KR20110001042U - Apparatus for uniformly supplying of source gas - Google Patents

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Abstract

소스가스를 균일하게 공급하기 위한 소스가스 공급장치가 개시된다. 본 고안에 따른 소스가스를 균일하게 공급하기 위한 소스가스 공급장치는, 증착물질(140)을 저장하는 증착물질 저장부(200); 및 증착물질 저장부(200)에서 공급되는 증착물질(140)을 가열하여 기체화된 증착물질을 생성하되, 외부에서 공급되는 운반가스를 이용하여 증착 챔버(500) 내부로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부(100)를 포함하며, 소스가스 공급부(100)의 내부에는 대칭 경사면에 형성된 다수개의 패턴(P)으로 증착물질(140)을 지지하는 분산부(130)가 포함되는 것을 특징으로 한다.A source gas supply device for uniformly supplying a source gas is disclosed. Source gas supply apparatus for uniformly supplying the source gas according to the present invention, the deposition material storage unit 200 for storing the deposition material 140; And a source for generating a vaporized deposition material by heating the deposition material 140 supplied from the deposition material storage unit 200 and supplying a source gas into the deposition chamber 500 using a carrier gas supplied from the outside. It includes a gas supply unit 100, the inside of the source gas supply unit 100 is characterized in that the dispersion unit 130 for supporting the deposition material 140 in a plurality of patterns (P) formed on the symmetrical inclined surface.

증착물질, 소스가스, 패턴, 계단 Deposition material, source gas, pattern, stairs

Description

소스가스를 균일하게 공급하기 위한 소스가스 공급장치{APPARATUS FOR UNIFORMLY SUPPLYING OF SOURCE GAS}Source gas supply device for uniformly supplying source gas {APPARATUS FOR UNIFORMLY SUPPLYING OF SOURCE GAS}

본 고안은 소스가스를 균일하게 공급하기 위한 소스가스 공급장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 소스가스 공급부 내부에서 증착물질의 분포를 제어함으로써, 증착 챔버로 소스가스를 균일하게 공급할 수 있는 소스가스 공급장치에 관한 것이다.The present invention relates to a source gas supply device for uniformly supplying a source gas. More specifically, the present invention relates to a source gas supply device capable of uniformly supplying source gas to the deposition chamber by controlling the distribution of the deposition material in the source gas supply unit.

오늘날 대부분의 전자기기에 내장되는 메모리와 비메모리의 수요 증가에 따라 반도체 기술 분야 및 핸드폰, 노트북, PDA(Personal Digital Assistants), 대형 TV와 같은 디스플레이의 수요가 증가함에 따라 두께가 얇고 가벼운 평판 디스플레이(Flat Panel Display) 기술 분야의 발전이 급속하게 진행되고 있다.As the demand for memory and non-memory embedded in most electronic devices increases, the demand for semiconductor technology and displays such as mobile phones, notebooks, personal digital assistants (PDAs), and large TVs is increasing. The development of the technology of Flat Panel Display is progressing rapidly.

이러한 반도체 또는 평판 디스플레이의 제작을 위해서는 다양한 종류의 박막(Thin film) 패턴이 형성되는데, 이러한 박막 패턴은 증착(deposition) 공정과 포토리소그래피(photolithography) 공정을 통해 구현될 수 있다. 이때, 박막 증착 방법은 크게 물리기상 증착법(PVD: physical vapor deposition)과 화학 반응을 이용한 화학기상 증착법(CVD: chemical vapor deposition)으로 나눌 수 있다. 이중 에서 화학기상 증착법은 증착하고자 하는 증착물질을　기체 상태로 기판 표면까지 이동시켜 화학 반응을 이용하여 기판 표면에 박막을 증착시키는 방법으로써, 증착물질의 재료 선택에 따라 다양한 박막 형성이 가능하며, 비교적 간단한 공정으로도 대량의 생산이 가능하다는 장점을 가지고 있어 폭넓게 사용되고 있다.Various types of thin film patterns are formed to manufacture the semiconductor or flat panel display, and the thin film patterns may be implemented through a deposition process and a photolithography process. In this case, the thin film deposition method may be roughly divided into physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) using a chemical reaction. Among these, chemical vapor deposition is a method of depositing a thin film on the surface of a substrate by using a chemical reaction by moving the deposition material to be deposited to the substrate surface in a gaseous state. It is widely used because it has the advantage of being able to mass produce even a simple process.

특히, 최근에는 기체 상태의 원료(source gas)를 순차적(sequentially)으로 주입/배기시킴으로써, 기판 상에 원자 크기 수준(order of an atomic size)의 박막을 형성시키는 원자층 증착법(ALD: atomic layer deposition)이 발전하고 있다. ALD법은 박막의 균일성 및 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있는 방법으로 알려져 있는 차세대 증착기술이다.In particular, in recent years, atomic layer deposition (ALD), which forms a thin film of an order of an atomic size on a substrate by sequentially injecting / exhausting a source gas in a gaseous state, ) Is developing. The ALD method is a next generation deposition technique known as a method capable of improving the uniformity and step coverage of a thin film.

이러한 화학기상 증착 공정에서는 균일한 박막을 형성하기 위하여 증착 챔버에 소스가스(증착물질을 포함하는 가스를 의미함)를 얼마나 지속적으로 균일하게 제공할 수 있는지가 핵심적 과제이다. 종래의 일반적인 소스가스 공급장치의 상세한 구성을 살펴보면 다음과 같다.In this chemical vapor deposition process, how to continuously and uniformly provide a source gas (meaning a gas containing a vapor deposition material) to the deposition chamber in order to form a uniform thin film is a key challenge. Looking at the detailed configuration of a conventional general source gas supply device as follows.

도 1은 종래기술에 의한 소스가스 공급장치의 전체 구성을 간략하게 나타내는 도면이다.1 is a view briefly showing the overall configuration of a source gas supply apparatus according to the prior art.

도 1을 참조하면, 종래의 소스가스 공급장치는 증착물질(13)을 저장하는 용기(11)와 히터와 같이 열을 가할 수 있는 가열부(12)로 구성되는 소스가스 공급부(10)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a conventional source gas supply device includes a source gas supply part 10 including a container 11 for storing a deposition material 13 and a heating part 12 that can apply heat such as a heater. do.

일반적으로 증착물질(13)은 상온에서 고체 또는 액체 상태로 존재하기 때문에 가열부(13)에 의해 증착물질(13)을 가열해야만이 증착물질(13)이 기체화될 수 있다. 이때, 외부에 위치하는 운반가스 공급부(20)에서 제1 밸브(V1)를 통해 운반가스(carrier gas)를 용기(11)의 상부로 공급함으로써, 용기(11) 내에서 기체화된 증착물질(13)이 용기(11)의 상부와 연결된 제2 밸브(V2)를 통해 증착 챔버(30) 내부로 원활하게 운반되도록 할 수 있다. 이러한 증착물질(13)을 포함하는[즉, 기체화된 증착물질(13)을 포함하는] 가스는 증착 챔버(30) 내에서 박막을 형성하는 소스가스(source gas)의 기능을 수행할 수 있다.In general, since the deposition material 13 exists in a solid or liquid state at room temperature, the deposition material 13 may be vaporized only by heating the deposition material 13 by the heating unit 13. At this time, the carrier gas supplied to the upper portion of the vessel 11 through the first valve (V1) in the outer carrier gas supply unit 20, the vaporized deposition material in the vessel 11 ( 13 may be smoothly transported into the deposition chamber 30 through the second valve V2 connected to the upper portion of the container 11. A gas containing such a deposition material 13 (ie, including a vaporized deposition material 13) may function as a source gas to form a thin film in the deposition chamber 30. .

따라서, 소스가스 양은 증착물질(13)의 양에 따라 결정되기 때문에 용기(11)에 저장되는 증착물질(13)을 효율적으로 제어하는 것이 중요하다. 하지만, 종래의 용기(11) 내부에는 대용량의 증착물질(13)이 저장되어 있기 때문에, 가열부(12)에 의해 가열된 증착물질(13)은 기체화되는 과정을 반복적으로 수행하게 되어 입자간의 응결로 인한 경화 현상이 발생될 수 있다. 이러한 경화 현상은 이후에 증착물질(13)의 기체화를 방해하여 증착 챔버(30)에 균일한 소스가스를 지속적으로 공급하기 어려운 문제가 있다.Therefore, it is important to efficiently control the deposition material 13 stored in the container 11 because the amount of source gas is determined according to the amount of the deposition material 13. However, since the large-capacity deposition material 13 is stored in the conventional container 11, the deposition material 13 heated by the heating unit 12 repeatedly performs a gasification process. Hardening due to condensation may occur. This hardening phenomenon may interfere with the gasification of the deposition material 13, thereby making it difficult to continuously supply a uniform source gas to the deposition chamber 30.

이를 해결하기 위해, 소량의 증착물질(13) 만을 용기(11) 내부에 저장할 수 있으나, 이러한 경우에는 증착물질(13)이 용기(11) 바닥에 균일하게 분포되지 않고 특정 영역(특히, 중앙부)에만 쌓이게 되어 균일하게 증착물질(13)을 기체화하기 어렵게 되는 문제점이 있다.In order to solve this problem, only a small amount of the deposition material 13 may be stored inside the container 11, but in this case, the deposition material 13 is not uniformly distributed at the bottom of the container 11, and a specific area (particularly, the central part) is not. There is a problem in that it is difficult to vaporize the deposition material 13 evenly stacked only.

또한, 대용량의 증착물질(13)은 용기(11) 외부에 위치하는 가열부(12)에 의해서만 가열되기 때문에 실질적으로 가열되는 표면적이 작다. 따라서, 증착물질(13)의 중앙부 보다 용기(11)와 접하는 가장자리부의 열 전달이 더 빠르게 되어 열 불균일성을 초래할 수 있다. 이는 소스가스의 생성 시간과 균일도를 저하시키고 증착물질(13)의 수명도 저하시킬 수 있는 문제점도 있다.In addition, since the large-capacity deposition material 13 is heated only by the heating unit 12 located outside the container 11, the surface area to be substantially heated is small. Therefore, the heat transfer of the edge portion contacting the container 11 is faster than the center portion of the deposition material 13, which may cause heat non-uniformity. This may reduce the generation time and uniformity of the source gas, and may also reduce the lifetime of the deposition material 13.

결국, 상술된 문제점들은 화학기상 증착 공정에 있어서 증착 챔버 내부로 공급되는 소스가스의 균일도를 불안정하게 하여, 기판 상에 형성되는 박막의 균일성, 재현성과 수율 등을 저하시키는 결과를 야기할 수 있다.As a result, the above-mentioned problems may cause unstable uniformity of source gas supplied into the deposition chamber in the chemical vapor deposition process, resulting in a decrease in the uniformity, reproducibility and yield of the thin film formed on the substrate. .

따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로, 소스가스 공급부 내부에 증착물질을 효율적으로 분포시키는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is to efficiently distribute the deposition material in the source gas supply unit.

또한, 본 고안은 가열되는 증착물질의 표면적을 증가시키는데 다른 목적이 있다.It is another object of the present invention to increase the surface area of the deposited material being heated.

본 고안의 상기 목적은 증착물질을 저장하는 증착물질 저장부; 및 상기 증착물질 저장부에서 공급되는 상기 증착물질을 가열하여 기체화된 증착물질을 생성하되, 외부에서 공급되는 운반가스를 이용하여 증착 챔버 내부로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부를 포함하며, 상기 소스가스 공급부의 내부에는 대칭 경사면에 형성된 다수개의 패턴으로 상기 증착물질을 지지하는 분산부가 포함되는 것을 특징으로 하는 소스가스 공급장치에 의해 달성된다.The object of the present invention is a deposition material storage unit for storing the deposition material; And a source gas supply unit which heats the deposition material supplied from the deposition material storage unit to generate a vaporized deposition material, and supplies a source gas into the deposition chamber using a carrier gas supplied from the outside. The source gas supply unit is achieved by a source gas supply unit, characterized in that the dispersion unit for supporting the deposition material in a plurality of patterns formed on the symmetrical inclined surface is included.

이때, 상기 패턴은 계단 형상 또는 1/4 구 형상일 수 있다.In this case, the pattern may be a step shape or a quarter sphere shape.

상기 패턴은 가장자리부로 갈수록 너비가 커질 수 있다.The pattern may increase in width toward the edge.

상기 증착물질 저장부와 상기 소스가스 공급부 사이에는 공급되는 상기 증착물질의 양을 제어하는 증착물질 제어부가 더 구비될 수 있다.A deposition material control unit may be further provided between the deposition material storage unit and the source gas supply unit to control an amount of the deposition material supplied.

상기 분산부를 회전 또는 진동시키는 분산 제어부가 더 구비될 수 있다.Dispersion control unit for rotating or vibrating the dispersion unit may be further provided.

본 고안에 따르면, 소스가스 공급부 내부의 증착물질 분포도를 제어하여, 기체화되는 증착물질의 양을 균일하게 제어할 수 있다.According to the present invention, by controlling the deposition material distribution in the source gas supply, it is possible to uniformly control the amount of the vaporized deposition material.

또한, 본 고안에 따르면, 가열되는 증착물질의 표면적을 증가시켜 소스가스의 생성 시간(증착물질의 가열 시간)을 단축할 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to shorten the generation time of the source gas (heating time of the deposition material) by increasing the surface area of the deposition material to be heated.

또한, 본 고안에 따르면, 증착 챔버 내부로 공급되는 소스가스의 균일성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to improve the uniformity of the source gas supplied into the deposition chamber.

후술하는 본 고안에 대한 상세한 설명은, 본 고안이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 고안을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 고안의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 고안의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 고안의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 고안의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION The following detailed description of the present invention refers to the accompanying drawings that show, by way of illustration, specific embodiments in which the present invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein may be embodied in other embodiments without departing from the spirit and scope of the present invention with respect to one embodiment. In addition, it is to be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the following detailed description is not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if properly described, is defined only by the appended claims, along with the full range of equivalents to which such claims are entitled. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several aspects, and length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 고안을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 고안의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings with respect to preferred embodiments of the present invention in order to enable those skilled in the art to easily carry out the present invention will be described in detail.

[실시예 1]Example 1

도 2는 본 고안의 실시예 1에 의한 소스가스를 균일하게 공급하기 위한 소스가스 공급장치의 구성을 간략하게 나타내는 도면이다.2 is a view briefly showing the configuration of a source gas supply device for uniformly supplying a source gas according to the first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 고안의 실시예 1에 의한 소스가스 공급장치는 소스가스 공급부(100), 증착물질 저장부(200) 및 증착물질 제어부(300)를 포함하여 구성될 수 있다.2, the source gas supply apparatus according to the first embodiment of the present invention may include a source gas supply unit 100, a deposition material storage unit 200, and a deposition material control unit 300.

먼저, 본 고안의 소스가스 공급부(100)는 증착물질(140)을 가열하여 기체화함으로써, 증착 챔버(500) 내의 기판(미도시함) 상에 박막(미도시함)을 형성시키는 소스가스를 공급하는 기능을 수행할 수 있다.First, the source gas supply unit 100 according to the present invention heats and vaporizes the deposition material 140 to form a source gas for forming a thin film (not shown) on a substrate (not shown) in the deposition chamber 500. The function to supply can be performed.

이러한 본 고안의 소스가스 공급부(100)는 균일한 소스가스를 증착 챔버(500)로 공급하기 위해 증착물질(140)의 분포를 제어하는 기능을 더 수행할 수 있다. 즉, 증착물질 저장부(200)에서 공급된 증착물질(140)을 확산하여 대면적으로 균일하게 분포시킴으로써, 가열에 의해 기체화되는 증착물질(140)의 양을 조절할 수 있다.The source gas supply unit 100 of the present invention may further perform a function of controlling the distribution of the deposition material 140 to supply a uniform source gas to the deposition chamber 500. That is, by uniformly distributing the deposition material 140 supplied from the deposition material storage unit 200 to a large area, the amount of the deposition material 140 vaporized by heating may be controlled.

보다 상세하게 설명하면, 본 고안의 소스가스 공급부(100)는 용기(110), 가열부(120) 및 분산부(130)를 포함하여 구성될 수 있다.In more detail, the source gas supply unit 100 of the present invention may be configured to include a container 110, the heating unit 120 and the dispersion unit 130.

먼저, 용기(110)는 증착 챔버(200)로 공급되는 소스가스의 소스물질인 증착 물질(140)을 내부에 일정한 양만큼 저장하고, 이를 기체화하는 공간일 수 있다.First, the container 110 may be a space for storing the deposition material 140, which is a source material of the source gas supplied to the deposition chamber 200, by a predetermined amount therein, and vaporizing it.

이때, 용기(110)의 상부에 연결된 제1 밸브(V1)에 의해 제어되는 공급관을 통해 운반가스 공급부(400)에서 공급되는 운반가스가 용기(110)로 공급될 수 있다. 따라서, 기체화된 증착물질(140)은 용기(110)의 상부에 연결된 제2 밸브(V2)에 의해 제어되는 공급관을 통해 증착 챔버(500)로 용이하게 운반될 수 있다.At this time, the carrier gas supplied from the carrier gas supply unit 400 may be supplied to the container 110 through a supply pipe controlled by the first valve V1 connected to the upper part of the container 110. Accordingly, the vaporized deposition material 140 may be easily transported to the deposition chamber 500 through a supply pipe controlled by the second valve V2 connected to the upper portion of the vessel 110.

이러한 운반가스로는 불활성이며, 기체화된 증착물질(140)을 증착 챔버(500)로 용이하게 이동할 수 있는 고순도의 아르곤, 헬륨, 질소 등이 사용될 수 있다.As the carrier gas, high purity argon, helium, nitrogen, and the like, which are inert and can easily move the vaporized deposition material 140 to the deposition chamber 500, may be used.

다음으로, 가열부(120)는 용기(110)의 외면과 마주보며 위치하되, 용기(110) 내에 저장된 증착물질(140)을 가열하여 증착물질(140)을 기체화시키는 기능을 수행할 수 있다.Next, the heating unit 120 may face the outer surface of the container 110, and may heat the deposition material 140 stored in the container 110 to vaporize the deposition material 140.

이때, 가열부(120)는 코일 형태의 열선으로 형성될 수 있는데, 이에 한정되는 것은 아니며 열을 방출할 수 있는 종래의 공지된 다양한 기술을 적용할 수도 있다. 보다 상세하게 설명하면, 가열부(120)는 용기(110)와 절연되면서 외부를 둘러싸는 형태로 위치할 수 있는데, 용기(110)의 전체에 대응되게 분포함으로써, 용기(110)를 균일하게 가열하는 것이 바람직하다.In this case, the heating unit 120 may be formed of a coil-type hot wire, but is not limited thereto. A variety of conventionally known techniques that may emit heat may be applied. In more detail, the heating unit 120 may be positioned to surround the outside while being insulated from the container 110. The heating unit 120 is distributed to correspond to the entirety of the container 110, thereby uniformly heating the container 110. It is desirable to.

다음으로, 분산부(130)는 용기(110)의 내부 하측에 위치하되, 대칭 경사면으로 이루어진 구조물에 다수개의 패턴(P)이 형성될 수 있어 증착물질(140)이 규칙성을 가지면서 분포되도록 확산시키는 기능을 수행할 수 있다. 일례로, 원뿔 형상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며 대칭된 경사면으로 이루어지는 형상을 제한 없이 사용할 수 있다.Next, the dispersion unit 130 is located in the lower side of the interior of the container 110, a plurality of patterns (P) can be formed in a structure consisting of a symmetrical inclined surface so that the deposition material 140 is distributed with regularity. Spreading function can be performed. For example, the shape may be a cone shape, but is not limited thereto. A shape consisting of a symmetric inclined surface may be used without limitation.

이때, 분산부(130) 상에 분포되는 증착물질(140)은 다수개의 패턴(P) 마다 쌓이기 때문에 가열부(120)에 의해 넓은 표면적이 가열되어 기체화(예를 들면, 고체에서 기체로 승화)될 수 있으므로, 소스가스의 생성 시간을 단축시킬 수 있다.At this time, since the deposition material 140 distributed on the dispersion unit 130 is accumulated for each of the plurality of patterns P, a large surface area is heated by the heating unit 120 to vaporize (eg, sublimation from solid to gas). In this case, the generation time of the source gas can be shortened.

따라서, 본 고안의 분산부(130)는 증착물질(140)을 지탱하면서도 균일하게 분포시켜 소스가스를 균일하게 생성할 수 있는데, 보다 상세한 설명은 도 4 내지 도 6을 참조한 이하의 상세한 설명에 의해 명확하게 이해될 것이다.Therefore, the dispersing unit 130 of the present invention can uniformly distribute the source material while supporting the deposition material 140, and the source gas can be uniformly generated by the following detailed description with reference to FIGS. 4 to 6. Will be clearly understood.

다음으로, 본 고안의 증착물질 공급부(200)는 대용량의 증착물질(140)을 저장하며, 저장된 증착물질(140) 중 일정한 양을 소스가스 공급부(100)로 공급하는 기능을 수행할 수 있다. 증착물질 공급부(200)는 소스가스 공급부(100) 보다 상부에 위치하여 소스가스 공급부(100) 내부에 위치하는 분산부(130)의 중앙부로 공급하는 것이 바람직한데, 이는 분산부(130)가 대칭 경사면으로 이루어진 구조물이기 때문에 중앙부로 공급하는 것이 확산에 유리하기 때문이다. 이러한 증착물질(140)은 균일하게 확산될 수 있는 분말형태인 것이 바람직하며, 재질은 형성하고자 하는 박막의 종류에 따라 다양하게 선택될 수 있다.Next, the deposition material supply unit 200 of the present invention stores a large amount of deposition material 140, and may perform a function of supplying a predetermined amount of the stored deposition material 140 to the source gas supply unit (100). The deposition material supply unit 200 is located above the source gas supply unit 100 and preferably supplied to a central portion of the dispersion unit 130 located in the source gas supply unit 100, which is distributed in the symmetry unit 130. This is because supplying to the center part is advantageous in diffusion because it is a structure consisting of an inclined surface. The deposition material 140 is preferably in the form of a powder that can be uniformly diffused, the material may be variously selected depending on the type of thin film to be formed.

다음으로, 본 고안의 증착물질 제어부(300)는 증착물질 공급부(200)에서 소스가스 공급부(100)로 공급되는 증착물질(140)을 제어하는 기능을 수행할 수 있다. 일례로, 전기식 또는 기계식 밸브일 수 있으나, 본 고안이 이에 한정되는 것은 아니며 개폐를 제어할 수 있는 공지된 수단을 제한 없이 사용할 수 있다.Next, the deposition material control unit 300 of the present invention may perform a function of controlling the deposition material 140 supplied from the deposition material supply unit 200 to the source gas supply unit 100. For example, it may be an electric or mechanical valve, but the present invention is not limited thereto, and known means capable of controlling opening and closing may be used without limitation.

보다 상세하게 설명하면, 증착물질 제어부(300)가 개방 동작할 경우에는 1 배치(batch)의 화학기상 증착 공정에 필요한 양에 해당하는 증착물질(140)을 소스 가스 공급부(100)로 공급한 후 폐쇄하는 것이 바람직하지만, 반드시 1 배치의 양만큼으로 한정될 필요는 없으며, 필요에 따라서는 2 배치 이상의 복수 배치에 필요한 양의 증착물질(140)을 소스가스 공급부(100)에 공급할 수 있다.In more detail, when the deposition material control unit 300 is open, the deposition material 140 corresponding to the amount required for one batch of chemical vapor deposition process is supplied to the source gas supply unit 100. Although it is preferable to close, it is not necessarily limited to the amount of one batch, and if necessary, the amount of deposition material 140 required for a plurality of batches of two or more batches may be supplied to the source gas supply unit 100.

[실시예 2][Example 2]

도 3은 본 고안의 실시예 2에 의한 소스가스를 균일하게 공급하기 위한 소스가스 공급장치의 구성을 간략하게 나타내는 도면이다.3 is a view briefly showing the configuration of a source gas supply device for uniformly supplying a source gas according to a second embodiment of the present invention.

이러한, 본 고안의 실시예 2는 본 고안의 실시예 1에 의한 소스가스 공급장치의 구성에 분산 제어부(600)가 추가된 것으로, 다른 구성은 실시예 1과 동일함으로 중복을 피하기 위해 상세한 설명을 생략한다.As such, the second embodiment of the present invention is a dispersion control unit 600 is added to the configuration of the source gas supply apparatus according to the first embodiment of the present invention, the other configuration is the same as the first embodiment detailed description in order to avoid duplication Omit.

도 3을 참조하면, 소스가스 공급부(100)의 하부에 위치하며 분산부(130)와 연결되는 분산 제어부(600)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the dispersion control unit 600 may be further disposed below the source gas supply unit 100 and connected to the dispersion unit 130.

본 고안의 분산 제어부(600)는 기계적인 회전력으로 분산부(130)를 회전시켜서 증착물질(140)이 원심력에 의해 균일하게 확산될 수 있도록 하는 기능을 수행할 수 있다.The dispersion control unit 600 of the present invention may perform a function of rotating the dispersion unit 130 by a mechanical rotational force to uniformly diffuse the deposition material 140 by centrifugal force.

또한, 본 고안의 분산 제어부(600)는 분산부(130)를 진동시켜 증착물질(140)을 부유시킴으로써 균일하게 확산될 수 있도록 하는 기능을 수행할 수 있다.In addition, the dispersion control unit 600 of the present invention may perform a function to uniformly spread by floating the deposition material 140 by vibrating the dispersion unit 130.

보다 상세하게 설명하면, 분산 제어부(600)는 회전 운동이 가능한 공지된 모터와 같은 회전 수단을 사용할 수 있다. 바람직하게는, 회전 방향과 각도를 제어할 수 있는 서보 모터(servomotor)일 수 있는데, 펄스 신호에 따라 회전하여 정밀하면서도 제어가 용이한 스테핑 모터(Stepping Motor)를 사용할 수도 있다.In more detail, the dispersion control unit 600 may use a rotating means such as a known motor capable of rotating motion. Preferably, it may be a servo motor (servomotor) that can control the rotation direction and angle, it is also possible to use a stepping motor (Stepping Motor) that is easy to control by rotating in accordance with the pulse signal.

분산 제어부(600)는 공지된 전자식/기계식 바이브레이터(vibrator)와 같은 진동 장치를 사용할 수 있어, 증착물질(140)을 진동(특히, 공진)에 의해 부유시켜 확산시키는 기능을 수행할 수 있다. 바람직하게는, 주파수 가변 제어 방식을 사용하여 정밀하게 진동을 제어할 수 있다.The dispersion control unit 600 may use a vibration device such as a known electronic / mechanical vibrator, and may perform a function of floating and diffusing the deposition material 140 by vibration (especially, resonance). Preferably, the vibration can be precisely controlled using a variable frequency control method.

분산부의Dispersion 구성 Configuration

이하의 상세한 설명에서는 본 고안의 구현을 위하여 중요한 기능을 수행하는 분산부(130)의 구성 및 각 구성요소의 기능에 대하여 설명한다.In the following detailed description will be described the configuration of the distribution unit 130 and the function of each component to perform an important function for the implementation of the present invention.

도 4 내지 도 6은 본 고안에 의한 분산부(130)의 다양한 형태를 나타내는 도면이다.4 to 6 are views showing various forms of the dispersion unit 130 according to the present invention.

먼저, 도 3을 참조하면, 분산부(130)의 단면도를 나타내는 (A)와 평면도를 나타내는 (B)의 패턴(P)들은 모두 동일한 너비로 형성됨을 알 수 있다.First, referring to FIG. 3, it can be seen that the patterns P of (A) representing a cross-sectional view of the dispersion unit 130 and (B) illustrating a plan view are all formed to have the same width.

반면에. 도 4를 참조하면, 분산부(130)의 단면도를 나타내는 (A)와 평면도를 나타내는 (B)의 패턴(P)들은 모두 중앙부의 패턴(P) 보다 가장자리부로 갈수록 패턴(P)의 너비가 더 크게 형성되는 것을 알 수 있다. 이는 증착물질 공급부(200)에서 공급되는 증착물질(140)이 분산부(130)의 중앙부에 쌓이는 것을 방지하고 가장자리부로 용이하게 이동시키기 위해 상대적으로 중앙부의 면적을 작게 하기 위함이다.On the other hand. Referring to FIG. 4, the patterns P of (A) showing a cross-sectional view of the dispersion unit 130 and (B) showing a plan view both have a width of the pattern P more toward the edge than the pattern P of the center portion. It can be seen that the formation is large. This is to prevent the deposition material 140 supplied from the deposition material supply unit 200 from being accumulated at the center portion of the dispersion unit 130 and to reduce the area of the center portion relatively to easily move to the edge portion.

또한, 가열부(120)와 멀리 떨어져있는 중앙부에 가장자리부 보다 적은 양의 증착물질(140)이 쌓이게 할 수 있음으로 증착물질(140)의 기체화 속도의 균형을 맞출 수 있는 효과도 얻을 수 있다.In addition, by depositing a smaller amount of the deposition material 140 than the edge portion in the central part far away from the heating part 120, the effect of balancing the gasification rate of the deposition material 140 can also be obtained. .

보다 상세하게 설명하면, 열전달이 빠른 가장자리부 보다 열전달이 늦은 중앙부의 패턴(P)이 작게 됨으로, 쌓이는 증착물질(140)의 양도 적게 되어 낮은 온도에 의해서도 기체화되기 용이할 수 있다.In more detail, since the pattern P of the center portion which is late in heat transfer is smaller than the edge portion in which heat transfer is faster, the amount of the deposition material 140 that is accumulated is also reduced, and thus it may be easily vaporized even at a low temperature.

한편, 도 5를 참조하면, 패턴(P)은 계단 형상 뿐만 아니라, 1/4 구 형상으로 형성될 수도 있다. 이는 사각 형상인 계단 형상 구조 보다 지름을 가지는 1/4 구 형상의 구조가 증착물질(140)을 확산시키기 유리하기 때문이지만, 본 고안이 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형상이 제한 없이 사용될 수 있음은 자명할 것이다. Meanwhile, referring to FIG. 5, the pattern P may be formed in not only a step shape but also a quarter sphere shape. This is because a quarter-spherical structure having a diameter than the square-shaped step structure is advantageous to diffuse the deposition material 140, but the present invention is not limited thereto, and various shapes may be used without limitation. Will be self explanatory.

본 고안은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시 예에 한정되지 아니하며 본 고안의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 고안과 첨부된 실용신안등록청구범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.The present invention has been shown and described with reference to the preferred embodiments as described above, but is not limited to the above embodiments and various modifications made by those skilled in the art to which the subject innovation pertains without departing from the spirit of the present invention. Modifications and variations are possible. Such modifications and variations should be regarded as falling within the scope of the present invention and the appended claims.

도 1은 종래기술에 의한 소스가스 공급장치의 전체 구성을 간략하게 나타내는 도면이다.1 is a view briefly showing the overall configuration of a source gas supply apparatus according to the prior art.

도 2는 본 고안의 실시예 1에 의한 소스가스를 균일하게 공급하기 위한 소스가스 공급장치의 구성을 간략하게 나타내는 도면이다.2 is a view briefly showing the configuration of a source gas supply device for uniformly supplying a source gas according to the first embodiment of the present invention.

도 3은 본 고안의 실시예 2에 의한 소스가스를 균일하게 공급하기 위한 소스가스 공급장치의 구성을 간략하게 나타내는 도면이다.3 is a view briefly showing the configuration of a source gas supply device for uniformly supplying a source gas according to a second embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 6은 본 고안에 의한 분산부(130)의 다양한 형태를 나타내는 도면이다.4 to 6 are views showing various forms of the dispersion unit 130 according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 소스가스 공급부 110: 용기100: source gas supply unit 110: container

120: 가열부 130: 분산부120: heating part 130: dispersing part

200: 증착물질 저장부 300: 증착물질 제어부200: deposition material storage unit 300: deposition material control unit

400: 운반가스 공급부 500: 증착 챔버400: carrier gas supply unit 500: deposition chamber

600: 분산 제어부600: distributed control unit

Claims (5)

증착물질을 저장하는 증착물질 저장부; 및A deposition material storage unit storing the deposition material; And 상기 증착물질 저장부에서 공급되는 상기 증착물질을 가열하여 기체화된 증착물질을 생성하되, 외부에서 공급되는 운반가스를 이용하여 증착 챔버 내부로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부;A source gas supply unit which heats the deposition material supplied from the deposition material storage unit to generate a vaporized deposition material, and supplies a source gas into the deposition chamber using a carrier gas supplied from the outside; 를 포함하며,Including; 상기 소스가스 공급부의 내부에는 대칭 경사면에 형성된 다수개의 패턴으로 상기 증착물질을 지지하는 분산부가 포함되는 것을 특징으로 하는 소스가스 공급장치.The source gas supply device, characterized in that the source gas supply unit includes a dispersion unit for supporting the deposition material in a plurality of patterns formed on the symmetrical inclined surface. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패턴은 계단 형상 또는 1/4 구 형상인 것을 특징으로 하는 소스가스 공급장치.The pattern is a source gas supply device, characterized in that the staircase shape or 1/4 sphere shape. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패턴은 가장자리부로 갈수록 너비가 커지는 것을 특징으로 하는 소스가스 공급장치.The pattern is a source gas supply device characterized in that the width becomes larger toward the edge. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 증착물질 저장부와 상기 소스가스 공급부 사이에는 공급되는 상기 증착물질의 양을 제어하는 증착물질 제어부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 소스가스 공급장치.And a deposition material control unit for controlling an amount of the deposition material supplied between the deposition material storage unit and the source gas supply unit. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분산부를 회전 또는 진동시키는 분산 제어부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 소스가스 공급장치.Source gas supply device characterized in that it further comprises a dispersion control unit for rotating or vibrating the dispersion unit.
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