KR20110070113A - Telecommunication connector and plating method for telecommunication connector - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 통신 커넥터의 표면처리방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저비용으로 통신 커넥터의 내식성 및 IMD특성을 향상시킬 수 있는 통신 커넥터의 표면처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a surface treatment method of a communication connector, and more particularly, to a surface treatment method of a communication connector that can improve the corrosion resistance and IMD characteristics of the communication connector at low cost.
일반적으로 이동통신에 대한 수요가 급증함에 따라 통신시스템의 고속·대용량화가 가속되고 있으며, 휴대폰, PCS, 위성통신, IMT-2000 등의 다양한 영역에서 그 수요가 급증하고 있다.In general, as the demand for mobile communication increases rapidly, high-speed and large-capacity communication systems are accelerating, and the demand is rapidly increasing in various areas such as mobile phones, PCS, satellite communication, and IMT-2000.
이와 같이 기존에 사용하지 않았던 고주파 영역의 통신이 확산되면서 마이크로파 통신에 필요한 이동통신 중계기, 안테나, 그리고 RF 부품의 수요가 확대되고 있다. As the communication in the high frequency range, which has not been used in the past, has been spreading, demand for mobile communication repeaters, antennas, and RF components required for microwave communication is expanding.
상기 중계기, 안테나에 사용되는 RF 부품 중 하나인 통신 커넥터는 주요 장치들 간의 케이블 및 시스템간 연결에 직접 사용되며, 커넥터의 경우 비선형성이 발생하면, S/N(signal to noise ratio)의 저하, 유효전력의 감소, 혼신의 발생 및 통화 품질의 저하, 통신중단 등의 문제점이 발생할 수 있다.The communication connector, which is one of the RF components used in the repeater and the antenna, is directly used for connecting cables and systems between major devices. Problems such as reduced active power, interference and poor call quality, and interruption of communication can occur.
상기 커넥터에 비선형성이 발생하는 이유로는 이종의 금속재가 접촉하거나, 코로나방전에 의해 발생되는 고전계에 의한 플라즈마 효과, 자성체 금속에 의한 자기적 비선형, 고전류의 밀도, 소자간의 느슨한 접촉, 부적합한 표면처리, 커넥터 내의 부산물 등을 들 수 있다.Non-linearity of the connector may be caused by the contact of dissimilar metals or by the high electric field plasma effect generated by corona discharge, magnetic nonlinearity by magnetic metal, high current density, loose contact between devices, and inadequate surface treatment. And by-products in the connector.
이와 같이 고주파 통신에서 통화품질과 용량에 큰 영향을 미치는 IMD를 해결하는 기술을 갖는 커넥터의 개발을 위하여 구리 및 구리합금 등의 원소재 상태로 사용하는 것이 아니라 자성체 금속재가 아닌 도금을 표면처리 함으로써 이러한 문제점을 일부 극복할 수 있다.Thus, in order to develop a connector with a technology to solve the IMD that has a great effect on the call quality and capacity in high frequency communication, it is not used in the state of raw materials such as copper and copper alloy, but by surface treatment of plating rather than magnetic metal material. Some problems can be overcome.
일반적으로 RF 커넥터는 이동통신 시스템의 각종 부품이나 장치들을 연결하기 위한 수단으로 사용되며, 그 용도와 성능에 따라서 다종 다양한 방식들이 적용되고 있다. RF 커넥터의 구성을 살펴보면 내부에 구비되는 선로, 대향하는 커넥터에 접속하기 위하여 그 일측면에 커넥터 몸체와 상기 커넥터 몸체의 타측면에 돌출되게 설치된 외부도체, 상기 외부도체의 내부에서 외부로 돌출하게 구비되어 동축케이블 또는 인쇄회로기판에 접속하기 위한 내부도체, 및 상기 외부도체와 내부도체의 사이에 채워진 유전체로 구성된다.In general, the RF connector is used as a means for connecting various components or devices of a mobile communication system, and various methods are applied according to its use and performance. Looking at the configuration of the RF connector is provided with a line provided inside, an outer conductor protruding from the other side of the connector body and the connector body on one side thereof in order to connect to the opposite connector, protrudes from the inside of the outer conductor to the outside And an inner conductor for connecting to a coaxial cable or a printed circuit board, and a dielectric filled between the outer conductor and the inner conductor.
RF 커넥터는 제품의 형상과 구조가 복잡하다. 특히 제품의 기밀유지를 위해 나사부가 많은 것이 특징이다. 이러한 제품을 전기도금한다면 균일성과 평활성이 우수한 도금을 얻기가 매우 어렵다. 특히 내부 도금면의 경우 전기도금을 한다면 균일 전착성의 저하로 인해 도금두께가 균일하지 못한 현상이 발생한다. RF connectors are complex in shape and structure. In particular, it features a large number of threads for the confidentiality of the product. If these products are electroplated, it is very difficult to obtain plating with excellent uniformity and smoothness. In particular, in the case of the inner plating surface, the plating thickness is not uniform due to the deterioration of uniform electrodeposition property when electroplating.
이러한 경우 RF 커넥터의 주요 특성인 IMD(InterModulation Distortion) 특성에 영향을 미치게 되므로 균일한 도금층의 형성이 대단히 중요하다.In this case, since it affects the IMD (InterModulation Distortion) characteristic of the RF connector, it is very important to form a uniform plating layer.
현재까지 이동통신 시스템에 사용되는 커넥터의 표면처리는 대부분 하지도금, 전해 또는 무전해 니켈도금을 행한 후, 변색방지층을 후처리하여 형성하는 형태를 취하고 있다.Until now, most of the surface treatment of connectors used in mobile communication systems has been formed by performing post-plating, electrolytic or electroless nickel plating, and post-discoloration prevention layer.
그러나, 무전해 니켈 도금의 경우 솔더링(soldering) 특성이 나쁘며, 가스 시험과 염수 분무시험에서 변색 및 부식현상이 발생하는 단점이 있으며, 전해 니켈 도금의 경우에는 균일한 도금이 이루어지지 않기 때문에 상기 언급한 통신이상의 원일이 될 수 있다. However, in the case of electroless nickel plating, there are disadvantages in that soldering characteristics are poor, discoloration and corrosion occur in gas test and salt spray test, and in the case of electrolytic nickel plating, uniform plating is not performed. It can be more than one communication.
즉 RF 커넥터가 설치되는 지역이 공기중에 염분을 많이 포함하고 있는 바닷가나 각종 가스가 배출되는 공업지역에서 표면이 검게 변색되며, 솔더링 특성이 저하될 수 있는 문제점이 있었다.That is, the surface where the RF connector is installed in the beach containing a large amount of salt in the air or industrial areas where various gases are discharged, the surface is black discoloration, there was a problem that the soldering characteristics may be degraded.
이와 같은 니켈 도금의 문제점을 해결하기 위하여 함침 코팅층을 형성하는 경우가 있으나, 이는 공정이 복잡하며, 상기 언급한 전해 또는 무전해 니켈 도금에 비하여 8배 이상의 비용이 증가하게 된다.In order to solve such a problem of nickel plating, there is a case in which an impregnating coating layer is formed.
상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 저비용으로 내식성과 IMD 특성의 저하를 방지할 수 있는 통신 커넥터의 표면처리방법을 제공함에 있다.The problem to be solved by the present invention in view of the above problems is to provide a surface treatment method of a communication connector that can prevent corrosion and degradation of IMD characteristics at low cost.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명 통신 커넥터의 표면처리방법은, a) 통신 커넥터의 표면에 청화동 소재의 하지층을 도금하는 단계와, b) 상기 하지층의 상부에 니켈을 주성분으로 하는 중간도금층을 도금하는 단계와, c) 상기 b) 단계의 결과물을 구리, 주석, 아연 3원합금 도금욕에서 도금하여 상기 중간도금층의 표면에 표면도금층을 도금하는 단계를 포함한다.The surface treatment method of the communication connector of the present invention for solving the above problems comprises the steps of: a) plating a base layer of a cyanide copper material on the surface of the communication connector; Plating the intermediate plating layer, and c) plating the surface plating layer on the surface of the intermediate plating layer by plating the resultant of the step b) in a copper, tin, and zinc ternary alloy plating bath.
또한 본 발명 통신 커넥터는, 통신 커넥터의 표면에 도금된 청화동 하지층과, 상기 청화동 하지층의 상부에 도금된 니켈을 주성분으로 하는 중간도금층과, 상기 중간도금층의 표면에 도금된 구리, 주석, 아연의 3원합금인 표면도금층을 포함한다.In addition, the communication connector of the present invention, a copper plating base layer mainly on the surface of the tunghwa copper base layer, a nickel plated on the upper surface of the copper copper base layer, and copper, tin plated on the surface of the intermediate plating layer And a surface plating layer which is a ternary alloy of zinc.
본 발명은 내식성이 우수한 중간층과 그 중간층의 상부에 IMD 특성이 우수한 표면도금층을 표면에 도금하여, 높은 내식성 및 IMD 특성을 나타낼 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of plating the surface of the intermediate layer having excellent corrosion resistance and the surface plating layer having excellent IMD properties on the upper surface thereof, thereby exhibiting high corrosion resistance and IMD characteristics.
상기와 같은 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.When described in detail with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the present invention as follows.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 통신 커넥터의 표면처리 공정 흐름도이다. 1 is a flowchart of a surface treatment process of a communication connector according to a preferred embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 통신 커넥터의 표면처리방법은, 통신 커넥터에서 이물질 및 유기물을 제거하고 세척하는 단계(S110)와, 상기 이물질 및 유기물이 제거된 통신 커넥터를 전해탈지시키고, 세척하는 단계(S120)와, 상기 전해탈지된 통신 커넥터의 산화피막을 제거하고 세척한 후, 활성화 처리하고 세척하는 단계(S130)와, 상기 활성화 처리된 통신 커넥터의 표면을 하지도금하는 단계(140)와, 상기 하지도금된 통신 커넥터를 중화시키고 세척하는 단계(S150)와, 상기 중화된 통신 커넥터의 하지도금층 상부를 니켈을 주성분으로 하는 도금재로 도금하여 중간도금층을 형성하는 단계(S160)와, 상기 중간도금층의 상부에 IMD 특성이 우수한 금속합금층을 도금하여 상부도금층을 형성하고 세척하는 단계(S170)와, 상기 표면도금층의 표면을 변색방지처리하고 세척하는 단계(S180)를 포함하여 구성된다.Referring to Figure 1, the surface treatment method of the communication connector according to an embodiment of the present invention, the step of removing and cleaning the foreign matter and organic matter in the communication connector (S110), and the electrolytic degreasing of the communication connector from which the foreign matter and organic matter is removed And cleaning (S120), removing and cleaning the oxide film of the electrolytic degreasing communication connector, then activating and cleaning (S130), and not plating the surface of the activated communication connector. 140, neutralizing and washing the underplated communication connector (S150), and forming an intermediate plating layer by plating an upper portion of the underplated layer of the neutralized communication connector with a plating material containing nickel as a main component (S160). ), And to form a metal plating layer having excellent IMD properties on top of the intermediate plating layer to form and wash the upper plating layer (S170), and the surface of the surface plating layer It is configured to include a step of preventing color fading and washing (S180).
이후의 공정에서는 열탕에서 세척 후, 에어로 건조하여 표면처리를 완료할 수 있다.In the subsequent process, after washing in boiling water, it can be dried by air to complete the surface treatment.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention configured as described above in more detail.
먼저, S110단계에서는 수입검사를 통과한 통신 커넥터들의 표면처리를 위하여 이물질 및 유기물제거를 위한 침지탈지를 수행한다.First, in step S110 to perform the immersion degreasing to remove foreign matter and organic matter for the surface treatment of the communication connector passed the import test.
이와 같은 침지탈지에 사용되는 용액은 50~60g/l 농도의 규산염수용액에 3 내지 5분 동안 침지시켜 처리한다. 이때 규산염수용액의 온도는 60 내지 70℃로 한다. The solution used for such immersion degreasing is treated by immersion in a silicate aqueous solution of 50 ~ 60g / l for 3 to 5 minutes. At this time, the temperature of the aqueous silicate solution is 60 to 70 ℃.
상기 S110단계에서는 동일한 침지 조건을 수 차례 반복하여 통신 커넥터의 표면에서 이물질 및 유기물을 제거한다.In step S110, the same immersion condition is repeated several times to remove foreign substances and organics from the surface of the communication connector.
그 다음, 다단의 수세(水洗)조에서 단계별로 세척한다.Then, it is washed step by step in a multi-stage washing tank.
그 다음, S120단계에서와 같이 상기 침지탈지로 이물질 및 유기물이 제거된 통신 커넥터를 전해 탈지시킨다.Then, as in step S120, the immersion degreasing electrolytic degreasing of the communication connector from which foreign substances and organic matters are removed.
이때 전해 탈지는 음극탈지조에서 음극통전탈지를 통해 이루어지며, 이는 농도가 50~60g/l인 시안화나트륨(NaCN) 수용액에서 1 내지 2분 동안 진행한다. 이때의 온도는 상온이다.At this time, the electrolytic degreasing is carried out through the negative electrode degreasing in the negative electrode degreasing tank, which is performed for 1 to 2 minutes in an aqueous sodium cyanide (NaCN) solution having a concentration of 50 to 60 g / l. The temperature at this time is room temperature.
그 다음 다단의 수세조에서 단계별로 세척한다.It is then washed step by step in a multistage washing tank.
그 다음, S130단계에서는 상기 전해 탈지된 통신 커넥터를 산활성화조에 1 내지 2분 동안 넣어 산화피막을 제거한다. 즉, 10wt%의 염산과 90wt%의 물이 혼합된 산에 상기 전해 탈지된 통신 커넥터를 침지시켜 그 표면에 형성된 산화피막을 제거한다.Next, in step S130, the electrolytic degreasing communication connector is put in an acid activation tank for 1 to 2 minutes to remove the oxide film. That is, the electrolytic degreasing communication connector is immersed in an acid mixed with 10 wt% hydrochloric acid and 90 wt% water to remove the oxide film formed on the surface thereof.
그리고 다단의 수세조에서 순차적으로 세척하고, 상기 산화피막이 제거된 통신 커넥터를 활성화한다. 이때 활성화는 100ml/l 농도의 황산나트륨과 40ml/l 농도의 황산 수용액을 각각 75wt%, 25wt% 혼합하여 사용한다. 침지시간은 10 내지 30초이며, 공정온도는 상온에서 진행한다.And sequentially washed in a multi-stage washing tank, to activate the communication connector is removed the oxide film. At this time, the activation is used by mixing 75wt%, 25wt% sodium sulfate of 100ml / l concentration and 40ml / l sulfuric acid aqueous solution, respectively. Immersion time is 10 to 30 seconds, the process temperature is carried out at room temperature.
그 다음 다단의 수세조에서 다시 단계별로 세척한다.It is then washed again step by step in a multi-stage flush tank.
그 다음, S140단계에서는 하지층의 형성을 위해 청화동을 도금한다. 이는 동도금조에 30 내지 35g/l 농도의 시안화동(CuCN) 수용액과 40 내지 45g/l의 시안화나트륨(NaCN) 수용액을 각각 43wt%와 57wt%를 혼합한 용액에 상기 표면이 활성화된 통신 커넥터를 침지시키고, 음극통전을 통해 도금한다.Next, in step S140, the blue and blue copper is plated to form the underlayer. It is immersed in the copper plating bath to immerse the surface-activated communication connector in a mixture of 30 to 35 g / l copper cyanide (CuCN) solution and 40 to 45 g / l sodium cyanide (NaCN) solution, respectively, 43 wt% and 57 wt%. And plate through the cathode.
도금 시간은 10 내지 30초이며, 공정온도는 45 내지 50℃를 유지한다.The plating time is 10 to 30 seconds, the process temperature is maintained at 45 to 50 ℃.
그 다음, 다단의 수세조에서 순차적으로 세척한다.Then, it is washed sequentially in a multistage washing tank.
그 다음 S150단계에서는 상기 하지층이 형성된 통신 커넥터를 중화시킨다. 상기 도금과 세척과정에서 산화피막이 발생할 수 있으며, 표면의 알칼리액을 중화 시키기 위하여 5% 황산 수용액에 그 통신 커넥터를 30 내지 60초 동안 침지시킨다. 이때의 공정온도는 상온이다.In step S150, the communication connector is neutralized. Anodization may occur during the plating and washing process, and the communication connector is immersed in a 5% sulfuric acid aqueous solution for 30 to 60 seconds to neutralize the alkaline solution on the surface. The process temperature at this time is room temperature.
그 다음, 다단의 수세조에서 순차적으로 세척한다.Then, it is washed sequentially in a multistage washing tank.
그 다음, S160단계에서는 상기 중화된 통신 커넥터의 하지 도금층 상에 니켈을 도금하여 중간도금층을 형성한다. 이때 니켈은 전해 니켈 또는 무전해 니켈을 사용할 수 있다. 상기 중간도금층의 도금두께를 측정하면서 적당한 두께로 도금되었으면 다단의 수세조에서 세척한다.Next, in step S160 to form an intermediate plating layer by plating nickel on the underlying plating layer of the neutralized communication connector. In this case, the nickel may be electrolytic nickel or electroless nickel. If the plated to the appropriate thickness while measuring the plating thickness of the intermediate plating layer is washed in a multi-stage washing tank.
또한 상기 S160단계의 중간도금층은, 황산니켈을 주재료로 하는 처리 공정으로 형성할 수 있다. In addition, the intermediate plating layer of step S160 may be formed by a treatment process using nickel sulfate as a main material.
상기 S150단계의 결과물을 250 내지 350g/l 농도의 황산니켈, 35 내지 45g/l 농도의 염화니켈, 35 내지 45g/l 농도의 붕산을 각각 60 내지 80wt%, 10 내지 20wt%, 10 내지 20wt%를 혼합하며, 첨가제로서 50ml/l 농도의 초산과 2ml/l 농도의 사카린, 1.3ml/l 농도의 포름알데히드를 첨가하되, 총 첨가제의 양은 상기 황산니켈, 염화니켈, 붕산이 혼합된 무게를 100으로 하였을 때, 0.4 내지 1wt%가 되도록 첨가한 용액에 넣고 도금을 실시한다.The result of step S150 is a nickel sulfate of 250 to 350g / l concentration, nickel chloride of 35 to 45g / l concentration, boric acid of 35 to 45g / l concentration of 60 to 80wt%, 10 to 20wt%, 10 to 20wt% Add 50 ml / l acetic acid, 2 ml / l saccharin, and 1.3 ml / l formaldehyde as an additive, and the total amount of the additive is 100% by weight of the nickel sulfate, nickel chloride, and boric acid. When it was set, the solution was added to a solution added to 0.4 to 1wt% and plating was performed.
이때 공정온도는 50 내지 55℃가 적당하며, pH는 4 내지 4.4의 범위가 되도록 한다.At this time, the process temperature is suitable 50 to 55 ℃, pH is to be in the range of 4 to 4.4.
황산니켈은 고전류밀도로 작업이 가능하도록 하며, 염화니켈은 양극을 용해 시키는 역할을 하고, 붕산은 음극 표면의 산도를 조정하여 적당한 산도로 유지될 수 있도록 하는 역할을 한다.Nickel sulphate makes it possible to work at high current density, nickel chloride dissolves the positive electrode, and boric acid adjusts the acidity of the negative electrode surface to maintain proper acidity.
상기 초산은 균일한 도금 전착성을 보다 향상시키는 역할을 하며, 사카린은 도금 표면의 레벨링을 향상시키는 첨가제이며, 포름알데히드는 습윤제와 분산제 역할을 한다.The acetic acid serves to further improve the uniform plating electrodeposition, saccharin is an additive to improve the leveling of the plating surface, formaldehyde acts as a wetting agent and dispersant.
상기 첨가제 전체의 무게를 100wt%로 하였을 때, 상기 초산이 98 내지 99wt%, 사카린과 포름알데히드가 각각 0.5 내지 1wt%로 하는 것이 바람직하다.When the total weight of the additive is 100 wt%, the acetic acid is preferably 98 to 99wt%, saccharin and formaldehyde are 0.5 to 1wt%, respectively.
이와 같이 도금을 실시한 후, 두께를 측정하고 이상이 없으면 다단의 수세조에서 단계적으로 세척한다.After plating in this way, the thickness is measured, and if there is no abnormality, it is washed stepwise in a multistage washing tank.
본 발명은 상기 중간도금층을 황산니켈을 주성분으로 하는 도금공정으로 형성하는 경우, 보다 균일하고 솔더링 특성이 우수한 도금을 얻을 수 있다.In the present invention, when the intermediate plating layer is formed by a plating process containing nickel sulfate as a main component, it is possible to obtain plating with more uniform and excellent soldering properties.
그 다음 상기 S170단계에서는, 상기 S160단계에서 제조된 중간도금층의 상부에 구리(Cu), 주석(Sn), 아연(Zn)의 3원합금 도금을 실시하여 표면도금층을 형성한다.Then, in step S170, the surface plating layer is formed by performing three-way alloy plating of copper (Cu), tin (Sn), and zinc (Zn) on the intermediate plating layer prepared in step S160.
상기 표면도금층은 S160단계의 결과물을 상기 구리가 50 내지 55wt%, 주석이 35 내지 40wt%, 아연이 5 내지 12wt%로 혼합된 3원합금 도금욕에서 도금하는 것이 바람직하다.The surface plating layer is preferably plated in the ternary alloy plating bath in which the resultant of step S160 is mixed with 50 to 55 wt% of copper, 35 to 40 wt% of tin, and 5 to 12 wt% of zinc.
상기 표면도금층은 IMD 특성이 우수한 것이나 제조비용이 다른 도금에 비하여 상대적으로 높다. 실험적으로 그 표면도금층을 1㎛이상의 두께로 하였을 때 적당한 IMD 특성이 발현되며 제조비용을 상대적으로 낮출 수 있었다.The surface plating layer is excellent in IMD characteristics, but the manufacturing cost is relatively high compared to other plating. Experimentally, when the surface plated layer was set to a thickness of 1 µm or more, appropriate IMD characteristics were expressed and manufacturing costs were relatively lowered.
이와 같이 상기 표면도금층을 형성한 후, 세척하고 필요에 따라 S180단계의 변색방지처리 및 세척을 실시할 수 있다.After forming the surface plating layer in this way, the washing and washing can be carried out as necessary to prevent discoloration of step S180.
상기 선택적인 공정단계는 S180단계는 상기 표면도금층의 표면을 5 내지 10% 농도의 타니반으로 30 내지 60초 동안 처리하여 표면도금층의 변색을 방지한다. 이때 공정온도는 50 내지 70℃로 한다.In the optional process step S180, the surface of the surface plated layer is treated with Taniban at a concentration of 5 to 10% for 30 to 60 seconds to prevent discoloration of the surface plated layer. At this time, the process temperature is 50 to 70 ℃.
변색방지처리가 되면 다단의 수세조에서 단계적으로 세척한다.When discoloration prevention treatment is performed step by step in a multi-stage washing tank.
이후의 공정에서는 순수열탕에서 탕세처리하고, 에어로 건조시킨 후 최종검사를 통해 통신 커넥터의 도금의 불량 여부를 확인하게 된다.In the subsequent process, the hot water treatment is performed in a hot water bath, dried with air, and the final inspection is performed to check whether the plating of the communication connector is defective.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 통신 커넥터의 일부 단면 구성도이다.2 is a partial cross-sectional view of a communication connector according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 통신 커넥터는, 통신 커넥터의 표면인 소재층(10)의 상부에 하지층(20), 중간도금층(30) 및 표면도금 층(40)이 순차적으로 적층되어 구성된다.Referring to FIG. 2, in the communication connector according to the preferred embodiment of the present invention, the base layer 20, the
상기 하지층(20)은 앞서 상세히 설명한 바와 같이 청화동이며, 그 하지층(20)의 상부에 위치하는 중간도금층(30)은 전해질 니켈 또는 비전해질 니켈일 수 있다.As described in detail above, the base layer 20 is clarified copper, and the
또한 그 중간도금층(30)은 니켈화합물로 이루어질 수 있으며, 그 니켈화합물은 황산니켈을 주원료로하고, 염화니켈, 붕산 및 첨가제가 첨가되어 제조되는 것이다.In addition, the
이와 같이 전해질 니켈, 비전해질 니켈, 니켈화합물인 중간도금층(30)은 염분에 대한 부식방지특성이 우수하며, 도 3의 시험결과에서와 같이 720시간이 경과한 경우에도 시료#1-1(전해질 니켈 중간도금층), 시료#1-2(비전해질 니켈 중간도금층) 모두 염분에 의해 부식되지 않은 것을 알 수 있다.As such, the
상기 중간도금층(30)의 두께는 필요에 따라 결정할 수 있으나, 제조비용과 내식성의 관계를 고려하여 2 내지 3㎛의 두께가 되도록 하는 것이 바람직하다.The thickness of the
이처럼 본 발명에 따른 통신 커넥터는 표면에 하지층(20), 염분에 대한 내식성이 우수한 중간도금층(30) 및 IMD 특성이 우수한 표면도금층(40)이 순차적으로 도금되어 높은 내식성과 높은 IMD 특성을 나타낼 수 있게 된다.As described above, in the communication connector according to the present invention, the base layer 20, the
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 통신 커넥터 표면처리방법의 공정 흐름도이다.1 is a process flow diagram of a communication connector surface treatment method according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 통신 커넥터의 표면 일부 단면도이다.2 is a partial cross-sectional view of the surface of a communication connector according to a preferred embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 염에 대한 내식성의 시험결과표이다.3 is a test result table of the corrosion resistance of the salt of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10:소재 20:하지층10: Material 20: Lower layer
30:중간도금층 40:표면도금층30: intermediate plating layer 40: surface plating layer
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KR1020090126808A KR20110070113A (en) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | Telecommunication connector and plating method for telecommunication connector |
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KR101274614B1 (en) * | 2013-04-29 | 2013-06-13 | 삼현도금 주식회사 | Method for treating surface of metal, metal material produced by the same, and electrical electronic components using the same |
KR20190121214A (en) * | 2018-10-29 | 2019-10-25 | 삼성전기주식회사 | Capacitor component |
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2009
- 2009-12-18 KR KR1020090126808A patent/KR20110070113A/en active IP Right Grant
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