KR20100121985A - 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조 - Google Patents

Abstract

본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조는, 전원이 인가되는 센터 도입체와; 상기 센터 도입체로부터 병렬형 구조로 대칭적 구조를 갖도록 분기된 복수개의 안테나체로 구성되되, 각 안테나체가, 상기 센터 도입체로부터 반경 방향으로 직선으로 이어지는 제 1 직선부와, 이 제 1 직선부의 끝단에서 하측 방향으로 수직으로 연결되는 제 1 수직부와, 제 1 수직부의 끝단에서 제 1 직선부와 일정한 각도를 이루면서 센터 도입체 쪽으로 제 1 직선부의 길이보다 짧게 이어지는 제 2 직선부와, 제 2 직선부의 끝단에서 하측 방향으로 수직으로 연결되는 제 2 수직부와, 제 2 수직부의 끝단에서 안테나체 전체가 이루는 원주까지 원호 모양으로 이어지는 원호부를 포함하여 구성됨으로써, 보다 안정적으로 전력을 공급할 수 있고, 플라즈마 밀도를 균일하게 형성시킴과 아울러 플라즈마 밀도를 높여서 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있게 된다.

안테나, 반도체, 웨이퍼, 냉각,

Description

플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조{Antenna structure for substrate treatment device using plasma}

본 발명은 반도체 등의 제조 공정에 사용되는 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 관한 것으로서, 특히 플라즈마를 이용한 기판처리장치에 구비되는 안테나에 관한 것이다.

반도체 또는 평판표시장치 등의 제조 공정 중, 웨이퍼 또는 기판의 제조 공정에서는 건식 식각이나, 물리적 또는 화학적 기상 증착, 감광제 세정 및 기타 표면 처리 등의 단위 공정에서 플라즈마를 이용한 방법이 널리 이용되고 있다.

플라즈마를 이용한 기판처리장치는 플라즈마를 발생시키는 방법에 따라서 용량결합형(Capacitively Coupled Plasma, CCP)과 유도결합형(Inductively Coupled Plasma, ICP)으로 구분된다.

CCP방식은 서로 대향하는 평행평판 전극에 RF전력을 인가하여 양 전극사이에 수직으로 형성되는 RF전기장을 이용하여 플라즈마를 발생시키는 방식이고, ICP방식은 RF안테나에 의해 유도되는 유도전기장을 이용하여 원료물질을 플라즈마로 변화시키는 방식이다.

도 1은 ICP 방식의 기판처리장치의 구성을 개략적으로 도시한 것으로서, 이를 살펴보면, 기판 처리 공정이 수행되는 챔버(11), 챔버의 내부에 위치하며 상면에 기판(S)이 위치되는 기판 지지대(12), 기판 지지대(12)의 상부로 원료물질을 공급하는 가스분사수단(13)이 구성된다.

챔버(11)의 상부는 유전체판(14)에 의해 밀폐되며, 유전체판(14)의 상부에는 RF안테나(15)가 설치된다. RF안테나(15)는 RF전원(17)에 연결되며, RF안테나(15)와 RF전원(17)의 사이에는 임피던스 정합을 위한 정합회로(16)가 설치된다.

가스분사수단(13)은 도시된 바와 같이 챔버 측벽을 따라 대칭적으로 설치되는 인젝터로 구성될 수도 있지만, 유전체 플레이트(14)의 하부에 샤워헤드 방식으로 구성될 수도 있다.

일반적인 PECVD장치에서는 도시된 바와 같이 기판 지지대(12)를 접지하는 경우가 많지만, 콘택홀이나 트렌치의 갭필 공정을 수행하는 HDPCVD(High Density Plasma CVD) 장치에서는 증착과 식각이 병행되므로 이온제어를 위해 기판 지지대(12)에 바이어스 RF전원을 연결하기도 한다.

유전체판(14)은 RF안테나(15)와 플라즈마 사이의 용량성 결합을 감소시킴으로써 RF전원(17)으로부터의 에너지가 유도성 결합에 의하여 플라즈마로 전달되는 것을 돕는 역할을 한다.

RF안테나(15)의 주위에는 RF전원(17)에서 공급되는 RF전력에 의하여 수직방향의 시변(時變) 자기장이 발생하고, 챔버(11) 내부에는 시변 자기장에 의해 수평방향의 전기장이 유도된다.

이 유도전기장에 의하여 가속된 전자가 중성기체와 충돌함으로써 이온 및 활성종(radical)이 생성되어 기판에 대한 증착 또는 식각공정을 수행하게 된다.

RF안테나(15)는 그 형상이나 설치 위치에 따라서 챔버(11) 내부의 플라즈마 밀도에 직접적인 영향을 미친다.

예를 들어, 도 2a에 도시된 바와 같이 하나의 코일을 나선형으로 감은 나선형 RF안테나(20)는 전원이 공급되는 급전단과 접지단과의 사이에서 큰 전압강하가 발생하며, 이로 인해 RF전원(17)이 연결되는 중심부에서는 플라즈마 밀도가 높게 나타나고 주변부로 갈수록 플라즈마 밀도가 낮아지는 경향이 있다.

또한 전압강하로 인해 전력효율이 매우 낮은 편이며, 특히 챔버의 크기가 증가할수록 이러한 문제가 더욱 심각해진다는 단점이 있다.

도 2b는 나선형 RF 안테나(10)의 문제점을 개선하기 위하여 도입된 병렬형 RF안테나(30)로서, 서로 다른 직경을 가지는 원형의 제1,2,3 루프형 안테나(31,32,33)를 동심원 형태로 배치하고, 각 루프형 안테나(31,32,33)를 RF전원(17)에 대하여 병렬로 연결한다.

병렬형 RF안테나(30)는 나선형 RF안테나(20)에 비해 상대적으로 짧은 길이의 루프형 안테나를 사용하기 때문에 나선형 RF안테나(20)에 비해 전력효율이 높다. 그러나 외곽으로 갈수록 루프형안테나의 길이가 길어지기 때문에 주변부에서 전압강하가 상대적으로 크게 발생하며, 따라서 중심부에 비해 주변부쪽에서 플라즈마 밀도가 낮아지는 경향이 있다.

이와 같이 플라즈마 밀도는 RF안테나(30)의 형상이나 설치위치에 직접적인 영향을 받기 때문에, 플라즈마 밀도를 개선하기 위한 여러 가지 방법이 시도되고 있다.

이러한 방법을 살펴보면, 첫째는 도 3a에 도시된 바와 같이, RF안테나(15) 하부에 위치하는 유전체판(14)의 두께를 위치에 따라 다르게 제작하는 방법이다.

예를 들어, 플라즈마 밀도가 챔버 중심부에서 주변부에 비해 높게 형성되면, 중심부가 상대적으로 두껍거나 주변부가 상대적으로 얇은 유전체판(14)을 사용함으로써 챔버 중심부에서의 플라즈마 밀도를 낮추거나 주변부에서의 플라즈마 밀도를 높인다.

둘째는, 도 3b에 도시된 바와 같이, RF안테나(15)를 구성하는 각 루프형 안테나 또는 코일의 간격을 등간격으로 하지 않고, 플라즈마 밀도가 낮은 영역에서는 루프형 안테나 또는 코일을 상대적으로 촘촘하게 배치하고 플라즈마 밀도가 높은 영역에서는 상대적으로 넓게 배치하는 방법이다.

따라서 루프형 안테나 또는 코일이 넓게 배치된 영역에서는 플라즈마 밀도가 상대적으로 낮아지게 되며 이를 통해 플라즈마 밀도를 조절할 수 있다. 도면에는 주변부로 갈수록 루프형 안테나 또는 코일의 간격이 촘촘하게 배치된 형태를 도시하였다.

셋째는, 도 3c에 도시된 바와 같이, 유전체판(14)을 돔형으로 제조하여, 상대적으로 강한 RF전기장을 발생시키는 RF안테나(15)의 중심부를 기판 지지대(12)로부터 최대한 이격시키는 방법이다.

따라서 중심부에서의 플라즈마 밀도가 낮아져서 전체적으로 균일한 밀도분포 를 가지는 플라즈마를 얻을 수 있다.

이밖에도 프로세서 파라미터를 제어하는 방법이 있긴 하지만, 이는 상대적으로 매우 복잡하고 어려운 과정을 거쳐야 한다.

이와 같이, 반도체 장비 등의 기판(웨이퍼) 처리장치에 이용되는 종래 안테나들은, 챔버 내부의 플라즈마를 균일하게 발생시키기 위하여 안테나의 간격을 조정하거나 유전체 플레이트의 두께 또는 구조를 변경하기 때문에 전체적으로 구조가 복잡해지고, 소비 전력을 줄이면서 플라즈마를 균일하게 발생시키는 데는 한계가 있는 문제점이 있다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 안테나를 병렬형이면서 다층 구조로 구성함으로써 보다 안정적으로 전력을 공급할 수 있고, 적은 전력 사용량으로도 플라즈마 밀도를 균일하게 형성시킴과 아울러 플라즈마 밀도를 높여 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조를 제공하는 데 목적이 있다.

또한, 본 발명은 안테나를 튜브 타입으로 구성하여 내부에 냉각 유체가 통과하도록 구성함으로써 안테나에 보다 높은 전력을 인가하여 기판 처리 효율을 높일 수 있도록 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조를 제공하는 데 목적이 있다.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조는, 전원이 인가되는 센터 도입체와; 상기 센터 도입체로부터 병렬형 구조로 대칭적 구조를 갖도록 분기된 복수개의 안테나체로 구성되되, 상기 각 안테나체는, 상기 센터 도입체로부터 반경 방향으로 직선으로 이어지는 제 1 직선부와, 이 제 1 직선부의 끝단에서 하측 방향으로 수직으로 연결되는 제 1 수직부와, 제 1 수직부의 끝단에서 제 1 직선부와 일정한 각도를 이루면서 센터 도입체 쪽으로 제 1 직선부의 길이보다 짧게 이어지는 제 2 직선부와, 제 2 직선부의 끝단 에서 하측 방향으로 수직으로 연결되는 제 2 수직부와, 제 2 수직부의 끝단에서 안테나체 전체가 이루는 원주까지 원호 모양으로 이어지는 원호부를 포함한 것을 특징으로 한다.

상기 센터 도입체는, 분배부의 중앙에 수직한 방향으로 세워진 전원 도입부가 구성되는 것이 바람직하다.

상기 제 2 직선부는 상기 원호부가 이어지는 방향으로 제 1 직선부와 예각의 범위 내에서 틀어지게 연결되는 것이 바람직하다.

상기 원호부는 그 외곽이 안테나체 전체가 이루는 원주에 내접하는 크기로 형성되는 것이 바람직하다.

상기 원호부의 끝단부에는, 상측으로 수직으로 연결되는 제 3 수직부가 구성되는 것이 바람직하다.

상기 안테나체는 상기 센터 도입체를 중심으로 3개의 안테나체가 120도 간격으로 배치되어 구성되는 것이 바람직하다.

이때, 상기 안테나체는 상기 센터 도입체를 중심으로 제1안테나체, 제2안테나체, 제3안테나체가 센터 도입체에 차례로 연결되고, 상기 제 1 안테나체의 원호부는, 제 3 안테나체의 제 1 수직부와 제 2 안테나체의 원호부 사이까지 이어지도록 구성될 수 있다.

한편, 상기 각 안테나체는 냉각 유체가 통과하도록 튜브형 구조로 이루어질 수 있다.

이때, 상기 센터 도입체에는 상기 각 안테나체에 냉각 유체가 통과하도록 냉 각 통로가 형성되고, 외측에는 각 냉각 통로와 연결되는 니플이 구성되는 것이 바람직하다.

그리고 상기 냉각 유체는 상기 센터 도입체의 냉각 통로로 유입되어 원호부의 끝단부로 배출되게 구성될 수 있다.

본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조는, 병렬형이면서 입체적으로 균일 간격으로 위치되게 구성되기 때문에 안테나에 보다 안정적으로 전력을 공급할 수 있음 물론 아킹 결함(arcing defect) 등을 감소시켜 적은 전력 사용량으로도 플라즈마 밀도를 균일하게 형성시킴과 아울러 플라즈마 밀도를 높여서 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있는 효과를 갖게 된다.

또한, 본 발명은 안테나를 튜브 타입으로 구성하여 내부에 냉각 유체가 통과하도록 구성되기 때문에 안테나에 보다 높은 전력을 인가할 수 있게 되어 강력하고 균일한 플라즈마 형성으로 기판 처리 효율을 높일 수 있는 효과도 갖게 된다.

첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하면 다음과 같다.

도 4는 본 발명에 따른 안테나가 구비된 기판처리장치가 도시된 개략적인 구성도이다.

도 4에 예시된 바와 같은, 본 발명에 따른 안테나가 구비된 반도체 제조장비 즉, 기판(웨이퍼)처리장치는, 챔버(50) 내부의 하부에 기판이 지지되는 기판 지지대(52)가 구비되고, 챔버(50) 내부의 상부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(54) 및 플라즈마를 발생시키기 위한 안테나(60)가 구비된다.

여기서, 상기 챔버(50)는 상부에 유전체판(56)이 구비되어 안테나(60)가 설치된 영역과 분리되게 구성될 수 있으며, 이때 가스 공급부(54)는 유전체판(56) 하부의 공간으로 도입되어 구성된다. 가스 공급부(54)는 챔버(50) 내에 샤워헤드 방식으로 구성될 수 있다.

도 4에서 참조 번호 81, 83은 냉각 유체가 공급 및 배출되는 냉각 유체 유입관 및 냉각 유체 배출관이고, 이 관들은 냉각 유체를 순환시키는 냉각 유닛으로 연결되는 것이 바람직하다.

참조 번호 57은 안테나(60)와 RF전원(17)의 사이에서 임피던스 정합을 위한 정합회로를 나타낸다.

여기서, 안테나는 병렬식 구조로 이루어지는데, 이에 대하여 도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명에 따른 안테나 구조에 대하여 자세히 설명한다.

도 5 내지 도 8은 본 발명에 따른 안테나가 도시된 도면들로서, 도 5는 조립 상태의 사시도, 도 6은 분해 사시도, 도 7은 평면도, 도 8은 정면도, 도 9는 전류 및 냉각 유체의 흐름을 보여주는 참고도이다.

본 발명에 따른 안테나(60)는, 크게 전원이 인가되는 센터 도입체(61)와, 이 센터 도입체(61)로부터 병렬형 구조로 대칭적 구조를 갖도록 분기된 복수개의 안테 나체(70)로 구성된다. 이하 설명되는 본 발명의 실시예에서는, 안테나체(70)가 센터 도입체(61)를 중심으로 3개가 120도 간격으로 배치되어 구성된 구조를 중심으로 설명한다.

상기 센터 도입체(61)는 분배부(63)의 중앙에 수직한 방향으로 세워진 전원 도입부(61)가 구성된다. 이 전원 도입부(61)는, 도 4에서, 전원을 공급하는 정압 회로(57)측과 전기적으로 연결된다.

또한, 센터 도입체(61)는 냉각 유체가 유입되어 3개의 각 안테나체(70)에 공급할 수 있도록 구성되는데, 이에 대해서는 아래에서 다시 설명한다.

상기 안테나체(70)는, 도면에 예시된 바와 같이, 센터 도입체(61)를 중심으로 120도 간격으로 균일하게 배치되어 구성되는데, 각 안테나체(70; 70A, 70B, 70C)의 구성에 대하여 설명한다.

각 안테나체(70)는, 상기 센터 도입체(61)로부터, 제 1 직선부(71), 제 1 수직부(72), 제 2 직선부(73), 제 2 수직부(74), 원호부(75), 제 3 수직부(76)가 차례로 연결되는 구성으로 이루어진다.

이러한 각 안테나체(70)는, 제 1 직선부(71), 제 2 직선부(73), 원호부(75)는 수평 방향으로 서로 다른 수평 공간에 위치되도록 배치되고, 제 1 수직부(72) 및 제 2 수직부(74)는 수직 방향으로 배치되어 구성된다.

각 안테나체(70)의 각각의 구성 부분에 대하여 설명한다.

제 1 직선부(71)는, 상기 센터 도입체(61)로부터 반경 방향으로 직선으로 이어진다. 도면에서 3 개의 제 1 직선부(71)는 120도 간격으로 방사형 구조로 연결되 고, 제 1 수직부(72)와 연결되는 부분은, 도 7에 도시된 바와 같이, 대략 다른 안테나체(70)의 원호부(75)와 만나는 위치까지 이어지도록 구성되는 것이 바람직하다.

제 1 수직부(72)는, 상기 제 1 직선부(71)의 끝단에서 하측 방향으로 수직으로 연결된다. 이때 제 1 수직부(72)의 길이는 전체 챔버(50)의 내부 공간 등을 고려하여 적절하게 설정할 수 있다.

이러한 제 1 수직부(72)의 양단부는 상기 제 1 직선부(71)와 제 2 직선부(73)와 연결되도록 육면체형 구조를 갖는 커플러(77)에 의해 상호 연결된다.

제 2 직선부(73)는, 상기 제 1 수직부(72)의 끝단에서 제 1 직선부(71)와 일정한 각도를 이루면서 센터 도입체(61) 쪽으로 이어지되, 제 1 직선부(71)의 길이보다 짧게 형성된다.

또한, 제 2 직선부(73)는 다음의 원호부(75)가 이어지는 방향으로 제 1 직선부(71)와 예각의 범위 내에서 틀어지게 연결되는 것이 바람직하다. 이는 챔버(50) 내에서 플라즈마 밀도를 전체적으로 균일하게 발생시키기 위해서이다.

제 2 수직부(74)는, 상기 제 2 직선부(73)의 끝단에서 하측 방향으로 수직으로 연결된다. 이때 제 2 수직부(74)는 상기 제 1 수직부(72)의 길이와 동일한 길이로 설정될 수 있으며, 그 양단부는 역시 커플러(77)를 통해 제 2 직선부(73)와 원호부(75)와 연결되게 구성된다.

원호부(75)는, 상기 제 2 수직부(74)의 끝단에서 안테나체(70) 전체가 이루는 원주까지 원호 모양으로 이어진다.

이때, 원호부(75)는 그 외곽이 안테나체(70) 전체가 이루는 원주에 내접하는 크기로 형성되는 것이 바람직하다.

그리고, 상기 센터 도입체(61)를 중심으로 제 1 안테나체(70A), 제 2 안테나체(70B), 제 3 안테나체(70C)가 차례로 연결된다고 할 때, 상기 제 1 안테나체(70A)의 원호부(75)가 끝나는 부분은, 제 3 안테나체(70C)의 제 1 수직부(72)와 제 2 안테나체(70B)의 원호부(75) 사이까지 이어지도록 구성되는 것이 바람직하다.

제 3 수직부(76)는 상기 원호부(75)의 끝단부에서 역시 커플러(77)로 연결되어 상측으로 수직으로 연결된다.

이러한 제 3 수직부(76)는 챔버(50) 내에 전기적으로 접속되어 접지단자 역할을 하도록 구성할 수 있다.

참조 번호 78은 제 3 수직부(76)에 구비된 챔버에 연결되는 접지단자를 나타낸다.

한편, 상기 각 안테나체(70A)(70B)(70C)는 냉각 유체가 통과하도록 튜브형 구조로 형성될 수 있다.

이에 따라, 상기 센터 도입체(61)에는 상기 각 안테나체(70)에 냉각 유체가 통과하도록 냉각 통로(63a)가 형성되고, 외측에는 각 냉각 통로(63a)와 연결되는 니플(65)들이 구성된다. 이 니플(65)들에는 도 4에서와 같이 냉각 유체 유입관(81)이 각각 연결된다.

각각의 안테나체(70)를 구성하는 선재 및 커플러(77)는 모두 냉각 유체가 통과할 수 있도록 구성되며, 이때 선재 및 커플러(77)는 그 내부에 안테나 부분과 냉 각 유체가 통과하는 부분 사이의 절연을 위한 절연 튜브가 구성될 수 있다.

상기 제 3 수직부(76)의 상단부에는 냉각 유로와 연결되는 니플(79)들이 구성된다. 이 니플들은 도 4에서와 같이 냉각 유체 배출관(83)이 각각 연결된다.

이러한 구조에 의해 냉각 유체는 상기 센터 도입체(61)의 냉각 통로로 유입되어 원호부(75)의 끝단부의 제 3 수직부(76)를 통과하여 외부로 배출되게 구성되는 것이 바람직하다.

상기한, 본 발명의 실시예에서는 반도체 제조장비를 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 평판표시장치를 제조하는 장비에도 적용할 수 있음은 물론이다.

상기한 본 발명의 실시예에서 설명한 기술적 사상들은 각각 독립적으로 실시될 수 있으며, 서로 조합되어 실시될 수 있다. 또한, 본 발명은 도면 및 발명의 상세한 설명에 기재된 실시예를 통하여 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서 본 발명의 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.

도 1은 일반적인 ICP방식 기판처리장치의 개략적인 구성도이다.

도 2a 및 도 2b는 여러 유형의 RF안테나를 각각 나타낸 도면이다.

도 3a 내지 도 3c는 플라즈마 밀도분포를 개선하기 위한 다양한 방법을 각각 나타낸 도면이다.

도 4는 본 발명에 따른 안테나가 구비된 플라즈마를 이용한 기판처리장치가 도시된 개략적인 구성도이다.

도 5는 본 발명에 따른 안테나가 도시된 사시도이다.

도 6은 본 발명에 따른 안테나가 도시된 분해 사시도이다.

도 7은 본 발명에 따른 안테나가 도시된 평면도이다.

도 8은 본 발명에 따른 안테나가 도시된 정면도이다.

도 9는 본 발명에 따른 안테나의 전류 흐름과 냉각 유체의 흐름을 보여주는 참고 사시도이다.

Claims (10)

1. 전원이 인가되는 센터 도입체와; 상기 센터 도입체로부터 병렬형 구조로 대칭적 구조를 갖도록 분기된 복수개의 안테나체로 구성되되,

   상기 각 안테나체는, 상기 센터 도입체로부터 반경 방향으로 직선으로 이어지는 제 1 직선부와, 이 제 1 직선부의 끝단에서 하측 방향으로 수직으로 연결되는 제 1 수직부와, 제 1 수직부의 끝단에서 제 1 직선부와 일정한 각도를 이루면서 센터 도입체 쪽으로 제 1 직선부의 길이보다 짧게 이어지는 제 2 직선부와, 제 2 직선부의 끝단에서 하측 방향으로 수직으로 연결되는 제 2 수직부와, 제 2 수직부의 끝단에서 안테나체 전체가 이루는 원주까지 원호 모양으로 이어지는 원호부를 포함한 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 센터 도입체는, 분배부의 중앙에 수직한 방향으로 세워진 전원 도입부가 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조.
3. 청구항 1에 있어서,

   상기 제 2 직선부는 상기 원호부가 이어지는 방향으로 제 1 직선부와 예각의 범위 내에서 틀어지게 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조.
4. 청구항 1에 있어서,

   상기 원호부는 그 외곽이 안테나체 전체가 이루는 원주에 내접하는 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조.
5. 청구항 1에 있어서,

   상기 원호부의 끝단부에는, 상측으로 수직으로 연결되는 제 3 수직부가 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조.
6. 청구항 1에 있어서,

   상기 안테나체는 상기 센터 도입체를 중심으로 3개의 안테나체가 120도 간격으로 배치되어 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조.
7. 청구항 6에 있어서,

   상기 안테나체는 상기 센터 도입체를 중심으로 제1안테나체, 제2안테나체, 제3안테나체가 센터 도입체에 차례로 연결되고,

   상기 제 1 안테나체의 원호부는, 제 3 안테나체의 제 1 수직부와 제 2 안테나체의 원호부 사이까지 이어지도록 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조.
8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 각 안테나체는 냉각 유체가 통과하도록 튜브형 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조.
9. 청구항 8에 있어서,

   상기 센터 도입체에는 상기 각 안테나체에 냉각 유체가 통과하도록 냉각 통로가 형성되고, 외측에는 각 냉각 통로와 연결되는 니플이 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조.
10. 청구항 9에 있어서,

    상기 냉각 유체는 상기 센터 도입체의 냉각 통로로 유입되어 원호부의 끝단부로 배출되게 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 안테나 구조.

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