KR20110027396A - 플라즈마 처리장치 및 처리방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 플라즈마를 이용하여 기판에 박막을 형성하기 위한 반응공간을 제공하는 공정챔버;상기 공정챔버 내에 설치되어 상기 기판을 지지하는 기판 지지수단;상기 공정챔버 내에 설치되어 상기 반응공간에 공정가스를 분사하는 가스 분사부재; 및상기 가스 분사부재에 전기장을 형성하여 상기 박막이 상기 공정챔버에 형성되는 것을 방지하기 위한 바이어스 전원을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 바이어스 전원은 상기 플라즈마를 이용한 박막 형성시 상기 가스 분사부재에 전기장이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전기장은 상기 플라즈마 내의 이온들을 상기 가스 분사부재 쪽으로 가속시켜 상기 가스 분사부재의 표면에서 스퍼터링(Sputtering)이 발생되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기판 지지수단과 마주보도록 상기 공정챔버에 설치되어 제 1 RF 전력을 이용하여 상기 플라즈마를 발생시키기 위한 적어도 하나의 안테나를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 바이어스 전원은 상기 적어도 하나의 안테나에 공급되는 제 1 RF 전력보다 낮은 세기의 제 2 RF 전력을 상기 가스 분사부재에 공급하여 상기 전기장이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 RF 전력은 동시에 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 적어도 하나의 안테나 각각은,상기 제 1 RF 전력이 인가되는 로드 안테나;상기 로드 안테나를 감싸는 유전체;상기 반응공간에 발생되는 플라즈마 밀도의 좌우 대칭성을 밸런싱하기 위해 상기 유전체를 감싸는 밸런스 부재; 및상기 밸런스 부재를 감싸는 안테나 절연체를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 밸런스 부재는 전기적으로 플로팅 상태이거나 그라운드에 접지된 상태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 밸런스 부재는 외부로부터 인가되는 밸런싱 전압에 의해 상기 안테나 주위에 전기장을 형성하여 상기 안테나에 박막이 증착되는 것을 방지함과 아울러 안테나에 증착된 박막이 제거되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 밸런싱 전압은 RF 전력 또는 직류 전력인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 밸런싱 전압의 세기는 상기 제 1 RF 전력보다 낮은 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 플라즈마를 이용하여 기판에 박막을 형성하기 위한 플라즈마 처리방법에 있어서,가스 분사부재를 통해 공정챔버의 반응공간에 공정가스를 분사하는 단계;상기 반응공간에 설치된 적어도 하나의 안테나에 제 1 RF 전력을 공급하여 상기 반응공간에 상기 플라즈마를 형성하는 단계; 및상기 박막이 상기 기판을 제외한 상기 공정챔버에 형성되는 것을 방지하기 위해 상기 가스 분사부재에 전기장을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 가스 분사부재에 전기장을 형성하는 단계는 상기 플라즈마를 이용한 박막 형성시 상기 가스 분사부재에 전기장이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 전기장은 상기 플라즈마 내의 이온들을 상기 가스 분사부재 쪽으로 가속시켜 상기 가스 분사부재의 표면에서 스퍼터링(Sputtering)이 발생되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 전기장은 상기 제 1 RF 전력보다 낮은 세기의 제 2 RF 전력에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 RF 전력은 동시에 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 플라즈마는 상기 적어도 하나의 안테나를 감싸는 전도성 부재에 유도된 상기 제 1 RF 전력에 의해 상기 반응공간에 발생되고, 상기 전도성 부재는 상기 반응공간에 발생되는 플라즈마 밀도의 좌우 대칭성을 밸런싱하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
- 제 12 항 또는 제 17 항에 있어서,상기 적어도 하나의 안테나를 감싸는 전도성 부재에 바이어스 전압을 인가하여 상기 안테나 주위에 전기장을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 안테나 주위에 형성되는 전기장은 상기 안테나에 박막이 증착되는 것을 방지함과 아울러 상기 안테나에 증착된 박막이 제거되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20130047899A (ko) * | 2011-11-01 | 2013-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 트랜지스터 어레이 기판의 제조 장치 및 제조 방법 |
KR20190134811A (ko) * | 2017-04-24 | 2019-12-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 전극 필라멘트들을 갖는 플라즈마 반응기 |
KR20200011576A (ko) * | 2017-06-22 | 2020-02-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 전극 조립체를 갖는 플라즈마 챔버 |
CN110853848A (zh) * | 2019-11-18 | 2020-02-28 | 天津大学 | 一种大气压等离子体射流法提高绝缘子闪络电压处理方法 |
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- 2009-09-10 KR KR1020090085469A patent/KR101073834B1/ko active IP Right Grant
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