KR20110064620A - Organic electroluminescence device and method for fabricating of the same - Google Patents
Organic electroluminescence device and method for fabricating of the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20110064620A KR20110064620A KR1020090121303A KR20090121303A KR20110064620A KR 20110064620 A KR20110064620 A KR 20110064620A KR 1020090121303 A KR1020090121303 A KR 1020090121303A KR 20090121303 A KR20090121303 A KR 20090121303A KR 20110064620 A KR20110064620 A KR 20110064620A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive layer
- encapsulation
- substrate
- region
- electric field
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기판과 봉지기판을 글라스 프릿으로 봉지하는 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method for manufacturing the organic light emitting display for sealing the substrate and the sealing substrate with a glass frit.
최근에 음극선관(cathode ray tube)과 같은 종래의 표시소자의 단점을 해결하는 액정표시장치(liquid crystal display device), 유기전계발광장치(organic electroluminescence device) 또는 PDP(plasma display panel)등과 같은 평판형 표시장치(flat panel display device)가 주목받고 있다.Recently, a flat panel type such as a liquid crystal display device, an organic electroluminescence device, or a plasma display panel that solves the shortcomings of conventional display devices such as cathode ray tubes. Flat panel display devices are attracting attention.
상기 액정표시장치는 자체발광소자가 아니라 수광소자이기 때문에 밝기, 콘트라스트, 시야각 및 대면적화 등에 한계가 있고, PDP는 자체발광소자이기는 하지만, 다른 평판형표시장치에 비해 무게가 무겁고, 소비전력이 높을 뿐만 아니라 제조 방법이 복잡하다는 문제점이 있다.Since the liquid crystal display is not a light emitting device but a light receiving device, there is a limit in brightness, contrast, viewing angle, and large area, and although the PDP is a light emitting device, it is heavier in weight and consumes more power than other flat panel displays. In addition, there is a problem that the manufacturing method is complicated.
반면에, 유기전계발광표시장치는 자체발광소자이기 때문에 시야각, 콘트라스트 등이 우수하고, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량, 박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다. 또한, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 방법이 단순하고 저렴하다는 장점을 가지고 있다.On the other hand, since the organic light emitting display device is a self-luminous element, it is excellent in viewing angle, contrast, etc., and because it does not need a backlight, it is possible to be lightweight and thin, and is advantageous in terms of power consumption. In addition, since it is possible to drive a DC low voltage, fast response speed, and all solid, it is resistant to external shock, wide use temperature range, and has a simple and inexpensive manufacturing method.
도 1은 종래 기술에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the prior art.
도 1을 참조하면, 기판(100)을 제공하고, 상기 기판(100) 상에 유기전계발광소자(110)를 형성한다. 상기 유기전계발광소자(110)는 제 1 전극, 적어도 발광층을 포함하는 유기막층 및 제 2 전극을 포함한다.Referring to FIG. 1, a
또한, 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.The semiconductor device may further include a thin film transistor including a semiconductor layer, a gate electrode, and a source / drain electrode.
이어서, 봉지기판(120)을 제공하고, 상기 기판(100) 또는 봉지기판(120)의 일면에 글라스 프릿(130)을 형성하고, 상기 기판(100)과 봉지기판(120)을 합착한다.Subsequently, the
이후에, 상기 글라스 프릿(130)에 레이저를 조사하여, 상기 글라스 프릿(130)을 용융하고 고상화하여 종래 기술에 따른 유기전계발광표시장치가 제조된다.Thereafter, the glass frit 130 is irradiated with a laser to melt and solidify the glass frit 130 to manufacture an organic light emitting display device according to the related art.
하지만, 상기 레이저 조사에 의한 글라스 프릿의 용융은 레이저 조사 장비가 고가라는 점에서 제조단가를 상승시키는 원인이 된다.However, the melting of the glass frit by the laser irradiation causes the manufacturing cost to increase because the laser irradiation equipment is expensive.
또한, 상기 글라스 프릿을 용융시키기 위하여 레이저를 조사함에 있어서, 글라스 프릿이 위치하는 영역에 대응하여 레이저를 조사하여야 하므로 정밀한 어라인이 필요하다는 문제점과 각각의 영역에 레이저를 조사하여야 하므로 공정시간이 길 다는 문제점이 있다.In addition, when irradiating a laser in order to melt the glass frit, the laser is irradiated corresponding to the area where the glass frit is located, so a precise alignment is required, and the process time is long because the laser is irradiated to each area. There is a problem.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판과 봉지기판을 글라스 프릿으로 봉지함에 있어서, 상기 글라스 프릿을 용융시키기 위한 새로운 방법을 제공함에 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a new method for melting the glass frit in encapsulating the substrate and the sealing substrate with the glass frit.
본 발명은 봉지영역 및 전계인가영역을 포함하는 봉지기판; 상기 봉지영역에 위치하고, 서로 연속적으로 연결되는 제 1 도전층; 상기 전계인가영역에 위치하고, 상기 제 1 도전층의 일측방향으로 연장되는 제2도전층; 및 상기 전계인가영역에 위치하고, 상기 제 1 도전층의 타측방향으로 연장되는 제 3 도전층을 포함하는 봉지기판을 제공한다.The present invention provides an encapsulation substrate comprising an encapsulation region and an electric field application region; A first conductive layer positioned in the encapsulation region and continuously connected to each other; A second conductive layer positioned in the field applying region and extending in one direction of the first conductive layer; And a third conductive layer positioned in the electric field application region and extending in the other direction of the first conductive layer.
또한, 본 발명은 화소영역 및 봉지영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 화소영역 상에 위치하는 유기전계발광소자; 봉지영역 및 전계인가영역을 포함하는 봉지기판; 상기 봉지기판의 봉지영역에 위치하고, 서로 연속적으로 연결되는 제 1 도전층; 상기 봉지기판의 전계인가영역에 위치하고, 상기 제 1 도전층의 일측방향으로 연장되는 제 2 도전층; 및 상기 봉지기판의 전계인가영역에 위치하고, 상기 제 1 도전층의 타측방향으로 연장되는 제 3 도전층을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.In addition, the present invention includes a substrate including a pixel region and an encapsulation region; An organic light emitting display device disposed on the pixel area of the substrate; An encapsulation substrate including an encapsulation region and an electric field application region; A first conductive layer positioned in an encapsulation area of the encapsulation substrate and continuously connected to each other; A second conductive layer positioned in the electric field application region of the encapsulation substrate and extending in one direction of the first conductive layer; And a third conductive layer positioned in an electric field applying region of the encapsulation substrate and extending in the other direction of the first conductive layer.
또한, 본 발명은 상기 제 2 도전층과 상기 제 3 도전층을 기준으로, 제 1 도전층의 시계방향으로의 길이와 제 1 도전층의 반시계방향으로의 길이가 동일한 것 을 특징으로 하는 봉지기판 및 유기전계발광표시장치를 제공한다.The present invention is also characterized in that the length of the first conductive layer in the clockwise direction and the length of the first conductive layer in the counterclockwise direction are the same based on the second conductive layer and the third conductive layer. Provided are a substrate and an organic light emitting display device.
또한, 본 발명은 상기 제 1 도전층은 가로방향으로 형성된 제 4 도전층 및 세로방향으로 형성된 제 5 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 봉지기판 및 유기전계발광표시장치를 제공한다. The present invention also provides an encapsulation substrate and an organic light emitting display device, wherein the first conductive layer includes a fourth conductive layer formed in a horizontal direction and a fifth conductive layer formed in a vertical direction.
또한, 본 발명은 상기 제 4 도전층은 상부 제 4 도전층 및 하부 제 4 도전층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 봉지기판 및 유기전계발광표시장치를 제공한다. The present invention also provides an encapsulation substrate and an organic light emitting display device, wherein the fourth conductive layer comprises an upper fourth conductive layer and a lower fourth conductive layer.
또한, 본 발명은 상기 제 2 도전층은 상기 상부 제 4 도전층의 일측방향으로 연장되어 형성되고, 상기 제 3 도전층은 상기 하부 제 4 도전층의 타측방향으로 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 봉지기판 및 유기전계발광표시장치를 제공한다.In addition, the present invention is characterized in that the second conductive layer is formed to extend in one direction of the upper fourth conductive layer, the third conductive layer is formed to extend in the other direction of the lower fourth conductive layer An encapsulation substrate and an organic light emitting display device are provided.
또한, 본 발명은 상기 제 5 도전층은 우측 제 5 도전층 및 좌측 제 5 도전층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 봉지기판 및 유기전계발광표시장치를 제공한다. The present invention also provides an encapsulation substrate and an organic light emitting display device, wherein the fifth conductive layer comprises a right fifth conductive layer and a left fifth conductive layer.
또한, 본 발명은 상기 제 2 도전층은 상기 우측 제 5 도전층의 일측방향으로 연장되어 형성되고, 상기 제 3 도전층은 상기 좌측 제 5 도전층의 타측방향으로 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 봉지기판 및 유기전계발광표시장치를 제공한다. In addition, the present invention is characterized in that the second conductive layer is formed to extend in one direction of the right fifth conductive layer, the third conductive layer is formed to extend in the other direction of the left fifth conductive layer An encapsulation substrate and an organic light emitting display device are provided.
또한, 본 발명은 봉지영역 및 전계인가영역을 포함하는 봉지기판; 상기 봉지영역에 위치하고, 제1방향으로 형성된 제 1 도전층; 상기 봉지영역에 위치하고, 제 2방향으로 형성된 제 2 도전층; 상기 전계인가영역에 형성되고, 상기 제 1 도전층으로부터 연장되는 제 3 도전층; 및 상기 전계인가영역에 형성되고, 상기 제 2 도전층으로부터 연장되는 제 4 도전층을 포함하는 봉지기판을 제공한다. The present invention also provides an encapsulation substrate including an encapsulation region and an electric field application region; A first conductive layer positioned in the encapsulation area and formed in a first direction; A second conductive layer positioned in the encapsulation area and formed in a second direction; A third conductive layer formed in the electric field application region and extending from the first conductive layer; And a fourth conductive layer formed in the electric field applying region and extending from the second conductive layer.
또한, 본 발명은 화소영역 및 봉지영역을 포함하는 기판; 상기 기판의 화소영역 상에 위치하는 유기전계발광소자; 봉지영역 및 전계인가영역을 포함하는 봉지기판; 상기 봉지기판의 봉지영역에 위치하고, 제1방향으로 형성된 제 1 도전층; 상기 봉지기판의 봉지영역에 위치하고, 제2방향으로 형성된 제 2 도전층; 상기 봉지기판의 전계인가영역에 형성되고, 상기 제 1 도전층으로부터 연장되는 제 3 도전층; 및 상기 봉지기판의 전계인가영역에 형성되고, 상기 제 2 도전층으로부터 연장되는 제 4 도전층을 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다. In addition, the present invention includes a substrate including a pixel region and an encapsulation region; An organic light emitting display device disposed on the pixel area of the substrate; An encapsulation substrate including an encapsulation region and an electric field application region; A first conductive layer positioned in an encapsulation area of the encapsulation substrate and formed in a first direction; A second conductive layer positioned in an encapsulation area of the encapsulation substrate and formed in a second direction; A third conductive layer formed in the electric field application region of the encapsulation substrate and extending from the first conductive layer; And a fourth conductive layer formed in the electric field application region of the encapsulation substrate and extending from the second conductive layer.
또한, 본 발명은 화소영역 및 봉지영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 화소영역 상에 유기전계발광소자를 형성하는 단계; 봉지영역 및 전계인가영역을 구비하는 봉지기판을 제공하는 단계; 및 상기 봉지기판의 봉지영역과 상기 기판의 봉지영역이 대응되도록, 상기 봉지기판과 상기 기판을 합착하는 단계를 포함하고, 상기 봉지기판은 상기 봉지기판의 봉지영역에 위치하고, 서로 연속적으로 연결되는 제 1 도전층; 상기 봉지기판의 전계인가영역에 위치하고, 상기 제 1 도전층의 일측방향으로 연장되는 제 2 도전층; 및 상기 봉지기판의 전계인가영역에 위치하고, 상기 제 1 도전층의 타측방향으로 연장되는 제 3 도전층을 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다. In addition, the present invention comprises the steps of providing a substrate including a pixel region and an encapsulation region; Forming an organic light emitting display device on the pixel area of the substrate; Providing an encapsulation substrate having an encapsulation area and an electric field application area; And bonding the encapsulation substrate and the substrate so that the encapsulation region of the encapsulation substrate and the encapsulation region of the substrate correspond to each other, wherein the encapsulation substrate is positioned in the encapsulation region of the encapsulation substrate and connected to each other continuously. 1 conductive layer; A second conductive layer positioned in the electric field application region of the encapsulation substrate and extending in one direction of the first conductive layer; And a third conductive layer positioned in the electric field application region of the encapsulation substrate and extending in the other direction of the first conductive layer.
또한, 본 발명은 상기 봉지기판과 상기 기판을 합착하는 단계이후, 상기 봉 지기판과 상기 기판을 접착하여 봉지하는 단계를 더 포함하고, 상기 봉지기판과 상기 기판을 접착하여 봉지하는 단계는 상기 제 3 도전층에 전계를 인가하여 상기 글라스 프릿을 용융하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다.The present invention may further include a step of bonding and encapsulating the encapsulating substrate and the substrate after the step of bonding the encapsulating substrate and the substrate to each other. The present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting display device, the method including melting the glass frit by applying an electric field to a conductive layer.
또한, 본 발명은 화소영역 및 봉지영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 화소영역 상에 유기전계발광소자를 형성하는 단계; 봉지영역 및 전계인가영역을 구비하는 봉지기판을 제공하는 단계; 및 상기 봉지기판의 봉지영역과 상기 기판의 봉지영역이 대응되도록, 상기 봉지기판과 상기 기판을 합착하는 단계를 포함하고, 상기 봉지기판은 상기 봉지기판의 봉지영역에 위치하고, 제1방향으로 형성된 제 1 도전층; 상기 봉지기판의 봉지영역에 위치하고, 제2방향으로 형성된 제 2 도전층; 상기 봉지기판의 전계인가영역에 형성되고, 상기 제 1 도전층으로부터 연장되는 제 3 도전층; 및 상기 봉지기판의 전계인가영역에 형성되고, 상기 제 2 도전층으로부터 연장되는 제 4 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다. In addition, the present invention comprises the steps of providing a substrate including a pixel region and an encapsulation region; Forming an organic light emitting display device on the pixel area of the substrate; Providing an encapsulation substrate having an encapsulation area and an electric field application area; And bonding the encapsulation substrate and the substrate so that the encapsulation region of the encapsulation substrate and the encapsulation region of the substrate correspond to each other, wherein the encapsulation substrate is positioned in the encapsulation region of the encapsulation substrate and is formed in a first direction. 1 conductive layer; A second conductive layer positioned in an encapsulation area of the encapsulation substrate and formed in a second direction; A third conductive layer formed in the electric field application region of the encapsulation substrate and extending from the first conductive layer; And a fourth conductive layer formed in the electric field application region of the encapsulation substrate and extending from the second conductive layer.
또한, 본 발명은 상기 봉지기판과 상기 기판을 합착하는 단계이후, 상기 봉지기판과 상기 기판을 접착하여 봉지하는 단계를 더 포함하고, 상기 봉지기판과 상기 기판을 접착하여 봉지하는 단계는 상기 제 3 도전층 또는 제 4 도전층에 전계를 인가하여 상기 글라스 프릿을 용융하는 단계를 포함하는 유기전계발광표시장치의 제조방법을 제공한다. The present invention may further include a step of adhering and encapsulating the encapsulating substrate and the substrate after the step of adhering the encapsulating substrate and the substrate to each other. The present invention provides a method of manufacturing an organic light emitting display device, the method including melting the glass frit by applying an electric field to a conductive layer or a fourth conductive layer.
본 발명에 따른 유기전계발광표시장치는 도전층에 전계를 인가하여, 상기 도전층의 상부 또는 하부에 형성된 글라스 프릿에 줄열을 가해 용융시켜 봉지기판을 봉지함으로써, 제조단가를 감소시키고, 공정시간을 현저히 감소시킬 수 있는 효과가 있다.In the organic light emitting display device according to the present invention, by applying an electric field to the conductive layer, applying Joule heat to the glass frit formed on the upper or lower portion of the conductive layer to seal the sealing substrate, the manufacturing cost is reduced, and the processing time is reduced. There is an effect that can be significantly reduced.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure may be made thorough and complete, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity. In addition, where a layer is said to be "on" another layer or substrate, it may be formed directly on the other layer or substrate, or a third layer may be interposed therebetween. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.
도 2a는 본 발명의 제1실시예에 따른 봉지기판을 도시하는 평면도, 도 2b는 도 2a의 A-A선에 따른 단면도, 도 2c는 도 2a의 B-B선에 따른 단면도, 도 2d는 도 2a의 C-C선에 따른 단면도이다.FIG. 2A is a plan view showing a sealing substrate according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2B is a sectional view taken along the line AA of FIG. 2A, FIG. 2C is a sectional view taken along the line BB of FIG. 2A, and FIG. 2D is a CC of FIG. 2A. Sectional view along the line.
도 2a 내지 도 2d를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 봉지기판(300)은 화소영역(Ⅰ), 봉지영역(Ⅱ) 및 전계인가영역(Ⅲ)을 포함하고 있다. 이때, 상기 화 소영역(Ⅰ)은 후술할 바와 같은 소자기판의 화소영역(Ⅰ)에 대응되는 영역에 해당하며, 상기 봉지영역(Ⅱ)은 후술할 바와 같은 소자기판의 봉지영역(Ⅱ)에 대응되는 영역에 해당한다. 또한, 상기 전계인가영역(Ⅲ)은 후술할 바와 같은 도전층에 전계를 인가하기 위한 제3도전층이 형성되는 영역이다.2A to 2D, the
계속해서 도 2a 내지 도 2d를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 봉지기판(300)은 상기 봉지영역(Ⅱ)에 제1도전층(310a) 및 제2도전층(320)을 포함하고 있으며, 상기 전계인가영역(Ⅲ)에 상기 제1도전층(310a)으로부터 연장되어 형성되는 제3도전층(310b)을 포함하고 있다. 이때, 상기 제1도전층(310a)은 제1방향, 예를 들어, 가로방향으로 형성되고, 상기 제2도전층(320)은 제2방향, 예를 들어, 세로방향으로 형성될 수 있다.2A to 2D, the
즉, 도 2a에서 알 수 있는 바와 같이, 상기 제1도전층(310a) 및 상기 제2도전층(320)은 서로 연속적으로 연결되어 봉지영역(Ⅱ)을 정의하며, 상기 제3도전층(310b)은 제1도전층(310a)으로부터 일직선 형태로 연장되어 봉지영역(Ⅱ)의 외측인 전계인가영역(Ⅲ)에 형성되어 있다.That is, as shown in FIG. 2A, the first
이때, 상기 제3도전층(310b)은 도면을 기준으로 상부 제1도전층(310a)으로 부터 우측방향으로 연장되며, 하부 제1도전층(310a)으로부터 좌측방향으로 연장된다. In this case, the third
한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 도 2b와는 반대로, 상기 제3도전층(310b)은 도면을 기준으로 상부 제1도전층(310a)으로 부터 좌측방향으로 연장될 수 있으며, 하부 제1도전층(310a)으로부터 우측방향으로 연장될 수 있다.On the other hand, although not shown in the drawing, in contrast to FIG. 2B, the third
즉, 본 발명의 제1실시예에서는 상기 제3도전층(310b)은 상부 제1도전층(310a)으로부터 좌측 또는 우측방향으로 일직선형태로 연장되는 상부 제3도전층(310b) 및 하부 제1도전층(310a)으로부터 좌측 또는 우측방향으로 일직선형태로 연장되는 하부 제3도전층(310b)을 포함하며, 상부 제3도전층 및 하부 제3도전층은 반대방향으로 연장되는 것을 특징으로 한다.That is, in the first embodiment of the present invention, the third
이로써, 상부 제3도전층과 하부 제3도전층을 기준으로, 제1도전층 및 제2도전층의 시계방향으로의 길이(이하, "제1경로"라 함)와 제1도전층 및 제2도전층의 반시계방향으로의 길이(이하, "제2경로"라 함)가 동일하게 된다. Thus, the length of the first conductive layer and the second conductive layer in the clockwise direction (hereinafter referred to as “first path”) and the first conductive layer and the first conductive layer based on the upper third conductive layer and the lower third conductive layer. The length of the two conductive layers in the counterclockwise direction (hereinafter referred to as "second path") is the same.
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 본 발명은 상기 전계인가영역(Ⅲ)에 형성되는 제3도전층은 제2도전층(320)으로부터 연장되어 형성될 수 있다.In addition, although not shown in the drawing, in the present invention, the third conductive layer formed in the field applying region III may extend from the second
이때, 제3도전층이 제2도전층으로부터 연장되는 경우, 도면을 기준으로 우측 제2도전층으로부터 상부 또는 하부방향으로 일직선형태로 연장되는 우측 제3도전층 및 좌측 제2도전층으로부터 상부 또는 하부방향으로 일직선형태로 연장되는 좌측 제3도전층을 포함하며, 우측 제3도전층 및 좌측 제3도전층은 반대방향으로 연장될 수 있다. At this time, when the third conductive layer extends from the second conductive layer, the upper or lower right third conductive layer and the left second conductive layer extending in a straight line upward or downward direction from the right second conductive layer with reference to the drawings. The left third conductive layer may extend in a straight line in a downward direction, and the right third conductive layer and the left third conductive layer may extend in opposite directions.
이로써, 우측 제3도전층과 좌측 제3도전층을 기준으로, 제1도전층 및 제2도전층의 시계방향으로의 길이(이하, "제1경로"라 함)와 제1도전층 및 제2도전층의 반시계방향으로의 길이(이하, "제2경로"라 함)가 동일하게 된다.Thus, the length of the first conductive layer and the second conductive layer in the clockwise direction (hereinafter referred to as “first path”), the first conductive layer, and the first conductive layer based on the right third conductive layer and the left third conductive layer The length of the two conductive layers in the counterclockwise direction (hereinafter referred to as "second path") is the same.
결국, 본 발명의 제1실시예에서 상기 제3도전층은 상기 제1도전층 또는 상기 제2도전층으부터 연장되는 개수는 2개이며, 상기 2개의 제3도전층을 기준으로 제1 도전층으로부터 제2도전층까지의 제1경로 및 제2경로가 동일하도록, 상기 2개의 제3도전층이 대각선 방향으로 형성된다.As a result, in the first embodiment of the present invention, the third conductive layer has two numbers extending from the first conductive layer or the second conductive layer, and the first conductive layer is based on the two third conductive layers. The two third conductive layers are formed in a diagonal direction so that the first path and the second path from the second conductive layer to the second conductive layer are the same.
상기 제1도전층 내지 제3도전층은 투명성 도전 박막 또는 금속 박막으로 형성할 수 있고, 구체적으로는 상기 투명성 도전박막은 ITO(Indium Tine Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)등을 사용할 수 있으며, 상기 금속박막은 Mo, Ti, Cr, Al, Cu, Au, Ag, Pd 또는 MoW 등을 사용할 수 있으며, 다만, 본 발명에서 상기 도전층의 재질을 한정하는 것은 아니다. The first conductive layer to the third conductive layer may be formed of a transparent conductive thin film or a metal thin film, and specifically, the transparent conductive thin film may use indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The metal thin film may use Mo, Ti, Cr, Al, Cu, Au, Ag, Pd or MoW, but the material of the conductive layer is not limited in the present invention.
한편, 상기 제1도전층 내지 제3도전층은 스퍼터링(Sputtering), 또는 기상증착(Evaporation) 등의 방법에 의해 형성할 수 있고, 500Å 내지 3000Å로 형성할 수 있으나, 본 발명에서 상기 도전층의 형성방법 및 두께를 한정하는 것은 아니다.On the other hand, the first conductive layer to the third conductive layer may be formed by a method such as sputtering or vapor deposition (Evaporation), and may be formed of 500 kPa to 3000 kPa, in the present invention, It does not limit the formation method and thickness.
이때, 상기 제1도전층 내지 제3도전층은 설명의 편의를 위하여 서로 별개의 구성인 것처럼 분류하였지만, 이들 층은 제조공정 측면에서 동일 물질로, 동시에 형성되는 것이 바람직하다.In this case, the first conductive layer to the third conductive layer are classified as separate components for convenience of description, but these layers are preferably formed of the same material at the same time in terms of manufacturing process.
도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광소자를 포함하는 기판의 일예를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing an example of a substrate including an organic light emitting display device according to the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 유기전계발광소자를 포함하는 기판은 화소영역(Ⅰ) 및 봉지영역(Ⅱ)을 포함하고 있다. 상기 기판(200)은 절연 유리, 플라스틱 또는 도전성 기판을 사용할 수 있다. Referring to FIG. 3, a substrate including an organic light emitting display device according to the present invention includes a pixel region I and an encapsulation region II. The
이어서, 상기 기판(200)의 화소영역(Ⅰ) 상에 유기전계발광소자(210)를 형성한다. 상기 유기전계발광소자(210)는 제 1 전극(220), 적어도 발광층을 포함하는 유기막층(230) 및 제 2 전극(240)을 포함하는 것을 특징으로 한다.Subsequently, an organic
상기 유기전계발광소자(210)에 있어서, 상기 제 1 전극(220)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용할 수 있다. 또한, 전면발광 구조일 경우, 반사막을 더 포함할 수 있다.In the organic
상기 유기막층(230)은 적어도 발광층을 포함하며, 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 또는 전자주입층중 어느 하나 이상의 층을 추가로 포함할 수 있다. The
상기 제 2 전극(240)은 일함수가 낮은 Mg, Ag, Al, Ca 및 이들의 합금 중 어느 하나 이상으로 사용할 수 있다. The
또한, 도면에는 도시되지 않았으나, 상기 유기전계발광소자(210)는 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.In addition, although not shown in the drawing, the organic
상기 박막 트랜지스터는 반도체층 상부에 게이트 전극이 형성되는 탑(top) 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 형성할 수 있고, 이와는 달리, 게이트 전극이 반도체층 하부에 위치하는 바텀(bottom) 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 형성할 수도 있다.The thin film transistor may form a thin film transistor having a top gate structure in which a gate electrode is formed on the semiconductor layer. Alternatively, the thin film transistor having a bottom gate structure in which the gate electrode is positioned below the semiconductor layer may be formed. It may be formed.
다만, 본 발명에서 상기 유기전계발광소자의 형태를 한정하는 것은 아니다.However, the form of the organic light emitting device is not limited in the present invention.
이어서, 상기 유기전계발광소자(210)을 덮는 보호막(250)을 형성할 수 있다. 상기 보호막(250)은 상기 유기전계발광소자(210)를 외부의 물리적 화학적 자극으로부터 보호하기 위한 막으로 유기막, 무기막 또는 이들의 복합막으로 형성할 수 있다.Subsequently, the
도 4는 본 발명의 봉지기판과 유기전계발광소자를 포함하는 기판을 합착하기 전을 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view for explaining before bonding the sealing substrate and the substrate including the organic light emitting display device of the present invention.
도 4를 참조하면, 상술한 봉지기판(300)과 유기전계발광소자를 포함하는 기판(200)이 서로 마주보도록 배치한다. 즉, 기판(200)의 화소영역(Ⅰ) 및 봉지영역(Ⅱ)이 봉지기판의 화소영역(Ⅰ) 및 봉지영역(Ⅱ)과 각각 마주보도록 배치된다.Referring to FIG. 4, the
이때, 상술한 바와 같이, 상기 봉지기판(300)은 봉지영역(Ⅱ)에 제1도전층(310a) 및 제2도전층(320)을 포함하고 있으며, 즉, 상기 제1도전층(310a) 및 상기 제2도전층(320)는 서로 연속적으로 연결되어 봉지영역(Ⅱ)을 정의할 수 있다.In this case, as described above, the
한편, 상기 제1도전층(310a) 및 상기 제2도전층(320)에 봉지를 위한 글라스 프릿(330)이 형성되어 있다.Meanwhile, the
상기 글라스 프릿(280)은 산화납(PbO), 삼산화이붕소(B2O8) 및 이산화규소(SiO2)로 이루어진 군에서 선택된 하나로 이루어질 수 있고, 또한, 상기 글라스 프릿(280)은 스크린 인쇄법 또는 디스펜싱법으로 형성할 수 있으며, 다만, 본 발명에서 상기 글라스 프릿이 재료 및 형성방법을 한정하는 것은 아니다.The glass frit 280 may be formed of one selected from the group consisting of lead oxide (PbO), diboron trioxide (B 2 O 8 ), and silicon dioxide (SiO 2 ), and the glass frit 280 may be screen printed. Alternatively, the glass frit may be formed by a dispensing method, but the glass frit does not limit the material and the forming method.
이때, 도면에는 상기 글라스 프릿을 제1도전층(310a) 및 제2도전층(320) 상에 형성하는 것을 도시하였으나, 이와는 달리, 상기 제1도전층(310a) 및 상기 제2도전층(320)과 대응되는 기판(200)측의 영역에 글라스 프릿을 형성할 수 있다.In this case, although the glass frit is shown on the first
즉, 상기 글라스 프릿이 봉지기판(300) 측에 형성되는 경우에는 제1도전층(310a) 및 제2도전층(320) 상에 형성되며, 상기 글라스 프릿이 기판(200) 측에 형성되는 경우에는 제1도전층(310a) 및 제2도전층(320)과 대응되는 영역에 형성된다.That is, when the glass frit is formed on the
도 5a는 본 발명의 봉지기판과 유기전계발광소자를 포함하는 기판을 합착한 후를 설명하기 위한 평면도이고, 도 5b는 도 5a의 D-D선에 따른 단면도이다.FIG. 5A is a plan view for explaining after bonding the sealing substrate and the substrate including the organic light emitting display device of the present invention, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line D-D of FIG. 5A.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 마주보고 배치된 봉지기판과 기판에 압력을 가하여, 상기 봉지기판과 상기 기판을 합착한다.Referring to FIGS. 5A and 5B, pressure is applied to the sealing substrate and the substrate disposed to face each other to bond the sealing substrate and the substrate.
이때, 도 5a를 참조하면, 상기 봉지기판(300)의 전계인가영역(Ⅲ)에 형성된 제3도전층(310b)는 외부로 노출되게 된다.In this case, referring to FIG. 5A, the third
즉, 상기 제3도전층(310b)은 제1도전층(310a)으로부터 일직선 형태로 연장되어 봉지영역(Ⅱ)의 외측인 전계인가영역(Ⅲ)에 형성되어 있으므로, 기판과 봉지기판이 합착되더라도 상기 제3도전층(310b)은 외부로 노출될 수 있다.That is, since the third
상기 제3도전층의 구체적인 형태는 상술한 바와 같으므로, 이하 생략하기로 한다. Since the specific form of the third conductive layer is as described above, it will be omitted below.
이어서, 상기 제3도전층(310b)에 전계를 인가하여 줄열을 발생시켜, 상기 글라스 프릿(330)을 용융하고 고상화하여, 기판(200)과 봉지기판(300)을 접착시켜 봉지공정을 완성한다.Subsequently, an electric field is applied to the third
이로써, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치를 형성할 수 있다.Thus, the organic light emitting display device according to the present invention can be formed.
이하에서, 상기와 같은 도전층에 전계를 인가하여 글라스 프릿을 용융하는 공정을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a process of melting the glass frit by applying an electric field to the conductive layer as described above will be described in detail.
상기 도전층에 대한 전계 인가는 글라스 프릿을 용융할 수 있는 온도 이상의 고열을 주울 가열에 의해 발생시킬 수 있는 파워 밀도(power density)의 에너지를 인가함으로써 행해진다.Application of the electric field to the conductive layer is performed by applying energy of a power density that can generate high heat above the temperature at which the glass frit can be melted by Joule heating.
본 발명에서는 상술한 바와 같이, 도전층에 전계를 인가하여 주울 가열(Joule Heating)을 발생시키는데, 주울 가열이란, 도체를 통하여 전류가 흐를 때 저항으로 인하여 발생되는 열을 이용하여 가열하는 것을 의미한다.In the present invention, as described above, Joule heating is generated by applying an electric field to the conductive layer. Joule heating means heating by using heat generated by resistance when current flows through a conductor. .
즉, 전계의 인가로 인한 주울 가열에 의해 도전층에 가해지는 단위 시간당 에너지량은 하기 식으로 표시될 수 있다.That is, the amount of energy per unit time applied to the conductive layer by Joule heating due to the application of the electric field may be represented by the following equation.
W = V ×IW = V × I
상기 식에서, W 는 주울 가열의 단위 시간당 에너지량, V 는 도전층의 양단에 걸리는 전압, I 는 전류를 각각 의미한다.In the above formula, W is the amount of energy per unit time of Joule heating, V is the voltage across the conductive layer, and I is the current, respectively.
상기 식으로부터, 전압(V)이 증가할수록, 및/또는 전류(I)가 클수록, 주울 가열에 의해 도전층에 가해지는 단위 시간당 에너지량이 증가함을 알 수 있다. 주울 가열에 의해 도전층의 온도가 올라가면 도전층의 상부 또는 하부에 위치하는 글라스 프릿이 용융하게 되는 것이다.From the above equation, it can be seen that as the voltage V increases and / or the current I increases, the amount of energy per unit time applied to the conductive layer by Joule heating increases. When the temperature of the conductive layer rises by Joule heating, the glass frit located above or below the conductive layer is melted.
이때, 상기 전계의 인가는 상기 도전층의 저항, 길이, 두께 등 다양한 요소들에 의해 결정되므로 특정되기는 어려우나, 약 100 W/cm2 ~ 1,000,000 W/cm2 정도일 수 있다. 또한, 인가되는 전류는 직류이거나 교류일 수 있으며, 전계의 인가 시간은 연속적으로 인가되는 시간이 1/10,000,000 ~ 10초일 수 있다. 이러한 전계의 인가는 규칙적 또는 불규칙적 단위로 수회 반복될 수 있다. In this case, since the application of the electric field is determined by various factors such as resistance, length and thickness of the conductive layer, it is difficult to be specified, but may be about 100 W / cm 2 to 1,000,000 W / cm 2 . In addition, the applied current may be direct current or alternating current, and the application time of the electric field may be 1 / 10,000,000 to 10 seconds continuously applied. The application of this electric field can be repeated several times in regular or irregular units.
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 도전층에 전계를 인가하는 것을 설명하기 위한 모식도이다.6 is a schematic diagram for explaining the application of an electric field to the conductive layer according to the first embodiment of the present invention.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 봉지기판은 제1도전층 내지 제3도전층을 포함하고 있으며, 상기 제1도전층(310a) 및 제2도전층(320)은 서로 연속적으로 연결되어 봉지영역을 정의할 수 있으며, 상기 제3도전층(310b)은 봉지영역(Ⅱ)의 외측인 전계인가영역(Ⅲ)에 형성되어 있어, 기판과 봉지기판을 합착하더라도 상기 제3도전층은 외부로 노출되게 된다.As described above, the encapsulation substrate according to the present invention includes a first conductive layer to a third conductive layer, and the first
결국, 글라스 프릿을 용융하기 위하여 전계를 인가하는 공정은 기판과 봉지기판을 합착한 이후의 공정이므로, 상기 제3도전층(310b)을 통해 전계를 인가하게 된다. 즉, 상기 제3도전층(310b)은 전계를 인가하여 글라스 프릿을 용융시키기 위하여, 봉지영역(Ⅱ)의 외측인 전계인가영역(Ⅲ)에 형성하는 것이다.As a result, since the process of applying the electric field to melt the glass frit is a process after bonding the substrate and the sealing substrate, the electric field is applied through the third
도 6을 참조하면, 도면을 기준으로 상부 제3도전층(310b)과 하부 제3도전층(310b)에 전계를 인가한다.Referring to FIG. 6, an electric field is applied to the upper third
이때, 제1도전층 및 제2도전층은 상기 제3도전층과의 관계에서 병렬관계이다.At this time, the first conductive layer and the second conductive layer are in a parallel relationship with the third conductive layer.
즉, 상기 제1도전층(310a) 및 제2도전층(320)은 서로 연속적으로 연결되어 있고, 또한, 상기 제3도전층은 도면에 도시된 바와 같이, 상부 제1도전층(310a)으로 부터 우측방향으로 연장되는 상부 제3도전층 및 하부 제1도전층(310a)으로부터 좌측방향으로 연장되는 하부 제3도전층을 포함한다. 이때, 상부 제3도전층(310b)과 하부 제3도전층(310b)에 전계를 인가하는 경우에는 제1도전층 및 제2도전층에 병렬 로 전계를 인가하게 되는 것이다.That is, the first
따라서, 본 발명의 제1실시예에서는 1회의 전계인가 만으로, 상기 제1도전층 및 제2도전층 전체 영역에 줄열을 발생시켜 글라스 프릿을 용융시킬 수 있다.Accordingly, in the first embodiment of the present invention, the glass frit may be melted by generating Joule heat in the entire areas of the first conductive layer and the second conductive layer by applying only one electric field.
이때, 본 발명에서는 상부 제3도전층과 하부 제3도전층을 기준으로, 제1도전층 및 제2도전층의 시계방향으로의 길이와 제1도전층 및 제2도전층의 반시계방향으로의 길이를 동일하게 함으로써, 제1도전층 및 제2도전층에 발생되는 줄열이 균일하도록 조절하여 봉지 품질을 향상시킬 수 있다.At this time, in the present invention, the length of the first conductive layer and the second conductive layer in the clockwise direction and the counterclockwise direction of the first conductive layer and the second conductive layer are based on the upper third conductive layer and the lower third conductive layer. By making the same, the quality of the encapsulation can be improved by adjusting the Joule heat generated in the first conductive layer and the second conductive layer to be uniform.
이상과 같이, 본 발명에서는 도전층에 전계를 인가하여, 상기 도전층의 상부 또는 하부에 형성된 글라스 프릿에 줄열을 가해 용융시킴으로써, 봉지기판을 봉지한다.As described above, in the present invention, the sealing substrate is sealed by applying an electric field to the conductive layer and applying Joule's heat to the glass frit formed on the upper or lower portion of the conductive layer.
즉, 종래의 레이저 조사에 의한 글라스 프릿의 용융은 레이저 조사 장비가 고가라는 점에서 제조단가를 상승시켰으나, 상기 도전층에 전계를 인가하는 방식을 채용함으로써 제조단가를 감소시킬 수 있다.That is, the melting of the glass frit by the conventional laser irradiation increases the manufacturing cost in that the laser irradiation equipment is expensive, but the manufacturing cost can be reduced by adopting a method of applying an electric field to the conductive layer.
또한, 종래의 레이저 조사에 의한 글라스 프릿의 용융은 레이저를 조사하기 위하여 정밀한 얼라인이 필요하나, 상기 도전층에 전계를 인가하는 방식은 도전층 상부 또는 하부에 글라스 프릿을 형성하여 전계를 인가하면 되므로, 글라스 프릿을 용융하기 위한 정밀한 얼라인이 중요하지 않으며, 또한, 상기 도전층에 전계를 인가하는 시간은 수 초에 해당하므로 공정시간을 현저히 감소시킬 수 있다.In addition, the melting of the glass frit by conventional laser irradiation requires precise alignment in order to irradiate the laser, but the method of applying an electric field to the conductive layer may be performed by forming a glass frit on the upper or lower portion of the conductive layer. Therefore, precise alignment for melting the glass frit is not important, and the time for applying the electric field to the conductive layer corresponds to several seconds, thereby significantly reducing the processing time.
도 7a는 본 발명의 제2실시예에 따른 봉지기판을 도시하는 평면도, 도 7b는 도 7a의 A-A선에 따른 단면도, 도 7c는 도 7a의 B-B선에 따른 단면도, 도 7d는 도 7a의 C-C선에 따른 단면도, 도 7e는 도 7a의 D-D선에 따른 단면도이다.FIG. 7A is a plan view illustrating a sealing substrate according to a second embodiment of the present invention, FIG. 7B is a sectional view taken along the line AA of FIG. 7A, FIG. 7C is a sectional view taken along the line BB of FIG. 7A, and FIG. 7D is a CC of FIG. 7A. 7E is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. 7A.
본 발명의 제2실시예에 따른 봉지기판은 후술하는 것을 제외하고는 제1실시에와 동일할 수 있다.The encapsulation substrate according to the second embodiment of the present invention may be the same as the first embodiment except for the following.
도 7a 내지 도 7e를 참조하면, 본 발명에 따른 봉지기판(400)은 화소영역(Ⅰ), 봉지영역(Ⅱ) 및 전계인가영역(Ⅲ)을 포함하고 있다. 이때, 상기 화소영역(Ⅰ)은 후술할 바와 같은 소자기판의 화소영역(Ⅰ)에 대응되는 영역에 해당하며, 상기 봉지영역(Ⅱ)은 후술할 바와 같은 소자기판의 봉지영역(Ⅱ)에 대응되는 영역에 해당한다. 또한, 상기 전계인가영역(Ⅲ)은 후술할 바와 같은 도전층에 전계를 인가하기 위한 제3도전층이 형성되는 영역이다.7A to 7E, the
계속해서 도7a 내지 도 7e를 참조하면, 본 발명에 따른 봉지기판(400)은 상기 봉지영역(Ⅱ)에 제1도전층(410a) 및 제2도전층(420a)을 포함하고 있으며, 상기 전계인가영역(Ⅲ)에 상기 제1도전층(410a)으로부터 연장되어 형성되는 제3도전층(410b)을 포함하고, 상기 전계인가영역(Ⅲ)에 상기 제2도전층(420a)으로부터 연장되어 형성되는 제4도전층(420b)을 포함하고 있다. 이때, 상기 제1도전층(410a)은 제1방향, 예를 들어, 가로방향으로 형성되고, 상기 제2도전층(420a)은 제2방향, 예를 들어, 세로방향으로 형성될 수 있다.7A to 7E, the
즉, 도 7a에서 알 수 있는 바와 같이, 상기 제1도전층(410a) 및 상기 제2도전층(420a)은 서로 연속적으로 연결되어 봉지영역(Ⅱ)을 정의하며, 상기 제3도전층(410b)은 제1도전층(410a)으로부터 일직선 형태로 연장되어 봉지영역(Ⅱ)의 외측 인 전계인가영역(Ⅲ)에 형성되고, 상기 제4도전층(420b)은 제2도전층(420a)으로부터 일직선 형태로 연장되어 봉지영역(Ⅱ)의 외측인 전계인가영역(Ⅲ)에 형성되어 있다.That is, as shown in FIG. 7A, the first
상기 제1도전층 내지 제4도전층은 투명성 도전 박막 또는 금속 박막으로 형성할 수 있고, 구체적으로는 상기 투명성 도전박막은 ITO(Indium Tine Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)등을 사용할 수 있으며, 상기 금속박막은 Mo, Ti, Cr, Al, Cu, Au, Ag, Pd 또는 MoW 등을 사용할 수 있으며, 다만, 본 발명에서 상기 도전층의 재질을 한정하는 것은 아니다. The first to fourth conductive layers may be formed of a transparent conductive thin film or a metal thin film, and specifically, the transparent conductive thin film may use indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The metal thin film may use Mo, Ti, Cr, Al, Cu, Au, Ag, Pd or MoW, but the material of the conductive layer is not limited in the present invention.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 제2실시예에 따른 도전층에 전계를 인가하는 것을 설명하기 위한 모식도이다.8A and 8B are schematic diagrams for explaining the application of an electric field to the conductive layer according to the second embodiment of the present invention.
상술한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 봉지기판은 제1도전층 내지 제4도전층을 포함하고 있으며, 상기 제1도전층(410a) 및 제2도전층(420a)은 서로 연속적으로 연결되어 봉지영역을 정의할 수 있으며, 상기 제3도전층(410b) 및 제4도전층(420b)은 봉지영역(Ⅱ)의 외측인 전계인가영역(Ⅲ)에 형성되어 있어, 기판과 봉지기판을 합착하더라도 상기 제3도전층 및 상기 제4도전층은 외부로 노출되게 된다.As described above, the encapsulation substrate according to the second embodiment of the present invention includes a first conductive layer to a fourth conductive layer, and the first
결국, 글라스 프릿을 용융하기 위하여 전계를 인가하는 공정은 기판과 봉지기판을 합착한 이후의 공정이므로, 상기 제3도전층(410b) 및 제4도전층(420b)을 통해 전계를 인가하게 된다. 즉, 제3도전층(410b) 및 제4도전층(420b)은 전계를 인가하여 글라스 프릿을 용융시키기 위하여, 봉지영역(Ⅱ)의 외측인 전계인가영역(Ⅲ) 에 형성하는 것이다.As a result, since the process of applying the electric field to melt the glass frit is a process after bonding the substrate and the sealing substrate, the electric field is applied through the third
한편, 본 발명의 제2실시예에서는 2회에 걸쳐 전계를 인가하여 글라스 프릿을 용융시키는데, 도 8a는 첫번째 전계인가를 나타내는 모식도이고, 도 8b는 두번째 전계인가를 나타내는 모식도이며, 다만, 본 발명에서 상기 2회의 전계인가의 순서에 한정되는 것은 아니다.In the second embodiment of the present invention, the glass frit is melted by applying an electric field twice. FIG. 8A is a schematic diagram showing whether the first electric field is applied, and FIG. 8B is a schematic diagram showing whether the second electric field is applied. Is not limited to the order of applying the electric field twice.
먼저, 도 8a를 참조하면, 도면을 기준으로 상부 제3도전층(410b)과 하부 제3도전층(410b)에 전계를 인가한다.First, referring to FIG. 8A, an electric field is applied to the upper third
이 경우, 제3도전층(410b)은 제1도전층(410a)으로부터 일직선 형태로 연장되어 있기 때문에, 상부 제3도전층(410b)과 일직선 형태로 연장된 상부 제1도전층(410a)는 등전위를 형성하게 되고, 또한, 하부 제3도전층(410b)과 일직선 형태로 연장된 하부 제1도전층(410a)은 등전위를 형성하게 된다.In this case, since the third
하지만, 상부 제3도전층(410b)과 하부 제3도전층(410b)이 각각 등전위를 형성하더라도, 이들 각각이 갖는 전압은 서로 상이하여, 제2도전층(420a)의 양 끝단에 걸리는 전압이 상이하므로, 결국, 제2도전층에는 전류가 흘러, 줄열이 발생된다.However, even if the upper third
따라서, 상부 제3도전층(410b)과 하부 제3도전층(410b)에 전계를 인가함으로써, 제2도전층(420a)에 줄열이 발생하여, 상기 제2도전층(420a) 상부 또는 하부에 형성된 글라스 프릿이 용융되게 된다.Therefore, by applying an electric field to the upper third
다음으로, 도 8b를 참조하면, 도면을 기준으로 우측 제4도전층(420b)과 좌측 제4도전층(420b)에 전계를 인가한다.Next, referring to FIG. 8B, an electric field is applied to the right fourth
이 경우, 제4도전층(420b)은 제2도전층(420a)으로부터 일직선 형태로 연장되어 있기 때문에, 우측 제4도전층(420b)과 일직선 형태로 연장된 우측 제2도전층(420a)는 등전위를 형성하게 되고, 또한, 좌측 제4도전층(420b)과 일직선 형태로 연장된 좌측 제2도전층(420a)은 등전위를 형성하게 된다.In this case, since the fourth
하지만, 우측 제4도전층(420b)과 좌측 제4도전층(420b)이 각각 등전위를 형성하더라도, 이들 각각이 갖는 전압은 서로 상이하여, 제1도전층(410a)의 양 끝단에 걸리는 전압이 상이하므로, 결국, 제1도전층에는 전류가 흘러, 줄열이 발생된다.However, even if the right fourth
따라서, 우측 제4도전층(420b)과 좌측 제4도전층(420b)에 전계를 인가함으로써, 제1도전층(410a)에 줄열이 발생하여, 상기 제2도전층(410a) 상부 또는 하부에 형성된 글라스 프릿이 용융되게 된다.Accordingly, by applying an electric field to the right fourth
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.The present invention has been shown and described with reference to the preferred embodiments as described above, but is not limited to the above embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.
도 1은 종래 기술에 따른 유기전계발광표시장치의 단면도,1 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the prior art;
도 2a는 본 발명의 제1실시예에 따른 봉지기판을 도시하는 평면도,2A is a plan view showing a sealing substrate according to a first embodiment of the present invention;
도 2b는 도 2a의 A-A선에 따른 단면도,2B is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 2A;
도 2c는 도 2a의 B-B선에 따른 단면도,2C is a cross-sectional view taken along the line B-B in FIG. 2A;
도 2d는 도 2a의 C-C선에 따른 단면도,FIG. 2D is a cross-sectional view taken along the line C-C of FIG. 2A;
도 3은 본 발명에 따른 유기전계발광소자를 포함하는 기판의 일예를 나타내는 단면도,3 is a cross-sectional view showing an example of a substrate including an organic light emitting display device according to the present invention;
도 4는 본 발명의 봉지기판과 유기전계발광소자를 포함하는 기판을 합착하기 전을 설명하기 위한 단면도,4 is a cross-sectional view for explaining before bonding the substrate including the sealing substrate and the organic light emitting device of the present invention;
도 5a는 본 발명의 봉지기판과 유기전계발광소자를 포함하는 기판을 합착한 후를 설명하기 위한 평면도이고,5A is a plan view for explaining the bonding of the sealing substrate and the substrate including the organic light emitting display device according to the present invention;
도 5b는 도 5a의 D-D선에 따른 단면도,5B is a cross-sectional view taken along the line D-D of FIG. 5A;
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 도전층에 전계를 인가하는 것을 설명하기 위한 모식도,6 is a schematic diagram for explaining the application of an electric field to the conductive layer according to the first embodiment of the present invention;
도 7a는 본 발명의 제2실시예에 따른 봉지기판을 도시하는 평면도,7A is a plan view showing a sealing substrate according to a second embodiment of the present invention;
도 7b는 도 7a의 A-A선에 따른 단면도,7B is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 7A;
도 7c는 도 7a의 B-B선에 따른 단면도,7C is a cross-sectional view taken along the line B-B in FIG. 7A;
도 7d는 도 7a의 C-C선에 따른 단면도,7D is a cross-sectional view taken along the line C-C of FIG. 7A;
도 7e는 도 7a의 D-D선에 따른 단면도,7E is a cross-sectional view taken along the line D-D of FIG. 7A;
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 제2실시예에 따른 도전층에 전계를 인가하는 것을 설명하기 위한 모식도이다.8A and 8B are schematic diagrams for explaining the application of an electric field to the conductive layer according to the second embodiment of the present invention.
Claims (37)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090121303A KR101097320B1 (en) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | Organic Electroluminescence Device And Method For Fabricating Of The Same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090121303A KR101097320B1 (en) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | Organic Electroluminescence Device And Method For Fabricating Of The Same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110064620A true KR20110064620A (en) | 2011-06-15 |
KR101097320B1 KR101097320B1 (en) | 2011-12-21 |
Family
ID=44398032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090121303A KR101097320B1 (en) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | Organic Electroluminescence Device And Method For Fabricating Of The Same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101097320B1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130107932A (en) * | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display |
KR20210054757A (en) | 2019-11-06 | 2021-05-14 | 유호연 | Flexible display with manual folding lever |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3278611B2 (en) | 1998-05-18 | 2002-04-30 | 日本電気株式会社 | Organic EL element sealing method |
US10135021B2 (en) * | 2008-02-29 | 2018-11-20 | Corning Incorporated | Frit sealing using direct resistive heating |
-
2009
- 2009-12-08 KR KR1020090121303A patent/KR101097320B1/en active IP Right Grant
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130107932A (en) * | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display |
KR20210054757A (en) | 2019-11-06 | 2021-05-14 | 유호연 | Flexible display with manual folding lever |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101097320B1 (en) | 2011-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9478591B2 (en) | Organic light emitting display device and repair method thereof | |
TWI715561B (en) | Organic light-emitting display apparatus | |
US7990060B2 (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
JP5269291B2 (en) | Thin film transistor display panel | |
KR102009802B1 (en) | Flexible type organic light emitting diode device and fabricating method thereof | |
KR101677264B1 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
KR100872709B1 (en) | Organic Electroluminescent Device and method for fabricating thereof | |
WO2018045658A1 (en) | Amoled display device | |
US10290688B2 (en) | AMOLED device and manufacturing method thereof | |
CN102931210B (en) | Display unit and manufacture method thereof | |
KR20150049141A (en) | Organic light emitting display devices and methods of manufacturing organic light emitting display devices | |
CN106653768A (en) | TFT backboard and manufacturing method thereof | |
CN103794631A (en) | Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same | |
WO2012042565A1 (en) | El display panel, el display device, and method for producing el display panel | |
US20140138644A1 (en) | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same | |
TW200306754A (en) | Electroluminescence display device | |
KR20110123123A (en) | Organic light emitting diode display | |
US10504731B2 (en) | TFT substrate and manufacturing method thereof | |
US20190363145A1 (en) | Oled panel, method for producing oled panel, and apparatus for producing oled panel | |
US10573205B2 (en) | Flexible display device and method for manufacturing flexible display device | |
KR102194667B1 (en) | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same | |
KR101587097B1 (en) | Method of fabricating for dual panel type organic electro-luminescent device | |
KR101097320B1 (en) | Organic Electroluminescence Device And Method For Fabricating Of The Same | |
KR101604139B1 (en) | Organic light emitting diodde desplay device and fabricating method thereof | |
KR101084174B1 (en) | Organic Electroluminescence Device And Method For Fabricating Of The Same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141128 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171129 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181126 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191202 Year of fee payment: 9 |