KR20110057658A - Phase shifter where a slot is formed on a ground member and antenna including the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A phase shifter with a slot on a ground unit and an antenna including the same are provided to reduce the leakage loss of an antenna at a usable frequency BY forming the slot in an area with an electric field over a reference value or area except for a pattern. CONSTITUTION: A housing member houses a phase shifter. The phase shifter includes a first substrate(210), a first pattern(214), and a ground unit. The first pattern is arranged on a first surface of the first substrate. The ground unit is arranged on a second substrate facing the first surface among the first substrate. The ground unit faces a part of the housing member. A slot(230a,230b) is formed on a part of the ground unit.

Description

접지부에 슬롯이 형성된 페이즈 쉬프터 및 이를 포함하는 안테나{PHASE SHIFTER WHERE A SLOT IS FORMED ON A GROUND MEMBER AND ANTENNA INCLUDING THE SAME}Phase shifter with a slot formed in the ground and an antenna including the same {PHASE SHIFTER WHERE A SLOT IS FORMED ON A GROUND MEMBER AND ANTENNA INCLUDING THE SAME}

본 발명은 누설 손실을 감소시키도록 접지부에 슬롯이 형성되는 페이즈 쉬프터 및 이를 포함하는 안테나에 관한 것이다. The present invention relates to a phase shifter in which a slot is formed in the ground portion to reduce leakage loss, and an antenna including the same.

안테나, 특히 기지국 안테나는 외부로부터 전력을 급전받아 특정 방사 패턴을 출력시키는 소자이다. An antenna, in particular a base station antenna, is a device that receives power from the outside and outputs a specific radiation pattern.

도 1은 일반적인 안테나의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a view schematically showing a structure of a general antenna.

도 1을 참조하면, 안테나(100)는 페이즈 쉬프터(Phase Shifter, 102) 및 이를 하우징하는 하우징 부재(Housing Member, 104)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the antenna 100 includes a phase shifter 102 and a housing member 104 housing the phase shifter 102.

페이즈 쉬프터(102)는 기판(110), 도체 패턴(112) 및 접지부(114)를 포함한다. The phase shifter 102 includes a substrate 110, a conductor pattern 112, and a ground portion 114.

도체 패턴(112)은 기판(110)의 상부면 위에 형성되고, 접지부(114)는 기판(110)의 하부면 위에 형성된다. The conductor pattern 112 is formed on the upper surface of the substrate 110, and the ground portion 114 is formed on the lower surface of the substrate 110.

일반적으로 공정상 오차가 없는 경우, 접지부(114)는 하우징 부재(104) 중 바닥면과 밀착되어 접지부(114)와 하우징 부재(104) 사이에 갭(gap)이 거의 존재하지 않는다. 그러나, 공정 오차 등으로 인하여 도 1에 도시된 바와 같이 접지부(114)와 하우징 부재(104) 사이에 어느 정도 갭이 형성되며, 페이즈 쉬프터(102)로부터 누설 전류가 발생될 수 있다. 결과적으로, 상기 안테나의 누설 손실이 증가될 수 있다. In general, when there is no process error, the ground portion 114 is in close contact with the bottom surface of the housing member 104 such that there is almost no gap between the ground portion 114 and the housing member 104. However, due to a process error or the like, a gap is formed between the ground portion 114 and the housing member 104 to some extent as shown in FIG. 1, and a leakage current may be generated from the phase shifter 102. As a result, the leakage loss of the antenna can be increased.

특히, 이러한 누설 손실이 발생되는 주파수 대역(접지부(114)와 하우징 부재(104) 사이의 커플링으로 인한 주파수)은 상기 안테나가 사용하고자 하는 가용 주파수 대역 내에 존재할 확률이 높았다. 결과적으로, 사용자는 상기 가용 주파수 대역을 임의로 사용하지 못할 수 있었다. In particular, the frequency band in which such leakage loss occurs (frequency due to the coupling between the ground portion 114 and the housing member 104) was more likely to exist within the available frequency band that the antenna intends to use. As a result, the user may not be able to use the available frequency band arbitrarily.

본 발명의 목적은 누설 손실을 감소시키는 구조로 구현된 페이즈 쉬프터 및 이를 포함하는 안테나를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a phase shifter and an antenna including the phase shifter implemented in a structure to reduce leakage loss.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나는 페이즈 쉬프터; 및 상기 페이즈 쉬프터를 하우징하는 하우징 부재를 포함한다. 상기 페이즈 쉬프터는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 중 제 1 면 위에 배열된 도체인 적어도 하나의 제 1 패턴; 및 상기 제 1 기판 중 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면에 배열된 접지부를 포함한다. 여기서, 상기 접지부는 상기 하우징 부재의 일부분과 마주보며, 상기 접지부의 일부에 슬롯이 형성된다.In order to achieve the above object, an antenna according to an embodiment of the present invention is a phase shifter; And a housing member housing the phase shifter. The phase shifter may include a first substrate; At least one first pattern being a conductor arranged on a first side of the first substrate; And a ground portion arranged on a second surface of the first substrate, which is opposite to the first surface. Here, the ground portion faces a portion of the housing member, and a slot is formed in a portion of the ground portion.

본 발명의 다른 실시예에 따른 안테나는 페이즈 쉬프터; 및 상기 페이즈 쉬프터를 하우징하는 하우징 부재를 포함한다. 상기 페이즈 쉬프터는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 중 제 1 면 위에 배열된 도체인 적어도 하나의 제 1 패턴; 및 상기 제 1 기판 중 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면에 배열된 접지부를 포함한다. 여기서, 상기 접지부는 상기 하우징 부재의 일부와 마주보며, 상기 접지부와 상기 하우징 부재 사이의 커플링에 의해 발생되는 주파수는 상기 안테나의 가용 주파수 대역 외의 대역에 존재한다. According to another embodiment of the present invention, an antenna includes a phase shifter; And a housing member housing the phase shifter. The phase shifter may include a first substrate; At least one first pattern being a conductor arranged on a first side of the first substrate; And a ground portion arranged on a second surface of the first substrate, which is opposite to the first surface. Here, the ground portion faces a part of the housing member, and a frequency generated by the coupling between the ground portion and the housing member is present in a band outside the available frequency band of the antenna.

본 발명의 일 실시예에 따른 하우징 부재에 의해 하우징되는 페이즈 쉬프터는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 중 제 1 면 위에 배열된 도체인 제 1 패턴들; 상기 제 1 기판 중 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면에 배열된 접지부; 상기 제 1 기판으로부터 소정 거리만큼 이격된 제 2 기판; 및 상기 제 2 기판 위에 배열되며, 상기 제 1 패턴들과 마주보는 제 2 패턴들을 포함한다. 여기서, 상기 제 2 패턴들은 상기 제 1 패턴들을 상호 전기적으로 연결시키며, 상기 접지부 중 일부에 슬롯이 형성된다. A phase shifter housed by a housing member according to an embodiment of the present invention may include a first substrate; First patterns being conductors arranged on a first side of the first substrate; A ground portion arranged on a second surface of the first substrate opposite to the first surface; A second substrate spaced apart from the first substrate by a predetermined distance; And second patterns arranged on the second substrate and facing the first patterns. Here, the second patterns electrically connect the first patterns to each other, and a slot is formed in a part of the ground portion.

본 발명에 페이즈 쉬프터 및 이를 포함하는 안테나에서, 기판의 하부면에 형성된 접지부에 적어도 하나의 슬롯이 형성된다. 특히, 상기 슬롯은 상기 접지부 중 상기 기판 위에 형성된 신호선인 패턴들이 위치하는 영역에 해당하는 부분 외의 영역에 형성되거나 전기장들이 기준치 이상인 부분에 형성된다. 결과적으로, 상기 안테나의 누설 손실이 가용 주파수 대역에서 감소할 수 있다. In the phase shifter and the antenna including the same according to the present invention, at least one slot is formed in the ground portion formed on the lower surface of the substrate. In particular, the slot is formed in a portion of the ground portion other than a portion corresponding to a region in which patterns, which are signal lines formed on the substrate, are located, or is formed in a portion in which electric fields are above a reference value. As a result, the leakage loss of the antenna can be reduced in the available frequency band.

이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 자세히 설명하도록 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 안테나를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 3은 도 2의 페이즈 쉬프터를 도시한 도면이다. 또한, 도 4는 도 2의 페이즈 쉬프터의 동작 구조를 도시한 도면이고, 도 5는 접지부 구조에 따른 누설 손실을 비교한 그래프를 도시한 도면이다.2 is a cross-sectional view schematically illustrating an antenna according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram illustrating a phase shifter of FIG. 2. 4 is a diagram illustrating an operation structure of the phase shifter of FIG. 2, and FIG. 5 is a diagram illustrating a graph comparing leakage loss according to a grounding structure.

도 2를 참조하면, 본 실시예의 안테나(200)는 페이즈 쉬프터(Phase Shifter, 202), 하우징 부재(Housing member, 204) 및 복사 소자들(미도시)을 포함한다. Referring to FIG. 2, the antenna 200 of this embodiment includes a phase shifter 202, a housing member 204, and radiation elements (not shown).

페이즈 쉬프터(Phase Shifter, 202)는 외부로부터 입력된 전력(RF 신호)을 상기 복사 소자들로 제공하는 소자로서, 상기 복사 소자들로 제공되는 RF 신호들의 위상을 가변시킨다. The phase shifter 202 is a device that provides power (RF signal) input from the outside to the radiation elements, and changes the phase of the RF signals provided to the radiation elements.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 페이즈 쉬프터(202)는 제 1 서브 페이즈 쉬프터(206) 및 제 2 서브 페이즈 쉬프터(208)를 포함한다. According to one embodiment of the present invention, the phase shifter 202 includes a first sub phase shifter 206 and a second sub phase shifter 208.

제 1 서브 페이즈 쉬프터(206)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 제 1 기판(210), 적어도 하나의 제 1 패턴(214), 하나 이상의 제 2 패턴(216), 입력 패턴(300), 분배 패턴들(302 및 304), 적어도 하나의 제 5 패턴(306) 및 하나 이상의 제 6 패턴(308) 및 접지부(218)를 포함한다. The first sub phase shifter 206 may include a first substrate 210, at least one first pattern 214, at least one second pattern 216, and an input pattern 300 as shown in FIGS. 2 and 3. Distribution patterns 302 and 304, at least one fifth pattern 306, and at least one sixth pattern 308 and a ground portion 218.

제 1 패턴들(214)은 도체로서 제 1 기판(210) 위에 배열되며, 바람직하게는 도 3에 도시된 바와 같이 역'U'자 형상을 가지고 가로 방향으로 순차적으로 배열될 수 있다. 물론, 제 1 패턴(214)은 보는 각도에 따라 'U'자 형상을 가진다고도 말할 수도 있다. 여기서, 'U'자 형상은 후술하는 바와 같이 좌측 패턴, 중앙 패턴 및 우측 패턴으로 이루어지는 모든 패턴을 의미한다. The first patterns 214 are arranged on the first substrate 210 as a conductor, and may preferably be arranged sequentially in the horizontal direction with an inverted 'U' shape as shown in FIG. 3. Of course, the first pattern 214 may also be said to have a 'U' shape depending on the viewing angle. Here, the 'U' shape means all patterns consisting of a left pattern, a center pattern, and a right pattern, as will be described later.

위 도 3에서는 제 1 패턴들(214)이 모두 동일한 형상 및 사이즈를 가지는 것으로 도시하였으나, 일부는 다른 형상 또는 사이즈를 가질 수도 있다. In FIG. 3, all of the first patterns 214 have the same shape and size, but some may have different shapes or sizes.

제 2 패턴들(216)은 도체로서 제 1 기판(210) 위에 배열되며, 예를 들어 제 1 패턴들(214)에 대향하여 배열된다. 여기서, 제 2 패턴들(216)은 'U'자 형상을 가질 수 있다. The second patterns 216 are arranged over the first substrate 210 as a conductor, for example opposite the first patterns 214. Here, the second patterns 216 may have a 'U' shape.

입력 패턴(300)은 외부로부터 전력을 공급받는 부분으로서, 예를 들어 입력 패턴(300)의 종단 부분에 전력을 전달하는 케이블(미도시)의 내부 도체가 연결될 수 있다.The input pattern 300 is a portion to which power is supplied from the outside, for example, an inner conductor of a cable (not shown) for transferring power to an end portion of the input pattern 300 may be connected.

분배 패턴들(302 및 304)은 도 3에 도시된 바와 같이 입력 패턴(300), 제 1 패턴(214) 및 제 2 패턴(216)에 전기적으로 연결되며, 입력 패턴(300)을 통하여 공급된 전력을 제 1 패턴(214) 및 제 2 패턴(216)으로 전달한다. The distribution patterns 302 and 304 are electrically connected to the input pattern 300, the first pattern 214, and the second pattern 216, as shown in FIG. 3, supplied through the input pattern 300. Power is delivered to the first pattern 214 and the second pattern 216.

도 3에서는, 분배 패턴들(302 및 304)이 제 1 패턴들(214) 중 제일 좌측에 위치한 패턴 및 제 2 패턴들(216) 중 제일 좌측에 위치한 패턴에 연결되었으나, 다른 위치의 패턴들(214 및 216)에 연결될 수도 있다. In FIG. 3, the distribution patterns 302 and 304 are connected to the leftmost of the first patterns 214 and the leftmost of the second patterns 216, but the patterns of different positions ( 214 and 216.

또한, 분배 패턴들(302 및 304)이 패턴들(214 및 216)에 직접 연결되었으나, 커플링 방식으로 연결될 수도 있다. In addition, although the distribution patterns 302 and 304 are directly connected to the patterns 214 and 216, they may be connected in a coupling manner.

제 5 패턴(306)은 도체로서 제 1 기판(210) 위에 형성되고, 해당 제 1 패턴(214)과 해당 복사 소자(310)를 전기적으로 연결시킨다. 결과적으로, 제 1 패턴들(214)로 입력된 전력들은 각기 해당 제 5 패턴들(306)을 통하여 복사 소자들(310)로 제공되며, 그 결과 복사 소자들(310)이 특정 방향의 빔을 출력시킨다. The fifth pattern 306 is formed on the first substrate 210 as a conductor, and electrically connects the first pattern 214 with the radiation element 310. As a result, the powers input to the first patterns 214 are provided to the radiation elements 310 through the respective fifth patterns 306, so that the radiation elements 310 emit beams in a specific direction. Output it.

제 6 패턴(308)은 도체로서 제 1 기판(210) 위에 형성되고, 해당 제 2 패턴(216)과 해당 복사 소자(310)를 전기적으로 연결시킨다. 결과적으로, 제 2 패턴들(216)로 입력된 전력들은 각기 해당 제 6 패턴들(308)을 통하여 복사 소자들(310)로 제공되며, 그 결과 복사 소자들(310)이 특정 방향의 빔을 발생시킨다. The sixth pattern 308 is formed on the first substrate 210 as a conductor, and electrically connects the second pattern 216 with the radiation element 310. As a result, the powers input to the second patterns 216 are provided to the radiation elements 310 through the sixth patterns 308, respectively, so that the radiation elements 310 emit a beam in a specific direction. Generate.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 5 패턴들(306) 및 제 6 패턴들(308)로 흐르는 전력들(RF 신호들)의 위상들 중 적어도 일부가 다를 수 있으며, 바람직하게는 후술하는 바와 같이 일정한 규칙을 가지고 변화될 수 있다. According to one embodiment of the invention, at least some of the phases of the powers (RF signals) flowing in the fifth patterns 306 and the sixth patterns 308 may be different, preferably as described below. Can be changed with certain rules.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제 5 패턴들(306)과 제 6 패턴들(308) 중 적어도 하나는 다른 제 5 및 6 패턴들과 다른 임피던스값을 가질 수 있다. 다른 견지에서, 패턴들(306 및 308) 중 적어도 하나는 다른 패턴들과 다른 사이즈(폭 또는 길이)를 가질 수 있다. 결과적으로, 각 복사 소자들(310)로 공급되는 전력들의 크기가 다를 수 있다. 이러한 패턴들(306 및 308)의 임피던스 또는 사이즈는 임피던스값은 구현하고자 하는 빔의 특성에 따라 결정될 것이다. According to another embodiment of the present invention, at least one of the fifth patterns 306 and the sixth patterns 308 may have an impedance value different from that of the other fifth and sixth patterns. In another aspect, at least one of the patterns 306 and 308 may have a different size (width or length) than the other patterns. As a result, the sizes of the powers supplied to the respective radiating elements 310 may be different. The impedance or size of these patterns 306 and 308 will depend on the characteristics of the beam to be implemented.

제 2 서브 페이즈 쉬프터(208)는 제 2 기판(212), 적어도 하나의 제 3 패턴(220) 및 하나 이상의 제 4 패턴(222)을 포함한다. The second sub phase shifter 208 includes a second substrate 212, at least one third pattern 220 and one or more fourth patterns 222.

제 2 기판(212)은 소정 유전율을 가지는 유전체 물질로 이루어지며, 제 1 기판(210)과 동일한 유전율을 가질 수도 있고 다른 유전율을 가질 수도 있다. The second substrate 212 is made of a dielectric material having a predetermined dielectric constant, and may have the same dielectric constant as the first substrate 210 or may have a different dielectric constant.

제 3 패턴들(220)은 도체로서, 제 2 기판(212) 위에 예를 들어 규칙적으로 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 3 패턴(220)은 도 3에 도시된 바와 같이 'U'자 형상을 가질 수 있다. The third patterns 220 are conductors, for example, regularly formed on the second substrate 212. According to an embodiment of the present invention, the third pattern 220 may have a 'U' shape as shown in FIG. 3.

이러한 제 3 패턴들(220)은 제 1 패턴들(214)을 전기적으로 연결시킨다.These third patterns 220 electrically connect the first patterns 214.

제 4 패턴들(222)은 도체로서, 제 2 기판(212) 위에서 제 3 패턴들(220)에 대향하도록 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 4 패턴(222)은 도 3에 도시된 바와 같이 역'U'자 형상을 가질 수 있다. The fourth patterns 222 are conductors and are formed to face the third patterns 220 on the second substrate 212. According to an embodiment of the present invention, the fourth pattern 222 may have an inverted 'U' shape as shown in FIG. 3.

이러한 제 4 패턴들(222)은 제 2 패턴들(216)을 전기적으로 연결시킨다. The fourth patterns 222 electrically connect the second patterns 216.

다만, 제 3 패턴들(220)과 제 4 패턴들(222)이 각기 제 1 패턴들(214) 및 제 2 패턴들(216)을 전기적으로 연결시키는 한, 패턴들(220 및 222)의 구조는 도 3의 구조로 제한되지 않고 다양하게 변형될 수 있다. However, as long as the third patterns 220 and the fourth patterns 222 electrically connect the first patterns 214 and the second patterns 216, respectively, the structures of the patterns 220 and 222. 3 is not limited to the structure of FIG. 3 and may be variously modified.

이러한 구조를 가지는 서브 페이즈 쉬프터들(206 및 208)의 동작 과정을 살펴보면, 제 2 서브 페이즈 쉬프터(208)가 도 4에 도시된 바와 같이 제 1 서브 페이즈 쉬프터(206)로부터 소정 거리만큼 이격된 상태로 제 1 서브 페이즈 쉬프터(206) 위에 놓여지고, 위상 가변시 도 4에 도시된 바와 같이 예를 들어 선형적으로 움직인다. 물론, 제 2 서브 페이즈 쉬프터(208)가 고정된 상태로 제 1 서브 페이즈 쉬프터(206)가 움직이도록 구현될 수도 있다. 또한, 서브 페이즈 쉬프터(206 또는 208)가 위에서는 선형적으로 움직였으나, 비선형적으로, 예를 들어 곡선 라인을 따라서 움직일 수 있다. 물론, 이 경우에는 비선형적 움직임에 따라 서브 페이즈 쉬프터들(206 및 208)에 포함된 패턴들의 형상이 예를 들어 곡선 형태로 변형될 것이다. Referring to the operation of the sub phase shifters 206 and 208 having the above structure, the second sub phase shifter 208 is spaced apart from the first sub phase shifter 206 by a predetermined distance as shown in FIG. 4. Furnace is placed on the first sub phase shifter 206 and moves linearly, for example, as shown in FIG. Of course, the first sub phase shifter 206 may be implemented to move with the second sub phase shifter 208 fixed. In addition, although the sub phase shifter 206 or 208 has moved linearly from above, it can move non-linearly, for example along a curved line. Of course, in this case, the shapes of the patterns included in the sub phase shifters 206 and 208 will be changed into curved shapes, for example, according to the nonlinear movement.

도 2 내지 도 4를 다시 참조하면, 제 1 기판(210)의 일면, 바람직하게는 제 1 패턴들(214)이 형성된 면과 반대되는 면 위에는 접지부(218)가 형성된다. 2 to 4, the ground portion 218 is formed on one surface of the first substrate 210, preferably on the surface opposite to the surface on which the first patterns 214 are formed.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 접지부(218)의 일부에는 슬롯(Slot, 230)이 형성될 수 있다. 즉, 접지부(218)는 제 1 기판(212)의 전면에 형성되지 않고 일부가 제거된 상태로 제 1 기판(212) 위에 형성된다. According to one embodiment of the present invention, a slot (Slot, 230) may be formed in a part of the ground portion 218. That is, the ground portion 218 is not formed on the front surface of the first substrate 212 and is formed on the first substrate 212 with a portion removed.

이러한 슬롯(230a)은 접지부(218)의 중앙에서 외곽으로 형성되거나, 슬롯(230b)이 입력 패턴(300) 인근에 형성될 수 있다. The slot 230a may be formed at the center of the ground portion 218, or the slot 230b may be formed near the input pattern 300.

바람직하게는, 슬롯(230)은 접지부(218) 중 누설 손실이 발생될 수 있는 부 분에 형성된다. 예를 들어, 슬롯(230)은 도 4에 도시된 바와 같이 접지부(218) 중 신호선인 패턴들(214, 216, 220, 222, 300, 302 및 304)이 위치하는 부분에 해당하는 부분을 제외한 영역에 형성된다. 다른 예로, 슬롯(230)은 접지부(218)와 하우징 부재(204) 중 바닥면 사이에서 전기장들이 집중적으로 분포되어있는 부분(기설정된 값 이상을 가지는 부분)에 형성된다. Preferably, the slot 230 is formed in the portion of the ground portion 218 where leakage loss can occur. For example, as shown in FIG. 4, the slot 230 corresponds to a portion of the ground portion 218 corresponding to a portion where the patterns 214, 216, 220, 222, 300, 302, and 304 which are signal lines are located. It is formed in the excluded area. As another example, the slot 230 is formed in a portion of the ground portion 218 and the housing member 204 where the electric fields are intensively distributed (a portion having a predetermined value or more).

구체적으로는, 일반적으로 접지부(218)와 하우징 부재(204) 사이에 공정 오차 등으로 인하여 갭(air gap)이 존재하게 된다. 이 경우, 접지부(218)와 하우징 부재(204) 사이에 병렬 캐패시턴스가 발생되며, 그 결과 누설 전류로 인한 누설 손실이 발생한다. Specifically, an air gap generally exists between the ground portion 218 and the housing member 204 due to a process error or the like. In this case, parallel capacitance is generated between the ground portion 218 and the housing member 204, resulting in leakage loss due to leakage current.

슬롯이 없는 종래의 안테나에서는, 접지부와 하우징 부재 사이의 병렬 캐패시턴스 및 신호선인 패턴들로 인한 병렬 인덕턴스로 인하여 누설 손실에 해당하는 주파수 대역이 도 5(A)에 도시된 바와 같이 안테나를 사용하고자 하는 가용 주파수 대역 내에 존재하였다. 결과적으로, 사용자는 상기 가용 주파수를 원하는 대역에서 활용하지 못하는 경우가 발생하였다. In a conventional antenna without a slot, a frequency band corresponding to a leakage loss due to the parallel capacitance between the ground portion and the housing member and the parallel inductance due to the signal line patterns is intended to use the antenna as shown in Fig. 5A. Was within the available frequency band. As a result, a user may not utilize the available frequency in a desired band.

그러나, 본 발명의 안테나에서는, 접지부(218) 중 누설 손실이 발생될 수 있는 부분에 슬롯(230)이 형성되며, 그 결과 누설 손실에 해당하는 주파수 대역이 도 5(B)에 도시된 바와 같이 가용 주파수 대역 외의 대역으로 이동된다. 일반적으로는, 슬롯(230)으로 인하여 상기 병렬 캐패시턴스의 양이 작아지므로, 누설 손실에 해당하는 주파수 대역이 상기 가용 주파수 대역보다 높은 대역으로 이동된다. 따라서, 사용자는 상기 가용 주파수 대역 전체를 유용하게 활용할 수 있다. However, in the antenna of the present invention, the slot 230 is formed in the portion of the ground portion 218 where leakage loss may occur, and as a result, a frequency band corresponding to the leakage loss is shown in FIG. 5 (B). Likewise, it is moved to a band outside the available frequency band. In general, since the amount of the parallel capacitance decreases due to the slot 230, the frequency band corresponding to the leakage loss is shifted to a higher band than the available frequency band. Therefore, the user can utilize the entire available frequency band usefully.

요컨대, 본 실시예의 안테나는 'U'자 형상의 패턴들(214, 216, 220 및 222)을 이용하여 외부로부터 입력된 전력을 복사 소자들(310)로 전달한다. In other words, the antenna of the present embodiment transmits power input from the outside to the radiation elements 310 using the 'U' shaped patterns 214, 216, 220, and 222.

또한, 제 1 기판(210)의 하면에 형성된 접지부(218) 중의 일부에 슬롯(230)이 형성되어 누설 손실을 감소시키며, 즉 안테나(200)가 누설 손실에 덜 영향받게 된다. 여기서, 슬롯(230)은 패턴들(214, 216, 220, 222, 300, 302 및 304)이 위치하는 부분을 제외한 영역이나 접지부(218)와 하우징 부재(204) 중 바닥면 사이에서 전기장들이 집중적으로 분포되어있는 부분(기설정된 값 이상을 가지는 부분)에 형성될 수 있다. 다만, 접지부(218)에 형성되는 슬롯(230)의 수에는 특별한 제한이 없다. In addition, the slot 230 is formed in a part of the ground portion 218 formed on the lower surface of the first substrate 210 to reduce the leakage loss, that is, the antenna 200 is less affected by the leakage loss. Here, the slot 230 is a region except for the portion where the patterns 214, 216, 220, 222, 300, 302, and 304 are located, or electric fields are formed between the ground portion 218 and the bottom surface of the housing member 204. It may be formed in a centrally distributed part (part having a predetermined value or more). However, the number of slots 230 formed in the ground portion 218 is not particularly limited.

위에서는, 패턴들(214 및 216)을 2단 구조(병렬 배열된 수를 의미함)로 구현하였지만, 3단 이상의 구조로 구현할 수도 있다. 이 경우, 입력 패턴 및 분패 패턴들의 구조 또한 해당 단 구조에 맞도록 변형될 것이며, 하나의 분배 시스템을 구성하게 된다. In the above, the patterns 214 and 216 are implemented in a two-stage structure (meaning a parallel arrangement), but may be implemented in a three-stage or more structure. In this case, the structure of the input pattern and the distribution patterns will also be modified to fit the corresponding stage structure, and constitute one distribution system.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 누설 손실의 비교 그래프를 도시한 도면이다. 6 is a graph illustrating a comparison of leakage loss according to an embodiment of the present invention.

도 6(A)를 참조하면, 슬롯이 접지부에 형성되지 않은 페이즈 쉬프터를 사용하는 종래의 안테나에서는, 가용 주파수 대역 중 상당한 대역에서 상기 안테나의 누설 손실이 손실 기준치인 1.5㏈ 이상으로 측정되었다. Referring to Fig. 6A, in a conventional antenna using a phase shifter in which a slot is not formed in the ground portion, the leakage loss of the antenna is measured to a loss reference value of 1.5 dB or more in a significant band among available frequency bands.

반면에, 슬롯(230)이 접지부(218)에 형성된 페이즈 쉬프터(202)를 사용하는 본 발명의 안테나(200)에서는, 가용 주파수 전체에서 안테나(200)의 누설 손실이 손실 기준치인 1.5㏈ 이하로 측정되었다. On the other hand, in the antenna 200 of the present invention, in which the slot 230 uses the phase shifter 202 formed in the ground portion 218, the leakage loss of the antenna 200 at all available frequencies is 1.5 dB or less, which is a loss reference value. Was measured.

즉, 본 발명의 안테나(200)에서 가용 주파수 대역의 누설 손실이 종래의 안테나에서보다 상당히 작아졌음이 확인된다. That is, it is confirmed that the leakage loss of the available frequency band in the antenna 200 of the present invention is considerably smaller than in the conventional antenna.

이하, 도 2 내지 도 4에 도시된 안테나(200)에 포함된 페이즈 쉬프터(202)에서의 위상 가변 과정을 첨부된 도면들을 참조하여 상술하겠다. Hereinafter, the phase shifting process in the phase shifter 202 included in the antenna 200 shown in FIGS. 2 to 4 will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 피딩 시스템의 동작 구조를 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 7의 "A" 부분을 확대하여 도시한 도면이다. 다만, 설명의 편의를 위하여 제 1 기판(210) 위에 제 1 패턴들(214)만이 배열되는 것으로 도시하고, 제 2 기판(212) 위에 제 3 패턴들(220)만이 배열되는 것으로 도시하였다. FIG. 7 is a view illustrating an operation structure of a feeding system according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is an enlarged view of portion “A” of FIG. 7 according to an embodiment of the present invention. However, for convenience of description, only the first patterns 214 are illustrated on the first substrate 210, and only the third patterns 220 are illustrated on the second substrate 212.

도 4에 도시된 바와 같이 제 2 서브 페이즈 쉬프터(208)가 제 1 서브 페이즈 쉬프터(206) 위로 놓이면, 도 7 및 도 8(A)에 도시된 바와 같이 제 1 패턴들(214)과 제 3 패턴들(220)이 겹치게 된다. 상세하게는, 예를 들어 특정 제 3 패턴(220)의 좌측 패턴(220A)이 제 1 패턴(214C)의 우측 패턴과 겹쳐지고, 제 3 패턴(220)의 우측 패턴(220C)이 제 1 패턴(214D)의 좌측 패턴과 겹쳐진다. 결과적으로, 제 1 패턴(214C)이 제 3 패턴(220)을 통하여 제 1 패턴(214D)과 전기적으로 연결된다. 즉, 제 1 패턴들(214)은 해당 제 3 패턴들(220)을 통하여 상호 전기적으로 연결된다. When the second sub phase shifter 208 overlies the first sub phase shifter 206, as shown in FIG. 4, the first patterns 214 and the third as shown in FIGS. 7 and 8A. The patterns 220 overlap. Specifically, for example, the left pattern 220A of the specific third pattern 220 overlaps the right pattern of the first pattern 214C, and the right pattern 220C of the third pattern 220 is the first pattern. Overlap with the left pattern of 214D. As a result, the first pattern 214C is electrically connected to the first pattern 214D through the third pattern 220. That is, the first patterns 214 are electrically connected to each other through the corresponding third patterns 220.

전력 관점에서 살펴보면, 제 1 패턴(214C)으로 입력된 전력은 제 3 패턴(220)을 통하여 제 1 패턴(214D)으로 출력된다. In terms of power, the power input to the first pattern 214C is output to the first pattern 214D through the third pattern 220.

제 1 패턴들(214C 및 214D)의 측면 패턴(우측 패턴 또는 좌측 패턴)의 길이 를 lm1이라 하고 제 3 패턴(220)의 측면 패턴(우측 패턴 또는 좌측 패턴)의 길이를 lm2라 하면, 제 1 패턴(214C 또는 214D)과 제 3 패턴(220)은 최대 lm1 또는 lm2 만큼 ( lm1 과 lm2 중 작은값) 겹칠 수 있다. 일반적으로는, 제 1 패턴(214C 또는 214D)과 제 3 패턴(228)은 도 8에 도시된 바와 같이 일부만이 겹친다. If the length of the side pattern (right pattern or left pattern) of the first patterns 214C and 214D is l m1 and the length of the side pattern (right pattern or left pattern) of the third pattern 220 is l m2 , The first pattern 214C or 214D and the third pattern 220 may have a maximum of l m1 or l m2 ( l m1 and l m2, whichever is smaller. Generally, only a portion of the first pattern 214C or 214D and the third pattern 228 overlap, as shown in FIG. 8.

제 1 패턴(214C 또는 214D) 중 겹치지 않은 패턴의 길이를 ls라 하고 lm1 과 lm2 가 동일한 길이를 가진다고 가정하면, 0≤ls≪lm1이다. When the first pattern (214C or 214D) the length of the non-overlapping patterns la and l s a l m1 l m2 and said to have the same length of the home, a 0≤l s «l m1.

위에서 설명한 바와 같이 제 2 서브 페이즈 쉬프터(208)가 제 1 서브 페이즈 쉬프터(206) 위에서 움직이므로, 제 1 패턴(214C 또는 214D)과 제 3 패턴(220)이 겹치는 영역의 크기가 가변된다. 결과적으로, 상기 움직임에 따라 ls및 전기적 길이(L)가 변화된다. 따라서, 제 1 패턴(214D)으로 출력되는 전력(RF 신호)의 위상(

Figure 112009072259255-PAT00001
)은 아래의 수학식 1과 같이 ls의 변화, 즉 전기적 길이(L)의 변화에 따라 가변된다. As described above, since the second sub phase shifter 208 moves on the first sub phase shifter 206, the size of the region where the first pattern 214C or 214D and the third pattern 220 overlap is variable. As a result, l s and the electrical length L change according to the movement. Therefore, the phase of the power (RF signal) output in the first pattern 214D (
Figure 112009072259255-PAT00001
) Is varied according to the change of l s , that is, the change of the electrical length L, as shown in Equation 1 below.

Figure 112009072259255-PAT00002
, λg는 상기 RF 신호의 파장이다.
Figure 112009072259255-PAT00002
, Λ g is the wavelength of the RF signal.

위 수학식 1을 참조하면, 위상(

Figure 112009072259255-PAT00003
)은 ls의 길이 변화에 비례하여 변화됨이 확인된다. 여기서, 전기적 길이(L)는 ls에 비례하여 변화된다. Referring to Equation 1 above, the phase (
Figure 112009072259255-PAT00003
Is changed in proportion to the change in length of l s . Here, the electrical length L is changed in proportion to l s .

도 7(A)는 도 4의 패턴들 중 하나의 겹쳐진 패턴만을 고려하였으나, 실제적으로는 2단 구조의 n 포트 페이즈 쉬프터인 경우 각 단마다 (n-1)/2개의 겹쳐진 패턴이 존재한다. 이 경우, 모든 겹쳐진 패턴들의 전기적 길이(lT)는 아래의 수학식 2와 같다. In FIG. 7A, only one overlapping pattern of the patterns of FIG. 4 is considered, but in the case of the n-port phase shifter having a two-stage structure, (n-1) / 2 overlapping patterns exist in each step. In this case, the electrical length l T of all the overlapped patterns is expressed by Equation 2 below.

Figure 112009072259255-PAT00004
Figure 112009072259255-PAT00004

Figure 112009072259255-PAT00005
Figure 112009072259255-PAT00005

여기서, λg,max는 상기 페이즈 쉬프터의 대역폭에서 가장 큰 파장을 의미하고, λg,min은 상기 대역폭에서 가장 작은 파장을 의미하며, εr은 제 1 기판(210)의 유전상수이다. Here, λ g, max means the largest wavelength in the bandwidth of the phase shifter, λ g, min means the smallest wavelength in the bandwidth, ε r is the dielectric constant of the first substrate 210.

수학식 2를 참조하면, 모든 겹쳐진 패턴들의 전기적 길이(lT)는 포트들의 수 및 대역폭 범위에 따른 파장에 따라 가변됨이 확인된다. Referring to Equation 2, it is confirmed that the electrical length l T of all the overlapping patterns is varied depending on the number of ports and the wavelength according to the bandwidth range.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 페이즈 쉬프터의 위상 조정 과정을 도시한 도면이다. 9 is a diagram illustrating a phase adjustment process of a phase shifter according to an embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 제 1 유전체 기판(210) 위에는 예를 들어 n(2이상의 정수) 개의 제 1 패턴들(214) 및 제 2 패턴들(216)이 형성되며, 패턴들(214 및 216)은 n개의 복사 소자들(232)에 전기적으로 연결된다. 9, for example, n (an integer of 2 or more) first patterns 214 and second patterns 216 are formed on the first dielectric substrate 210, and the patterns 214 and 216 are formed. Is electrically connected to the n radiation elements 232.

패턴들(214 및 216)과 해당 제 3 및 4 패턴들(220 및 222)의 겹치는 영역들이 제 2 서브 페이즈 쉬프터(208)의 움직임에 따라 모두 일정하게 변화된다고 가정하면, 입력단(제 1 패턴들 중 전단부, 214-1)으로 입력된 전력 중 일부는 위상 변화없이 해당 제 5 패턴(306-1)을 통하여 제 1 복사 소자(310-1)로 전송되고, 나머지 전력은 다음 제 1 패턴(214-2)으로 제공된다. 이 경우, 제 1 패턴(214-2)으로 제공된 전력 중 일부는 패턴들(214 및 220)의 겹치는 영역의 변화(2△l)로 인하여

Figure 112009072259255-PAT00006
만큼 변화된 위상을 가지고 해당 제 5 패턴(306-2)을 통하여 제 2 복사 소자(310-2)로 전송되고, 나머지 전력은 다음 제 1 패턴(214-3)으로 제공된다. 물론, 제 1 패턴(214-3)으로 제공된 전력 중 일부는 패턴들(214 및 220)의 겹치는 영역의 변화(누적된 영역의 변화이므로 4△l)로 인하여
Figure 112009072259255-PAT00007
만큼 변화된 위상을 가지고 해당 제 5 패턴(306-3)을 통하여 제 2 복사 소자(310-3)로 전송되고, 나머지 전력은 다음 제 1 패턴(214-4)으로 제공된다.Assuming that the overlapping regions of the patterns 214 and 216 and the corresponding third and fourth patterns 220 and 222 are all constantly changed according to the movement of the second sub phase shifter 208, the input stage (first patterns) Some of the power input to the front end portion 214-1 is transmitted to the first radiation element 310-1 through the fifth pattern 306-1 without changing the phase, and the remaining power is transmitted to the next first pattern ( 214-2). In this case, some of the power provided to the first pattern 214-2 is due to the change 2Δl of the overlapping area of the patterns 214 and 220.
Figure 112009072259255-PAT00006
The phase shifted by a second is transmitted to the second radiation element 310-2 through the fifth pattern 306-2, and the remaining power is provided to the next first pattern 214-3. Of course, some of the power provided to the first pattern 214-3 is due to a change in the overlapping area of the patterns 214 and 220 (4Δl since it is a change in the accumulated area).
Figure 112009072259255-PAT00007
The phase shifted by a second is transmitted to the second radiation element 310-3 through the fifth pattern 306-3, and the remaining power is provided to the next first pattern 214-4.

또한, 제 2 패턴들(216)과 제 4 패턴들(222)의 겹치는 영역의 변화로 인한 위상 변화도 유사하게 변화되도록 제어된다. In addition, the phase change due to the change in the overlapping area of the second patterns 216 and the fourth patterns 222 is also controlled to change similarly.

다만, 도 9에 도시된 바와 같이

Figure 112009072259255-PAT00008
,
Figure 112009072259255-PAT00009
,‥‥,
Figure 112009072259255-PAT00010
만큼 순차적으로 변화된 위상을 가지는 RF 신호들이 해당 복사 소자들(310)로 입력되도록 패턴 들(214, 216, 220 및 222)이 구현되며, 그 결과 도 9에 도시된 바와 같이 θ만큼 빔의 경사각이 조정될 수 있다. However, as shown in FIG.
Figure 112009072259255-PAT00008
,
Figure 112009072259255-PAT00009
, ‥‥,
Figure 112009072259255-PAT00010
The patterns 214, 216, 220, and 222 are implemented such that RF signals having a phase changed in sequence are input to the corresponding radiation elements 310. As a result, as shown in FIG. 9, the inclination angle of the beam is increased by θ. Can be adjusted.

요컨대, 본 실시예의 페이즈 쉬프터(202)는 제 1 패턴들(214)과 제 3 패턴들(220) 사이의 겹치는 부분들의 전기적 길이 및 제 2 패턴들(216)과 제 4 패턴들(222) 사이의 겹치는 부분들의 전기적 길이를 제어하여 원하는 경사각을 구현한다. In other words, the phase shifter 202 of the present embodiment has an electrical length of overlapping portions between the first patterns 214 and the third patterns 220 and between the second patterns 216 and the fourth patterns 222. By controlling the electrical length of the overlapping parts of the to achieve the desired inclination angle.

도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 안테나에 사용되는 페이즈 쉬프터를 도시한 도면이고, 도 11은 도 10의 페이즈 쉬프터를 이용한 위상 조정 과정을 도시한 도면이다. FIG. 10 is a diagram illustrating a phase shifter used in an antenna according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a diagram illustrating a phase adjustment process using the phase shifter of FIG. 10.

도 10을 참조하면, 본 실시예의 페이즈 쉬프터는 제 1 서브 페이즈 쉬프터(1000) 및 제 2 서브 페이즈 쉬프터(1002)를 포함한다. Referring to FIG. 10, the phase shifter of the present embodiment includes a first sub phase shifter 1000 and a second sub phase shifter 1002.

제 1 서브 페이즈 쉬프터(1000)는 제 1 기판(1010), 제 1 패턴들(1020), 제 3 패턴들(1024) 및 접지부(미도시)를 포함한다. The first sub phase shifter 1000 may include a first substrate 1010, first patterns 1020, third patterns 1024, and a ground portion (not shown).

제 2 서브 페이즈 쉬프터(1002)는 제 2 기판(1012) 및 제 2 패턴들(1022)을 포함한다. The second sub phase shifter 1002 includes a second substrate 1012 and second patterns 1022.

즉, 2단 이상 구조로 구현되었던 제 1 실시예에서와 달리, 본 실시예의 페이즈 쉬프터는 1단 구조로 구현된다. 물론, 제 2 기판(1012)은 도 11에 도시된 바와 같이 제 1 기판(1010) 위에 위치된 상태로 하여 움직이며, 도시하지는 않았지만 제 1 기판(1010)의 하부에 형성된 접지부에는 적어도 하나의 슬롯이 형성된다. 여기서, 상기 슬롯은 상기 접지부 중 패턴들(1020, 1022 및 1024)이 존재하는 위치에 해당하는 부분 외의 영역에 형성되거나 기준치 이상으로 전기장들이 분포된 부분에 형성될 수 있다. That is, unlike the first embodiment, which is implemented in a two-stage or more structure, the phase shifter of the present embodiment is implemented in a one-stage structure. Of course, the second substrate 1012 moves as it is positioned on the first substrate 1010 as shown in FIG. 11, and although not shown, at least one ground portion formed under the first substrate 1010. Slots are formed. Here, the slot may be formed in a region other than a portion corresponding to a position where the patterns 1020, 1022, and 1024 exist among the ground portions or in a portion in which electric fields are distributed above a reference value.

도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 안테나에 포함된 페이즈 쉬프터를 도시한 도면이고, 도 13은 도 12의 페이즈 쉬프터의 동작 구조를 도시한 도면이다. 12 is a diagram illustrating a phase shifter included in an antenna according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a diagram illustrating an operation structure of the phase shifter of FIG. 12.

도 12를 참조하면, 상기 페이즈 쉬프터는 제 1 서브 페이즈 쉬프터(1200) 및 제 2 서브 페이즈 쉬프터(1202)를 포함한다. Referring to FIG. 12, the phase shifter includes a first sub phase shifter 1200 and a second sub phase shifter 1202.

제 1 서브 페이즈 쉬프터(1200)는 제 1 기판(1210), 적어도 하나의 제 1 패턴(1214), 제 3 패턴(1218) 및 적어도 하나의 제 4 패턴(1220)을 포함한다. The first sub phase shifter 1200 includes a first substrate 1210, at least one first pattern 1214, a third pattern 1218, and at least one fourth pattern 1220.

제 2 서브 페이즈 쉬프터(1202)는 제 2 기판(1212) 및 적어도 하나의 제 2 패턴(1216)을 포함한다. The second sub phase shifter 1202 includes a second substrate 1212 and at least one second pattern 1216.

도 12에는 도시하지 않았지만, 제 1 기판(1210)의 하부면에는 접지부가 형성되고, 상기 접지부의 일부에는 슬롯이 형성된다. Although not shown in FIG. 12, a ground portion is formed on a lower surface of the first substrate 1210, and a slot is formed in a portion of the ground portion.

제 1 패턴(1214)은 도체이며, 도 12에 도시된 바와 같이 슬로우 웨이브 구조(Slow wave structure)로 구현된다. 구체적으로는, 제 1 패턴(1214)은 베이스 패턴(1230) 및 베이스 패턴(1230)으로부터 돌출된 적어도 하나의 돌출부(1232)로 이루어지며, 바람직하게는 복수의 돌출부들(1232)이 형성된다. The first pattern 1214 is a conductor and is implemented in a slow wave structure as shown in FIG. 12. Specifically, the first pattern 1214 includes a base pattern 1230 and at least one protrusion 1232 protruding from the base pattern 1230, and a plurality of protrusions 1232 are formed.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 패턴들(1214a 내지 1214n) 중 일부는 다른 제 1 패턴들과 다른 전기적 길이를 가질 수 있다. 이러한 전기적 길이 차이를 구현하기 위한 일 방법으로, 제 1 패턴들(1214a 내지 1214n) 중 일부의 돌출부들(1232)의 수를 다른 제 1 패턴들(1214a 내지 1214n)의 돌출부들(1232)의 수와 다 르게 설정한다. 결과적으로, 제 1 패턴들(1214a 내지 1214n)을 통하여 복사 소자들(1222)로 급전되는 RF 신호들의 위상들의 일부가 다르게 구현될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술하겠다. According to an embodiment of the present invention, some of the first patterns 1214a to 1214n may have different electrical lengths from other first patterns. In order to implement such an electrical length difference, the number of protrusions 1232 of some of the first patterns 1214a to 1214n may be equal to the number of protrusions 1232 of the other first patterns 1214a to 1214n. Set differently from. As a result, some of the phases of the RF signals fed to the radiation elements 1222 through the first patterns 1214a to 1214n may be implemented differently. Detailed description thereof will be described later.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제 1 패턴(1214)에 형성된 돌출부들(1232)에서, 상부에 형성된 돌출부들(1232)의 수가 하부에 형성된 돌출부들(1232)의 수와 다를 수도 있다. According to another embodiment of the present invention, in the protrusions 1232 formed in the first pattern 1214, the number of protrusions 1232 formed in the upper part may be different from the number of the protrusions 1232 formed in the lower part.

돌출부들(1232)의 형상을 살펴보면, 도 12에서는 돌출부들(1232)이 각기 사각형 형상을 가지는 것으로 도시하였으나 돌출부들(1232)은 삼각형 형상, 곡선 형상 등 다양한 형태를 가질 수 있다. Referring to the shapes of the protrusions 1232, the protrusions 1232 are illustrated as having a rectangular shape in FIG. 12, but the protrusions 1232 may have various shapes such as a triangular shape and a curved shape.

제 3 패턴(1218)은 제 1 기판(1200) 위에서 예를 들어 직선 라인 형태로 구현되며, 예를 들어 제 1 패턴들(1220)을 모두 커버할 수 있는 길이를 가지고 구현된다. The third pattern 1218 may be implemented in the form of a straight line on the first substrate 1200, for example, and may have a length that may cover all of the first patterns 1220.

이러한 제 3 패턴(218)은 입력단으로서 역할을 수행한다. 즉, 제 3 패턴(1218)의 일 종단, 도 12에서는 좌측 종단으로 전력(RF 신호)이 입력되며, 입력된 전력은 후술하는 바와 같이 제 2 패턴(1216)을 통하여 제 1 패턴들(1214)로 전달된다.The third pattern 218 serves as an input terminal. That is, power (RF signal) is input to one end of the third pattern 1218, and the left end of FIG. 12, and the input power is first patterns 1214 through the second pattern 1216 as described below. Is passed to.

제 4 패턴(1220)은 도체이며, 제 1 패턴(1214)과 출력단 소자, 예를 들어 복사 소자(1222)를 전기적으로 연결시킨다. 결과적으로, 제 3 패턴(1218)으로 입력된 전력은 제 2 패턴(1216), 제 1 패턴(1214) 및 제 4 패턴(1220)을 통하여 복사 소자(1222)로 전달된다. 결과적으로, 복사 소자(1222)로부터 특정 방사 패턴이 출력 된다. The fourth pattern 1220 is a conductor, and electrically connects the first pattern 1214 and the output terminal element, for example, the radiation element 1222. As a result, the power input to the third pattern 1218 is transferred to the radiation element 1222 through the second pattern 1216, the first pattern 1214, and the fourth pattern 1220. As a result, a specific radiation pattern is output from the radiation element 1222.

도 12에서는, 제 4 패턴들(1220)이 모두 동일한 모양 및 사이즈(폭 및 길이)를 가지는 것으로 도시하였으나, 사용자의 목적, 예를 들어 전력 분배 방법에 따라 제 4 패턴들(1220) 중 일부의 모양 또는 사이즈가 다른 제 4 패턴들(1220)과 다를 수 있다. 결과적으로, 제 4 패턴들(1220) 중 일부의 임피던스가 다른 제 4 패턴들(1220)과 다를 수 있다. In FIG. 12, all of the fourth patterns 1220 have the same shape and size (width and length), but according to a user's purpose, for example, a power distribution method, some of the fourth patterns 1220 may be used. The shape or size may be different from other fourth patterns 1220. As a result, the impedance of some of the fourth patterns 1220 may be different from the other fourth patterns 1220.

제 2 패턴들(1216)은 도체로서, 제 2 기판(1212) 위에 예를 들어 규칙적으로 배열되며, 제 1 패턴들(1214)에 대응하는 수를 가진다. The second patterns 1216 are conductors, for example arranged regularly on the second substrate 1212, and have a number corresponding to the first patterns 1214.

이러한 제 2 패턴들(1216)은 도 13에 도시된 바와 같이 제 3 패턴(1218)과 제 1 패턴들(1214)을 전기적으로 연결시키는 역할을 수행한다. As shown in FIG. 13, the second patterns 1216 electrically connect the third pattern 1218 and the first patterns 1214.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 2 패턴(1216)은 제 1 패턴(1214)과 제 3 패턴(1218)을 커플링 방식을 통하여 연결시키며, 도 12에 도시된 바와 같이 역'ㄷ'자 형상을 가질 수 있다. 물론, 제 2 패턴(1216)이 제 1 패턴(1214)과 제 3 패턴(1218)을 전기적으로 연결시킬 수 있는 한, 제 2 패턴(1216)의 모양은 특별한 제한되지 않는다. According to an embodiment of the present invention, the second pattern 1216 connects the first pattern 1214 and the third pattern 1218 through a coupling method, and as shown in FIG. It may have a shape. Of course, as long as the second pattern 1216 can electrically connect the first pattern 1214 and the third pattern 1218, the shape of the second pattern 1216 is not particularly limited.

이러한 구조의 페이즈 쉬프터에서, 복사 소자들(1222)로부터 출력되는 방사 패턴의 방향, 즉 경사각을 변화시키고자 하는 경우 복사 소자들(1222)로 제공되는 RF 신호들의 위상이 가변되어야 한다. 이것은 제 1 기판(1210)을 고정시킨 상태로 제 2 기판(1212)을 도 13에 도시된 바와 같이 제 1 기판(1210) 위에서 좌우 방향(가로 방향)으로 움직이도록 제어함에 의해 구현될 수 있다. 물론, 제 2 기 판(1212)을 고정시킨 상태에서 제 1 기판(210)이 좌우 방향으로 움직이도록 제어할 수도 있다. In the phase shifter having such a structure, the phase of the RF signals provided to the radiation elements 1222 should be changed when the direction, that is, the inclination angle, of the radiation pattern output from the radiation elements 1222 is changed. This may be implemented by controlling the second substrate 1212 to move in the horizontal direction (horizontal direction) on the first substrate 1210 as shown in FIG. 13 while the first substrate 1210 is fixed. Of course, the first substrate 210 may be controlled to move in the left and right directions while the second substrate 1212 is fixed.

이하, 상기 피딩 시스템에서 위상 가변 과정을 첨부된 도면들을 참조하여 상술하겠다. Hereinafter, a phase shifting process in the feeding system will be described with reference to the accompanying drawings.

도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 피딩 시스템의 동작 구조를 도시한 도면이다. 14 is a view showing an operation structure of a feeding system according to an embodiment of the present invention.

제 2 서브 페이즈 쉬프터(1202)가 제 1 서브 페이즈 쉬프터(1200) 위로 놓이면, 도 14에 도시된 바와 같이 제 2 패턴(1216)의 일부분이 해당 제 1 패턴(1214)과 겹쳐지고 제 2 패턴(1216)의 다른 일부분이 제 3 패턴(1218)과 겹쳐지게 된다. 결과적으로, 제 1 패턴들(1214)과 제 3 패턴(1218)이 제 2 패턴들(1216)을 통하여 전기적으로 연결된다. When the second sub phase shifter 1202 rests on the first sub phase shifter 1200, a portion of the second pattern 1216 overlaps the first pattern 1214 and the second pattern (as shown in FIG. 14). Another portion of 1216 overlaps third pattern 1218. As a result, the first patterns 1214 and the third pattern 1218 are electrically connected through the second patterns 1216.

이러한 상태에서, 도 14에 도시된 바와 같이 제 2 서브 페이즈 쉬프터(1202)가 예를들어 우측 방향으로 이동하면, 제 1 패턴(1214)과 제 2 패턴(1216)의 겹치는 부분과 제 3 패턴(1218)과 제 2 패턴(1216)의 겹치는 부분이 변화된다. 예를 들어, 제 2 패턴(1216)의 종단 부분이 a지점에서 c지점으로, b지점에서 d지점으로 변화되었다고 가정하면, 제 1 패턴들(1214)과 해당 제 2 패턴들(1216) 사이에서의 전기적 길이는 △l1, △l2, △l3,‥‥△ln만큼 각기 변화되고, 제 3 패턴(1218)과 해당 제 2 패턴들(1216) 사이에서의 전기적 길이는 모두 △L만큼 변화된다. 따라서, 제 4 패턴(1220)으로 출력되는 전력(RF 신호)의 위상(

Figure 112009072259255-PAT00011
)은 위 수학식 1에서 설명 한 바와 같이 가변된다. In this state, as shown in FIG. 14, when the second sub phase shifter 1202 moves to the right direction, for example, the overlapping portions of the first pattern 1214 and the second pattern 1216 and the third pattern ( The overlapping portion of 1218 and the second pattern 1216 is changed. For example, assuming that an end portion of the second pattern 1216 is changed from point a to point c, and point b to point d, between the first patterns 1214 and the corresponding second patterns 1216. The electrical lengths of Δl 1, Δl 2, Δl 3,... Δln are respectively varied, and the electrical lengths between the third pattern 1218 and the corresponding second patterns 1216 are all changed by ΔL. Therefore, the phase of the power (RF signal) output in the fourth pattern 1220 (
Figure 112009072259255-PAT00011
) Is variable as described in Equation 1 above.

도 15는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 페이즈 쉬프터를 사용하는 안테나를 도시한 도면이다. 15 is a diagram illustrating an antenna using a phase shifter according to a fourth embodiment of the present invention.

도 15를 참조하면, 본 실시예의 페이즈 쉬프터는 제 1 서브 페이즈 쉬프터(1500) 및 제 2 서브 페이즈 쉬프터(1502)를 포함한다. Referring to FIG. 15, the phase shifter of the present embodiment includes a first sub phase shifter 1500 and a second sub phase shifter 1502.

제 1 서브 페이즈 쉬프터(1500)는 제 1 기판(1510), 적어도 하나의 제 1 패턴(1514), 제 3 패턴(1518) 및 적어도 하나의 제 4 패턴(1520)을 포함한다. The first sub phase shifter 1500 includes a first substrate 1510, at least one first pattern 1514, a third pattern 1518, and at least one fourth pattern 1520.

제 2 서브 페이즈 쉬프터(1502)는 제 2 기판(1512) 및 적어도 하나의 제 2 패턴(1516)을 포함한다. The second sub phase shifter 1502 includes a second substrate 1512 and at least one second pattern 1516.

제 1 패턴들(1514) 및 제 2 패턴들(1516)을 제외한 나머지 구성요소들은 제 3 실시예에서와 동일하므로, 이하 동일한 구성요소들에 대한 자세한 설명은 생략한다. Since the remaining components except for the first patterns 1514 and the second patterns 1516 are the same as in the third embodiment, detailed descriptions of the same components will be omitted.

제 1 패턴(1514)은 직선 라인 형태로 이루어지며, 즉 슬로우 웨이브 구조로 구현되었던 제 3 실시예에서와 달리 본 실시예의 제 1 패턴(1514)에는 슬로우 웨이브 구조가 구현되지 않는다. The first pattern 1514 has a straight line shape, that is, the slow wave structure is not implemented in the first pattern 1514 of the present embodiment, unlike in the third embodiment, which was implemented in the slow wave structure.

제 2 패턴(1516)은 역'ㄷ'자 형상을 가지며, 일부는 해당 제 1 패턴(1514)과 전기적으로 연결되고 다른 일부는 제 3 패턴(1518)과 전기적으로 연결된다. 다만, 제 3 실시예에서 달리 본 실시예의 제 2 패턴(1516)에는 도 15에 도시된 바와 같이 슬로우 웨이브 구조(1530)가 구현된다. 즉, 제 2 패턴(1516)의 일부분에는 도 15에 도시된 바와 같이 슬로우 웨이브 구조(1530)를 위한 적어도 하나의 돌출부들이 형 성된다. The second pattern 1516 has an inverted 'C' shape, a part of which is electrically connected to the first pattern 1514, and the other part of which is electrically connected to the third pattern 1518. However, unlike the third embodiment, as shown in FIG. 15, the slow wave structure 1530 is implemented in the second pattern 1516 of the present embodiment. That is, at least one protrusion for the slow wave structure 1530 is formed in a portion of the second pattern 1516.

도 2 내지 도 15를 참조하여 요약하면, 제 1 기판의 하부면에는 접지부가 형성되고, 상기 접지부에는 적어도 하나의 슬롯이 형성되어 누설 손실을 감소시킨다. 2 to 15, the ground portion is formed on the bottom surface of the first substrate, and at least one slot is formed on the ground portion to reduce the leakage loss.

상기한 본 발명의 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. The embodiments of the present invention described above are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art having ordinary knowledge of the present invention may make various modifications, changes, and additions within the spirit and scope of the present invention. Should be considered to be within the scope of the following claims.

도 1은 일반적인 안테나의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a view schematically showing a structure of a general antenna.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 안테나를 개략적으로 도시한 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of an antenna according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 페이즈 쉬프터를 도시한 도면이다. 3 is a diagram illustrating a phase shifter of FIG. 2.

도 4는 도 2의 페이즈 쉬프터의 동작 구조를 도시한 도면이다.4 is a diagram illustrating an operation structure of the phase shifter of FIG. 2.

도 5는 접지부 구조에 따른 누설 손실을 비교한 그래프를 도시한 도면이다.5 is a diagram illustrating a graph comparing leakage loss according to a grounding structure.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 누설 손실의 비교 그래프를 도시한 도면이다. 6 is a graph illustrating a comparison of leakage loss according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 피딩 시스템의 동작 구조를 도시한 도면이다.7 is a view illustrating an operation structure of a feeding system according to an embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 7의 "A" 부분을 확대하여 도시한 도면이다.FIG. 8 is an enlarged view of a portion “A” of FIG. 7 according to an embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 페이즈 쉬프터의 위상 조정 과정을 도시한 도면이다. 9 is a diagram illustrating a phase adjustment process of a phase shifter according to an embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 안테나에 사용되는 페이즈 쉬프터를 도시한 도면이다.10 illustrates a phase shifter used in an antenna according to a second embodiment of the present invention.

도 11은 도 10의 페이즈 쉬프터를 이용한 위상 조정 과정을 도시한 도면이다. FIG. 11 is a diagram illustrating a phase adjustment process using the phase shifter of FIG. 10.

도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 안테나에 포함된 페이즈 쉬프터를 도 시한 도면이다.12 illustrates a phase shifter included in an antenna according to a third embodiment of the present invention.

도 13은 도 12의 페이즈 쉬프터의 동작 구조를 도시한 도면이다. FIG. 13 is a diagram illustrating an operation structure of the phase shifter of FIG. 12.

도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 피딩 시스템의 동작 구조를 도시한 도면이다. 14 is a view showing an operation structure of a feeding system according to an embodiment of the present invention.

도 15는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 페이즈 쉬프터를 사용하는 안테나를 도시한 도면이다. 15 is a diagram illustrating an antenna using a phase shifter according to a fourth embodiment of the present invention.

Claims (16)

페이즈 쉬프터; 및Phase shifter; And 상기 페이즈 쉬프터를 하우징하는 하우징 부재를 포함하고,A housing member housing the phase shifter, 상기 페이즈 쉬프터는,The phase shifter, 제 1 기판;A first substrate; 도체이며, 상기 제 1 기판 중 제 1 면 위에 배열된 적어도 하나의 제 1 패턴; 및At least one first pattern, the conductor being arranged on a first surface of the first substrate; And 상기 제 1 기판 중 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면에 배열된 접지부를 포함하되,A ground portion arranged on a second surface of the first substrate opposite to the first surface, 상기 접지부는 상기 하우징 부재의 일부분과 마주보며, 상기 접지부의 일부분에 슬롯이 형성되는 것을 특징으로 하는 안테나. And the ground portion facing a portion of the housing member, wherein a slot is formed in a portion of the ground portion. 제 1 항에 있어서, 상기 슬롯은 상기 접지부 중 상기 제 1 패턴이 위치하는 영역에 해당하는 부분을 제외한 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 안테나. The antenna of claim 1, wherein the slot is formed in an area excluding a part corresponding to an area in which the first pattern is located among the ground parts. 제 1 항에 있어서, 상기 슬롯은 상기 접지부 중 기설정치 이상의 전기장을 가지는 부분(상기 접지부와 상기 하우징 부재 사이의 전기장들 중 기설정치 이상으로 전기장들이 분포된 부분)에 형성되는 것을 특징으로 하는 안테나. The method of claim 1, wherein the slot is formed in a portion having an electric field equal to or greater than a predetermined value among the ground portions (a portion in which electric fields are distributed above the predetermined value among electric fields between the ground portion and the housing member). antenna. 제 1 항에 있어서, 상기 접지부와 상기 하우징 부재 사이의 커플링에 의해 발생되는 주파수는 상기 안테나의 가용 주파수 대역 외의 대역에 존재하는 것을 특징으로 하는 안테나. 2. The antenna of claim 1, wherein the frequency generated by the coupling between the ground portion and the housing member is in a band other than the available frequency band of the antenna. 제 4 항에 있어서, 상기 주파수는 상기 가용 주파수 대역보다 높은 주파수 대역에 존재하는 것을 특징으로 하는 안테나. 5. The antenna of claim 4 wherein said frequency is in a higher frequency band than said available frequency band. 제 1 항에 있어서, 상기 페이즈 쉬프터는,The method of claim 1, wherein the phase shifter, 상기 제 1 기판으로부터 소정 거리만큼 이격되어 배열되는 제 2 기판; 및A second substrate spaced apart from the first substrate by a predetermined distance; And 상기 제 2 기판 위에 배열된 제 2 패턴들을 더 포함하되,Further comprising second patterns arranged on the second substrate, 상기 제 1 패턴들과 상기 제 2 패턴들은 상호 마주보고, 위상 가변시 상기 제 2 기판이 움직이며, 상기 제 2 패턴들은 상기 제 1 패턴들을 상호 전기적으로 연결시키고, 상기 제 1 패턴들은 역'U'자 형상을 가지며, 상기 제 2 패턴들은 'U'자 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 안테나. The first patterns and the second patterns face each other, and when the phase is changed, the second substrate moves, the second patterns electrically connect the first patterns to each other, and the first patterns are inversely 'U'. And a 'U' shape, wherein the second patterns have a 'U' shape. 제 1 항에 있어서, 상기 페이즈 쉬프터는, The method of claim 1, wherein the phase shifter, 상기 제 1 기판 위에 배열되며, 상기 제 1 패턴들과 병렬로 연결된 제 2 패턴들;Second patterns arranged on the first substrate and connected in parallel with the first patterns; 상기 제 1 기판과 이격되어 배열된 제 2 기판;A second substrate spaced apart from the first substrate; 상기 제 2 기판 위에 배열되며, 상기 제 1 패턴들에 대응하여 배열되는 적어 도 하나의 제 3 패턴; At least one third pattern arranged on the second substrate and arranged corresponding to the first patterns; 상기 제 2 기판 위에 배열되며, 상기 제 2 패턴들에 대응하여 배열되는 적어도 하나의 제 4 패턴;At least one fourth pattern arranged on the second substrate and arranged to correspond to the second patterns; 상기 제 1 기판 위에 배열된 입력 패턴; An input pattern arranged on the first substrate; 상기 입력 패턴으로부터 분기되며, 상기 제 1 패턴들 중 하나와 전기적으로 연결되는 제 1 분배 패턴; 및A first distribution pattern branched from the input pattern and electrically connected to one of the first patterns; And 상기 입력 패턴으로부터 분기되며, 상기 제 2 패턴들 중 하나와 전기적으로 연결되는 제 2 분배 패턴을 더 포함하되,A second distribution pattern branched from the input pattern and electrically connected to one of the second patterns, 상기 제 3 패턴은 해당 제 1 패턴들을 상호 전기적으로 연결시키고, 상기 제 4 패턴은 해당 제 2 패턴들을 전기적으로 연결시키며, 위상 가변시 상기 제 2 기판이 움직이고, 상기 제 1 패턴들은 역'U'자 형상을 가지며, 상기 제 2 패턴들은 'U'자 형상을 가지고, 상기 제 3 패턴은 해당 제 1 패턴들 중 하나의 우측 패턴과 이웃하는 제 1 패턴의 좌측 패턴을 전기적으로 연결시키며, 상기 제 4 패턴은 해당 제 2 패턴들 중 하나의 우측 패턴과 이웃하는 제 2 패턴의 좌측 패턴을 전기적으로 연결시키는 것을 특징으로 하는 안테나. The third pattern electrically connects the first patterns to each other, the fourth pattern electrically connects the second patterns, and when the phase is changed, the second substrate is moved, and the first patterns are inversely 'U'. The second pattern may have a 'U' shape, and the third pattern electrically connects a right side pattern of one of the first patterns with a left side pattern of a neighboring first pattern. The 4 pattern is an antenna, characterized in that for electrically connecting the right pattern of one of the second pattern and the left pattern of the neighboring second pattern. 페이즈 쉬프터; 및Phase shifter; And 상기 페이즈 쉬프터를 하우징하는 하우징 부재를 포함하고,A housing member housing the phase shifter, 상기 페이즈 쉬프터는,The phase shifter, 제 1 기판;A first substrate; 도체이며, 상기 제 1 기판 중 제 1 면 위에 배열된 적어도 하나의 제 1 패턴; 및At least one first pattern, the conductor being arranged on a first surface of the first substrate; And 상기 제 1 기판 중 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면에 배열된 접지부를 포함하되,A ground portion arranged on a second surface of the first substrate opposite to the first surface, 상기 접지부는 상기 하우징 부재의 일부분과 마주보며, 상기 접지부와 상기 하우징 부재 사이의 커플링에 의해 발생되는 주파수는 상기 안테나의 가용 주파수 대역 외의 대역에 존재하는 것을 특징으로 하는 안테나. And wherein the ground portion faces a portion of the housing member, wherein a frequency generated by the coupling between the ground portion and the housing member is in a band outside the available frequency band of the antenna. 제 8 항에 있어서, 상기 접지부의 일부에 슬롯이 형성되는 것을 특징으로 하는 안테나.9. The antenna of claim 8, wherein a slot is formed in a part of the ground portion. 제 8 항에 있어서, 상기 페이즈 쉬프터는,The method of claim 8, wherein the phase shifter, 상기 제 1 기판으로부터 소정 거리만큼 이격되어 배열되는 제 2 기판; 및A second substrate spaced apart from the first substrate by a predetermined distance; And 상기 제 2 기판 위에 배열된 제 2 패턴들을 더 포함하되,Further comprising second patterns arranged on the second substrate, 상기 제 1 패턴들과 상기 제 2 패턴들은 상호 마주보고, 위상 가변시 상기 제 2 기판이 움직이며, 상기 제 2 패턴들은 상기 제 1 패턴들을 상호 전기적으로 연결시키고, 상기 제 1 패턴들은 역'U'자 형상을 가지며, 상기 제 2 패턴들은 'U'자 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 안테나. The first patterns and the second patterns face each other, and when the phase is changed, the second substrate moves, the second patterns electrically connect the first patterns to each other, and the first patterns are inversely 'U'. And a 'U' shape, wherein the second patterns have a 'U' shape. 하우징 부재에 의해 하우징되는 페이즈 쉬프터에 있어서,In a phase shifter housed by a housing member, 제 1 기판; A first substrate; 도체이며, 상기 제 1 기판 중 제 1 면 위에 배열된 제 1 패턴들; First patterns arranged on a first surface of the first substrate; 상기 제 1 기판 중 상기 제 1 면과 반대되는 제 2 면에 배열된 접지부;A ground portion arranged on a second surface of the first substrate opposite to the first surface; 상기 제 1 기판으로부터 소정 거리만큼 이격된 제 2 기판; 및A second substrate spaced apart from the first substrate by a predetermined distance; And 상기 제 2 기판 위에 배열되며, 상기 제 1 패턴들과 마주보는 적어도 하나의 제 2 패턴을 포함하되,At least one second pattern arranged on the second substrate and facing the first patterns, 상기 제 2 패턴은 상기 제 1 패턴들을 상호 전기적으로 연결시키며, 상기 접지부 중 일부에 슬롯이 형성되는 것을 특징으로 하는 페이즈 쉬프터. And the second pattern electrically connects the first patterns with each other, and a slot is formed in a part of the ground portion. 제 11 항에 있어서, 상기 슬롯은 상기 접지부 중 상기 제 1 패턴들 및 상기 제 2 패턴들이 위치하지 영역에 해당하는 부분을 제외한 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 페이즈 쉬프터. The phase shifter of claim 11, wherein the slot is formed in an area excluding a portion corresponding to an area in which the first patterns and the second patterns are located. 제 11 항에 있어서, 상기 슬롯은 상기 접지부 중 기설정치 이상의 전기장을 가지는 부분(상기 접지부와 상기 하우징 부재 사이의 전기장들 중 기설정치 이상의 전기장들이 분포된 부분)에 형성되는 것을 특징으로 하는 페이즈 쉬프터. The phase of claim 11, wherein the slot is formed in a portion of the ground portion having an electric field greater than or equal to a predetermined value (a portion in which electric fields greater than or equal to a predetermined value are distributed among the electric fields between the ground portion and the housing member). Shifter. 제 11 항에 있어서, 상기 접지부와 상기 하우징 부재 사이의 커플링에 의해 발생되는 주파수는 상기 안테나의 가용 주파수 대역 외의 대역에 존재하는 것을 특징으로 하는 페이즈 쉬프터. 12. The phase shifter of claim 11, wherein a frequency generated by the coupling between the ground portion and the housing member is in a band other than an available frequency band of the antenna. 제 11 항에 있어서, 상기 페이즈 쉬프터는,The method of claim 11, wherein the phase shifter, 상기 제 1 기판으로부터 소정 거리만큼 이격되어 배열되는 제 2 기판; 및A second substrate spaced apart from the first substrate by a predetermined distance; And 상기 제 2 기판 위에 배열된 제 2 패턴들을 더 포함하되,Further comprising second patterns arranged on the second substrate, 상기 제 1 패턴들과 상기 제 2 패턴들은 상호 마주보고, 위상 가변시 상기 제 2 기판이 움직이며, 상기 제 2 패턴들은 상기 제 1 패턴들을 상호 전기적으로 연결시키고, 상기 제 1 패턴들은 역'U'자 형상을 가지며, 상기 제 2 패턴들은 'U'자 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 페이즈 쉬프터. The first patterns and the second patterns face each other, and when the phase is changed, the second substrate moves, the second patterns electrically connect the first patterns to each other, and the first patterns are inversely 'U'. The phase shifter of claim 2, wherein the second patterns have a 'U' shape. 제 11 항에 있어서, 상기 페이즈 쉬프터는, The method of claim 11, wherein the phase shifter, 상기 제 1 기판 위에 배열되며, 상기 제 1 패턴들과 병렬로 연결된 제 2 패턴들;Second patterns arranged on the first substrate and connected in parallel with the first patterns; 상기 제 1 기판과 이격되어 배열된 제 2 기판;A second substrate spaced apart from the first substrate; 상기 제 2 기판 위에 배열되며, 상기 제 1 패턴들에 대응하여 배열되는 적어도 하나의 제 3 패턴; At least one third pattern arranged on the second substrate and arranged corresponding to the first patterns; 상기 제 2 기판 위에 배열되며, 상기 제 2 패턴들에 대응하여 배열되는 적어도 하나의 제 4 패턴;At least one fourth pattern arranged on the second substrate and arranged to correspond to the second patterns; 상기 제 1 기판 위에 배열된 입력 패턴; An input pattern arranged on the first substrate; 상기 입력 패턴으로부터 분기되며, 상기 제 1 패턴들 중 하나와 전기적으로 연결되는 제 1 분배 패턴; 및A first distribution pattern branched from the input pattern and electrically connected to one of the first patterns; And 상기 입력 패턴으로부터 분기되며, 상기 제 2 패턴들 중 하나와 전기적으로 연결되는 제 2 분배 패턴을 더 포함하되,A second distribution pattern branched from the input pattern and electrically connected to one of the second patterns, 상기 제 3 패턴은 해당 제 1 패턴들을 상호 전기적으로 연결시키고, 상기 제 4 패턴은 해당 제 2 패턴들을 전기적으로 연결시키며, 위상 가변시 상기 제 2 기판이 움직이고, 상기 제 1 패턴들은 역'U'자 형상을 가지며, 상기 제 2 패턴들은 'U'자 형상을 가지고, 상기 제 3 패턴은 해당 제 1 패턴들 중 하나의 우측 패턴과 이웃하는 제 1 패턴의 좌측 패턴을 전기적으로 연결시키며, 상기 제 4 패턴은 해당 제 2 패턴들 중 하나의 우측 패턴과 이웃하는 제 2 패턴의 좌측 패턴을 전기적으로 연결시키는 것을 특징으로 하는 페이즈 쉬프터. The third pattern electrically connects the first patterns to each other, the fourth pattern electrically connects the second patterns, and when the phase is changed, the second substrate is moved, and the first patterns are inversely 'U'. The second pattern may have a 'U' shape, and the third pattern electrically connects a right side pattern of one of the first patterns with a left side pattern of a neighboring first pattern. The fourth pattern is a phase shifter, characterized in that for electrically connecting the right pattern of one of the second pattern and the left pattern of the neighboring second pattern.
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