CN102021523A - 一种解决镀膜玻璃边缘效应的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种解决镀膜玻璃边缘效应的方法,其利用磁控溅射的方法将靶材原子沉积在玻璃的表面,在位于玻璃上方的所述的靶材的溅射通道上布有氩气,在玻璃的下方布有减缓溅射的工艺气体,所述的减缓溅射的工艺气体为氧气或者氮气。本发明在不改变原有的设备和方法的基础上,只在玻璃的下方布减缓溅射的气体(氧气或者氮气等),而由于玻璃的阻挡作用,这些减缓溅射的气体只会从玻璃的边缘进入溅射区域,从而就降低了玻璃边缘的溅射速度,减薄了边部的膜层的厚度,从而解决了镀膜玻璃的边缘效应的问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种玻璃制造行业,特别是涉及一种在对玻璃镀膜时解决边缘效应的方法。
背景技术
传统的磁控溅射镀膜方式中,由于电场在玻璃边缘分布与玻璃中部分布不一致,导致在玻璃的边部镀的膜层要比玻璃中部厚2%-3%。目前解决的办法,是将玻璃的摆放位置固定,通过调节玻璃边部的工艺气体及缩小玻璃边部的挡板开口来进行调节。但是,这种方法只能针对固定放置的玻璃进行调整,假如玻璃的摆放位置变了,则边缘效应将无法解决。而在实际的生产过程中,玻璃的规格不一,其摆放位置也难以固定,此问题无法得到解决。
发明内容
本发明的目的是提供一种解决镀膜玻璃边缘效应的方法。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种解决镀膜玻璃边缘效应的方法,其利用磁控溅射的方法将靶材原子沉积在玻璃的表面,在位于玻璃上方的所述的靶材的溅射通道上布有惰性气体,在玻璃的下方布有减缓溅射的工艺气体。
优选地,所述的惰性气体为氩气。
优选地,所述的减缓溅射的工艺气体为氧气或者氮气。
本发明的有益效果是:不改变原有的设备和方法,只在玻璃的下方布减缓溅射的气体(氧气或者氮气等),而由于玻璃的阻挡作用,这些减缓溅射的气体只会从玻璃的边缘进入溅射区域,从而就降低了玻璃边缘的溅射速度,减薄了边部的膜层的厚度,从而解决了镀膜玻璃的边缘效应的问题。
附图说明
附图1为本发明的解决镀膜玻璃边缘效应的布气方式示意图。
附图中:1、玻璃;2、磁体3、靶材;4、氩气;5、氮气。
具体实施方式
下面结合附图所示的实施例对本发明的技术方案作以下详细描述:
如附图1所示,本发明中利用磁控溅射的方法将吸附在磁体2上的靶材3的原子沉积在玻璃1的表面形成膜层,在位于玻璃1上方的靶材3的溅射通道上布有氩气4,在玻璃1的下方布有氮气5。
上述的实施例中的氩气4也可以选用其它的惰性气体,上述的氮气5也可以用氧气来代替。
上述实施例在不改变原有的设备和方法的基础上,在玻璃的下方布减缓溅射的工艺气体(氧气或者氮气等),使得玻璃的边缘的溅射速度减慢,从而实现消除镀膜玻璃的边缘效应。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施,并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种解决镀膜玻璃边缘效应的方法,其利用磁控溅射的方法将靶材原子沉积在玻璃的表面,在位于玻璃上方的所述的靶材的溅射通道上布有惰性气体,其特征在于:在玻璃的下方布有减缓溅射的工艺气体。
2.根据权利要求1所述的一种解决镀膜玻璃边缘效应的方法,其特征在于:所述的惰性气体为氩气。
3.根据权利要求1所述的一种解决镀膜玻璃边缘效应的方法,其特征在于:所述的减缓溅射的工艺气体为氧气或者氮气。
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CN (1) | CN102021523A (zh) |
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