KR20100122917A - 아래로 구부러진 가장자리에 의해서 가장자리 효과가 억제된 전극을 사용하는 플라즈마 이온 주입 - Google Patents

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파터 아이. 포시네브
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

플라즈마 반응기에 있어서, 워크피스 아래에 놓이고 워크피스로부터 절연되고 그리고 상기 워크피스의 둘레 가장자리 아래에 놓인 둘레 가장자리를 포함하는 디스크 전극에 RF 바이어스 전력이 RF 바이어스 전력 생성기로부터 인가된다. RF 바이어스 전력은 0.5 내지 20 kV에 이르는 워크피스 상 높은 RF 바이어스 전압을 생성하기에 충분하다. 워크피스에 걸친 플라즈마 분포의 비균일함은 상기 전극의 둘레 가장자리 환형부에 곡률을 제공하는 것에 의해서 감소되고 이에 의해서 둘레 환형부가 워크피스 지지 표면으로부터 멀어지도록 경사진다. 둘레 가장자리 환형부는 상기 전극의 영역의 작은 부분에 해당한다. 상기 둘레 가장자리에 의해서 둘러싸인 전극의 나머지는 편평한 형태를 가진다.

Description

아래로 구부러진 가장자리에 의해서 가장자리 효과가 억제된 전극을 사용하는 플라즈마 이온 주입{PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION USING AN ELECTRODE WITH EDGE-EFFECT SUPPRESSION BY A DOWNWARDLY CURVING EDGE}
[001] 플라즈마 이온주입(Plasma Immersion Ion Implantation), PIII)은 반도체 웨이퍼 또는 워크피스에 주입될 종의 이온들(ions of species)을 포함하는 플라즈마를 생성하는 것에 의해서 행해진다. 플라즈마는 반응기 챔버 천장에서의 트로이달(toroidal) 플라즈마 소오스와 같은 플라즈마 소오스를 사용하여 생성될 수 있다. 임의의 다른 플라즈마 소오스(예를 들어, RF 유도성 결합 플라즈마 소오스)가 웨이퍼 표면 위에 고밀도의 플라즈마를 생성하기 위해 사용될 수 있다. 웨이퍼 표면 아래에 원하는 이온 주입 깊이 프로파일을 얻기에 충분한 이온 에너지는 높은 RF 바이어스 전압(예를 들어, 용량성 결합 RF 플라즈마의 0.5kV 내지 20kV)을 웨이퍼 지지대 내 절연된 캐소드 전극을 통해 반도체 웨이퍼에 커플링하는 것에 의해서 제공된다. 웨이퍼 지지대가 정전 척 내에 통합되어 있다면, 절연된 캐소드 전극은 얇은(예를 들어 1mm 두께) 절연 레이어에 의해서 지지 표면으로부터 분리되는 얇은 금속(예를 들어 몰리브덴) 그물망일 수 있다. 금속 그물 전극(metal mesh electrode) 위에 놓이는 절연 레이어는 완전한 절연 레이어 - 내부에 금속 그물 전극이 캡슐화됨(encapsulated) - 의 부분이다. 금속 그물 전극은 편평한데 웨이퍼의 표면에 걸쳐 균일한 수직 전기장을 제공하기 위해서이다. 이러한 기술적 구성(feature)은 웨이퍼 표면 근처의 이온 궤적(ion trajectory)이 전체 웨이퍼 표면에 걸쳐 균일하게 수직하도록 할 수 있다. 이러한 균일함은 웨이퍼 표면에 걸쳐 이온 주입량(ion implant dose)의 균일한 분포를 얻기 위해 필요하고 이것은 웨이퍼 표면에 걸쳐 면 저항(sheet resistance)의 균일한 분포를 가져온다.
[002] 이러한 플라즈마 이온 주입 프로세스는 폴리실리콘 식각률 및 보유된(retained) 주입량의 웨이퍼 표면에 걸쳐 비균일한 분포에 의해서 방해된다. 보유된 주입량의 비균일함은 측정된 면 저항의 웨이퍼 표면에 걸친 비균일한 분포에 반영되며, 여기서 비균일함은 약 2 내지 4%에 이른다 반도체 회로 소형화에 있어서의 최근에 진보에 의하여, 45 나노미터 아래의 피쳐(feature) 크기들에 의해서, 이러한 비균일함이 1%보다 작게 감소될 것이 필수적인 것이 되어가고 있다. 아직까지 이러한 문제에 대한 어떠한 해결책도 없는 것으로 보인다.
발명의 요약
[003] 플라즈마 이온 주입과 같은 플라즈마 프로세스가 반도체 워크피스 상에서 행해진다. 상기 프로세스는 반응기 챔버 내에서 워크피스 지지 표면 상에 워크피스를 지지하는 것과 RF 소오스 전력 생성기로부터의 RF 플라즈마 소오스 전력을 프로세스 가스에 커플링하는 것에 의해서 상기 프로세스 가스로부터 상기 챔버에 플라즈마를 생성하는 것을 포함한다. 워크피스 아래에 놓이고 워크피스로부터 절연되고 그리고 상기 워크피스의 둘레 가장자리 아래에 놓인 둘레 가장자리를 포함하는 디스크 전극에 RF 바이어스 전력이 RF 바이어스 전력 생성기로부터 인가된다. RF 바이어스 전력은 0.5 내지 20 kV에 이르는 워크피스 상 높은 RF 바이어스 전압을 생성하기에 충분하다. 워크피스에 걸친 플라즈마 분포의 비균일함은 상기 전극의 둘레 가장자리 환형부(peripheral edge annulus)에 곡률(curvature)을 제공하는 것에 의해서 감소되고 이에 의해서 둘레 환형부가 워크피스 지지 표면으로부터 멀리 경사진다(slope away). 둘레 가장자리 환형부는 상기 전극의 영역의 작은 부분(fraction)에 해당한다. 상기 둘레 가장자리에 의해서 둘러싸인 전극의 나머지는 편평한 형태를 가진다.
[004] 본 발명의 예시적인 실시예들이 얻어지고 상세히 이해될 수 있도록 하기 위해서, 위에서 간단히 요약된, 본 발명에 관한 보다 상세한 설명이 첨부된 도면들에 도시된 그 실시예들과 관련하여 기술된다. 특정한 잘 알려진 프로세스들은 본 명세서에서는 기술되지 아니하는데 본 발명을 불명료하게 만들지 않기 위함임을 이해할 수 있을 것이다.
[005] 도 1은 제1 실시예에 따른 반응기를 나타낸다.
[006] 도 2는 도 1의 실시예에서의 캐소드 전극의 확대도이다.
[007] 도 3a, 3b 및 3c는 각각 전기장의 웨이퍼 표면에 걸친 분포를 나타내는 그래프, 보유된 이온 주입량을 나타내는 그래프, 및 식각률을 나타내는 그래프이다.
[008] 도 4는 제2 실시예에 따른 반응기를 나타낸다.
[009] 이해를 촉진하기 위하여, 동일한 참조 번호들이 도면들에서 공통적인 동일한 요소들을 가리키기 위해 가능한 사용되었다. 하나의 실시예의 요소들과 기술적 구성들은 추가적인 인용이 없더라도 다른 실시예들에 유리하게 통합될 수 있음이 고려되어야 한다. 그러나 첨부된 도면들은 이러한 발명의 단지 예시적인 실시예들을 도시할 뿐이고 따라서 그 범주(scope)를 제한하는 것으로 고려되지 아니하며, 본 발명은 다른 동등한 효과가 있는 실시예들을 허용할 수 있음을 유의해야한다.
[0010] 보유된 이온 주입량의 비균일한 분포의 현재의 문제가 웨이퍼 표면에 걸친 RF 전기장의 비균일함에 기인할 수 있음을 우리는 발견하였다. 또한 박막 구조들의 표면 식각 또는 스퍼터링의 비균일한 분포의 관련된 문제가 동일한 원인, 다시 말해서 웨이퍼 표면에서의 RF 전기장 비균일함에 기인할 수 있음을 우리는 발견하였다. 나아가 전기장 비균일함이 정전 척 또는 웨이퍼 지지대의 캐소드 (금속 그물망) 전극의 가장자리 효과(edge effects)에 기인함을 우리는 발견하였는데, 여기서 이러한 가장자리 효과는 최근의 플라즈마 이온 주입 반응기들에서 단지 최근에 채용된 극도로 높은 RF 바이어스 전압들에서 매우 명백하게 존재한다.
[0011] 도펀트 종들(dopant species)의 이온 주입은 폴리실리콘(polycrystalline silicon) 게이트 전극들과 같은 웨이퍼 표면 상에 이전에 제조된 박막 피쳐들의 피할 수 없는 표면 식각 또는 스퍼터링에 의해서 성취될 수 있다. 이러한 스퍼터링 또는 표면 식각이 수직 방향으로부터 이온 궤적이 벗어나는 것에 의해서 촉진될 수 있음을 우리는 발견하였다. 표면 식각률은 웨이퍼 온도와 함께 증가하고, 그 결과 웨이퍼 온도 분포의 균일함은 표면 식각률의 불균일함을 야기한다. 주입으로부터의 이온들의 전환(diversion) 및/또는 스퍼터링의 가능성은 수직선으로부터의 이온 궤적의 변이에 의해서 증가한다. 웨이퍼 온도 분포의 비균일함은 RF 전기장의 비균일함으로부터 발생한다는 것을 우리는 발견하였다. 이것은 비균일한 RF 전기장이 웨이퍼 표면에 걸친 RF 플라즈마 열 부하(heat load)의 비균일함을 야기하기 때문이라고 우리는 믿는다.
[0012] 구체적으로, 보유된 이온 주입량은 웨이퍼 가장자리 근처에 두드러진(pronounced) 피크를 가지도록, 웨이퍼에 걸쳐서 비균일한 방식으로 분포된다는 것을 우리는 발견하였다. 나아가, 이온 주입 동안 웨이퍼 상 박막 피쳐들의 스퍼터링 또는 표면 식각률이 웨이퍼 가장자리 근처에서 두드러진 피크를 가진다. 이러한 비균일함은 특히 예를 들어 45 nm에 이르는 작은 박막 피쳐 크기들에서 프로세스 오류(process failure)를 야기할 수 있다.
[0013] 이러한 비균일함이 웨이퍼 아래에 놓인 금속 그물 전극의 가장자리 또는 둘레에서 존재하는 RF 전기장에서의 곡률에 기인한다는 것을 우리는 믿는다. 일반적으로 금속 그물 전극 가장자리는 웨이퍼 가장자리 바로 아래에 놓인다. 이러한 곡률은 웨이퍼 가장자리를 향하여 이온 궤적들을 집중시키는 경향이 있고 그 결과 더 많은 이온들이 웨이퍼 표면 상 다른 곳보다 웨이퍼의 둘레 가장자리 환형부에 충돌한다. 이것은 둘레 가장자리 환형부에서 이온 주입량(단위 면적 당 주입된 이온들의 수)을 증가시키고 동일한 영역에서 (예를 들어 폴리실리콘 게이트 전극들의) 표면 식각 또는 스퍼터링을 증가시키고 이것은 주입량 분포 및 식각률 분포의 상당한 비균일함을 야기한다. 더욱이, 웨이퍼 가장자리 위에서의 전기장 피크는 웨이퍼 가장자리에 더 집중된 플라즈마 이온 분포를 만들 수 있고, 이에 의해서 비균일 웨이퍼 온도 분포를 생성하는 웨이퍼 가장자리에서의 RF 플라즈마 열 부하를 증가시킨다. 이것은 웨이퍼의 둘레 가장자리 환형부에서 스퍼터링 분포 또는 표면 식각률의 비균일함 또는 피크를 야기한다.
[0014] 본 발명의 실시예들은 전기장 내 곡률을 정밀하게 보상하는 금속 그물 전극의 가장자리에 토폴로지(topology)를 제공하는 것에 의해서, 전술한 문제들을 해결한다. 이제 도 1을 참조하면, 플라즈마 이온주입 반응기가 원통형 측벽(105), 바닥(110), 및 천장(100)에 의해서 둘러싸이는 챔버(100)를 구비한다. 챔버(100) 내 웨이퍼 지지대(120)는 반도체 웨이퍼(125)를 척(120)의 웨이퍼 지지 표면(130) 상으로 정전기력에 의해 클램핑(electrostatically clamping)할 수 있는 전기 척일 수 있다. 척(120)은 접지된 전도성 베이스 레이어(140), 상기 베이스 레이어(140) 위에 놓인 절연 레이어(145), 상기 절연 레이어(145) 위에 놓인 얇은 캐소드 전극(150), 그리고 상기 캐소드 전극(150) 위에 놓이고 웨이퍼 지지 표면(130)을 형성하는 탑 절연 레이어(155)로 구성될 수 있다. 절연 레이어들(145, 155)을 이루는 물질은 세라믹일 수 있다. 캐소드 전극(150)은 몰리브덴으로 이루어진 얇은 금속 그물망일 수 있다.
[0015] 도 1의 반응기는 한 쌍의 횡단 외부 오목 전선관들(transverse external reentrant conduits)(160, 165) - 각각이 챔버(100)의 직경을 가로질러 연장하고 그들의 단부에서 천장(115) 내 포트들(112)을 통해서 챔버(100)의 내부(100)에 커플링됨 - 을 포함하는 트로이달 플라즈마 소오스를 구비한다. RF 전력 어플리케이터(170, 175)는 각각 오목 전선관들(160, 165)의 내부 내로 RF 전력을 커플링한다. RF 전력 어플리케이터(170)는 전선관(160) 둘레에 감긴 자기 투자성(magnetically permeable) 링(180)과, 링(180)의 일부 둘레에 감긴 전도성 코일(182)과, 그리고 RF 임피던스 정합 요소(186)를 통해 코일(182)에 커플링되는 RF 전력 생성기(184)로 구성된다. RF 전력 어플리케이터(175)는 전선관(165) 둘레에 감긴 자기 투자성 링(180')과, 상기 링(180')의 일부에 감긴 전도성 코일(182')과, 그리고 RF 임피던스 정합 요소(186)를 통해 코일(182')에 커플링되는 RF 전력 생성기(184')로 구성된다.
[0016] 천장(115)은 가스 분배 판(188)을 포함한다. 프로세스 가스 공급기들(190a, 190b, 190c)은 사용자-제어가능한 가스 패널(195)을 통해 가스 분패 판(188)에 프로세스 가스를 공급한다. 챔버(100)는 진공 펌프(198)에 의해서 비워진다.
[0017] 정전 척(120)은 그물 전극(150)에 연결된 사용자-제어가능한 D.C. 척킹 전압 공급기(D.C. chucking voltage supply)(200)를 추가적으로 포함한다. 극도로 높은 RF 바이어스 전압을 생성할 수 있는 RF 바이어스 전력 생성기(210)는 RF 임피던스 정합 회로(215) 및 (RF 임피던스 정합 회로(215)에 포함될 수 있는) 선택적인 절연 캐패시터(220)을 통해 그물 전극(150)에 커플링된다. 웨이퍼(125)에 유용한 이온 주입 깊이 프로파일을 제공하기 위해서, RF 바이어스 전압 생성기(210)는 충분히 높은 전력 레벨에서 작동되어서, 웨이퍼 표면에서 플라즈마 쉬스(plasma sheath)에 걸쳐 10 kV 이상에 이르는 RF 바이어스 전압을 생성한다. 이러한 전압은 이온 주입 깊이 프로파일을 제어한다.
[0018] 도 2를 참조하면, 그물 전극(150)은 환형 가장자리 부분(151)을 제외하고는 그 직경에 걸쳐서 대체로 편평하고 환형 가장자리 부분은 웨이퍼 지지 표면(130)으로부터 멀어지면서 아래로 연장된다. 도 2의 실시예에 있어서, 환형 가장자리 부분(151)은 호 형태로 아래로 구부러진다. 후술하는 바와 같이, 환형 가장자리 부분(151)에 의해 범위가 정해지는 아래로 구부러진 호의 "폭(a)"과 "깊이(b)"는 도 3a에 도시된 전기장의 가장자리 비균일함의 폭(A) 및 진폭(B)에 따라서 선택된다. 일반적으로, "폭(a)"은 환형 가장자리 부분(151)의 크기를 정하고, 일반적으로 전극(150) 반경의 5% 내지 50% 사이일 수 있다. 전극(150)은 두께가 1 mm보다도 작은 수치(a fraction of a mm)에 이를 수 있다. 이러한 경우에, 호의 "깊이(b)"는 수 mm(several mm)에 해당할 수 있다. 웨이퍼 지지 표면(130)이 그 직경에 걸쳐서 완전히 편평하기 때문에, 웨이퍼 지지 표면(130)으로부터 전극(150)을 분리하는 절연 레이어(155)는 전극(150)의 주요 부분에 걸쳐서 일정한 두께(예를 들어 약 1 mm)를 가지지만, 둘레 가장자리 부분(151)에 걸쳐진 반경에 의해서 증가하는 두께를 가진다. 전극(150)의 직경은 웨이퍼(125)의 직경과 대략 같고 일반적인 경우에서 약 300 mm이다.
[0019] 도 3a는 반경 위치에 따른 웨이퍼(125)의 표면에서의 전기장 세기를 나타내는 그래프이다. 도 3a의 실선은 곡률이 없는 전극(150)(도 2에서 점선으로 표시됨)의 완전 편평한 버전에 대한 전기장 세기를 나타낸다. 도 3a는 웨이퍼 표면의 대부분에 걸쳐서 전기장이 균일(편평)하되, 웨이퍼 가장자리에서의 작은 부분에 대하여 전기장의 큰 피크(300)가 발생하는 것을 나타낸다. 피크(300)는 전극의 완전히 편평한 버전(점선)의 가장자리에서의 전기장의 곡률에 기인할 수 있다. 환형 가장자리 부분(151)을 아래로 구부리는 것은 점선으로 도시된 매우 작은 피크(305)까지 피크(300)을 감소시키도록 전기장을 바꾼다. 구부러진 가장자리 부분(151)(도 2)의 "깊이(b)"는 전기장 피크(300)의 높이(B)에 따라서 선택된다. 구부러진 가장자리 부분(151)(도 2)의 "폭(a)"은 피크(300)의 폭(A)에 따라서 선택된다.
[0020] 도 3a에 도시된 전기장에서의 피크(300) 또는 비균일함은 웨이퍼(125)의 가장자리에서 이온 자속(ion flux)의 피크를 생성하기 위하여, 웨이퍼 가장자리를 향하여 이온 궤적들을 집중시키는 전기장에서의 곡률을 나타내는데, 이것은 도 3b에 도시된 보유된 이온 주입량 분포에서의 유사한 피크(310)의 근원이 된다.
[0021] 도 3b의 이온 주입량 분포에서의 피크(310)는 도 2의 실선 토폴로지를 따라서 전극 둘레 가장자리 부분이 아래로 구부러질 때 더 작은 피크(315)로 감소된다.
[0022] 도 3a에 도시된 전기장의 피크(300)은 또한 이온 주입 동안 폴리실리콘 식각률 분포에서의 상응하는 피크(320)(도 3c)를 생성할 수 있다. 이것은 전기장의 피크 영역에서의 더 큰 이온 에너지에 기인할 수 있다. 도 2의 실선으로 도시된 구부러진 전극 토폴로지로 변이되는 것에 의해서 (도 3c에 점선으로 도시된) 더 작은 피크(325)로 식각률 분포 피크(320)이 감소된다.
[0023] 도 2에 실선으로 도시된 캐소드 전극은 보유된 이온 주입량의 더 균일한 분포와 이온 주입 동안 폴리실리콘 식각률의 더 균일한 분포를 제공한다. 보유된 이온 주입량 분포는 더 균일해지는데, 웨이퍼 가장자리에서의 전기장 비균일함 또는 곡률이 감소되기 때문이다. 웨이퍼 가장자리에서의 전기장 비균일함의 이러한 감소는 웨이퍼 가장자리에서의 이온 에너지 분포의 비균일함을 또한 감소시킨다.
[0024] 도 4는 도 1의 실시예의 변형을 나타내는데, 구부러진 얇은 그물 전극(150)이 동일한 탑 표면 토폴로지를 가지는 두꺼운 솔리드 전극(solid thick electrode)(150')으로 대체되었다.
[0025] 이상 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명의 다른 실시예들 및 추가적인 실시예들이 본 발명의 기본적인 범주(scope)를 벗어나지 아니하면서 고안될 수 있고, 그 범주는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.

Claims (15)

  1. 반응기 챔버와 상기 반응기 챔버 내 워크피스 지지 표면;
    상기 챔버에 커플링된 프로세스 가스 주입 장치;
    프로세스 가스 공급기(supply);
    프로세스 가스로부터 상기 챔버에 플라즈마를 생성하기 위한 RF 플라즈마 소오스 파워 어플리케이터(power applicator);
    워크피스 지지 표면 아래에 놓이고 워크피스로부터 절연되고 상기 워크피스의 둘레 가장자리(circumferential edge) 아래에 놓인 둘레 가장자리를 구비하는 디스크형 전극; 그리고
    상기 전극에 커플링된 RF 바이어스 전력 소오스를 포함하고,
    상기 전극은 대체로 편평하지만 상기 워크피스 지지 표면으로부터 멀어지도록 구부러진 둘레 가장자리 환형부(annulus)를 구비하고, 상기 둘레 가장자리 환형부는 상기 전극의 영역의 작은 부분에 해당하는,
    반도체 워크피스 상에서 플라즈마 프로세스를 행하기 위한 반응기.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 둘레 가장자리 환형부는 상기 워크피스의 반경의 5% 내지 50% 사이의 폭을 가지는,
    반도체 워크피스 상에서 플라즈마 프로세스를 행하기 위한 반응기.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 둘레 가장자리 환형부는 수 mm(several mm)에 이르는 곡률의 깊이를 가지는,
    반도체 워크피스 상에서 플라즈마 프로세스를 행하기 위한 반응기.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 둘레 가장자리 환형부는 완전히 편평한 형태를 가지는 전극의 전기장 피크의 폭에 상응하는 폭을 가지는,
    반도체 워크피스 상에서 플라즈마 프로세스를 행하기 위한 반응기.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 둘레 가장자리 환형부는 완전히 편평한 형태를 가지는 전극의 전기장 피크 특성을 보상하기에 충분한 곡률의 깊이를 가지는,
    반도체 워크피스 상에서 플라즈마 프로세스를 행하기 위한 반응기.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 둘레 가장자리 환형부는 직경이 약 300 mm이고 수 mm의 곡률의 깊이를 가지는,
    반도체 워크피스 상에서 플라즈마 프로세스를 행하기 위한 반응기.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 전극은 두께가 1 mm보다도 작은 수치(a fraction of a mm)에 이르는 전도성 그물망(mesh)을 포함하고,
    상기 둘레 가장자리 환형부는 수 mm(several mm)의 곡률의 깊이를 가지는,
    반도체 워크피스 상에서 플라즈마 프로세스를 행하기 위한 반응기.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 전극은 절연 재료에 캡슐화되고(encapsulated),
    상기 절연 재료는 상기 전극 위에 상기 워크피스 지지 표면을 형성하는,
    반도체 워크피스 상에서 플라즈마 프로세스를 행하기 위한 반응기.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 워크피스 지지 표면은 그 직경에 걸쳐서 편평하고,
    이에 의해서 상기 절연 재료가 반경이 증가하는 상기 둘레 가장자리 부분 위 두께를 가지는,
    반도체 워크피스 상에서 플라즈마 프로세스를 행하기 위한 반응기.
  10. 특정한(particular) 워크피스 직경을 가지는 워크피스를 지지하는 워크피스 지지 표면; 그리고
    상기 워크피스 지지 표면 아래에 놓이고 상기 워크피스 지지 표면으로부터 절연되고 상기 워크피스 직경에 상응하는 직경을 가지는 디스크형 전극;을 포함하고,
    상기 전극은 대체로 편평하지만 상기 워크피스 지지 표면으로부터 멀어지도록 구부러진 둘레 가장자리 환형부를 구비하고, 상기 둘레 가장자리 환형부는 상기 전극의 영역의 작은 부분에 해당하는,
    플라즈마 반응기에 사용되는 웨이퍼 지지대.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 둘레 가장자리 환형부는 상기 워크피스의 반경의 5% 내지 50% 사이의 폭을 가지는,
    플라즈마 반응기에 사용되는 웨이퍼 지지대.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 둘레 가장자리 환형부는 수 mm에 이르는 곡률의 깊이를 가지는,
    플라즈마 반응기에 사용되는 웨이퍼 지지대.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 둘레 가장자리 환형부는 완전히 편평한 형태를 가지는 전극의 전기장 피크의 폭에 상응하는 폭을 가지는,
    플라즈마 반응기에 사용되는 웨이퍼 지지대.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 둘레 가장자리 환형부는 완전히 편평한 형태를 가지는 전극의 전기장 피크 특성을 보상하기에 충분한 곡률의 깊이를 가지는,
    플라즈마 반응기에 사용되는 웨이퍼 지지대.
  15. 제10 항에 있어서,
    상기 둘레 가장자리 환형부는 직경이 약 300 mm이고 수 mm의 곡률의 깊이를 가지는,
    플라즈마 반응기에 사용되는 웨이퍼 지지대.
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