KR20110066597A - Light emission device and display device with the same - Google Patents

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KR20110066597A
KR20110066597A KR1020090123324A KR20090123324A KR20110066597A KR 20110066597 A KR20110066597 A KR 20110066597A KR 1020090123324 A KR1020090123324 A KR 1020090123324A KR 20090123324 A KR20090123324 A KR 20090123324A KR 20110066597 A KR20110066597 A KR 20110066597A
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Abstract

PURPOSE: A light emitting device and a display device including the same are provided to prevent a junction failure by inserting densely a sealing part between gate terminals. CONSTITUTION: A vacuum container(14) includes the first substrate, the second substrate and a sealing part located between the first substrate and the second substrate. A concave part(15) is depressed along one direction on one side of the first substrate. A cathode electrode(16) is formed along the same direction as the depressed part within the concave part. An electron emission part is formed on a cathode electrode within the concave part. A gate electrode(18) is fixed on one side of the first substrate along a direction crossing the cathode electrode within the sealing part.

Description

발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치 {LIGHT EMISSION DEVICE AND DISPLAY DEVICE WITH THE SAME}LIGHT EMISSION DEVICE AND DISPLAY DEVICE WITH THE SAME}

본 발명은 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전계 방출(field emission) 원리를 이용한 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device and a display device having the same, and more particularly, to a light emitting device using a field emission principle and a display device having the same.

발광 장치 중 전계 방출 원리를 이용하여 전자들을 방출시키고, 이 전자들로 형광층을 여기시켜 빛을 내는 발광 장치가 있다. 이 발광 장치는 기본적으로 후면 기판의 일면에 구동 전극과 전자 방출부를 구비하고, 전면 기판의 일면에 애노드 전극과 형광층을 구비한다. 여기서, 전면 기판과 후면 기판은 밀봉 부재에 의해 가장자리가 일체로 접합된 후 내부 공간이 배기되어 밀봉 부재와 함께 진공 용기를 구성한다.Among light emitting devices, there is a light emitting device that emits electrons by using a field emission principle and excites a fluorescent layer with these electrons to emit light. The light emitting device basically includes a driving electrode and an electron emission unit on one surface of a rear substrate, and an anode electrode and a fluorescent layer on one surface of the front substrate. Here, the front substrate and the rear substrate are integrally bonded to the edge by the sealing member, and then the internal space is exhausted to form a vacuum container together with the sealing member.

구동 전극은 캐소드 전극들과, 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되는 게이트 전극들을 포함한다. 캐소드 전극들과 게이트 전극들 사이에는 절연층이 위치하며, 캐소드 전극들과 게이트 전극들의 교차 영역마다 게이트 전극들과 절연층에 개구부가 형성된다. 그리고 이 개구부에 의해 노출된 캐소드 전극들 위로 전자 방출부가 위치한다.The driving electrode includes cathode electrodes and gate electrodes formed along a direction crossing the cathode electrodes. An insulating layer is positioned between the cathode electrodes and the gate electrodes, and openings are formed in the gate electrodes and the insulating layer at each crossing region of the cathode electrodes and the gate electrodes. The electron emission portion is positioned above the cathode electrodes exposed by the opening.

그런데 전술한 구조에서는 발광 장치 작용시 절연층의 표면이 전하로 쉽게 대전되므로 캐소드 전극과 게이트 전극 사이의 내전압 특성을 낮추어 구동 안정성을 저하시킨다. 또한, 캐소드 전극과 게이트 전극 각각에 대해 도전막 코팅 후 이를 패터닝하는 공정이 필요하고, 개구부 형성을 위한 식각 공정 및 전자 방출부 형성을 위한 미세 패터닝 공정도 필요하므로 제조 방법이 매우 복잡하다.However, in the above-described structure, since the surface of the insulating layer is easily charged with electric charge when the light emitting device is in operation, the breakdown voltage characteristic between the cathode electrode and the gate electrode is lowered, thereby lowering the driving stability. In addition, a process for patterning the cathode electrode and the gate electrode after coating the conductive film is required, and an etching process for forming an opening and a fine patterning process for forming an electron emission part are also required.

따라서 후면 기판의 변형으로 절연층을 생략함과 동시에 금속판으로 게이트 전극들을 미리 제조하고, 이 게이트 전극들을 후면 기판 위에 나란히 접합시키는 방법으로 발광 장치를 제조할 수 있다. 게이트 전극들에는 각 화소 영역마다 전자 통과를 위한 복수의 개구부가 형성되며, 게이트 전극들의 한쪽 단부가 밀봉 부재의 바깥으로 노출되어 구동 전압을 인가받는 단자부로 기능한다.Therefore, the light emitting device can be manufactured by a method of omitting an insulating layer due to deformation of the rear substrate and simultaneously manufacturing gate electrodes using a metal plate and bonding the gate electrodes side by side on the rear substrate. A plurality of openings are formed in the gate electrodes to pass electrons in each pixel region, and one end of the gate electrodes is exposed to the outside of the sealing member to function as a terminal portion to which a driving voltage is applied.

그런데 이 경우 전면 기판과 후면 기판 및 밀봉 부재를 일체로 접합시키는 봉착 공정에서, 밀봉 부재와 중첩되는 게이트 전극들로 인해 밀봉 부재에 미세한 틈이 생기는 접합 불량이 발생할 수 있다. 즉, 금속판으로 제조되는 게이트 전극은 비교적 큰 두께를 가지기 때문에, 밀봉 부재가 게이트 전극들 사이를 치밀하게 채우지 못하여 접합 불량이 발생할 수 있다. 그 결과, 봉착 공정 다음에 이어지는 배기 공정에서 제품 불량이 일어나게 된다.However, in this case, in a sealing process in which the front substrate, the rear substrate, and the sealing member are integrally bonded, poor bonding may occur in which a fine gap is formed in the sealing member due to the gate electrodes overlapping the sealing member. That is, since the gate electrode made of the metal plate has a relatively large thickness, the sealing member may not fill the gaps between the gate electrodes densely, resulting in poor bonding. As a result, product defects occur in the exhaust process following the sealing process.

본 발명은 게이트 전극에 의한 밀봉 부재의 접합 불량을 방지하고, 접합 불 량에 따른 진공 누설을 예방할 수 있는 발광 장치 및 이 발광 장치를 구비한 표시 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a light emitting device capable of preventing a poor bonding of a sealing member by a gate electrode and preventing a vacuum leakage due to a poor bonding, and a display device having the light emitting device.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 장치는, ⅰ) 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판과 제2 기판 사이에 위치하는 밀봉 부재를 포함하는 진공 용기와, ⅱ) 제1 기판의 일면에 일 방향을 따라 함몰 형성되는 오목부와, ⅲ) 오목부 내에서 오목부와 같은 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극과, ⅳ) 오목부 내에서 캐소드 전극 위에 형성되는 전자 방출부와, ⅴ) 밀봉 부재의 내측에서 캐소드 전극과 교차하는 방향을 따라 제1 기판의 일면에 고정되며, 금속판으로 형성되는 게이트 전극과, ⅵ) 제1 기판의 일면에서 밀봉 부재를 가로지르며 밀봉 부재의 내측과 외측에 걸쳐 형성되고, 게이트 전극과 전기적으로 연결되며, 게이트 전극보다 작은 두께를 가지는 도전막으로 형성되는 게이트 단자부를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a light emitting device comprising: a) a vacuum container including a first substrate and a second substrate disposed to face each other, a sealing member positioned between the first substrate and the second substrate, and 1 a recess formed in one surface of the substrate along one direction, i) a cathode electrode formed in the recess in the same direction as the recess, and i) an electron emission portion formed on the cathode in the recess; (Iii) a gate electrode fixed to one surface of the first substrate along a direction crossing the cathode electrode inside the sealing member, and iii) crossing the sealing member on one surface of the first substrate and crossing the sealing member on the inside of the sealing member. And a gate terminal portion formed over the outer side and electrically connected to the gate electrode and formed of a conductive film having a thickness smaller than that of the gate electrode.

게이트 전극은 캐소드 전극보다 큰 두께를 가질 수 있으며, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 및 철(Fe) 중 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 게이트 전극은 양극 접합(anode bonding) 방법으로 제1 기판의 일면에 고정될 수 있고, 제1 기판과 게이트 전극 사이의 계면에 금속산화막이 형성될 수 있다.The gate electrode may have a larger thickness than the cathode electrode and may include at least one metal of aluminum (Al), nickel (Ni), and iron (Fe). The gate electrode may be fixed to one surface of the first substrate by an anode bonding method, and a metal oxide film may be formed at an interface between the first substrate and the gate electrode.

게이트 단자부는 밀봉 부재의 내측에 위치하는 제1 영역과, 밀봉 부재와 중첩되는 제2 영역, 및 밀봉 부재의 외측에 위치하는 제3 영역을 포함할 수 있으며, 제3 영역에서 구동 전압을 인가받을 수 있다. 게이트 단자부는 제1 영역에서 게이트 전극과 중첩되어 게이트 전극과 면접촉을 할 수 있다.The gate terminal portion may include a first region located inside the sealing member, a second region overlapping the sealing member, and a third region located outside the sealing member, and receive a driving voltage from the third region. Can be. The gate terminal part may overlap the gate electrode in the first region to make surface contact with the gate electrode.

발광 장치는, 제1 기판과 제2 기판 사이에서 게이트 전극과 게이트 단자부의 중첩 영역에 배치되어 게이트 전극을 가압하는 스페이서를 더욱 포함할 수 있다.The light emitting device may further include a spacer disposed in an overlapping region of the gate electrode and the gate terminal portion between the first substrate and the second substrate to press the gate electrode.

게이트 단자부는 적어도 하나의 개구부를 형성할 수 있으며, 게이트 전극은 개구부에 의해 노출된 제1 기판 부위에 양극 접합으로 고정될 수 있다.The gate terminal portion may form at least one opening, and the gate electrode may be fixed to the first substrate portion exposed by the opening by an anodic junction.

게이트 단자부는 진공 증착, 스퍼터링, 및 스크린 인쇄 중 어느 하나의 방법으로 형성될 수 있다. 게이트 단자부는 캐소드 전극과 같은 물질로 캐소드 전극과 동시에 형성될 수 있다.The gate terminal portion can be formed by any one of vacuum deposition, sputtering, and screen printing. The gate terminal portion may be formed of the same material as the cathode electrode and simultaneously with the cathode electrode.

게이트 전극은 전자빔 통과를 위한 개구부들을 형성하는 메쉬부와, 메쉬부를 둘러싸며 제1 기판의 일면에 고정되는 지지부를 포함할 수 있다. 캐소드 전극의 두께와 전자 방출부의 두께 합은 오목부의 함몰 깊이보다 작을 수 있다.The gate electrode may include a mesh part forming openings for passing the electron beam, and a support part surrounding the mesh part and fixed to one surface of the first substrate. The sum of the thickness of the cathode electrode and the thickness of the electron emitting portion may be less than the depression depth of the recess.

발광 장치는, 제2 기판의 일면에 위치하는 애노드 전극과 형광층 및 반사막을 더욱 포함할 수 있다.The light emitting device may further include an anode electrode, a fluorescent layer, and a reflective film positioned on one surface of the second substrate.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는, 전술한 구조의 발광 장치와, 발광 장치의 전방에 위치하며 발광 장치로부터 빛을 제공받아 화상을 표시하는 표시 패널을 포함한다.A display device according to an embodiment of the present invention includes a light emitting device having the above-described structure, and a display panel positioned in front of the light emitting device and receiving light from the light emitting device to display an image.

표시 패널은 제1 화소들을 포함하고, 발광 장치는 제1 화소들보다 적은 개수의 제2 화소들을 포함하며, 제2 화소는 자신과 대응하는 제1 화소들의 계조에 대응하여 독립적으로 발광할 수 있다. 표시 패널은 액정 표시 패널일 수 있다.The display panel may include first pixels, and the light emitting device may include fewer second pixels than the first pixels, and the second pixels may independently emit light corresponding to the gray levels of the first pixels corresponding to the first pixels. . The display panel may be a liquid crystal display panel.

본 발명의 실시예들에 따르면, 게이트 단자부의 얇은 두께로 인해 밀봉 부재 는 봉착 공정에서 게이트 단자부들 사이를 치밀하게 채울 수 있다. 따라서 봉착 공정에서 밀봉 부재에 미세한 틈이 생기는 접합 불량을 효과적으로 방지할 수 있다. 그 결과, 봉착 공정 다음에 이어지는 배기 공정에서 진공 누설을 방지하여 진공 용기의 진공도를 안정적으로 확보할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the sealing member may be densely filled between the gate terminal portions in the sealing process due to the thin thickness of the gate terminal portion. Therefore, it is possible to effectively prevent the bonding failure in which a minute gap occurs in the sealing member in the sealing step. As a result, it is possible to stably secure the vacuum degree of the vacuum container by preventing the vacuum leakage in the exhaust step following the sealing step.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 부분 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시한 발광 장치 중 발광 영역을 나타낸 사시도이다.1 is a partial cross-sectional view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing a light emitting area of the light emitting device shown in FIG. 1.

도 1과 도 2를 참고하면, 제1 실시예의 발광 장치(101)는 제1 기판(11)과, 제1 기판(11)에 대향 배치되는 제2 기판(12)과, 제1 기판(11)과 제2 기판(12) 사이로 양 기판(11, 12)의 가장자리에 배치되어 양 기판(11, 12)에 일체로 접합되는 밀봉 부재(13)를 포함한다. 제1 기판(11)과 제2 기판(12) 및 밀봉 부재(13)는 그 내부 공간이 대략 10-6 Torr의 진공도로 배기되어 평판 모양의 진공 용기(14)를 구성한다.1 and 2, the light emitting device 101 of the first embodiment includes a first substrate 11, a second substrate 12 disposed opposite to the first substrate 11, and a first substrate 11. ) And a sealing member 13 disposed at the edge of both substrates 11 and 12 between the second substrate 12 and the second substrate 12 and integrally bonded to both substrates 11 and 12. The inner space of the first substrate 11, the second substrate 12, and the sealing member 13 is evacuated to a vacuum of approximately 10 −6 Torr to form a flat vacuum container 14.

제1 기판(11)은 제2 기판(12)을 향한 일면에 일정 간격으로 이격된 오목부들(15)을 형성한다. 오목부들(15)은 소정 깊이로 함몰 형성되며, 제1 기판(11)의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다. 오목부(15)는 식각 또는 샌드 블라스트 등의 방법으로 제1 기판(11)의 일부를 제거하는 방법으로 형성될 수 있다. 오목부(15)는 경사진 측벽 또는 수직 측벽을 가지며, 도 1과 도 2에서는 경사진 측벽을 예로 들어 도시하였다.The first substrate 11 forms recesses 15 spaced at regular intervals on one surface facing the second substrate 12. The recesses 15 are recessed to a predetermined depth and are formed in a stripe pattern along one direction of the first substrate 11. The concave portion 15 may be formed by removing a part of the first substrate 11 by etching or sand blasting. The recessed part 15 has an inclined side wall or a vertical side wall, and in FIG. 1 and FIG. 2, the inclined side wall is shown as an example.

제1 기판(11)은 유리 기판일 수 있고, 대략 1.8mm의 두께로 형성될 수 있다. 이 경우 오목부(15)는 대략 40㎛의 함몰 깊이와, 대략 300㎛ 내지 600㎛의 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 제1 기판(11)의 두께와 오목부(15)의 함몰 깊이 및 폭은 전술한 예에 한정되지 않는다.The first substrate 11 may be a glass substrate, and may be formed to a thickness of approximately 1.8 mm. In this case, the concave portion 15 may be formed to have a depression depth of approximately 40 μm and a width of approximately 300 μm to 600 μm. The thickness of the first substrate 11 and the depth and width of the recess 15 are not limited to the above-described examples.

각 오목부(15)의 바닥면에 캐소드 전극(16)과 전자 방출부(17)가 위치한다. 캐소드 전극(16)은 오목부(15)의 바닥면에서 오목부(15)와 나란한 스트라이프 패턴으로 형성된다. 전자 방출부(17)는 캐소드 전극(16) 바로 위에 형성된다. 전자 방출부(17)는 캐소드 전극(16)과 나란한 스트라이프 패턴으로 형성되거나, 캐소드 전극(16)과 게이트 전극(18)의 교차 영역마다 하나씩 형성될 수 있다. 도 2에서는 교차 영역에만 형성된 전자 방출부(17)를 예로 들어 도시하였다.The cathode electrode 16 and the electron emission section 17 are located on the bottom surface of each recess 15. The cathode electrode 16 is formed in a stripe pattern parallel to the recess 15 at the bottom surface of the recess 15. The electron emission portion 17 is formed directly on the cathode electrode 16. The electron emission units 17 may be formed in a stripe pattern parallel to the cathode electrode 16, or may be formed in each crossing region of the cathode electrode 16 and the gate electrode 18. In FIG. 2, the electron emission unit 17 formed only in the cross region is illustrated as an example.

전자 방출부(17)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질을 포함한다. 전자 방출부(17)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드상 탄소, 풀러렌(C60), 및 실리콘 나노와이어 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 스크린 인쇄와 같은 후막 공정으로 형성될 수 있다.The electron emission unit 17 includes materials that emit electrons when an electric field is applied in a vacuum, such as a carbon-based material or a nanometer-sized material. The electron emission unit 17 may include, for example, at least one of carbon nanotubes, graphite, graphite nanofibers, diamond-like carbon, fullerene (C 60 ), and silicon nanowires, and may be formed by a thick film process such as screen printing. Can be.

캐소드 전극(16)의 두께와 전자 방출부(17)의 두께 합은 오목부(15)의 함몰 깊이보다 작다. 따라서 캐소드 전극(16)과 전자 방출부(17)는 오목부(15)가 형성되지 않은 제1 기판(11)의 일면에 대해 소정의 높이 차이를 두고 낮게 위치한다. 그리고 오목부들(15) 사이에 해당하는 제1 기판(11) 부위가 이웃한 캐소드 전극들(16)을 분리시키는 담장으로 기능한다.The sum of the thickness of the cathode electrode 16 and the thickness of the electron emitting portion 17 is smaller than the depth of depression of the recessed portion 15. Therefore, the cathode electrode 16 and the electron emission part 17 are positioned lower with a predetermined height difference with respect to one surface of the first substrate 11 on which the recess 15 is not formed. The portion of the first substrate 11 corresponding to the recesses 15 serves as a fence separating the neighboring cathode electrodes 16.

게이트 전극(18)은 캐소드 전극(16)보다 큰 두께를 가지는 금속판으로 제조되며, 전자빔 통과를 위한 개구부들(181)을 형성하는 메쉬부(182)와, 메쉬부(182)를 둘러싸는 지지부(183)로 이루어진다. 게이트 전극(18)은 금속판을 스트라이프 형태로 절단한 다음 식각 등의 방법으로 금속판의 일부를 제거하여 개구부(181)를 형성하는 단계를 거쳐 제조될 수 있다.The gate electrode 18 is made of a metal plate having a thickness greater than that of the cathode electrode 16, and includes a mesh part 182 forming openings 181 for passing electron beams, and a support part surrounding the mesh part 182. 183). The gate electrode 18 may be manufactured by cutting the metal plate in a stripe shape and then removing a portion of the metal plate by etching to form the opening 181.

게이트 전극(18)은 대략 50㎛의 두께와 대략 10mm의 폭으로 형성될 수 있고, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 및 철(Fe) 중 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 게이트 전극(18)의 두께와 폭 및 소재는 전술한 예에 한정되지 않는다.The gate electrode 18 may be formed to have a thickness of approximately 50 μm and a width of approximately 10 mm, and may include one or more metals of aluminum (Al), nickel (Ni), and iron (Fe). The thickness, width, and material of the gate electrode 18 are not limited to the examples described above.

게이트 전극(18)은 캐소드 전극(16) 및 전자 방출부(17)와 별도의 공정에서 미리 제작된 후 캐소드 전극(16)과 교차하는 방향을 따라 제1 기판(11) 위에 고정된다. 즉, 게이트 전극(18)은 메쉬부(182)가 전자 방출부(17)와 마주하고, 지지부(183)가 오목부들(15) 사이로 제1 기판(11)의 일면과 접하도록 제1 기판(11) 위에 배치된다. 따라서 게이트 전극(18)은 제1 기판(11)의 두께 방향(도면의 z축 방향)을 따라 전자 방출부(17)와 이격되며, 제1 기판(11) 위에 고정되는 것만으로 전자 방출부(17) 및 캐소드 전극(16)과 자동으로 절연된다.The gate electrode 18 is previously fabricated in a separate process from the cathode electrode 16 and the electron emission part 17, and then fixed to the first substrate 11 in a direction crossing the cathode electrode 16. That is, the gate electrode 18 may include a first substrate (ie, the mesh portion 182 may face the electron emission portion 17, and the support portion 183 may contact one surface of the first substrate 11 between the recesses 15). 11) is placed on top. Therefore, the gate electrode 18 is spaced apart from the electron emission unit 17 along the thickness direction of the first substrate 11 (the z-axis direction of the drawing), and is fixed only on the first substrate 11. 17) and cathode electrode 16 automatically.

게이트 전극(18)은 제1 기판(11) 위에 양극 접합(anode bonding) 방법으로 고정될 수 있다. 양극 접합은 실리콘 웨이퍼를 서로 접합하거나 실리콘과 유리를 서로 접합할 때 사용되는 공정이며, 접합하고자 하는 두 물체를 접촉시킨 후 대략 450℃의 온도에서 전계를 가하는 방법으로 진행된다. 제1 기판(11) 위에 게이트 전극(18)을 양극 접합 방법으로 고정시키는 과정을 구체적으로 설명한다.The gate electrode 18 may be fixed on the first substrate 11 by an anode bonding method. Anodic bonding is a process used to bond silicon wafers to each other or to bond silicon and glass to each other. The anode bonding is performed by contacting two objects to be bonded and applying an electric field at a temperature of approximately 450 ° C. A process of fixing the gate electrode 18 on the first substrate 11 by an anodic bonding method will be described in detail.

먼저, 접합 전극을 구비한 스테이지(도시하지 않음) 위에 제1 기판(11)을 배치하고, 제1 기판(11) 위에 게이트 전극(18)을 배치한다. 이어서 제1 기판(11)과 게이트 전극(18)에 열을 가하여 고온의 상태로 만든 후, 스테이지의 접합 전극과 게이트 전극(18) 사이에 전계를 걸어준다. 그러면 제1 기판(11)의 내부에서 나트륨 양이온과 산소 음이온이 서로 반대 방향으로 분리된다. 이때, 나트륨 양이온은 스테이지의 접합 전극을 향해 이동하고, 산소 음이온은 게이트 전극(18)을 향해 이동한다.First, the first substrate 11 is disposed on a stage (not shown) provided with the junction electrode, and the gate electrode 18 is disposed on the first substrate 11. Subsequently, heat is applied to the first substrate 11 and the gate electrode 18 to bring it into a high temperature state, and an electric field is applied between the junction electrode of the stage and the gate electrode 18. Then, sodium cations and oxygen anions are separated in opposite directions in the first substrate 11. At this time, the sodium cation moves toward the junction electrode of the stage and the oxygen anion moves toward the gate electrode 18.

게이트 전극(18)은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 따라서 게이트 전극(18)의 알루미늄과 제1 기판(11)의 산소 음이온이 반응하여 제1 기판(11)과 게이트 전극(18) 사이의 계면에 산화알루미늄막이 형성된다. 이 산화알루미늄막이 제1 기판(11)과 게이트 전극(18)을 접합시키는 역할을 한다. 게이트 전극(18)이 다른 금속을 포함하는 경우, 금속산화막의 종류는 달라진다.The gate electrode 18 may include aluminum (Al). Therefore, the aluminum oxide film is formed at the interface between the first substrate 11 and the gate electrode 18 by reacting aluminum of the gate electrode 18 with oxygen anions of the first substrate 11. This aluminum oxide film serves to bond the first substrate 11 and the gate electrode 18 to each other. When the gate electrode 18 contains another metal, the kind of metal oxide film is different.

이와 같이 접착층과 같은 중간 매개물 없이 게이트 전극(18)을 제1 기판(11) 위에 직접 고정시키므로 게이트 전극(18)의 접합력을 높일 수 있다. 또한, 후속 열처리 공정에서 접착층이 녹는 일이 없으므로 후속 공정에서 게이트 전극(18)의 정 렬이 틀어지는 문제를 원천적으로 차단할 수 있다.As such, since the gate electrode 18 is directly fixed on the first substrate 11 without an intermediate medium such as an adhesive layer, the bonding force of the gate electrode 18 may be increased. In addition, since the adhesive layer does not melt in the subsequent heat treatment process, the problem of misalignment of the alignment of the gate electrode 18 in the subsequent process may be fundamentally prevented.

한편, 게이트 전극(18)의 메쉬부(182)는 캐소드 전극(16)과 교차하는 영역뿐만 아니라 캐소드 전극(16)과 교차하지 않는 영역에도 위치할 수 있다. 즉, 게이트 전극(18)에 하나의 메쉬부(182)가 제공될 수 있으며, 메쉬부(182)의 일부가 직접 제1 기판(11) 위에 고정된다. 이 경우 제1 기판(11) 위에 게이트 전극(18)을 배치할 때 전자 방출부(17)와의 정렬 특성을 크게 고려하지 않아도 되므로 공정 여유를 가질 수 있다.Meanwhile, the mesh unit 182 of the gate electrode 18 may be located not only in the region crossing the cathode electrode 16 but also in the region not crossing the cathode electrode 16. That is, one mesh unit 182 may be provided to the gate electrode 18, and a part of the mesh unit 182 is directly fixed on the first substrate 11. In this case, when arranging the gate electrode 18 on the first substrate 11, it is not necessary to consider the alignment characteristics with the electron emission unit 17 greatly, so that a process margin may be provided.

게이트 전극(18)은 밀봉 부재(13)의 내측에만 위치하며, 게이트 전극(18)으로부터 밀봉 부재(13)를 가로질러 제1 기판(11)의 가장자리까지 연장 형성된 게이트 단자부(19)에 의해 구동에 필요한 전압을 제공받는다. 즉, 본 실시예의 발광 장치(101)는 게이트 전극(18)의 일부를 밀봉 부재(13)의 외측으로 연장시키지 않고 게이트 전극(18)과 다른 소재로 형성된 별도의 게이트 단자부(19)를 구비한다.The gate electrode 18 is located only inside the sealing member 13 and is driven by the gate terminal portion 19 extending from the gate electrode 18 to the edge of the first substrate 11 across the sealing member 13. Provide the voltage needed for That is, the light emitting device 101 of the present embodiment includes a separate gate terminal portion 19 formed of a different material from the gate electrode 18 without extending a part of the gate electrode 18 to the outside of the sealing member 13. .

도 3은 도 1에 도시한 발광 장치 중 제1 기판, 게이트 전극, 게이트 단자부, 및 밀봉 부재를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 3에 도시한 발광 장치 중 게이트 단자부와 밀봉 부재를 나타낸 사시도이다.3 is a plan view schematically illustrating a first substrate, a gate electrode, a gate terminal portion, and a sealing member of the light emitting device illustrated in FIG. 1, and FIG. 4 is a perspective view illustrating the gate terminal portion and a sealing member of the light emitting device illustrated in FIG. 3. to be.

도 3과 도 4를 참고하면, 게이트 전극(18)의 길이(L1)는 게이트 전극(18)의 길이 방향을 따라 측정되는 밀봉 부재(13)의 내부 폭(L2)보다 작다. 이로써 게이트 전극(18)은 밀봉 부재(13)와 소정의 거리를 두고 밀봉 부재(13)의 내측에 위치한다. 그리고 게이트 전극(18)과 제1 기판(11)의 가장자리 사이에 게이트 단자부(19)가 형성된다. 게이트 단자부(19)는 게이트 전극(18)과 같은 개수로 구비되며, 게이 트 전극(18)마다 하나의 게이트 단자부(19)가 제공된다.3 and 4, the length L1 of the gate electrode 18 is smaller than the inner width L2 of the sealing member 13 measured along the length direction of the gate electrode 18. As a result, the gate electrode 18 is positioned inside the sealing member 13 at a predetermined distance from the sealing member 13. The gate terminal 19 is formed between the gate electrode 18 and the edge of the first substrate 11. The gate terminal portion 19 is provided in the same number as the gate electrode 18, and one gate terminal portion 19 is provided for each gate electrode 18.

게이트 단자부(19)는 게이트 전극(18)과 나란한 스트라이프 패턴으로 형성된다. 게이트 단자부(19)는 밀봉 부재(13)의 내측에 위치하는 제1 영역(191)과, 밀봉 부재(13)와 중첩되는 제2 영역(192)과, 밀봉 부재(13)의 외측에 위치하는 제3 영역(193)을 포함한다. 제1 영역(191)의 일부는 게이트 전극(18)과 중첩되어 게이트 전극(18)과 면접촉을 하며, 제3 영역(193)에서 구동 전압을 인가받아 이를 게이트 전극(18)으로 전달한다.The gate terminal portion 19 is formed in a stripe pattern parallel to the gate electrode 18. The gate terminal portion 19 may include a first region 191 positioned inside the sealing member 13, a second region 192 overlapping the sealing member 13, and an outer portion of the sealing member 13. The third region 193 is included. A portion of the first region 191 overlaps the gate electrode 18 to make surface contact with the gate electrode 18, and receives a driving voltage from the third region 193 and transfers it to the gate electrode 18.

이때, 스페이서(20)(도 1 참조)가 게이트 전극(18)과 게이트 단자부(19)의 중첩 영역에 배치되어 게이트 전극(18)을 가압함으로써 게이트 전극(18)이 게이트 단자부(19)에 확실하게 연결되도록 한다.At this time, the spacer 20 (see FIG. 1) is disposed in the overlapping region of the gate electrode 18 and the gate terminal portion 19 to pressurize the gate electrode 18 so that the gate electrode 18 is secured to the gate terminal portion 19. To be connected.

다시 도 1과 도 2를 참고하면, 게이트 단자부(19)는 도전막으로 형성된다. 즉, 금속판으로 제조되는 게이트 전극(18)과 달리 게이트 단자부(19)는 진공 증착, 스퍼터링, 또는 스크린 인쇄 등의 방법으로 형성된 소정의 막으로 이루어진다. 따라서 게이트 단자부(19)는 게이트 전극(18)보다 작은 두께를 가지며, 예를 들어 5㎛ 내지 10㎛의 두께로 형성될 수 있다. 게이트 단자부(19)는 은(Ag)을 포함할 수 있다.Referring back to FIGS. 1 and 2, the gate terminal 19 is formed of a conductive film. That is, unlike the gate electrode 18 made of a metal plate, the gate terminal portion 19 is made of a predetermined film formed by a method such as vacuum deposition, sputtering, or screen printing. Therefore, the gate terminal portion 19 has a thickness smaller than that of the gate electrode 18, and may be formed, for example, in a thickness of 5 μm to 10 μm. The gate terminal unit 19 may include silver (Ag).

게이트 단자부(19)는 캐소드 전극(16)과 같은 물질로 캐소드 전극(16)과 동시에 형성될 수 있다. 이 경우 게이트 단자부(19)를 형성한 다음 게이트 전극(18)이 제1 기판(11) 위에 고정되므로, 게이트 단자부(19)의 제1 영역(191)에서 게이트 전극(18)은 게이트 단자부(19) 위에 배치된다. 즉, 제1 영역(191)에서 게이트 단자 부(19)의 윗면과 게이트 전극(18)의 아랫면이 서로 접촉한다.The gate terminal 19 may be formed of the same material as the cathode electrode 16 and simultaneously with the cathode electrode 16. In this case, since the gate electrode 18 is formed on the first substrate 11 after the gate terminal portion 19 is formed, the gate electrode 18 is formed in the first region 191 of the gate terminal portion 19. ) Is placed above. That is, in the first region 191, the upper surface of the gate terminal unit 19 and the lower surface of the gate electrode 18 contact each other.

제1 기판(11)과 제2 기판(12)은 밀봉 부재(13)에 의해 일체로 접합된 후 내부 공간이 배기되어 밀봉 부재(13)와 함께 진공 용기(14)를 구성한다. 밀봉 부재(13)는 유리와 같은 단단한 소재로 형성되는 프레임(131)과, 제1 기판(11)과 제2 기판(12)을 향한 프레임(131)의 양면에 위치하는 프릿 접합층(132)을 포함하거나, 밀봉 부재(13) 전체가 프릿 접합층(132)으로 이루어질 수 있다. 도 1에서는 프레임(131)과 프릿 접합층(132)으로 이루어진 밀봉 부재(13)를 예로 들어 도시하였다.After the first substrate 11 and the second substrate 12 are integrally bonded by the sealing member 13, the internal space is evacuated to form the vacuum container 14 together with the sealing member 13. The sealing member 13 includes a frame 131 formed of a hard material such as glass, and a frit bonding layer 132 positioned on both sides of the frame 131 facing the first and second substrates 11 and 12. Or the entire sealing member 13 may be formed of the frit bonding layer 132. In FIG. 1, the sealing member 13 including the frame 131 and the frit bonding layer 132 is illustrated as an example.

봉착 공정은 제1 기판(11) 위에 밀봉 부재(13)와 제2 기판(12)을 배치한 다음 프릿 접합층(132)을 소성으로 녹인 후 프릿 접합층(132)을 다시 실온으로 냉각시켜 굳히는 과정으로 이루어진다. 이때, 본 실시예에서는 게이트 전극(18)이 아닌 게이트 단자부(19)가 밀봉 부재(13)와 중첩되므로, 도 4에 도시한 바와 같이 게이트 단자부(19)의 얇은 두께로 인해 프릿 접합층(132)은 게이트 단자부들(19) 사이를 치밀하게 채울 수 있다.In the sealing process, the sealing member 13 and the second substrate 12 are disposed on the first substrate 11, and then the frit bonding layer 132 is melted by firing, and then the frit bonding layer 132 is cooled to room temperature and hardened. The process takes place. At this time, in the present embodiment, the gate terminal 19 rather than the gate electrode 18 overlaps the sealing member 13, and thus the frit bonding layer 132 is formed due to the thin thickness of the gate terminal 19 as shown in FIG. 4. ) Can be densely filled between the gate terminal portions 19.

따라서 봉착 공정에서 밀봉 부재(13)와 제1 기판(11) 사이 또는 밀봉 부재(13)와 게이트 단자부(19) 사이에 미세한 틈이 생기는 밀봉 부재(13)의 접합 불량을 효과적으로 방지할 수 있다. 그 결과, 봉착 공정 다음에 이어지는 배기 공정에서 진공 누설을 방지하여 진공 용기(14)의 진공도를 안정적으로 확보할 수 있다.Therefore, in the sealing step, it is possible to effectively prevent a poor bonding between the sealing member 13 and the first substrate 11 or between the sealing member 13 and the gate terminal portion 19 in which a small gap occurs. As a result, it is possible to stably secure the vacuum degree of the vacuum container 14 by preventing vacuum leakage in the exhaust process following the sealing step.

제1 기판(11)을 향한 제2 기판(12)의 일면에는 애노드 전극(21)과 형광층(22)이 위치한다. 애노드 전극(21)은 형광층(22)으로부터 방출되는 가시광을 투과시킬 수 있도록 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투 명막으로 형성된다. 애노드 전극(21)은 전자빔을 끌어당기는 가속 전극으로서 수백 또는 수천 볼트의 양의 직류 전압(애노드 전압)을 인가받아 형광층(22)을 고전위 상태로 유지시킨다.The anode electrode 21 and the fluorescent layer 22 are positioned on one surface of the second substrate 12 facing the first substrate 11. The anode electrode 21 is formed of a transparent film such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) so as to transmit visible light emitted from the fluorescent layer 22. The anode electrode 21 is an acceleration electrode for attracting an electron beam, and receives a direct current voltage (anode voltage) of several hundreds or thousands of volts to maintain the fluorescent layer 22 in a high potential state.

형광층(22)은 적색 형광체와 녹색 형광체 및 청색 형광체가 혼합되어 백색광을 방출하는 혼합 형광체로 형성될 수 있다. 형광층(22)은 제2 기판(12)의 발광 영역 전체에 위치하거나, 캐소드 전극(16)과 게이트 전극(18)의 교차 영역마다 하나의 형광층이 대응하도록 복수의 형광층이 제공될 수 있다. 도 1과 도 2에서는 발광 영역 전체에 형성된 단일 형광층(22)을 예로 들어 도시하였다.The fluorescent layer 22 may be formed of a mixed phosphor that emits white light by mixing a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor. The fluorescent layer 22 may be disposed in the entire emission area of the second substrate 12, or a plurality of fluorescent layers may be provided so that one fluorescent layer corresponds to each crossing area of the cathode electrode 16 and the gate electrode 18. have. 1 and 2 illustrate a single fluorescent layer 22 formed over the entire emission area as an example.

형광층(22)은 반사막(23)으로 덮일 수 있다. 반사막(23)은 수천 옴스트롱(Å) 두께의 얇은 알루미늄 박막으로 이루어지며, 전자빔 통과를 위한 미세 홀들을 형성한다. 반사막(23)은 형광층(22)에서 방출된 가시광 중 제1 기판(11)을 향해 방출된 가시광을 제2 기판(12) 측으로 반사시켜 발광 장치(101)의 휘도를 높이는 역할을 한다. 한편, 투명한 애노드 전극(21)이 생략되고, 반사막(23)이 애노드 전압을 인가받아 애노드 전극으로 기능할 수 있다.The fluorescent layer 22 may be covered with the reflective film 23. The reflective film 23 is made of a thin aluminum thin film having a thickness of several thousand ohms strong and forms micro holes for electron beam passage. The reflective film 23 reflects the visible light emitted toward the first substrate 11 of the visible light emitted from the fluorescent layer 22 toward the second substrate 12 to increase the luminance of the light emitting device 101. Meanwhile, the transparent anode electrode 21 may be omitted, and the reflective film 23 may function as an anode electrode by receiving an anode voltage.

그리고 제1 기판(11)과 제2 기판(12) 사이에는 진공 용기(14)에 가해지는 압축력을 지지하면서 양 기판(11, 12)의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서들(20)이 위치한다. 스페이서(20)는 발광 영역 전체에 고르게 분포하며, 특히 게이트 단자부(19)와 게이트 전극(18)이 중첩되는 부위에도 제공되어 게이트 전극(18)을 가압한다.In addition, spacers 20 are disposed between the first substrate 11 and the second substrate 12 to maintain a constant gap between the substrates 11 and 12 while supporting a compressive force applied to the vacuum container 14. . The spacers 20 are evenly distributed throughout the light emitting region, and in particular, the spacers 20 are also provided at a portion where the gate terminal portion 19 and the gate electrode 18 overlap each other to press the gate electrode 18.

이로써 게이트 단자부(19)와 게이트 전극(18)의 밀착력을 높여 게이트 단자 부(19)와 게이트 전극(18) 사이의 접촉 저항을 최소화할 수 있다. 또한, 접착제와 같은 중간 매개물 없이 게이트 단자부(19)와 게이트 전극(18)을 연결시킬 수 있으므로 발광 장치(101)의 제조 공정을 단순화할 수 있다.As a result, the adhesion between the gate terminal unit 19 and the gate electrode 18 may be increased to minimize contact resistance between the gate terminal unit 19 and the gate electrode 18. In addition, since the gate terminal portion 19 and the gate electrode 18 can be connected without an intermediate medium such as an adhesive, the manufacturing process of the light emitting device 101 can be simplified.

전술한 구조의 발광 장치(101)는 캐소드 전극(16)과 게이트 전극(18) 중 어느 한 전극(예를 들어 게이트 전극(18))에 주사 전압을 인가하고, 다른 한 전극(예를 들어 캐소드 전극(16))에 데이터 전압을 인가하여 구동한다.The light emitting device 101 having the above-described structure applies a scanning voltage to one of the cathode electrode 16 and the gate electrode 18 (for example, the gate electrode 18), and the other electrode (for example, the cathode). It is driven by applying a data voltage to the electrode 16.

그러면 캐소드 전극(16)과 게이트 전극(18)의 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(17) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 애노드 전압에 이끌려 대응하는 형광층(22) 부위에 충돌함으로써 이를 발광시킨다. 여기서, 화소는 캐소드 전극(16)과 게이트 전극(18)의 교차 영역에 대응하며, 화소별 형광층(22)의 휘도는 해당 화소의 전자빔 방출량에 대응한다.Then, in the pixels where the voltage difference between the cathode electrode 16 and the gate electrode 18 is greater than or equal to the threshold, an electric field is formed around the electron emission unit 17 to emit electrons therefrom. The emitted electrons are attracted to the anode voltage and collide with the corresponding fluorescent layer 22 to emit light. Here, the pixel corresponds to the intersection of the cathode electrode 16 and the gate electrode 18, and the luminance of the fluorescent layer 22 for each pixel corresponds to the electron beam emission amount of the pixel.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치의 부분 단면도이고, 도 6은 도 5에 도시한 발광 장치 중 게이트 단자부와 게이트 전극을 나타낸 부분 평면도이다. 다음에 설명하는 게이트 단자부와 게이트 전극을 제외한 나머지 구성들은 제1 실시예의 발광 장치와 동일하므로 제1 실시예와 같은 인용 부호를 사용하였으며, 이에 대한 설명은 생략한다.5 is a partial cross-sectional view of a light emitting device according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a partial plan view of a gate terminal part and a gate electrode of the light emitting device shown in FIG. 5. The remaining components except for the gate terminal portion and the gate electrode described below are the same as the light emitting device of the first embodiment, and the same reference numerals as those of the first embodiment are used, and description thereof will be omitted.

도 5와 도 6을 참고하면, 제2 실시예의 발광 장치(102)에서 게이트 단자부(24)는 게이트 전극(18)과 중첩되는 영역에 적어도 하나의 개구부(241)를 형성하여 제1 기판(11)을 노출시킨다. 그리고 게이트 전극(18)은 전술한 양극 접합으로 제1 기판(11)에 고정될 때 개구부(241)에 의해 노출된 제1 기판(11) 부위에도 고정 되므로, 제1 기판(11)과 게이트 전극(18)의 결합력을 이용하여 게이트 단자부(24)를 자연스럽게 가압할 수 있다.5 and 6, in the light emitting device 102 of the second embodiment, the gate terminal 24 forms at least one opening 241 in an area overlapping with the gate electrode 18 to form the first substrate 11. ). When the gate electrode 18 is fixed to the first substrate 11 by the above-described anodic bonding, the gate electrode 18 is also fixed to the portion of the first substrate 11 exposed by the opening 241, so that the first substrate 11 and the gate electrode are fixed. By using the coupling force of (18), the gate terminal portion 24 can be naturally pressed.

따라서 게이트 단자부(24)와 게이트 전극(18)의 중첩 부위에 스페이서를 설치하지 않고도 게이트 단자부(24)와 게이트 전극(18)의 밀착력을 높여 접촉 저항을 최소화할 수 있다. 또한, 접착제와 같은 중간 매개물 없이 게이트 단자부(24)와 게이트 전극(18)을 연결시킬 수 있으므로 발광 장치(102)의 제조 공정을 단순화할 수 있다.Therefore, the contact resistance may be minimized by increasing the adhesion between the gate terminal portion 24 and the gate electrode 18 without providing spacers at overlapping portions of the gate terminal portion 24 and the gate electrode 18. In addition, since the gate terminal portion 24 and the gate electrode 18 can be connected without an intermediate medium such as an adhesive, the manufacturing process of the light emitting device 102 can be simplified.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 본 실시예의 표시 장치(200)는 제1 실시예의 발광 장치(101)와 제2 실시예의 발광 장치(102) 중 어느 하나를 포함하며, 표시 장치(200)에서 발광 장치(101, 102)는 백라이트 유닛으로 기능한다.7 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment. The display device 200 of the present embodiment includes either the light emitting device 101 of the first embodiment or the light emitting device 102 of the second embodiment, wherein the light emitting devices 101 and 102 of the display device 200 are backlighted. Function as a unit

도 7을 참고하면, 본 실시예의 표시 장치(200)는 발광 장치(101, 102)와, 발광 장치(101, 102)의 전방에 위치하는 표시 패널(30)을 포함한다. 발광 장치(101, 102)와 표시 패널(30) 사이에 확산판(31)이 위치할 수 있으며, 발광 장치(101, 102)와 확산판(31)은 소정의 거리를 두고 위치한다. 표시 패널(30)은 액정 표시 패널일 수 있다.Referring to FIG. 7, the display device 200 according to the present exemplary embodiment includes the light emitting devices 101 and 102 and the display panel 30 positioned in front of the light emitting devices 101 and 102. The diffusion plate 31 may be positioned between the light emitting devices 101 and 102 and the display panel 30, and the light emitting devices 101 and 102 and the diffusion plate 31 may be positioned at a predetermined distance. The display panel 30 may be a liquid crystal display panel.

도 8은 도 7에 도시한 표시 장치 중 표시 패널의 부분 단면도이다.FIG. 8 is a partial cross-sectional view of the display panel of the display device illustrated in FIG. 7.

도 8을 참고하면, 표시 패널(30)은 상부 기판(32) 및 하부 기판(33)과, 상부 기판(32)과 하부 기판(33)의 외면에 부착되는 한 쌍의 편광판(34)과, 하부 기판(33)의 내면에 형성되는 복수의 박막 트랜지스터(35)와, 각 박막 트랜지스터(35) 에 전기적으로 연결되는 화소 전극들(36)과, 상부 기판(32)의 내면에 형성되는 컬러 필터층(37R, 37G, 37B)과, 컬러 필터층(37R, 37G, 37B)을 덮는 공통 전극(38)과, 화소 전극들(36)과 공통 전극(38)을 각각 덮는 한 쌍의 배향막(39)과, 상부 기판(32)과 하부 기판(33) 사이에 주입되는 액정층(40)을 포함한다.Referring to FIG. 8, the display panel 30 may include an upper substrate 32 and a lower substrate 33, a pair of polarizing plates 34 attached to outer surfaces of the upper substrate 32 and the lower substrate 33; A plurality of thin film transistors 35 formed on the inner surface of the lower substrate 33, pixel electrodes 36 electrically connected to the respective thin film transistors 35, and a color filter layer formed on the inner surface of the upper substrate 32. (37R, 37G, 37B), a common electrode 38 covering the color filter layers 37R, 37G, 37B, a pair of alignment films 39 covering the pixel electrodes 36 and the common electrode 38, and The liquid crystal layer 40 is injected between the upper substrate 32 and the lower substrate 33.

표시 패널(30)의 부화소마다 하나의 박막 트랜지스터(35)와 하나의 화소 전극(36)이 배치된다. 컬러 필터층(37R, 37G, 37B)은 각각의 화소 전극(36)에 대응하는 적색 필터층(37R)과 녹색 필터층(37G) 및 청색 필터층(37B)을 포함한다. 표시 패널(30)에서 하나의 화소는 적색과 녹색 및 청색의 부화소들을 포함한다.One thin film transistor 35 and one pixel electrode 36 are disposed for each subpixel of the display panel 30. The color filter layers 37R, 37G, and 37B include a red filter layer 37R, a green filter layer 37G, and a blue filter layer 37B corresponding to each pixel electrode 36. In the display panel 30, one pixel includes red, green, and blue subpixels.

특정 부화소의 박막 트랜지스터(35)가 스위치 온 상태가 되면, 화소 전극(36)과 공통 전극(38) 사이에 전계가 형성되고, 이 전계에 의해 액정 분자들의 배열각이 변화하며, 변화된 배열각에 따라 광 투과도가 변화한다. 표시 패널(30)은 이러한 과정을 통해 화소별 휘도와 발광색을 제어하여 소정의 화상을 구현한다.When the thin film transistor 35 of a specific subpixel is switched on, an electric field is formed between the pixel electrode 36 and the common electrode 38. The array angle of the liquid crystal molecules is changed by the electric field, and the changed array angle is changed. The light transmittance changes accordingly. The display panel 30 implements a predetermined image by controlling luminance and emission color of each pixel through this process.

다시 도 7을 참고하면, 인용 부호 41은 각 박막 트랜지스터의 게이트 전극에 게이트 구동 신호를 전송하는 게이트 회로보드 어셈블리를 나타내고, 인용 부호 42는 각 박막 트랜지스터의 소스 전극에 데이터 구동 신호를 전송하는 데이터 회로보드 어셈블리를 나타낸다.Referring back to FIG. 7, reference numeral 41 denotes a gate circuit board assembly for transmitting a gate driving signal to a gate electrode of each thin film transistor, and reference numeral 42 denotes a data circuit for transmitting a data driving signal to a source electrode of each thin film transistor. Represents the board assembly.

발광 장치(101)는 표시 패널(30)보다 적은 수의 화소들을 형성하여 발광 장치(101)의 한 화소가 복수의 표시 패널(30) 화소들에 대응하도록 한다. 발광 장치(101)의 각 화소는 이에 대응하는 표시 패널(30) 화소들의 계조들 중 가장 높은 계조에 대응하여 발광할 수 있으며, 2비트 내지 8비트의 계조를 표현할 수 있다.The light emitting device 101 forms fewer pixels than the display panel 30 so that one pixel of the light emitting device 101 corresponds to the plurality of display panel 30 pixels. Each pixel of the light emitting device 101 may emit light corresponding to the highest gray level among the grays of the pixels of the display panel 30 corresponding thereto, and may represent 2 to 8 bits.

편의상 표시 패널(30)의 화소를 제1 화소라 하고, 발광 장치(101)의 화소를 제2 화소라 하며, 하나의 제2 화소에 대응하는 제1 화소들을 제1 화소군이라 명칭한다. 발광 장치(101)의 구동은, ① 표시 패널(30)을 제어하는 신호 제어부(도시하지 않음)가 제1 화소군을 구성하는 제1 화소들의 계조들 중 가장 높은 계조를 검출하고, ② 검출된 계조에 따라 제2 화소 발광에 필요한 계조를 산출하여 이를 디지털 데이터로 변환하고, ③ 디지털 데이터를 이용하여 발광 장치(101)의 구동 신호를 생성하며, ④ 생성된 구동 신호를 발광 장치(101)의 구동 전극들에 인가하는 단계를 포함할 수 있다.For convenience, a pixel of the display panel 30 is called a first pixel, a pixel of the light emitting device 101 is called a second pixel, and first pixels corresponding to one second pixel are called a first pixel group. In the driving of the light emitting device 101, a signal controller (not shown) controlling the display panel 30 detects the highest gray level among the gray levels of the first pixels constituting the first pixel group, and is detected. Calculate the gradation necessary for light emission of the second pixel according to the gradation, convert the gradation into digital data, generate a drive signal of the light emitting device 101 by using digital data, and ④ generate the drive signal of the light emitting device 101. And applying to driving electrodes.

발광 장치(101)의 구동을 위한 주사 회로보드 어셈블리와 데이터 회로보드 어셈블리는 발광 장치의 뒷면에 위치할 수 있다. 도 7에서 인용 부호 43은 캐소드 전극들과 데이터 회로보드 어셈블리를 연결하는 제1 커넥터를 나타내고, 인용 부호 44는 게이트 전극들과 주사 회로보드 어셈블리를 연결하는 제2 커넥터를 나타낸다. 그리고 인용 부호 45는 애노드 전극에 애노드 전압을 인가하는 제3 커넥터를 나타낸다.The scan circuit board assembly and the data circuit board assembly for driving the light emitting device 101 may be located at the rear side of the light emitting device. In FIG. 7, reference numeral 43 denotes a first connector for connecting the cathode electrodes and the data circuit board assembly, and reference numeral 44 denotes a second connector for connecting the gate electrodes and the scanning circuit board assembly. And reference numeral 45 denotes a third connector for applying an anode voltage to the anode electrode.

이와 같이 발광 장치(101)의 제2 화소는 대응하는 제1 화소군에 영상이 표시될 때 제1 화소군에 동기되어 소정의 계조로 발광한다. 즉, 발광 장치(101)는 표시 패널(30)이 구현하는 화면 가운데 밝은 영역에는 높은 휘도의 빛을 제공하고, 어두운 영역에는 낮은 휘도의 빛을 제공한다. 따라서 본 실시예의 표시 장치(200)는 화면의 동적 대조비를 높이고, 보다 선명한 화질을 구현할 수 있다.As described above, when the image is displayed in the corresponding first pixel group, the second pixel of the light emitting device 101 emits light with a predetermined gray level in synchronization with the first pixel group. That is, the light emitting device 101 provides light of high brightness in a bright area and light of low brightness in a dark area of a screen implemented by the display panel 30. Therefore, the display device 200 according to the present exemplary embodiment may increase the dynamic contrast ratio of the screen and realize more clear image quality.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 장치의 부분 단면도이다.1 is a partial cross-sectional view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시한 발광 장치 중 발광 영역을 나타낸 사시도이다.FIG. 2 is a perspective view illustrating a light emitting area of the light emitting device illustrated in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시한 발광 장치 중 제1 기판, 게이트 전극, 게이트 단자부, 및 밀봉 부재를 개략적으로 나타낸 평면도이다.3 is a plan view schematically illustrating a first substrate, a gate electrode, a gate terminal portion, and a sealing member of the light emitting device illustrated in FIG. 1.

도 4는 도 3에 도시한 발광 장치 중 게이트 단자부와 밀봉 부재를 나타낸 사시도이다.4 is a perspective view illustrating a gate terminal part and a sealing member in the light emitting device illustrated in FIG. 3.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 장치의 부분 단면도이다.5 is a partial cross-sectional view of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 6은 도 5에 도시한 발광 장치 중 게이트 단자부와 게이트 전극을 나타낸 부분 평면도이다.FIG. 6 is a partial plan view illustrating a gate terminal part and a gate electrode of the light emitting device illustrated in FIG. 5.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.7 is an exploded perspective view of a display device according to an exemplary embodiment.

도 8은 도 7에 도시한 표시 장치 중 표시 패널의 부분 단면도이다.FIG. 8 is a partial cross-sectional view of the display panel of the display device illustrated in FIG. 7.

Claims (15)

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하는 밀봉 부재를 포함하는 진공 용기;A vacuum container including a first substrate and a second substrate disposed to face each other, and a sealing member positioned between the first substrate and the second substrate; 상기 제1 기판의 일면에 일 방향을 따라 함몰 형성되는 오목부;A recess formed on one surface of the first substrate along a direction; 상기 오목부 내에서 상기 오목부와 같은 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극;A cathode electrode formed in the recess along the same direction as the recess; 상기 오목부 내에서 상기 캐소드 전극 위에 형성되는 전자 방출부;An electron emission unit formed on the cathode in the recess; 상기 밀봉 부재의 내측에서 상기 캐소드 전극과 교차하는 방향을 따라 상기 제1 기판의 일면에 고정되며, 금속판으로 형성되는 게이트 전극; 및A gate electrode fixed to one surface of the first substrate in a direction crossing the cathode electrode inside the sealing member and formed of a metal plate; And 상기 제1 기판의 일면에서 상기 밀봉 부재를 가로지르며 상기 밀봉 부재의 내측과 외측에 걸쳐 형성되고, 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 게이트 전극보다 작은 두께를 가지는 도전막으로 형성되는 게이트 단자부A gate terminal part formed on a surface of the first substrate to cross the sealing member and to extend from the inside and the outside of the sealing member and to be electrically connected to the gate electrode and to have a smaller thickness than the gate electrode; 를 포함하는 발광 장치.Light emitting device comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 전극은 상기 캐소드 전극보다 큰 두께를 가지며, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 및 철(Fe) 중 하나 이상의 금속을 포함하는 발광 장치.The gate electrode has a thickness greater than that of the cathode, and includes at least one metal of aluminum (Al), nickel (Ni), and iron (Fe). 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 게이트 전극은 양극 접합(anode bonding) 방법으로 상기 제1 기판의 일 면에 고정되며, 상기 제1 기판과 상기 게이트 전극 사이의 계면에 금속산화막이 형성되는 발광 장치.The gate electrode is fixed to one surface of the first substrate by an anode bonding method, the metal oxide film is formed on the interface between the first substrate and the gate electrode. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 단자부는 상기 밀봉 부재의 내측에 위치하는 제1 영역과, 상기 밀봉 부재와 중첩되는 제2 영역, 및 상기 밀봉 부재의 외측에 위치하는 제3 영역을 포함하며, 상기 제3 영역에서 구동 전압을 인가받는 발광 장치.The gate terminal portion includes a first region located inside the sealing member, a second region overlapping the sealing member, and a third region located outside the sealing member, and a driving voltage in the third region. The light emitting device is applied. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 게이트 단자부는 상기 제1 영역에서 상기 게이트 전극과 중첩되어 상기 게이트 전극과 면접촉을 하는 발광 장치.And the gate terminal portion in surface contact with the gate electrode overlapping the gate electrode in the first region. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에서 상기 게이트 전극과 상기 게이트 단자부의 중첩 영역에 배치되어 상기 게이트 전극을 가압하는 스페이서를 더욱 포함하는 발광 장치.And a spacer disposed between the first substrate and the second substrate in an overlapping region of the gate electrode and the gate terminal to press the gate electrode. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 게이트 단자부는 적어도 하나의 개구부를 형성하며, 상기 게이트 전극은 상기 개구부에 의해 노출된 상기 제1 기판 부위에 양극 접합으로 고정되는 발광 장치.The gate terminal portion forms at least one opening, and the gate electrode is fixed to the first substrate portion exposed by the opening by an anode junction. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 단자부는 진공 증착, 스퍼터링, 및 스크린 인쇄 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 발광 장치.And the gate terminal portion is formed by any one of vacuum deposition, sputtering, and screen printing. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 게이트 단자부는 상기 캐소드 전극과 같은 물질로 상기 캐소드 전극과 동시에 형성되는 발광 장치.And the gate terminal portion is formed of the same material as the cathode electrode and simultaneously with the cathode electrode. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 전극은 전자빔 통과를 위한 개구부들을 형성하는 메쉬부와, 상기 메쉬부를 둘러싸며 상기 제1 기판의 일면에 고정되는 지지부를 포함하는 발광 장치.The gate electrode includes a mesh part forming openings for passing an electron beam, and a support part surrounding the mesh part and fixed to one surface of the first substrate. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 캐소드 전극의 두께와 상기 전자 방출부의 두께 합은 상기 오목부의 함몰 깊이보다 작은 발광 장치.And a sum of the thickness of the cathode electrode and the thickness of the electron emission part is smaller than the depression depth of the recess. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 기판의 일면에 위치하는 애노드 전극과 형광층 및 반사막을 더욱 포함하는 발광 장치.The light emitting device further comprises an anode electrode, a fluorescent layer and a reflective film located on one surface of the second substrate. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 발광 장치; 및The light emitting device according to any one of claims 1 to 12; And 상기 발광 장치의 전방에 위치하며 상기 발광 장치로부터 빛을 제공받아 화상을 표시하는 표시 패널A display panel positioned in front of the light emitting device to display an image by receiving light from the light emitting device; 을 포함하는 표시 장치.Display device comprising a. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 표시 패널은 제1 화소들을 포함하고, 상기 발광 장치는 상기 제1 화소들보다 적은 개수의 제2 화소들을 포함하며, 상기 제2 화소는 자신과 대응하는 상기 제1 화소들의 계조에 대응하여 독립적으로 발광하는 표시 장치.The display panel includes first pixels, and the light emitting device includes fewer second pixels than the first pixels, and the second pixels are independent of gray levels of the corresponding first pixels. Display device that emits light. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 표시 패널은 액정 표시 패널인 표시 장치.The display panel is a liquid crystal display panel.
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