KR20100118230A - Method for fabricating conductive micro-pattern - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 미세 전도성 패턴의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 레이저 유도 증착법을 사용하여 미세패턴의 정밀도와 전기 전도성을 향상시킬 수 있고, 미세패턴 및 미세전극 등의 3차원 미세 구조물의 증착이 가능하며, 증착되는 박막의 물리적 성질이 유지할 수 있고, 기판의 미세크랙과 같은 열적 손상을 방지할 수 있는 미세 전도성 패턴의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a fine conductive pattern, and more specifically, it is possible to improve the precision and electrical conductivity of a fine pattern by using laser induced deposition, and to deposit a three-dimensional fine structure such as a fine pattern and a microelectrode. In addition, the present invention relates to a method of manufacturing a fine conductive pattern capable of maintaining physical properties of a deposited thin film and preventing thermal damage such as microcracks of a substrate.
최근, 광 디지털 통신 기술 분야, 디스플레이 기술 분야 및 마이크로 가공기술 분야를 비롯하여 마이크로 화학이나, 생체분석, 의학 분야에 이르기까지 고기능 미세 부품에 대한 기술개발연구가 활발히 진행 되고 있다. Recently, technology development researches on high-performance micro components from optical digital communication technology, display technology and micro processing technology to micro chemistry, bioanalysis, and medicine are being actively conducted.
이에 따라 마이크로-나노 단위 크기의 형상을 갖는 미세구조물을 제작할 수 있는 다양한 공정이 연구되고 있다. 그로 인해, 가공기술은 점차 소형화, 기능화 및 다양화의 추세로 변화하고 있으며 제품 형상정밀도에 대한 요구가 점점 높아지 고 있다.Accordingly, various processes for manufacturing microstructures having a micro-nano unit size shape have been studied. As a result, the processing technology is gradually changing to the trend of miniaturization, functionalization and diversification, and the demand for product shape precision is increasing.
미세패턴 제작기술은 광 부품소자 제작기술 및 미세 가공기 부품의 제작을 위한 미세가공, 인쇄, 전자분야의 부품제조, 전도성 회로제작 등에 활용되고 있는 기술이다.Fine pattern fabrication technology is a technology that is used for the manufacturing of optical component devices and manufacturing micro components, microfabrication, printing, electronic component manufacturing, conductive circuit manufacturing.
현재 미세 패턴 제조기술로 사용되는 있는 기술은 반도체 공정을 기반으로 한 리소그래피 공정이지만 마스크 제작공정이 필요하기 때문에 시제품 혹은 다품종 소량 생산시 경제성에 문제점이 발생한다.Currently, a technique used as a fine pattern manufacturing technology is a lithography process based on a semiconductor process, but a mask manufacturing process is required, which causes problems in economical efficiency when producing small quantities of prototypes or multi-types.
따라서 마스크 없이 레이저 가공에 의한 증착(LIFT: Laser Induced Forward Transfer)을 이용하여 재료 표면에 미세 패턴을 제조하는 기술이 제안되고 있으나, 지금까지 LIFT공정으로 제작된 패턴은 정밀도가 낮아 응용분야에 제한을 가지고 있다.Therefore, a technique of manufacturing a fine pattern on the surface of a material by using laser induced forward transfer (LIFT) without a mask has been proposed. However, until now, the pattern manufactured by the LIFT process has a low precision, thereby limiting the application field. Have.
또한, 레이저에 의하여 증착을 유도하기 때문에, 유입되는 높은 열에너지에 의해 증착되는 박막의 물리적 성질이 변하거나, 기판의 미세크랙과 같은 열적 손상이 발생하는 문제점이 있었다.In addition, since the deposition is induced by a laser, the physical properties of the deposited thin film are changed by the high heat energy introduced therein, or thermal damage such as microcracks of the substrate occurs.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 레이저 유도 증착법을 사용하여 미세패턴의 정밀도와 전기 전도성을 향상시킬 수 있고, 미세패턴 및 미세전극 등의 3차원 미세 구조물의 증착이 가능하며, 증착되는 박막의 물리적 성질이 유지할 수 있고, 기판의 미세크랙과 같은 열적 손상을 방지할 수 있는 미세 전도성 패턴의 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to improve the precision and electrical conductivity of the micropattern using the laser induced deposition method, the deposition of three-dimensional microstructures such as micropattern and microelectrode It is possible to provide a method of manufacturing a fine conductive pattern capable of maintaining the physical properties of the deposited thin film and preventing thermal damage such as microcracks of the substrate.
본 발명의 상기한 목적을 달성하기 위하여,In order to achieve the above object of the present invention,
본 발명의 일 측면에 따르면, According to one aspect of the invention,
(a)레이저 가공기에 수용기판을 위치시키는 단계;(a) placing the receiving substrate on the laser processor;
(b)투명기판의 하부면에 금속 박막층을 형성하는 단계;(b) forming a thin metal layer on the lower surface of the transparent substrate;
(c)상기 금속 박막층의 표면에 폴리머층을 형성하는 단계;(c) forming a polymer layer on the surface of the metal thin film layer;
(d)상기 폴리머층이 수용기판의 표면에 대응되도록 상기 투명기판을 수용기판의 상방으로 이격 위치시키는 단계; 및(d) positioning the transparent substrate above the receiving substrate so that the polymer layer corresponds to the surface of the receiving substrate; And
(e)상기 투명기판의 상부면에 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 미세 전도성 패턴의 제조방법이 제공된다.(e) there is provided a method of manufacturing a fine conductive pattern comprising the step of irradiating a laser on the upper surface of the transparent substrate.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법은 레이저 유도 증착법을 사용하여 미세패턴의 정밀도와 전기 전도성을 향상시킬 수 있고, 미세패턴 및 미세전극 등의 3차원 미세 구조물의 증착이 가능하며, 증착되는 박막의 물리적 성질이 유지할 수 있고, 기판의 미세크랙과 같은 열적 손상을 방지할 수 있다.As described above, the method of manufacturing a fine conductive pattern according to the present invention can improve the precision and electrical conductivity of the fine pattern by using a laser induced deposition method, and the deposition of three-dimensional fine structures such as fine patterns and fine electrodes It is possible to maintain the physical properties of the thin film to be deposited, and to prevent thermal damage such as microcracks of the substrate.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법을 첨부된 도면을 참고하여 상세히 설명한다. 첨부된 도면은 본 발명의 예시적인 형태를 도시한 것으로, 이는 본 발명을 보다 상세히 설명하기 위해 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 기술적인 범위가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, a method of manufacturing a fine conductive pattern according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The accompanying drawings show exemplary forms of the present invention, which are provided to explain the present invention in more detail, and the technical scope of the present invention is not limited thereto.
또한, 도면에 도시된 각 부재의 두께 및 크기는 설명의 편의를 위하여 과장되거나 축소될 수 있다.In addition, the thickness and size of each member shown in the drawings may be exaggerated or reduced for convenience of description.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법에 사용되는 장치의 구성도이고, 도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법에 사용되는 투명기판 및 수용기판을 나타내는 상세도이며, 도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법을 나타내는 공정도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법에 사용되는 레이저 유도 증착을 나타내는 개념도이다.1 is a block diagram of a device used in the method of manufacturing a fine conductive pattern according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a transparent substrate and the receiving used in the method of manufacturing a fine conductive pattern according to an embodiment of the present invention Figure 3 is a detailed view showing a substrate, Figure 3 is a process chart showing a method of manufacturing a fine conductive pattern according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a laser used in the method of manufacturing a fine conductive pattern according to an embodiment of the present invention It is a conceptual diagram showing inductive deposition.
본 발명은 레이저 유도증착 방법을 사용하는 미세 전도성 패턴의 제조방법으로서, 구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법은 (a)레이저 가공기에 수용기판을 위치시키는 단계(S100); (b)투명기판의 하부면에 금속 박막층을 형성하는 단계(S200); (c)상기 금속 박막층의 표면에 폴리머층을 형성하는 단계(S300); (d)상기 폴리머층이 수용기판의 표면에 대응되도록 상기 투명기판을 수용기판의 상방으로 이격 위치시키는 단계(S400); 및(e)상기 투명기판의 상부면에 레이저를 조사하는 단계를 포함(S500)을 포함한다.The present invention is a method of manufacturing a fine conductive pattern using a laser induced deposition method, specifically the method of manufacturing a fine conductive pattern according to an embodiment of the present invention (a) placing the receiving substrate on the laser processing machine (S100) ; (B) forming a metal thin film layer on the lower surface of the transparent substrate (S200); (c) forming a polymer layer on the surface of the metal thin film layer (S300); (d) placing the transparent substrate spaced apart above the receiving substrate so that the polymer layer corresponds to the surface of the receiving substrate (S400); And (e) includes a step of irradiating a laser on the upper surface of the transparent substrate (S500).
도 4를 참조하여 레이저 유도증착 방법을 설명하면, 레이저 빔이 투과하는 투명기판(1)의 후면에 금속박막층(2)을 전자빔 등을 이용하여 증착시킨 후, 상기 금속박막층(2)에 대향되도록 투명기판(1)의 하방에 수용기판(3)을 소정의 간격을 두고 이격 위치시킨다.Referring to FIG. 4, a laser induction deposition method is described. The metal
이후, 레이저 빔을 투명기판(1)의 전면에 조사하고, 스캔하며 미세패턴 형상(4)을 증착시키게 되며, 구체적으로 집속된 레이저 빔이 투명기판(1)을 투과하여 금속박막층(2)에 흡수되면 레이저 빔이 조사된 부위의 금속박막은 어블레이션되어 근접한 수용기판(3)의 표면에 증착되어 미세 전도성 패턴(4)을 형성하게 된다.Thereafter, the laser beam is irradiated onto the entire surface of the
본 문서에서 투명기판의 전면은 레이저와 대응되는 면을 뜻하고, 후면은 금속박막층이 형성되는 면을 뜻하며, 수용기판의 표면은 상기 금속박막층과 마주보는 면을 뜻한다.In this document, the front surface of the transparent substrate refers to a surface corresponding to the laser, the rear surface refers to the surface on which the metal thin film layer is formed, and the surface of the receiving substrate refers to the surface facing the metal thin film layer.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법에 사용되는 장치는 레이저 빔(31) 및 레이저 가공기 테이블(30)을 포함하는 레이저 가공기로 구성된다.Referring to Figure 1, the apparatus used in the method for producing a fine conductive pattern according to the present invention is composed of a laser processing machine including a
상기 레이저 가공기의 테이블(30)에는 모터(도시되지 않음)가 설치될 수 있고, 상기 모터에 의해 레이저 빔(31)은 수평방향으로 스캔을 위하여 이동될 수 있다.A motor (not shown) may be installed on the table 30 of the laser processing machine, and the
여기서, 레이저 가공기 테이블(30) 상에 수용기판(20)이 배치되고, 레이저 가공기에는 수용기판(20)과 레이저 빔(31) 사이에 투명기판(11)이 위치되며, 상기 투명기판(11)은 장착지그 등을 통하여 그 위치가 고정될 수 있다.Here, the
상기 투명기판(11)의 후면에는 금속 박막층(12)이 형성되고, 상기 금속 박막층(12)의 표면에는 폴리머층(13)이 형성된다.The metal
상기 투명기판(11)은 레이저를 투과시킬 수 있는 투명한 재질로 형성될 수 있고, 이에 제한되지 않으나, 예를 들어 유리 또는 투명수지일 수 있다.The
여기서, 상기 금속 박막층(12)은 레이저와 반응하여 열분해 증착반응을 유도할 수 있는 다양한 금속으로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않으나, 예를 들어 구리, 알루미늄, 금, 니켈 또는 크롬일 수 있으며, 전자 빔, 열 증착기(Thermal evaporator) 또는 스퍼터 등의 방법으로 형성될 수 있다.Here, the metal
상기 금속 박막층(12)은 그 두께(t1)가 300㎛ 내지 800㎛로 형성될 수 있으 며, 상기 수치보다 낮은 두께로 형성되면 조사되는 레이저 빔의 낮은 조사강도에도 금속박막층(12)이 쉽게 융발되어 수용기판(20)에 증착되는 증착율이 떨어지므로 전도성 회로기판으로 사용할 수 없는 문제점이 발생할 수 있고, 상기 수치보다 큰 두께로 형성되면 투명기판(11)에서 박리를 일으키게 하는 레이저 빔의 단위면적당 조사강도를 높여야 하므로 이에 따른 수용기판(20)에 미치는 열적 손상으로 수용기판의 물리적 성질이 변하는 문제점이 발생할 수 있다.The metal
상기 금속 박막층(12)의 표면에는 폴리머층(13)이 형성되며, 상기 폴리머층(13)은 이에 제한되지 않으나, 금속 박막층(12)의 표면에 폴리머를 도포한 후, 노광(soft-baking)처리하여 형성할 수 있으며, 그 두께(t2)는 0.1 내지 3㎛로 형성할 수 있으며, 약 1㎛로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 수치보다 낮은 두께로 형성되면 한층 한층(layer by layer) 레이저 빔이 조사되면서 투명기판(11)의 금속 박막층(12)의 증착층의 형상정밀도와 치수정밀도가 떨어져서 원하는 형상의 전도층을 형성하는데 문제점이 발생할 수 있고, 상기 수치보다 큰 두께로 형성되면 레이저 빛과 반응으로 생성된 증착물의 증착 조직이 조밀하지 않고 결국 접착력이 떨어지는 문제점이 발생할 수 있다.A
상기 폴리머층(13)은 레이저 유동증착공정에서 증착패턴의 두께, 수용기판(20)과의 접착력 및 전기적 성질인 전도성을 향상시키는 역할을 한다.The
본 문서에서는 특별한 한정이 없는 한, 투명기판(11), 금속 박막층(12) 및 폴리머층(13)을 모두 포함하여 공작물(10)로 지칭할 수 있다. In the present disclosure, unless otherwise specified, the
공작물(10)의 제작이 완료되면, 폴리머층(13)이 수용기판(20)의 표면과 마주하도록 수용기판(20)의 상방으로 소정의 간격(d)을 두고 공작물(10)을 배치시킨다.When the fabrication of the
이때, 상기 간격(d)은 50㎛ 내지 100㎛일 수 있고, 상기 수치보다 낮은 간격으로 배치되면 레이저 광학계의 초점심도영역에서 레이저 빔과 충분히 반응하여 금속박막층(12)의 용융상태에서, 투명기판에서 수용기판으로 전달되어 증착될 때 폴리머의 용융잔유뮬이 증착층에 포함될 수 있어 전기전도성에 문제가 발생할 수 있고, 상기 수치보다 큰 간격으로 배치되면 같은 레이저 빔의 조사강도에서 수용기판에 높은 접착강도로 증착이 충분히 일어날 수 있는 운동에너지가 부족하여 접착력과 증착 금속들간의 결합력이 약해지는 문제점이 발생할 수 있다.In this case, the interval d may be 50 μm to 100 μm, and when disposed at intervals lower than the numerical value, the transparent substrate may sufficiently react with the laser beam in the depth of focus area of the laser optical system in the molten state of the metal
한편, 지금까지는 수용기판(20)을 레이저 가공기에 위치시킨 후, 공작물(10)을 위치시키는 것을 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 수용기판(20)의 배치와 공작물(10)의 배치 순서를 반대로 하는 것도 가능하다.On the other hand, it has been described so far to position the
또한, 본 발명에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법에 사용되는 장치는 투명기판(11)과 레이저(31) 사이에 배치된 집속렌즈(32)를 포함하며, 이에 따라 레이저 가공은 높은 에너지 강도를 낼 수 있고, 수-수백 마이크로미터 이내로 집속이 가능하므로, 작은 초점크기를 형성할 수 있다.In addition, the apparatus used in the method for producing a fine conductive pattern according to the present invention includes a focusing
공작물(10)의 제작과 수용기판(20) 및 공작물(10)의 배치가 완료되면, 투명기판(11)의 전면에 레이저(31)를 조사하게 된다.When the fabrication of the
금속 박막층(12)에 조사되는 레이저(31)는 재료의 반사율에 따라 일부는 반사되고 나머지 에너지는 표면에서부터 빛의 세기가 지수적으로 감소하면서 금속 박막층(12)에 흡수된다. 이때 흡수된 빛 에너지는 열에너지로 변환되면서 투명기판(11) 후면의 금속 박막층(12)은 열전도에 의해 열분해를 일으키게 된다. 이후 열전도에 의한 열분해 반응을 통해 성성된 부산물(40)은 수용기판(20) 표면에 증착되고, 융발된 입자들은 주위로 빠져나간다. The
수용기판(20)을 가열하는 레이저(31)는 수용기판(20) 표면에서 수십 마이크로미터의 매우 작은 크기로 집속되고, 수용기판에 증착된 폴리머층이 레이저를 흡수하여 가열되는 영역과 수용기판의 증착이 일어나는 영역은 레이저의 초점크기와 유사한 매우 작은 영역에 국한된다.The
수용기판(20)의 표면에 증착층(40)을 형성한 후, 이 증착층(40)위에 다시 새로운 증착을 수행함으로써, 증착물의 두께를 계속해서 증가시킬 수 있으며, 또한 레이저를 국소위치에 한층 한층(layer by layer) 순서대로 연속 조사함으로써 증착물이 수용기판(20) 표면에 높이 방향으로 증착되면서 3차원 미세 구조물을 증착시킬 수 있다.By forming the
한편, 공작물(10)에 폴리머층(13)이 없다면 금속박막층(12)에 조사된 레이저로 열분해 되어 증착되기 때문에 수용기판의 과열로 인한 열적손상이 발생할 수 있으며, 열응력에 의한 수용기파느이 미세크랙과 같은 열손상이 발생할 수 있다.On the other hand, if there is no
본 발명의 일 실시예에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법은 공작물(10)에 폴리머층(13)을 형성하는 단계를 포함하므로, 레이저의 열에너지에 의한 금속박막 의 물리적 성질변화를 방지할 수 있고, 레이저의 흡수율을 향상시켜 수용기판 표면의 급격한 온도상승과, 열적손상을 방지할 수 있으므로 생산성을 향상시킬 수 있다.Since the method of manufacturing a fine conductive pattern according to an embodiment of the present invention includes the step of forming the
또한 금속 박막층(12)을 투명기판(11)의 후면에 형성함으로써, 플라즈마 실딩이 형성되어 가공 중 레이저 에너지가 차단되는 것을 방지할 수 있다.In addition, by forming the metal
도 5 내지 도 10은 본 발명에 따른 실시예와 비교예를 나타내는 도면이다.5 to 10 are views showing examples and comparative examples according to the present invention.
도 5는 폴리머 코팅을 사용하여 유도 증착 실험을 진행한 것으로 폴리머 코팅층이 증착단면에 미치는 영향을 알아보기 위하여 집속 이온빔(FIB) 장치를 사용하여 증착된 단면을 에칭한 사진이다.FIG. 5 is a photograph of etching the cross-section deposited using a focused ion beam (FIB) device in order to investigate the effect of the induction deposition experiment using the polymer coating layer on the deposition cross section.
증착실험은 공작물에 폴리머층을 형성하지 않고 레이저 유도 증착공정을 이용한 공정과 본 발명에서 제안한 금속 박막층 표면에 폴리머층을 형성한 상태로 레이저 유도 증착공정을 이용한 것을 비교 분석하였다. In the deposition experiment, the process using the laser induced deposition without forming the polymer layer on the workpiece was compared with the process using the laser induced deposition with the polymer layer formed on the surface of the metal thin film layer proposed in the present invention.
증착 구조물은 실리콘 위에 크롬(Cr)을 레이저 초점을 고정한 후 빔을 높이방향으로 다중 스캔하는 방식을 이용하여 증착하였다. 도 5의 (a)는 폴리머 코팅이 없는 레이저 유도증착 공정을 이용하여 증착한 구조물의 단면사진이고, (b)는 금속박막층 표면에 폴리머층을 형성한 후, 레이저 유도증착 공정을 수행한 결과이다. The deposition structure was deposited using chromium (Cr) on the silicon, the laser focus is fixed and then multi-scan the beam in the height direction. Figure 5 (a) is a cross-sectional photograph of a structure deposited using a laser induction deposition process without a polymer coating, (b) is a result of performing a laser induction deposition process after forming a polymer layer on the surface of the metal thin film layer. .
레이저 빔의 스캔횟수는 레이저빔의 초점을 고정시킨 후 빔을 스캔하는 고정 초점방식으로 20 회 반복하여 증착된 증착 구조물의 다면을 분석한 결과이다. 폴리머층을 사용하지 않은 증착공정은 20 회의 빔 스캔 횟수로 높이 약 8㎛의 증착 구조물이 증착되었고, 폴리머층을 적용한 증착공정의 경우 약 15㎛의 높이로 증착되어 증착율이 약 2 배 이상 향상되는 것을 확인 할 수 있었다. 또한, 집속이온빔장치의 단면 분석 결과 폴리머층을 이용하여 증착층의 조직이 폴리머층을 형성하지 않는 경우의 증착층의 조직보다 더 균일하고 치밀하게 나타나는 것을 볼 수 있다. 이는 폴리머층이 레이저 빔의 흡수율을 향상시켜 열에너지에 의한 증발되는 양을 줄여주고 수용기판에 증착율을 향상시킬 수 있었으며, 빔의 흡수율 향상으로 인한 금속 박막의 물리적 성질의 변화는 거의 없었다. 또한 한층 한층 조사하는 다중빔 스캔 방식을 통하여 이미 증착된 표면위에 다시 레이저 빔이 스캔됨으로서 증착조직이 치밀해지며 레이저빔의 의해 발생하는 충격파의 영향으로 용융 금속입자들의 압축소결 효과를 얻을 수 있었다.The number of scans of the laser beam is a result of analyzing a surface of a deposition structure deposited 20 times in a fixed focus method of scanning a beam after fixing the focus of the laser beam. In the deposition process without using the polymer layer, a deposition structure having a height of about 8 μm was deposited in 20 beam scans, and in the deposition process using the polymer layer, the deposition rate was increased by about 15 μm, thereby increasing the deposition rate by more than twice. I could confirm that In addition, as a result of the cross-sectional analysis of the focused ion beam device, it can be seen that the structure of the deposition layer using the polymer layer is more uniform and dense than the structure of the deposition layer when the polymer layer is not formed. This improved the absorption rate of the laser beam, thereby reducing the amount of evaporation due to thermal energy and improving the deposition rate on the receiving substrate. There was little change in the physical properties of the metal thin film due to the improved absorption rate of the beam. In addition, the laser beam is scanned again on the surface already deposited through the multi-beam scanning method of further irradiation, and thus the deposition structure becomes dense and the compression sintering effect of the molten metal particles can be obtained by the impact wave generated by the laser beam.
도 6은 폴리머 코팅효과가 증착 표면형상에 미치는 영향을 분석하기 위해서 관찰한 집속이온빔의 증착표면 사진이다. (a)는 코팅층이 없이 증착공정을 이용하여 증착한 표면형상 사진이고, (b)는 폴리머 코팅을 이용한 증착표면 형상이다. 증착된 금속 박막재료는 크롬(Cr)으로 증착면의 표면형상을 살펴보면 폴리머 코팅을 이용한 증착 표면조직이 균일하고 치밀하게 증착된 것을 관찰 할 수 있다. 6 is a photograph of the deposition surface of the focused ion beam observed to analyze the effect of the polymer coating effect on the deposition surface shape. (a) is a surface shape photograph deposited using a deposition process without a coating layer, and (b) is a deposition surface shape using a polymer coating. The deposited metal thin film material is chromium (Cr) and the surface shape of the deposition surface can be observed that the deposition surface structure using the polymer coating is uniformly and precisely deposited.
증착표면이 균일한 것은 다중스캔 방식에 의한 레이저빔의 조사로 인해 금속 박막층이 투명기판에서 열분해반응을 통해 박리되어 수용기판에 유도증착이 일어날 때 폴리머가 함께 제거되면서 다중스캔방식으로 인한 충격파의 압축소결 효과에 의해서 증착표면의 조직이 향상되기 때문이다. (b)에서 폴리머 코팅을 이용한 증착표면의 형상은 마치 스폰지와 같은 구조를 이루고 있으며 표면에 증착된 용융 금속 은 크기는 집속이온빔 이미지를 통하여 관찰한 결과 5 내지 25㎛의 크기로 수용기판에 균일하고, 치밀한 증착표면 형상을 나타내고 있다. The uniform deposition surface is due to the laser beam irradiation by the multi-scan method. The thin metal layer is peeled off through the pyrolysis reaction on the transparent substrate and the polymer is removed together when the induction deposition occurs on the receiving substrate. This is because the structure of the deposition surface is improved by the sintering effect. In (b), the surface of the deposition surface using the polymer coating has a sponge-like structure, and the size of the molten metal deposited on the surface is uniform to the receiving substrate with a size of 5 to 25 μm as observed through a focused ion beam image. It has a dense deposition surface shape.
도 7은 폴리머 코팅 레이저 유도증착 공정을 수행하기 전, 후의 수용기판에 증착된 금속박막의 표면 형상을 나타낸 전자현미경 사진이다. FIG. 7 is an electron micrograph showing the surface shape of a metal thin film deposited on a receiving substrate before and after performing a polymer coating laser induced deposition process.
(a) 및 (b)는 레이저 유도 증착공정에서 투명기판으로 사용되는 파이렉스 유리 기판 위에 전자빔으로 두께 400nm 의 크롬 박막을 증착한 후 스핀코터를 사용하여 두께 1㎛ 폴리머를 코팅하고 소프트 베이크하여 분석한 폴리머 금속 코팅 박막표면의 전자현미경 사진과 금속 코팅 박막의 성분 분석을 위한 EDX 스펙트럼을 보여주고 있다. (a) and (b) are 400 nm thick chromium thin films deposited on a Pyrex glass substrate used as a transparent substrate in a laser induced deposition process, and then coated with a 1 micrometer thick polymer using a spin coater and soft baked. Electron micrographs of the surface of polymer metal-coated thin films and EDX spectra for component analysis of metal-coated thin films are shown.
금속 코팅 박막은 성분분석결과 측정영역내에 고분자 유기물인 탄소가 76.22% (wt%), 산소 23.24%으로 나타났다. 상대적으로 폴리머 코팅 아래 부분에 있는 크롬박막은 0.54%로 측정되었음을 알 수 있었다.As a result of the component analysis, the metal-coated thin film was found to have 76.22% (wt%) of oxygen and 23.24% of oxygen, which is a polymer organic material, in the measurement region. It was found that the chromium thin film under the polymer coating was measured at 0.54%.
도 7의 (c) 및 (d)는 실리콘 웨이퍼위에 폴리머 코팅 증착공정으로 증착된 표면의 SEM 사진과 EDX 분석결과이다. 증착 표면의 분석결과 산소 18.84%, 규소(Si) 3.98%, 크롬(Cr) 77.18% 성분이 검출되었다. 증착 표면의 분석결과, 폴리머 코팅 유도증착공정를 이용하여 증착 표면에는 박막 위에 유기물인 폴리머 구성성분인 탄소가 없는 것으로 미루어 폴리머층은 조사되는 레이저 빔에 의한 열분해성(Pyrolytic) 반응을 통하여 투명기판과 수용기판 사이에서 증발되어 수용기판에는 용융 금속만이 증착되는 것을 표면분석 결과 알 수 있었다.7 (c) and (d) are SEM photographs and EDX analysis results of the surface deposited by a polymer coating deposition process on a silicon wafer. As a result of analysis of the deposition surface, 18.84% oxygen, 3.98% silicon (Si) and 77.18% chromium (Cr) were detected. As a result of the analysis of the deposition surface, using the polymer coating induction deposition process, the deposition surface does not contain carbon as an organic polymer component on the thin film, so that the polymer layer can be accommodated with the transparent substrate through the pyrolytic reaction by the irradiated laser beam. Surface analysis showed that only the molten metal was deposited on the receiving substrate by evaporation between the substrates.
도 8은 폴리머 코팅으로 인하여 증착 표면의 형상 분석을 위하여 SPM(Scanning Probe Microscope) 사진으로 측정영역은 20㎛로 측정하였다. 측정영역내의 용융금속 증착 입자들의 크기는 5 내지 10㎛에 이른다. 도 8의 (b) 및 (d)는 증착 표면의 표면 거칠기를 측정한 것으로 폴리머 코팅을 이용하지 않은 경우는 Ra=200.65nm 이고, 폴리머 코팅을 이용한 경우는 Ra=169.69nm 로 약 Ra=30nm 표면 거칠기가 향상되었다. 폴리머 코팅을 이용하여 증착한 표면이 더 균일하고, 평탄하게 증착이 되는 것을 확인 할 수 있었다. 이것은 다중스캔방식에 의한 용융 금속입자들이 레이저 빔에 의해 재결정(recrystallization)화 되는 과정에서 금속분자들이 재결합되어 증착밀도가 높아지고 증착 표면형상이 향상되는 것으로 알 수 있다. 8 is a SPM (Scanning Probe Microscope) photograph for measuring the shape of the deposition surface due to the polymer coating was measured in 20㎛. The size of the molten metal deposited particles in the measurement region reaches 5 to 10 μm. (B) and (d) of FIG. 8 measure the surface roughness of the deposition surface. When the polymer coating is not used, Ra = 200.65 nm, and when the polymer coating is used, Ra = 169.69 nm and about Ra = 30 nm. Roughness is improved. The surface deposited using the polymer coating was confirmed to be more uniform and flat deposition. It can be seen that the metal molecules are recombined in the process of recrystallization of the molten metal particles by the multi-scan method to increase the deposition density and the deposition surface shape.
도 9는 폴리머 코팅효과에 대한 실험으로 크롬(Cr) 박막에 코팅을 한 경우와 코팅을 하지 않은 경우의 유도증착 실험결과를 SEM 사진을 통하여 엣지 품위와 증착표면 품위를 분석하였다. 실험 결과 코팅을 하지 않은 경우(도 9의 (a))와 코팅을 한 경우(도 9의 (b))의 SEM 사진 결과를 보면 폴리머 코팅층을 이용하여 증착실험을 한 경우가 코팅을 하지 않은 경우보다 엣지 품위가 훨씬 명확하고, 증착 표면의 형상의 경우 또한 연속적이고 균일한 표면을 관찰 할 수 있다.FIG. 9 shows the edge quality and the deposition surface quality of the chromium (Cr) thin film by coating and induction deposition test results when the coating was not carried out as an experiment on the polymer coating effect. Experimental results When the coating is not coated (FIG. 9 (a)) and when the coating (SEM (FIG. 9)) shows the results of the deposition test using the polymer coating layer, the coating is not The edge quality is much clearer, and in the case of the shape of the deposition surface, a continuous and uniform surface can also be observed.
도 10은 폴리머 코팅을 사용하여 유도증착 실험을 하여 실리콘 웨이퍼 위에 증착한 크롬(Cr)의 미세구조물의 SEM 사진이다. 도 10의 (a) 및 (b)는 폴리머 코팅이 없는 기존의 유도증착 공정을 이용하여 증착한 미세패턴의 사진이고, (c) 및 (d)는 본 발명에서 제안한 금속박막 위에 폴리머를 코팅한 후 유도증착 공정을 한 결과이다. FIG. 10 is a SEM photograph of the microstructure of chromium (Cr) deposited on a silicon wafer by induction deposition experiment using a polymer coating. (A) and (b) of Figure 10 is a photograph of the micro pattern deposited using a conventional induction deposition process without a polymer coating, (c) and (d) is a coating of a polymer on the metal thin film proposed in the present invention This is the result of induction deposition process.
증착된 재료는 크롬이며, 증착면의 경계를 살펴보면 폴리머 코팅 후 유도증착 공정을 한 결과가 증착면 경계가 명확하게 나타난 것을 알 수 있다. 또한 증착된 크롬층을 확대해 보면 폴리머 코팅 후 증착공정을 적용한 표면이 더 치밀하게 증착된 것을 알 수 있다. 이는 증착공정 전에 코팅된 폴리머가 조사된 레이저에 인해 금속 박막층이 증발할 때 함께 제거되면서 표면에서의 증착을 향상시켰기 때문이다.The deposited material is chromium, and when looking at the boundary of the deposition surface, it can be seen that the induction deposition process after the polymer coating clearly shows the deposition surface boundary. In addition, when the chromium layer is expanded, the surface of the deposition process applied after the polymer coating is deposited more densely. This is because the polymer coated before the deposition process is removed together when the metal thin film layer evaporates due to the irradiated laser to improve deposition on the surface.
위에서 설명된 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art having various ordinary knowledge of the present invention may make various modifications, changes, and additions within the spirit and scope of the present invention. And additions should be considered to be within the scope of the following claims.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법에 사용되는 장치의 구성도.1 is a block diagram of a device used in the method for producing a fine conductive pattern according to an embodiment of the present invention.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법에 사용되는 투명기판 및 수용기판을 나타내는 상세도.Figure 2 is a detailed view showing a transparent substrate and a receiving substrate used in the method for producing a fine conductive pattern according to an embodiment of the present invention.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법을 나타내는 공정도.3 is a process chart showing a method of manufacturing a fine conductive pattern according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 전도성 패턴의 제조방법에 사용되는 레이저 유도 증착을 나타내는 개념도.4 is a conceptual diagram showing laser induced deposition used in the method for producing a fine conductive pattern according to an embodiment of the present invention.
도 5 내지 도 10은 본 발명에 따른 실시예와 비교예를 나타내는 도면. 5 to 10 show examples and comparative examples according to the present invention.
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Cited By (4)
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CN106825915A (en) * | 2017-03-28 | 2017-06-13 | 北京印刷学院 | The pulse laser induced system and method that transfer prepares pattern metal thin layer forward |
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KR102448626B1 (en) * | 2021-06-25 | 2022-09-28 | 박홍진 | Method of printing wiring and apparatus for printing wiring |
Family Cites Families (1)
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US5292559A (en) | 1992-01-10 | 1994-03-08 | Amp Incorporated | Laser transfer process |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015147854A1 (en) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Intel Corporation | Method and process for emib chip interconnections |
TWI677069B (en) * | 2014-03-28 | 2019-11-11 | 英特爾公司 | Method and process for emib chip interconnections |
CN106825915A (en) * | 2017-03-28 | 2017-06-13 | 北京印刷学院 | The pulse laser induced system and method that transfer prepares pattern metal thin layer forward |
KR20210084728A (en) * | 2019-12-27 | 2021-07-08 | 박홍진 | Method of printing wiring and apparatus for printing wiring |
KR102448626B1 (en) * | 2021-06-25 | 2022-09-28 | 박홍진 | Method of printing wiring and apparatus for printing wiring |
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