KR20110010214A - Power supply apparatus with over temperature protection circuit - Google Patents

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KR20110010214A KR1020090067663A KR20090067663A KR20110010214A KR 20110010214 A KR20110010214 A KR 20110010214A KR 1020090067663 A KR1020090067663 A KR 1020090067663A KR 20090067663 A KR20090067663 A KR 20090067663A KR 20110010214 A KR20110010214 A KR 20110010214A
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김준승
윤동현
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: A power supply device is provided to automatically disconnect an output voltage at high temperature by arranging a high temperature protection circuit in a second side output circuit. CONSTITUTION: A power supply device comprises a transformer(TF), a rectifying circuit part(20), a thermistor(40), and a shutdown part(50). The rectifying circuit part rectifies a signal, which is transferred to the secondary side coil of the transformer, into DC power. The thermistor is serially connected between the first node of the rectifying circuit part and an output terminal. The shutdown part is operated as the resistance value of the thermistor increases. The shutdown part shuts down the output signal of the rectifying circuit part.

Description

고온 보호회로를 갖는 전원공급장치{POWER SUPPLY APPARATUS WITH OVER TEMPERATURE PROTECTION CIRCUIT}Power supply with high temperature protection circuit {POWER SUPPLY APPARATUS WITH OVER TEMPERATURE PROTECTION CIRCUIT}

본 발명은 전원공급장치에 관한 것으로, 특히 전원장치에 고온 보호회로를 설치함에 따라 고온에서 소자들이 손상되는 것을 방지할 수 있는 고온 보호회로를 갖는 전원공급장치에 관한 것이다.The present invention relates to a power supply, and more particularly, to a power supply having a high temperature protection circuit that can prevent the elements from being damaged at a high temperature by installing a high temperature protection circuit in the power supply.

전원공급장치는 제품에서 필요로 하는 전압을 적절히 공급해주는 역할을 수행하는 데, 이에 관련된 기술로 선형 전원(Linear Power Supply) 방식보다는 소형, 경량이면서 효율이 높은 SMPS(Switched Mode Power Supply) 방식이 널리 사용되고 있다.The power supply unit properly supplies the voltage required by the product, and the related technology is a smaller, lighter and more efficient Switched Mode Power Supply (SMPS) method than the linear power supply method. It is used.

일반적으로 SMPS는 반도체 스위치소자와 커패시터, 인덕터 및 IC 등으로 구성된 부성저항 특성 입력기기이다. 부성저항 입력 특성을 가지므로 입력전압이 증가하면 입력전류가 감소하고 입력전압이 감소하면 입력전류가 증가한다.In general, SMPS is a negative resistance input device composed of semiconductor switch element, capacitor, inductor and IC. As it has negative resistance input characteristic, input current decreases when input voltage increases, and input current increases when input voltage decreases.

즉, 입력전압이 높을 때는 각 소자들의 전압 스트레스가 증가하고, 입력전압 이 낮아지면 각 소자들의 전류 스트레스가 증가되어 입력전압이 전압 허용범위 상한치 이상으로 증가하거나 입력전압 허용범위 하한치 이하로 감소하는 경우 부품이 손상되는 원인이 되고 있다. 따라서 입력전압 변동에 따른 기기의 파손을 막기 위해 입력전압 허용범위 이내에서만 동작되도록 하기 위한 보호회로가 반드시 필요해진다.That is, when the input voltage is high, the voltage stress of each device increases, and when the input voltage decreases, the current stress of each device increases, so that the input voltage increases above the upper limit of the voltage allowable range or decreases below the lower limit of the input voltage allowable range. It causes the damage of the parts. Therefore, in order to prevent the device from being damaged due to fluctuation of input voltage, a protection circuit is required to operate only within the allowable range of input voltage.

이와 같은 이유로 SMPS 장치는 과전압과 과전류에 대한 보호회로는 구성되어 있으나, 온도에 대한 보호회로는 정의되어 있지 않다. 따라서, 제품의 발열로 인하여 제품에 손상을 줄 수 있을 뿐만 아니라 더 나아가 2차 및 3차 부품의 손상과 오동작으로 인한 큰 손실이 발생될 수 있다.For this reason, the SMPS device has a protection circuit against overvoltage and overcurrent, but a protection circuit against temperature is not defined. Therefore, not only may damage the product due to the heat of the product, but also a large loss may occur due to damage and malfunction of the secondary and tertiary components.

본 발명은 전원장치에 서미스터를 이용한 보호회로를 설치하여 일정온도 이상이 되면 출력신호를 자동 차단함으로써, 고온에서 각종 전원소자들의 손상되는 것을 방지할 수 있는 고온 보호회로를 갖는 전원공급장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a power supply having a high temperature protection circuit that can be prevented from damaging various power elements at a high temperature by installing a protection circuit using a thermistor in the power supply to automatically cut off the output signal when a certain temperature or more. It is for.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned above may be clearly understood by those skilled in the art from the following description. There will be.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 고온 보호회로를 갖는 전원공급장치는, 트랜스포머; 상기 트랜스포머의 2차측 코일로 전달된 신호를 직류전원으로 정류 및 평활하여 출력하는 정류회로부; 상기 정류회로부의 출력측인 제1 노드와 출력단 사이에 직렬 연결되어 표면 온도가 일정온도 이상이 되면 저항값이 증가하여 전압이 상승하는 서미스터; 및 상기 서미스터의 저항값의 증가에 따라 작동되어 정류회로부의 출력신호를 저전위로 흘려 출력전압을 셧다운시키는 셧다운부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Power supply apparatus having a high temperature protection circuit of the present invention for achieving the above object, a transformer; A rectifier circuit unit for rectifying and smoothing the signal transmitted to the secondary coil of the transformer to a DC power source; A thermistor connected in series between the first node, which is an output side of the rectifier circuit unit, and an output terminal, and having a resistance value increased when a surface temperature is higher than a predetermined temperature; And a shutdown unit operated according to an increase in the resistance value of the thermistor to shut down the output voltage by flowing the output signal of the rectifier circuit unit at a low potential.

구체적으로, 상기 셧다운부는 상기 제1 노드와 저전위 사이에 전류통로가 연결되고 상기 서미스터의 양단에 걸리는 전압에 따라 스위칭되는 스위칭수단; 및 상기 출력단과 스위칭수단의 게이트 사이에 역방향으로 연결되는 역방향 다이오드;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In detail, the shutdown unit includes: switching means connected to a current path between the first node and the low potential and switched according to a voltage across the thermistor; And a reverse diode connected in a reverse direction between the output terminal and the gate of the switching means.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 SMPS 장치에 서미스터를 이용한 보호회로를 설치하여 일정온도 이상이 되면 출력신호를 자동 차단함으로써, 고온에서 전원회로가 손상되는 것을 방지하여 제품의 신뢰성을 높일 수 있는 이점이 있다.As described above, the present invention has the advantage that by installing a protection circuit using a thermistor in the SMPS device to automatically cut off the output signal when the temperature exceeds a certain temperature, to prevent damage to the power circuit at high temperatures to increase the reliability of the product have.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명 한다. 도면들 중 동일한 구성요소들은 가능한 어느 곳에서든지 동일한 부호로 표시한다. 또한 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. Like elements in the figures are denoted by the same reference numerals wherever possible. In addition, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention will be omitted.

도 1은 본 발명과 관련된 SMPS 전원장치를 나타낸 회로도로서, 트랜스포머(TF)와 메인스위치(MS), 스위칭제어부(10), 정류회로부(20) 및 피드백회로부(30)를 포함하여 이루어져 있다.FIG. 1 is a circuit diagram illustrating a SMPS power supply device related to the present invention, and includes a transformer (TF), a main switch (MS), a switching control unit 10, a rectifier circuit unit 20, and a feedback circuit unit 30.

외부로부터 입력된 DC전원은 트랜스포머(TF)의 1차측 코일(L1)로 전달되는 데, 이때 메인스위치(MS)는 스위칭제어부(10)에 의해 온,오프를 반복하여 입력 DC전원을 고주파수의 펄스로 변환하게 된다. 상기에서 스위칭제어부(10)는 피드백신호에 기초해서 메인스위치(MS)를 고주파로 제어하게 된다.DC power input from the outside is delivered to the primary coil (L1) of the transformer (TF), at this time, the main switch (MS) is turned on and off by the switching controller 10 to input the input DC power pulses of high frequency Will be converted to. In the above, the switching controller 10 controls the main switch MS at a high frequency based on the feedback signal.

상기 메인스위치(MS)가 온되면 상기 메인스위치(MS)를 통해 상기 트랜스포머(TF)의 1차 코일(L1)에 1차 전류가 흐르고, 상기 메인스위치(MS)가 오프되면 트랜스포머(TF)의 1차 코일(L1)의 에너지가 2차 코일(L2)로 유기되어 2차 전류가 흐르게 된다.When the main switch MS is turned on, primary current flows through the main switch MS to the primary coil L1 of the transformer TF, and when the main switch MS is turned off, the transformer TF The energy of the primary coil L1 is induced to the secondary coil L2 so that the secondary current flows.

상기 2차 전류는 정류회로부(20), 즉 다이오드(D1)와 커패시터(C1, Co)에 의해 정류 및 평활되어 외부로 출력되게 된다.The secondary current is rectified and smoothed by the rectifier circuit 20, that is, the diode D1 and the capacitors C1 and Co and is output to the outside.

상기 정류회로부(20)를 통해 출력되는 전압은 피드백회로부(30)에 의해 검출되고, 검출된 전압은 스위칭제어부(10)로 피드백된다. 상기 피드백회로부(30)는 션트 레귤레이터(Shunt Regulator)와 포토 커플러(Photo Coupler) 등을 포함하여 구성된다.The voltage output through the rectifier circuit unit 20 is detected by the feedback circuit unit 30, and the detected voltage is fed back to the switching controller 10. The feedback circuit unit 30 includes a shunt regulator, a photo coupler, and the like.

상기와 같이 구성된 전원회로는 트랜스포머(TF)의 2차측 출력전압을 피드백회로부(30)를 통해 검출하여 스위칭제어부(10)로 피드백하는 데, 스위칭제어부(10)는 피드백 전압을 통해 과전압 여부를 판단함과 아울러 메인스위치(MS)의 PWM 듀티(duty) 제어를 통해 2차측 출력을 안정화시키게 된다. The power supply circuit configured as described above detects the secondary output voltage of the transformer TF through the feedback circuit unit 30 and feeds it back to the switching control unit 10. The switching control unit 10 determines whether or not the overvoltage through the feedback voltage. In addition, the secondary output is stabilized through the PWM duty control of the main switch (MS).

또한, 전원회로는 트랜스포머(TF)의 1차측 보조권선(미 도시됨)을 통해 전달되는 에너지를 이용하여 과전류 보호회로를 구성한다.In addition, the power supply circuit configures an overcurrent protection circuit using energy transferred through the secondary auxiliary winding (not shown) of the transformer TF.

이와 같이 일반적인 SMPS 장치는 과전압과 과전류에 대한 보호회로는 구성되어 있으나, 온도에 대한 보호회로는 정의되어 있지 않다. 따라서, 제품의 발열로 인하여 제품에 손상을 줄 수 있을 뿐만 아니라 더 나아가 2차 및 3차 부품의 손상과 오동작으로 인한 큰 손실이 발생될 수 있으므로 고온에 대한 대책이 시급하다.As described above, a general SMPS device has a protection circuit against overvoltage and overcurrent, but a protection circuit against temperature is not defined. Therefore, not only can damage the product due to the heat of the product, but also a large loss due to damage and malfunction of the secondary and tertiary components can be generated, so it is urgent to take measures against high temperature.

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 고온 보호회로를 갖는 SMPS 전원장치를 나타낸 회로도로서, 전원장치(1)는 트랜스포머(TF)와 메인스위치(MS), 스위칭제어부(10), 정류회로부(20), 서미스터(40; thermistor) 및 셧다운부(50; Shutdown)를 포함하여 이루어져 있다. 2 is a circuit diagram showing a SMPS power supply having a high temperature protection circuit according to an embodiment of the present invention, the power supply 1 is a transformer (TF), the main switch (MS), the switching control unit 10, the rectifier circuit unit 20 ), Thermistor 40 (thermistor) and shutdown unit 50 (Shutdown).

트랜스포머(TF)는 1차측 코일(L1)과 2차측 코일(L2)의 권선비에 따라 1차측 코일(L1)로 인가된 에너지를 소정의 크기로 변압하여 2차측 코일(L2)로 출력한다.The transformer TF transforms the energy applied to the primary coil L1 into a predetermined magnitude according to the turns ratio between the primary coil L1 and the secondary coil L2 and outputs the energy to the secondary coil L2.

메인스위치(MS)는 1차측 코일(L1)의 일측과 저전위(Vss) 사이에 전류통로가 연결되고 스위칭제어부(10)의 제어신호에 따라 스위칭되어 상기 트랜스포머(TF)의 1차측 코일(L1)의 전원을 개폐하도록 구성되어 있다.The main switch MS has a current path connected between one side of the primary coil L1 and the low potential Vss and is switched according to the control signal of the switching controller 10 to switch the primary coil L1 of the transformer TF. It is configured to open and close the power supply.

즉, 외부로부터 입력된 직류전원은 트랜스포머(TF)의 1차측 코일(L1)로 전달 되는 데, 이때 메인스위치(MS)는 스위칭제어부(10)에 의해 온,오프를 반복하여 입력 DC전원을 고주파수의 펄스로 변환하게 된다. 상기에서 스위칭제어부(10)는 트랜스포머(TF)의 2차측 코일(L2)로부터 피드백된 신호에 기초해서 메인스위치(MS)를 고주파로 제어하게 된다.That is, the DC power input from the outside is transmitted to the primary coil L1 of the transformer TF. At this time, the main switch MS repeatedly turns on and off by the switching controller 10 to convert the input DC power into high frequency. The pulse is converted into. In the above, the switching controller 10 controls the main switch MS at a high frequency based on the signal fed back from the secondary coil L2 of the transformer TF.

상기 메인스위치(MS)가 온되면 상기 메인스위치(MS)를 통해 상기 트랜스포머(TF)의 1차 코일(L1)에 1차 전류가 흐르고, 상기 메인스위치(MS)가 오프되면 트랜스포머(TF)의 1차 코일(L1)의 에너지가 2차 코일(L2)로 유기되어 2차 전류가 흐르게 된다.When the main switch MS is turned on, primary current flows through the main switch MS to the primary coil L1 of the transformer TF, and when the main switch MS is turned off, the transformer TF The energy of the primary coil L1 is induced to the secondary coil L2 so that the secondary current flows.

정류회로부(20)는 트랜스포머(TF)의 2차측 코일(L2)로 전달된 신호를 직류전원으로 정류 및 평활하여 출력하는 정류 다이오드(D1)와 평활용 커패시터(C1)를 포함하여 구성된다.The rectifier circuit 20 includes a rectifying diode D1 and a smoothing capacitor C1 for rectifying and smoothing a signal transmitted to the secondary coil L2 of the transformer TF to a DC power source and outputting the rectified and smoothed signal.

서미스터(40)는 정류 다이오드(D1)의 캐소드단인 제1 노드(Nd1)와 출력단(Output) 사이에 직렬 연결되어 표면 온도가 일정온도 이상이 되면 저항값이 증가하여 출력전류를 감소시키게 됨과 아울러 양단에 걸리는 전압은 증가하게 된다. 상기 서미스터(40)는 PTC(positive temperature coefficient) 타입으로 서미스터의 온도가 낮을 때는 저항값이 낮아 전류가 많이 흐르나 온도가 높아지면 저항값이 커져 전류가 감소한다.Thermistor 40 is connected in series between the first node (Nd1) and the output terminal (Output) of the cathode terminal of the rectifier diode (D1), when the surface temperature is above a certain temperature increases the resistance value to reduce the output current The voltage across both ends will increase. The thermistor 40 is a PTC (positive temperature coefficient) type, when the temperature of the thermistor is low, the resistance value is low and a large amount of current flows, but when the temperature is high, the resistance value is increased and the current decreases.

셧다운부(50)는 상기 서미스터(40)의 저항값의 증가에 따라 작동되어 정류회로부(20)의 출력신호를 저전위(Vss)로 흘려 출력전압을 셧다운시키도록 구성되어 있는 데, 상기 셧다운부(50)는 스위칭수단(S1)과 역방향 다이오드(D2)를 포함하여 구성될 수 있다. The shutdown unit 50 is configured to operate according to an increase in the resistance value of the thermistor 40 to shut down the output voltage by flowing the output signal of the rectifier circuit unit 20 at a low potential Vss. 50 may include a switching means S1 and a reverse diode D2.

상기 스위칭수단(S1)은 정류 다이오드(D1)의 캐소드단인 제1 노드(Nd1)와 저전위(Vss) 사이에 전류통로가 연결되고 서미스터(40)의 양단에 걸리는 전압이 드레인과 게이트의 임계전압을 초과할 경우에 스위칭되는 P채널 전계효과 트랜지스터(FET)이다.The switching means S1 has a current path connected between the first node Nd1, which is the cathode end of the rectifying diode D1, and the low potential Vss, and the voltage across the thermistor 40 is the threshold of the drain and the gate. It is a P-channel field effect transistor (FET) that switches when the voltage is exceeded.

상기 역방향 다이오드(D2)는 출력단(Output)과 스위칭수단(S1)의 게이트 사이에 역방향으로 연결되어 출력단(Output)의 전압이 게이트에 형성되는 것을 방지하게 된다.The reverse diode D2 is connected in a reverse direction between the output terminal and the gate of the switching unit S1 to prevent the voltage of the output terminal from being formed at the gate.

아울러, 셧다운부(50)는 상기 스위칭수단(S1)의 턴온시 출력전압이 저전위(Vss)와 바로 단락(short)되는 것을 방지하기 위하여 스위칭수단(S1)의 소스와 저전위(Vss) 사이에 설치되는 전류제한 저항(R1)을 더 포함할 수도 있다.In addition, the shutdown unit 50 is disposed between the source of the switching means (S1) and the low potential (Vss) in order to prevent the output voltage from being short-circuited directly with the low potential (Vss) when the switching means (S1) is turned on. It may further include a current limiting resistor (R1) installed in.

비록 도 2에서는 도시하지 않았지만, 전원장치는 도 1과 같이 정류회로부(20)를 통해 출력되는 전압을 검출하여 스위칭제어부(10)로 제공하는 피드백회로부(30)를 더 포함할 수 있으며, 상기 피드백회로부는 션트 레귤레이터(Shunt Regulator)와 포토커플러(Photo Coupler) 등을 포함하여 구성될 수 있다.Although not shown in FIG. 2, the power supply device may further include a feedback circuit unit 30 that detects a voltage output through the rectifying circuit unit 20 and provides it to the switching controller 10 as shown in FIG. 1. The circuit unit may include a shunt regulator and a photo coupler.

상기와 같이 구성된 전원장치(1)는 기본적으로 트랜스포머(TF)의 2차측 출력전압을 검출하여 스위칭제어부(10)로 피드백하고, 스위칭제어부(10)는 피드백 전압을 통해 과전압 여부를 판단함과 아울러 메인스위치(MS)의 PWM 듀티(duty) 제어를 통해 2차측 출력을 안정화시키게 된다. The power supply device 1 configured as described above basically detects the secondary output voltage of the transformer TF and feeds it back to the switching controller 10, and the switching controller 10 determines whether or not an overvoltage is detected through the feedback voltage. The PWM duty control of the main switch (MS) stabilizes the secondary output.

또한, 전원장치(1)는 2차측 출력회로에 서미스터(40)를 포함한 고온 보호회 로(50)를 설치함으로써, 일정온도 이상이 되면 출력전압을 자동으로 셧다운(Shutdown) 시킴으로써, 고온에서 각종 소자들이 손상되는 것을 최소화할 수 있다.In addition, the power supply 1 is provided with a high temperature protection circuit 50 including a thermistor 40 in the secondary output circuit, and automatically shuts down the output voltage when the temperature is higher than a predetermined temperature. Can be minimized.

상기와 같이 구성된 서미스터(40)와 셧다운부(50)의 동작을 간단하게 살펴보면 아래와 같다.Looking briefly at the operation of the thermistor 40 and the shutdown unit 50 configured as described above.

먼저, 정상동작 상태에서는 서미스터(40)의 저항값이 낮아 서미스터(40)의 양단에 걸리는 전압이 스위칭수단(S1)의 임계전압보다 낮아 스위칭수단(S1)이 동작하지 않고 오프된다.First, in the normal operation state, the resistance value of the thermistor 40 is low and the voltage across the thermistor 40 is lower than the threshold voltage of the switching means S1 so that the switching means S1 is turned off without operation.

상기 서미스터(40)를 통해 출력되는 신호는 역방향 다이오드(D2)로 인해 스위칭수단(S1)의 게이트로 인가되지 않는다.The signal output through the thermistor 40 is not applied to the gate of the switching means S1 due to the reverse diode D2.

이와 같은 상태에서 과전압 또는 과전류로 인해 서미스터(40)의 온도가 설정된 온도보다 높아질 경우, 즉 고온 상태에서는 서미스터(40)의 저항값이 상승하여 정류회로부(20)의 출력전압이 서미스터(40)의 양단에 걸려 전압이 증가함과 아울러 전류가 감소하게 되고, 서미스터(40)의 양단 전압이 스위칭수단(S1)의 드레인과 게이트의 임계전압을 초과하게 되면 스위칭수단(S1)은 턴온된다.In this state, when the temperature of the thermistor 40 becomes higher than the set temperature due to the overvoltage or overcurrent, that is, in the high temperature state, the resistance value of the thermistor 40 increases, so that the output voltage of the rectifier circuit 20 is increased. The voltage increases across both ends and the current decreases. When the voltage across the thermistor 40 exceeds the threshold voltages of the drain and the gate of the switching means S1, the switching means S1 is turned on.

이에 따라 스위칭수단(S1)이 턴온되어 정류회로부(20)를 통해 출력되는 신호는 저항(R1)을 통해 저전위(Vss)로 흘려 출력전압이 셧다운된다.Accordingly, the switching means S1 is turned on and the signal output through the rectifier circuit 20 flows to the low potential Vss through the resistor R1 to shut down the output voltage.

도 3은 PTC 타입의 서미스터(40)에 대한 온도 및 저항 특성을 나타낸 그래프로서, 각종 PCT 서미스터는 온도에 따른 저항 특성이 상이하다. 3 is a graph showing temperature and resistance characteristics of the PTC type thermistor 40. Various PCT thermistors have different resistance characteristics according to temperature.

예컨대, "PTCCL07H321"의 경우에는 온도에 따른 저항값이 급격하게 증가하여 저항 특성이 상당히 우수하고, "PTCCL08H541"의 경우에는 온도에 따른 저항값이 비교적 완만하게 증가하여 저항 특성이 다소 둔한 편이다. For example, in the case of "PTCCL07H321", the resistance value according to the temperature increases rapidly, and the resistance characteristic is considerably excellent. In the case of "PTCCL08H541", the resistance value according to the temperature increases relatively slowly, so that the resistance characteristic is rather dull.

하지만, 도 3에 도시된 PTC 타입의 서미스터들은 대략 125℃가 되면 저항값이 증가하기 시작하여 175℃에서 저항값이 대략 10Ω을 넘어서는 것을 알 수 있다.However, it can be seen that the PTC type thermistors shown in FIG. 3 begin to increase in resistance when the temperature reaches approximately 125 ° C., and the resistance exceeds about 10 Ω at 175 ° C. FIG.

따라서, 각 PTC 서미스터들의 특성을 참조하여 적절한 서미스터를 선택하여 사용하면 된다.Therefore, an appropriate thermistor may be selected and used by referring to the characteristics of each PTC thermistor.

이와 같이 본 발명에서는 전원장치의 2차측 출력회로에 서미스터를 포함한 고온 보호회로를 설치함으로써, 일정온도 이상에서 출력전압이 셧다운(Shutdown)되어 전원 소자들이 손상되는 것을 방지할 수가 있다.As described above, in the present invention, by providing a high temperature protection circuit including a thermistor in the secondary output circuit of the power supply device, it is possible to prevent the output voltage from being shut down at a predetermined temperature or more, thereby damaging the power supply elements.

상기의 본 발명은 바람직한 실시예를 중심으로 살펴보았으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 본질적 기술 범위 내에서 상기 본 발명의 상세한 설명과 다른 형태의 실시예들을 구현할 수 있을 것이다. 여기서 본 발명의 본질적 기술범위는 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the preferred embodiments, and those skilled in the art to which the present invention pertains to the detailed description of the present invention and other forms of embodiments within the essential technical scope of the present invention. Could be. Here, the essential technical scope of the present invention is shown in the claims, and all differences within the equivalent range will be construed as being included in the present invention.

도 1은 본 발명과 관련된 전원공급장치를 나타낸 회로도이다.1 is a circuit diagram showing a power supply device related to the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 고온 보호회로를 갖는 전원공급장치를 나타낸 회로도이다.2 is a circuit diagram showing a power supply having a high temperature protection circuit according to an embodiment of the present invention.

도 3은 각종 서미스터의 온도별 저항 특성을 나타낸 그래프이다.3 is a graph illustrating resistance characteristics of various thermistors at different temperatures.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10: 스위칭제어부 20: 정류회로부10: switching control unit 20: rectifier circuit unit

30: 피드백회로부 40: 서미스터30: feedback circuit 40: thermistor

50: 셧다운부 MS: 메인스위치50: shutdown MS: main switch

TF: 트랜스포머 S1: 스위칭수단TF: transformer S1: switching means

Claims (6)

트랜스포머;Transformer; 상기 트랜스포머의 2차측 코일로 전달된 신호를 직류전원으로 정류 및 평활하여 출력하는 정류회로부;A rectifier circuit unit for rectifying and smoothing the signal transmitted to the secondary coil of the transformer to a DC power source; 상기 정류회로부의 출력측인 제1 노드와 출력단 사이에 직렬 연결되어 표면 온도가 일정온도 이상이 되면 저항값이 증가하여 전압이 상승하는 서미스터; 및A thermistor connected in series between the first node, which is an output side of the rectifier circuit unit, and an output terminal, and having a resistance value increased when a surface temperature is higher than a predetermined temperature; And 상기 서미스터의 저항값의 증가에 따라 작동되어 정류회로부의 출력신호를 저전위로 흘려 출력전압을 셧다운시키는 셧다운부;를 포함하는 고온 보호회로를 갖는 전원공급장치.And a shutdown unit operated according to an increase in the resistance of the thermistor to shut down the output voltage by flowing the output signal of the rectifier circuit unit at a low potential. 제 1 항에 있어서, 상기 셧다운부는The method of claim 1, wherein the shutdown unit 상기 제1 노드와 저전위 사이에 전류통로가 연결되고 상기 서미스터의 양단에 걸리는 전압에 따라 스위칭되는 스위칭수단을 포함하는 고온 보호회로를 갖는 전원공급장치.And a switching means connected to a current path between the first node and the low potential and switched according to the voltage across the thermistor. 제 2 항에 있어서, 상기 셧다운부는The method of claim 2, wherein the shutdown unit 상기 출력단과 스위칭수단의 게이트 사이에 역방향으로 연결되는 역방향 다 이오드를 포함하는 고온 보호회로를 갖는 전원공급장치.And a high temperature protection circuit comprising a reverse diode connected in a reverse direction between the output terminal and the gate of the switching means. 제 2 항에 있어서, 상기 셧다운부는The method of claim 2, wherein the shutdown unit 상기 스위칭수단과 저전위 사이에 연결되어 스위칭수단의 턴온시 출력전압이 저전위와 단락(short)되는 것을 방지하는 전류제한 저항을 포함하는 고온 보호회로를 갖는 전원공급장치.And a current limiting resistor connected between the switching means and the low potential to prevent the output voltage from shorting to the low potential when the switching means is turned on. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 스위칭수단은 서미스터의 양단에 걸리는 전압이 드레인과 게이트의 임계전압을 초과할 경우에 턴온되는 P채널 전계효과 트랜지스터인 고온 보호회로를 갖는 전원공급장치.And the switching means has a high temperature protection circuit which is a P-channel field effect transistor that is turned on when the voltage across the thermistor exceeds the threshold voltages of the drain and gate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 서미스터는 PTC(positive temperature coefficient) 타입인 고온 보호회로를 갖는 전원공급장치.The thermistor is a power supply having a high temperature protection circuit of the PTC (positive temperature coefficient) type.
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