KR20110071036A - Display device - Google Patents

Display device Download PDF

Info

Publication number
KR20110071036A
KR20110071036A KR1020090127601A KR20090127601A KR20110071036A KR 20110071036 A KR20110071036 A KR 20110071036A KR 1020090127601 A KR1020090127601 A KR 1020090127601A KR 20090127601 A KR20090127601 A KR 20090127601A KR 20110071036 A KR20110071036 A KR 20110071036A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
common
sub
pixel
line
electrode
Prior art date
Application number
KR1020090127601A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
오재영
최대정
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020090127601A priority Critical patent/KR20110071036A/en
Publication of KR20110071036A publication Critical patent/KR20110071036A/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134318Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

PURPOSE: A display device is provided to prevent the brightness difference between pixel areas due to a misalignment of a black matrix pattern. CONSTITUTION: A display device comprises a first gate line(GL1) which is extended to a first direction, a second gate line(GL2) which is arranged in parallel with the first gate line, data lines(DL1,DL2) which are crossing the first and the second gate lines, a first sub common line(101) which is arranged in parallel with the data line, and a second sub common line(102) which is placed adjacent to the data line and electrically connected with the first common line.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

실시예는 표시장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a display device.

현재는 박막트랜지스터(Thin-Film-Transistor)와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 매트릭스 방식으로 배열된 액티브 매트릭스형 액정표시장치가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다. Currently, an active matrix liquid crystal display device having a thin film transistor (Thin-Film-Transistor) and pixel electrodes connected to the thin film transistor in a matrix manner is attracting the most attention due to its excellent resolution and ability to implement video.

특히, 어레이 기판에 공통전극 및 화소전극이 함께 배치되는 횡전계방식(IPS: In-Plane Switching)의 액정표시장치가 널리 사용되고 있다.In particular, in-plane switching (IPS) liquid crystal display devices in which a common electrode and a pixel electrode are disposed together on an array substrate are widely used.

종래기술에 따른 액정표시장치의 구동영역에 대한 빛샘은 상부 기판에 마련된 블랙 매트릭스에 의해 차단되는 데, 만약 상부 기판 및 하부 기판의 합착시 발생될 수 있는 오정렬등으로 인해 빛샘 또는 픽셀 사이의 불균일이 발생하게 된다. Light leakage to the driving region of the liquid crystal display according to the prior art is blocked by the black matrix provided on the upper substrate, if the unevenness between the light leakage or the pixel due to misalignment that may occur when the upper substrate and the lower substrate is bonded. Will occur.

또한, 이렇게 발생될 수 있는 빛샘을 막기 위해, 블랙매트릭스의 폭을 넓게 하는 경우에는 개구율이 감소하게 되는 문제점이 있다. In addition, in order to prevent light leakage that may be generated in this way, when the width of the black matrix is widened, there is a problem that the aperture ratio is reduced.

실시예는 블랙매트릭스 패턴의 오정렬에 의해서, 화소 영역들 사이의 휘도 차이가 발생되는 현상을 방지하는 표시장치를 제공하고자 한다.Embodiments provide a display device that prevents a phenomenon in which luminance differences between pixel regions are generated due to misalignment of a black matrix pattern.

일 실시예에 따른 표시장치는 제 1 방향으로 연장되는 제 1 게이트 배선; 상기 제 1 게이트 배선과 나란히 배치되는 제 2 게이트 배선; 상기 제 1 게이트 배선 및 상기 제 2 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선; 상기 데이터 배선에 인접하여, 상기 데이터 배선과 나란히 배치되는 제 1 공통 배선; 상기 제 1 공통 배선과 전기적으로 연결되고, 상기 데이터 배선과 인접하여, 상기 데이터 배선과 나란히 배치되는 제 2 공통 배선; 상기 제 1 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 교차하는 영역에 배치되는 제 1 박막 트랜지스터; 상기 제 1 박막 트랜지스터와 연결되고, 상기 제 1 공통 배선과 중첩되는 제 1 메인 화소전극; 및 상기 제 2 공통 배선과 중첩되고, 상기 제 2 공통 배선에 접속되는 제 2 메인 공통전극을 포함하고, 상기 데이터 배선은 상기 제 1 공통 배선 및 상기 제 2 공통 배선 사이에 배치된다.In an exemplary embodiment, a display device includes: a first gate wire extending in a first direction; A second gate line arranged in parallel with the first gate line; A data line crossing the first gate line and the second gate line; First common wiring adjacent to the data wiring and arranged in parallel with the data wiring; A second common line electrically connected to the first common line and adjacent to the data line and disposed in parallel with the data line; A first thin film transistor disposed in an area crossing the first gate line and the data line; A first main pixel electrode connected to the first thin film transistor and overlapping the first common line; And a second main common electrode overlapping the second common wiring and connected to the second common wiring, wherein the data wiring is disposed between the first common wiring and the second common wiring.

일 실시예에 따른 표시장치는 서로 나란히 연장되는 제 1 게이트 배선 및 제 2 게이트 배선; 상기 제 1 게이트 배선 및 상기 제 2 게이트 배선과 교차하는 제 1 데이터 배선 및 제 2 데이터 배선; 상기 제 1 데이터 배선에 인접하여, 상기 제 1 데이터 배선과 나란히 배치되는 제 1 공통 배선; 상기 제 2 데이터 배선에 인접하여, 상기 제 2 데이터 배선과 나란히 배치되는 제 2 공통 배선; 상기 제 1 공통 배 선 및 상기 제 2 공통 배선 사이에 개재되며, 상기 제 1 공통 배선 및 상기 제 2 공통 배선과 연결되고, 상기 제 1 공통 배선과 제 1 화소 영역을 정의하고, 상기 제 2 공통 배선과 제 2 화소 영역을 정의하는 제 3 공통배선; 상기 제 1 게이트 배선과 상기 제 1 데이터 배선이 교차하는 영역에 배치되는 제 1 박막 트랜지스터; 상기 제 1 박막 트랜지스터와 연결되며, 상기 제 3 공통전극과 일부 중첩되는 제 1 메인 화소전극; 및 상기 제 3 공통전극에 접속되고, 상기 제 1 메인 화소전극과 이격되며, 상기 제 3 공통전극과 일부 중첩되는 제 2 메인 공통전극을 포함한다.In an exemplary embodiment, a display device includes: a first gate line and a second gate line extending in parallel with each other; First and second data wires crossing the first gate wire and the second gate wire; A first common line adjacent to the first data line and arranged in parallel with the first data line; A second common wiring adjacent to the second data wiring and arranged in parallel with the second data wiring; Interposed between the first common line and the second common line, connected to the first common line and the second common line, define the first common line and the first pixel area, and define the second common line. A third common wiring defining a wiring and a second pixel region; A first thin film transistor disposed in a region where the first gate line and the first data line cross each other; A first main pixel electrode connected to the first thin film transistor and partially overlapping the third common electrode; And a second main common electrode connected to the third common electrode, spaced apart from the first main pixel electrode, and partially overlapping with the third common electrode.

실시예에 따른 표시장치는 데이터 배선을 중심으로 양쪽에 메인 화소전극 및 메인 공통전극을 각각 배치시킨다. 특히, 실시예에 따른 표시장치는 데이터 배선을 중심으로 한쪽에 메인 화소전극을 배치시키고, 다른 한쪽에 메인 공통전극을 배치시킨다.In the display device according to the exemplary embodiment, the main pixel electrode and the main common electrode are disposed on both sides of the data line. In particular, the display device according to the embodiment arranges the main pixel electrode on one side and the main common electrode on the other side of the data line.

즉, 실시예에 따른 표시장치는 이와 같은 배치구조를 반복하여, 다수 개의 픽셀 영역을 구성할 수 있다.That is, the display device according to the exemplary embodiment may configure the plurality of pixel areas by repeating such an arrangement structure.

따라서, 실시예에 따른 표시장치는 다수 개의 메인 공통 전극들 및 다수 개의 메인 화소전극들을 위와 같은 구조로 규칙적으로 배치시킬 수 있으므로, 서브 공통 전극들 및 서브 화소전극들을 원하는 방향으로 연장시킬 수 있다.Therefore, the display device according to the exemplary embodiment may regularly arrange the plurality of main common electrodes and the plurality of main pixel electrodes in the above structure, and thus the sub common electrodes and the sub pixel electrodes may extend in a desired direction.

따라서, 실시예에 따른 표시장치는 동일한 형상을 가지는 화소 영역들을 포함한다. 이에 따라서, 블랙매트릭스 패턴이 미스 얼라인되더라도, 각각의 화소 영역의 휘도는 동일하게 감소된다.Therefore, the display device according to the embodiment includes pixel areas having the same shape. Accordingly, even if the black matrix pattern is misaligned, the luminance of each pixel area is equally reduced.

따라서, 실시예에 따른 표시장치는 화소 영역들 사이에서 휘도차이가 발생되는 것을 방지하고, 향상된 화질을 구현할 수 있다.Accordingly, the display device according to the exemplary embodiment may prevent the luminance difference from occurring between the pixel areas and implement an improved image quality.

실시 예의 설명에 있어서, 각 패널, 부재, 판, 시트, 커버 또는 층 등이 각 패널, 부재, 판, 시트, 커버 또는 층 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 하부에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiment, each panel, member, plate, sheet, cover, or layer is formed on or under the "on" of each panel, member, plate, sheet, cover, or layer, or the like. When described as being "in" and "under" includes both those that are formed "directly" or "indirectly" through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 TFT어레이 기판을 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1에서 B-B`를 따라서 절단한 단면도이다. 도 4는 도 1에서 C-C`를 따라서 절단한 단면도이다. 도 5는 TFT어레이 기판 및 블랙매트릭스 패턴이 정상적으로 얼라인된 상태를 도시한 평면도이다. 도 6은 TFT어레이 기판 및 블랙매트릭스 패턴이 미스 얼라인된 상태를 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing a TFT array substrate. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 1. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 1. 4 is a cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG. 1. 5 is a plan view showing a state in which a TFT array substrate and a black matrix pattern are normally aligned. FIG. 6 is a plan view illustrating a state in which a TFT array substrate and a black matrix pattern are misaligned.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 TFT어레이 기판(10), 컬러필터 기판(20) 및 액정층(30)을 포함한다.1 to 6, the liquid crystal display according to the embodiment includes a TFT array substrate 10, a color filter substrate 20, and a liquid crystal layer 30.

상기 TFT어레이 기판(10)은 상기 컬러필터 기판(20)과 대향한다. 상기 TFT어레이 기판(10)은 상기 액정층(30)을 구동하기 위한 다수 개의 구동 소자들을 포함한다.The TFT array substrate 10 faces the color filter substrate 20. The TFT array substrate 10 includes a plurality of driving elements for driving the liquid crystal layer 30.

상기 TFT어레이 기판(10)은 투명기판(100), 다수 개의 게이트 배선들(GL1, GL2...), 다수 개의 데이터 배선들(DL1, DL2...), 다수 개의 공통 배선들(CL), 다수 개의 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...), 다수 개의 화소 전극들(210, 220...) 및 다수 개의 공통 전극들(310, 320...)을 포함한다.The TFT array substrate 10 includes a transparent substrate 100, a plurality of gate lines GL1, GL2..., A plurality of data lines DL1, DL2 .., and a plurality of common lines CL. , A plurality of thin film transistors TR1, TR2..., A plurality of pixel electrodes 210, 220..., And a plurality of common electrodes 310, 320.

상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)은 제 1 방향으로 연장된다. 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)은 서로 나란히 배치된다. 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)은 상기 투명기판(100) 상에 배치된다. 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)은 서로 일정한 간격으로 이격된다.The gate lines GL1, GL2... Extend in the first direction. The gate lines GL1, GL2... Are arranged next to each other. The gate lines GL1, GL2... Are disposed on the transparent substrate 100. The gate lines GL1 and GL2... Are spaced apart from each other at regular intervals.

예를 들어, 상기 TFT어레이 기판(10)은 제 1 게이트 배선(GL1) 및 제 2 게이트 배선(GL2)을 포함할 수 있다.For example, the TFT array substrate 10 may include a first gate line GL1 and a second gate line GL2.

상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 2 게이트 배선(GL2)은 서로 나란히 배치된다. 상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 2 게이트 배선(GL2)은 서로 이격되어 상기 제 1 방향으로 연장된다.The first gate line GL1 and the second gate line GL2 are arranged side by side with each other. The first gate line GL1 and the second gate line GL2 are spaced apart from each other and extend in the first direction.

상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 2 게이트 배선(GL2)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴, 티타늄, 알루미늄 또는 텅스텐 등을 들 수 있다.Examples of the material used for the first gate line GL1 and the second gate line GL2 include molybdenum, titanium, aluminum, tungsten, and the like.

상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)과 교차한다. 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 서로 이격된다. 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 제 2 방향으로 서로 나란히 연장된다.The data lines DL1, DL2... Intersect the gate lines GL1, GL2. The data lines DL1, DL2... Are spaced apart from each other. The data lines DL1, DL2... Extend in parallel with each other in a second direction.

상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)을 덮는 게이트 절연막(140) 상에 배치된다. 즉, 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...) 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...) 사이에 상기 게이트 절연막(140)이 개재된다.The data lines DL1, DL2... Are disposed on the gate insulating layer 140 covering the gate lines GL1, GL2. That is, the gate insulating layer 140 is interposed between the gate lines GL1 and GL2... And the data lines DL1 and DL2.

상기 데이터 배선들(DL1, DL2...) 및 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)은 두 개의 화소 영역들(P1, P2...)을 정의한다. 즉, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...) 및 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)이 정의하는 영역에 두 개의 화소 영역들이 배치된다.The data lines DL1, DL2... And the gate lines GL1, GL2... Define two pixel areas P1, P2. That is, two pixel areas are disposed in an area defined by the data lines DL1, DL2... And the gate lines GL1, GL2.

상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴, 티타늄, 알루미늄 또는 텅스텐 등과 같은 금속 등을 들 수 있다.Examples of the material used for the data wires DL1, DL2... May include a metal such as molybdenum, titanium, aluminum, tungsten, or the like.

예를 들어, 상기 TFT어레이 기판(10)은 제 1 데이터 배선(DL1), 제 2 데이터 배선(DL2) 및 제 3 데이터 배선(DL3)을 포함한다.For example, the TFT array substrate 10 includes a first data line DL1, a second data line DL2, and a third data line DL3.

상기 제 1 데이터 배선(DL1), 상기 제 2 데이터 배선(DL2) 및 상기 제 3 데이터 배선(DL3)은 서로 나란히 배치되며, 상기 제 1 게이트 배선(GL1), 상기 제 2 게이트 배선(GL2)과 교차한다. 상기 제 1 데이터 배선(DL1), 상기 제 2 데이터 배선(DL2) 및 상기 제 3 데이터 배선(DL3)은 상기 제 2 방향으로 연장된다.The first data line DL1, the second data line DL2, and the third data line DL3 are arranged in parallel with each other, and the first gate line GL1 and the second gate line GL2 are disposed in parallel with each other. To cross. The first data line DL1, the second data line DL2, and the third data line DL3 extend in the second direction.

상기 공통 배선들(CL)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...) 사이에 각각 개재된다. 상기 공통 배선들(CL)은 서로 전기적으로 연결된다. 상기 공통 배선들(CL)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)과 같은 층에 배치될 수 있다. 즉, 상기 공통 배선들(CL)은 상기 투명기판(100) 상에 배치되며, 상기 게이트 절연막(140)에 의해서 덮힌다.The common lines CL are interposed between the gate lines GL1 and GL2... The common lines CL are electrically connected to each other. The common lines CL may be disposed on the same layer as the gate lines GL1 and GL2. That is, the common lines CL are disposed on the transparent substrate 100 and covered by the gate insulating layer 140.

상기 공통 배선들(CL)은 다수 개의 화소 영역들(P1, P2...)을 정의하며 연장된다. 즉, 상기 공통 배선들(CL)로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴, 티타늄, 알루미늄 또는 텅스텐 등과 같은 금속 등을 들 수 있다.The common lines CL extend and define a plurality of pixel regions P1, P2... That is, examples of the material used as the common lines CL may include a metal such as molybdenum, titanium, aluminum, or tungsten.

또한, 상기 공통 배선들(CL)은 불투명하며, 상기 화소 영역들(P1, P2...)을 둘러싼다. 상기 공통 배선들(CL)은 상기 공통 전극들(310, 320...)과 전기적으로 연결된다. 상기 공통 배선들(CL)을 통하여, 상기 공통 전극들(310, 320...)에 공통 전압이 인가된다.In addition, the common lines CL are opaque and surround the pixel areas P1, P2... The common wires CL are electrically connected to the common electrodes 310, 320. A common voltage is applied to the common electrodes 310, 320... Through the common lines CL.

상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 2 게이트 배선(GL2) 사이에 개재되는 공통 전극(CL)은 다수 개의 서브 공통 배선들(101, 102...) 및 다수 개의 연결 공통 배선들(111, 112...)을 포함한다.The common electrode CL interposed between the first gate line GL1 and the second gate line GL2 includes a plurality of sub common lines 101, 102... And a plurality of connection common lines 111. , 112 ...).

상기 서브 공통 배선들(101, 102...)은 상기 제 1 데이터 배선(DL1), 상기 제 2 데이터 배선(DL2) 및 상기 제 3 데이터 배선(DL3)과 나란히 연장된다. 상기 연결 공통 배선들(111, 112...)은 상기 서브 공통 배선들(101, 102...)을 각각 서로 연결한다. 상기 서브 공통 배선들(101, 102...) 및 상기 연결 공통 배선들(111, 112...)은 서로 일체로 형성될 수 있다.The sub common lines 101, 102... Extend in parallel with the first data line DL1, the second data line DL2, and the third data line DL3. The connection common lines 111 and 112... Respectively connect the sub common lines 101 and 102. The sub common wires 101, 102... And the connection common wires 111, 112... May be integrally formed with each other.

제 1 서브 공통 배선(101) 및 제 2 서브 공통 배선(102)은 제 1 화소 영역(P1)을 정의한다. 또한, 제 3 서브 공통 배선(103) 및 제 4 서브 공통 배선(104)은 제 2 화소 영역(P2)을 정의한다. 마찬가지로, 제 4 서브 공통 배선(104) 및 제 5 서브 공통 배선(105)은 제 3 화소 영역(P3)을 정의한다.The first sub common wiring 101 and the second sub common wiring 102 define a first pixel region P1. In addition, the third sub common wiring 103 and the fourth sub common wiring 104 define a second pixel region P2. Similarly, the fourth sub common wiring 104 and the fifth sub common wiring 105 define a third pixel region P3.

같은 방식으로, 제 6 서브 공통 배선(106) 및 제 7 서브 공통 배선(107)은 제 4 화소 영역(P4)을 정의하고, 제 7 서브 공통 배선(107) 및 제 8 서브 공통 배선(108)은 제 5 화소 영역(P5)을 정의한다. 마찬가지로, 제 9 서브 공통 배선(109) 및 제 10 서브 공통 배선(110)은 제 6 화소 영역(P6)을 정의한다.In the same manner, the sixth sub common wiring 106 and the seventh sub common wiring 107 define the fourth pixel region P4, and the seventh sub common wiring 107 and the eighth sub common wiring 108. Defines a fifth pixel area P5. Similarly, the ninth sub common wiring 109 and the tenth sub common wiring 110 define a sixth pixel region P6.

또한, 상기 제 2 서브 공통 배선(102) 및 상기 제 3 서브 공통 배선(103)은 상기 제 1 데이터 배선(DL1)에 인접하여 배치된다. 또한, 상기 제 2 서브 공통 배선(102) 및 상기 제 3 서브 공통 배선(103) 사이에 상기 제 1 데이터 배선(DL1)이 배치된다.In addition, the second sub common wiring 102 and the third sub common wiring 103 are disposed adjacent to the first data wiring DL1. In addition, the first data line DL1 is disposed between the second sub common line 102 and the third sub common line 103.

마찬가지로, 상기 제 5 서브 공통 배선(105) 및 상기 제 6 서브 공통 배선(106)은 상기 제 2 데이터 배선(DL2)에 인접하여 배치된다. 또한, 상기 제 5 서브 공통 배선(105) 및 상기 제 6 서브 공통 배선(106) 사이에 상기 제 2 데이터 배선(DL2)이 배치된다.Similarly, the fifth sub common wiring 105 and the sixth sub common wiring 106 are disposed adjacent to the second data wiring DL2. In addition, the second data line DL2 is disposed between the fifth sub common line 105 and the sixth sub common line 106.

마찬가지로, 상기 제 8 서브 공통 배선(108) 및 상기 제 9 서브 공통 배선(109)은 상기 제 3 데이터 배선(DL3)에 인접하여 배치된다. 또한, 상기 제 8 서브 공통 배선(108) 및 상기 제 9 서브 공통 배선(109) 사이에 상기 제 3 데이터 배선(DL3)이 배치된다.Similarly, the eighth sub common wiring 108 and the ninth sub common wiring 109 are disposed adjacent to the third data wiring DL3. The third data line DL3 is disposed between the eighth sub common line 108 and the ninth sub common line 109.

상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...) 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)이 교차하는 영역에 배치된다. 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)로부터 인가되는 게이트 신호에 의해서 구동되며, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)로부터 인가되는 데이터 신호를 선택적으로 상기 화소 전극들(210, 220...)에 각각 인가한다.The thin film transistors TR1, TR2... Are disposed in an area where the gate lines GL1, GL2... And the data lines DL1, DL2. The thin film transistors TR1, TR2... Are driven by a gate signal applied from the gate lines GL1, GL2..., And are applied from the data lines DL1, DL2. A data signal is selectively applied to the pixel electrodes 210, 220, ..., respectively.

도 2에 도시된 바와 같이, 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...)은 게이트 전극(130), 반도체층(150), 소오스 전극(160) 및 드레인 전극(170)을 포함한다.As illustrated in FIG. 2, the thin film transistors TR1 and TR2... Include the gate electrode 130, the semiconductor layer 150, the source electrode 160, and the drain electrode 170.

상기 게이트 전극(130)은 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)과 일체로 형성된다. 즉, 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)의 일부가 상기 게이트 전극(130)에 해당된다. 더 자세하게, 상기 게이트 배선들(GL1, GL2...)에서 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...)의 채널에 대응하는 부분이 상기 게이트 전극(130)에 해당된다.The gate electrode 130 is integrally formed with the gate lines GL1, GL2... That is, some of the gate lines GL1 and GL2... Correspond to the gate electrode 130. In more detail, a portion of the gate lines GL1 and GL2... Corresponding to the channel of the thin film transistors TR1 and TR2... Corresponds to the gate electrode 130.

상기 반도체층(150)은 상기 게이트 절연막(140) 상에 배치된다. 상기 반도체층(150)은 상기 게이트 전극(130)에 대응한다. 상기 반도체층(150)은 아몰퍼스 실리콘으로 이루어지는 액티브층 및 고농도의 불순물이 주입된 아몰퍼스 실리콘으로 이루어지는 오믹 콘택층을 포함할 수 있다.The semiconductor layer 150 is disposed on the gate insulating layer 140. The semiconductor layer 150 corresponds to the gate electrode 130. The semiconductor layer 150 may include an active layer made of amorphous silicon and an ohmic contact layer made of amorphous silicon implanted with a high concentration of impurities.

상기 소오스 전극(160)은 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)로부터 연장되며, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)과 일체로 형성된다. 상기 소오스 전극(160)은 상기 게이트 절연막(140) 상에 배치된다.The source electrode 160 extends from the data lines DL1, DL2... And is integrally formed with the data lines DL1, DL2. The source electrode 160 is disposed on the gate insulating layer 140.

상기 소오스 전극(160)은 상기 반도체층(150)과 접속된다. 상기 소오스 전극(160)은 상기 드레인 전극(170)과 이격되며, 상기 드레인 전극(170)의 주위를 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.The source electrode 160 is connected to the semiconductor layer 150. The source electrode 160 may be spaced apart from the drain electrode 170 and may have a shape surrounding the drain electrode 170.

상기 드레인 전극(170)은 상기 반도체층(150)에 접속되며, 상기 소오스 전극(160)과 이격된다. 상기 드레인 전극(170)은 상기 게이트 절연막(140) 상에 배치된다. 상기 드레인 전극(170)은 섬 형상을 가진다. 상기 드레인 전극(170)은 상기 소오스 전극(160) 및 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)과 동일한 물질로 형성된다.The drain electrode 170 is connected to the semiconductor layer 150 and spaced apart from the source electrode 160. The drain electrode 170 is disposed on the gate insulating layer 140. The drain electrode 170 has an island shape. The drain electrode 170 is formed of the same material as the source electrode 160 and the data lines DL1, DL2.

상기 드레인 전극(170)은 상기 화소 전극들(210, 220...)에 각각 접속된다. 즉, 상기 드레인 전극(170)은 상기 화소 전극들(210, 220...)에 각각 전기적으로 연결된다.The drain electrode 170 is connected to the pixel electrodes 210, 220. That is, the drain electrode 170 is electrically connected to the pixel electrodes 210, 220.

상기 TFT어레이 기판(10)은 제 1 박막 트랜지스터(TR1), 제 2 박막 트랜지스터(TR2), 제 3 박막 트랜지스터(TR3), 제 4 박막 트랜지스터(TR4), 제 5 박막 트랜지스터(TR5) 및 제 6 박막 트랜지스터(TR6)를 포함할 수 있다.The TFT array substrate 10 may include a first thin film transistor TR1, a second thin film transistor TR2, a third thin film transistor TR3, a fourth thin film transistor TR4, a fifth thin film transistor TR5, and a sixth thin film transistor TR5. The thin film transistor TR6 may be included.

상기 제 1 박막 트랜지스터(TR1)는 상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 1 데이터 배선(DL1)이 교차하는 영역에 배치된다. 또한, 상기 제 2 박막 트랜지스터(TR2)는 상기 제 2 게이트 배선(GL2) 및 상기 제 1 데이터 배선(DL1)이 교차하는 영역에 배치된다.The first thin film transistor TR1 is disposed in a region where the first gate line GL1 and the first data line DL1 cross each other. In addition, the second thin film transistor TR2 is disposed in a region where the second gate line GL2 and the first data line DL1 cross each other.

또한, 상기 제 3 박막 트랜지스터(TR3)는 상기 제 2 게이트 배선(GL2) 및 상기 제 1 데이터 배선(DL1)이 교차하는 영역에 배치된다. 상기 제 4 박막 트랜지스터(TR4)는 상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 2 데이터 배선(DL2)이 교차하는 영역에 배치된다.The third thin film transistor TR3 is disposed in a region where the second gate line GL2 and the first data line DL1 cross each other. The fourth thin film transistor TR4 is disposed in a region where the first gate line GL1 and the second data line DL2 cross each other.

또한, 상기 제 5 박막 트랜지스터(TR5)는 상기 제 2 게이트 배선(GL2) 및 상기 제 3 데이터 배선(DL3)이 교차하는 영역에 배치된다. 상기 제 6 박막 트랜지스터(TR6)는 상기 제 1 게이트 배선(GL1) 및 상기 제 3 데이터 배선(DL3)이 교차하는 영역에 배치된다.In addition, the fifth thin film transistor TR5 is disposed in an area where the second gate line GL2 and the third data line DL3 cross each other. The sixth thin film transistor TR6 is disposed in a region where the first gate line GL1 and the third data line DL3 cross each other.

상기 화소 전극들(210, 220...)은 상기 데이터 배선들(DL1, Dl2...), 상기 소오스 전극(160) 및 상기 드레인 전극(170)을 덮는 보호막(180) 상에 배치된다.The pixel electrodes 210, 220... Are disposed on the passivation layer 180 covering the data lines DL1, Dl2..., The source electrode 160, and the drain electrode 170.

상기 화소 전극들(210, 220...)은 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...)에 각각 연결된다. 더 자세하게, 화소 전극들(210, 220...)은 상기 보호막(180)에 형 성된 제 1 콘택홀(181)을 통하여, 상기 드레인 전극(170)에 연결된다. 상기 화소 전극들(210, 220...)은 상기 박막 트랜지스터들(TR1, TR2...)의 구동에 의해서, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)로부터 데이터 신호를 인가받는다.The pixel electrodes 210, 220... Are connected to the thin film transistors TR1, TR2. In more detail, the pixel electrodes 210, 220... Are connected to the drain electrode 170 through the first contact hole 181 formed in the passivation layer 180. The pixel electrodes 210 and 220... Receive the data signal from the data lines DL1 and DL2... By driving the thin film transistors TR1 and TR2.

상기 화소 전극들(210, 220...)은 투명 또는 불투명할 수 있다. 상기 화소 전극들(210, 220...)로 사용되는 물질의 예로서는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 등을 들 수 있다.The pixel electrodes 210, 220... May be transparent or opaque. Examples of the material used as the pixel electrodes 210 and 220 may include indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

예를 들어, 상기 TFT어레이 기판(10)은 제 1 화소 전극(210), 제 2 화소 전극(220) 제 3 화소 전극(230), 제 4 화소 전극(240), 제 5 화소 전극(250) 및 제 6 화소 전극(260)을 포함한다.For example, the TFT array substrate 10 may include a first pixel electrode 210, a second pixel electrode 220, a third pixel electrode 230, a fourth pixel electrode 240, and a fifth pixel electrode 250. And a sixth pixel electrode 260.

상기 제 1 화소 전극(210)은 상기 제 1 박막 트랜지스터(TR1)와 연결된다. 상기 제 1 화소 전극(210)은 제 1 메인 화소 전극(211) 및 다수 개의 제 1 서브 화소 전극들(212)을 포함한다.The first pixel electrode 210 is connected to the first thin film transistor TR1. The first pixel electrode 210 includes a first main pixel electrode 211 and a plurality of first sub pixel electrodes 212.

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 메인 화소 전극(211)은 상기 제 1 박막 트랜지스터(TR1)의 드레인 전극(170)과 연결된다. 상기 제 1 메인 화소 전극(211)은 상기 제 2 서브 공통 배선(102)과 중첩된다. 이에 따라서, 상기 제 1 메인 화소 전극(211) 및 상기 제 2 서브 공통 배선(102)은 스토리지 커패시턴스(CST)를 형성한다.As shown in FIGS. 2 and 3, the first main pixel electrode 211 is connected to the drain electrode 170 of the first thin film transistor TR1. The first main pixel electrode 211 overlaps the second sub common wiring 102. Accordingly, the first main pixel electrode 211 and the second sub common wiring 102 form a storage capacitance CST.

상기 제 1 서브 화소 전극들(212)은 상기 제 1 메인 화소 전극(211)으로부터 상기 제 1 화소 영역(P1)으로 연장된다. 상기 제 1 서브 화소 전극들(212)의 일부는 제 3 방향으로 연장되고, 상기 제 1 서브 화소 전극들(212)의 다른 일부는 제 4 방향으로 연장된다.The first sub pixel electrodes 212 extend from the first main pixel electrode 211 to the first pixel region P1. Some of the first sub pixel electrodes 212 extend in a third direction, and other portions of the first sub pixel electrodes 212 extend in a fourth direction.

상기 제 2 화소 전극(220)은 상기 제 2 박막 트랜지스터(TR2)와 연결된다. 상기 제 2 화소 전극(220)은 제 2 메인 화소 전극(221) 및 다수 개의 제 2 서브 화소 전극들(222)을 포함한다.The second pixel electrode 220 is connected to the second thin film transistor TR2. The second pixel electrode 220 includes a second main pixel electrode 221 and a plurality of second sub pixel electrodes 222.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 메인 화소 전극(221)은 상기 제 2 박막 트랜지스터(TR2)의 드레인 전극(170)과 연결된다. 상기 제 2 메인 화소 전극(221)은 상기 제 4 서브 공통 배선(104)과 일부 중첩된다. 이에 따라서, 상기 제 2 메인 화소 전극(221) 및 상기 제 4 서브 공통 배선(104)은 스토리지 커패시턴스(CST)를 형성한다.As shown in FIG. 4, the second main pixel electrode 221 is connected to the drain electrode 170 of the second thin film transistor TR2. The second main pixel electrode 221 partially overlaps the fourth sub common wiring 104. Accordingly, the second main pixel electrode 221 and the fourth sub common wiring 104 form a storage capacitance CST.

상기 제 2 서브 화소 전극들(222)은 상기 제 2 메인 화소 전극(221)으로부터 상기 제 2 화소 영역(P2)으로 연장된다. 상기 제 2 서브 화소 전극들(222)의 일부는 제 3 방향으로 연장되고, 상기 제 2 서브 화소 전극들(222)의 다른 일부는 제 4 방향으로 연장된다.The second sub pixel electrodes 222 extend from the second main pixel electrode 221 to the second pixel area P2. A portion of the second sub pixel electrodes 222 extends in a third direction, and another portion of the second sub pixel electrodes 222 extends in the fourth direction.

상기 제 3 화소 전극(230)은 상기 제 3 박막 트랜지스터(TR3)와 연결된다. 상기 제 3 화소 전극(230)은 제 3 메인 화소 전극(231) 및 다수 개의 제 3 서브 화소 전극들(232)을 포함한다.The third pixel electrode 230 is connected to the third thin film transistor TR3. The third pixel electrode 230 includes a third main pixel electrode 231 and a plurality of third sub pixel electrodes 232.

상기 제 3 메인 화소 전극(231)은 상기 제 3 박막 트랜지스터(TR3)의 드레인 전극(170)과 연결된다. 상기 제 3 메인 화소 전극(231)은 상기 제 5 서브 공통 배선(105)과 중첩된다. 이에 따라서, 상기 제 3 메인 화소 전극(231) 및 상기 제 5 서브 공통 배선(105)은 스토리지 커패시턴스(CST)를 형성한다.The third main pixel electrode 231 is connected to the drain electrode 170 of the third thin film transistor TR3. The third main pixel electrode 231 overlaps the fifth sub common line 105. Accordingly, the third main pixel electrode 231 and the fifth sub common wiring 105 form a storage capacitance CST.

상기 제 3 서브 화소 전극들(232)은 상기 제 3 메인 화소 전극(231)으로부터 상기 제 3 화소 영역(P3)으로 연장된다. 상기 제 3 서브 화소 전극들(232)의 일부는 제 3 방향으로 연장되고, 상기 제 3 서브 화소 전극들(232)의 다른 일부는 제 4 방향으로 연장된다.The third sub pixel electrodes 232 extend from the third main pixel electrode 231 to the third pixel region P3. A portion of the third sub pixel electrodes 232 extends in a third direction, and another portion of the third sub pixel electrodes 232 extends in the fourth direction.

상기 제 4 화소 전극(240), 상기 제 5 화소 전극(250) 및 상기 제 6 화소 전극(260)도 위와 유사한 방식으로 배치된다.The fourth pixel electrode 240, the fifth pixel electrode 250, and the sixth pixel electrode 260 are also disposed in a similar manner to the above.

상기 공통 전극들(310, 320...)은 상기 보호막(180) 상에 배치된다. 상기 공통 전극들(310, 320...)은 상기 공통 배선들(CL)에 접속된다. 더 자세하게, 상기 공통 전극들(310, 320...)은 상기 보호막(180)에 형성되는 제 2 콘택홀들(182)을 통하여, 상기 공통 배선들(CL)에 접속된다. 상기 공통 전극들(310, 320...)은 상기 공통 배선들(CL)을 통하여 공통 전압을 인가받는다.The common electrodes 310, 320... Are disposed on the passivation layer 180. The common electrodes 310, 320... Are connected to the common wires CL. In more detail, the common electrodes 310, 320... Are connected to the common lines CL through second contact holes 182 formed in the passivation layer 180. The common electrodes 310, 320... Receive a common voltage through the common lines CL.

상기 공통 전극들(310, 320...)은 투명 또는 불투명할 수 있다. 상기 공통 전극들(310, 320...)로 사용되는 물질의 예로서는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 또는 인듐 징크 옥사이드(indium zinc oxide;IZO) 등을 들 수 있다.The common electrodes 310, 320... May be transparent or opaque. Examples of the material used as the common electrodes 310 and 320 may include indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

상기 TFT어레이 기판(10)은 제 1 공통 전극(310), 제 2 공통 전극(320), 제 3 공통 전극(330), 제 4 공통 전극(340), 제 5 공통 전극(350) 및 제 6 공통 전극(360)을 포함할 수 있다.The TFT array substrate 10 includes a first common electrode 310, a second common electrode 320, a third common electrode 330, a fourth common electrode 340, a fifth common electrode 350, and a sixth. It may include a common electrode 360.

상기 제 1 공통 전극(310)은 상기 제 1 서브 공통 배선(101)에 접속된다. 상기 제 1 공통 전극(310)은 제 1 메인 공통 전극(311) 및 다수 개의 제 1 서브 공통 전극들(312)을 포함한다.The first common electrode 310 is connected to the first sub common wiring 101. The first common electrode 310 includes a first main common electrode 311 and a plurality of first sub common electrodes 312.

상기 제 1 메인 공통 전극(311)은 상기 제 1 서브 공통 배선(101)과 중첩되며, 상기 제 1 서브 공통 배선(101)에 접속된다.The first main common electrode 311 overlaps the first sub common wiring 101 and is connected to the first sub common wiring 101.

상기 제 1 서브 공통 전극들(312)은 상기 제 1 메인 공통 전극(311)으로부터 상기 제 1 화소 영역(P1)으로 연장된다. 상기 제 1 서브 공통 전극들(312)은 상기 제 1 서브 화소 전극들(212)과 교대로 배치된다. 즉, 상기 제 1 서브 공통 전극들(312)은 상기 제 1 서브 화소 전극들(212) 사이에 각각 배치된다.The first sub common electrodes 312 extend from the first main common electrode 311 to the first pixel area P1. The first sub common electrodes 312 are alternately disposed with the first sub pixel electrodes 212. That is, the first sub common electrodes 312 are disposed between the first sub pixel electrodes 212, respectively.

상기 제 1 서브 공통 전극들(312)의 일부는 상기 제 3 방향으로 연장되고, 다른 일부는 상기 제 4 방향으로 연장된다.A portion of the first sub common electrodes 312 extends in the third direction, and another portion of the first sub common electrodes 312 extends in the fourth direction.

상기 제 2 공통 전극(320)은 상기 제 3 서브 공통 배선(103)에 접속된다. 상기 제 2 공통 전극(320)은 제 2 메인 공통 전극(321) 및 다수 개의 제 2 서브 공통 전극들(322)을 포함한다.The second common electrode 320 is connected to the third sub common wiring 103. The second common electrode 320 includes a second main common electrode 321 and a plurality of second sub common electrodes 322.

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 메인 공통 전극(321)은 상기 제 3 서브 공통 배선(103)과 중첩되며, 상기 제 3 서브 공통 배선(103)에 접속된다.As illustrated in FIG. 3, the second main common electrode 321 overlaps the third sub common wiring 103 and is connected to the third sub common wiring 103.

상기 제 2 서브 공통 전극들(322)은 상기 제 2 메인 공통 전극(321)으로부터 상기 제 2 화소 영역(P2)으로 연장된다. 상기 제 2 서브 공통 전극들(322)은 상기 제 2 서브 화소 전극들(222)과 교대로 배치된다. 즉, 상기 제 2 서브 공통 전극들(322)은 상기 제 2 서브 화소 전극들(222) 사이에 각각 배치된다.The second sub common electrodes 322 extend from the second main common electrode 321 to the second pixel region P2. The second sub common electrodes 322 are alternately disposed with the second sub pixel electrodes 222. That is, the second sub common electrodes 322 are disposed between the second sub pixel electrodes 222, respectively.

상기 제 2 서브 공통 전극들(322)의 일부는 상기 제 3 방향으로 연장되고, 다른 일부는 상기 제 4 방향으로 연장된다.A portion of the second sub common electrodes 322 extends in the third direction, and another portion extends in the fourth direction.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제 3 공통 전극(330)은 상기 제 4 서브 공통 배선(104)에 접속된다. 상기 제 3 공통 전극(330)은 제 3 메인 공통 전극(331) 및 다수 개의 제 3 서브 공통 전극들(332)을 포함한다.As shown in FIG. 4, the third common electrode 330 is connected to the fourth sub common wiring 104. The third common electrode 330 includes a third main common electrode 331 and a plurality of third sub common electrodes 332.

상기 제 3 메인 공통 전극(331)은 상기 제 4 서브 공통 배선(104)과 일부 중첩되며, 상기 제 4 서브 공통 배선(104)에 접속된다.The third main common electrode 331 partially overlaps the fourth sub common wiring 104 and is connected to the fourth sub common wiring 104.

상기 제 3 서브 공통 전극들(332)은 상기 제 3 메인 공통 전극(331)으로부터 상기 제 3 화소 영역(P3)으로 연장된다. 상기 제 3 서브 공통 전극들(332)은 상기 제 3 서브 화소 전극들(232)과 교대로 배치된다. 즉, 상기 제 3 서브 공통 전극들(332)은 상기 제 3 서브 화소 전극들(232) 사이에 각각 배치된다.The third sub common electrodes 332 extend from the third main common electrode 331 to the third pixel region P3. The third sub common electrodes 332 are alternately disposed with the third sub pixel electrodes 232. That is, the third sub common electrodes 332 are disposed between the third sub pixel electrodes 232, respectively.

상기 제 3 서브 공통 전극들(332)의 일부는 상기 제 3 방향으로 연장되고, 다른 일부는 상기 제 4 방향으로 연장된다.Some of the third sub common electrodes 332 extend in the third direction, and other portions extend in the fourth direction.

상기 제 4 공통 전극(340), 상기 제 5 공통 전극(350) 및 상기 제 6 공통 전극(360)도 위와 유사하게 배치된다.The fourth common electrode 340, the fifth common electrode 350, and the sixth common electrode 360 are also disposed similarly to the above.

상기 컬러필터 기판(20)은 상기 TFT어레이 기판(10)에 대향한다. 상기 컬러필터 기판(20)은 상기 TFT어레이 기판(10)상에 배치된다. 상기 컬러필터 기판(20)은 블랙매트릭스 패턴(21)을 포함한다. 또한, 상기 컬러필터 기판(20)은 다수 개의 컬러필터들을 포함할 수 있다.The color filter substrate 20 faces the TFT array substrate 10. The color filter substrate 20 is disposed on the TFT array substrate 10. The color filter substrate 20 includes a black matrix pattern 21. In addition, the color filter substrate 20 may include a plurality of color filters.

상기 블랙매트릭스 패턴(21)은 통과하는 광을 차단한다. 또한, 상기 블랙매트릭스 패턴(21)은 상기 화소 영역들(P1, P2...)에 대응하는 다수 개의 개구 영역들을 포함한다.The black matrix pattern 21 blocks light passing through the black matrix pattern 21. In addition, the black matrix pattern 21 includes a plurality of opening regions corresponding to the pixel regions P1, P2...

상기 액정층(30)은 상기 컬러필터 기판(20) 및 상기 TFT어레이 기판(10) 사 이에 개재된다. 상기 액정층(30)은 상기 화소 전극들(210, 220...) 및 상기 공통 전극들(310, 320...) 사이에 형성되는 전계에 의해서 구동된다.The liquid crystal layer 30 is interposed between the color filter substrate 20 and the TFT array substrate 10. The liquid crystal layer 30 is driven by an electric field formed between the pixel electrodes 210, 220... And the common electrodes 310, 320.

이상 설명한 바와 같이, 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 기준으로, 상기 화소 전극들(210, 220...) 및 상기 공통 전극들(310, 320...)은 일정한 위치에 배치된다. 예를 들어, 상기 화소 전극들(210, 220...)은 상기 데이터 배선들(DL1, DL2...)을 기준으로 왼쪽에 배치될 수 있고, 상기 공통 전극들(310, 320...)은 오른쪽에 배치될 수 있다.As described above, the pixel electrodes 210, 220... And the common electrodes 310, 320..., Based on the data lines DL1, DL2... Is placed. For example, the pixel electrodes 210, 220... May be disposed on the left side with respect to the data lines DL1, DL2... And the common electrodes 310, 320. ) May be placed on the right.

이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 서브 화소 전극들(212, 222...) 및 서브 공통 전극들(312, 322...)의 모양을 상기 화소 영역들(P1, P2...) 별로 동일하게 설계할 수 있다. 즉, 메인 화소 전극들(211, 221...) 및 메인 공통 전극들(311, 321...)이 각각의 화소 영역(P1, P2...)별로 일정한 위치에 배치되기 때문에, 서브 화소 전극들(212, 222...) 및 서브 공통 전극들(312, 322...)이 연장되는 방향도 원하는 대로 조절할 수 있다.Accordingly, in the liquid crystal display according to the exemplary embodiment, the shape of the sub pixel electrodes 212, 222... And the sub common electrodes 312, 322. ) Can be designed identically. That is, since the main pixel electrodes 211, 221... And the main common electrodes 311, 321. The direction in which the electrodes 212, 222... And the sub common electrodes 312, 322... Can also be adjusted as desired.

따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 각각의 화소 영역(P1, P2...)별로 동일한 모양을 가지게 된다.Therefore, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment has the same shape for each pixel region P1, P2...

이에 따라서, 도 5 및 도 6에서와 같이, 상기 블랙 매트릭스 패턴이 미스 얼라인되더라도, 상기 개구 영역들을 통하여 노출되는 화소 영역들(P1, P2...)의 형상은 동일하게 된다.Accordingly, as shown in FIGS. 5 and 6, even when the black matrix pattern is misaligned, the shapes of the pixel areas P1, P2..., Exposed through the opening areas are the same.

따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 각각의 화소 영역(P1, P2...)의 편차를 감소시키고, 향상된 화질을 구현할 수 있다.Therefore, the liquid crystal display according to the embodiment can reduce the deviation of each pixel area (P1, P2 ...), and can implement an improved image quality.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the above description has been made based on the embodiments, these are merely examples and are not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains may not have been exemplified above without departing from the essential characteristics of the present embodiments. It will be appreciated that many variations and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

도 1은 TFT어레이 기판을 도시한 평면도이다.1 is a plan view showing a TFT array substrate.

도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 1.

도 3은 도 1에서 B-B`를 따라서 절단한 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 1.

도 4는 도 1에서 C-C`를 따라서 절단한 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line CC ′ in FIG. 1.

도 5는 TFT어레이 기판 및 블랙매트릭스 패턴이 정상적으로 얼라인된 상태를 도시한 평면도이다.5 is a plan view showing a state in which a TFT array substrate and a black matrix pattern are normally aligned.

도 6은 TFT어레이 기판 및 블랙매트릭스 패턴이 미스 얼라인된 상태를 도시한 평면도이다.FIG. 6 is a plan view illustrating a state in which a TFT array substrate and a black matrix pattern are misaligned.

Claims (10)

제 1 방향으로 연장되는 제 1 게이트 배선;A first gate wire extending in a first direction; 상기 제 1 게이트 배선과 나란히 배치되는 제 2 게이트 배선;A second gate line arranged in parallel with the first gate line; 상기 제 1 게이트 배선 및 상기 제 2 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선;A data line crossing the first gate line and the second gate line; 상기 데이터 배선에 인접하여, 상기 데이터 배선과 나란히 배치되는 제 1 서브 공통 배선;A first sub common wiring disposed adjacent to the data wiring and arranged in parallel with the data wiring; 상기 제 1 공통 배선과 전기적으로 연결되고, 상기 데이터 배선과 인접하여, 상기 데이터 배선과 나란히 배치되는 제 2 서브 공통 배선;A second sub common wiring electrically connected to the first common wiring and adjacent to the data wiring and disposed in parallel with the data wiring; 상기 제 1 게이트 배선 및 상기 데이터 배선과 교차하는 영역에 배치되는 제 1 박막 트랜지스터;A first thin film transistor disposed in an area crossing the first gate line and the data line; 상기 제 1 박막 트랜지스터와 연결되고, 상기 제 1 서브 공통 배선과 중첩되는 제 1 메인 화소전극; 및A first main pixel electrode connected to the first thin film transistor and overlapping the first sub common line; And 상기 제 2 공통 배선과 중첩되고, 상기 제 2 서브 공통 배선에 접속되는 제 2 메인 공통전극을 포함하고,A second main common electrode overlapping the second common wiring and connected to the second sub common wiring; 상기 데이터 배선은 상기 제 1 서브 공통 배선 및 상기 제 2 서브 공통 배선 사이에 배치되는 표시장치.And the data line is disposed between the first sub common line and the second sub common line. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 서브 공통 배선으로부터 연장되며, 상기 제 1 서브 공통 배선과 나란히 배치되어, 상기 제 1 서브 공통 배선과 제 1 화소 영역을 정의하는 제 3 서브 공통 배선; 및The semiconductor device of claim 1, further comprising: third sub common wires extending from the first sub common wires and arranged in parallel with the first sub common wires to define the first sub common wires and a first pixel area; And 상기 제 3 서브 공통 배선과 중첩되며, 상기 제 3 서브 공통 배선에 접속되는 제 1 메인 공통전극을 포함하는 표시장치.And a first main common electrode overlapping the third sub common wiring and connected to the third sub common wiring. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 메인 화소전극으로부터 상기 제 1 화소 영역으로 연장되는 다수 개의 제 1 서브 화소전극들; 및3. The display device of claim 2, further comprising: a plurality of first sub pixel electrodes extending from the first main pixel electrode to the first pixel area; And 상기 제 1 메인 공통전극으로부터 상기 제 1 화소 영역으로 연장되며, 상기 제 1 서브 화소전극들 사이에 각각 배치되는 다수 개의 제 1 서브 공통 전극들을 포함하는 표시장치.And a plurality of first sub common electrodes extending from the first main common electrode to the first pixel area and disposed between the first sub pixel electrodes. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 서브 화소전극들의 일부 및 상기 제 1 서브 공통 전극들의 일부는 제 3 방향으로 연장되고,4. The display device of claim 3, wherein some of the first sub pixel electrodes and some of the first sub common electrodes extend in a third direction. 상기 제 1 서브 화소전극들의 다른 일부 및 상기 제 1 서브 공통 전극들의 다른 일부는 제 4 방향으로 연장되는 표시장치.The other portion of the first sub pixel electrodes and the other portion of the first sub common electrodes extend in a fourth direction. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 서브 공통 배선으로부터 연장되며, 상기 제 2 서브 공통 배선과 나란히 배치되어, 상기 제 2 서브 공통 배선과 제 2 화소 영역을 정의하는 제 4 서브 공통 배선;The semiconductor device of claim 1, further comprising: a fourth sub common wire extending from the second sub common wire and disposed in parallel with the second sub common wire to define the second sub common wire and a second pixel area; 상기 제 2 게이트 배선 및 상기 데이터 배선이 교차하는 영역에 배치되는 제 2 박막트랜지스터; 및A second thin film transistor disposed in an area where the second gate line and the data line cross each other; And 상기 제 2 박막 트랜지스터에 연결되며, 상기 제 4 서브 공통 배선과 중첩되는 제 2 메인 화소전극을 포함하는 표시장치.And a second main pixel electrode connected to the second thin film transistor and overlapping the fourth sub common line. 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 메인 화소전극으로부터 상기 제 2 화소 영역으로 연장되는 다수 개의 제 2 서브 화소전극들; 및The display device of claim 5, further comprising: a plurality of second sub pixel electrodes extending from the second main pixel electrode to the second pixel area; And 상기 제 2 메인 공통전극으로부터 상기 제 2 화소 영역으로 연장되며, 상기 제 2 서브 화소전극들 사이에 각각 배치되는 다수 개의 제 2 서브 공통 전극들을 포함하는 표시장치.And a plurality of second sub common electrodes extending from the second main common electrode to the second pixel area and disposed between the second sub pixel electrodes. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 서브 화소전극들의 일부 및 상기 제 2 서브 공통 전극들의 일부는 제 3 방향으로 연장되고,The method of claim 6, wherein some of the second sub pixel electrodes and some of the second sub common electrodes extend in a third direction, 상기 제 2 서브 화소전극들의 다른 일부 및 상기 제 2 서브 공통 전극들의 다른 일부는 제 4 방향으로 연장되는 표시장치.The other part of the second sub pixel electrodes and the other part of the second sub common electrodes extend in a fourth direction. 서로 나란히 연장되는 제 1 게이트 배선 및 제 2 게이트 배선;A first gate line and a second gate line extending in parallel with each other; 상기 제 1 게이트 배선 및 상기 제 2 게이트 배선과 교차하는 제 1 데이터 배선 및 제 2 데이터 배선;First and second data wires crossing the first gate wire and the second gate wire; 상기 제 1 데이터 배선에 인접하여, 상기 제 1 데이터 배선과 나란히 배치되는 제 1 서브 공통 배선;A first sub common line adjacent to the first data line and arranged in parallel with the first data line; 상기 제 2 데이터 배선에 인접하여, 상기 제 2 데이터 배선과 나란히 배치되 는 제 2 서브 공통 배선;A second sub common wiring disposed adjacent to the second data wiring and arranged in parallel with the second data wiring; 상기 제 1 서브 공통 배선 및 상기 제 2 서브 공통 배선 사이에 개재되며, 상기 제 1 서브 공통 배선 및 상기 제 2 서브 공통 배선과 연결되고, 상기 제 1 서브 공통 배선과 제 1 화소 영역을 정의하고, 상기 제 2 서브 공통 배선과 제 2 화소 영역을 정의하는 제 3 서브 공통 배선;Interposed between the first sub common wiring and the second sub common wiring, connected to the first sub common wiring and the second sub common wiring, and defining the first sub common wiring and a first pixel area, A third sub common wire defining the second sub common wire and a second pixel area; 상기 제 1 게이트 배선과 상기 제 1 데이터 배선이 교차하는 영역에 배치되는 제 1 박막 트랜지스터;A first thin film transistor disposed in a region where the first gate line and the first data line cross each other; 상기 제 1 박막 트랜지스터와 연결되며, 상기 제 3 공통전극과 일부 중첩되는 제 1 메인 화소전극; 및A first main pixel electrode connected to the first thin film transistor and partially overlapping the third common electrode; And 상기 제 3 공통전극에 접속되고, 상기 제 1 메인 화소전극과 이격되며, 상기 제 3 공통전극과 일부 중첩되는 제 2 메인 공통전극을 포함하는 표시장치.And a second main common electrode connected to the third common electrode, spaced apart from the first main pixel electrode, and partially overlapping the third common electrode. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 서브 공통 배선에 접속되고, 상기 제 1 서브 공통 배선에 중첩되는 제 1 메인 공통전극;The display device of claim 8, further comprising: a first main common electrode connected to the first sub common line and overlapping the first sub common line; 상기 제 1 메인 공통전극으로부터 상기 제 1 화소 영역으로 연장되는 다수 개의 제 1 서브 공통 전극들; 및A plurality of first sub common electrodes extending from the first main common electrode to the first pixel area; And 상기 제 1 메인 화소전극으로부터 상기 제 1 화소 영역으로 연장되는 다수 개의 제 1 서브 화소전극들을 포함하는 표시장치.And a plurality of first sub pixel electrodes extending from the first main pixel electrode to the first pixel area. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 화소 영역에 대응하는 제 1 개구 영역 및 상기 제 2 화소 영역에 대응하는 제 2 개구 영역을 포함하고, 상기 제 1 메인 화소전극 상에 배치되는 블랙매트릭스 패턴을 포함하는 표시장치.10. The display device of claim 8, further comprising a black matrix pattern including a first opening region corresponding to the first pixel region and a second opening region corresponding to the second pixel region, and disposed on the first main pixel electrode. Display.
KR1020090127601A 2009-12-20 2009-12-20 Display device KR20110071036A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090127601A KR20110071036A (en) 2009-12-20 2009-12-20 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090127601A KR20110071036A (en) 2009-12-20 2009-12-20 Display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110071036A true KR20110071036A (en) 2011-06-28

Family

ID=44402302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090127601A KR20110071036A (en) 2009-12-20 2009-12-20 Display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110071036A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8730422B2 (en) 2012-05-23 2014-05-20 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
US8988644B2 (en) 2012-05-03 2015-03-24 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
CN106019733A (en) * 2016-08-01 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, display panel and display device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8988644B2 (en) 2012-05-03 2015-03-24 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
US8730422B2 (en) 2012-05-23 2014-05-20 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
CN106019733A (en) * 2016-08-01 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 Array substrate, display panel and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10281785B2 (en) Liquid crystal display device having large holding capacitance in the pixel
JP5659708B2 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
US7619698B2 (en) Liquid crystal display apparatus which performs display by using electric field in direction substantially parallel with substrate surfaces to control alignment direction of liquid crystal molecules
US8228478B2 (en) Liquid crystal display device
JP4946135B2 (en) Liquid crystal display element
US9766525B2 (en) Active-matrix substrate and display device
JP4889388B2 (en) Liquid crystal display
KR101791578B1 (en) Liquid crystal display
KR101098084B1 (en) Liquid crystal display device
JP6892065B2 (en) Display panel
JP5602881B2 (en) Liquid crystal display
JP2008262006A (en) Active matrix substrate and liquid crystal panel
KR20070014668A (en) In-plane switching liquid crystal display device and the fabrication method
KR101046923B1 (en) Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the same
US20090086135A1 (en) Liquid Crystal Display Device
KR20110071036A (en) Display device
JP4584614B2 (en) Liquid crystal display
KR20070080143A (en) A liquid crystal display device
KR101971143B1 (en) Liquid Crystal Display Device And Method Of Fabricating The Same
KR20090021938A (en) Liquid crystal display device
KR20110105893A (en) Array substrate for double rate drive type liquid crystal display device
JP4441507B2 (en) Liquid crystal display
KR20080048725A (en) In-plane switching mode liquid crystal display device
JP5162232B2 (en) Display device
CN111208685B (en) Array substrate and display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application