티브층 및 고농도의 불순물이 주입된 아몰퍼스 실리콘으로 이루어지는 오믹 콘택층을 포함할 수 있다.The
상기 소오스 전극(160)은 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)로부터 연장되며, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)과 일체로 형성된다. 상기 소오스 전극(160)은 상기 게이트 절연막(140) 상에 배치된다.The
상기 소오스 전극(160)은 상기 반도체층(150)과 접속된다. 상기 소오스 전극(160)은 상기 드레인 전극(170)과 이격되며, 상기 드레인 전극(170)의 주위를 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.The
상기 드레인 전극(170)은 상기 반도체층(150)에 접속되며, 상기 소오스 전극(160)과 이격된다. 상기 드레인 전극(170)은 상기 게이트 절연막(140) 상에 배치된다. 상기 드레인 전극(170)은 섬 형상을 가진다. 상기 드레인 전극(170)은 상기 소오스 전극(160) 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)과 동일한 물질로 형성된다.The
상기 드레인 전극(170)은 상기 화소 전극들(210, 220...)에 각각 접속된다. 즉, 상기 드레인 전극(170)은 상기 화소 전극들(210, 220...)에 각각 전기적으로 연결된다.The
상기 TFT어레이 기판(10)은 제 1 박막 트랜지스터(TR1), 제 2 박막 트랜지스터(TR2), 제 3 박막 트랜지스터(TR3), 제 4 박막 트랜지스터(TR4), 제 5 박막 트랜지스터(TR5) 및 제 6 박막 트랜지스터(TR6)를 포함할 수 있다.The
상기 제 1 박막 트랜지스터(TR1)는 상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 1 데이터 배선(DL1)이 교차하는 영역에 배치된다. 또한, 상기 제 2 박막 트랜지스터(TR2)는 상기 제 2 게이트 배선(GL2) 및 상기 제 1 데이터 배선(DL1)이 교차하는 영역에 배치된다.The first thin film transistor TR1 is disposed in a region where the first gate line GL1 and the first data line DL1 cross each other. In addition, the second thin film transistor TR2 is disposed in a region where the second gate line GL2 and the first data line DL1 cross each other.
또한, 상기 제 3 박막 트랜지스터(TR3)는 상기 제 2 게이트 배선(GL2) 및 상기 제 1 데이터 배선(DL1)이 교차하는 영역에 배치된다. 상기 제 4 박막 트랜지스터(TR4)는 상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 2 데이터 배선(DL2)이 교차하는 영역에 배치된다.The third thin film transistor TR3 is disposed in a region where the second gate line GL2 and the first data line DL1 cross each other. The fourth thin film transistor TR4 is disposed in a region where the first gate line GL1 and the second data line DL2 cross each other.
또한, 상기 제 5 박막 트랜지스터(TR5)는 상기 제 2 게이트 배선(GL2) 및 상기 제 3 데이터 배선(DL3)이 교차하는 영역에 배치된다. 상기 제 6 박막 트랜지스터(TR6)는 상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 3 데이터 배선(DL3)이 교차하는 영역에 배치된다.In addition, the fifth thin film transistor TR5 is disposed in an area where the second gate line GL2 and the third data line DL3 cross each other. The sixth thin film transistor TR6 is disposed in a region where the first gate line GL1 and the third data line DL3 cross each other.
상기 화소 전극들(210, 220...)은 상기 데이터 배선들(DL1, Dl2...), 상기 소오스 전극(160) 및 상기 드레인 전극(170)을 덮는 보호막(180) 상에 배치된다.The
상기 화소 전극들(210, 220...)은 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...)에 각각 연결된다. 더 자세하게, 화소 전극들(210, 220...)은 상기 보호막(180)에 형 성된 제 1 콘택홀(181)을 통하여, 상기 드레인 전극(170)에 연결된다. 상기 화소 전극들(210, 220...)은 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...)의 구동에 의해서, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)로부터 데이터 신호를 인가받는다.The
상기 화소 전극들(210, 220...)은 투명 또는 불투명할 수 있다. 상기 화소 전극들(210, 220...)로 사용되는 물질의 예로서는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 등을 들 수 있다.The
예를 들어, 상기 TFT어레이 기판(10)은 제 1 화소 전극(210), 제 2 화소 전극(220) 제 3 화소 전극(230), 제 4 화소 전극(240), 제 5 화소 전극(250) 및 제 6 화소 전극(260)을 포함한다.For example, the
상기 제 1 화소 전극(210)은 상기 제 1 박막 트랜지스터(TR1)와 연결된다. 상기 제 1 화소 전극(210)은 제 1 메인 화소 전극(211) 및 다수 개의 제 1 서브 화소 전극들(212)을 포함한다.The
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 메인 화소 전극(211)은 상기 제 1 박막 트랜지스터(TR1)의 드레인 전극(170)과 연결된다. 상기 제 1 메인 화소 전극(211)은 상기 제 2 서브 공통 배선(102)과 중첩된다. 이에 따라서, 상기 제 1 메인 화소 전극(211) 및 상기 제 2 서브 공통 배선(102)은 스토리지 커패시턴스(CST)를 형성한다.As shown in FIGS. 2 and 3, the first
상기 제 1 서브 화소 전극들(212)은 상기 제 1 메인 화소 전극(211)으로부터 상기 제 1 화소 영역(P1)으로 연장된다. 상기 제 1 서브 화소 전극들(212)의 일부는 제 3 방향으로 연장되고, 상기 제 1 서브 화소 전극들(212)의 다른 일부는 제 4 방향으로 연장된다.The first
상기 제 2 화소 전극(220)은 상기 제 2 박막 트랜지스터(TR2)와 연결된다. 상기 제 2 화소 전극(220)은 제 2 메인 화소 전극(221) 및 다수 개의 제 2 서브 화소 전극들(222)을 포함한다.The
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 메인 화소 전극(221)은 상기 제 2 박막 트랜지스터(TR2)의 드레인 전극(170)과 연결된다. 상기 제 2 메인 화소 전극(221)은 상기 제 4 서브 공통 배선(104)과 일부 중첩된다. 이에 따라서, 상기 제 2 메인 화소 전극(221) 및 상기 제 4 서브 공통 배선(104)은 스토리지 커패시턴스(CST)를 형성한다.As shown in FIG. 4, the second
상기 제 2 서브 화소 전극들(222)은 상기 제 2 메인 화소 전극(221)으로부터 상기 제 2 화소 영역(P2)으로 연장된다. 상기 제 2 서브 화소 전극들(222)의 일부는 제 3 방향으로 연장되고, 상기 제 2 서브 화소 전극들(222)의 다른 일부는 제 4 방향으로 연장된다.The second
상기 제 3 화소 전극(230)은 상기 제 3 박막 트랜지스터(TR3)와 연결된다. 상기 제 3 화소 전극(230)은 제 3 메인 화소 전극(231) 및 다수 개의 제 3 서브 화소 전극들(232)을 포함한다.The
상기 제 3 메인 화소 전극(231)은 상기 제 3 박막 트랜지스터(TR3)의 드레인 전극(170)과 연결된다. 상기 제 3 메인 화소 전극(231)은 상기 제 5 서브 공통 배선(105)과 중첩된다. 이에 따라서, 상기 제 3 메인 화소 전극(231) 및 상기 제 5 서브 공통 배선(105)은 스토리지 커패시턴스(CST)를 형성한다.The third
상기 제 3 서브 화소 전극들(232)은 상기 제 3 메인 화소 전극(231)으로부터 상기 제 3 화소 영역(P3)으로 연장된다. 상기 제 3 서브 화소 전극들(232)의 일부는 제 3 방향으로 연장되고, 상기 제 3 서브 화소 전극들(232)의 다른 일부는 제 4 방향으로 연장된다.The third
상기 제 4 화소 전극(240), 상기 제 5 화소 전극(250) 및 상기 제 6 화소 전극(260)도 위와 유사한 방식으로 배치된다.The
상기 공통 전극들(310, 320...)은 상기 보호막(180) 상에 배치된다. 상기 공통 전극들(310, 320...)은 상기 공통 배선들(CL)에 접속된다. 더 자세하게, 상기 공통 전극들(310, 320...)은 상기 보호막(180)에 형성되는 제 2 콘택홀들(182)을 통하여, 상기 공통 배선들(CL)에 접속된다. 상기 공통 전극들(310, 320...)은 상기 공통 배선들(CL)을 통하여 공통 전압을 인가받는다.The
상기 공통 전극들(310, 320...)은 투명 또는 불투명할 수 있다. 상기 공통 전극들(310, 320...)로 사용되는 물질의 예로서는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 등을 들 수 있다.The
상기 TFT어레이 기판(10)은 제 1 공통 전극(310), 제 2 공통 전극(320), 제 3 공통 전극(330), 제 4 공통 전극(340), 제 5 공통 전극(350) 및 제 6 공통 전극(360)을 포함할 수 있다.The
상기 제 1 공통 전극(310)은 상기 제 1 서브 공통 배선(101)에 접속된다. 상기 제 1 공통 전극(310)은 제 1 메인 공통 전극(311) 및 다수 개의 제 1 서브 공통 전극들(312)을 포함한다.The first
상기 제 1 메인 공통 전극(311)은 상기 제 1 서브 공통 배선(101)과 중첩되며, 상기 제 1 서브 공통 배선(101)에 접속된다.The first main
상기 제 1 서브 공통 전극들(312)은 상기 제 1 메인 공통 전극(311)으로부터 상기 제 1 화소 영역(P1)으로 연장된다. 상기 제 1 서브 공통 전극들(312)은 상기 제 1 서브 화소 전극들(212)과 교대로 배치된다. 즉, 상기 제 1 서브 공통 전극들(312)은 상기 제 1 서브 화소 전극들(212) 사이에 각각 배치된다.The first sub
상기 제 1 서브 공통 전극들(312)의 일부는 상기 제 3 방향으로 연장되고, 다른 일부는 상기 제 4 방향으로 연장된다.A portion of the first sub
상기 제 2 공통 전극(320)은 상기 제 3 서브 공통 배선(103)에 접속된다. 상기 제 2 공통 전극(320)은 제 2 메인 공통 전극(321) 및 다수 개의 제 2 서브 공통 전극들(322)을 포함한다.The second
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 메인 공통 전극(321)은 상기 제 3 서브 공통 배선(103)과 중첩되며, 상기 제 3 서브 공통 배선(103)에 접속된다.As illustrated in FIG. 3, the second main
상기 제 2 서브 공통 전극들(322)은 상기 제 2 메인 공통 전극(321)으로부터 상기 제 2 화소 영역(P2)으로 연장된다. 상기 제 2 서브 공통 전극들(322)은 상기 제 2 서브 화소 전극들(222)과 교대로 배치된다. 즉, 상기 제 2 서브 공통 전극들(322)은 상기 제 2 서브 화소 전극들(222) 사이에 각각 배치된다.The second sub
상기 제 2 서브 공통 전극들(322)의 일부는 상기 제 3 방향으로 연장되고, 다른 일부는 상기 제 4 방향으로 연장된다.A portion of the second sub
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 3 공통 전극(330)은 상기 제 4 서브 공통 배선(104)에 접속된다. 상기 제 3 공통 전극(330)은 제 3 메인 공통 전극(331) 및 다수 개의 제 3 서브 공통 전극들(332)을 포함한다.As shown in FIG. 4, the third
상기 제 3 메인 공통 전극(331)은 상기 제 4 서브 공통 배선(104)과 일부 중첩되며, 상기 제 4 서브 공통 배선(104)에 접속된다.The third main
상기 제 3 서브 공통 전극들(332)은 상기 제 3 메인 공통 전극(331)으로부터 상기 제 3 화소 영역(P3)으로 연장된다. 상기 제 3 서브 공통 전극들(332)은 상기 제 3 서브 화소 전극들(232)과 교대로 배치된다. 즉, 상기 제 3 서브 공통 전극들(332)은 상기 제 3 서브 화소 전극들(232) 사이에 각각 배치된다.The third sub
상기 제 3 서브 공통 전극들(332)의 일부는 상기 제 3 방향으로 연장되고, 다른 일부는 상기 제 4 방향으로 연장된다.Some of the third sub
상기 제 4 공통 전극(340), 상기 제 5 공통 전극(350) 및 상기 제 6 공통 전극(360)도 위와 유사하게 배치된다.The fourth common electrode 340, the fifth
상기 컬러필터 기판(20)은 상기 TFT어레이 기판(10)에 대향한다. 상기 컬러필터 기판(20)은 상기 TFT어레이 기판(10)상에 배치된다. 상기 컬러필터 기판(20)은 블랙매트릭스 패턴(21)을 포함한다. 또한, 상기 컬러필터 기판(20)은 다수 개의 컬러필터들을 포함할 수 있다.The
상기 블랙매트릭스 패턴(21)은 통과하는 광을 차단한다. 또한, 상기 블랙매트릭스 패턴(21)은 상기 화소 영역들(P1, P2...)에 대응하는 다수 개의 개구 영역들을 포함한다.The
상기 액정층(30)은 상기 컬러필터 기판(20) 및 상기 TFT어레이 기판(10) 사 이에 개재된다. 상기 액정층(30)은 상기 화소 전극들(210, 220...) 및 상기 공통 전극들(310, 320...) 사이에 형성되는 전계에 의해서 구동된다.The
이상 설명한 바와 같이, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 기준으로, 상기 화소 전극들(210, 220...) 및 상기 공통 전극들(310, 320...)은 일정한 위치에 배치된다. 예를 들어, 상기 화소 전극들(210, 220...)은 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 기준으로 왼쪽에 배치될 수 있고, 상기 공통 전극들(310, 320...)은 오른쪽에 배치될 수 있다.As described above, the
이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 서브 화소 전극들(212, 222...) 및 서브 공통 전극들(312, 322...)의 모양을 상기 화소 영역들(P1, P2...) 별로 동일하게 설계할 수 있다. 즉, 메인 화소 전극들(211, 221...) 및 메인 공통 전극들(311, 321...)이 각각의 화소 영역(P1, P2...)별로 일정한 위치에 배치되기 때문에, 서브 화소 전극들(212, 222...) 및 서브 공통 전극들(312, 322...)이 연장되는 방향도 원하는 대로 조절할 수 있다.Accordingly, in the liquid crystal display according to the exemplary embodiment, the shape of the
따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 각각의 화소 영역(P1, P2...)별로 동일한 모양을 가지게 된다.Therefore, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment has the same shape for each pixel region P1, P2...
이에 따라서, 도 5 및 도 6에서와 같이, 상기 블랙 매트릭스 패턴이 미스 얼라인되더라도, 상기 개구 영역들을 통하여 노출되는 화소 영역들(P1, P2...)의 형상은 동일하게 된다.Accordingly, as shown in FIGS. 5 and 6, even when the black matrix pattern is misaligned, the shapes of the pixel areas P1, P2..., Exposed through the opening areas are the same.
따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 각각의 화소 영역(P1, P2...)의 편차를 감소시키고, 향상된 화질을 구현할 수 있다.Therefore, the liquid crystal display according to the embodiment can reduce the deviation of each pixel area (P1, P2 ...), and can implement an improved image quality.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description has been made based on the embodiments, these are merely examples and are not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains may not have been exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiments. It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
도 1은 TFT어레이 기판을 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing a TFT array substrate.
도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 1.
도 3은 도 1에서 B-B`를 따라서 절단한 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 1.
도 4는 도 1에서 C-C`를 따라서 절단한 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG. 1.
도 5는 TFT어레이 기판 및 블랙매트릭스 패턴이 정상적으로 얼라인된 상태를 도시한 평면도이다.5 is a plan view showing a state in which a TFT array substrate and a black matrix pattern are normally aligned.
도 6은 TFT어레이 기판 및 블랙매트릭스 패턴이 미스 얼라인된 상태를 도시한 평면도이다.FIG. 6 is a plan view illustrating a state in which a TFT array substrate and a black matrix pattern are misaligned.
Claims (10)
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Cited By (3)
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CN106019733A (en) * | 2016-08-01 | 2016-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | Array substrate, display panel and display device |
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2009
- 2009-12-20 KR KR1020090127601A patent/KR20110071036A/en not_active Application Discontinuation
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |