KR20110070265A - Laser processing apparatus having laser beam profiler - Google Patents

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KR20110070265A KR1020090127018A KR20090127018A KR20110070265A KR 20110070265 A KR20110070265 A KR 20110070265A KR 1020090127018 A KR1020090127018 A KR 1020090127018A KR 20090127018 A KR20090127018 A KR 20090127018A KR 20110070265 A KR20110070265 A KR 20110070265A
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Abstract

PURPOSE: A laser processing apparatus equipped with a laser beam profiler is provided to measure a beam profile in the longitudinal direction of laser irradiated in the form of a line so as to achieve thermal treatment uniformity and improve measurement accuracy. CONSTITUTION: A laser processing apparatus equipped with a laser beam profiler comprises a laser irradiation apparatus, a substrate support(40) and a beam profiler(130). The laser irradiation apparatus irradiates a line-shape laser beam having a length in a direction parallel with a substrate to the substrate. The substrate support is movable in the horizontal direction along the longitudinal direction of the laser beam. The beam profiler arranged opposite to the line of the laser. The beam profiler is installed at the side of the substrate support. The beam profiler is moved with the substrate support in the horizontal direction and measures a beam profile in the longitudinal direction of the laser beam.

Description

레이저 빔 프로파일러를 구비하는 레이저 가공장치 {Laser processing apparatus having laser beam profiler} Laser processing apparatus having laser beam profiler

본 발명은 레이저 가공장치에 관한 것으로서, 특히 열처리 공정이나 레이저 여기 화학기상증착이 실제로 일어나는 기판 근처에서의 레이저 빔의 길이에 따른 빔 프로파일을 측정하여 피드백시킴으로써 열처리 또는 증착 균일성을 확보하여 제품의 품질을 향상시킬 수 있는 레이저 가공장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus, and in particular, by measuring and feeding back a beam profile according to the length of a laser beam near a substrate on which a heat treatment process or laser excited chemical vapor deposition is actually performed, thereby ensuring a heat treatment or deposition uniformity. It relates to a laser processing apparatus that can improve the.

레이저 열처리 또는 레이저 여기 화학기상증착은 기판에 레이저를 조사함으로써 이루어진다. 이 때 기판 전면에 레이저가 균일한 강도로 조사되어야 공정이 균일하게 이루어진다. 이를 위해 레이저의 강도를 측정하는 강도측정센서가 설치된다. Laser heat treatment or laser excited chemical vapor deposition is achieved by irradiating a laser onto a substrate. At this time, the laser is irradiated with uniform intensity on the entire surface of the substrate to make the process uniform. For this purpose, an intensity measuring sensor for measuring the intensity of the laser is installed.

도 1은 종래의 레이저 가공장치를 설명하기 위한 도면으로서, 강도측정센서(30)가 챔버(10)의 외부에 설치되는 경우이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 공정챔버(10) 내에 기판 지지대(40)가 설치되고, 기판(41)은 기판 지지대(40) 상에 놓 여진다. 기판 지지대(40)의 옆측에는 미러(50)가 설치된다. 레이저 조사장치(20)에서 기판(41)에 조사되는 레이저(21)의 강도는 기판 지지대(40)를 옆으로 이동시켜 레이저가 미러(50)에 조사되도록 한 다음 미러(50)에서 반사되어 나오는 것(22)을 챔버(10)의 외부에서 강도측정센서(30)로 측정함으로써 이루어진다. 1 is a view for explaining a conventional laser processing apparatus, when the intensity measuring sensor 30 is installed outside the chamber 10. As shown in FIG. 1, the substrate support 40 is installed in the process chamber 10, and the substrate 41 is placed on the substrate support 40. The mirror 50 is provided on the side of the substrate support 40. The intensity of the laser 21 irradiated onto the substrate 41 by the laser irradiation device 20 moves the substrate support 40 to the side so that the laser is irradiated onto the mirror 50 and then reflected off the mirror 50. The thing 22 is made by measuring with the intensity measuring sensor 30 outside the chamber 10.

도 2는 종래의 다른 레이저 가공장치를 설명하기 위한 도면으로서, 강도측정센서(30)가 챔버(10)의 내부에 설치되는 경우이다. 도 2를 참조하면, 기판 지지대(40)의 옆측에 미러(50)가 설치되는 도 1의 경우와 달리 도 2의 경우는 기판 지지대(40)의 측면에 바로 강도측정센서(30)가 설치된다. 따라서 레이저 조사장치(20)에서 기판(41)에 조사되는 레이저(21)의 강도는 기판 지지대(40)를 옆으로 이동시켜 레이저가 강도측정센서(30)에 조사되도록 함으로써 곧바로 측정된다. FIG. 2 is a view for explaining another conventional laser processing apparatus, in which the intensity measuring sensor 30 is installed inside the chamber 10. Referring to FIG. 2, unlike the case of FIG. 1 in which the mirror 50 is installed on the side of the substrate support 40, the intensity measuring sensor 30 is directly installed on the side of the substrate support 40. . Therefore, the intensity of the laser 21 irradiated onto the substrate 41 in the laser irradiation apparatus 20 is measured immediately by moving the substrate support 40 to the side to cause the laser to be irradiated to the intensity measuring sensor 30.

한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 레이저 열처리에 사용되는 레이저(21)는 기능적으로 특수하게 설계된 광학수단을 통해서 라인형태를 이룬다. On the other hand, as shown in Figure 3, the laser 21 used in the laser heat treatment is a line form through a specially designed optical means functionally.

그런데, 상술한 종래의 도 2 및 도 3과 같은 구성을 통해서는 레이저 빔의 강도변화를 측정할 수 있기는 하지만, 라인형태의 레이저 빔의 길이(L) 방향에 따른 빔의 프로파일을 측정할 수는 없다. 즉, 참조부호 a, b, c로 표시한 부위가 원하는 프로파일을 가진 레이저 빔에 의해 조사되고 있는지를 판단할 수는 없다. By the way, although the variation of the intensity of the laser beam can be measured through the configuration as described above with reference to FIG. There is no. That is, it is not possible to determine whether the portions indicated by reference numerals a, b, and c are irradiated by the laser beam having the desired profile.

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 라인형태의 레이저빔의 길이 방 향에 따른 빔의 프로파일을 측정하여 이를 피드백 시킴으로써 열처리 균일성을 확보할 수 있는 레이저 가공장치를 제공하는 데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a laser processing apparatus capable of securing heat treatment uniformity by measuring a profile of a beam along a length direction of a line-shaped laser beam and feeding it back.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 레이저 가공장치는,  Laser processing apparatus according to the present invention for achieving the above object,

기판에 나란한 방향으로 길이를 가지는 라인형태의 레이저를 상기 기판에 조사하는 레이저 조사장치;A laser irradiation device for irradiating the substrate with a line-shaped laser having a length in a direction parallel to the substrate;

상기 기판이 올려 놓이며 상기 레이저의 길이방향을 따라 수평하게 이동가능하게 설치되는 기판 지지대; 및A substrate support on which the substrate is placed and installed horizontally movable along the longitudinal direction of the laser; And

상기 레이저의 라인에 대향하도록 상기 기판 지지대의 측부위에 설치되어 상기 기판 지지대의 수평 이동에 따라 함께 이동하면서 상기 레이저의 길이 방향에 따른 강도 프로파일을 측정하는 빔 프로파일러;를 구비하는 것을 특징으로 한다. And a beam profiler installed at the side of the substrate support so as to face the line of the laser and measuring the intensity profile along the longitudinal direction of the laser while moving together along the horizontal movement of the substrate support.

상기 기판 지지대는 상기 레이저의 길이방향과 수직한 방향으로 이동가능하게 설치되는 것이 바람직하다. The substrate support is preferably installed to be movable in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the laser.

또한, 상기 빔 프로파일러에서 측정되는 프로파일을 입력받는 얼라인제어장치를 더 구비하고, 상기 얼라인제어장치는 상기 프로파일이 원하는 프로파일이 아닐 경우 상기 레이저 조사장치로 귀환신호를 송출하여 상기 레이저 조사장치가 원하는 프로파일을 가지는 라인형태의 레이저를 조사하도록 그 얼라인 상태를 제어하도록 할 수도 있다.The apparatus may further include an alignment control device configured to receive a profile measured by the beam profiler, wherein the alignment control device sends a feedback signal to the laser irradiation device when the profile is not a desired profile. It is also possible to control the alignment state so that the laser beam of the line shape having the desired profile.

한편, 상기 빔 프로파일러가 상기 기판지지대의 밑부분으로 하강할 수도 있 도록 상기 빔 프로파일러를 상하운동시키는 상하이동수단이 더 설치되며, 이 때 상기 기판 지지대에는 상기 빔 프로파일러가 하강하는 경우에 상기 빔 프로파일러의 윗부분을 가리도록 셔터가 설치되는 것이 바람직하다. On the other hand, the shank moving means for vertically moving the beam profiler is further installed so that the beam profiler can be lowered to the bottom of the substrate support, when the beam profiler is lowered on the substrate support Preferably, a shutter is installed to cover the upper portion of the beam profiler.

상기 상하이동수단은 상기 빔 프로파일러가 상기 기판의 높이 수준까지만 상승하도록 상기 빔 프로파일러의 상승운동을 제어하는 것이 바람직하다.Preferably, the moving means controls the upward movement of the beam profiler such that the beam profiler rises only to the height level of the substrate.

더욱이, 상기 빔 프로파일러의 인근에 레이저 빔의 강도를 측정할 수 있는 파워 검출 센서가 더 설치되어도 좋다.Furthermore, a power detection sensor may be further provided near the beam profiler that can measure the intensity of the laser beam.

본 발명에 의하면, 라인 형태로 조사되는 레이저의 길이방향에 따른 빔 프로파일의 측정을 통하여 종래에는 이룰 수 없었던 레이저의 길이방향에 따른 열처리 균일성을 얻을 수 있으며, 나아가 기판의 높이 수준에서도 프로파일 측정이 직접적으로 이루어지기 때문에 보다 정확하게 공정에 기여하는 레이저의 빔의 프로파일을 얻을 수 있게 된다. According to the present invention, through the measurement of the beam profile along the longitudinal direction of the laser irradiated in the form of a line, it is possible to obtain the heat treatment uniformity along the longitudinal direction of the laser, which has not been achieved in the past, and the profile measurement at the height level of the substrate Because it is done directly, it is possible to obtain a profile of the laser beam that contributes to the process more accurately.

이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 아래의 실시예는 본 발명의 내용을 이해하기 위해 제시된 것일 뿐이며 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상 내에서 많은 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 권리범위가 이러한 실시예에 한정되는 것으로 해석돼서는 안 된다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following examples are only presented to understand the content of the present invention, and those skilled in the art will be capable of many modifications within the technical spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be construed as limited to these embodiments.

도 4는 본 발명에 따른 레이저 가공장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 4를 참조하면, 기판(41)이 올려 놓여지는 기판 지지대(40)는 종래의 경우와 달리 라인형태의 레이저(21)의 길이(L) 방향으로 이동가능하게 설치된다. 그리고 레이저(21)의 길이(L) 방향에 따른 빔 프로파일을 측정하기 위한 빔 프로파일러(130)는 레이저(21)의 라인에 대향하도록 기판 지지대(40)의 측부위에 설치되어, 기판 지지대(40)가 레이저(21)의 길이(L) 방향으로 수평 이동할 때 함께 이동하면서 레이저(21)의 길이 방향에 따른 빔 프로파일을 측정한다. 4 is a view for explaining a laser processing apparatus according to the present invention. Referring to FIG. 4, the substrate support 40 on which the substrate 41 is placed is installed to be movable in the length L direction of the line-shaped laser 21, unlike the conventional case. And the beam profiler 130 for measuring the beam profile along the length (L) direction of the laser 21 is installed on the side of the substrate support 40 to face the line of the laser 21, the substrate support 40 The beam profile along the length direction of the laser 21 is measured while moving together when () moves horizontally in the length L direction of the laser 21.

기판(41)에 레이저 열처리 가공을 하기 전에 기판 지지대(40)를 참조부호 62로 표시한 바와 같이 레이저(21)의 길이(L) 방향에 수직한 방향으로 이동시켜 레이저(21)가 기판 지지대(40)의 측부위에 설치되는 빔 프로파일러(130)에 조사되도록 한다. 그리고 기판 지지대(40)를 도 5(측면도) 및 도 6(평면도)의 참조부호 61로 표시한 바와 같이 레이저(21)의 길이(L) 방향을 따라 이동시켜 레이저(21)의 길이(L) 방향에 따른 빔 프로파일을 얻는다. Prior to the laser heat treatment on the substrate 41, the substrate support 40 is moved in a direction perpendicular to the length L direction of the laser 21, as indicated by reference numeral 62, so that the laser 21 supports the substrate support ( 40 to be irradiated to the beam profiler 130 installed on the side. Then, the substrate support 40 is moved along the length L direction of the laser 21, as indicated by reference numeral 61 in FIGS. 5 (side view) and 6 (plan view), and thus the length L of the laser 21. Obtain the beam profile along the direction.

이때의 빔 프로파일은 얼라인(align)제어장치(70)로 제공되는데, 만약 빔 프로파일이 원하는 형태가 아닌 경우에는, 얼라인제어장치(70)가 레이저 조사장치(20)로 귀환신호를 보내어, 레이저 조사장치(20)에서 길이(L) 방향으로 원하는 프로파일을 가지는 라인형태의 레이저 빔이 출력될 수 있도록 그 얼라인 상태를 제어한다. 이러한 얼라인제어장치(70)는 본 발명에 필수적인 것은 아니지만, 부가적으로 장착을 할 경우에는 빔 프로파일의 변화를 실시간 확인하여 가면서 얼라인 상 태를 조절할 수 있으므로 원하는 빔 프로파일을 신속하면서도 쉽게 얻을 수 있다는 장점을 갖는다.At this time, the beam profile is provided to the alignment control device 70. If the beam profile is not the desired shape, the alignment control device 70 sends a feedback signal to the laser irradiation device 20, The alignment state is controlled so that the laser beam in the form of a line having a desired profile is output from the laser irradiation apparatus 20 in the length L direction. Such an alignment control device 70 is not essential to the present invention, but when additionally mounted, the alignment state can be adjusted while checking the change of the beam profile in real time, so that the desired beam profile can be quickly and easily obtained. That has the advantage.

빔 프로파일을 측정한 후에 레이저(21)가 길이(L) 방향으로 원하는 프로파일을 가지는 라인형태의 레이저 빔이 출력되고 있음이 확인되면 레이저 열처리 공정을 진행한다. After measuring the beam profile, when the laser 21 is confirmed that the laser beam in the form of a line having the desired profile in the length (L) direction is output, the laser heat treatment process is performed.

한편, 레이저 열처리 공정 중에는 열처리 부산물(예컨대 기체나 미세입자)이 발생될 수 있으므로 레이저 열처리 공정 중에 빔 프로파일러(130)가 열처리 환경에 노출되어 있으면 추후에 정상적인 기능을 수행할 수 없다. 따라서 도 7에 도시된 바와 같이 빔 프로파일러(130)는 상하이동수단(80)을 통해서 기판 지지대(40)를 관통하여 상하이동 가능하게 설치되며, 빔 프로파일러(130)가 하강 한 후에는 그 관통구멍을 막도록 기판 지지대(40)에 셔터(42)가 설치된다. On the other hand, since the heat treatment by-products (for example, gas or fine particles) may be generated during the laser heat treatment process, if the beam profiler 130 is exposed to the heat treatment environment during the laser heat treatment process, a normal function may not be performed later. Therefore, as shown in FIG. 7, the beam profiler 130 is installed to be movable through the substrate support 40 through the shank moving means 80, and after the beam profiler 130 is lowered, the beam profiler 130 is lowered. The shutter 42 is provided in the substrate support 40 to block the through hole.

특히 공정 대상물인 기판(41)에 조사되는 레이저 빔의 정확한 프로파일을 측정하기 위해서 빔 프로파일러(130)는 기판(41)의 높이 수준까지만 상승하도록 하는 것이 바람직하다. In particular, in order to measure the exact profile of the laser beam irradiated onto the substrate 41, which is a process target, the beam profiler 130 is preferably raised only to the height level of the substrate 41.

위에 설명된 빔 프로파일러와 더불어, 레이저 빔의 강도를 측정할 수 있는 파워 검출 센서(미도시)가 빔 프로파일러(130)의 인근에 더 설치될 수도 있다.In addition to the beam profiler described above, a power detection sensor (not shown) capable of measuring the intensity of the laser beam may be further installed in the vicinity of the beam profiler 130.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 라인형태로 조사되는 레이저(21)의 길이(L) 방향에 따른 빔 프로파일의 측정을 통하여 종래에는 이룰 수 없었던 레이저(21)의 길이(L) 방향에 따른 열처리 균일성을 얻을 수 있으며, 나아가 기판(41)의 높이 수준에서도 프로파일 측정이 직접적으로 이루어지기 때문에 보다 정확하게 공정에 기여하는 레이저의 빔 프로파일을 얻을 수 있게 된다. 도 1과 같은 종래의 경우에는 반사에 의한 간접적인 방식으로 측정이 이루어지므로 여러 가지 보상이 필요할 수 있다. As described above, according to the present invention, heat treatment along the length L direction of the laser 21, which has not been achieved in the past, by measuring the beam profile along the length L direction of the laser 21 irradiated in a line shape. Uniformity can be obtained, and furthermore, since profile measurement is directly performed even at the height level of the substrate 41, the beam profile of the laser contributing to the process can be obtained more accurately. In the conventional case as shown in FIG. 1, various measurements may be necessary because the measurement is performed in an indirect manner by reflection.

도 1은 종래의 레이저 가공장치를 설명하기 위한 도면;1 is a view for explaining a conventional laser processing apparatus;

도 2는 종래의 다른 레이저 가공장치를 설명하기 위한 도면;2 is a view for explaining another conventional laser processing apparatus;

도 3은 레이저 형태를 설명하기 위한 도면;3 is a view for explaining a laser form;

도 4는 본 발명에 따른 레이저 가공장치를 설명하기 위한 도면;4 is a view for explaining a laser processing apparatus according to the present invention;

도 5 및 도 6은 빔 프로파일을 얻는 과정을 설명하기 위한 도면들;5 and 6 are diagrams for explaining a process of obtaining a beam profile;

도 7은 빔 프로파일러의 상하이동을 설명하기 위한 도면;7 is a view for explaining a shangdong of a beam profiler;

<도면의 주요부분에 대한 참조번호의 설명><Description of reference numbers for the main parts of the drawings>

10: 챔버 21: 조사 레이저10: chamber 21: irradiation laser

22: 반사 레이저 30: 강도측정센서22: reflected laser 30: intensity measuring sensor

40: 기판 지지대 41: 기판40: substrate support 41: substrate

42: 셔터 50: 미러42: shutter 50: mirror

70: 얼라인제어장치 80: 상하이동수단70: alignment control device 80: Shanghai East Sudan

130: 빔 프로파일러130: beam profiler

Claims (6)

기판에 나란한 방향으로 길이를 가지는 라인형태의 레이저를 상기 기판에 조사하는 레이저 조사장치;A laser irradiation device for irradiating the substrate with a line-shaped laser having a length in a direction parallel to the substrate; 상기 기판이 올려 놓이며 상기 레이저의 길이방향을 따라 수평하게 이동가능하게 설치되는 기판 지지대; 및A substrate support on which the substrate is placed and installed horizontally movable along the longitudinal direction of the laser; And 상기 레이저의 라인에 대향하도록 상기 기판 지지대의 측부위에 설치되어 상기 기판 지지대의 수평 이동에 따라 함께 이동하면서 상기 레이저의 길이 방향에 따른 빔의 프로파일을 측정하는 빔 프로파일러;를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공장치. And a beam profiler installed at a side of the substrate support so as to face the line of the laser, and moving along with the horizontal movement of the substrate support to measure the profile of the beam in the longitudinal direction of the laser. Laser processing equipment. 제1항에 있어서, 상기 기판 지지대가 상기 레이저의 길이방향과 수직한 방향으로 이동가능하게 설치되는 레이저 가공장치. The laser processing apparatus of claim 1, wherein the substrate support is installed to be movable in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the laser. 제1항에 있어서, 상기 빔 프로파일러에서 측정되는 프로파일을 입력받는 얼라인제어장치를 더 구비하고, 상기 얼라인제어장치는 상기 프로파일이 원하는 프로파일이 아닐 경우 상기 레이저 조사장치로 귀환신호를 송출하여 상기 레이저 조사장치가 원하는 프로파일을 가지는 라인형태의 레이저를 조사하도록 그 얼라인 상태를 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공장치. The apparatus of claim 1, further comprising an alignment control unit for receiving a profile measured by the beam profiler, wherein the alignment control unit sends a feedback signal to the laser irradiation apparatus when the profile is not a desired profile. And the alignment state is controlled so that the laser irradiation apparatus irradiates a laser having a line shape having a desired profile. 제1항에 있어서, 상기 빔 프로파일러가 상기 기판지지대의 밑부분으로 하강할 수도 있도록 상기 빔 프로파일러를 상하운동시키는 상하이동수단을 더 구비하며, 상기 기판 지지대에는 상기 빔 프로파일러가 하강하는 경우에 상기 빔 프로파일러의 윗부분을 가리도록 셔터가 설치되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공장치. According to claim 1, wherein the beam profiler is further provided with moving means for moving the beam profiler up and down so that it may be lowered to the bottom of the substrate support, the substrate support when the beam profiler is lowered And a shutter installed to cover the upper portion of the beam profiler. 제4항에 있어서, 상기 상하이동수단은 상기 빔 프로파일러가 상기 기판의 높이 수준까지만 상승하도록 상기 빔 프로파일러의 상승운동을 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공장치. The laser processing apparatus of claim 4, wherein the moving means controls the upward movement of the beam profiler such that the beam profiler rises only to a height level of the substrate. 제1항에 있어서, 상기 빔 프로파일러의 인근에 레이저 빔의 강도를 측정할 수 있는 파워 검출 센서가 더 설치된 것을 특징으로 하는 레이저 가공장치.The laser processing apparatus according to claim 1, further comprising a power detection sensor which can measure the intensity of the laser beam in the vicinity of the beam profiler.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150076895A (en) 2013-12-27 2015-07-07 에이피시스템 주식회사 Method for compensating laser and apparatus for operating the same
CN104816085A (en) * 2014-02-05 2015-08-05 Ap系统股份有限公司 Apparatus for processing laser
US9250124B2 (en) 2012-12-13 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Laser patterning examining apparatus

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63278693A (en) * 1987-05-06 1988-11-16 Nec Corp Laser beam trimming device
JPH05115992A (en) * 1991-05-16 1993-05-14 Nikon Corp Laser beam machine
JP2002176008A (en) * 2000-12-08 2002-06-21 Mitsubishi Electric Corp Method and apparatus for measuring illuminating laser beam
WO2004017392A1 (en) * 2002-08-13 2004-02-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Laser application method
TW200414280A (en) * 2002-09-25 2004-08-01 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Semiconductor device, annealing method, annealing apparatus and display apparatus
US7332263B2 (en) * 2004-04-22 2008-02-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for patterning an organic light emitting diode device
TWI364889B (en) * 2005-11-11 2012-05-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Laser device and laser system using the same
CN1978120B (en) * 2005-12-03 2010-12-08 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 Laser processing system
KR101000466B1 (en) * 2008-04-02 2010-12-14 에이피시스템 주식회사 Laser processing device and laser processing method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9250124B2 (en) 2012-12-13 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Laser patterning examining apparatus
KR20150076895A (en) 2013-12-27 2015-07-07 에이피시스템 주식회사 Method for compensating laser and apparatus for operating the same
CN104816085A (en) * 2014-02-05 2015-08-05 Ap系统股份有限公司 Apparatus for processing laser

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