KR20110002639A - A repair structure of pattern parts and a repair method of the pattern parts - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A structure and a method for repairing a pattern are provided to increase repair yield by filing and sintering conductive materials in an open defect part with a hydrophilic insulation thin film to form a repair part. CONSTITUTION: A hydrophilic insulation thin film(113) is formed on an insulation layer(102) exposed by an open defect part(106) of a pattern(104). A repair part is formed by filling conductive materials in the open defect part including the hydrophilic insulation thin film. The conductive material is conductive metal ink or conductive paste. The hydrophilic insulation thin film is made of polyimide based resin. A hydrophobic insulation thin film is formed on the insulation layer of the open defect side.

Description

패턴부의 리페어 구조 및 리페어 방법{A repair structure of pattern parts and a repair method of the pattern parts}Repair structure of pattern parts and a repair method of the pattern parts

본 발명은 패턴부의 리페어 구조 및 리페어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a repair structure and a repair method of the pattern portion.

일반적으로, 인쇄회로기판은 각종 열경화성 합성수지로 이루어진 보드의 일면 또는 양면에 동선으로 배선한 후, 보드 상에 IC 또는 전자부품들을 배치 고정하고 이들 간의 전기적 배선을 구현하여 절연체로 코팅한 것이다. In general, a printed circuit board is wired to one side or both sides of a board made of various thermosetting synthetic resins, and then an IC or an electronic component is disposed and fixed on the board and coated with an insulator by implementing electrical wiring therebetween.

최근, 전자산업의 발달에 전자 부품의 고기능화, 경박단소화에 대한 요구가 급증하고 있고, 이러한 전자부품을 탑재하는 인쇄회로기판 또한 고밀도 배선화 및 박판이 요구되고 있으며, 이는 인쇄회로기판의 제조 가격의 상승을 초래하고 있다. In recent years, with the development of the electronics industry, the demand for high functionalization and light weight reduction of electronic components is rapidly increasing, and printed circuit boards on which such electronic components are mounted also require high-density wiring and thin plates. It is causing an increase.

이에 대처하기 위한 하나의 방법으로, 인쇄회로기판의 제조과정에서 발생하는 패턴부 불량에 대한 리페어(repair) 기술이 주목받고 있는 실정이다. As a way to cope with this, a repair technique for defective pattern parts occurring in the manufacturing process of a printed circuit board has been attracting attention.

도 1에는 패턴부에 발생되는 결함을 나타내는 도면이 도시되어 있다.1 is a view showing a defect occurring in the pattern portion.

도 1에서 알 수 있는 바와 같이, 인쇄회로기판의 제조과정에서 패턴부(10)에는 단선(open; 12), 결손(14), 굵어짐(16), 핀홀(pin hole; 18), 단락(short; 20), 돌기(22), 가늘어짐(24), 단선 직전의 결손(26)과 같은 다양한 결함이 발생된다.As can be seen in Figure 1, in the manufacturing process of the printed circuit board, the pattern portion 10 is open (12), missing (14), thickened (16), pin hole (18), short ( various defects occur such as short (20), projection (22), tapering (24), and defect (26) just before disconnection.

이때, 단락(20), 굵어짐(16), 및 돌기(22)와 같은 쇼트 불량부에 대해서는 레이저 어블레이션(laser ablation) 방식을 이용한 상용장비를 통해 리페어 공정이 수행되고 있으나, 단선(12), 결손(14), 핀홀(18), 가늘어짐(24), 단선 직전의 결손(26)과 같은 오픈 불량부에 대해서는 별도의 자동화 설비가 없어 수작업에 의한 리페어 공정이 수행되고 있는 실정이다. In this case, the repair process is performed through commercial equipment using a laser ablation method for the short defective parts such as the short circuit 20, the thickening 16, and the protrusion 22, but the disconnection 12 Open defects such as defects 14, pinholes 18, tapered 24, and defects 26 immediately before disconnection do not have any automated equipment, and repair processes are performed by manual labor.

예를 들어, 종래에는 오픈 불량의 경우 작업자가 수작업을 통해 오픈성 불량부에 도금공정을 통해 도금두께를 맞추어 도금층을 형성하고, 규격을 벗어난 부위를 칼로 잘라내는 방식으로 진행되거나, 오픈 불량부에 도전성 재료를 충진하는 방식으로 진행되었다. For example, in the conventional case of open defects, the worker manually forms a plated layer according to the plating thickness through the plating process on the open defect portion by manual work, and proceeds by cutting a portion out of specification with a knife or It proceeded by filling the conductive material.

그러나, 도금공정에 의해 리페어 공정을 수행하는 경우에는 리페어 공정 시간이 너무 길어져 그 수율이 현저히 떨어지는 문제점이 있었다. However, when the repair process is performed by the plating process, there is a problem that the repair process time is too long, and the yield thereof is significantly decreased.

이에 반해, 도전성 재료를 충진하여 리페어 공정을 수행하는 경우에는 도금공정에 의한 경우보다 리페어 공정 시간은 단축되는 장점은 있으나, 오픈 불량부를 충진하는 과정에서 도전성 재료가 그 외부로 번짐으로써 다른 패턴부와의 쇼트가 발생하는 문제점이 있었다. On the other hand, when the repair process is performed by filling the conductive material, the repair process time is shorter than the case of the plating process. However, the conductive material spreads to the outside in the process of filling the open defective part, so that the repair process may be performed. There was a problem that a short occurred.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 리페어 수율을 증대시키되, 도전성 재료의 번짐 현상을 최소화할 수 있는 패턴부의 리페어 구조 및 패턴부의 리페어 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a repair structure of the pattern portion and a repair method of the pattern portion to increase the repair yield, minimizing the bleeding phenomenon of the conductive material. .

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴부의 리페어 구조는, 패턴부의 오픈 불량부에 의해 노출된 절연층에 형성된 친수성 절연박막; 및 상기 오픈 불량부의 상기 친수성 절연박막에 도전성 재료가 충진되어 형성된 리페어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The repair structure of the pattern portion according to the preferred embodiment of the present invention, the hydrophilic insulating thin film formed on the insulating layer exposed by the open defective portion of the pattern portion; And a repair part formed by filling a conductive material in the hydrophilic insulating thin film of the open defective part.

여기서, 상기 오픈 불량부 측면의 상기 절연층에 형성된 소수성 절연박막을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Here, it is characterized in that it further comprises a hydrophobic insulating thin film formed on the insulating layer side of the open defective portion.

또한, 상기 친수성 절연박막은 폴리이미드 계열 레진으로 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the hydrophilic insulating thin film is characterized in that formed of polyimide resin.

또한, 상기 도전성 재료는 도전성 메탈 잉크 또는 도전성 페이스트인 것을 특징으로 한다.The conductive material may be a conductive metal ink or a conductive paste.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴부의 리페어 방법은, (A) 패턴부의 오픈 불량부에 의해 노출된 절연층에 소수성 절연박막을 형성하는 단계, (B) 상기 소수성 절연박막을 친수성 절연박막으로 변성시키는 단계, (C) 상기 친수성 절연박 막이 형성된 상기 오픈 불량부에 도전성 재료를 충진하는 단계, 및 (D) 상기 도전성 재료를 소결하는 단계를 포함한다.In the repairing method of the pattern portion according to the preferred embodiment of the present invention, (A) forming a hydrophobic insulating thin film on the insulating layer exposed by the open defective portion of the pattern portion, (B) modifying the hydrophobic insulating thin film into a hydrophilic insulating thin film (C) filling the open defective portion with the hydrophilic insulating thin film formed thereon, and (D) sintering the conductive material.

여기서, 상기 (A) 단계에서, 상기 소수성 절연박막은 에어로졸 젯 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 마이크로 컨택 프린팅, 또는 디스펜싱 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.Here, in the step (A), the hydrophobic insulating thin film is formed by aerosol jet printing, inkjet printing, screen printing, micro-contact printing, or dispensing method.

또한, 상기 (B) 단계에서, 상기 변성은 UV 조사법 또는 레이저 조사법에 의해 수행되는 것을 특징으로 한다.Further, in the step (B), the modification is characterized in that it is carried out by UV irradiation or laser irradiation.

또한, 상기 (C) 단계에서, 상기 도전성 재료의 충진은 에어로졸 젯 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 마이크로 컨택 프린팅, 또는 디스펜싱 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 한다.Further, in the step (C), the filling of the conductive material is characterized in that it is carried out by aerosol jet printing, inkjet printing, screen printing, micro-contact printing, or dispensing method.

또한, 상기 도전성 재료는 도전성 메탈 잉크 또는 도전성 페이스트인 것을 특징으로 한다.The conductive material may be a conductive metal ink or a conductive paste.

또한, 상기 (D) 단계에서, 상기 도전성 재료의 소결은 열처리 또는 레이저 처리에 의해 수행되는 것을 특징으로 한다.In the step (D), the sintering of the conductive material is performed by heat treatment or laser treatment.

본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 패턴부의 리페어 방법은, (A) 패턴부의 오픈 불량부에 의해 노출된 절연층 및 상기 오픈부 측면의 절연층에 소수성 절연박막을 형성하는 단계, (B) 상기 오픈 불량부에 형성된 상기 소수성 절연박막을 친수성 절연박막으로 변성시키는 단계, (C) 상기 친수성 절연박막이 형성된 상기 오픈불량부에 도전성 재료를 충진하는 단계, 및 (D) 상기 도전성 재료를 소결하 는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another preferred embodiment of the present invention, a method of repairing a pattern portion includes: (A) forming a hydrophobic insulating thin film on an insulating layer exposed by an open defective portion of the pattern portion and an insulating layer on the side of the open portion, (B) Modifying the hydrophobic insulating thin film formed on the open defective portion into a hydrophilic insulating thin film, (C) filling a conductive material into the open defective portion on which the hydrophilic insulating thin film is formed, and (D) sintering the conductive material. Is characterized in that it comprises a step.

여기서, 상기 (D) 단계 이후에, (E) 상기 오픈 불량부 측면의 상기 절연층에 형성된 상기 소수성 절연박막을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.Here, after the step (D), (E) may further comprise the step of removing the hydrophobic insulating thin film formed on the insulating layer on the side of the open defective portion.

또한, 상기 (A) 단계에서, 상기 소수성 절연박막은 에어로졸 젯 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 마이크로 컨택 프린팅, 또는 디스펜싱 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 한다.Further, in the step (A), the hydrophobic insulating thin film is characterized in that it is performed by aerosol jet printing, inkjet printing, screen printing, micro-contact printing, or dispensing method.

또한, 상기 (B) 단계에서, 상기 변성은 UV 조사법 또는 레이저 조사법에 의해 수행되는 을 특징으로 한다.In addition, in the step (B), the modification is characterized in that it is carried out by UV irradiation or laser irradiation.

또한, 상기 (C) 단계에서, 상기 도전성 재료의 충진은 에어로졸 젯 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 마이크로 컨택 프린팅, 또는 디스펜싱 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 한다.Further, in the step (C), the filling of the conductive material is characterized in that it is carried out by aerosol jet printing, inkjet printing, screen printing, micro-contact printing, or dispensing method.

또한, 상기 도전성 재료는 도전성 메탈 잉크 또는 도전성 페이스트인 것을 특징으로 한다.The conductive material may be a conductive metal ink or a conductive paste.

또한, 상기 (D) 단계에서, 상기 도전성 재료의 소결은 열처리 또는 레이저 처리에 의해 수행되는 것을 특징으로 한다.In the step (D), the sintering of the conductive material is performed by heat treatment or laser treatment.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다. The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.

이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법 으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Prior to this, the terms or words used in this specification and claims should not be construed in the usual and dictionary sense, and the inventors will be required to properly define the concepts of terms in order to best describe their invention. On the basis of the principle that it can be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention.

본 발명은 패턴부의 오픈 불량부에 노출된 절연층에 친수성 절연박막을 형성, 오픈 불량부에 도전성 재료를 충진, 소결하여 리페어부를 형성함으로써 수작업에 의한 리페어 공정에 비해 미세패턴에도 대응이 가능하며, 리페어 수율이 증대될 수 있는 패턴부의 리페어 구조 및 리페어 방법을 제공한다.According to the present invention, a hydrophilic insulating thin film is formed on an insulating layer exposed to an open defective part of a pattern part, and a repair part is formed by filling and sintering a conductive material into an open defective part, and thus a fine pattern can be coped with the repair process by manual operation. Provided is a repair structure and a repair method of a pattern portion in which repair yield can be increased.

또한, 본 발명은 패턴부의 오픈 불량부에 노출된 절연층에 친수성 절연박막을 형성 후 오픈 불량부에 도전성 재료를 충진, 소결하여 오픈 불량부를 리페어 함으로써 친수성 절연박막이 메탈 잉크등 도전성 재료의 번지는 현상을 최소화할 수 있고, 도전성 재료를 오픈 불량부에 강하게 접착하게 한다.In addition, the present invention forms a hydrophilic insulating thin film on the insulating layer exposed to the open defective portion of the pattern portion, and then fills and sinters the conductive material in the open defective portion to repair the open defective portion, thereby spreading the hydrophilic insulating thin film to the conductive material such as metal ink. The phenomenon can be minimized, and the conductive material is strongly adhered to the open defective part.

이에 따라, 오픈 불량부의 중심 영역에 충진되는 도전성 재료가 일정 높이를 가질 수 있게 함으로써 도전성 재료에 의해 형성되는 패턴부의 신호 전달 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.Accordingly, it is possible to improve the signal transmission reliability of the pattern portion formed by the conductive material by allowing the conductive material filled in the center region of the open defective portion to have a certain height.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공 지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. The objects, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description and the preferred embodiments associated with the accompanying drawings. In the present specification, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components as possible, even if displayed on different drawings have the same number as possible. In describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related known technology may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴부의 리페어 구조를 설명하기 위한 단면도(도 2a) 및 평면도(도 2b)이다. 이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 패턴부(104)의 리페어 구조에 대해 설명하기로 한다.2 is a cross-sectional view (FIG. 2A) and a plan view (FIG. 2B) for explaining a repair structure of a pattern portion according to a preferred embodiment of the present invention. Hereinafter, a repair structure of the pattern unit 104 according to the present exemplary embodiment will be described with reference to this.

도 2에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 패턴부의 리페어 구조는 패턴부(104)의 오픈 불량부(106)에 의해 노출된 절연층(102)에 친수성 절연박막(113)을 형성한 상태에서, 친수성 절연박막(113)을 포함하여 오픈 불량부(106)에 도전성 재료(115; 도 6a 참조)를 충진하여 리페어부(116)를 형성함으로써 단선된 패턴부(104)를 연결시키는 것을 특징으로 한다.As shown in FIG. 2, in the repair structure of the pattern portion according to the present embodiment, a hydrophilic insulating thin film 113 is formed on the insulating layer 102 exposed by the open defective portion 106 of the pattern portion 104. In this case, the disconnected pattern part 104 is connected by filling the open defective part 106 including the hydrophilic insulating thin film 113 with the conductive material 115 (see FIG. 6A) to form the repair part 116. It is done.

본 실시예에서 친수성 절연박막(113)의 재료는 친수성 절연 레진이 이용될 수 있다. 또한 친수성 절연박막(113)은 소수성 절연 레진에 변성단계를 거침으로써 친수성 절연레진으로 바뀌는 절연레진으로부터 형성될 수 있다. 패턴부(104)의 오픈 불량부(106)에 의해 노출된 절연층(102)에 소수성 절연 레진 박막을 형성한 후 UV 조사법 또는 레이저 조사법을 이용해 변성시킴으로써 친수성 절연 레진 박막을 형성할 수 있다.In the present embodiment, the material of the hydrophilic insulating thin film 113 may be a hydrophilic insulating resin. In addition, the hydrophilic insulating thin film 113 may be formed from an insulating resin that is converted into a hydrophilic insulating resin by undergoing a modification step in the hydrophobic insulating resin. The hydrophilic insulating resin thin film may be formed by forming a hydrophobic insulating resin thin film on the insulating layer 102 exposed by the open defective part 106 of the pattern part 104 and then modifying it using UV irradiation or laser irradiation.

특히, 패턴부(104)의 오픈 불량부(106)에 의해 노출된 절연층(102)에 소수성 폴리이미드 박막을 형성한 후 UV 조사법 또는 레이저 조사법을 이용해 친수성 폴리이미드 박막으로 변성시키는 것이 바람직하다. In particular, it is preferable to form a hydrophobic polyimide thin film on the insulating layer 102 exposed by the open defective part 106 of the pattern part 104 and then modify it into a hydrophilic polyimide thin film using UV irradiation or laser irradiation.

본 실시예에서 리페어부(116)는 오픈 불량부(106)에 충진되어 패턴부(104)의 오픈 불량을 보완하는, 예를 들어, 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu)를 포함하는 도전성 메탈 잉크 또는 도전성 페이스트가 사용될 수 있다.In the present embodiment, the repair unit 116 is filled in the open defective part 106 to compensate for the open defect of the pattern part 104, for example, gold (Au), silver (Ag), and copper (Cu). Conductive metal inks or conductive pastes may be used.

도 3은 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 패턴부의 리페어 구조를 설명하기 위한 단면도(도 3a) 및 평면도(도 3b)이다. 본 실시예에 따른 패턴부의 리페어 구조는 패턴부의 오픈 불량부에 의해 노출된 절연층 이외에 오픈 불량부 측면의 절연층에 형성된 소수성 절연박막(112'; 이하 "측면 소수성 절연박막"이라 지칭한다.)을 더 포함한다. 3 is a cross-sectional view (FIG. 3A) and a plan view (FIG. 3B) for explaining a repair structure of a pattern portion according to another preferred embodiment of the present invention. The repair structure of the pattern portion according to the present embodiment is a hydrophobic insulating thin film 112 'formed on the insulating layer on the side of the open defective portion in addition to the insulating layer exposed by the open defective portion of the pattern portion (hereinafter referred to as "side hydrophobic insulating thin film"). It includes more.

여기서 오픈 불량부(106) 측면의 절연층에 형성된 측면 소수성 절연박막(112')은 오픈 불량부(106)를 포함하도록 소수성 절연박막을 형성하는 과정에서 오픈 불량부(106)에 의해 노출된 절연층(122)에 형성되는 소수성 절연박막(112; 도 8 참조)과 동시에 생성된 것이다. 오픈 불량부(106)에 의해 노출된 절연층(122)을 포함하도록 소수성 절연박막을 형성한 후, 오픈 불량부(106)에 의해 노출된 절연층에 형성된 소수성 절연박막(112)에만 UV 조사법 또는 레이저 조사법을 이용해 친수성 절연박막(113)으로 변성시킴으로써 오픈 불량부 주위에는 측면 소수성 절연박막(112')이 잔존하게 된다.Here, the side hydrophobic insulating thin film 112 ′ formed in the insulating layer on the side of the open defective part 106 is insulated exposed by the open defective part 106 in the process of forming the hydrophobic insulating thin film to include the open defective part 106. It is produced simultaneously with the hydrophobic insulating thin film 112 (see FIG. 8) formed in the layer 122. After the hydrophobic insulating thin film is formed to include the insulating layer 122 exposed by the open defective part 106, the UV irradiation method is applied only to the hydrophobic insulating thin film 112 formed in the insulating layer exposed by the open defective part 106. By modifying the hydrophilic insulating thin film 113 using a laser irradiation method, the side hydrophobic insulating thin film 112 'remains around the open defective part.

이러한 측면 소수성 절연박막(112')은 도전성 재료(115)를 친수성 절연박 막(113)이 형성된 오픈 불량부(106)에 충진해 리페어부(116)를 형성함에 있어서 친수성 도전성 재료(115)가 오픈 불량부(106) 밖으로 번지지 않게 친수성 절연박막(113)에 협력한다. 이는, 친수성 절연박막(113)이 같은 성질을 이용해 도전성 재료(115)와의 접착력을 강화시켜 도전성 재료(115)를 오픈 불량부(106)에 접착시키고, 측면 소수성 절연박막(112')은 반대 성질을 이용해 도전성 재료(115)가 밖으로 번지지 않게 함으로써 도전성 재료(115)를 오픈 불량부(106)에 더 강하게 접착시킨다. 즉 친수성 절연박막(113)은 접착제 역할을 하고, 측면 소수성 절연박막(112')은 평면 댐 역할을 하는 것이다.The lateral hydrophobic insulating thin film 112 ′ is filled with the conductive material 115 in the open defective part 106 having the hydrophilic insulating thin film 113 to form the repair part 116. It cooperates with the hydrophilic insulating thin film 113 so that it may not spread out of the open defective part 106. FIG. This is because the hydrophilic insulating thin film 113 uses the same property to enhance the adhesive force with the conductive material 115 to adhere the conductive material 115 to the open defective portion 106, and the side hydrophobic insulating thin film 112 'has the opposite property. The conductive material 115 is more strongly adhered to the open defective portion 106 by preventing the conductive material 115 from smearing out. That is, the hydrophilic insulating thin film 113 serves as an adhesive, and the side hydrophobic insulating thin film 112 'serves as a flat dam.

도 4 내지 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴부의 리페어 방법을 공정순서대로 도시한 공정단면도(도 4a 내지 도 7a) 및 공정 평면도(도 4b 내지 도 7b)이다. 4 to 7 are process cross-sectional views (FIGS. 4A to 7A) and process plan views (FIGS. 4B to 7B) showing the repairing method of the pattern portion according to the preferred embodiment of the present invention in the process order.

이하, 이를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴부의 리페어 방법에 대해 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a repair method of a pattern unit according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the following.

먼저, 도 4(도 4a 및 도 4b)에 도시한 바와 같이, 패턴부(104)의 오픈 불량부(106)에 의해 노출된 절연층에 소수성 절연박막(112)을 형성한다. 여기서, 도 4a 및 도 4b는 각각 본 단계를 나타내는 단면도 및 평면도이다. First, as shown in FIG. 4 (FIGS. 4A and 4B), the hydrophobic insulating thin film 112 is formed in the insulating layer exposed by the open defective part 106 of the pattern part 104. As shown in FIG. 4A and 4B are sectional views and a plan view respectively showing this step.

이때, 소수성 절연박막(112)은, 예를 들어, 에어로졸 젯 프린팅(aerosol jet printing), 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 스크린 프린팅(screen printing), 마 이크로 컨택 프린팅(micro contact printing), 디스펜싱 등의 방법에 의해 형성될 수 있다. 도 4a에서는 도시의 편의를 위해 디스펜서(201)에 의해 소수성 절연박막(112)이 형성되는 것으로 도시하였다.In this case, the hydrophobic insulating film 112 may be, for example, aerosol jet printing, inkjet printing, screen printing, micro contact printing, dispensing, or the like. It can be formed by the method of. In FIG. 4A, the hydrophobic insulating thin film 112 is formed by the dispenser 201 for convenience of illustration.

여기서, 소수성 절연박막(112)은 소수성에서 친수성으로 변성 가능한 소수성 절연 레진이 이용될 수 있다. 이러한 소수성 절연 레진은 절연층(102)이 소수성을 띄고 있으므로 절연층(102)에 접착하기 쉽고, 친수성으로 변성되어 도전성 재료(115)를 오픈 불량부(106)에 접착시킬 수 있다.Here, the hydrophobic insulating thin film 112 may be a hydrophobic insulating resin that can be modified hydrophobic to hydrophilic. Since the insulating layer 102 is hydrophobic, the hydrophobic insulating resin may be easily adhered to the insulating layer 102, and may be modified to be hydrophilic to adhere the conductive material 115 to the open defective part 106.

다음, 도 5(도 5a 및 도 5b)에 도시한 바와 같이, 소수성 절연박막(112)을 친수성 절연박막(113)으로 변성시킨다. 여기서, 도 5a 및 도 5b는 각각 본 단계를 나타내는 단면도 및 평면도이다.Next, as shown in FIG. 5 (FIGS. 5A and 5B), the hydrophobic insulating thin film 112 is modified into a hydrophilic insulating thin film 113. 5A and 5B are sectional views and a plan view respectively showing this step.

이때, 소수성 절연박막(112)은, 예를 들어 UV 조사법 또는 레이저 조사법에 의해 친수성 절연박막(113)으로 변성될 수 있다. 도 5a에 도시된 것과 같이, UV 조사기구 또는 레이저 조사기구(202)를 이용하여 소수성 절연박막(112)에 UV광 또는 레이저광을 조사한다. 좀더 자세히 설명하면, UV 조사기구 또는 레이저 조사기구(202)와 수소탈환형(hydrogen abstraction) 광개시제를 이용하여 고분자 표면에 활성 라디칼을 생성시키고, 여기에 관능기를 가진 단량체들을 그라프트 중합시키는 방법으로 표면에 작용기를 부여함으로써 표면 개질을 수행한다. 그에 따라 안정한 구조를 가졌던 소수성 절연박막(112)은 친수성으로 변성되는 것이다. In this case, the hydrophobic insulating thin film 112 may be modified into the hydrophilic insulating thin film 113 by, for example, UV irradiation or laser irradiation. As shown in FIG. 5A, the hydrophobic insulating thin film 112 is irradiated with UV light or laser light using the UV irradiating device or the laser irradiating device 202. In more detail, the UV irradiation apparatus or the laser irradiation apparatus 202 and the hydrogen abstraction photoinitiator are used to generate active radicals on the surface of the polymer, and graft polymerize monomers having functional groups thereon. Surface modification is carried out by imparting functional groups to the. Accordingly, the hydrophobic insulating thin film 112 having a stable structure is modified to be hydrophilic.

예를 들어, 소수성 절연박막(112)은 폴리이미드가 사용될 수 있는데, 폴리이 미드는 친수성으로 변성 가능한 소수성 절연레진의 하나의 예시에 불과하고 친수성으로 변성 가능한 소수성 절연레진은 어떠한 것도 소수성 절연박막(112)으로 이용될 수 있다.For example, the hydrophobic insulating thin film 112 may be made of polyimide. The polyimide is only one example of a hydrophobic insulating resin that can be modified hydrophilically, and any hydrophobic insulating resin that can be hydrophilically modified can be hydrophobic insulating thin film 112. Can be used).

다음, 도 6(도 6a 및 도 6b)에 도시한 바와 같이, 친수성 절연박막(113)이 형성된 패턴부(104)의 오픈 불량부(106)에 도전성 재료(115)를 충진한다. 여기서, 도 6a 및 도 6b는 각각 본 단계를 나타내는 단면도 및 평면도이다.Next, as shown in FIG. 6 (FIGS. 6A and 6B), the conductive material 115 is filled in the open defective part 106 of the pattern part 104 in which the hydrophilic insulating thin film 113 was formed. 6A and 6B are sectional views and a plan view respectively showing this step.

여기서, 도전성 재료(115)는 도전성을 가짐으로써 오픈 불량부(106)에 충진되어 패턴부(104)의 오픈 불량을 보완할 수 있는 재료로서, 도전성 메탈 잉크 또는 도전성 페이스트가 사용된다. 이때, 도전성 재료(110)는, 예를 들어 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu)등이 사용될 수 있다.In this case, the conductive material 115 is filled with the open defective part 106 by having conductivity, so that the open defect of the pattern part 104 can be compensated for. The conductive metal ink or the conductive paste is used. In this case, for example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), or the like may be used as the conductive material 110.

이때, 도전성 재료(115)는 예를 들어, 에어로졸 젯 프린팅(aerosol jet printing), 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 스크린 프린팅(screen printing), 마이크로 컨택 프린팅(micro contact printing), 디스펜싱 등의 방법에 의해 수행될 수 있다. 도 6a에는 도시의 편의를 위해 디스펜서(203)에 의해 도전성 재료(115)가 충진되는 것으로 도시하였다. In this case, the conductive material 115 may be, for example, aerosol jet printing, inkjet printing, screen printing, micro contact printing, dispensing, or the like. Can be performed by FIG. 6A illustrates that the conductive material 115 is filled by the dispenser 203 for convenience of illustration.

여기서, 도전성 재료(115)의 충진 높이가 패턴부(104)의 높이에 비해 너무 작은 경우 단선된 패턴부(104)의 신호 전달 신뢰성을 보장할 수 없기 때문에 도전성 재료(115)는 소정 높이 이상으로 충진되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 오픈 불량부(106)에 도전성 재료(115)를 충진하는 경우, 도전성 재료(115)의 번짐으로 인해 오픈 불량부(106)의 중심영역이 패턴부(104)와 가까운 영역에 비해 작은 높이로 형성되게 되는데, 오픈 불량부(106)의 중심영역에 충진되는 도전성 재료(115)의 높이가 너무 작은 경우 신호 전달 신뢰성이 약화될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 친수성 절연박막(113)과 친수성 도전성 재료(115)의 젖음성으로 인해 도전성 재료(115)가 패턴부(104)의 너비를 넘어 번지는 현상을 방지함으로써 오픈 불량부(106)의 범위 내에 도전성 재료(115)가 소정 높이로 형성되게 된다.Here, when the filling height of the conductive material 115 is too small compared with the height of the pattern portion 104, the signal transmission reliability of the disconnected pattern portion 104 may not be guaranteed, so the conductive material 115 may have a predetermined height or more. It is preferred to be filled. For example, when the conductive material 115 is filled in the open defective part 106, the central area of the open defective part 106 is closer to the pattern part 104 than the area close to the pattern part 104 due to the smearing of the conductive material 115. When the height of the conductive material 115 filled in the central area of the open defective part 106 is too small, the signal transmission reliability may be weakened. According to the exemplary embodiment of the present invention, due to the wettability of the hydrophilic insulating thin film 113 and the hydrophilic conductive material 115, the conductive material 115 is prevented from spreading beyond the width of the pattern portion 104, thereby preventing the open defect part ( The conductive material 115 is formed at a predetermined height within the range of 106.

도 7(도 7a 및 도 7b)에 도시한 바와 같이, 오픈 불량부(106)에 충진된 도전성 재료(115)를 소결하여 단선된 패턴부(104)를 연결하는 리페어부(116)를 형성한다. 여기서, 도 7a 및 도 7b는 각각 본 단계를 나타내는 단면도 및 평면도이다.As illustrated in FIG. 7 (FIGS. 7A and 7B), the conductive material 115 filled in the open defective part 106 is sintered to form a repair part 116 connecting the disconnected pattern part 104. . 7A and 7B are sectional views and a plan view respectively showing this step.

본 단계는 도전성 재료(115)에 포함된 유기물을 태워 없애, 치밀한 구조를 갖도록 하기 위한 것으로서, 소정온도 이상으로 도전성 재료(115)를 열처리를 하거나 레이저 처리를 함으로써 수행될 수 있다. This step is to burn off the organic material contained in the conductive material 115 to have a compact structure, and may be performed by heat-treating the conductive material 115 at a predetermined temperature or more or performing laser treatment.

즉, 도전성 재료(115)에 포함된 유기물을 없앰으로써 도전성이 향상되어 유기물에 의한 오픈 현상이 제거될 수 있게 된다. That is, by removing the organic material contained in the conductive material 115, the conductivity is improved, so that the open phenomenon caused by the organic material can be removed.

도 8 내지 도 12는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 패턴부의 리페어 방법을 공정순서대로 도시한 공정 평면도이다. 8 to 12 are process plan views showing the repair method of the pattern portion according to another preferred embodiment of the present invention in the process order.

이하, 이를 참조하여 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 패턴부의 리페어 방법에 대해 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a repair method of the pattern unit according to another preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the following.

먼저, 도 8에 도시한 바와 같이, 패턴부(104)의 오픈 불량부(106)에 의해 노출된 절연층 및 오픈 불량부 측면의 절연층에 소수성 절연박막(112) 및 측면 소수성 절연박막(112')을 형성한다. 측면 소수성 절연박막(112')을 포함하여 형성하는 것을 제외하고는 도 4a 및 도 4b를 참조하여 상술한 소수성 절연박막(112)의 형성방법과 동일하다.First, as shown in FIG. 8, the hydrophobic insulating thin film 112 and the side hydrophobic insulating thin film 112 are exposed to the insulating layer exposed by the open defective part 106 of the pattern part 104 and the insulating layer on the side of the open defective part. Form '). Except for including the side hydrophobic insulating thin film 112 'is the same as the method of forming the hydrophobic insulating thin film 112 described above with reference to FIGS. 4A and 4B.

여기서, 오픈 불량부(106) 주위에 형성된 측면 소수성 절연박막(112')은 오픈 불량부(106)에 의해 노출된 절연층을 포함하도록 소수성 절연박막을 형성하는 과정에서 소수성 절연박막(112)과 동시에 생성된 것이다. 오픈 불량부(106)에 의해 노출된 절연층을 포함하도록 소수성 절연박막을 형성한 후 오픈 불량부(106)에 의해 노출된 절연층에 형성된 소수성 절연부에만 UV 조사법 또는 레이저 조사법을 이용해 변성시킴으로써 오픈 불량부 주위에 측면 소수성 절연박막(112')이 잔존하게 된다.Here, the side hydrophobic insulating thin film 112 ′ formed around the open defective part 106 may include the hydrophobic insulating thin film 112 in the process of forming the hydrophobic insulating thin film to include the insulating layer exposed by the open defective part 106. It was created at the same time. The hydrophobic insulating thin film is formed to include the insulating layer exposed by the open defective part 106 and then modified by using UV irradiation or laser irradiation only to the hydrophobic insulating part formed in the insulating layer exposed by the open defective part 106. Lateral hydrophobic insulating thin film 112 'remains around the defective portion.

이러한 측면 소수성 절연박막(112')은 도전성 재료(115)를 오픈 불량부(106)에 충진해 리페어부(116)를 형성함에 있어서 친수성인 도전성 재료(115)가 친수성 절연박막(113)에서 번지지 않도록 협력한다. 즉 친수성인 도전성 재료(115)와 친수성 절연박막(113)의 접착을 강화시키는 역할을 한다.The side hydrophobic insulating thin film 112 ′ is filled with the conductive material 115 in the open defective portion 106 to form the repair portion 116 so that the hydrophilic conductive material 115 is spread from the hydrophilic insulating thin film 113. Cooperate to avoid. That is, it serves to enhance adhesion between the hydrophilic conductive material 115 and the hydrophilic insulating thin film 113.

다음, 도 9에 도시한 바와 같이, 소수성 절연박막(112)을 친수성 절연박막(113)으로 변성시킨다. 소수성 절연박막(112)의 친수성 절연박막(113)으로 변성 은 도 4를 참조하여 상술한 것과 같이 UV 조사법 또는 레이저 조사법에 의해 수행될 수 있다.Next, as shown in FIG. 9, the hydrophobic insulating thin film 112 is modified into a hydrophilic insulating thin film 113. The modification of the hydrophobic insulating thin film 112 to the hydrophilic insulating thin film 113 may be performed by UV irradiation or laser irradiation as described above with reference to FIG. 4.

여기서, 친수성 절연박막(113)으로 변성되는 부분은 소수성 절연박막(122)를 넘어서는 안된다. 즉, 측면 소수성 절연박막(112')을 조사하여 친수성 절연박막으로 변성시켜서는 안 된다. 친수성 절연박막(113)으로 변성된 부분 위에 친수성을 갖는 도전성 재료(115)가 충진되어 최종적으로 리페어부(116)를 형성하므로 친수성으로 변성된 절연박막(113)이 오픈 불량부(106)보다 넓으면 도전성 재료의 번짐이 발생하여 회로 패턴부(104)에 단락, 돌기 등의 문제가 발생할 수 있기 때문이다.Here, the portion denatured into the hydrophilic insulating thin film 113 should not exceed the hydrophobic insulating thin film 122. That is, the side hydrophobic insulating thin film 112 'should not be irradiated and modified into a hydrophilic insulating thin film. Since the conductive material 115 having hydrophilicity is filled on the portion modified with the hydrophilic insulating thin film 113 to finally form the repair portion 116, the hydrophilic insulating thin film 113 is wider than the open defective portion 106. This is because the spreading of the conductive material may occur, which may cause problems such as short circuits and protrusions in the circuit pattern portion 104.

다음, 도 10에 도시한 바와 같이, 패턴부(104)의 오픈 불량부(106)에 도전성 재료(115)를 충진한다. 충진 방법 및 충진 재료는 도 5를 참조하여 상술한 것과 동일하다.Next, as shown in FIG. 10, the conductive material 115 is filled in the open defective portion 106 of the pattern portion 104. The filling method and the filling material are the same as described above with reference to FIG.

다음, 도 11에 도시한 바와 같이, 오픈 불량부(106)에 충진된 도전성 재료(115)를 소결하여 단선된 패턴부(104)를 연결하는 리페어부(116)를 형성한다. 도전성 재료의 소결방법은 도 6을 참조하여 상술한 것과 동일하다.Next, as illustrated in FIG. 11, the repair material 116 connecting the disconnected pattern part 104 is formed by sintering the conductive material 115 filled in the open defective part 106. The sintering method of the conductive material is the same as described above with reference to FIG.

마지막으로, 도 12에 도시한 바와 같이, 측면 소수성 절연박막(122')을 제거하는 단계가 더 포함될 수 있다. 도 11은 잔존하는 소수성 절연박막(116)이 제거된, 오픈 불량부의 리페어가 완료된 패턴부의 평면도이다.Finally, as shown in FIG. 12, a step of removing the side hydrophobic insulating thin film 122 ′ may be further included. 11 is a plan view of the pattern portion in which the repair of the open defective portion is completed, in which the remaining hydrophobic insulating thin film 116 is removed.

여기서, 소수성 절연박막(116)는 용매로 패턴부를 세척함으로써 제거된다. 이때 세척용 용매는 패턴부의 레진을 용해하여 제거할 수 있는 용매가 가능하다. 특히, 아세톤이 잔존하는 소수성 절연박막(116)의 제거에 바람직하다.Here, the hydrophobic insulating thin film 116 is removed by washing the pattern portion with a solvent. At this time, the solvent for washing may be a solvent that can be removed by dissolving the resin of the pattern portion. In particular, it is preferable to remove the hydrophobic insulating thin film 116 in which acetone remains.

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 패턴부의 리페어 구조 및 리페어방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다. Although the present invention has been described in detail through specific embodiments, this is for explaining the present invention in detail, and the repair structure and the repair method of the pattern portion according to the present invention are not limited thereto, and the technical field of the present invention is within the scope of the present invention. It will be apparent that modifications and improvements are possible by those skilled in the art.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.All simple modifications and variations of the present invention fall within the scope of the present invention, and the specific scope of protection of the present invention will be apparent from the appended claims.

도 1은 패턴부에 발생되는 결함을 나타내는 도면이다. 1 is a diagram illustrating a defect generated in a pattern portion.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴부의 리페어 구조를 설명하기 위한 단면도(도 2a) 및 평면도(도 2b)이다. 2 is a cross-sectional view (FIG. 2A) and a plan view (FIG. 2B) for explaining a repair structure of a pattern portion according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 패턴부의 리페어 구조를 설명하기 위한 단면도(도 3a) 및 평면도(도 3b)이다.3 is a cross-sectional view (FIG. 3A) and a plan view (FIG. 3B) for explaining a repair structure of a pattern portion according to still another preferred embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 패턴부의 리페어 방법을 공정순서대로 도시한 공정단면도(도 4a 내지 도 7a) 및 공정 평면도(도 4b 내지 도 7b)이다. 4 to 7 are process cross-sectional views (FIGS. 4A to 7A) and process plan views (FIGS. 4B to 7B) showing the repairing method of the pattern portion according to the preferred embodiment of the present invention in the process order.

도 8 내지 도 12는 본 발명의 바람직한 또 다른 실시예에 따른 패턴부의 리페어 방법을 공정순서대로 도시한 공정 평면도이다.8 to 12 are process plan views showing the repair method of the pattern portion according to another preferred embodiment of the present invention in the process order.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

102 : 절연층 104 : 패턴부102: insulating layer 104: pattern portion

106 : 오픈 불량부 112 : 소수성 절연박막106: open defective part 112: hydrophobic insulating thin film

112': 잔여 소수성 절연박막 113 : 친수성 절연박막112 ': remaining hydrophobic insulating thin film 113: hydrophilic insulating thin film

115 : 도전성 재료 116 : 리페어부115: conductive material 116: repair portion

201, 203 : 디스펜서 202 : UV 또는 레이저 조사기구201, 203: dispenser 202: UV or laser irradiation apparatus

Claims (17)

패턴부의 오픈 불량부에 의해 노출된 절연층에 형성된 친수성 절연박막; 및A hydrophilic insulating thin film formed on the insulating layer exposed by the open defective part of the pattern part; And 상기 오픈 불량부의 상기 친수성 절연박막에 도전성 재료가 충진되어 형성된 리페어부를 포함하는 패턴부의 리페어 구조.The repair portion of the pattern portion including a repair portion formed by filling a conductive material in the hydrophilic insulating thin film of the open defective portion. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 오픈 불량부 측면의 상기 절연층에 형성된 소수성 절연박막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 구조.The repair structure of the pattern portion, further comprising a hydrophobic insulating thin film formed on the insulating layer on the side of the open defective portion. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 친수성 절연박막은 폴리이미드 계열 레진으로 형성된 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 구조.The hydrophilic insulating thin film is a repair structure of the pattern portion, characterized in that formed of polyimide resin. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 도전성 재료는 도전성 메탈 잉크 또는 도전성 페이스트인 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 구조.The conductive material is a repair structure of a pattern portion, characterized in that the conductive metal ink or conductive paste. (A) 패턴부의 오픈 불량부에 의해 노출된 절연층에 소수성 절연박막을 형성하는 단계; (A) forming a hydrophobic insulating thin film on the insulating layer exposed by the open defective portion of the pattern portion; (B) 상기 소수성 절연박막을 친수성 절연박막으로 변성시키는 단계;(B) modifying the hydrophobic insulating thin film into a hydrophilic insulating thin film; (C) 상기 친수성 절연박막이 형성된 상기 오픈 불량부에 도전성 재료를 충진하는 단계; 및 (C) filling a conductive material in the open defective portion in which the hydrophilic insulating thin film is formed; And (D) 상기 도전성 재료를 소결하는 단계(D) sintering the conductive material 를 포함하는 패턴부의 리페어 방법.Repair method of the pattern portion comprising a. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 (A) 단계에서, In the step (A), 상기 소수성 절연박막은 에어로졸 젯 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 마이크로 컨택 프린팅, 또는 디스펜싱 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 방법.The hydrophobic insulating thin film is a repair method of the pattern portion, characterized in that formed by aerosol jet printing, inkjet printing, screen printing, micro-contact printing, or dispensing method. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 (B) 단계에서,In the step (B), 상기 변성은 UV 조사법 또는 레이저 조사법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 방법.Repairing method of the pattern portion, characterized in that the modification is carried out by UV irradiation or laser irradiation. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 (C) 단계에서,In the step (C), 상기 도전성 재료의 충진은 에어로졸 젯 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프 린팅, 마이크로 컨택 프린팅, 또는 디스펜싱 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 방법.Filling of the conductive material is a repair method of the pattern portion, characterized in that carried out by aerosol jet printing, inkjet printing, screen printing, micro-contact printing, or dispensing method. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 도전성 재료는 도전성 메탈 잉크 또는 도전성 페이스트인 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 방법.The conductive material is a repair method of a pattern portion, characterized in that the conductive metal ink or conductive paste. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 (D) 단계에서, In the step (D), 상기 도전성 재료의 소결은 열처리 또는 레이저 처리에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 방법.The sintering of the conductive material is performed by heat treatment or laser treatment. (A) 패턴부의 오픈 불량부에 의해 노출된 절연층 및 상기 오픈부 측면의 절연층에 소수성 절연박막을 형성하는 단계; (A) forming a hydrophobic insulating thin film on the insulating layer exposed by the open defective portion of the pattern portion and the insulating layer on the side of the open portion; (B) 상기 오픈 불량부에 형성된 상기 소수성 절연박막을 친수성 절연박막으로 변성시키는 단계;(B) modifying the hydrophobic insulating thin film formed on the open defective portion into a hydrophilic insulating thin film; (C) 상기 친수성 절연박막이 형성된 상기 오픈불량부에 도전성 재료를 충진하는 단계; 및 (C) filling a conductive material in the open defective portion in which the hydrophilic insulating thin film is formed; And (D) 상기 도전성 재료를 소결하는 단계(D) sintering the conductive material 를 포함하는 패턴부의 리페어 방법.       Repair method of the pattern portion comprising a. 청구항 11에 있어서,The method of claim 11, 상기 (D) 단계 이후에,After the step (D), (E) 상기 오픈 불량부 측면의 상기 절연층에 형성된 상기 소수성 절연박막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 방법.(E) repairing the pattern portion, characterized in that it further comprises the step of removing the hydrophobic insulating thin film formed on the insulating layer on the side of the open defective portion. 청구항 11에 있어서,The method of claim 11, 상기 (A) 단계에서,In the step (A), 상기 소수성 절연박막은 에어로졸 젯 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 마이크로 컨택 프린팅, 또는 디스펜싱 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 방법.The hydrophobic insulating thin film is repairing method of the pattern portion, characterized in that performed by aerosol jet printing, inkjet printing, screen printing, micro-contact printing, or dispensing method. 청구항 11에 있어서,The method of claim 11, 상기 (B) 단계에서,In the step (B), 상기 변성은 UV 조사법 또는 레이저 조사법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 방법.Repairing method of the pattern portion, characterized in that the modification is carried out by UV irradiation or laser irradiation. 청구항 11에 있어서,The method of claim 11, 상기 (C) 단계에서, In the step (C), 상기 도전성 재료의 충진은 에어로졸 젯 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프 린팅, 마이크로 컨택 프린팅, 또는 디스펜싱 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 방법.Filling of the conductive material is a repair method of the pattern portion, characterized in that carried out by aerosol jet printing, inkjet printing, screen printing, micro-contact printing, or dispensing method. 청구항 11에 있어서,The method of claim 11, 상기 도전성 재료는 도전성 메탈 잉크 또는 도전성 페이스트인 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 방법.The conductive material is a repair method of a pattern portion, characterized in that the conductive metal ink or conductive paste. 청구항 11에 있어서,The method of claim 11, 상기 (D) 단계에서, In the step (D), 상기 도전성 재료의 소결은 열처리 또는 레이저 처리에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴부의 리페어 방법.The sintering of the conductive material is performed by heat treatment or laser treatment.
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