KR20110035463A - 광 산란 방식 입자 측정 장치 - Google Patents

광 산란 방식 입자 측정 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광 산란 방식 입자 측정 장치에 관한 것으로, 측정 챔버에 반사 미러를 장착하여 광 검출부로 수광되는 산란광의 양을 증가시킴과 동시에 반사 미러에 의한 반사 산란광이 입사광의 초점 영역을 통과하지 않도록 구성함으로써, 산란광에 대한 인텐서티의 측정값을 증가시키고 이에 따라 노이즈에 의한 측정 오류를 감소시켜 상대적으로 더욱 작은 크기의 입자를 측정할 수 있고, 입자의 흐름이 집중되는 초점 영역에서 입자에 의해 발생되는 반사 산란광에 대한 간섭이 방지되어 더욱 정확하고 신뢰성이 향상된 측정 결과를 제공하는 광 산란 방식 입자 측정 장치를 제공한다.
광 산란, 입자 측정 장치, 인텐서티, 노이즈, 반사 미러

Description

광 산란 방식 입자 측정 장치{Optical Scattering Type Paticle Measurement Apparatus}
본 발명은 광 산란 방식 입자 측정 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 측정 챔버에 반사 미러를 장착하여 광 검출부로 수광되는 산란광의 양을 증가시킴과 동시에 반사 미러에 의한 반사 산란광이 입사광의 초점 영역을 통과하지 않도록 구성함으로써, 산란광에 대한 인텐서티의 측정값을 증가시키고 이에 따라 노이즈에 의한 측정 오류를 감소시켜 상대적으로 더욱 작은 크기의 입자를 측정할 수 있고, 입자의 흐름이 집중되는 초점 영역에서 입자에 의해 발생되는 반사 산란광에 대한 간섭이 방지되어 더욱 정확하고 신뢰성이 향상된 측정 결과를 제공하는 광 산란 방식 입자 측정 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 공정이나 LCD 공정과 같은 나노 수준의 고도 정밀 공정은 작업 설비 내에 오염 입자가 발생하게 되면, 치명적인 제품 불량으로 이어질 수 있으므로, 고도의 청결 상태가 유지될 수 있도록 클린룸과 같은 청정 설비 내에서 공정이 진행되고 있으며 이러한 설비에서는 오염 입자에 대한 실시간 감시 또한 매우 엄격하게 이루어지고 있다.
따라서, 이러한 설비에서는 설비 내의 오염 입자 측정을 위한 별도의 입자 측정 장치가 사용되고 있으며, 이러한 입자 측정 장치를 통해 실시간으로 설비 내의 특정 챔버에 대한 입자 분포 상태가 측정되고 있다.
이러한 입자 측정 장치는 임의의 측정 챔버 내의 입자의 분포 상태, 즉 입자의 크기 및 개수 등을 측정하는 것으로, 클린룸 설비 이외에도 대기 오염 입자의 분포 상태를 측정하거나 실험실 등에서 특정 입자의 분포 상태를 측정하기 위해 사용되는 등 매우 다양한 분야에 널리 사용되고 있다.
입자 측정 장치의 종류는 측정 가능한 입자의 크기 또는 측정 방식 등에 따라 다양하게 분류되는데, 통상 나노 수준의 입자를 측정하기 위한 입자 측정 장치로는 빛을 이용한 방식으로 광 산란 방식과 광 흡수 방식으로 크게 대별된다.
광 산란 방식은 측정 챔버 내에 광을 입사한 후 측정 챔버 내부 공간에서 유동하는 입자와의 충돌에 의해 발생되는 산란광을 검출하여 입자의 크기 및 개수를 파악하는 방식이고, 광 흡수 방식은 측정 챔버 내에 광을 입사한 후 측정 챔버 내부 공간에서 유동하는 입자에 의해 흡수되는 광량을 검출하여 입자의 크기 및 개수를 파악하는 방식이며, 이 두가지 방식의 입자 측정 장치는 사용자의 필요에 따라 선택적으로 널리 사용되고 있다.
이 중 광 산란 방식의 입자 측정 장치의 원리를 좀 더 자세히 살펴보면, 측정 챔버 내에 하나의 초점을 형성하도록 입사광을 발생시키고, 이러한 입사광과 입사광의 초점 영역을 통과하는 입자와의 충돌에 의해 발생하는 산란광을 검출하여 입자의 크기 및 개수를 측정하게 된다. 이때, 입자의 크기가 0.05μm 내지 4μm 인 경우, 입자의 크기는 입자 크기와 빛의 세기와의 관계를 규명하는 Mie 이론을 적용하여 이론적으로 산출할 수 있는데, 일반적인 광 산란 방식 입자 측정 장치는 이와 같이 이론적으로 산출되는 산란광의 인텐서티와 실제 측정된 산란광의 인텐서티 값을 비교하여 입자의 크기 및 개수를 측정하도록 구성된다.
그러나, 이와 같은 종래 기술에 의한 일반적인 광 산란 방식의 입자 측정 장치는 실제 산란광의 인텐서티 값을 측정하는 과정에서 많은 노이즈가 발생하게 되며, 이러한 노이즈 값이 실제 산란광의 인텐서티 보다 더 크게 발생될 수 있기 때문에, 측정된 인텐서티가 노이즈인지 실제 산란광의 인텐서티인지 구별할 수 없으며, 이로 인해 측정 결과에 오류가 발생하는 문제가 있었다. 특히, Mie 이론을 적용할 수 있는 Mie 영역(입자의 크기가 0.05μm 내지 4μm 인 영역)에서는 입자의 크기가 작을수록 산란광의 인텐서티가 작게 발생될 뿐만 아니라 입자 측정 장치의 구조상 산랑광 중 일부만을 수광하여 검출하기 때문에 산란광의 인텐서티가 더욱 작게 측정되므로, 노이즈에 의한 인텐서티 값의 혼란이 더욱 가중되어 상대적으로 작은 노이즈에 의해서도 측정 결과에 대한 신뢰성이 크게 저하되는 문제가 있었다. 또한, 종래 기술에 의한 광 산란 방식의 입자 측정 장치는 위와 같은 이유로 인해 작은 크기의 입자를 측정할 수 없어 상대적으로 인텐서티 값이 크게 발생하는 큰 입자를 측정하는 경우에만 제한적으로 사용될 수 밖에 없는 문제가 있었다.
본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 발명한 것으로서, 본 발명의 목적은 측정 챔버에 반사 미러를 장착하여 광 검출부로 수광되는 산란광의 양을 증가시킴으로써, 산란광에 대한 인텐서티의 측정값을 증가시키고 이에 따라 노이즈에 의한 측정 오류를 감소시켜 상대적으로 더욱 작은 크기의 입자를 측정할 수 있고, 측정 결과에 대한 신뢰성을 향상시킨 광 산란 방식 입자 측정 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 반사 미러에 의해 반사되어 광 검출부로 수광되는 반사 산란광이 입사광의 초점 영역을 통과하지 않도록 구성됨으로써, 입자의 흐름이 집중되는 초점 영역에서 입자에 의해 발생되는 반사 산란광에 대한 간섭이 방지되어 특성 변화없이 온전한 상태의 반사 산란광이 광 검출부로 수광되며, 이에 따라 더욱 정확한 측정 결과를 제공하는 광 산란 방식 입자 측정 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 광 발생부에 의해 발생되는 입사광의 초점 위치를 측정 챔버 내의 다양하게 변화시킴으로써, 입자 흐름이 집중되는 영역을 스캔할 수 있으며, 이에 따라 측정 챔버 내에서 입자의 분포 상태를 더욱 정확하게 측정할 수 있는 광 산란 방식 입자 측정 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 광 발생부에 대한 광 검출부의 상대 위치를 조절할 수 있도록 구성함으로써, 설치에 요구되는 공간이 감소되어 공간적인 제약이 상 대적으로 완화되고 설치가 용이하며 설치 적용 범위가 더욱 확장되는 광 산란 방식 입자 측정 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은, 산란광을 이용하여 측정 챔버의 내부에서 유동하는 입자의 분포 상태를 측정하는 광 산란 방식 입자 측정 장치에 있어서, 상기 측정 챔버 내에 초점이 형성되도록 입사광을 발생시키는 광 발생부; 상기 입사광과 상기 입사광의 초점 영역을 통과하는 입자와의 충돌에 의해 발생되는 산란광을 수광하여 검출하는 광 검출부; 및 상기 광 검출부에 수광되는 산란광의 양이 증가할 수 있도록 상기 산란광을 상기 광 검출부로 반사하는 반사 미러를 포함하고, 상기 반사 미러는 상기 반사 미러에 의해 반사되는 반사 산란광이 상기 입사광의 초점 영역을 통과하지 않도록 배치되는 것을 특징으로 하는 광 산란 방식 입자 측정 장치를 제공한다.
이때, 상기 광 발생부 및 광 검출부는 입자의 유동 방향에 대한 직각 방향의 동일 평면 상에 위치하도록 배치되고, 상기 반사 미러 및 상기 광 검출부는 입자의 유동 방향에 대한 직각 방향의 서로 다른 평면 상에 위치하도록 배치될 수 있다.
또한, 상기 반사 미러는 상기 반사 미러에 의한 반사 산란광이 상기 입사광의 초점 영역을 입자 유동 방향으로 연장한 직선 영역을 통과하지 않도록 배치될 수 있다.
또한, 상기 입자 측정 장치는 상기 측정 챔버와 연통되어 상기 측정 챔버를 이루며 입자의 유동 방향을 따라 길이를 갖는 중공 형태의 케이스를 더 포함하고, 상기 광 검출부는 입자의 유동 방향에 대한 직각 방향의 평면 상에서 상기 케이스의 외주 둘레를 따라 이동 가능하게 상기 케이스에 장착될 수 있다.
또한, 상기 반사 미러의 반사 각도를 조절할 수 있는 반사 미러 액츄에이터를 더 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기 광 발생부는, 레이저 광을 발생하는 레이저 다이오드; 상기 레이저 다이오드에서 발생된 레이저 광을 포커싱하는 포커싱 렌즈; 상기 포커싱 렌즈를 통과한 입사광을 하나의 초점 영역에 포커싱되도록 반사하는 포커싱 미러; 및 상기 입사광의 초점 위치를 변경할 수 있도록 상기 포커싱 미러의 반사 각도를 조절할 수 있는 포커싱 미러 액츄에이터를 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명에 의하면, 측정 챔버에 반사 미러를 장착하여 광 검출부로 수광되는 산란광의 양을 증가시킴으로써, 산란광에 대한 인텐서티의 측정값을 증가시키고 이에 따라 노이즈에 의한 측정 오류를 감소시켜 상대적으로 더욱 작은 크기의 입자를 측정할 수 있고, 측정 결과에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 반사 미러에 의해 반사되어 광 검출부로 수광되는 반사 산란광이 입사광의 초점 영역을 통과하지 않도록 구성됨으로써, 입자의 흐름이 집중되는 초점 영역에서 입자에 의해 발생되는 반사 산란광에 대한 간섭이 방지되어 특성 변화없이 온전한 상태의 반사 산란광이 광 검출부로 수광되며, 이에 따라 더욱 정확한 측정 결과를 제공하는 효과가 있다.
또한, 광 발생부에 의해 발생되는 입사광의 초점 위치를 측정 챔버 내의 다양하게 변화시킴으로써, 입자 흐름이 집중되는 영역을 스캔할 수 있으며, 이에 따라 측정 챔버 내에서 입자의 분포 상태를 더욱 정확하게 측정할 수 있는 효과가 있다.
또한, 광 발생부에 대한 광 검출부의 상대 위치를 조절할 수 있도록 구성함으로써, 설치에 요구되는 공간이 감소되어 공간적인 제약이 상대적으로 완화되고 설치가 용이하며 설치 적용 범위가 더욱 확장되는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 산란 방식 입자 측정 장치의 개략적인 형상을 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 산란 방식 입자 측정 장치의 내부 구조를 개념적으로 도시하기 위해 도 1의 "A-A"선을 따라 취한 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 산란 방식 입자 측정 장 치의 내부 구조를 개념적으로 도시하기 위해 도 1의 "B-B"선을 따라 취한 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광 산란 방식 입자 측정 장치는 측정 챔버(C)의 내부에서 유동하는 입자와 입사광(I)과의 충돌에 의해 발생하는 산란광(R1)을 검출하여 측정 챔버(C) 내에 존재하는 입자의 분포 상태, 즉 입자의 크기 및 개수를 측정하는 장치로서, 측정 챔버(C)에 연통되게 장착되는 광 발생부(200) 및 광 검출부(300)와, 산란광(R1)을 반사하는 반사 미러(400)를 포함하여 구성된다. 이때, 측정 챔버(C)는 반도체 공정 또는 LCD 공정의 설비인 클린룸 설비 또는 대기 오염도를 측정하기 위한 별도의 케이스 또는 실험실에서 사용되는 각종 실험 기기 등 매우 다양한 기기가 적용될 수 있을 것이다.
광 발생부(200)는 측정 챔버(C)의 내부 공간에 초점(F)이 형성되도록 입사광(I)을 발생시키는 장치로, 측정 챔버(C)에 연통되게 장착되는데, 입사광(I)으로 레이저 광이 적용될 수 있도록 레이저 다이오드(210)와, 레이저 다이오드(210)로부터 발생된 레이저 광을 포커싱하는 포커싱 렌즈(220)를 포함하여 구성된다. 레이저 다이오드(210)로부터 발생된 레이저 광은 일정 크기의 방출 각도를 가지며, 이러한 레이저 광은 포커싱 렌즈(220)를 통해 포커싱되며 측정 챔버(C) 내부 공간의 특정 지점에 초점(F)을 형성한다. 이때, 포커싱 렌즈(220)는 다수개 장착될 수 있으며, 측정 챔버(C)의 종류 및 포커싱 거리 등 측정 조건에 따라 포커싱 렌즈(220)의 개수는 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 입사광(I)의 초점(F) 위치는 도 1에 도시된 바와 같이 측정 챔버(C)의 중앙부에 형성되는 것이 바람직하나, 이와 달리 측정 챔 버(C)의 가장 자리 부분에 형성될 수도 있다. 아울러 본 발명의 일 실시예에 따라 초점(F)의 위치를 변경할 수 있도록 구성될 수도 있는데, 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.
광 검출부(300)는 광 발생부(200)에 의해 발생된 입사광(I)과 입사광(I)의 초점(F) 영역을 통과하는 입자와의 충돌에 의해 발생되는 산란광(R1)을 수광하여 검출한다. 산란광(R1)은 입자로부터 모든 방향으로 발생되기 때문에, 광 검출부(300)는 이러한 산란광(R1)의 일부를 집광하여 검출할 수 있도록 산란광(R1)을 집광하는 집광 렌즈(310)와, 집광 렌즈(310)에 의해 집광된 산란광(R1)을 전송하는 광 섬유(320)와, 광 섬유(320)에 의해 전송된 산란광(R1)을 검출하는 검출 센서(330)를 포함하여 구성된다.
따라서, 입사광(I)이 입자와 충돌하여 산란광(R1)이 발생하면, 산란광(R1) 중 일부는 집광 렌즈(310)에 의해 집광되어 광 섬유(320)를 통해 검출 센서(330)로 전송되며, 검출 센서(330)에 의해 산란광(R1)의 인텐서티가 측정된다. 이와 같이 측정된 산란광(R1)의 인텐서티는 별도의 연산부(미도시)를 통해 Mie 이론을 적용한 이론적인 값과 비교하여 입자의 크기를 연산한다. 또한, 예를 들어 클린룸 설비와 같이 유체의 흐름에 따라 입자가 측정 챔버(C) 내부에서 일정한 방향으로 유동하는 경우, 입자가 입사광(I)의 초점(F) 영역을 통과할 때마다 산란광(R1)이 발생하게 되므로, 연산부는 이러한 산란광(R1) 발생 횟수를 통해 입자의 개수를 연산한다.
한편, 광 발생부(200) 및 광 검출부(300)의 측정 챔버(C)와 연결되는 부분에는 포커싱 렌즈(220) 및 집광 렌즈(310)가 보호될 수 있도록 별도의 진공 윈도 우(500)가 장착되어 측정 챔버(C)로부터 광 발생부(200) 및 광 검출부(300)가 분리 구획되는 것이 바람직하다.
반사 미러(400)는 측정 챔버(C) 내부에 장착되어 산란광(R1)의 일부를 광 검출부(300)로 반사한다. 즉, 산란광(R1)은 전술한 바와 같이 모든 방향으로 발생되는데, 이 중 일부는 직접 광 검출부(300)로 수광되고, 나머지 산란광(R1) 중 일부는 반사 미러(400)에 의해 반사되어 광 검출부(300)로 수광된다. 이때, 반사 미러(400)는 산란광(R1)을 평행광 상태로 반사할 수 있도록 도 2에 도시된 바와 같이 반사면이 곡면을 이루도록 형성되는 것이 바람직하나, 이와 달리 평면을 이루도록 형성될 수도 있을 것이다.
이러한 구조에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 입자 측정 장치는 반사 미러(400)에 의해 산란광(R1)이 추가적으로 광 검출부(300)에 수광되기 때문에, 종래 기술과 비교하여 광 검출부(300)에 수광되는 산란광(R1)의 양이 증가하여 산란광(R1)의 인텐서티 값이 증가하게 되며, 이에 따라 작은 크기의 입자에 대해서도 상대적으로 큰 산란광(R1) 인텐서티 값을 측정할 수 있으므로, 노이즈에 의한 측정 결과의 오류가 감소하게 된다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 입자 측정 장치의 구성을 좀 더 자세히 살펴보면, 입자 측정 장치는 도시되지는 않았으나 클린룸(10)의 외벽에 직접 설치되어 측정 챔버(C)인 클린룸(10) 내부 공간의 입자 크기 및 개수를 측정하는 방식으로 설치될 수도 있으나, 도 1에 도시된 바와 같이 클린룸(10)의 배관(11) 상에 연통되게 장착되어 배관(11)을 따라 유동하는 입자의 크기 및 개수를 측정하는 방 식으로 설치되는 것이 바람직하다. 이 경우 입자 측정 장치는 본 발명의 일 실시예에 따라 배관(11)과 연통되는 별도의 케이스(100)를 더 포함하고, 이러한 케이스(100)에 광 발생부(200), 광 검출부(300) 및 반사 미러(400)가 장착되도록 구성될 수 있다. 케이스(100)는 측정 챔버(C)와 연통되어 측정 챔버(C)를 이루도록 중공 형태로 형성되며, 이러한 케이스(100)의 외측면에 광 발생부(200)와 광 검출부(300)가 각각 장착되며, 케이스(100)의 내측면에 반사 미러(400)가 장착되도록 구성될 수 있다. 이때, 클린룸(10)에서는 설비의 특성에 따라 일정한 방향으로 유체의 흐름이 발생하여 측정 챔버(C) 내의 입자가 유체 흐름에 따라 일정한 방향으로 유동하게 되는데, 케이스(100)는 이러한 입자의 유동 방향을 따라 일정 길이를 갖는 중공 형태로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 케이스(100)에는 광 발생부(200)와 대향하는 위치에 광 발생부(200)로부터 발생된 입사광(I)이 초점(F)을 형성한 후 계속 진행하여 소멸될 수 있도록 광 트랩(600)이 장착된다.
이러한 구조에 따라 광 발생부(200)에 의해 입사광(I)이 하나의 초점(F)을 형성하며 측정 챔버(C) 내로 입사되고, 초점(F) 영역을 통과하는 입자에 의해 입사광(I)이 산란되어 모든 방향으로 산란광(R1)이 발생한다. 이러한 산란광(R1) 중 일부는 광 검출부(300)에 직접 수광되고, 나머지 중 일부는 반사 미러(400)에 의해 반사되어 광 검출부(300)에 수광된다. 이와 같이 광 검출부(300)에는 직접 수광된 산란광(R1) 뿐만 아니라 반사 미러(400)를 통해 반사되어 수광되는 반사 산란광(R2) 또한 추가로 수광되기 때문에, 전술한 바와 같이 산란광(R1)의 양이 증가하여 검출 센서(330)에 의해 검출되는 산란광(R1)의 인텐서티가 증가하게 된다. 따라 서, 종래 기술에 비하여 상대적으로 작은 입자에 대해서도 산란광(R1)의 인텐서티가 증가하여 노이즈에 의한 측정 오류가 상대적으로 감소하게 되며, 이에 따라 더 작은 입자에 대해서도 그 크기 및 개수를 측정할 수 있다. 한편, 반사 미러(400)는 광 검출부(300)로 수광되는 반사 산란광(R2)의 양이 증가할 수 있도록 다수개 장착되거나 그 크기가 크게 형성될 수 있으며, 이는 설치 조건에 따라 다양하게 변경할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 입자 측정 장치는 이러한 반사 미러(400)에 의해 반사되어 광 검출부(300)로 수광되는 반사 산란광(R2)이 입사광(I)의 초점(F) 영역을 통과하지 않도록 반사 미러(400)가 배치된다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이 반사 미러(400)가 광 검출부(300)와 입자 유동 방향에 대한 직각 방향의 동일 평면상에 위치하는 경우, 반사 미러(400)는 광 검출부(300)와 대향하는 지점으로부터 케이스(100)의 내측면을 따라 일정 거리 이격된 위치에 장착되어 반사 산란광(R2)이 입사광(I)의 초점(F) 영역을 통과하지 않고 광 검출부(300)에 수광되도록 구성된다.
이러한 구조에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 입자 측정 장치는 반사 미러(400)에 의한 반사 산란광(R2)과 광 검출부(300)에 직접 수광되는 산란광(R1)과의 간섭이 최소화되며, 특히, 반사 산란광(R2)이 입사광(I)의 초점(F) 영역을 통과하는 입자에 의한 간섭없이 광 검출부(300)에 온전하게 수광됨으로써, 더욱 정확한 측정 결과를 얻을 수 있다.
좀 더 자세히 살펴보면, 일반적으로 측정 챔버(C) 내에 유체의 흐름이 발생 하게 되면, 측정 챔버(C) 내의 입자는 유체의 흐름을 따라 측정 챔버(C) 내의 중앙부를 통과하는 흐름의 양상을 나타내는데, 이러한 특성에 따라 입사광(I)의 초점(F)이 형성되는 위치는 입자의 흐름이 집중적으로 나타나는 측정 챔버(C)의 중앙부에 형성되는 것이 바람직하며, 또한, 반사 미러(400)에 의한 반사 산란광(R2)은 입자에 의한 간섭을 회피하기 위해 이러한 초점(F) 영역을 통과하지 않도록 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 입자 측정 장치는 입자의 흐름이 집중되는 입사광(I)의 초점(F) 영역을 반사 산란광(R2)이 통과하지 않도록 구성되기 때문에, 입자에 의해 발생되는 반사 산란광(R2)에 대한 간섭이 상대적으로 감소되어 더욱 정확한 측정 결과를 얻을 수 있다.
한편, 광 발생부(200)와 광 검출부(300)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 입자의 유동 방향에 대한 직각 방향의 동일 평면 상에 위치하며 서로 직각을 이루도록 배치되는 것이 바람직하며, 이에 따라 입자를 통과한 입사광(I)과 산란광(R1)이 서로 간섭되지 않기 때문에, 산란광(R1)이 간섭에 의한 변화없이 광 검출부(300)로 온전하게 수광되어 더욱 정확한 측정 결과를 얻을 수 있다. 또한, 이러한 광 검출부(300)는 본 발명의 일 실시예에 따라 입자의 유동 방향에 대한 직각 방향의 평면을 따라 이동 가능하게 케이스(100)에 장착될 수 있는데, 이에 대한 상세한 내용은 후술한다.
또한, 이러한 구성에 더하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 미러(400)와 광 검출부(300)는 입자의 유동 방향에 대한 직각 방향의 서로 다른 평면 상에 위치하도록 배치되는 것이 바람직하다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이 반사 미러(400)의 위치가 광 검출부(300)의 위치와 비교하여 입자 유동 방향을 따라 하류 측에 위치하도록 배치될 수 있으며, 이러한 배치를 통해 반사 미러(400)의 반사 산란광(R2)이 입사광(I)의 초점(F) 영역을 통과하지 않음과 동시에 광 검출부(300)에 직접 수광되는 산란광(R1)과 반사 산란광(R2)과의 상호 간섭이 최소화될 수 있을 것이다.
이때, 반사 미러(400)는 반사 미러(400)에 의한 반사 산란광(R2)이 입사광(I)의 초점(F) 영역을 입자 유동 방향으로 연장한 직선(F1) 영역을 통과하지 않도록 배치되는 것이 바람직하다. 즉, 반사 미러(400)와 광 검출부(300)가 입자 유동 방향에 대한 직각 방향의 동일 평면 상에 위치한 경우와 마찬가지로, 반사 미러(400)에 의한 반사 산란광(R2)이 입사광(I)의 초점(F) 영역인 측정 챔버(C)의 중앙부를 통과하지 않도록 배치되는 것이 바람직하다. 이에 따라 입사광(I)의 흐름이 집중되는 측정 챔버(C)의 중앙부를 반사 산란광(R2)이 통과하지 않게 됨으로써, 상대적으로 입자에 의한 간섭이 감소되어 산란광(R1)에 대한 더욱 정확한 측정 결과를 얻을 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 광 산란 방식 입자 측정 장치의 내부 구조를 개념적으로 도시하기 위해 도 1의 "A-A"선을 따라 취한 단면도이고, 도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 광 산란 방식 입자 측정 장치의 내부 구조 및 동작 상태를 개념적으로 도시하기 위해 도 1의 "A-A"선을 따라 취한 단면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 광 발생 부(200)는 입사광(I)의 초점(F) 위치를 변경할 수 있도록 구성된다. 즉, 광 발생부(200)는 전술한 바와 같이 레이저 광을 발생하는 레이저 다이오드(210)와, 레이저 광을 포커싱하는 포커싱 렌즈(220)를 포함하여 구성되는데, 이에 더하여 입사광(I)의 초점(F) 위치를 변경시킬 수 있도록 포커싱 미러(230) 및 포커싱 미러 액츄에이터(240)를 더 포함하여 구성된다.
좀 더 자세히 살펴보면, 레이저 다이오드(210)에서 발생된 레이저 광은 전술한 바와 같이 포커싱 렌즈(220)를 통해 측정 챔버(C) 내부의 중앙부에 초점(F)이 형성되도록 입사될 수 있는데, 이와 달리 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따라 포커싱 렌즈(220)를 통과한 레이저 광이 별도의 포커싱 미러(230)에 의해 반사되며 측정 챔버(C) 내부에 초점(F)이 형성되도록 구성될 수 있다. 포커싱 미러(230)는 포커싱 렌즈(220)를 통과한 레이저 광의 형태에 따라 구면 또는 평면으로 형성될 수 있으며, 포커싱 미러(230)를 통해 반사된 입사광(I)이 측정 챔버(C)의 내부 공간에 초점(F)을 형성하도록 구성된다.
이때, 포커싱 미러(230)는 포커싱 미러 액츄에이터(240)에 의해 장착 각도가 조절되며 입사광(I)의 반사 각도를 조절하도록 구성된다. 따라서, 포커싱 미러(230)를 통해 반사되는 입사광(I)은 포커싱 미러 액츄에이터(240)를 통한 포커싱 미러(230)의 반사 각도 조절에 의해 측정 챔버(C) 내부 공간에 형성되는 초점(F)의 위치가 변화하게 된다. 이러한 구조에 따라 입사광(I)의 초점(F) 위치는 측정 챔버(C)의 중앙부 또는 가장자리부로 변경될 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 광 산란 방식 입자 측정 장치는 입사 광(I)의 초점(F) 위치를 측정 챔버(C) 내의 다양한 위치로 변경시킬 수 있기 때문에, 입자의 흐름이 집중되는 영역을 스캔할 수 있어 최적의 측정 조건을 찾을 수 있으며, 이에 따라 더욱 신뢰성 있는 측정 결과를 제공한다.
한편, 이 경우 입사광(I)의 초점(F) 위치가 변화하게 되면, 경우에 따라 반사 미러(400)에 의한 반사 산란광(R2)이 입사광(I)의 초점(F) 영역을 통과하게 되므로, 이를 방지하기 위해 반사 미러(400)의 반사 각도를 조절할 수 있도록 별도의 반사 미러 액츄에이트(410)를 장착하는 것이 바람직하며, 이는 후술하는 바와 같이 광 검출부(300)의 위치가 이동하는 경우에도 유용하게 적용될 수 있다.
이러한 포커싱 미러 액츄에이터(240) 및 반사 미러 액츄에이트(410)는 포커싱 미러(230) 또는 반사 미러(400)의 장착 각도를 변경하는 방식으로, 구동 모터(미도시) 및 링크 장치(미도시) 등의 기계 요소 들을 통해 다양한 방식으로 구성될 수 있다.
도 5는 광 검출부(300)가 이동 가능하게 장착되는 구조 및 동작 상태를 도시한 것으로, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 광 검출부(300)는 도 5에 도시된 바와 같이 입자의 유동 방향에 대한 직각 방향의 평면 상에서 케이스(100)의 외주 둘레를 따라 이동 가능하게 케이스(100)에 장착될 수 있다.
광 검출부(300)가 케이스(100)의 외주 둘레를 따라 이동 가능하게 장착되는 구조는 도 5에 도시된 바와 같이 케이스(100)를 내측 케이스(120)와 외측 케이스(110)로 분리 형성하고, 고정된 외측 케이스(110)에 내측 케이스(120)를 레일 구 조로 회전 가능하게 결합하는 방식으로 구성될 수 있다. 이때, 회전하는 내측 케이스(120)에 광 검출부(300)가 장착되고, 고정되는 외측 케이스(110)에 광 발생부(200)가 장착된다.
이러한 구조를 통해 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 광 발생부(200) 및 광 검출부(300)가 동일 평면 상에 상호 직각을 이루도록 배치될 수도 있으며, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이 광 검출부(300)가 회전하여 광 발생부(200)와 둔각을 이루도록 배치될 수도 있다. 전술한 바와 같이 산란광(R1)은 모든 방향으로 발생되기 때문에, 광 검출부(300)의 위치가 변경되더라도 광 검출부(300)에 수광되는 산란광(R1)의 양은 변화없이 일정하게 유지되는데, 이때, 반사 미러(400)에 의한 반사 산란광(R2)의 경로는 광 검출부(300)의 위치 이동에 따라 변경되어야 하므로, 전술한 바와 같이 반사 미러(400)의 반사 각도를 조절할 수 있도록 반사 미러 액츄에이트(410)가 장착되는 것이 바람직하며, 이러한 반사 미러 액츄에이트(410)는 광 검출부(300)의 위치 변경에 따라 별도의 제어부(미도시)를 통해 자동으로 반사 각도가 조절되도록 동작 제어되는 것이 바람직할 것이다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 입자 측정 장치는 이와 같이 광 검출부(300)의 위치가 변경됨에 따라 설치에 필요한 공간이 상대적으로 작게 요구되어 좀 더 다양한 환경에 적용 가능하다. 즉, 광 발생부(200)와 광 검출부(300)의 위치가 고정된 경우 측정 챔버(C)의 형태에 따라 주변 설비와의 간섭에 의해 입자 측정 장치를 설치하는데 어려움이 있거나 심지어는 입자 측정 장치를 설치하지 못할 수도 있으나, 본 발명의 일 실시예에 따라 광 검출부(300)의 위치를 변경하게 되면, 이러한 공간적인 제약이 상대적으로 완화되어 설치가 용이하고 설치 적용 범위가 더욱 확장될 수 있을 것이다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 산란 방식 입자 측정 장치의 개략적인 형상을 도시한 사시도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 산란 방식 입자 측정 장치의 내부 구조를 개념적으로 도시하기 위해 도 1의 "A-A"선을 따라 취한 단면도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 산란 방식 입자 측정 장치의 내부 구조를 개념적으로 도시하기 위해 도 1의 "B-B"선을 따라 취한 단면도,
도 4는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 광 산란 방식 입자 측정 장치의 내부 구조를 개념적으로 도시하기 위해 도 1의 "A-A"선을 따라 취한 단면도,
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 광 산란 방식 입자 측정 장치의 내부 구조 및 동작 상태를 개념적으로 도시하기 위해 도 1의 "A-A"선을 따라 취한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100: 케이스 200: 광 발생부
230: 포커싱 미러 300: 광 검출부
400: 반사 미러 410: 반사 미러 액츄에이터
I: 입사광 R1: 산란광
R2: 반사 산란광

Claims (6)

  1. 산란광을 이용하여 측정 챔버의 내부에서 유동하는 입자의 분포 상태를 측정하는 광 산란 방식 입자 측정 장치에 있어서,
    상기 측정 챔버 내에 초점이 형성되도록 입사광을 발생시키는 광 발생부;
    상기 입사광과 상기 입사광의 초점 영역을 통과하는 입자와의 충돌에 의해 발생되는 산란광을 수광하여 검출하는 광 검출부; 및
    상기 광 검출부에 수광되는 산란광의 양이 증가할 수 있도록 상기 산란광을 상기 광 검출부로 반사하는 반사 미러
    를 포함하고, 상기 반사 미러는 상기 반사 미러에 의해 반사되는 반사 산란광이 상기 입사광의 초점 영역을 통과하지 않도록 배치되는 것을 특징으로 하는 광 산란 방식 입자 측정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 발생부 및 광 검출부는 입자의 유동 방향에 대한 직각 방향의 동일 평면 상에 위치하도록 배치되고, 상기 반사 미러 및 상기 광 검출부는 입자의 유동 방향에 대한 직각 방향의 서로 다른 평면 상에 위치하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 광 산란 방식 입자 측정 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반사 미러는 상기 반사 미러에 의한 반사 산란광이 상기 입사광의 초점 영역을 입자 유동 방향으로 연장한 직선 영역을 통과하지 않도록 배치되는 것을 특징으로 하는 광 산란 방식 입자 측정 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 측정 챔버와 연통되어 상기 측정 챔버를 이루며 입자의 유동 방향을 따라 길이를 갖는 중공 형태의 케이스를 더 포함하고,
    상기 광 검출부는 입자의 유동 방향에 대한 직각 방향의 평면 상에서 상기 케이스의 외주 둘레를 따라 이동 가능하게 상기 케이스에 장착되는 것을 특징으로 하는 광 산란 방식 입자 측정 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 반사 미러의 반사 각도를 조절할 수 있는 반사 미러 액츄에이터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 산란 방식 입자 측정 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 발생부는
    레이저 광을 발생하는 레이저 다이오드;
    상기 레이저 다이오드에서 발생된 레이저 광을 포커싱하는 포커싱 렌즈;
    상기 포커싱 렌즈를 통과한 입사광을 하나의 초점 영역에 포커싱되도록 반사하는 포커싱 미러; 및
    상기 입사광의 초점 위치를 변경할 수 있도록 상기 포커싱 미러의 반사 각도를 조절할 수 있는 포커싱 미러 액츄에이터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 산란 방식 입자 측정 장치.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104833620A (zh) * 2015-04-20 2015-08-12 江苏苏净集团有限公司 一种大气颗粒物浓度的监测装置
CN105784552A (zh) * 2014-12-24 2016-07-20 周志斌 颗粒物浓度传感器及颗粒物浓度检测方法
KR20160103285A (ko) * 2015-02-24 2016-09-01 (주)미디어에버 미세 먼지 및 미생물 검출 장치
CN106404618A (zh) * 2015-07-27 2017-02-15 松下知识产权经营株式会社 粒子检测传感器
CN109342300A (zh) * 2018-11-29 2019-02-15 苏州苏信环境科技有限公司 一种光纤型空气粒子计数传感器系统
KR101932446B1 (ko) * 2017-11-30 2019-03-20 케이앤제이엔지니어링 주식회사 지하철 미세먼지 모니터링 방법
KR101932456B1 (ko) * 2017-11-30 2019-03-20 케이앤제이엔지니어링 주식회사 지하철 미세먼지 모니터링 장치
KR20190120124A (ko) * 2019-10-15 2019-10-23 광주과학기술원 초미세입자의 크기-성분 측정 장치 및 크기-성분 측정 방법
CN110553955A (zh) * 2019-08-30 2019-12-10 华中科技大学 一种基于光散射场的颗粒物粒径分布测量方法及系统
KR102320704B1 (ko) * 2021-03-31 2021-11-02 주식회사 다산에스엠 광산란방식 미세먼지 측정용 확산 셀
KR20220109660A (ko) * 2021-01-29 2022-08-05 에스피티씨주식회사 굴뚝 먼지 측정기

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101975520B1 (ko) * 2012-05-08 2019-08-28 한국전자통신연구원 고에너지 입자 분석 장치 및 이를 이용한 분석 방법
KR102142248B1 (ko) * 2019-04-12 2020-08-07 (주)에이치앤지텍 압축 공기의 입자 측정 장치
KR102214552B1 (ko) * 2019-10-10 2021-02-09 국방과학연구소 미세입자탐지용 소형형광센서장치

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200249033Y1 (ko) * 1999-03-04 2001-11-16 이완근 파티클 센서
JP2007178149A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Nidec Sankyo Corp 光散乱式粒子計数装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105784552A (zh) * 2014-12-24 2016-07-20 周志斌 颗粒物浓度传感器及颗粒物浓度检测方法
CN105784552B (zh) * 2014-12-24 2019-08-06 周志斌 颗粒物浓度检测方法
KR20160103285A (ko) * 2015-02-24 2016-09-01 (주)미디어에버 미세 먼지 및 미생물 검출 장치
CN104833620A (zh) * 2015-04-20 2015-08-12 江苏苏净集团有限公司 一种大气颗粒物浓度的监测装置
CN104833620B (zh) * 2015-04-20 2018-03-13 江苏苏净集团有限公司 一种大气颗粒物浓度的监测装置
CN106404618A (zh) * 2015-07-27 2017-02-15 松下知识产权经营株式会社 粒子检测传感器
KR101932446B1 (ko) * 2017-11-30 2019-03-20 케이앤제이엔지니어링 주식회사 지하철 미세먼지 모니터링 방법
KR101932456B1 (ko) * 2017-11-30 2019-03-20 케이앤제이엔지니어링 주식회사 지하철 미세먼지 모니터링 장치
CN109342300A (zh) * 2018-11-29 2019-02-15 苏州苏信环境科技有限公司 一种光纤型空气粒子计数传感器系统
CN110553955A (zh) * 2019-08-30 2019-12-10 华中科技大学 一种基于光散射场的颗粒物粒径分布测量方法及系统
CN110553955B (zh) * 2019-08-30 2020-11-24 华中科技大学 一种基于光散射场的颗粒物粒径分布测量方法及系统
KR20190120124A (ko) * 2019-10-15 2019-10-23 광주과학기술원 초미세입자의 크기-성분 측정 장치 및 크기-성분 측정 방법
KR20220109660A (ko) * 2021-01-29 2022-08-05 에스피티씨주식회사 굴뚝 먼지 측정기
KR102320704B1 (ko) * 2021-03-31 2021-11-02 주식회사 다산에스엠 광산란방식 미세먼지 측정용 확산 셀

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