KR20110049114A - 발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 액정표시장치모듈 - Google Patents

발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 액정표시장치모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR20110049114A
KR20110049114A KR1020090105974A KR20090105974A KR20110049114A KR 20110049114 A KR20110049114 A KR 20110049114A KR 1020090105974 A KR1020090105974 A KR 1020090105974A KR 20090105974 A KR20090105974 A KR 20090105974A KR 20110049114 A KR20110049114 A KR 20110049114A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led chip
led
led chips
wire
lead frame
Prior art date
Application number
KR1020090105974A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101623185B1 (ko
Inventor
이영은
이태경
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020090105974A priority Critical patent/KR101623185B1/ko
Publication of KR20110049114A publication Critical patent/KR20110049114A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101623185B1 publication Critical patent/KR101623185B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Abstract

본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 특히 발광다이오드 패키지에 구비되는 다수개의 LED칩의 직렬연결구조에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 LED패키지 내에 구비되는 다수개의 LED칩 중 서로 이웃하는 LED칩을 리드프레임을 통해 서로 직렬로 연결되도록 하는 것이다.
이를 통해 기존에 비해 와이어의 개수를 줄일 수 있어, 와이어 오픈 등의 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 와이어 본딩(bonding)공정에 의해 공정의 효율성이 저하되는 문제점 또한 방지할 수 있다.
LED패키지, 와이어, 직렬연결, LED칩, 백라이트 유닛

Description

발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 액정표시장치모듈{Light emitting diode package and LCD module including the same}
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 특히 발광다이오드 패키지에 구비되는 다수개의 LED칩의 직렬연결구조에 관한 것이다.
최근, 광원으로 소형, 저소비 전력, 고신뢰성 등의 특징을 겸비한 발광다이오드(light emitting diode : LED)의 사용이 증가하고 있다. 이러한 LED는 다양한 조명용도로 활용되고 있는데, 전자제품의 디스플레이부에서부터 각종 표시기구, 차량의 조명 장치 등으로 사용범위가 점차 증가되고 있는 실정이다.
특히, LED는 일반 조명용 형광램프를 대체하기 위하여 백색광을 인위적으로 만들어 내기도 하며, 이렇게 백색광을 구현하는 LED는 LCD(liquid crystal display)의 백라이트 유닛으로서 각광을 받고 있다.
도 1은 백색광을 구현하는 일반적인 LED패키지의 단면도이다.
도시한 바와 같이, LED패키지(10)는 크게 빛을 발하는 LED칩(20)과 형광 체(40) 그리고 이들을 덮는 렌즈(80)를 포함한다.
이들 각각에 대해 자세히 살펴보면 먼저, LED칩(20)은 방열슬러그(60) 상에 안착되며 방열슬러그(60)는 하우징(housing)역할의 케이스(30)에 의해 둘러져 내부에 형광체(40)가 충진되어 있다.
케이스(30)에는 LED칩(20)과 와이어(70) 등을 통해서 전기적으로 연결된 한쌍의 양/음극 전극리드(50a, 50b)가 마련되어 케이스(30) 외부로 노출되어 있다.
그리고 이러한 케이스(30)의 상부로는 LED칩(20)과 형광체(40)를 비롯한 방열슬러그(60)의 반사면과 와이어(70) 등을 덮어 보호함과 동시에 LED칩(20)으로부터 발생된 주출사광의 각도를 제어하는 렌즈(80)가 위치한다.
한쌍의 양/음극 전극리드(50a, 50b)는 외부에 마련된 LED칩(20)의 발광을 위한 작동전류를 공급하는 전류공급수단(미도시)과 전기적으로 연결된다.
이에, LED칩(20)에 전류가 인가되면 빛이 방출되는데, 방출된 빛과 형광체(40)에 의해 발광된 빛이 혼합되어 백색광을 발하게 되고, 백색광은 렌즈(80)를 통해 외부로 출사되게 된다.
한편, 최근 LED패키지(10)는 발광효율을 더욱 향상시키기 위하여, 하나의 LED패키지(10)에 다수개의 LED칩(20)을 구비하는데, 이때, 다수개의 LED칩(20)은 동일한 파장의 광을 방출하거나 또는 서로 다른 파장의 광을 방출하는 LED칩(20)일 수 있다.
그러나, 각각의 LED칩(20)은 전류공급수단으로부터 작동전류를 공급받기 위하여 한쌍의 와이어(70)를 필요로 하게 되므로, 이렇게 하나의 LED패키지(10) 내부 에 다수개의 LED칩(20)이 구비될 경우, 한정된 공간에 많은 수의 와이어(70)를 필요로 함에 따라 와이어(70)의 오픈(open) 불량 등의 문제점을 야기하게 된다.
또한, LED칩(20)과 와이어(70)는 납땜 등의 본딩(bonding)공정을 통해 연결되는데, 이러한 본딩공정은 매우 까다로워, 공정의 효율성을 저하시키게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 고효율을 갖는 LED패키지를 제공하고자 하는 것을 제 1 목적으로 한다.
특히, LED칩과 와이어의 본딩(bonding) 공정 시 발생할 수 있는 문제점들을 방지하고자 하는 것을 제 2 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 전도성기판 상에 순차적으로 제 1 반도체층, 활성층, 제 2 반도체층 그리고 전극층으로 구성되는 수직형(vertical) 제 1 및 제 2 LED칩과; 상기 제 1 및 제 2 LED칩이 안착되며, 상기 제 1 및 제 2 LED칩을 전기적으로 직렬연결시키는 리드프레임과; 상기 리드프레임을 두르며, 내부에 형광체가 충진되는 케이스와; 상기 케이스의 상부에 위치하며, 상기 제 1 및 제 2 LED칩과 상기 리드프레임을 덮어 보호하는 렌즈를 포함하는 LED패키지를 제공한다.
상기 제 1 및 제 2 LED칩 중 하나는 제 1 와이어를 통해 전원과 연결되며, 나머지 하나는 제 2 와이어를 통해 접지전원과 연결되며, 상기 제 1 및 제 2 반도체층은 n형 GaN층 또는 p형 GaN층으로 이루어지며, 상기 제 1 LED칩의 상기 제 1 반도체층은 n형 GaN층으로 이루어지며 상기 제 2 반도체층은 p형 GaN층으로 이루어지는 p-top 수직형 이며, 상기 제 2 LED칩의 제 1 반도체층은 p형 GaN층으로 이루어지며 상기 제 2 반도체층은 n형 GaN층으로 이루어지는 n-top 수직형이다.
그리고, 상기 제 2 LED칩에 이웃하는 제 3 LED칩을 더욱 포함하며, 상기 제 3 LED칩은 상기 제 1 LED칩과 동일한 전극층으로 이루어지며, 상기 제 3 LED칩은 상기 제 2 LED칩과 제 3 와이어를 통해 서로 전기적으로 연결된다.
또한, 상기 제 1 및 제 3 LED칩 중 하나는 제 1 와이어를 통해 전원과 연결되며, 나머지 하나는 제 2 와이어를 통해 접지전원과 연결되며, 상기 제 3 LED칩은 제 2 리드프레임상에 안착되어 전기적으로 연결되며, 상기 리드프레임은 제 2 와이어를 통해 전원 또는 접지전원과 연결된다.
그리고, 상기 제 1 내지 제 3 LED칩은 청색LED칩이며, 상기 형광체는 황색형광체이며, 상기 제 1 내지 제 3 LED칩은 UVLED칩이며, 상기 형광체는 적(R), 녹(G), 청색(B)의 형광체이며, 상기 제 1 내지 제 3 LED칩은 RGBLED칩이며, 상기 형광체는 UV형광체이다.
또한 본 발명은 LED패키지를 포함하는 액정표시장치모듈에 있어서, 사각테 형상의 서포트메인과; 상기 서포트메인에 의해 둘러지는 백라이트 유닛과; 상기 백라이트 유닛 상에 안착되는 액정패널과; 상기 서포트메인 배면과 밀착되어 구성되 는 커버버툼과; 상기 액정패널 가장자리를 테두리하며 상기 서포트메인 및 커버버툼에 조립 결합되는 탑커버를 포함하는 액정표시장치모듈을 제공한다.
위에 상술한 바와 같이, 본 발명은 LED패키지 내에 구비되는 다수개의 LED칩 중 서로 이웃하는 LED칩을 리드프레임을 통해 서로 직렬로 연결되도록 함으로써, 이를 통해 기존에 비해 와이어의 개수를 줄일 수 있어, 와이어 오픈 등의 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 와이어 본딩(bonding)공정에 의해 공정의 효율성이 저하되는 문제점 또한 방지할 수 있는 효과가 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 LED칩의 단면구조를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 2b는 다수의 LED칩이 서로 직렬연결된 모습을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 LED칩(100)은 실질적으로 빛을 발하는 부분으로서 정공(hole)을 제공하는 p형 반도체층과 전자(electron)를 제공하는 n형 반도체층의 순방향 접합으로 이루어진다.
LED칩(100)에 대해 좀더 자세히 살펴보면, LED칩(100)은 전도성기판(110) 상 에 순차적으로 제 1 반도체층(120), 활성층(140), 제 2 반도체층(130) 그리고 전극층(150)으로 구성된다. 여기서, 제 1 반도체층(120) 및 제 2 반도체층(130)은 n형 GaN층 및 p형 GaN층이 될 수 있으며, 또는 p형 GaN층 및 n형 GaN층이 될 수도 있다.
이에, 제 2 반도체층(130)이 n형 GaN층일 경우, 제 2 반도체층(130)의 상부에 형성되는 전극층(150)은 n형 전극층으로 이루어지며, 제 2 반도체층(130)이 p형 GaN층일 경우, 전극층(150)은 p형 전극층으로 이루어진다.
여기서, 활성층(140)은 GaN 계열 단일 양자 우물구조(single quantum well : SQW)나 다중 양자 우물구조(multi quantum well : MQW)일 수 있으며 또한 이들의 초격자(supper lattice : SL) 등의 양자구조로, 이와 같은 활성층(140)의 양자구조는 GaN 계열의 다양한 물질을 조합하여 이루어질 수 있고 일예로 AlGaN, AllGaN, InGaN 등이 사용될 수 있다.
이러한 활성층(140)에 전계가 인가되었을 때, 전자-정공 쌍의 결합에 의하여 빛이 발생하게 된다.
따라서, 이러한 LED칩(100)은 n형 GaN층을 통해 들어오는 전자와 P형 GaN층을 통해 들어오는 정공이 활성층(140)에서 결합하여 빛을 방출하게 된다.
이러한 LED칩(100)은 하나의 전극은 상단면상에 있고 다른 하나의 전극은 하단면상에 위치하는 수직형(vertical) LED칩이라 한다.
이에, 제 1 반도체층(120)이 n형 GaN층으로 이루어지고 제 2 반도체층(130)이 p형 GaN층으로 이루어질 경우 p-top 수직형 LED칩이라 하며, 제 1 반도체 층(120)은 p형 GaN층으로 이루어지고 제 2 반도체층(130)이 n형 GaN층으로 이루어질 경우 n-top 수직형 LED칩이라 정의한다.
따라서, 제 1 반도체층(120)은 전도성기판(110)을 통해 외부의 전류공급수단(미도시)과 연결된 전극리드(미도시)와 전기적으로 연결되어 전원(+)을 공급받으며, 제 2 반도체층(130)은 전극층(150)에 연결된 와이어(미도시)를 통해 접지전원(-)을 공급받아 빛을 발생하게 된다.
여기서, 전원(+)을 제 2 반도체층(130)으로 공급할 수도 있으며, 접지전원(-)을 제 1 반도체층(120)으로 공급하는 것 또한 가능하다.
한편, 이러한 LED칩(100)은 발광효율을 더욱 향상시키기 위하여, 하나의 LED패키지 내부에 다수개 구비하는데, 이렇게 구비된 다수개의 LED칩(100)은 서로 직렬연결된다.
이에, 도 2b에 도시한 바와 같이 직렬연결된 다수개의 LED칩(100a, 100b)은 리드프레임(220)을 통해 서로 전기적으로 연결되며, 이의 양단부가 각각 전원(+) 및 접지전원(-)에 연결된다.
따라서, 다수개의 LED칩(100a, 100b)은 리드프레임(220)을 통해 서로 전기적으로 연결됨으로써, 기존에 비해 LED칩(100a, 100b)으로 전류를 공급하기 위한 와이어(160)의 개수를 줄일 수 있다.
일예로 2개의 LED칩(100a, 100b)을 직렬연결 할 경우 본 발명의 LED패키지는 LED칩(100a, 100b)으로 전류를 공급하기 위한 와이어(160)는 양단에 전원(+) 및 접지전원(-)에 연결될 2개만이 필요하게 된다.
즉, 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)은 리드프레임(220)을 통해 서로 전기적으로 연결되는데, 이에 제 1 LED칩(100a)로 전원(+)이 인가되면, 리드프레임(200)은 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)으로 전원(+)에 비해 낮은 전압을 공급하게 되고, 제 2 LED칩(100b)으로는 리드프레임(200)을 통해 공급되는 전압에 비하여 더 낮은 전압이 공급되도록 하는 것이다.
이를 통해 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)은 서로 직렬로 연결되어 발광하게 된다.
따라서, 본 발명의 LED패키지는 2개의 LED칩(100a, 100b)을 직렬연결하는 과정에서 전원(+)과 접지전원(-)을 인가받을 수 있는 2개의 와이어(160)만을 필요로 하게 되는 것이다.
여기서, 기존의 다수개의 LED칩(100a, 100b)을 직렬연결하는 구조에 대해 알아보면, 기존의 다수개의 LED칩(100a, 100b)은 각각 전원(+) 및 접지전원(-)에 연결되어야 함으로써 각각 한쌍의 와이어를 필요로 하게 된다.
따라서, 2개의 LED칩(100a, 100b)을 구동하기 위해서는 적어도 4개의 와이어를 필요로 하게 된다.
이에, 본 발명의 LED패키지는 2개의 LED칩(100a, 100b)을 구동하기 위해 2개의 와이어(160)만을 필요로 함으로써, 기존에 비해 와이어(160)의 개수를 줄일 수 있어, 와이어(160)의 오픈(open) 불량 등의 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 와이어(160) 본딩공정에 의해 공정의 효율성이 저하되는 문제점 또한 방지할 수 있다.
이때, 리드프레임(220)을 통해 서로 전기적으로 연결되는 서로 이웃하는 LED칩(100a, 100b) 각각의 제 1 및 제 2 반도체층(120a, 130a, 120b, 130b)을 서로 엇갈려 구성하는 것을 특징으로 한다.
즉, 제 1 LED칩(100a)의 제 1 반도체층(120a)이 n형 GaN층으로 그리고 제 2 반도체층(130b)이 p형 GaN층으로 이루어질 경우, 제 1 LED칩(100a)에 이웃한 제 2 LED칩(100b)의 제 1 반도체층(130a)은 p형 GaN층으로 이루어지며 제 2 반도체층(120b)은 n형 GaN층으로 이루어지도록 하는 것이다.
이에, 각 LED칩(100a, 100b)의 전극층(150a, 150b)은 제 2 반도체층(130b, 120b)에 대응하여 그 특성이 결정되므로, 제 1 LED칩(100a)의 전극층(150a)은 p형 전극층으로 이루어지며, 제 2 LED칩(100b)의 전극층(150b)은 n형 전극층으로 이루어지게 된다.
또한, 제 1 LED칩(100a)의 전도성기판(110)이 제 1 반도체층(120a)인 n형 GaN층으로 전류를 공급하는 n형 전극층의 역할을 하도록 하며, 제 2 LED칩(100b)의 전도성기판(110)은 제 1 반도체층(130a)인 p형 GaN층으로 전류를 공급하는 p형 전극층의 역할을 하도록 하는 것이다.
따라서, 제 1 LED칩(100a)로 전원(+)이 인가되면, 제 1 LED칩(100a)의 상단면상에 위치하는 p형 전극층은 양극(+)을 띄게 되고, 제 1 LED칩(100a)의 하단면상에 위치하는 전도성기판(110)은 음극(-)을 띄게 된다.
그리고, 제 2 LED칩(100b)으로 접지전원(-)이 인가되면 제 2 LED칩(100b)의 상단면상에 위치하는 n형 전극층은 음극(-)을 띄게 되고, 제 2 LED칩(100b)의 하단면상에 위치하는 전도성기판(110)은 양극(+)을 띄게 된다.
따라서, 리그프레임(220)은 음극(-)과 양극(+)을 띄게 됨으로써, 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)은 서로 직렬연결되어, 각각의 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)은 발광하게 된다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다수의 LED칩을 포함하는 LED패키지의 단면구조이다.
도시한 바와 같이, LED패키지(200)는 크게 빛을 발하는 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)과 이를 덮는 렌즈(210)를 포함한다.
보다 구체적으로 먼저 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)은 서로 직렬연결되는데, 각각의 LED칩(100a, 100b)은 전도성기판(도 2b의 110) 상에 순차적으로 제 1 반도체층(도 2b의 120a, 130a), 활성층(도 2b의 140), 제 2 반도체층(도 2b의 130b, 120b) 그리고 전극층(도 2b의 150a, 150b)으로 구성된다.
이때, 서로 이웃하는 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b) 각각의 제 1 및 제 2 반도체층(도 2b의 120a, 130a, 130b, 120b)은 서로 엇갈려 구성된다.
이러한 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)은 리드프레임(220) 상에 안착되어 전기적으로 연결되는데, 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)은 리드프레임(220)을 통해 서로 직렬연결되어 발광하게 된다.
이때, 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)은 리드프레임(220)과 전도성 페이스트(미도시)를 통해 접착된다.
이러한 리드프레임(220)은 방열슬러그(260) 상에 안착되는데, 이는 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)의 발광 시에 수반되는 고온의 열을 외부로 전도 배출하는 부분으로서 금속으로 이루어진다.
다음으로 이러한 방열슬러그(260)는 하우징(housing)역할의 케이스(230)에 의해 둘러져 내부에 형광체(240)가 충진되어 있다.
그리고, 케이스(230)에는 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)과 각각 와이어(160)를 통해서 전기적으로 연결된 양극(+) 및 음극(-)리드(250a, 250b)가 마련되어 외부로 노출되어 있다.
이때, 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)의 발광을 위한 전원(+)과 접지전원(-)을 공급하는 전류공급수단(미도시)이 외부에 마련되어, 양극 및 음극리드(250a, 250b)와 전기적으로 연결된다.
그리고 이러한 케이스(230)의 상부로는 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)을 비롯한 리드프레임(220)과 와이어(160) 등을 덮어 보호함과 동시에 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)으로부터 발생된 주출사광의 각도를 제어하는 렌즈(210)가 위치한다.
렌즈(210)는 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b) 각각으로부터 발생된 빛의 방사각을 제어하며, 구면 유형별로 방사각 140ㅀ정도를 나타내는 돔 형상의 하이-돔 에미터(high dome Emitter) 타입, 방사각 110ㅀ정도를 나타내며 하이-돔 에미터 타입에 비해 낮은 돔 형상을 나타내는 로우-돔 에미터(Low Dome Emitter) 타입 또는 빛의 방사각을 높이기 위해 크라운(crown) 형상으로 이루어져 200ㅀ정도의 방사각 을 나타내는 사이드 에미터(Side Emitter) 타입 등 목적에 따라서 그 형태는 자유로울 수 있다.
여기서, 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)이 청색LED칩일 경우 형광체(240)는 황색형광체로써, 황색형광체는 530 ~ 570nm파장을 주파장으로 하는 세륨(Ce)이 도핑된 이트륨(Y) 알루미늄(Al) 가넷인 YAG:Ce(T3Al5O12:Ce)계열 형광체를 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)이 UVLED칩일 경우 형광체(240)는 적(R), 녹(G), 청색(B)의 삼색의 형광체로 이루어지며, 적(R), 녹(G), 청색(B)의 형광체(240)의 배합비를 조절함으로써 발광색을 선택할 수 있다.
이때, 적색(R)의 형광체는 611nm 파장을 주파장으로 하는 산화이트륨(Y2O3)과 유로피움(EU)의 화합물로 이루어진 YOX(Y2O3:EU)계열 형광체이며, 녹색(G)의 형광체는 544nm 파장을 주파장으로 하는 인산(Po4)과 란탄(La)과 테르븀(Tb)의 화합물인 LAP(LaPo4:Ce,Tb)계열 형광체이며, 청색(B)의 형광체는 450nm 파장을 주파장으로 하는 바륨(Ba)과 마그네슘(Mg)과 산화알루미늄 계열의 물질과 유로피움(EU)의 화합물인 BAM blue(BaMgAl10O17:EU)계열 형광체를 사용하는 것이 바람직하다.
여기서 주파장이란 적(R), 녹(G), 청색(B) 각각에서 가장 높은 휘도를 발생하는 파장을 그 형광체의 주 파장이라고 한다.
이에, 제 1 LED칩(100a)으로 양극리드(250a)와 연결된 와이어(160)를 통해 전원(+)이 인가되면, 리드프레임(220)을 통해 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)으로 전원(+)에 비해 낮은 전압을 공급하게 되고, 제 2 LED칩(100b)으로는 리드프레임(220)을 통해 공급되는 전압에 비해 더욱 낮은 접지전원(-)이 공급됨으로써, 이를 통해 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)은 서로 직렬로 연결되어 발광하게 된다.
이렇게 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)으로부터 방출되는 빛의 일부는 렌즈(210) 내벽의 형광체(240)를 여기시켜, 형광체(240)에 의해 발광된 빛과 혼합되어 백색광을 발하게 되고, 백색광은 렌즈(210)를 통해 외부로 출사되게 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 LED패키지(200)는 서로 이웃하는 LED칩(100a, 100b)을 리드프레임(220)을 통해 서로 직렬로 연결되도록 함으로써, 기존에 비해 와이어(160)의 개수를 줄일 수 있어, 와이어(160) 오픈 등의 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 와이어(160) 본딩공정에 의해 공정의 효율성이 저하되는 문제점 또한 방지할 수 있다.
한편, 이렇게 와이어(160)의 개수를 줄일 수 있는 효과는 LED칩(100a, 100b)의 개수가 늘어날수록 보다 극대화시킬 수 있는데, 즉, 3개의 LED칩을 LED패키지(200)에 실장할 경우, 기존의 LED칩 직렬연결 구조는 적어도 6개의 와이어를 필요로 하나, 본 발명의 LED칩 직렬연결 구조는 3개의 와이어만을 필요하게 된다.
이에 대해 도 4를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.
도 4는 RGB LED칩을 포함하는 LED패키지의 단면구조를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 5는 RGB LED칩의 직렬연결된 구조를 도시한 단면도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, LED패키지(200)는 크게 빛을 발하는 제 1 내지 제 3 LED칩(100a, 100b, 100c)을 포함하는데, 제 1 내지 제 3 LED칩(100a, 100b, 100c)은 각각이 R(red), G(green), B(blue) 컬러광을 발하는 LED칩으로, LED패키지(200) 내에서 일정규칙에 따라 배열하여 색섞임(color mixing)에 의한 백색광을 구현하게 된다.
여기서, 도 5를 참조하여 제 1 내지 제 3 LED칩(100a, 100b, 100c)의 직렬연결된 구조에 대해 자세히 살펴보면, 제 1 내지 제 3 LED칩(100a, 100b, 100c)은 서로 직렬연결되는데, 각각의 LED칩(100a, 100b, 100c)은 전도성기판(110) 상에 순차적으로 제 1 반도체층(120a, 130a, 120c), 활성층(140), 제 2 반도체층(130b, 120b, 130c) 그리고 전극층(150a, 150b, 150c)으로 구성된다.
이때, 제 1 내지 제 3 LED칩(100a, 100b, 100c) 각각의 제 1 및 제 2 반도체층(120a, 130a, 130b, 120b, 120c, 130c)은 서로 엇갈려 구성된다.
즉, 제 1 LED칩(100a)의 제 1 반도체층(120a)이 n형 GaN층으로 그리고 제 2 반도체층(130b)이 p형 GaN층으로 이루어질 때, 제 1 LED칩(100a)에 이웃하는 제 2 LED칩(100b)의 제 1 반도체층(130a)은 p형 GaN층으로 그리고 제 2 반도체층(120b)이 n형 GaN층으로 이루어지며, 제 2 LED칩(100b)에 이웃하는 제 3 LED칩(100c)의 제 1 반도체층(120c)은 n형 GaN층으로 그리고 제 2 반도체층(130c)은 p형 GaN층으로 이루어지도록 하는 것이다.
이에, 각 LED칩(100a, 100b, 100c)의 전극층(150a, 150b, 150c)은 제 2 반도체층(130b, 120b, 130c)에 대응하여 그 특성이 결정되므로, 제 1 LED칩(100a)의 전극층(150a)은 p형 전극층으로 이루어지며, 제 2 LED칩(100b)의 전극층(150b)은 n형 전극층으로 이루어지며, 제 3 LED칩(100c)의 전극층(150c)은 다시 p형 전극층으로 이루어진다.
이때, 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)은 제 1 리드프레임(220a) 상에 안착되어 각각 제 1 리드프레임(220a)과 전기적으로 연결되며, 제 3 LED칩(100c)은 제 1 리드프레임(220a)과 절연된 제 2 리드프레임(220b) 상에 안착되어 전기적으로 연결된다.
그리고, 제 2 LED칩(100b)과 제 3 LED칩(100c)은 와이어(160)를 통해 서로 전기적으로 연결된다.
따라서, 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)은 제 1 리드프레임(220a)을 통해 서로 직렬연결되며, 제 2 LED칩(100b)과 제 3 LED칩(100c)은 와이어(160)를 통해 서로 직렬연결된다.
따라서, 기존의 3개의 LED칩(100a, 100b, 100c)은 각각 전원(+) 및 접지전원(-)에 연결되기 위하여 각각 한쌍의 와이어를 필요로 함으로써, 총 적어도 6개의 와이어를 필요로 하나, 본 발명의 LED패키지(200)는 3개의 LED칩(100a, 100b, 100c)을 구동하기 위해 3개의 와이어(160)만을 필요로 한다.
즉, 2개의 LED칩(100a, 100b)을 직렬연결하는 경우 기존에 비해 2개의 와이어(160) 개수를 줄일 수 있으나, 3개의 LED칩(100a, 100b, 100c)을 직렬연결하는 경우 기존에 비해 3개의 와이어(160) 개수를 줄일 수 있는 것이다.
이를 통해, 와이어(160)의 개수를 줄일 수 있는 효과는 LED칩(100a, 100b, 100c)의 개수가 늘어날수록 더욱 극대화됨을 알 수 있다.
이때, 제 1 및 제 2 LED칩(100a, 100b)은 제 1 리드프레임(220a)과 전도성 페이스트(미도시)를 통해 접착되며, 제 3 LED칩(100c) 또한 제 2 리드프레임(220b)과 전도성 페이스트(미도시)를 통해 접착된다.
이러한 제 1 및 제 2 리드프레임(220a, 220b)은 방열슬러그(260) 상에 안착되며, 이러한 방열슬러그(260)는 하우징(housing)역할의 케이스(230)에 의해 둘러져 내부에 형광체(240)가 충진되어 있다.
그리고, 케이스(230)에는 제 1 내지 제 3 LED칩(100a, 100b, 100c)과 각각 와이어(160)를 통해서 전기적으로 연결된 양극(+) 및 음극(-)리드(250a, 250b)가 마련되어 외부로 노출되어 있다.
이때, 제 1 내지 제 3 LED칩(100a, 100b, 100c)의 발광을 위한 전원(+) 및 접지전원(-)을 공급하는 전류공급수단(미도시)이 외부에 마련되어, 양극 및 음극리드(250a, 250b)와 전기적으로 연결된다.
그리고 이러한 케이스(230)의 상부로는 제 1 내지 제 3 LED칩(100a, 100b, 100c)을 비롯한 제 1 및 제 2 리드프레임(220a, 220b)과 와이어(160) 등을 덮어 보호함과 동시에 제 1 내지 제 3 LED칩(100a, 100b, 100c)으로부터 발생된 주출사광의 각도를 제어하는 렌즈(210)가 위치한다.
여기서, 제 1 내지 제 3 LED칩(100a, 100b, 100c)은 각각 R(red), G(green), B(blue) 컬러광을 발하는 LED칩으로, 형광체(240)는 UV형광체를 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 도면상에 도시하지는 않았지만 이렇게 와이어의 개수를 줄일 수 있는 효과는 LED칩의 개수가 짝수로 이루어질 경우 더욱 극대화된다.
즉, LED칩이 4개가 구비될 경우에도 와이어는 LED칩이 3개가 구비될 경우와 마찬가지로 3개의 와이어만을 필요로 하게 된다.
이는 제 1 및 제 2 LED칩이 하나의 리드프레임을 통해 서로 전기적으로 연결되며, 제 3 및 제 4 LED칩 또한 또다른 하나의 리드프레임을 통해 서로 전기적으로 연결되도록 하며, 제 2 LED칩과 제 3 LED칩을 와이어를 통해 서로 전기적으로 연결되도록 할 수 있기 때문이다.
즉, 와이어의 개수를 줄일 수 있는 효과는 LED칩의 개수가 늘어날수록 더욱 향상되며 특히, LED의 개수가 짝수로 구비될 경우 더욱 극대화시키게 된다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 LED패키지를 포함하는 액정표시장치모듈의 분해 사시도를 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 액정표시장치모듈은 액정패널(310)과 백라이트 유닛(320) 그리고 서포트메인(330)과 커버버툼(350), 탑커버(340)로 구성된다.
먼저 액정패널(310)은 화상표현의 핵심적인 역할을 담당하는 부분으로서, 액정층을 사이에 두고 서로 대면 합착된 제 1 기판(312) 및 제 2 기판(314)을 포함한다.
이때, 능동행렬 방식이라는 전제 하에 비록 도면상에 나타나지는 않았지만 통상 하부기판 또는 어레이기판이라 불리는 제 1 기판(312) 내면에는 다수의 게이트라인과 데이터라인이 교차하여 화소(pixel)가 정의되고, 각각의 교차점마다 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)가 구비되어 각 화소에 형성된 투명 화소 전극과 일대일 대응 연결되어 있다.
그리고 상부기판 또는 컬러필터기판이라 불리는 제 2 기판(314) 내면으로는 각 화소에 대응되는 일례로 적(R), 녹(G), 청(B) 컬러의 컬러필터(color filter) 및 이들 각각을 두르며 게이트라인과 데이터라인 그리고 박막트랜지스터 등의 비표시요소를 가리는 블랙매트릭스(black matrix)가 구비된다. 또한, 이들을 덮는 투명 공통전극이 마련되어 있다.
그리고 제 1, 제 2 기판(312, 314)의 외면으로는 특정 빛만을 선택적으로 투과시키는 편광판(319a, 319b)이 각각 부착된다.
또한 이 같은 액정패널(310)의 적어도 일 가장자리를 따라서는 연성회로기판 이나 테이프케리어패키지(tape carrier package : TCP) 같은 연결부재(미도시)를 매개로 인쇄회로기판(미도시)이 연결되어 모듈화 과정에서 서포트메인(330)의 측면 내지는 커버버툼(350) 배면으로 적절하게 젖혀 밀착된다.
이에 상술한 구조의 액정패널(310)은 스캔 전달되는 게이트구동회로의 온/오프 신호에 의해 각 게이트라인 별로 선택된 박막트랜지스터가 온(on) 되면 데이터구동회로의 신호전압이 데이터라인을 통해서 해당 화소전극으로 전달되고, 이에 따른 화소전극과 공통전극 사이의 전기장에 의해 액정분자의 배열방향이 변화되어 투과율 차이를 나타낸다.
아울러 본 발명에 따른 액정표시장치모듈에는 액정패널(310)이 나타내는 투과율의 차이가 외부로 발현되도록 이의 배면에서 빛을 공급하는 백라이트 유닛(320)이 구비된다.
백라이트 유닛(320)은 LED 어셈블리(329)와, 백색 또는 은색의 반사판(325)과, 이러한 반사판(325) 상에 안착되는 도광판(323) 그리고 이의 상부로 개재되는 다수의 광학시트(321)를 포함한다.
앞서 말한 LED 어셈블리(329)는 도광판(323)의 입광부와 대면하도록 도광판(323)의 일측에 위치하며, 이러한 LED 어셈블리(329)는 LED패키지(200)와, 이의 LED패키지(200)가 일정 간격 이격하여 장착되는 PCB(329b)를 포함한다.
이때, 각각의 LED패키지(200)는 다수개의 수직형(vertical) LED칩(도 5의 100a, 100b, 100c)을 포함하며, 이러한 다수개의 LED칩(도 5의 100a, 100b, 100c)은 직렬연결되는 것을 특징으로 한다.
특히, 다수개의 LED칩(도 5의 100a, 100b, 100c) 중 일부는 리드프레임(도 5의 220a, 220b)을 통해 직렬연결됨에 따라 기존에 비해 LED칩(도 5의 100a, 100b, 100c)으로 전류를 공급하기 위한 와이어(도 5의 160)의 개수를 줄일 수 있다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 하나의 LED패키지(200) 내부에 제 1 및 제 2 LED칩(도 5의 100a, 100b)이 구비될 경우, 제 1 및 제 2 LED칩(도 5의 100a, 100b)은 양단이 전원(+) 및 접지전원(-)에 각각 와이어(도 5의 160)를 통해 연결되며, 이때 제 1 및 제 2 LED칩(도 5의 100a, 100b)은 하나의 리드프레임(도 5의 220a) 상에 안착되어 전기적으로 접촉된다.
이에 제 1 LED칩(도 5의 100a)으로 와이어(도 5의 160)를 통해 전원(+)이 인가되면, 제 1 LED칩(도 5의 100a)으로 인가된 전원(+)은 리드프레임(도 5의 220a)을 통해 제 2 LED칩(도 5의 100b)으로 인가되고, 이를 통해 제 1 및 제 2 LED칩(도 5의 100a, 100b)은 발광하게 된다.
따라서, 기존에는 2개의 LED칩(도 5의 100a, 100b)을 구동하기 위해서는 적어도 4개의 와이어(도 5의 160)를 필요로 하였으나, 본 발명의 LED패키지(200)는 2개의 LED칩(도 5의 100a, 100b)을 구동하기 위하여 2개의 와이어(도 5의 160)만이 필요함으로서, 와이어(도 5의 160)의 오픈(open) 불량 등의 문제점이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 또한, 와이어(도 5의 160) 본딩공정에 의해 공정의 효율성이 저하되는 문제점 또한 방지할 수 있다.
그리고, 비록 도면상에 나타나지는 않았지만 일반적인 액정표시장치에는 LED 어셈블리(329)의 온/오프(on/off)를 제어하는 백라이트구동회로(미도시)가 탑재되며, 이들은 통상 커버버툼(350) 배면으로 밀착되어 전체적인 사이즈를 최소화한다.
도광판(323)은 LED패키지(200)로부터 입사된 빛이 여러번의 전반사에 의해 도광판(323) 내를 진행하면서 도광판(323)의 넓은 영역으로 골고루 퍼져 액정패널(310)에 면광원을 제공한다.
이러한 도광판(323)은 균일한 면광원을 공급하기 위해 배면에 특정 모양의 패턴을 포함할 수 있다.
반사판(325)은 도광판(323)의 배면에 위치하여, 도광판(323)의 배면을 통과한 빛을 액정패널(310) 쪽으로 반사시킴으로써 빛의 휘도를 향상시킨다.
도광판(323) 상부의 다수의 광학시트(321)는 확산시트와 적어도 하나의 집광시트 등을 포함하며, 도광판(323)을 통과한 빛을 확산 또는 집광하여 액정패널(310)로 보다 균일한 면광원이 입사 되도록 한다.
이러한 액정패널(310)과 백라이트 유닛(320)은 탑커버(340)와 서포트메인(330) 그리고 커버버툼(350)을 통해 모듈화 되는데, 탑커버(340)는 액정패널(310)의 상면 및 측면 가장자리를 덮도록 단면이"ㄱ"형태로 절곡된 사각테 형상으로, 탑커버(340)의 전면을 개구하여 액정패널(310)에서 구현되는 화상을 표시하도록 구성한다.
또한, 액정패널(310) 및 백라이트 유닛(320)이 안착하여 액정표시장치모듈 전체 기구물 조립에 기초가 되는 커버버툼(350)은 사각모양의 하나의 판 형상으로 이의 네 가장자리를 소정높이 수직 절곡하여 구성한다.
또한, 이러한 커버버툼(350) 상에 안착되며 액정패널(310) 및 백라이트 유닛(320)의 가장자리를 두르는 사각의 테 형상의 서포트메인(330)이 탑커버(340)와 커버버툼(350)과 결합된다.
여기서, 탑커버(340)는 케이스탑 또는 탑 케이스라 일컬어지기도 하고, 서포트메인(330)은 가이드패널 또는 메인서포트, 몰드프레임이라 일컬어지기도 하며, 커버버툼(350)은 버텀커버라 일컬어지기도 한다.
본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
도 1은 백색광을 구현하는 일반적인 LED패키지의 단면도.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 LED칩의 단면구조를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2b는 다수의 LED칩이 서로 직렬연결된 모습을 개략적으로 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다수의 LED칩을 포함하는 LED패키지의 단면구도.
도 4는 RGB LED칩을 포함하는 LED패키지의 단면구조를 개략적으로 도시한 단면도.
도 5는 RGB LED칩의 직렬연결된 구조를 도시한 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 LED패키지를 포함하는 액정표시장치모듈의 분해 사시도.

Claims (11)

  1. 전도성기판 상에 순차적으로 제 1 반도체층, 활성층, 제 2 반도체층 그리고 전극층으로 구성되는 수직형(vertical) 제 1 및 제 2 LED칩과;
    상기 제 1 및 제 2 LED칩이 안착되며, 상기 제 1 및 제 2 LED칩을 전기적으로 직렬연결시키는 리드프레임과;
    상기 리드프레임을 두르며, 내부에 형광체가 충진되는 케이스와;
    상기 케이스의 상부에 위치하며, 상기 제 1 및 제 2 LED칩과 상기 리드프레임을 덮어 보호하는 렌즈
    를 포함하는 LED패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 LED칩 중 하나는 제 1 와이어를 통해 전원과 연결되며, 나머지 하나는 제 2 와이어를 통해 접지전원과 연결되는 LED패키지.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 반도체층은 n형 GaN층 또는 p형 GaN층으로 이루어지며, 상기 제 1 LED칩의 상기 제 1 반도체층은 n형 GaN층으로 이루어지며 상기 제 2 반 도체층은 p형 GaN층으로 이루어지는 p-top 수직형 이며, 상기 제 2 LED칩의 제 1 반도체층은 p형 GaN층으로 이루어지며 상기 제 2 반도체층은 n형 GaN층으로 이루어지는 n-top 수직형인 LED패키지.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 LED칩에 이웃하는 제 3 LED칩을 더욱 포함하며, 상기 제 3 LED칩은 상기 제 1 LED칩과 동일한 전극층으로 이루어지는 LED패키지.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 3 LED칩은 상기 제 2 LED칩과 제 3 와이어를 통해 서로 전기적으로 연결되는 LED패키지.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 3 LED칩 중 하나는 제 1 와이어를 통해 전원과 연결되며, 나머지 하나는 제 2 와이어를 통해 접지전원과 연결되는 LED패키지.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 3 LED칩은 제 2 리드프레임상에 안착되어 전기적으로 연결되며, 상기 리드프레임은 제 2 와이어를 통해 전원 또는 접지전원과 연결되는 LED패키지.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 3 LED칩은 청색LED칩이며, 상기 형광체는 황색형광체인 LED패키지.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 3 LED칩은 UVLED칩이며, 상기 형광체는 적(R), 녹(G), 청색(B)의 형광체인 LED패키지.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 제 3 LED칩은 RGBLED칩이며, 상기 형광체는 UV형광체인 LED패키지.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 하나의 LED패키지를 포함하는 액정표시장치모듈에 있어서,
    사각테 형상의 서포트메인과;
    상기 서포트메인에 의해 둘러지는 백라이트 유닛과;
    상기 백라이트 유닛 상에 안착되는 액정패널과;
    상기 서포트메인 배면과 밀착되어 구성되는 커버버툼과;
    상기 액정패널 가장자리를 테두리하며 상기 서포트메인 및 커버버툼에 조립 결합되는 탑커버
    를 포함하는 액정표시장치모듈.
KR1020090105974A 2009-11-04 2009-11-04 발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 액정표시장치모듈 KR101623185B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090105974A KR101623185B1 (ko) 2009-11-04 2009-11-04 발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 액정표시장치모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090105974A KR101623185B1 (ko) 2009-11-04 2009-11-04 발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 액정표시장치모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110049114A true KR20110049114A (ko) 2011-05-12
KR101623185B1 KR101623185B1 (ko) 2016-05-20

Family

ID=44360305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090105974A KR101623185B1 (ko) 2009-11-04 2009-11-04 발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 액정표시장치모듈

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101623185B1 (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130013956A (ko) * 2011-07-29 2013-02-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 표시장치
KR20130046516A (ko) * 2011-10-28 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치
KR20130050185A (ko) * 2011-11-07 2013-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치
KR20130053173A (ko) * 2011-11-15 2013-05-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛
KR20130055058A (ko) * 2011-11-17 2013-05-28 엘지디스플레이 주식회사 퀀텀 로드를 구비한 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3663843B1 (en) 2014-12-03 2022-02-23 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device and display device using the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100649704B1 (ko) * 2005-09-05 2006-11-27 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130013956A (ko) * 2011-07-29 2013-02-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 표시장치
KR20130046516A (ko) * 2011-10-28 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치
KR20130050185A (ko) * 2011-11-07 2013-05-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치
KR20130053173A (ko) * 2011-11-15 2013-05-23 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛
KR20130055058A (ko) * 2011-11-17 2013-05-28 엘지디스플레이 주식회사 퀀텀 로드를 구비한 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR101623185B1 (ko) 2016-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102546307B1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN102144307B (zh) 发光二极管封装件和具有该发光二极管封装件的背光单元
JP6151753B2 (ja) 発光装置及びこれを含む表示装置
JP5045166B2 (ja) 光源装置及び液晶表示装置
US20110001693A1 (en) Backlight unit for liquid crystal display device
KR20110038191A (ko) 엘이디 백라이트 유닛 및 이를 이용한 액정표시장치
JP2002171000A (ja) 半導体発光装置およびそれを用いた発光表示装置
JP2006190957A (ja) 白色発光装置及び該白色発光装置を用いるバックライトモジュール
KR101623185B1 (ko) 발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 액정표시장치모듈
US8226257B2 (en) Backlight unit and display including the same
KR20110127888A (ko) 발광다이오드 및 이를 이용한 액정표시장치
TWI539621B (zh) Ｌｅｄ封裝件及具有其之背光單元
US20200124786A1 (en) Display devices using led backlight units and led packages for the backlight units
CN112271239B (zh) 发光二极管和背光式显示装置
KR101896684B1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101711166B1 (ko) 발광 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
JP2007274009A5 (ko)
KR101667791B1 (ko) 발광다이오드 및 이를 포함하는 액정표시장치
KR101757751B1 (ko) 엘이디 어셈블리 및 이를 포함하는 액정표시장치
JP7005817B2 (ja) 線状発光装置及び面状発光装置
KR101744873B1 (ko) 액정표시장치
KR20160080486A (ko) 발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
CN117293251A (zh) 一种高色域led背光器件及背光模组
KR101942253B1 (ko) 형광체 및 이를 구비한 발광 다이오드 패키지
KR20120024014A (ko) 백라이트 유닛 및 액정표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee