KR20110027933A - Supporting plate for non-conductive substrate and supporting method thereof - Google Patents

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KR20110027933A
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정상곤
이경호
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주식회사 맥시스
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Abstract

PURPOSE: A supporting plate of a non-conductive substrate and a supporting method thereof are provided to fix a non-conductive substrate with static electricity to a supporting plate using static electricity, thereby reducing the size of a dead zone. CONSTITUTION: The first power source connector(31) is placed on a part of the top of a lower electrode(30). The second power source connector(23) is located on the lower electrode. A static electricity induction electrode(21) is placed in the second power supply connector. The second power source connector supplies DC power to the static electricity induction electrode through a power line. A non-conductive substrate with static electricity is mounted on a mounting part(24).

Description

비전도성 기판의 재치대 및 비전도성 기판의 재치방법{Supporting plate for non-conductive substrate and supporting method thereof}Supporting plate for non-conductive substrate and supporting method

본 발명은 비전도성 기판의 재치대 및 비전도성 기판의 재치방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 비전도성 기판의 주변부에 데드존(dead zone)이 형성되는 것을 방지할 수 있는 비전도성 기판의 재치대 및 비전도성 기판의 재치방법에 관한 것이다.The present invention relates to a mounting table of a non-conductive substrate and a mounting method of a non-conductive substrate, and more particularly, to a mounting table of a non-conductive substrate that can prevent a dead zone from being formed in the periphery of the non-conductive substrate. And a method for mounting a nonconductive substrate.

일반적으로 비전도성 기판의 예로는 엘이디를 제조하기 위한 사파이어 기판을 예로들 수 있다. 이러한 사파이어 기판을 사용하여 엘이디를 제조할 때 다수의 사파이어 기판을 식각장비 내의 재치대에 고정지지한 후, 다양한 층이 형성된 사파이어 기판을 건식식각한다.In general, an example of the non-conductive substrate may be a sapphire substrate for manufacturing the LED. When manufacturing an LED using such a sapphire substrate, a plurality of sapphire substrates are fixed to a mounting table in an etching apparatus, and then dry etching the sapphire substrate on which various layers are formed.

이때 상기 재치대에 고정지지되는 사파이어 기판을 견고하게 고정하기 위해서 클램프를 사용하여 그 재치대의 포켓에 위치하는 사파이어 기판의 상부를 부분적으로 클램핑하게 된다. In this case, in order to firmly fix the sapphire substrate fixed to the mounting table, a clamp is used to partially clamp the upper part of the sapphire substrate located in the pocket of the mounting table.

식각 챔버 내에서 발생하는 플라즈마에 의하여 상기 클램프가 가열되고, 그 클램프와 접하는 사파이어 기판의 상부 일부는 소자가 형성될 수 없는 영역인 데드존(dead zone)이 되어 사파이어 기판의 전체에 엘이디 소자를 형성할 수 없게 된다.The clamp is heated by the plasma generated in the etching chamber, and the upper part of the sapphire substrate in contact with the clamp becomes a dead zone, in which the device cannot be formed, to form an LED element in the entire sapphire substrate. You will not be able to.

일반적으로 기판을 재치대에 고정하는 방법의 다른 예로는 정전척을 이용한 방법을 사용할 수 있으나, 사파이어 기판 등 비전도성 기판은 정전기력을 이용하는 정전척으로는 고정할 수 없다.In general, a method using an electrostatic chuck may be used as another example of a method of fixing a substrate to a mounting table, but a non-conductive substrate such as a sapphire substrate cannot be fixed by an electrostatic chuck using electrostatic force.

따라서 종래 비전도성 기판은 클램프에 의해 재치대에 고정되었으며, 데드존의 발생에 의해 그 비전도성 기판 전체를 소자의 제조에 이용할 수 없는 문제점이 있었다.Therefore, the conventional non-conductive substrate is fixed to the mounting table by the clamp, there is a problem that the entire non-conductive substrate can not be used to manufacture the device due to the generation of dead zone.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 비전도성 기판을 지지고정할 때 데드존이 발생되지 않는 비전도성 기판의 재치대 및 비전도성 기판의 재치방법을 제공함에 있다.In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a mounting table of a non-conductive substrate and a method of mounting a non-conductive substrate, in which a dead zone does not occur when supporting a non-conductive substrate.

또한 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 비전도성 기판을 이용한 제조공정시 기판의 온도 제어가 용이한 비전도성 기판의 재치대 및 비전도성 기판의 재치방법을 제공함에 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a mounting table of a non-conductive substrate and a method of mounting a non-conductive substrate, which facilitates temperature control of the substrate during a manufacturing process using the non-conductive substrate.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명 비전도성 기판의 재치대는, 상부일부에 직류전원이 공급되는 제1전원커넥터가 마련된 하부전극과, 상기 하부전극 상에 위치하며 내부에 정전기 유도전극이 마련되고, 상기 제1전원커넥터와 연결되어 전원라인을 통해 상기 정전기 유도전극에 직류전원을 공급하는 제2전원커넥터를 구비함과 아울러 상면에는 정전기 발생 처리된 비전도성 기판이 안착되는 안착부가 마련된 재치대를 포함한다.In order to solve the above problems, the mounting table of the non-conductive substrate of the present invention includes a lower electrode provided with a first power connector for supplying DC power to an upper portion thereof, and an electrostatic induction electrode disposed on the lower electrode. And a second power connector connected to the first power connector for supplying DC power to the electrostatic induction electrode through a power line, and having a seating portion on which a non-conductive substrate on which the static electricity is generated is mounted is mounted. Include.

또한 본 발명 비전도성 기판의 재치방법은, a) 비전도성 기판을 정전기의 발생이 가능하도록 전도성 처리하는 단계와, b) 상기 a) 단계에서 정전기 발생 처리된 상기 비전도성 기판을 정전 척으로 지지고정하는 단계를 포함한다.In addition, the mounting method of the non-conductive substrate of the present invention, a) conducting the conductive process to enable the generation of static electricity, and b) supporting and fixing the non-conductive substrate subjected to the electrostatic generation in step a) with an electrostatic chuck Steps.

본 발명 비전도성 기판의 재치대 및 비전도성 기판의 재치방법은, 비전도성 기판의 배면에 정전기 발생이 가능하도록 처리하고, 그 정전기 발생 처리된 비전도성 기판을 정전기를 이용하여 재치대에 지지고정시킴으로써, 데드존의 발생 면적을 줄여 소자형성영역을 보다 확장할 수 있는 효과가 있다.The mounting table of the non-conductive substrate and the method of mounting the non-conductive substrate of the present invention are treated to enable the generation of static electricity on the back surface of the non-conductive substrate, and the non-conductive substrate treated with the static electricity generation is fixed to the mounting table by using static electricity. As a result, the area where the dead zone is generated can be reduced to further extend the device formation region.

또한 본 발명 비전도성 기판의 재치대 및 비전도성 기판의 재치방법은, 비전도성 기판이 안착되는 영역에 열전달 가스를 흐르게 하여 공정의 진행중 비전도성 기판의 온도를 조절할 수 있어, 비전도성 기판의 과도한 온도 상승을 방지하며, 하 나의 비전도성 기판 내에서 온도편차가 발생하는 것을 방지하여 제조공정의 균일성을 확보할 수 있는 효과가 있다.In addition, the mounting table of the non-conductive substrate of the present invention and the method of placing the non-conductive substrate may control the temperature of the non-conductive substrate during the process by flowing a heat transfer gas to a region where the non-conductive substrate is seated, thereby causing excessive temperature of the non-conductive substrate. It prevents the rise and prevents the temperature deviation from occurring in one non-conductive substrate, thereby ensuring the uniformity of the manufacturing process.

이하, 상기와 같은 본 발명 비전도성 기판의 재치대 및 비전도성 기판의 재치방법의 바람직한 실시예의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the mounting table of the present invention non-conductive substrate and the method of mounting the non-conductive substrate will be described in more detail.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 비전도성 기판 재치대의 단면 구성도이고, 도 2는 본 발명에 적용되는 정전기 발생 처리된 비전도성 기판의 단면 구성도이다.1 is a cross-sectional configuration diagram of a non-conductive substrate mounting table according to the first embodiment of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional configuration diagram of the electrostatic-generated non-conductive substrate applied to the present invention.

도 1과 도 2를 각각 참조하면 본 발명의 제1실시예에 따른 비전도성 기판의 재치대는, 상부일부에 제1전원커넥터(31)가 마련된 하부전극(30)과, 상기 하부전극(30) 상에 마련된 오형링(40)과, 상기 오형링(40) 상에 위치하며 내부에 정전기 유도전극(21)이 마련되고, 상기 제1전원커넥터(31)와 연결되어 전원라인(22)을 통해 상기 정전기 유도전극(21)에 직류전원을 공급하는 제2전원커넥터(23)를 포함하며, 그 상면에는 정전기 발생 처리된 비전도성 기판(10)이 안착되는 안착부(24)가 마련된 재치대(20)를 포함하여 구성된다.1 and 2, the mounting table of the non-conductive substrate according to the first embodiment of the present invention includes a lower electrode 30 having a first power connector 31 provided at an upper portion thereof, and the lower electrode 30. The mold ring 40 is provided on the top, and the electrostatic induction electrode 21 is disposed on the mold ring 40 and is connected to the first power connector 31 through the power line 22. It includes a second power connector 23 for supplying a direct current power to the electrostatic induction electrode 21, the mounting table 24 is provided on the upper surface of the mounting portion 24 is mounted on the non-conductive substrate 10 treated with static electricity ( 20).

상기 정전기 발생 처리된 비전도성 기판(10)은 사파이어 기판 등의 비전도성 기판(11)의 배면 안착부의 전체 또는 일부에 전도성층(12)이 형성된 것이다.The non-conductive substrate 10 subjected to the static electricity generation is a conductive layer 12 formed on all or part of the rear seating portion of the non-conductive substrate 11 such as a sapphire substrate.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 제1실시예에 따른 비전도성 기판의 재치대의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation of the mounting table of the non-conductive substrate according to the first embodiment of the present invention configured as described above will be described in more detail.

먼저, 본 발명은 비전도성 기판(11)을 정전기로 데드존의 발생없이 지지고정하기 위하여 그 비전도성 기판(11)의 배면에 금속층, 반도체층, 도전성 폴리머층 등의 전하가 유도될 수 있는 전도성층(12)을 형성한다.First, in order to support and fix the non-conductive substrate 11 without the occurrence of dead zones by static electricity, a conductive material such as a metal layer, a semiconductor layer, a conductive polymer layer, or the like may be induced on the back surface of the non-conductive substrate 11. Form layer 12.

이때의 전도성층(12)은 도전성 테이프를 그 비전도성 기판(11)의 배면에 부착하거나, 도전성 폴리머를 도포하거나, 도전성 잉크를 인쇄 또는 도포하거나, 도전성 금속, 도전성 탄소 또는 금속성 입자를 증착하는 등의 다양한 방법으로 형성할 수 있다.At this time, the conductive layer 12 adheres a conductive tape to the back surface of the non-conductive substrate 11, applies a conductive polymer, prints or applies a conductive ink, deposits a conductive metal, conductive carbon or metallic particles, and the like. It can be formed in a variety of ways.

또한 상기 전도성층(12)은 이후에 제거가 되어야 하는 것이기 때문에 그 전도성층(12)의 요건으로는 그 비전도성 기판(11)의 손상 없이 선택적인 제거가 가능한 것이어야 한다.In addition, since the conductive layer 12 is to be removed later, the conductive layer 12 needs to be capable of being selectively removed without damaging the non-conductive substrate 11.

상기와 같이 다양한 방법을 선택적으로 적용하여 비전도성 기판(11)의 배면에 전도성층(12)을 형성하여, 정전기 발생 처리된 비전도성 기판(10)을 얻을 수 있게 된다.By selectively applying various methods as described above, the conductive layer 12 is formed on the back surface of the non-conductive substrate 11, thereby obtaining the non-conductive substrate 10 treated with static electricity.

그리고 상기 정전기 발생 처리된 비전도성 기판(10)은 재치대(20)의 안착 부(24)에 안착된다.The non-conductive substrate 10 treated with the static electricity generation is seated on the mounting portion 24 of the mounting table 20.

상기 재치대(20)는 내측에 텅스텐 등의 전도성을 가지는 재질이며, 원판 형상을 가지는 정전기 유도전극(21)이 마련되어 있다. 이 정전기 유도전극(21)에 직류전원이 공급되면 그 정전기 유도전극(21)의 표면은 양의 전하 또는 음의 전하로 대전된다. 이때, 상기 안착된 정전기 발생 처리된 비전도성 기판(10)의 전도성층(12)은 상기 정전기 유도전극(21)의 표면 전하와는 반대 극성의 표면 전하로 대전된다. The mounting table 20 is made of a conductive material such as tungsten, and is provided with an electrostatic induction electrode 21 having a disc shape. When a direct current power source is supplied to the electrostatic induction electrode 21, the surface of the electrostatic induction electrode 21 is charged with a positive charge or a negative charge. In this case, the conductive layer 12 of the seated electrostatic-generated non-conductive substrate 10 is charged with the surface charge of the opposite polarity to the surface charge of the electrostatic induction electrode 21.

이와 같이 상기 정전기 유도전극(21)과 전도성층(12)의 표면전하 극성이 반대가 되면, 그 정전기 유도전극(21)과 전도성층(12) 사이에 정전기력에 의한 인력이 작용하여 그 정전기 발생 처리된 비전도성 기판(10)이 재치대(20)의 안착부(24) 내에서 견고하게 지지고정된다.As such, when the surface charge polarities of the electrostatic induction electrode 21 and the conductive layer 12 are reversed, the attraction force by the electrostatic force acts between the electrostatic induction electrode 21 and the conductive layer 12 to generate the electrostatic charge. The non-conductive substrate 10 is firmly supported and fixed in the mounting portion 24 of the mounting table 20.

상기 정전기 유도전극(21)과 전도성층(12) 사이의 정전기력의 발생이 용이하게 될 수 있도록 상기 재치대(20)는 유전율이 높은 세라믹 재질로 형성하는 것이 바람직하다.The mounting base 20 may be formed of a ceramic material having a high dielectric constant so that generation of an electrostatic force between the electrostatic induction electrode 21 and the conductive layer 12 can be easily performed.

상기 전도성층(12)은 비전도성 기판(11)을 정전기력으로 지지고정할 수 있도록 하는 역할을 할 뿐만 아니라, 비전도성 기판(11)의 상대적으로 열전달률이 낮은 문제점을 보완할 수 있다.The conductive layer 12 not only serves to support and fix the non-conductive substrate 11 by electrostatic force, but also can compensate for the problem of relatively low heat transfer rate of the non-conductive substrate 11.

비전도성 기판(11)의 면적이 대면적화되면서 플라즈마 공정에서 그 비전도성 기판(11)의 온도 프로파일이 균일하지 않고 부분적으로 과도하게 높은 온도로 타 부분과는 온도편차가 심한 부분이 발생할 수 있으며, 이는 공정의 불량을 발생시켜 수율을 저하시키는 원인이 된다.As the area of the non-conductive substrate 11 becomes large, the temperature profile of the non-conductive substrate 11 in the plasma process may not be uniform and partly excessively high temperature may cause a portion having a high temperature deviation from other portions. This causes a defect in the process and causes a decrease in yield.

상기 비전도성 기판(11)에 전도성층(12)을 형성하면 금속 재질의 전도성층(12)이 열전달의 매개역할을 하게 되어, 비전도성 기판(11)의 온도 프로파일을 보다 균일하게 할 수 있다.When the conductive layer 12 is formed on the non-conductive substrate 11, the conductive layer 12 made of metal serves as a medium for heat transfer, thereby making the temperature profile of the non-conductive substrate 11 more uniform.

상기 정전기 유도전극(21)에는 전원라인(22)의 일측이 연결되며, 그 전원라인(22)의 타측은 재치대(20)의 배면에 노출되어 있는 제2전원커넥터(23)에 연결되어 있다.One side of the power line 22 is connected to the electrostatic induction electrode 21, and the other side of the power line 22 is connected to the second power connector 23 exposed on the rear surface of the mounting table 20. .

상기 제2전원커넥터(23)는 직류전원(32)을 공급받는 제1전원커넥터(31)에 직접 접촉되어 그 직류전원(32)을 상기 전원라인(22)을 통해 정전기 유도전극(21)에 공급할 수 있게 된다.The second power connector 23 is in direct contact with the first power connector 31 which is supplied with the DC power supply 32 so that the DC power supply 32 is connected to the electrostatic induction electrode 21 through the power supply line 22. I can supply it.

하부전극(30)은 플라즈마 공정에서 사용되는 일측전극이며, 오형링(40)는 상기 제1실시예에서는 선택적으로 적용 또는 비적용이 가능하다.The lower electrode 30 is one electrode used in a plasma process, and the mold ring 40 may be selectively applied or not applied in the first embodiment.

이와 같이 본 발명은 비전도성 기판(11)의 배면에 전도성층(12)을 형성하여 비전도성 기판(11)을 정전기 발생 처리된 비전도성 기판(10)으로 변경하고, 그 정전기 발생 처리된 비전도성 기판(10)에 전하가 대전될 수 있도록 유도하는 정전기 유도전극(21)을 재치대에 마련하여 그 비전도성 기판(11)을 클램프를 사용하지 않 고 견고하게 지지고정할 수 있게 된다.As described above, the present invention forms the conductive layer 12 on the back surface of the non-conductive substrate 11 to change the non-conductive substrate 11 into a non-conductive substrate 10 which has been treated with static electricity, and the non-conductive treated with the static electricity generation. By providing an electrostatic induction electrode 21 on the mounting table to induce charge to be charged to the substrate 10, the non-conductive substrate 11 can be firmly supported and fixed without using a clamp.

따라서 비전도성 기판(11)에 클램프의 사용에 의한 데드존 발생을 방지하여 그 비전도성 기판(11)의 전체를 소자 형성영역으로 사용할 수 있게 된다.Therefore, the generation of the dead zone by the use of the clamp in the non-conductive substrate 11 can be prevented, so that the entire non-conductive substrate 11 can be used as the element formation region.

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 비전도성 기판의 재치대의 단면 구성도이다.3 is a cross-sectional view of a mounting table of a non-conductive substrate according to a second embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면 본 발명의 제2실시예에 따른 비전도성 기판의 재치대는, 상기 도 1을 참조하여 상세히 설명한 제1실시예의 구성에서 상기 하부전극(30)에 열전달 가스의 제1공급로(33)를 마련함과 아울러 상기 재치대(20)에도 상기 제1공급로(33)를 통해 공급되는 열전달 가스를 안착부(24)에 안착되는 정전기 발생 처리된 비전도성 기판(10)의 배면측으로 공급하는 제2공급로(25)가 마련된 구성이다.Referring to FIG. 3, the mounting table of the non-conductive substrate according to the second embodiment of the present invention may include a first supply path of heat transfer gas to the lower electrode 30 in the configuration of the first embodiment described in detail with reference to FIG. 1. 33) and the heat transfer gas supplied through the first supply path 33 to the mounting table 20 is also supplied to the rear side of the electrostatic-generated non-conductive substrate 10 seated on the seating portion 24. The second supply passage 25 is provided.

상기 정전기 발생 처리된 비전도성 기판(10)과 접촉되는 상기 안착부(24)의 상부면에는 하부전극을 통해 공급된 열전달가스가 효율적으로 공급되어 상기 기판의 배면에 전체적으로 유입될 수 있도록 열전달가스 공급유로가 형성되어 있으며, 상기 열전달가스가 누출되지 않도록 상기 안착부(24)와 상기 기판의 사이에는 안착돌기(26)가 사용된다.The heat transfer gas is supplied to the upper surface of the seating portion 24 in contact with the non-conductive substrate 10 treated with the static electricity generation so that the heat transfer gas supplied through the lower electrode can be efficiently supplied to the back surface of the substrate. A flow path is formed, and a mounting protrusion 26 is used between the mounting portion 24 and the substrate so that the heat transfer gas does not leak.

상기 열전달가스 공급유로는 안착부(24)와 열전달가스의 접촉표면적을 넓혀 열전달 효율을 극대화시키기 위하여 원형, 방사형, 나선형 등과 같이 다양한 모양으로 형성할 수 있다.The heat transfer gas supply passage may be formed in various shapes such as circular, radial, spiral, etc. to maximize the heat transfer efficiency by widening the contact surface area between the seating portion 24 and the heat transfer gas.

상기 제2공급로(25)는 도 3에서와 같이 상기 정전기 유도전극(21)을 관통하 여 형성될 수 있으며, 그 정전기 유도전극(21)을 우회하여 형성할 수 있다.The second supply path 25 may be formed through the electrostatic induction electrode 21 as shown in FIG. 3, and may be formed by bypassing the electrostatic induction electrode 21.

이와 같은 본 발명의 제2실시예에 따른 비전도성 기판의 재치대는, 외부에서 공급되는 열전달 가스를 상기 하부전극(30)에 마련된 제1공급로(33)와 재치대(20)에 마련된 제2공급로(25)를 통해 상기 안착부(24)와 정전기 발생 처리된 기판(10)의 사이 공간부에 공급하여 플라즈마 공정에서 정전기 발생 처리된 기판(10)의 온도가 과도하게 상승하는 것을 방지할 수 있게 된다.In the mounting table of the non-conductive substrate according to the second embodiment of the present invention, the heat transfer gas supplied from the outside is provided in the first supply path 33 and the mounting table 20 provided in the lower electrode 30. Supply to the space between the seating portion 24 and the electrostatic-generated substrate 10 through a supply path 25 to prevent the temperature of the electrostatic-generated substrate 10 from being excessively raised in the plasma process. It becomes possible.

상기 열전달 가스는 열전달 효율이 뛰어난 헬륨가스를 사용할 수 있다.As the heat transfer gas, helium gas having excellent heat transfer efficiency may be used.

또한 최근 엘이디 제조공정에 사용하는 비전도성 기판(11)의 면적이 증가함에 따라 발생할 수 있는 그 비전도성 기판(11) 내의 국부적인 온도차를 방지하여, 그 비전도성 기판(11) 전체의 온도 프로파일을 균일하게 하여 공정의 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다.In addition, it is possible to prevent a local temperature difference in the non-conductive substrate 11 that may occur as the area of the non-conductive substrate 11 used in the LED manufacturing process in recent years increases the temperature profile of the entire non-conductive substrate 11. By making it uniform, the process reliability can be improved further.

또한 상기 재치대(20)와 하부전극(30)간의 열전달 효율을 보다 증가시키기 위하여 열전달률이 높은 열전달시트를 상기 재치대의 배면에 부착시킬 수 있으며, 상기 오형링(40)은 상기 하부전극(30)과 재치대(20)의 사이에서 상기 공급되는 열전달 가스의 누설을 방지하는 역할을 한다.In addition, in order to further increase the heat transfer efficiency between the mounting table 20 and the lower electrode 30, a heat transfer sheet having a high heat transfer rate may be attached to the rear surface of the mounting table, and the mold ring 40 may include the lower electrode 30. ) And the mounting table 20 to prevent leakage of the supplied heat transfer gas.

상기 열전달시트로는 열전도성 실리콘시트, 유리섬유가 코팅된 열전도성 시트, 이방성도전시트, 탄소, 그라파이트, 탄소나노튜브, 탄소섬유로 이루어지는 군에서 선택된 것으로 사용이 가능하다.The heat transfer sheet may be selected from the group consisting of thermally conductive silicon sheet, glass fiber coated thermally conductive sheet, anisotropic conductive sheet, carbon, graphite, carbon nanotube, carbon fiber.

도 4와 도 5는 각각 본 발명의 제3실시예와 제4실시예에 따른 비전도성 기판의 재치대의 사시도이다.4 and 5 are perspective views of a mounting table of the non-conductive substrate according to the third and fourth embodiments of the present invention, respectively.

도 4와 도 5를 각각 참조하면 본 발명의 제3실시예와 제4실시예에 따른 비전도성 기판의 재치대는, 상기 도 3을 참조하여 상세히 설명한 구성에서 정전기 발생 처리된 비전도성 기판(10)을 다수로 장착할 수 있는 구조이며, 동시에 다수의 비전도성 기판을 처리함이 가능하여 생산성을 보다 향상시킬 수 있게 된다.4 and 5, the mounting table of the non-conductive substrate according to the third and fourth embodiments of the present invention is a non-conductive substrate 10 subjected to electrostatic generation in the configuration described in detail with reference to FIG. It is possible to mount a plurality of structures, and at the same time it is possible to process a large number of non-conductive substrates to further improve productivity.

이와 같이 비전도성 기판(10)을 다수로 장착할 수 있는 본 발명의 제3실시예와 제4실시예의 구체적인 구성은 상기 본 발명의 제1 또는 제2실시예와 동일한 것이며, 안착부(24)의 수를 증가시킨 것에 차이가 있다.As described above, specific configurations of the third and fourth embodiments of the present invention, in which a plurality of non-conductive substrates 10 can be mounted, are the same as those of the first or second embodiments of the present invention, and the seating portion 24 is provided. There is a difference in increasing the number of.

이때 상기 안착부(24)에 안착되는 비전도성 기판(10)을 정전기력으로 지지고정하기 위해서 정전기 유도전극(21)이 제3실시예의 구성과 같이 전체적으로 위치할 수 있거나, 제4실시예와 같이 그 안착부(24)의 하부측에만 독립적으로 위치하도록 하여 유도전극(21) 각각에 직류전원(32)이 각각 공급된다.At this time, in order to support and fix the non-conductive substrate 10 seated on the seating portion 24 with electrostatic force, the electrostatic induction electrode 21 may be entirely positioned as in the configuration of the third embodiment, or as in the fourth embodiment. The DC power source 32 is supplied to each of the induction electrodes 21 so as to be independently positioned only on the lower side of the seating part 24.

상기 제3실시예와 제4실시예의 차이는 유도전극(21)의 형상이며, 제4실시예는 그 유도전극(21)의 형상을 분할하여 정전기력을 집중시킬 수 있는 특징이 있다.The difference between the third embodiment and the fourth embodiment is the shape of the induction electrode 21, and the fourth embodiment has the characteristic of concentrating the electrostatic force by dividing the shape of the induction electrode 21.

또한 열전달 가스의 공급을 위한 제2공급로(25) 역시 재치대(20)의 저면으로 부터 다수의 안착부(24)까지 관통되게 형성되어 있으며, 상기 안착부(24)에는 열전 달 가스의 공급유로가 형성되어 열전달 가스가 상기 비전도성 기판(10)의 배면에 고르게 전달 될 수 있도록 한다.In addition, the second supply passage 25 for supplying the heat transfer gas is also formed to penetrate from the bottom of the mounting table 20 to the plurality of seating portions 24, the supply of heat transfer gas to the seating portion 24 A flow path is formed to allow the heat transfer gas to be evenly transferred to the back surface of the nonconductive substrate 10.

상기 열전달 가스의 공급유로는 방사형, 원형 또는 나선형 등 다양한 형태를 가질 수 있으며, 이와 같은 구조에 의해 각 안착부(24)에 안착된 정전기 발생 처리된 비전도성 기판(10)의 온도가 과도하게 상승하는 것을 방지할 수 있게 된다.The heat supply gas supply passage may have various shapes such as radial, circular, or spiral, and the temperature of the electrostatic-generated non-conductive substrate 10 seated on each seating portion 24 is excessively increased by such a structure. Can be prevented.

상기한 바와 같이 본 발명은 비전도성 기판(11)의 배면에 전도성층(12)을 형성하고, 그 전도성층(12)의 형성에 의해 정전기 발생 처리된 비전도성 기판(10)을 클램프를 사용하지 않고 정전 척으로 지지고정할 수 있게 되며, 그 전도성층(12)의 높은 열전달률에 의해 비전도성 기판(11)의 온도 프로파일을 개선할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, the conductive layer 12 is formed on the back surface of the non-conductive substrate 11, and the non-conductive substrate 10 subjected to electrostatic generation by the formation of the conductive layer 12 is not clamped. It is possible to support and fix with the electrostatic chuck, and to improve the temperature profile of the non-conductive substrate 11 by the high heat transfer rate of the conductive layer 12.

또한 열전달 가스의 도입으로 인하여 공정중 비전도성 기판(11)의 과도한 온도상승을 방지함과 아울러 국부적인 온도 편차의 발생을 방지하여 공정불량의 발생을 방지할 수 있게 된다.In addition, due to the introduction of the heat transfer gas, it is possible to prevent excessive temperature rise of the non-conductive substrate 11 during the process and to prevent the occurrence of process defects by preventing the occurrence of local temperature deviation.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 비전도성 기판의 재치대의 단면 구성도이다.1 is a cross-sectional view of a mounting table of a non-conductive substrate according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명에 적용되는 정전기 발생 처리된 비전도성 기판의 단면 구성도이다.Figure 2 is a cross-sectional configuration of the electrostatic generation non-conductive substrate applied to the present invention.

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 비전도성 기판의 재치대의 단면 구성도이다. 3 is a cross-sectional view of a mounting table of a non-conductive substrate according to a second embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 비전도성 기판 재치대의 구성도이다.4 is a configuration diagram of a non-conductive substrate mounting base according to a third embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제4실시예에 따른 비전도성 기판의 재치대의 구성도이다.5 is a configuration diagram of the mounting table of the non-conductive substrate according to the fourth embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10:정전기 발생 처리된 비전도성 기판10: electrostatically generated nonconductive substrate

11:비전도성 기판 12:전도성층11: non-conductive substrate 12: conductive layer

20:재치대 21:정전기 유도전극20: base 21: electrostatic induction electrode

22:전원라인 23:제2전원커넥터22: power line 23: second power connector

24:안착부 25:제2공급로24: Seating portion 25: Second supply path

26:안착돌기 30:하부전극26: seating projection 30: lower electrode

31:제1전원커넥터 32:직류전원31: First power connector 32: DC power

33:제1공급로 40:오형링33: 1st supply path 40: Odd ring

Claims (13)

상부일부에 직류전원이 공급되는 제1전원커넥터가 마련된 하부전극; 및A lower electrode provided with a first power connector to which a DC power is supplied to an upper part; And 상기 하부전극 상에 위치하며 내부에 정전기 유도전극이 마련되고, 상기 제1전원커넥터와 연결되어 전원라인을 통해 상기 정전기 유도전극에 직류전원을 공급하는 제2전원커넥터를 구비함과 아울러 상면에는 정전기 발생 처리된 비전도성 기판이 안착되는 안착부가 마련된 재치대를 포함하는 비전도성 기판의 재치대.An electrostatic induction electrode disposed on the lower electrode and provided therein, and having a second power connector connected to the first power connector to supply DC power to the electrostatic induction electrode through a power line, A mounting table of a non-conductive substrate comprising a mounting table provided with a mounting portion on which the generated non-conductive substrate is placed. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 정전기 발생 처리된 비전도성 기판은,The electrostatic generation non-conductive substrate, 비전도성 기판과, Non-conductive substrate, 상기 비전도성 기판의 배면에 형성된 전도성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 비전도성 기판의 재치대.And a conductive layer formed on a rear surface of the non-conductive substrate. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 전도성층은,The conductive layer, 상기 비전도성 기판의 배면에 부착된 전도성 테이프, 도포된 도전성 폴리머, 도포된 도전성 잉크 또는 증착된 금속층인 것을 특징으로 하는 비전도성 기판의 재 치대.And a conductive tape attached to the back side of the non-conductive substrate, a coated conductive polymer, a coated conductive ink, or a deposited metal layer. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 하부전극과 상기 재치대 각각에 마련되어 외부의 열전달 가스를 상기 정전기 발생 처리된 비전도성 기판의 배면으로 공급하는 제1공급로 및 제2공급로를 더 포함하는 비전도성 기판의 재치대.And a first supply path and a second supply path provided at each of the lower electrode and the mounting table to supply an external heat transfer gas to a rear surface of the electrostatically generated nonconductive substrate. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 재치대의 배면에 열전달 시트가 부착된 것을 특징으로 하는 비전도성 기판의 재치대.The mounting table of the non-conductive substrate, characterized in that the heat transfer sheet is attached to the back of the mounting table. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 열전달 시트는,The heat transfer sheet, 실리콘시트, 유리섬유가 코팅된 열전도성 시트 또는 이방성도전시트를 사용하거나 탄소, 그라파이트, 탄소나노튜브, 탄소섬유로 이루어지는 군에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 재료를 포함하는 시트인 것을 특징으로 하는 비전도성 기판의 재치대.Non-conductive substrate, characterized in that the sheet containing one or more materials selected from the group consisting of a silicon sheet, a glass fiber coated thermal conductive sheet or an anisotropic conductive sheet, or carbon, graphite, carbon nanotube, carbon fiber Wit. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 재치대에는 상기 안착부가 다수로 마련된 것을 특징으로 하는 비전도성 기판의 재치대.The mounting table of the non-conductive substrate, characterized in that the mounting portion is provided with a plurality. 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 다수의 안착부 각각에는 열전달 가스의 공급유로가 형성되어 있으며, 상기 열전달 가스의 공급유로는 방사형, 원형 또는 나선형인 것을 특징으로 하는 비전도성 기판의 재치대.Each of the plurality of seating portions is provided with a supply passage of heat transfer gas, the supply passage of the heat transfer gas is a mounting table of the non-conductive substrate, characterized in that the radial, circular or spiral. a) 비전도성 기판을 정전기의 발생이 가능하도록 전도성 처리하는 단계; 및a) conductively treating the nonconductive substrate to enable the generation of static electricity; And b) 상기 a) 단계에서 전도성 처리된 상기 비전도성 기판을 정전기력으로 지지고정하는 단계를 포함하는 비전도성 기판의 재치방법.and b) supporting and fixing the non-conductive substrate subjected to the conductive treatment in step a) with electrostatic force. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 a) 단계는,Step a) is 상기 비전도성 기판의 배면에 전도성 테이프를 부착하는 것을 특징으로 하는 비전도성 기판의 재치방법.And attaching a conductive tape to the back surface of the non-conductive substrate. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 a) 단계는,Step a) is 상기 비전도성 기판의 배면에 전도성 잉크 또는 전도성 폴리머를 도포하는 것을 특징으로 하는 비전도성 기판의 재치방법.And a conductive ink or a conductive polymer is coated on the back surface of the non-conductive substrate. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 a) 단계는,Step a) is 상기 비전도성 기판의 배면에 금속층을 증착하는 것을 특징으로 하는 비전도성 기판의 재치방법.And mounting a metal layer on the back surface of the non-conductive substrate. 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 9 to 12, 상기 b) 단계에서 재치된 상기 도전성 처리된 기판의 배면에 열전달 가스를 공급하는 단계를 더 포함하는 비전도성 기판의 재치방법.And supplying a heat transfer gas to a rear surface of the conductively processed substrate placed in step b).
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