KR20100115144A - Organic transistor and manufacturing method thereof - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 63
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 abstract 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- -1 poly (p-phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 5
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 4-n-naphthalen-1-yl-1-n,1-n-bis[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 CRHRWHRNQKPUPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/30—Organic light-emitting transistors
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- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/481—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/80—Constructional details
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Abstract
Description
본 발명은 유기트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 정공주입층 및 전자주입층을 추가로 형성하고, 게이트 및 캐소드 전극 간의 채널길이를 고정시켜, 정공 및 전자가 주입되는 양에 따라 상기 게이트 및 캐소드 전극의 폭을 조절함으로써, 발광위치를 조정하고 고효율의 발광을 할 수 있는 유기트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic transistor and a method for manufacturing the same, further comprising a hole injection layer and an electron injection layer, and fixing the channel length between the gate and the cathode electrode, depending on the amount of holes and electrons injected, The present invention relates to an organic transistor capable of adjusting the light emitting position and emitting light with high efficiency by adjusting the width of the electrode, and a method of manufacturing the same.
21세기 정보통신 기술이 발달함에 따라 통신기기, 특히 개인 휴대용 통신기기는 작고, 가볍고, 얇으면서도 보다 높은 사용자 편의성이 요구되고 있다. 이러한 통신 기기를 가능하게 하기 위하여 초미세 가공, 초고집적회로를 제작할 수 있는 고성능 전기전자재료, 신개념의 디스플레이를 가능하도록 하는 새로운 전자통신 부품이 요구되고 있다. With the development of telecommunication technology in the 21st century, communication devices, especially personal portable communication devices, are required to be smaller, lighter, thinner and higher in user convenience. In order to enable such a communication device, there is a need for a new electronic communication component that enables ultra-fine processing, a high-performance electric and electronic material capable of manufacturing an ultra-high integrated circuit, and a new concept display.
그 중에서도, 유기 반도체를 이용한 유기트랜지스터(Organic Transistor)는 휴대용 컴퓨터, 유기EL 소자, 스마트카드, 전자 태그, 호출기, 휴대폰 등과 같은 디스플레이 장치로 사용될 수 있다. 또한 상기 유기트랜지스터는 현금인출기 내부의 메모리 소자 등의 플라스틱 회로부의 능동소자로서 사용될 수 있어, 많은 연구의 대상이 되고 있다.Among them, an organic transistor using an organic semiconductor may be used as a display device such as a portable computer, an organic EL device, a smart card, an electronic tag, a pager, a mobile phone, or the like. In addition, the organic transistor can be used as an active element of a plastic circuit portion, such as a memory element inside the ATM, has been the subject of many studies.
이러한 유기트랜지스터는 지금까지의 비정질 실리콘 및 폴리실리콘을 이용한 박막 트랜지스터에 비하여 제조 공정이 간단하고, 저비용으로 생산할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 특히, 유기물의 특성상 휨(구부러짐)이 가능하여 플렉시블(flexible) 디스플레이나, 전자소자의 구현을 위한 플라스틱 기판들과도 호환성이 뛰어나다.Such an organic transistor has an advantage that the manufacturing process is simple and can be produced at low cost compared to the thin film transistors using amorphous silicon and polysilicon. In particular, due to the nature of the organic material can be bent (bent) is excellent compatibility with flexible (flexible) display, or plastic substrates for the implementation of electronic devices.
하지만 이러한 유기트랜지스터는 전하의 이동도(Mobility)가 낮아, 이에 따른 상기 유기트랜지스터의 성능이 떨어지는 문제점이 발생했다. However, such an organic transistor has a low mobility of charge, and thus, the performance of the organic transistor is deteriorated.
본 발명은 이러한 문제점에 의해 제안된 것으로, 정공주입층 및 전자주입층을 추가로 형성하고, 게이트 및 캐소드 전극 간의 채널길이를 고정시켜 정공 및 전자가 주입되는 양에 따라, 상기 게이트 및 캐소드 전극의 폭을 조절함으로써, 발광위치를 조정하고 고효율의 발광을 할 수 있는 유기트랜지스터 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. The present invention has been proposed by such a problem, and further includes forming a hole injection layer and an electron injection layer, fixing the channel length between the gate and the cathode electrode, according to the amount of holes and electrons to be injected, It is an object of the present invention to provide an organic transistor capable of adjusting the light emitting position and emitting light with high efficiency and a method of manufacturing the same.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 의한 유기트랜지스터는 기판 상에 일정한 간격을 두고 이격 형성되는 소스 및 드레인 전극과; 상기 소스 및 드레인 전극 상에 형성되는 정공주입층과; 상기 정공주입층 상부에 형성되는 유기박막층과; 상기 유기박막층 상부에 형성되는 전자주입층과; 상기 전자주입층 상부에 일정한 간격을 두고 이격 형성되는 게이트 및 캐소드 전극;을 포함하되, 상기 게이트 및 캐소드 전극의 폭은 상기 정공주입층 및 전자주입층에 주입되는 정공 및 전자의 양에 따라 조절된다. In order to achieve the above object, the organic transistor according to the present invention comprises a source and drain electrode spaced apart at regular intervals on the substrate; A hole injection layer formed on the source and drain electrodes; An organic thin film layer formed on the hole injection layer; An electron injection layer formed on the organic thin film layer; And gate and cathode electrodes spaced apart from each other at regular intervals on the electron injection layer, wherein the widths of the gate and cathode electrodes are adjusted according to the amount of holes and electrons injected into the hole injection layer and the electron injection layer. .
특히 상기 게이트 및 캐소드 전극의 폭은 10nm 내지 8mm 일 수 있다.In particular, the width of the gate and cathode electrodes may be 10nm to 8mm.
특히 상기 정공주입층은 100nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. In particular, the hole injection layer may be formed to a thickness of less than 100nm.
특히 상기 전자주입층은 0.1 내지 50nm의 두께로 형성될 수 있다. In particular, the electron injection layer may be formed to a thickness of 0.1 to 50nm.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 의한 유기트랜지스터의 제조방법은 기판 상에 소스 및 드레인 전극이 형성되는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극 상부에 정공이 주입되는 정공주입층이 형성되는 단계와; 상기 정공주입층 상부에 유기박막층이 형성되는 단계와; 상기 유기박막층 상부에 전자가 주입되는 전자주입층이 형성되는 단계와; 상기 전자주입층 상부에 게이트 및 캐소드 전극이 형성되되, 상기 게이트 및 캐소드 전극의 폭이 상기 정공 및 전자가 주입되는 양에 따라 조절되는 단계를 포함할 수 있다.In order to achieve the above object, the method of manufacturing an organic transistor according to the present invention comprises the steps of forming a source and a drain electrode on the substrate; Forming a hole injection layer in which holes are injected above the source and drain electrodes; Forming an organic thin film layer on the hole injection layer; Forming an electron injection layer injecting electrons on the organic thin film layer; A gate and a cathode are formed on the electron injection layer, and the width of the gate and the cathode may be adjusted according to the amount of holes and electrons injected.
상술한 바와 같이, 주입되는 정공 및 전자의 양에 따라, 게이트 및 캐소드 전극의 폭을 조절함으로써, 발광위치를 조정할 수 있고, 고효율의 발광을 할 수 있으며, 유기물을 기본으로 하는 소자이므로 무기물에 비해 수십 나노미터의 두께를 가지게 되어 경량의 유기트랜지스터를 제조할 수 있는 효과가 있다. As described above, by adjusting the width of the gate and cathode electrodes according to the amount of holes and electrons to be injected, the light emitting position can be adjusted, the light emitting can be performed with high efficiency, and the organic material is an element. Having a thickness of several tens of nanometers has the effect of manufacturing a lightweight organic transistor.
또한 유기발광다이오드 유닛 (Unit)과 유기트랜지스터 유닛이 합쳐진 것으로 기존 유기발광다이오드가 가지는 정공 및 전자 이동층이 없어 구조를 보다 단순화시킬 수 있다. In addition, the organic light emitting diode unit and the organic transistor unit are combined, so there is no hole and electron transport layer of the existing organic light emitting diode, thereby simplifying the structure.
본 발명에 따른 유기트랜지스터 및 그의 제조방법에 대한 예는 다양하게 적용될 수 있으며, 이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시 예에 대해 설명하기로 한다.Examples of an organic transistor and a method of manufacturing the same according to the present invention can be variously applied, and hereinafter, preferred embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기트랜지스터의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of an organic transistor according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 유기트랜지스터는 기판(10) 상부에 형성된 소스(20b) 및 드레인(20a) 전극과, 상기 소스(20b) 및 드레인(20a) 전극 상부에 형성된 정공주입층(30)과, 상기 정공주입층(30) 상부에 형성된 유기박막층(40)을 포함한다. 또한 상기 유기박막층(40) 상부에 형성된 전자주입층(50)과, 상기 전자주입층(50) 상부에 형성된 게이트(60a) 및 캐소드(60b) 전극을 포함한다. As shown in FIG. 1, the organic transistor of the present invention includes a
보다 상세히 살펴보면, 기판(10) 상부에 소정의 패턴으로 형성된 소스(20b) 및 드레인(20a) 전극이 적층된다. 이러한, 상기 기판(10)은 유리, 금속, 플라스틱, 세라믹, 실리콘 등과 같은 투명한 기판을 사용하는 것이 바람직하다.In more detail, the
이와 같이, 상기 기판(10) 상부에 형성되는 소스(20b) 및 드레인(20a)은 포토 리소그래피(Photo Lithography) 공정을 통해 소정의 패턴이 형성된다. As such, a predetermined pattern is formed on the
이러한 상기 소스(20b) 및 드레인(20a) 전극은 투명전극(Transparent Conducting Oxide, TCO)이 사용되며, 상기 투명전극(TCO) 외에도 인듐주석산화물(Indium-in-oxide, ITO), 알루미늄아연산화물(Al-doped zinc oxide, AZO) 및 아연인듐산화물(Zn-doped indium oxide, IZO) 등이 사용되는 것이 바람직하다. The source (20b) and drain (20a) electrode is a transparent electrode (Transparent Conducting Oxide, TCO) is used, in addition to the transparent electrode (TCO) Indium-in-oxide (ITO), aluminum zinc oxide ( Al-doped zinc oxide (AZO) and Zn-doped indium oxide (IZO) and the like are preferably used.
상기 소스(20b) 및 드레인(20a) 전극 상부에 정공주입층(30: Hole Injection layer)이 형성된다. 이 때, 정공주입층(30)은 100nm 이하의 두께임이 바람직하다. A
이러한 상기 정공주입층(30)은 CuPc (copper phthalocyanine), TCTA, p-DPA-TDAB, m-MTDAPB, 1-TNATA, 2-TNATA, PEDOT:PSS (polyethylenedioxythiophene:polystyrenesulfonate)로 구성됨이 바람직하다. The
상기 정공주입층(30) 상부에 유기박막층(40)이 형성된다. 이 때, 상기 유기박막층(40)은 폴리페닐린바이닐린(Poly(p-phenylenevinylene)) 및 그 유도체, 폴리페닐린(poly(p-phenylene)) 및 그 유도체, 폴리플루오린(Polyfluorene) 및 그 유도체, 폴리다이옥틀리플루오린(Poly(9,9-dioctlyfluorene)) 및 그 유도체, 폴리알킬씨오펜(polyalkylthiophene) 유도체 등으로 구성됨이 바람직하다. The organic thin film layer 40 is formed on the
상기 유기박막층(40) 상부에 전자주입층(50: Electron Injection Layer)이 형성된다. 상기 전자 주입층(50)은 유전체형인 리튬 플루오르화물(lithium fluoride, LiF) 및 전도체형인 리튬(lithium), 바륨(barium), 칼슘(Calcium), 세슘(Cesium) 등으로 구성됨이 바람직하며, 소자 구조에 따라 유전체형일 경우 0.1 내지 1.5 nm, 전도체형일 경우 0.1 내지 50nm의 두께로 형성될 수 있다.An
상기 전자주입층(50) 상부에 게이트(60a) 및 캐소드(60b) 전극이 형성된다. 이러한 상기 게이트(60a) 및 캐소드(60b) 전극은 Al, Ag, Au, Cu, Pt, Cs, Li, Ba, Ca 등과 같은 금속전극이 사용될 수 있다. 이러한 상기 게이트(60a) 및 캐소드(60b) 전극은 그 폭이 상기 정공주입층(30) 및 전자주입층(50)에 주입되는 정공(Hole) 및 전자(Electron)의 양에 따라 조절된다. A
이 때, 상기 게이트(60a) 및 캐소드(60b) 전극의 폭은 10nm 내지 8mm임이 바람직하다. 이와 더불어, 상기 게이트(60a) 및 캐소드(60b) 전극 간의 채널길이(Channel Length)는 고정됨이 바람직하다. At this time, the width of the gate (60a) and the cathode (60b) electrode is preferably 10nm to 8mm. In addition, the channel length between the
상기 게이트 및 캐소드 전극 간의 폭과 채널길이에 대하여 도 2를 참조하여 보다 자세히 설명하도록 한다. A width and a channel length between the gate and cathode electrodes will be described in more detail with reference to FIG. 2.
도 2는 도 1의 유기트랜지스터의 평면도이다. FIG. 2 is a plan view of the organic transistor of FIG. 1.
도 2에 도시된 바와 같이, 전자주입층(50) 상부에 형성된 게이트 전극(60a)과 캐소드 전극(60b) 사이의 채널길이(CL)는 일정하게 고정시키고, 상기 게이트 전극(60a)의 폭(WL_1)과 상기 캐소드 전극(60b)의 폭(WL_2)을 조절한다. 이 때, 상기 게이트 전극과 캐소드 전극 사이의 채널길이는 20㎛ 내지 50㎛ 사이인 것이 바람직하다. As shown in FIG. 2, the channel length CL between the
상술한 바와 같이 조절되는 상기 게이트 전극(60a)과 상기 캐소드 전극(60b) 의 각각의 폭(WL_1, WL_2)은 앞서 도 1에서 도시된 정공주입층(30)과 전자주입층(50)에 각각 주입되는 정공 및 전자의 양에 따라 조절됨이 바람직하다.The widths WL_1 and WL_2 of the
예를 들면, 상기 정공주입층 및 전자주입층으로 주입되는 정공 및 전자의 양이 많으면, 상기 게이트 전극과 캐소드 전극의 폭을 넓게 형성하고, 주입되는 정공 및 전자의 양이 적으면, 상기 게이트 전극과 캐소드 전극의 폭을 좁게 형성한다. 이러한 상기 게이트 전극 및 캐소드 전극의 폭은 10nm 내지 8mm 로 형성하는 것이 바람직하다. For example, when the amount of holes and electrons injected into the hole injection layer and the electron injection layer is large, the width of the gate electrode and the cathode electrode is widened, and when the amount of holes and electrons injected is small, the gate electrode And narrow the width of the cathode electrode. The width of the gate electrode and the cathode electrode is preferably formed to 10nm to 8mm.
이하 도 3을 참조하여, 본 발명의 유기트랜지스터의 제조방법에 대하여 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of manufacturing the organic transistor of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3.
도 3에 도시된 바와 같이, 유기트랜지스터의 제조방법은 먼저 투명전극을 포함한 기판 상에 포토 리소그래피 공정을 통해 소스 및 드레인 전극을 패터닝한다. 이와 같이 형성된 소스 및 드레인 전극을 일정한 크기로 자른 후 세척한다. 이 때, 상기 기판은 아세톤(Acetone), 이소프로필알코올(IPA:Isopropylene Alcohol)에 담가 30 내지 60분 동안 소니케이션(sonication)을 통해 세척된다.As shown in FIG. 3, in the method of manufacturing the organic transistor, first, the source and drain electrodes are patterned through a photolithography process on a substrate including a transparent electrode. The source and drain electrodes thus formed are cut to a predetermined size and washed. At this time, the substrate is immersed in acetone (Icepropylene), isopropyl alcohol (IPA: Isopropylene Alcohol) and cleaned by sonication (sonication) for 30 to 60 minutes.
상기 소스 및 드레인 전극 상부에 정공주입층이 형성된다(230). 이러한 상기 정공주입층은 유기트랜지스터의 전하이동도를 높이기 위해 정공이 주입되는 층으로, 100nm 이하의 두께로 형성됨이 바람직하다. 이 때, 상기 정공주입층은 스핀코팅(Spin-Coating)과정을 통해 형성되고, 이후 열을 인가하여 상기 정공주입층 박막을 형성한다.A hole injection layer is formed on the source and drain electrodes (230). The hole injection layer is a layer in which holes are injected to increase charge mobility of the organic transistor, and is preferably formed to a thickness of 100 nm or less. In this case, the hole injection layer is formed through a spin-coating process, and then heat is applied to form the hole injection layer thin film.
이와 같이 형성된 상기 정공주입층 상부에 유기박막층이 스핀코팅과정을 통 해 형성된다(S250). 상기 유기박막층은 정공 및 전하가 이동 및 재결합(recombination)을 통해 발광하는 층으로써, 폴리페닐린바이닐린(Poly(p-phenylenevinylene)) 및 그 유도체, 폴리페닐린(poly(p-phenylene)) 및 그 유도체, 폴리플루오린(Polyfluorene) 및 그 유도체, 폴리다이옥틀리플루오린(Poly(9,9-dioctlyfluorene)) 및 그 유도체, 폴리알킬씨오펜(polyalkylthiophene) 유도체 등을 이용하여 형성됨이 바람직하다. The organic thin film layer is formed through the spin coating process on the hole injection layer formed as described above (S250). The organic thin film layer is a layer in which holes and charges emit light through transfer and recombination, and includes poly (p-phenylenevinylene) and derivatives thereof, poly (p-phenylene) and It is preferably formed using the derivative, polyfluorene and derivatives thereof, poly (9,9-dioctlyfluorene) and derivatives thereof, polyalkylthiophene derivatives and the like.
이어서, 상기 유기박막층 상부에 전자주입층이 형성된다(S270). 상기 전자주입층은 유기트랜지스터의 전하이동도를 높이기 위해 전자가 주입되는 층으로, 유전체형인 리튬 플루오르화물(lithium fluoride, LiF) 및 전도체형인 리튬(lithium), 바륨(barium), 칼슘(Calcium), 세슘(Cesium) 등으로 구성됨이 바람직하며, 소자 구조에 따라 유전체형일 경우 0.1 내지 1.5 nm, 전도체형일 경우 0.1 내지 50nm의 두께로 형성될 수 있다. 이러한 상기 전자주입층은 진공증착을 통해 형성된다.Subsequently, an electron injection layer is formed on the organic thin film layer (S270). The electron injection layer is a layer in which electrons are injected to increase charge mobility of the organic transistor, and lithium fluoride (LiF), which is a dielectric type, and lithium, barium, calcium, and Calcium, which are conductor types, are used. It is preferably composed of cesium (Cesium), and may be formed in a thickness of 0.1 to 1.5 nm in the case of a dielectric type, 0.1 to 50 nm in the case of a conductor type according to the device structure. The electron injection layer is formed through vacuum deposition.
상기 전자주입층 상부에 게이트 및 캐소드 전극이 형성된다(S290). 이러한 상기 게이트 및 캐소드 전극의 형성 시, 상기 게이트 전극과 캐소드 전극 간의 채널길이가 고정된다. 이 때, 상기 게이트 전극과 캐소드 전극 사이의 채널길이는 20㎛ 내지 50㎛ 로 고정됨이 바람직하다. Gate and cathode electrodes are formed on the electron injection layer (S290). In forming the gate and cathode electrodes, the channel length between the gate electrode and the cathode electrode is fixed. At this time, the channel length between the gate electrode and the cathode electrode is preferably fixed to 20㎛ to 50㎛.
또한 앞서 형성한 상기 정공주입층과 전자주입층에 주입된 정공 및 전자의 주입량에 따라, 상기 게이트 전극과 캐소드 전극 간의 폭을 조절하여 상기 게이트 및 캐소드 전극이 형성됨이 바람직하다. In addition, the gate and cathode electrodes may be formed by adjusting a width between the gate electrode and the cathode electrode according to the injection amounts of holes and electrons injected into the hole injection layer and the electron injection layer formed above.
예를 들면, 상기 정공주입층 및 전자주입층으로 주입되는 정공 및 전자의 양 이 많으면, 상기 게이트 전극과 캐소드 전극의 폭을 넓게 형성하고, 주입되는 정공 및 전자의 양이 적으면, 상기 게이트 전극과 캐소드 전극의 폭을 좁게 형성한다. 이러한 상기 게이트 전극 및 캐소드 전극의 폭은 10nm 내지 8mm 로 형성하는 것이 바람직하다. For example, when the amount of holes and electrons injected into the hole injection layer and the electron injection layer is large, the width of the gate electrode and the cathode electrode is widened, and when the amount of holes and electrons injected is small, the gate electrode And narrow the width of the cathode electrode. The width of the gate electrode and the cathode electrode is preferably formed to 10nm to 8mm.
결국 상기 게이트 전극 및 캐소드 전극의 폭 조절을 통해 전하이동도를 증가시킬 수 있으므로, 유기트랜지스터가 포함하는 층 두께를 줄일 수 있고, 이에 따라, 경량의 유기트랜지스터를 제조할 수 있는 효과가 있다. As a result, since the charge mobility can be increased by controlling the width of the gate electrode and the cathode electrode, the layer thickness included in the organic transistor can be reduced, thereby making it possible to manufacture a lightweight organic transistor.
또한 상술한 바와 같이, 전하 이동도를 증가시킴으로써, 유기트랜지스터의 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, as described above, by increasing the charge mobility, there is an effect that can improve the performance of the organic transistor.
이와 더불어, 종래에는 정공에 비해 전자의 이동도가 낮아 드레인 전극 근처에서 발광작용이 발생하나, 상술한 것처럼, 게이트 및 캐소드 전극의 폭을 조절함으로써, 발광작용이 상기 드레인 전극에서 떨어지도록 하여, 발광위치를 조절할 수 있는 효과가 있다. In addition, the light emitting action occurs in the vicinity of the drain electrode in the conventional electron mobility is lower than the hole, but, as described above, by adjusting the width of the gate and cathode electrodes, the light emitting action falls from the drain electrode, There is an effect to adjust the position.
이상 본 발명에 의한 유기트랜지스터 및 그의 제조방법에 대하여 설명하였다. 이러한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. The organic transistor and the method of manufacturing the same according to the present invention have been described above. Such technical configuration of the present invention can be understood by those skilled in the art that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention.
그러므로 이상에서 기술한 실시 예는 모든 면에서 예시적인 것이며, 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. Therefore, the embodiments described above are intended to be illustrative in all respects and not to be considered as limiting, and the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the foregoing description, and the meanings of the claims and All changes or modifications derived from the scope and the equivalent concept should be construed as being included in the scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기트랜지스터의 단면도이고,1 is a cross-sectional view of an organic transistor according to an embodiment of the present invention,
도 2는 도 1의 유기트랜지스터의 평면도이고,2 is a plan view of the organic transistor of FIG.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기트랜지스터의 제조방법을 나타낸 블록도이다. 3 is a block diagram illustrating a method of manufacturing an organic transistor according to an embodiment of the present invention.
***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***
10: 기판 20a: 드레인전극10:
20b: 소스전극 30: 정공주입층20b: source electrode 30: hole injection layer
40: 유기박막층 50: 전자주입층40: organic thin film layer 50: electron injection layer
60a: 게이트전극 60b: 캐소드 전극 60a:
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090033736A KR101315560B1 (en) | 2009-04-17 | 2009-04-17 | Organic transistor and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090033736A KR101315560B1 (en) | 2009-04-17 | 2009-04-17 | Organic transistor and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100115144A true KR20100115144A (en) | 2010-10-27 |
| KR101315560B1 KR101315560B1 (en) | 2013-10-08 |
Family
ID=43134110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090033736A KR101315560B1 (en) | 2009-04-17 | 2009-04-17 | Organic transistor and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101315560B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9406909B2 (en) | 2012-10-30 | 2016-08-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting transistor and display device including the same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4366039B2 (en) | 2002-02-04 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | Organic semiconductor device and manufacturing method thereof |
| TW554525B (en) | 2002-08-28 | 2003-09-21 | Ind Tech Res Inst | Organic integration device of thin film transistor and light emitting diode |
| KR101373491B1 (en) * | 2007-02-12 | 2014-03-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Electroluminescence Display Device and Method of Fabricating the Same |
| KR100869646B1 (en) * | 2007-07-27 | 2008-11-21 | 경북대학교 산학협력단 | Active matrix organic light-emitting displays having organic thin film transistors and method of the same |
-
2009
- 2009-04-17 KR KR1020090033736A patent/KR101315560B1/en active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9406909B2 (en) | 2012-10-30 | 2016-08-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting transistor and display device including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101315560B1 (en) | 2013-10-08 |
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| J301 | Trial decision |
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|
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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|
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