KR20110038516A - Photomask adjusting transmission and method for adjusting transmission in photomask - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 포토마스크의 투과율 재조정 방법 및 투과율이 조정된 포토마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a method for readjusting the transmittance of a photomask and a photomask in which the transmittance is adjusted.
포토마스크 또는 이 중 하프톤 마스크를 형성하는 공정은 반도체, LCD 공정의 단순화라는 장점과 더불어 마스크 제조의 추가공정을 요하게 되어 마스크 제조 시의 추가공정으로 인한 공정의 증가를 가져오는 단점을 수반하고 있다. 즉, 마스크 제조상 결함이나 핀 홀(Pin Hole) 등의 결함이 존재 시, 이를 수리하여 사용하게 되는 데, 반투과부에 형성된 결함을 리페어하는 경우, 적정한 투과율을 조정하여 인접 비결함부위의 반투과부와 동등한 수준의 빛을 통과하게 하여 최종 잔막의 두께를 균일하게 유지해야 한다. 즉, 하프톤 마스크의 반투과층에 핀 홀 등의 결점이 발생하면, 반투과부를 통과하는 광의 투과량이 달라지게 되며, 광의 투과량이 달라지면 포토마스크를 사용하여 포토레지스트나 유기 절연막 제조 시에, 위치별 노광 에너지가 달라지므로, 위치별 잔막 두께가 요철을 형성하여 균일한 잔막 두께를 얻기가 어려워진다. 이렇게 단차가 형성되게 되면, 드라이 에칭, 에싱 등의 후 공정에서 원치 않는 부위를 오픈시켜 불량을 발생하게 되는바, 반투과부에 대한 결함부분에 대한 리페어가 요청되게 된다.The process of forming a photomask or a halftone mask has the disadvantage of simplifying the semiconductor and LCD process, and requires an additional process of mask manufacturing, which leads to an increase of processes due to the additional process of mask manufacturing. . In other words, when defects such as defects in manufacturing masks or defects such as pin holes exist, repairing them is used. When repairing defects formed on the transflective part, the transmissive part of the adjacent non-defective part is adjusted by adjusting an appropriate transmittance. Pass the same level of light to keep the thickness of the final residual film uniform. In other words, if a defect such as a pinhole occurs in the semi-transmissive layer of the halftone mask, the amount of light passing through the semi-transmissive portion is changed, and if the amount of light is transmitted, the photomask is used to manufacture the photoresist or organic insulating layer. Since the exposure energy for each star varies, it becomes difficult to obtain a uniform residual film thickness by forming the uneven film thickness by position. When the step is formed in this way, a defect is generated by opening an undesired part in a post-etch process such as dry etching or ashing, and a repair of a defective part for the transflective part is required.
이러한 리페어 처리를 위해서 인접 반투과부의 투과율과 동등한 수준을 맞추기 위해, 종래에는 레이저를 이용한 반투과부의 리페어는 적용하지 못하였으며, 불량부를 제거하고, 반투과부의 국소부분을 e-beam 방식을 이용하여 미세 바이너리 (binary pattern)을 증착해 미세 패턴의 회절 현상을 이용하는 방법이 수행되어 왔다.In order to meet the level equivalent to the transmittance of the adjacent semi-transmissive part for such repair process, the repair of the semi-permeable part using a laser was not applied in the past, the defective part was removed, and the local part of the semi-permeable part was removed using the e-beam method. A method of depositing fine binary patterns and using diffraction phenomenon of fine patterns has been performed.
그러나 반투과물질을 이용하는 포토마스크의 투과율 조절 리페어 작업은 투과율의 조절이 필요한 공정에서 매우 다양하게 요청되고 있는 실정이다. 비단 불량부가 발생한 반투과부의 리페어를 통해 원래 설정된 투과율로 재보정하는 작업뿐만 아니라, 고객사의 요청으로 제작완료된 포토마스크의 투과율을 공정 완료 중간 또는 그 후에 투과율을 높이거나 낮추길 요청하는 사례가 빈번함에 따라, 이에 따른 재작업으로 인한 공정시간, 비용 등의 손실이 극심하게 되므로, 이를 효율적으로 조절할 수 있는 공정에서도 투과율 리페어 공정이 필요하게 되는 실정이다.However, the repair of the transmittance control of the photomask using the semi-permeable material is required in a variety of processes in the process that needs to control the transmittance. In addition to recalibrating to the originally set transmittance through the repair of the semi-permeable part where silk defects occurred, as well as requesting to increase or decrease the transmittance of the photomask produced at the request of the customer during or after the process is frequently As a result, the loss of process time, cost, etc. due to the rework is severe, and therefore, a transmittance repair process is required even in a process capable of efficiently controlling the same.
본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 포토마스크의 투과율을 재조정하여 포토마스크의 결함영역을 리페어 하거나 투과율을 증가 또는 감소시킨 투과율재조정 포토마스크를 형성할 수 있도록 하여 포토마스크의 재제작 없이 투과율이 보정된 포토마스크를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to adjust the transmittance of the photomask to form a transmittance readjusted photomask which repairs a defective area of the photomask or increases or decreases the transmittance. The present invention provides a photomask having a corrected transmittance without remanufacturing a photomask.
상술한 과제를 해결하기 위한 수단으로, 본 발명에 따른 투과율 조절방법은 기판상에 광차단부, 광투과부, 반투과부로 형성되는 포토마스크의 투과율을 조절하는 공정에 있어서, 투과율조절영역에 투과율조절패턴을 형성하여 보정 투과율을 형성하는 1단계; 상기 투과율조절패턴 상에 2차투과율조절막을 도포하여 목적(target) 투과율을 형성하는 2단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.As a means for solving the above problems, the transmittance control method according to the present invention, in the step of adjusting the transmittance of the photomask formed of the light blocking portion, the light transmitting portion, the semi-transmissive portion on the substrate, transmittance control in the transmittance control region Forming a pattern to form a corrected transmittance; Forming a target transmittance by applying a second transmittance control film on the transmittance control pattern; Characterized in that comprises a.
특히, 구체적으로 상기 1단계의 상기 투과율조절패턴은 상기 투과율조절영역에 보정패턴을 형성하여 투과율을 높이는 단계로 형성함이 바람직하다.In particular, the transmittance control pattern of the first step is preferably formed by increasing the transmittance by forming a correction pattern in the transmittance control region.
또한, 상기 1단계의 보정패턴은 적어도 1 이상의 미세슬릿패턴, 모자이크형 패턴, 홀패턴 중 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합 패턴으로 형성할 수 있다.In addition, the correction pattern of the first step may be formed of any one or a combination of at least one of the fine slit pattern, the mosaic pattern, and the hole pattern.
또한, 본 발명에서의 상기 2단계의 2차투과율조절막은, Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주원소로 하여 이들 중 적어도 2 이상이 혼합된 복합물질이거나, 상기 주원소 에 COx, Ox, Nx 중 적어도 어느 하나를 포함시킨 물질로 형성시킬 수 있다. (단, x는 자연수이다.)In addition, the second transmittance control film of the second step in the present invention is a composite material in which at least two or more of these are mixed with Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al as main elements, or CO x in the main elements. It may be formed of a material containing at least one of, O x , N x . (Where x is a natural number)
본 발명에 따른 투과율조절방법을 적용할 수 있는 대상인 상기 투과율조절영역은 광차단부 또는 반투과부일 수 있다.The transmittance control region, to which the transmittance control method according to the present invention is applicable, may be a light blocking part or a semi-transmissive part.
상술한 투과율조절방법을 이용하여 형성된 포토마스크는 다음과 같은 구조로 형성될 수 있다.The photomask formed using the above-described transmittance control method may be formed in the following structure.
구체적으로는, 기판상에 광차단부, 광투과부 및 반투과부 중 적어도 어느 하나 이상의 영역에, 패턴의 배치밀도에 따라 투과율을 조절하는 투과율조절패턴을 구비하는 투과율조절영역을 구비하며, 상기 투과율조절영역의 상부에는 2차투과율조절막이 형성되는 것을 특징으로 하는 투과율 재조정 포토마스크를 구성할 수 있다.Specifically, in the at least one region of the light blocking portion, the light transmitting portion and the semi-transmissive portion on the substrate is provided with a transmittance adjusting region having a transmittance adjusting pattern for adjusting the transmittance according to the placement density of the pattern, the transmittance adjustment The transmittance readjustment photomask, which is characterized in that the secondary transmittance adjustment film is formed on the upper portion of the region.
특히, 상술한 구조에서의 상기 2차투과율조절막이 도포 되는 투과율조절영역은, 투과율조절패턴이 형성된 영역의 높이(T1)가 투과율조절패턴이 형성되지 않은 영역의 높이(T2)이 보다 더 두꺼운 것을 특징으로 한다.In particular, in the above-described structure, in the transmittance adjusting region to which the secondary transmittance adjusting film is applied, the height T 1 of the region where the transmittance adjusting pattern is formed is higher than the height T 2 of the region where the transmittance adjusting pattern is not formed. It is characterized by a thick.
아울러 투과율조절패턴이 형성된 영역의 높이(T1)와 투과율조절패턴이 형성되지 않은 영역의 높이(T2)의 차이는 0.5*T3 ≤(T1-T2)≤1.5*T3 이내의 범위에서 형성될 수 있다.(단, T3는 투과율 조절영역내의 반투과부의 두께이다.) In addition, the difference between the height T 1 of the region where the transmittance control pattern is formed and the height T 2 of the region where the transmittance control pattern is not formed is within 0.5 * T 3 ≤ (T 1 -T 2 ) ≤1.5 * T 3 . (T3 is the thickness of the transflective portion in the transmittance control region.)
상술한 구조의 투과율이 재조정된 포토마스크의 상기 2차투과율조절막은, Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주원소로 하여 이들 중 적어도 2 이상이 혼합된 복합물질이거나, 상기 주원소에 COx, Ox, Nx 중 적어도 어느 하나를 포함시킨 물질로 형성할 수 있음은 상술한 바와 같다(단, x는 자연수이다.).The secondary transmittance control film of the photomask having the readjusted transmittance of the above structure is a composite material in which at least two or more of them are mixed with Cr, Si, Mo, Ta, Ti, and Al as main elements, or It can be formed from a material containing at least any one of CO x , O x , and N x , as described above (where x is a natural number).
본 발명에 따르면, 포토마스크의 투과율을 재조정하여 포토마스크의 결함영역을 리페어 하거나 투과율을 재조정한 투과율재조정 포토마스크를 형성할 수 있도록 하여 포토마스크의 재제작 없이 투과율이 보정된 포토마스크를 제공할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to provide a photomask having a corrected transmittance without remanufacturing the photomask by adjusting the transmittance of the photomask to repair a defective area of the photomask or to form a readjusted photomask having a readjusted transmittance. It has an effect.
특히, 투과율을 조절을 패턴밀도를 조절하여 보정투과율을 형성함과 동시에 2차 투과율조절물질을 적층 하여 제2의 투과율을 형성함으로써, 범용적인 투과율조절방법이 구현될 수 있는 장점이 있다.In particular, by adjusting the transmittance to adjust the pattern density to form a correction transmittance and at the same time by laminating the secondary transmittance control material to form a second transmittance, there is an advantage that a universal transmittance control method can be implemented.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation of the present invention. In the description with reference to the accompanying drawings, the same components are given the same reference numerals regardless of the reference numerals, and duplicate description thereof will be omitted. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
본 발명은 포토마스크의 투과율을 재조정하는 방법을 미세패턴을 통한 1차적 인 투과율조절과 반투과물질을 적층 하여 2차적으로 조절하는 방법을 통해 결함부위의 투과율보정뿐만 아니라 완성된 물품의 투과율의 재조정을 수행할 수 있도록 하는 것을 그 요지로 한다.The present invention provides a method of re-adjusting the transmittance of the photomask through the method of adjusting the primary transmittance through the micropattern and the secondary adjustment by laminating the semi-permeable material, as well as the correction of the transmittance of the finished article as well as the correction of the transmittance of the defective part. The point is to make it possible.
도 1은 포토마스크의 일반적인 구조를 도시한 것이다.1 illustrates a general structure of a photomask.
본 발명에 따른 포토마스크는 일반적으로 하프톤 마스크를 포함하는 것으로, 투명기판(100)상에 광을 완전차단시키는 차광부(P)와 광을 완전투과시키는 광투과부(Q), 그리고 원하는 패턴을 형성하기 위하여 일정한 광을 투과하도록 조절하는 반투과부(R, S)를 포함하여 형성될 수 있다.The photomask according to the present invention generally includes a halftone mask, and includes a light blocking portion P for completely blocking light, a light transmitting portion Q for completely transmitting light, and a desired pattern on the
상기 차광부(P)는 투명기판(100) 상에 하나의 차광물질(100)을 형성시키거나, 복수의 층을 적층 하는 구조로 형성시킬 수 있다. 상기 차광물질은 자외선 등의 노광을 차단할 수 있는 재질로 Cr 또는 CrxOy로 구성된 막으로 형성할 수 있다(x, y는 자연수).The light blocking part P may form one
상기 반투과부(R, S)는 일반적으로 광을 일부 투과시킬 수 있는 물질로 형성되는 것으로, 각 반투과부는 투과율을 다르게 조절할 수 있으며, 이는 반투과물질층의 두께를 조절하거나 물질을 조절하여, R 영역은 A%, S 영역은 B %와 같이 투과율을 달리 조절할 수 있다.The semi-transmissive portions (R, S) is generally formed of a material that can partially transmit light, and each transflective portion may adjust the transmittance differently, which is by adjusting the thickness of the semi-transparent material layer or adjusting the material, The transmittance may be adjusted differently, such as A% in the R region and B% in the S region.
이러한 구조의 포토마스크에서는 반투과영역에 결함이 생기는 경우에는 패턴 결함으로 이어져 제품의 신뢰성을 크게 손상시키며, 또는 완제품 단계에서 포토마스크에 대한 투과율의 재조정을 고객 측에서 요구시 이를 재제작하여야 하는 문제 가 발생함을 상술한 바와 같다.In the photomask having such a structure, a defect in the transflective area leads to a pattern defect, which greatly impairs the reliability of the product, or a problem in which a re-adjustment of the transmittance for the photomask is required at the customer's end in the finished product stage. Is generated as described above.
도 2a 내지 도 2b는 본 발명에 따른 포토마스크의 투과율 재조정 방법을 도시한 공정도이다.2A to 2B are process charts illustrating a method for readjusting the transmittance of a photomask according to the present invention.
도 2a를 참조하여 본 발명에 따른 공정을 설명하면, 우선 반투과영역(R, S)의 투과율을 재조정하는 공정을 진행하기 위해 S 영역의 투과율은 A%, R영역의 투과율은 B%라고 가정한다(5%≤A, B≤80%).Referring to FIG. 2A, the process according to the present invention will first be described. First, it is assumed that the transmittance of the S region is A% and the transmittance of the R region is B% in order to proceed with the process of readjusting the transmittance of the semi-transmissive regions R and S. (5% ≤A, B≤80%).
투과율을 재조정하기 위해서 본 발명은 투과율을 조절하고 싶은 영역(S, R)인 투과율조절영역에 투과율조절패턴을 형성하여 보정 투과율을 형성하는 1단계와 상기 투과율조절패턴 상에 2차투과율조절막을 도포하여 목적(target) 투과율을 형성하는 2단계를 포함하는 공정이 진행되는 것을 특징으로 한다.In order to readjust the transmittance, the present invention forms a transmittance control pattern in a transmittance adjusting region, which is a region (S, R) in which the transmittance is to be adjusted, to form a corrected transmittance and to apply a second transmittance control film on the transmittance control pattern. In this case, a process including two steps of forming a target transmittance is performed.
상기 1단계는, 도시된 것과 같이, 투과율조절영역을 구비한 포토마스크를 준비하고(S 1단계), 다음으로 투과율조절영역에 반투과물질막으로 형성되는 반투과부를 패터닝하여 미세슬릿패턴 등의 보정패턴을 형성하여 투과율조절패턴(121, 122)을 형성한다(S 2단계). 투과율 조절패턴이 형성되면 원래의 투과율A, B는 그 투과율이 소정부분 증가하여 C%, D%로 각각 증가한다. 이 경우 상기 투과율조절패턴(121, 122)은 균일한 규칙패턴일 수도 있으나, 투과율에 따라 슬릿의 폭을 다양하게 형성할 수 있음은 물론이다. 일례로 상기 보정패턴은 적어도 1 이상의 미세슬릿패턴, 모자이크형 패턴, 홀패턴 중 선택되는 어느 하나 또는 이들의 조합 패턴으로 구현할 수 있다. 이처럼 보정패턴으로 형성되는 투과율조절패턴은 종래의 투과율보다 약간 증가하는 것이 일반적이며, 이를 통해 일차적으로 투과율을 보정할 수 있다.In the first step, as shown, preparing a photomask having a transmittance control region (step S1), and then patterning a semi-transmissive portion formed of a semi-transmissive material film in the transmittance control region, such as a fine slit pattern A correction pattern is formed to form
다음으로, 상기 투과율 조절패턴의 형성된 투과율조절영역 상에 2차투과율조절막(130))을 도포하여 형성한다(S 3단계). 상기 2차투과율조절막을 도포하여 목적으로 하는 목적(target)투과율을 구현할 수 있게 된다. 즉 투과율의 증가뿐만 아니라 감소의 작업도 자유로이 구현할 수 있게 된다. 이를 테면, 원래의 투과율 A, B%에서 보정패턴을 통해 투과율조절패턴으로 구현하게 되면, 투과율조절영역은 C, B%로 일정부분 투과율이 증가하게 되고, 이후 투과율을 재조정하기 위하여 반투과물질로 형성되는 2차투과율조절막을 형성하여 A+α,B+β%로 투과율을 재조정할 수 있게 된다(S 4단계). Next, the second
즉 본 제조방법의 특이점은 전체적인 포토마스크의 핀 홀 등의 결함부위를 제거하고 단순하게 투과율을 재조정하는 구조가 아니라, 투과율의 재조정의 필요한 영역(정상영역 포함)에 미세패턴을 형성하여 1차적으로 투과율을 조절한 뒤, 2차적으로 반투과막을 형성하여 새로운 투과율을 가진 완제품으로 구현이 가능하다는 점에서 그 제조공정상의 특이성이 있다 할 것이다.That is, the singularity of this manufacturing method is not a structure that removes defects such as pinholes of the entire photomask and simply readjusts the transmittance, but forms a micropattern in a region (including a normal region) necessary for readjustment of transmittance. After controlling the transmittance, there is a specificity in the manufacturing process in that the semi-permeable membrane can be secondarily formed into a finished product having a new transmittance.
S 4단계의 투과율재조정이 완료된 포토마스크의 경우, 투과율조절영역은 1차 투과율조절패턴 상에 2차투과율조절막이 적층된 구조로 형성되게 된다. 이 경우 1차 투과율조절패턴의 패턴 간격(X, X')은 필요에 따라 조절하여 미세한 투과율 조절을 가능하게 하고, 반투과물질막을 구현하여 전체적인 투과율 조절이 가능하게 포토마스크를 재구성할 수 있게 된다.In the case of the photomask in which the transmittance readjustment of step S4 is completed, the transmittance adjusting region is formed in a structure in which a second transmittance adjusting film is laminated on the first transmittance adjusting pattern. In this case, the pattern spacing (X, X ') of the first transmittance control pattern is adjusted as necessary to enable fine transmittance control, and a semi-transmissive material film can be implemented to reconstruct the photomask to control the overall transmittance. .
특히, 도 2b를 참조하여 보면, 본 발명에서의 상기 2차투과율조절막이 도포 되는 투과율조절영역은, 도시된 것과 같이 투과율조절패턴이 형성된 영역의 높이(T1)가 투과율조절패턴이 형성되지 않은 영역의 높이(T2)이 보다 더 두꺼운 구조로 형성됨이 바람직하다. 구체적인 일실시예로서는 투과율조절패턴이 형성된 영역의 높이(T1)와 투과율조절패턴이 형성되지 않은 영역의 높이(T2)의 차이는 0.5*T3 ≤(T1-T2)≤1.5*T3 이내의 범위내에서 조절될 수 있다.(단, T3는 투과율 조절영역내의 반투과부의 두께이다.)In particular, referring to Figure 2b, the transmittance adjusting region to which the secondary transmittance adjustment film is applied in the present invention, the height T 1 of the region where the transmittance control pattern is formed as shown in the transmittance adjustment pattern is not formed It is preferable that the height T 2 of the region is formed in a thicker structure. As a specific embodiment, the difference between the height T 1 of the region where the transmittance control pattern is formed and the height T 2 of the region where the transmittance control pattern is not formed is 0.5 * T 3 ≤ (T 1 -T 2 ) ≤1.5 * T It can be adjusted within the range of 3 (where T3 is the thickness of the transflective portion in the transmittance control region).
본 발명에서 사용되는 반투과부의 두께는 일반적으로 30~200Å의 범위에서 형성이 가능하며, 2차투과율조절막의 두께도 30~200Å로 형성할 수 있으며, 이 경우에는 투과율조절패턴이 형성된 영역의 높이(T1)는 60~400Å, 투과율조절패턴이 형성되지 않은 영역의 높이(T2)는 30~200Å, 이 두 높이간의 차이(T1-T2)는 30~200Å의 범위에서 형성될 수 있다.The semi-transmissive part used in the present invention can be generally formed in the range of 30 ~ 200Å, the thickness of the secondary transmittance control film can also be formed in 30 ~ 200Å, in this case the height of the region where the transmittance control pattern is formed (T 1 ) is 60 ~ 400Å, the height (T 2 ) of the region where the transmittance control pattern is not formed is 30 ~ 200Å, the difference between the two height (T 1 -T 2 ) can be formed in the range of 30 ~ 200Å. have.
또한, 상기 2차투과율조절막은, Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주원소로 하여 이들 중 적어도 2 이상이 혼합된 복합물질이거나, 상기 주원소에 COx, Ox, Nx 중 적어도 어느 하나를 포함시킨 물질로 형성시킬 수 있다(단, x는 자연수이다.). 아울러 상기 2차 투과율 조절막은 투과율조절패턴과 동일한 물질 또는 상이한 물질로 형성할 수도 있다.In addition, the secondary transmittance control film is a composite material in which at least two or more of these are mixed with Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al as main elements, or CO x , O x , N x in the main elements. It can be formed from a material containing at least one (where x is a natural number). In addition, the secondary transmittance control film may be formed of the same material or different materials as the transmittance control pattern.
도 3은 본 발명에 따른 투과율 재조정방법에 의해 재구성된 포토마스크의 일 례를 도시한 것이다.3 shows an example of a photomask reconstructed by the transmittance readjustment method according to the present invention.
도시된 구조를 참조하여 보면, 본 발명은 투명기판상에 광차단부, 광투과부 및 반투과부 중 적어도 어느 하나 이상의 영역에, 패턴의 배치밀도에 따라 투과율을 조절하는 투과율조절패턴(L, M, N)을 적어도 1 이상 구비하는 투과율조절영역을 구비하며, 상기 투과율조절영역의 상부에는 2차투과율조절막(H1, H2, H3, H4)이 형성된 구조를 구비할 수 있다. 특히 도시된 것처럼 투과율조절패턴은 미세슬릿구조(L), 모자이크패턴구조(M), 홀패턴구조(N) 등으로 구현될 수 있으며, 이들의 조합구조로 구현할 수 있음은 상술한 바와 같다.Referring to the illustrated structure, the present invention provides a transmittance control pattern (L, M,) for adjusting the transmittance in at least one region of the light blocking portion, the light transmitting portion, and the semi-transmissive portion on the transparent substrate according to the placement density of the pattern. N) at least one having a transmittance adjusting region, and the upper portion of the transmittance adjusting region may have a structure in which the secondary transmittance adjusting membranes (H1, H2, H3, H4) is formed. In particular, as shown, the transmittance control pattern may be implemented as a fine slit structure (L), a mosaic pattern structure (M), a hole pattern structure (N), and the like, as described above.
또한, 상술한 제조공정에서의 2차투과율조절막의 성분을 Cr, Si, Mo, Ta, Ti, Al을 주원소로 하여 이들 중 적어도 2 이상이 혼합된 복합물질이거나, 상기 주원소에 COx, Ox, Nx 중 적어도 어느 하나를 포함시킨 물질로 형성시킬 수 있음은 상술한 바와 같다. 또한, 투과율조절영역의 형성구조는 도 2의 S 4단계의 구조에서 설명한 바와 같다.In the above-described manufacturing process, the secondary transmittance control film may be made of Cr, Si, Mo, Ta, Ti, and Al as a main element, and at least two or more of them may be mixed or CO x , As described above, it may be formed of a material containing at least one of O x and N x . In addition, the formation structure of the transmittance control region is as described in the structure of step S4 of FIG.
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 기술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. The technical idea of the present invention should not be limited to the embodiments of the present invention but should be determined by the equivalents of the claims and the claims.
도 1은 포토마스크의 일반적인 구조를 도시한 것이다.1 illustrates a general structure of a photomask.
도 2a 내지 도 2b는 본 발명에 따른 포토마스크의 투과율 재조정 공정도 및 요부를 확대한 개념도이다.2A to 2B are enlarged conceptual views of a process and readjustment of the transmittance of the photomask according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 투과율 재조정 포토마스크의 일 적용례를 도시한 예시도이다.3 is an exemplary view showing an application example of a transmittance readjusted photomask according to the present invention.
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