KR20110055258A - Etching apparatus for printed circuit board - Google Patents

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KR20110055258A
KR20110055258A KR1020090112207A KR20090112207A KR20110055258A KR 20110055258 A KR20110055258 A KR 20110055258A KR 1020090112207 A KR1020090112207 A KR 1020090112207A KR 20090112207 A KR20090112207 A KR 20090112207A KR 20110055258 A KR20110055258 A KR 20110055258A
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etching
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etchant
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KR1020090112207A
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이진욱
최충식
이우진
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삼성전기주식회사
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Abstract

PURPOSE: A substrate etching apparatus is provided to minimize the etching difference between substrates by uniformly etching the temperature of an etching bath. CONSTITUTION: A transfer unit transfers a substrate. An etching bath(102) etches the substrate transferred from the transfer unit. An etchant tank(105) supplies etchant to the etching bath. An insulation unit(109) surrounds the etching bath and maintains the temperature of the etching bath. The insulation unit includes a temperature measuring unit which measures the temperature of the insulation unit.

Description

기판의 에칭장치{ETCHING APPARATUS FOR PRINTED CIRCUIT BOARD}Etching Equipment of Substrate {ETCHING APPARATUS FOR PRINTED CIRCUIT BOARD}

본 발명은 기판의 에칭장치에 관한 것이다.The present invention relates to an etching apparatus for a substrate.

일반적으로 인쇄회로기판(PCB)은 여러 전자제품 소자들을 일정한 틀에 따라 간편하게 연결시켜 주는 역할을 하며, 디지털 TV를 비롯한 가전제품부터 첨단 통신기기까지 모든 전자제품에 광범위하게 사용되는 부품으로서, 용도에 따라 범용 인쇄회로기판, 모듈용 인쇄회로기판, 패키지용 인쇄회로기판 등으로 분류된다.In general, a printed circuit board (PCB) is a component that easily connects various electronic devices according to a certain frame, and is widely used in all electronic products from home appliances to high-tech communication devices including digital TVs. Therefore, it is classified into general purpose printed circuit board, printed circuit board for module, printed circuit board for package, and the like.

이러한 인쇄회로기판은 수많은 공정을 거쳐서 제조되는바, 이 중 에칭공정이 회로패턴의 미세화와 관련하여 관심을 받고 있다. 이러한 에칭공정에는 크게 건식에칭(Dry Etching)과 습식에칭(Wet Etching)이 있다.Such printed circuit boards are manufactured through numerous processes, and among them, an etching process is attracting attention with respect to miniaturization of circuit patterns. Such etching process includes dry etching and wet etching.

건식에칭은 플라즈마 내에 존재하는 원소와 에칭 대상의 표면 물질 간의 화학 반응과 플라즈마 내에 존재하는 활성화 입자들과의 표면 충돌에 의한 반응 촉진에 의해 진행되는 플라즈마 에칭이 대표적이다. 또한 건식에칭 방법으로 기상화학반응에 의한 건식에칭이 있고, 가속된 이온을 써서 시료 표면의 원자를 물리적으로 스퍼터링(Sputtering)해서 에칭하는 이온빔에 의한 에칭이 있다. 이러한 건식에칭 공정은 습식에칭에 비해 가공정밀도가 우수하여 미세가공분야에서 최근 널리 사용 하고 있으나, 에칭속도가 늦고, 에칭장치의 처리능력이 낮아 경제적인 문제를 안고 있다.Dry etching is typically a plasma etching that proceeds by chemical reaction between an element present in the plasma and a surface material to be etched and reaction reaction by surface collision with activated particles present in the plasma. Dry etching is a dry etching method using a gas phase chemical reaction, and an etching by an ion beam which physically sputters and etches atoms on a sample surface using accelerated ions. The dry etching process has been widely used in the microfabrication field because it has better processing precision than wet etching. However, the dry etching process is economically low due to the low etching rate and the low processing capacity of the etching apparatus.

반면, 습식에칭 공정은 에칭하고자 하는 막과 화학적으로 반응하여 용해시킬 수 있는 화학용액(에칭액)을 사용하여 에칭하고자 하는 소재를 원하는 형상으로 에칭하는 방법이다. 이러한 습식에칭 공정은 건식에칭 공정에 비해 대량으로 작업이 가능하며, 작업속도도 빠르고, 경제적이기 때문에 건식에칭 공정보다는 정밀도를 요하지 않으면서 인쇄회로기판이나 글래스 갭(Glass Gap) 등의 제조분야에 널리 사용되고 있다.On the other hand, the wet etching process is a method of etching a material to be etched into a desired shape by using a chemical solution (etching solution) capable of chemically reacting and dissolving the film to be etched. This wet etching process is capable of working in large quantities compared to the dry etching process, and because the work speed is fast and economical, it is widely used in manufacturing fields such as printed circuit boards and glass gaps without requiring precision than dry etching process. It is used.

한편, 최근 들어 인쇄회로기판의 종류가 다양해지고 있는바, 이에 따라, 다양한 종류의 인쇄회로기판의 작업속도가 빠른 에칭에 대한 수요가 커지고 있다. 특히, 인쇄회로기판의 빠른 에칭을 위해 습식에칭 공정에 대한 관심이 커지고 있다.On the other hand, in recent years, the type of printed circuit board has been diversified, and accordingly, there is a growing demand for fast etching of various kinds of printed circuit boards. In particular, there is a growing interest in wet etching processes for rapid etching of printed circuit boards.

도 1은 종래기술에 따른 기판의 에칭장치(10)를 설명하기 위한 도면이다. 이하, 이를 참조하여 종래기술에 따른 기판의 에칭장치(10)를 설명하면 다음과 같다.1 is a view for explaining the etching apparatus 10 of a substrate according to the prior art. Hereinafter, the etching apparatus 10 of the substrate according to the related art will be described with reference to the following.

도 1에 도시한 바와 같이, 종래기술에 따른 기판의 에칭장치(10)는 이송부(미도시), 에칭조(12), 및 에칭액 탱크(15)로 구성된다.As shown in FIG. 1, the etching apparatus 10 of the board | substrate which concerns on a prior art consists of a conveyance part (not shown), the etching tank 12, and the etching liquid tank 15. As shown in FIG.

이송부(미도시)는 피에칭기판(11)을 에칭조(12)의 내부로 유입시키고, 에칭조(12)에서는 피에칭기판(11)이 에칭된다. 에칭액 탱크(15)는 에칭액 펌프(16)를 통하여 에칭조(12) 내부의 노즐파이프(13)에 에칭액을 공급하고, 노즐파이프(13)는 노즐(14)을 통하여 피에칭기판(11)의 표면에 에칭액을 분사한다. 또한, 염산탱 크(17)와 과산화수소탱크(18)로부터 염산(HCl)과 과산화수소(H2O2)를 에칭액 탱크(15)에 공급하여 피에칭기판(11)의 에칭을 수행한다.The transfer unit (not shown) flows the etching target substrate 11 into the etching bath 12, and the etching target substrate 11 is etched. The etchant tank 15 supplies the etchant to the nozzle pipe 13 inside the etching bath 12 through the etchant pump 16, and the nozzle pipe 13 is connected to the etching target substrate 11 through the nozzle 14. Etching liquid is sprayed on the surface. In addition, hydrochloric acid (HCl) and hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) are supplied from the hydrochloric acid tank 17 and the hydrogen peroxide tank 18 to the etching solution tank 15 to etch the etching target substrate 11.

그러나, 종래기술에 따른 기판의 에칭장치(10)는 에칭조(12)의 온도를 균일하게 유지시킬 수 없고, 이에 따라, 외부온도에 민감하게 반응하여 최적화된 에칭공정을 진행할 수 없는 문제점이 있었다.However, the etching apparatus 10 of the substrate according to the related art cannot maintain the temperature of the etching bath 12 uniformly, and thus, there is a problem in that it is not sensitive to the external temperature to proceed with the optimized etching process. .

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 에칭조의 온도를 일정하게 유지시켜 에칭공정이 최적화된 조건에서 수행될 수 있는 기판의 에칭장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention was created to solve the problems of the prior art as described above, and an object of the present invention is to provide an etching apparatus of a substrate that can be carried out under the optimized conditions by maintaining the temperature of the etching bath constant. .

본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 기판의 에칭장치는, 피에칭기판을 이송하는 이송부, 상기 이송부에 의해 이송된 피에칭기판을 에칭하는 에칭조, 상기 에칭조에 에칭액을 공급하는 에칭액 탱크, 및 상기 에칭조를 감싸되 상기 에칭조의 온도를 유지시키는 단열부를 포함하는 것을 특징으로 한다.An etching apparatus of a substrate according to a first preferred embodiment of the present invention includes a transfer unit for transferring an etching target substrate, an etching tank for etching the etching target substrate transferred by the transfer unit, an etching solution tank for supplying etching liquid to the etching tank, and Wrapping the etching bath, characterized in that it comprises a heat insulating portion for maintaining the temperature of the etching bath.

여기서, 상기 단열부는 상기 단열부 내부의 온도를 측정하는 온도측정부를 포함하는 것을 특징으로 한다.Here, the heat insulating part is characterized in that it comprises a temperature measuring unit for measuring the temperature inside the heat insulating part.

또한, 상기 단열부는 적어도 일면이 투명하게 처리된 것을 특징으로 한다.In addition, the at least one heat insulating part is characterized in that the transparent treatment.

또한, 상기 단열부는, 상면이 개방된 단열부 용기, 및 상기 단열부 용기의 상부에 형성되는 단열부 리드를 포함하는 것을 특징으로 한다.The heat insulating part may include a heat insulating part container having an upper surface opened, and a heat insulating part lead formed on an upper part of the heat insulating part container.

또한, 상기 에칭조는, 상기 피에칭기판으로부터 이격되도록 상기 피에칭기판의 양면에 설치되되, 상기 에칭액 탱크로부터 상기 에칭액을 공급받아 상기 피에칭기판의 표면에 상기 에칭액을 분사하는 노즐이 구비된 노즐파이프를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the etching bath is installed on both sides of the etching target substrate so as to be spaced apart from the etching target substrate, the nozzle pipe is provided with a nozzle for supplying the etching liquid from the etching liquid tank to spray the etching liquid on the surface of the etching target substrate Characterized in that it comprises a.

또한, 상기 노즐 및 상기 노즐파이프는 복수로 구성된 것을 특징으로 한다.In addition, the nozzle and the nozzle pipe is characterized in that composed of a plurality.

본 발명의 바람직한 제2 실시예에 다른 기판의 에칭장치는, 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 다른 기판의 에칭장치에 있어서, 상기 단열부는, 상기 에칭조를 감싸는 단열조, 및 상기 단열조에 온수를 공급하는 온수탱크를 포함하는 것을 특징으로 한다.An etching apparatus for a substrate according to a second preferred embodiment of the present invention is an etching apparatus for a substrate according to the first preferred embodiment of the present invention, wherein the heat insulating part includes a heat insulating tank surrounding the etching bath, and hot water in the heat insulating tank. It characterized in that it comprises a hot water tank for supplying.

여기서, 상기 단열조는 내부에 상기 온수가 순환하는 수관이 형성된 것을 특징으로 한다.Here, the heat insulating tank is characterized in that the water pipe in which the hot water is circulated is formed.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.

이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Prior to this, terms and words used in the present specification and claims should not be construed in a conventional and dictionary sense, and the inventor may appropriately define the concept of a term in order to best describe its invention The present invention should be construed in accordance with the spirit and scope of the present invention.

본 발명에 따른 기판의 에칭장치는 에칭조를 단열부로 감싸 에칭조의 온도를 일정하게 유지시켜, 피에칭기판의 에칭공정이 최적조건에서 수행될 수 있고, 이에 따라, 피에칭기판 간 에칭량 차이가 최소화되는 장점이 있다.In the etching apparatus of the substrate according to the present invention, the temperature of the etching bath is kept constant by wrapping the etching bath with a heat insulating part, so that the etching process of the substrate to be etched can be performed under optimum conditions. There is an advantage to be minimized.

또한, 본 발명에 따르면, 단열부의 내부에 온수를 순환시켜 에칭조의 온도를 더욱 균일하게 유지할 수 있는 장점이 있다.In addition, according to the present invention, there is an advantage that the temperature of the etching bath can be maintained more uniformly by circulating the hot water inside the heat insulating part.

또한, 본 발명에 따르면, 단열부의 적어도 일면을 투명 또는 반투명하게 처리하여 에칭장치의 유지보수가 편리한 장점이 있다.In addition, according to the present invention, there is an advantage that the maintenance of the etching apparatus is convenient by treating at least one surface of the heat insulating part transparently or semitransparently.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The objects, particular advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the present specification, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components as possible, even if displayed on different drawings have the same number as possible. In addition, terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. In addition, in describing the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 기판의 에칭장치(100a)를 설명하기 위한 도면이다. 이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 기판의 에칭장치(100a)에 대해 설명하기로 한다.2 is a view for explaining an etching apparatus 100a of a substrate according to a first embodiment of the present invention. Hereinafter, the etching apparatus 100a of the substrate according to the present embodiment will be described with reference to this.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판의 에칭장치(100a)는 피에 칭기판(101)을 이송하는 이송부(미도시), 피에칭기판(101)을 에칭하는 에칭조(102), 에칭액을 공급하는 에칭액 탱크(105), 및 온도를 유지시키는 단열부(109)로 구성된다.As shown in FIG. 2, the etching apparatus 100a of the substrate according to the present embodiment includes a transfer part (not shown) for transferring the substrate to be etched 101 and an etching tank 102 for etching the substrate to be etched 101. ), An etchant tank 105 for supplying an etchant, and a heat insulating part 109 for maintaining a temperature.

이송부(미도시)는 피에칭기판(101)을 에칭조(102)로 이송시키는 부재이다.The transfer unit (not shown) is a member for transferring the etching target substrate 101 to the etching bath 102.

여기서, 이송부(미도시)는 예를 들어, 체인, 롤러, 또는 컨베이어 벨트 등으로 구성될 수 있다. 단, 이에 한정되는 것은 아니고, 에칭조(102)로 피에칭기판(101)을 이송할 수 있는 다른 구성 또한 채용될 수 있다. 또한, 이송부(미도시)에는 이송되는 피에칭기판(101)의 낙하 등을 방지하기 위한 별도의 체결수단(미도시)이 구비될 수 있다.Here, the transfer unit (not shown) may be configured by, for example, a chain, a roller, or a conveyor belt. However, the present invention is not limited thereto, and another configuration capable of transferring the etching target substrate 101 to the etching bath 102 may also be employed. In addition, the transfer unit (not shown) may be provided with a separate fastening means (not shown) for preventing the falling of the etching target substrate 101 to be transferred.

에칭조(102)는 피에칭기판(101)을 직접 에칭하는 공간으로서, 내부에 노즐(104)이 형성된 노즐파이프(103)를 포함한다.The etching bath 102 is a space for directly etching the etching target substrate 101 and includes a nozzle pipe 103 having a nozzle 104 formed therein.

여기서, 에칭조(102)는 예를 들어, 육면체로 형성될 수 있고, 내부에 피에칭기판(101)이 삽입되는바, 충분한 크기를 지닌 것이 바람직하다. 또한, 에칭조(102)의 적어도 일면은 투명 또는 반투명하게 처리되어 내부의 피에칭기판(101) 에칭과정을 육안으로 볼 수 있는 것이 바람직하다. 에칭조(102)가 투명 또는 반투명하게 처리되어 기판의 에칭장치(100a)의 유지보수가 편리해질 수 있다.Here, the etching bath 102 may be formed of, for example, a hexahedron, and the etching target substrate 101 is inserted therein, and thus, the etching bath 102 may have a sufficient size. In addition, it is preferable that at least one surface of the etching bath 102 is transparent or semitransparent so that the etching process of the etching target substrate 101 can be visually observed. The etching bath 102 may be transparent or translucent to facilitate the maintenance of the etching apparatus 100a of the substrate.

한편, 노즐파이프(103)는 이하에 설명되는 에칭액 탱크(105)로부터 에칭액을 공급받아 노즐(104)을 통하여 피에칭기판(101)의 표면에 에칭액을 분사한다. 또한 노즐파이프(103)는 피에칭기판(101)으로부터 일정거리 이격되도록 설치되고 다수로 설치될 수 있다. 특히, 경제적 측면에서 보았을 때, 피에칭기판(101)이 단면 기판일 때에는 하나의 측면에만 설치되고, 피에칭기판(101)이 양면 기판일 때에는 양 측면에 설치되는 것이 바람직하다. 또한, 노즐(104)은 노즐파이프(103)의 일면 또는 양면에 등 간격을 두고 형성될 수 있다. 이때, 노즐(104)은 에칭액의 분사량, 분사속도, 및 분사방향이 조절가능하도록 구성되어 피에칭기판(101)에 최적화된 에칭을 수행할 수 있다.On the other hand, the nozzle pipe 103 receives the etchant from the etchant tank 105 described below and injects the etchant onto the surface of the etching target substrate 101 through the nozzle 104. In addition, the nozzle pipe 103 may be installed to be spaced apart from the etching target substrate 101 by a predetermined distance and may be installed in plurality. In particular, from an economical point of view, when the etching target substrate 101 is a single-sided substrate, it is preferably installed only on one side, and when the etching target substrate 101 is a double-sided substrate, it is preferably installed on both sides. In addition, the nozzles 104 may be formed at equal intervals on one surface or both surfaces of the nozzle pipe 103. In this case, the nozzle 104 may be configured to adjust the injection amount, the injection speed, and the injection direction of the etchant to perform etching optimized for the etching target substrate 101.

또한, 에칭조(102) 내부에는 순환부(미도시)를 구비하여 에칭조 내부의 에칭액을 순환시켜 피에칭기판(101)의 에칭속도를 높일 수 있다.In addition, the etching bath 102 may include a circulation unit (not shown) to circulate the etching liquid in the etching bath to increase the etching rate of the etching target substrate 101.

에칭액 탱크(105)는 에칭액을 저장하는 부재로서, 에칭액을 에칭액 펌프(106)로써 노즐파이프(103)에 전달한다.The etchant tank 105 is a member for storing the etchant and delivers the etchant to the nozzle pipe 103 with the etchant pump 106.

여기서, 에칭액 탱크(105)를 빠져나간 에칭액은 에칭액 펌프(106)를 거쳐 제1 배관(107)을 통해 노즐파이프(103)에 도달할 수 있다. 또한, 에칭조(102)에서 에칭을 마치고 에칭조(102)의 하부에 모인 에칭액은 제2 배관(108)을 통해 다시 에칭액 탱크(105)로 유입된다. 이때, 기사용한 에칭액을 재사용할 수 있도록 화학약품을 처리하여 에칭액 탱크(105)로 유입시킬 수 있다.Here, the etchant leaving the etchant tank 105 may reach the nozzle pipe 103 through the first pipe 107 via the etchant pump 106. In addition, the etching solution which has been etched in the etching bath 102 and collected in the lower portion of the etching bath 102 flows back into the etching solution tank 105 through the second pipe 108. At this time, the chemical treatment may be introduced into the etchant tank 105 to reuse the etchant for the technician.

또한, 에칭액은 에칭되는 금속에 따라 다르게 할 수 있고, 예를 들어 염화구리(CuCl2), 또는 염화철(FeCl3)일 수 있다.In addition, the etching solution may be different depending on the metal to be etched, and may be, for example, copper chloride (CuCl 2 ) or iron chloride (FeCl 3 ).

단열부(109)는 에칭조(102)의 온도를 일정하게 유지시키는 부재로서, 에칭조(102)의 표면을 감싸도록 형성된다.The heat insulation part 109 is a member which keeps the temperature of the etching tank 102 constant, and is formed so that the surface of the etching tank 102 may be wrapped.

여기서, 단열부(109)는 단열 효과가 있는 재질, 예를 들어, 유리솜, 암면, 시리카(Silica) 보온재, 퍼라이트(Perlite) 보온재, 폴리에틸렌(P.E.) 보온재 등을 이용할 수 있다. 또한, 단열부(109)가 형성되어 에칭조(102)의 온도는 일정하게 유지되고, 온도 분포도 균일해 질 수 있다. 또한, 단열부(109)가 형성되어 에칭조(102)를 보호하여 이물의 침투를 방지할 수 있다.Here, the heat insulating part 109 may be a material having a heat insulating effect, for example, glass wool, rock wool, Silica insulation, Perlite insulation, polyethylene (P.E.) insulation. In addition, the heat insulating part 109 is formed so that the temperature of the etching bath 102 is kept constant, the temperature distribution can be uniform. In addition, the heat insulating part 109 may be formed to protect the etching bath 102 to prevent foreign matter from penetrating.

단열부(109)의 내면에는 단열부(109) 내부의 온도를 측정하는 온도측정부(110)가 추가로 형성될 수 있다. 온도측정부(110)는 예를 들어, 온도계를 이용하여 에칭조(102)의 온도를 측정하며, 에칭조(102)의 온도에 이상이 발생하였을 경우, 단열부(109)의 교체시기를 알려줄 수 있다.An inner surface of the heat insulating part 109 may further include a temperature measuring part 110 for measuring a temperature inside the heat insulating part 109. The temperature measuring unit 110 measures the temperature of the etching bath 102 using, for example, a thermometer, and when an abnormality occurs in the temperature of the etching bath 102, the temperature measuring unit 110 informs the replacement time of the heat insulating part 109. Can be.

한편, 단열부(109)는 상면이 개방된 단열부 용기(109a) 및 단열부 리드(109b)로 구성될 수 있다. 단열부 용기(109a)는 상면이 개방된 육면체일 수 있고, 단열부 리드(109b)는 단열부 용기(109a)의 상부에 닫히는 형상으로 형성될 수 있다. 단열부 리드(109b)가 형성됨에 따라, 에칭과정을 육안으로 면밀히 살펴볼 수 있고, 에칭조(102)의 유지보수가 편리해질 수 있다.On the other hand, the heat insulating part 109 may be composed of a heat insulating part container 109a and a heat insulating part lead 109b having an open top surface. The heat insulation part container 109a may be a hexahedron having an open top surface, and the heat insulation part lead 109b may be formed to be closed on the top of the heat insulation part container 109a. As the heat insulating part lead 109b is formed, the etching process may be visually examined and the maintenance of the etching bath 102 may be convenient.

또한, 단열부(109)의 적어도 일면은 에칭조(102)와 마찬가지로, 투명 또는 반투명하게 처리될 수 있다.In addition, at least one surface of the heat insulating part 109 may be treated to be transparent or semitransparent, similarly to the etching bath 102.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판의 에칭장치(100a)에는 추가적으로, 염산탱크(111), 과산화수소탱크(112), 및 제어부(113)가 더 구비될 수 있다.In addition to the etching apparatus 100a of the substrate according to the preferred embodiment of the present invention, a hydrochloric acid tank 111, a hydrogen peroxide tank 112, and a controller 113 may be further provided.

여기서, 염산탱크(111)는 에칭액 탱크(105)에 염산(HCl)을 공급하는 역할을 하며, 염산은 에칭조(102)에서 피에칭기판(101)이 에칭될 때, 금속과 반응하여 불용성이 된 염화구리(CuCl2), 염화철(FeCl3) 등에 염소(Cl) 이온을 공급하여 용성으로 만들어 줄 수 있다.Here, the hydrochloric acid tank 111 serves to supply hydrochloric acid (HCl) to the etching liquid tank 105, hydrochloric acid is insoluble by reacting with the metal when the etching target substrate 101 is etched in the etching tank 102 It can be made soluble by supplying chlorine (Cl) ions to copper chloride (CuCl 2 ), iron chloride (FeCl 3 ).

또한, 과산화수소탱크(112)는 에칭액 탱크(105)에 과산화수소(H2O2)를 공급하는 역할을 하며, 과산화수소는 에칭조(102)에서, 환원된 염화구리(CuCl) 등을 다시 원래의 염화구리(CuCl2) 등으로 산화시켜줄 수 있다.In addition, the hydrogen peroxide tank 112 serves to supply hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) to the etchant tank 105, the hydrogen peroxide in the etching bath 102, the reduced copper chloride (CuCl), etc. It may be oxidized with copper (CuCl 2 ).

또한, 제어부(113)는 에칭액 탱크(105) 내부의 에칭액의 농도와 양을 검출하여 염산탱크(111), 및 과산화수소탱크(112)의 용액을 에칭액 탱크(105) 내로 공급하게 한다.In addition, the control unit 113 detects the concentration and amount of the etchant in the etchant tank 105 to supply the solution of the hydrochloric acid tank 111 and the hydrogen peroxide tank 112 into the etchant tank 105.

한편, 본 실시예에서는 에칭조(102) 내부에서 하나의 피에칭기판(101)이 에칭되는 것으로 설명하였으나, 이는 예시적인 것으로서, 노즐파이프(103) 및 수송부(미도시)를 다수로 구비하여 한 번에 여러 개의 피에칭기판(101)이 에칭될 수 있다.Meanwhile, in the present exemplary embodiment, one etching target substrate 101 is etched inside the etching bath 102. However, this is merely illustrative, and includes a plurality of nozzle pipes 103 and a transport unit (not shown). Several etching target substrates 101 may be etched at a time.

도 3은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 기판의 에칭장치(100b)의 단 면도이다. 이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 기판의 에칭장치(100b)에 대해 설명하기로 한다. 여기서, 동일하거나 대응하는 구성요소는 동일한 도면부호로 지칭되며, 제1 실시예와 중복되는 설명은 생략하기로 한다.3 is a cutaway view of an etching apparatus 100b of a substrate according to a second preferred embodiment of the present invention. Hereinafter, the etching apparatus 100b of the substrate according to the present embodiment will be described with reference to this. Here, the same or corresponding components are referred to by the same reference numerals, and descriptions overlapping with the first embodiment will be omitted.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판의 에칭장치(100b)는 피에칭기판(101)을 이송하는 이송부(미도시), 피에칭기판(101)을 에칭하는 에칭조(102), 에칭액을 공급하는 에칭액 탱크(105), 온도를 유지시키는 단열부(114)로 구성되되, 단열부(114)에 온수를 이용하는 것을 특징으로 한다.As shown in FIG. 3, the etching apparatus 100b of the substrate according to the present embodiment includes a transfer unit (not shown) for transferring the etching target substrate 101 and an etching bath 102 for etching the etching target substrate 101. In addition, the etchant tank 105 for supplying the etchant, and the heat insulating portion 114 to maintain the temperature, characterized in that the hot water is used for the heat insulating portion 114.

본 실시예에서 단열부(114)는 온수를 이용하여 에칭조(102)의 온도를 유지시키는 것을 특징으로 한다. In this embodiment, the heat insulating part 114 is characterized in that to maintain the temperature of the etching bath 102 using hot water.

여기서, 단열부(114)는 에칭조(102)를 감싸는 단열조(117)와 온수를 공급하는 온수탱크(116)로 구성될 수 있다. 온수탱크(116)는 온수를 저장하고 단열조(117)에 공급하는 부재로, 별도의 펌프(미도시)를 구비할 수 있다. 또한, 단열조(117)의 내부에는 온수가 순환하는 수관(115)이 형성될 수 있고, 수관(115)을 통해 온수가 공급되고 배출될 수 있다. 한편, 단열조(117)는 제1 실시예와 같이, 별도의 리드를 구비할 수 있다.Here, the heat insulating part 114 may be composed of a heat insulating tank 117 surrounding the etching tank 102 and a hot water tank 116 for supplying hot water. The hot water tank 116 is a member for storing hot water and supplying the hot water to the heat insulation tank 117, and may include a separate pump (not shown). In addition, a water pipe 115 through which hot water circulates may be formed in the heat insulation tank 117, and hot water may be supplied and discharged through the water pipe 115. On the other hand, the heat insulation tank 117 may be provided with a separate lead, as in the first embodiment.

단열부(114)가 온수를 이용하기 때문에, 에칭조(102)의 온도는 더욱 균일하게 제어될 수 있고, 이에 따라, 피에칭기판(101)의 에칭 표면이 매끄럽게 형성될 수 있다.Since the heat insulating part 114 uses hot water, the temperature of the etching bath 102 can be more uniformly controlled, and thus the etching surface of the etching target substrate 101 can be smoothly formed.

본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 기판의 에칭장치(100a)를 이용하여 피에칭기판(101)을 에칭하는 방법은 다음과 같다.The etching method of the etching target substrate 101 using the etching apparatus 100a of the substrate according to the first preferred embodiment of the present invention is as follows.

먼저, 수송부(미도시)에 의해 피에칭기판(101)을 에칭조(102)로 이송한다. 다음, 에칭액 탱크(105)로부터 에칭액 펌프(106)와 제1 배관(107)을 통해 에칭액이 에칭조(102) 내부의 노즐파이프(103)에 공급되고, 노즐파이프(103)는 노즐(104)을 통해 피에칭기판(101)의 표면에 에칭액을 분사한다. 이때, 단열부(109)에 의해 에칭조(102) 내부의 온도가 균일하게 유지된다. 다음, 피에칭기판(101)은 수송부(미도시)에 의해 에칭조(102)의 외부로 토출되고, 사용된 에칭액은 제2 배관(108)을 통해 에칭액 탱크(105)로 유입되되, 제어부(113)가 유입되는 에칭액의 상태를 감지하여 에칭액 탱크(105)로 염산 및 과산화수소를 첨가한다. 이와 같은 과정이 반복되어, 피에칭기판(101)이 에칭된다.First, the etching target substrate 101 is transferred to the etching bath 102 by a transport unit (not shown). Next, the etchant is supplied from the etchant tank 105 to the nozzle pipe 103 inside the etching bath 102 through the etchant pump 106 and the first pipe 107, and the nozzle pipe 103 is the nozzle 104. The etching liquid is sprayed onto the surface of the substrate to be etched through 101. At this time, the temperature inside the etching bath 102 is maintained uniformly by the heat insulating part 109. Next, the etching target substrate 101 is discharged to the outside of the etching tank 102 by a transport unit (not shown), and the used etching solution flows into the etching solution tank 105 through the second pipe 108, and then the control unit ( 113 is detected, the hydrochloric acid and hydrogen peroxide are added to the etchant tank 105 by sensing the state of the etchant. This process is repeated, and the etching target substrate 101 is etched.

본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 기판의 에칭장치(100b)를 이용하여 피에칭기판(101)을 에칭하는 방법은 다음과 같다. 여기서, 동일하거나 대응하는 구성요소는 동일한 도면부호로 지칭되며, 제1 실시예와 중복되는 설명은 생략하기로 한다.The etching method of the etching target substrate 101 using the etching apparatus 100b of the substrate according to the second preferred embodiment of the present invention is as follows. Here, the same or corresponding components are referred to by the same reference numerals, and descriptions overlapping with the first embodiment will be omitted.

에칭액이 에칭조(102)의 노즐파이프(103)에 도달하면, 온수탱크(116)로부터 단열조(117)의 수관(115)에 온수가 전달되고, 이에 따라, 에칭조(102) 내부의 온도는 더욱 균일하게 유지될 수 있다.When the etching liquid reaches the nozzle pipe 103 of the etching tank 102, hot water is transferred from the hot water tank 116 to the water pipe 115 of the heat insulating tank 117, whereby the temperature inside the etching tank 102. Can be kept more uniform.

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 기판의 에칭장치는 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.Although the present invention has been described in detail through specific embodiments, this is for explaining the present invention in detail, and the etching apparatus of the substrate according to the present invention is not limited thereto. It is clear that modifications and improvements are possible by the knowledgeable.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.All simple modifications and variations of the present invention fall within the scope of the present invention, and the specific scope of protection of the present invention will be apparent from the appended claims.

도 1은 종래기술에 따른 기판의 에칭장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining an etching apparatus of a substrate according to the prior art.

도 2는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 기판의 에칭장치를 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining an etching apparatus of a substrate according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 기판의 에칭장치를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining an etching apparatus of a substrate according to a second embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

101 : 피에칭기판 102 : 에칭조101: etching target substrate 102: etching bath

103 : 노즐파이프 104 : 노즐103: nozzle pipe 104: nozzle

105 : 에칭액 탱크 106 : 에칭액 펌프105: etching solution tank 106: etching solution pump

107 : 제1 배관 108 : 제2 배관107: first pipe 108: second pipe

109 : 단열부(제1 실시예) 109a : 단열부 용기109: Insulation part (1st Example) 109a: Insulation part container

109b : 단열부 리드 110 : 온도측정부109b: thermal insulation lead 110: temperature measuring unit

111 : 염산탱크 112 : 과산화수소탱크111: hydrochloric acid tank 112: hydrogen peroxide tank

113 : 제어부 114 : 단열부(제2 실시예)113: control unit 114: heat insulation unit (second embodiment)

115 : 수관 116 : 온수탱크115: water pipe 116: hot water tank

117 : 단열조117: heat insulation tank

Claims (8)

피에칭기판을 이송하는 이송부;A transfer unit for transferring the etching target substrate; 상기 이송부에 의해 이송된 피에칭기판을 에칭하는 에칭조;An etching bath for etching the etching target substrate transferred by the transfer unit; 상기 에칭조에 에칭액을 공급하는 에칭액 탱크; 및An etchant tank for supplying an etchant to the etching bath; And 상기 에칭조를 감싸되 상기 에칭조의 온도를 유지시키는 단열부;A heat insulating part surrounding the etching bath to maintain a temperature of the etching bath; 를 포함하는 기판의 에칭장치.Etching apparatus for a substrate comprising a. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 단열부는 상기 단열부 내부의 온도를 측정하는 온도측정부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 에칭장치.The insulating part includes a temperature measuring part for measuring the temperature inside the insulating part. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 단열부는 적어도 일면이 투명 또는 반투명하게 처리된 것을 특징으로 하는 기판의 에칭장치.At least one surface of the heat insulating part is transparent or semitransparently treated. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 단열부는, The heat insulation unit, 상면이 개방된 단열부 용기; 및A heat insulation container having an open top surface; And 상기 단열부 용기의 상부에 형성되는 단열부 리드;A heat insulation lead formed on an upper portion of the heat insulation container; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 에칭장치.Etching apparatus for a substrate comprising a. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 에칭조는, 상기 피에칭기판으로부터 이격되도록 상기 피에칭기판의 양면에 설치되되, 상기 에칭액 탱크로부터 상기 에칭액을 공급받아 상기 피에칭기판의 표면에 상기 에칭액을 분사하는 노즐이 구비된 노즐파이프를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 에칭장치.The etching bath may be installed on both surfaces of the substrate to be spaced apart from the substrate to be etched, the nozzle including a nozzle pipe receiving the etching solution from the etching solution tank and spraying the etching solution on the surface of the substrate to be etched. Etching apparatus for a substrate, characterized in that. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 노즐 및 상기 노즐파이프는 복수로 구성된 것을 특징으로 하는 기판의 에칭장치.And the nozzle and the nozzle pipe are formed in plural. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 단열부는,The heat insulation unit, 상기 에칭조를 감싸는 단열조; 및An insulation tank surrounding the etching bath; And 상기 단열조에 온수를 공급하는 온수탱크;A hot water tank for supplying hot water to the insulator; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 에칭장치.Etching apparatus for a substrate comprising a. 청구항 7에 있어서,The method of claim 7, 상기 단열조는 내부에 상기 온수가 순환하는 수관이 형성된 것을 특징으로 하는 기판의 에칭장치.The insulator is etching apparatus of the substrate, characterized in that the water pipe is formed in which the hot water circulates.
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