KR20100099049A - Wafer processing method and wafer processing apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A wafer processing method and a wafer processing apparatus are provided to form an adhesive thin film into a constant thickness on the rear side of a wafer by applying centrifugal force with respect to the thin film. CONSTITUTION: A sustaining table unit(3) includes a sustaining table for sustaining a wafer. The sustaining table unit includes a transferring base table(31) which is movable along a pair of guiding rails(41). The sustaining table and a servomotor(35) are arranged on a sustaining table supporter(32). A screen printing unit(5) is arranged in an adhesive coating region(3A). An adhesive hardening unit(6) is arranged in an adhesive hardening region(3B).

Description

웨이퍼 처리 방법 및 웨이퍼 처리 장치{WAFER PROCESSING METHOD AND WAFER PROCESSING APPARATUS}Wafer processing method and wafer processing apparatus {WAFER PROCESSING METHOD AND WAFER PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 표면에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하는 웨이퍼 처리 방법 및 그 처리 방법을 실시하기 위한 웨이퍼 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing method for forming an adhesive film for die bonding on the back surface of a wafer on which a plurality of devices are formed on the surface, and a wafer processing apparatus for carrying out the processing method.

예컨대, 반도체 디바이스 제조 공정에서는, 대략 원판 형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 형성된 스트리트(분할 예정 라인)에 의해 구획된 복수의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성하고, 상기 디바이스가 형성된 각 영역을 스트리트를 따라 분할함으로써 각각의 디바이스를 제조하고 있다. 반도체 웨이퍼를 분할하는 분할 장치로서는 일반적으로 다이싱 장치라고 불리는 절삭 장치가 이용되고 있고, 이 절삭 장치는 두께가 수십 ㎛인 절삭 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼를 스트리트를 따라 절삭한다. 이와 같이 하여 분할된 디바이스는 패키징되어 휴대 전화나 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 널리 이용되고 있다.For example, in the semiconductor device manufacturing process, devices such as IC and LSI are formed in a plurality of regions partitioned by streets (divisional lines to be divided) formed in a lattice shape on the surface of a substantially disk-shaped semiconductor wafer, and the devices are formed. Each device is manufactured by dividing an area along a street. Generally as a dividing apparatus for dividing a semiconductor wafer, a cutting apparatus called a dicing apparatus is used, which cuts the semiconductor wafer along the street by a cutting blade having a thickness of several tens of micrometers. The device divided in this way is packaged and is widely used for electric appliances, such as a mobile telephone and a personal computer.

각각 분할된 디바이스는, 그 이면에 에폭시 수지 등으로 형성된 두께 70 ㎛∼80 ㎛의 다이아 터치 필름이라고 하는 다이 본딩용의 접착 필름이 장착되며, 이 접착 필름을 통해 디바이스를 지지하는 다이 본딩 프레임에 가열에 의해 본딩된다. 디바이스의 이면에 다이 본딩용의 접착 필름을 장착하는 방법으로서는, 반도체 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 부착하고, 이 접착 필름을 통해 반도체 웨이퍼를 다이싱 테이프에 부착한 후, 반도체 웨이퍼의 표면에 형성된 스트리트를 따라 절삭 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼와 함께 접착 필름을 절단함으로써, 이면에 접착 필름이 장착된 디바이스를 형성하고 있다.Each of the divided devices is equipped with an adhesive film for die bonding called a diamond touch film having a thickness of 70 µm to 80 µm formed of an epoxy resin or the like on the back surface thereof, and is heated to a die bonding frame that supports the device through the adhesive film. Bonded by. As a method of attaching the adhesive film for die bonding to the back surface of the device, an adhesive film is attached to the back surface of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is attached to the dicing tape through the adhesive film, and then the street formed on the surface of the semiconductor wafer. By cutting the adhesive film together with the semiconductor wafer by the cutting blade along, the device with the adhesive film attached to the back surface is formed.

최근, 휴대 전화나 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기는 보다 경량화, 소형화가 요구되고 있어, 보다 얇은 디바이스가 요구되고 있고, 디바이스를 다이 본딩 프레임에 접합하는 다이 본딩용의 접착 필름도 얇게 하는 것이 요구되고 있다. 그런데, 다이 본딩용의 접착 필름을 얇게 형성하는 데에는 기술적으로 한계가 있다.In recent years, electric devices such as mobile phones and personal computers are required to be lighter in weight and smaller in size, and thinner devices are required, and thinner adhesive films for die bonding to bond the devices to die bonding frames are also required. . However, there is a technical limitation in forming a thin adhesive film for die bonding.

전술한 요구에 대응하기 위해, 이면이 연삭되어 미리 정해진 두께로 형성된 웨이퍼의 이면에, 다이 본딩용의 접착제를 스핀 코트 또는 스크린 인쇄에 의해 도포하는 웨이퍼 처리 방법이 제안되어 있다.(예컨대, 특허문헌 1 참조)In order to respond to the above-mentioned demands, a wafer processing method is proposed in which an adhesive for die bonding is applied by spin coating or screen printing onto the back surface of a wafer having a back surface ground to a predetermined thickness. 1)

일본 특허 공개 평성 제8-66653호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-66653

그리고 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제를 스핀 코트에 의해 도포하는 방법은, 스피너 테이블(spinner table)에 유지된 웨이퍼의 중심 영역에 다이 본딩용의 액상 접착제를 적하하고, 스피너 테이블을 3000 rpm∼4000 rpm의 회전 속도로 회전시킴으로써, 접착제를 원심력에 의해 웨이퍼의 전면에 유동시켜 피복하는 방법이기 때문에, 적하된 접착제의 90％ 이상이 비산하여 폐기되어 비경제적이라고 하는 문제가 있다.And the method of apply | coating the die bonding adhesive by spin coating to the back surface of a wafer is dripped the liquid adhesive for die bonding to the center area | region of the wafer hold | maintained at the spinner table, and spinner table is 3000 rpm- Since the adhesive is flowed and coated on the entire surface of the wafer by centrifugal force by rotating at a rotational speed of 4000 rpm, there is a problem that 90% or more of the dropped adhesive is scattered and discarded, which is uneconomical.

한편, 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 액상 접착제를 스크린 인쇄에 의해 도포하는 방법에 따르면, 접착제의 비산은 없지만, 웨이퍼의 이면에 도포된 접착제는 중심부가 부풀어 올라 두께가 불균일하게 된다고 하는 문제가 있다.On the other hand, according to the method of applying the die-bonding liquid adhesive for screen bonding by screen printing, there is no scattering of the adhesive, but the adhesive applied to the back surface of the wafer has a problem that the center portion swells and the thickness becomes uneven. .

본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는, 웨이퍼의 이면에 두께가 균일한 다이 본딩용의 접착제 피막을 경제적으로 형성할 수 있는 웨이퍼 처리 방법 및 웨이퍼 처리 장치를 제공하는 것에 있다.This invention is made | formed in view of the said fact, The main technical subject is providing the wafer processing method and wafer processing apparatus which can economically form the adhesive film for die bonding with a uniform thickness on the back surface of a wafer. .

상기 주된 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 표면에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하는 웨이퍼 처리 방법으로서,In order to solve the said main technical subject, according to this invention, as a wafer processing method which forms the adhesive film for die bonding on the back surface of the wafer in which the some device was formed in the surface,

회전 가능한 유지 테이블에 이면을 상측으로 하여 유지된 웨이퍼의 이면에 점도가 5000 cps∼10000 cps인 다이 본딩용의 액상 접착제를 스크린 인쇄에 의해 도포함으로써 웨이퍼의 이면에 접착제 피막을 피복하는 접착제 도포 공정과,An adhesive application step of coating an adhesive film on the back surface of the wafer by applying, by screen printing, a liquid adhesive for die bonding having a viscosity of 5000 cps to 10,000 cps to the back surface of the wafer held on the rotatable holding table with the back surface as an upper side; ,

상기 접착제 도포 공정을 실시한 후, 유지 테이블을 700 rpm∼1000 rpm의 회전 속도로 회전시키고, 웨이퍼의 이면에 피복된 접착제 피막에 원심력을 작용시켜 접착제 피막을 평준화함으로써, 웨이퍼의 이면에 두께가 균일한 접착제 피막을 형성하는 접착제 평준화 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법이 제공된다.After carrying out the adhesive coating step, the holding table is rotated at a rotational speed of 700 rpm to 1000 rpm, and centrifugal force is applied to the adhesive film coated on the back surface of the wafer to level the adhesive film, whereby the thickness of the back surface of the wafer is uniform. A wafer processing method is provided, including an adhesive leveling step of forming an adhesive film.

상기 접착제 평준화 공정에서는, 유지 테이블을 10초∼20초간 회전시킨다.In the adhesive leveling process, the holding table is rotated for 10 seconds to 20 seconds.

상기 접착제 평준화 공정을 실시한 후에, 웨이퍼의 이면에 피복된 접착제 피막을 경화시키는 접착제 피막 경화 공정을 실시한다.After performing the said adhesive leveling process, the adhesive film hardening process which hardens the adhesive film coated on the back surface of a wafer is performed.

또한, 본 발명에 따르면, 표면에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하는 웨이퍼 처리 장치로서,Moreover, according to this invention, as a wafer processing apparatus which forms the adhesive film for die bonding on the back surface of the wafer in which the some device was formed in the surface,

웨이퍼를 유지하는 유지면을 가지며 회전 가능하게 구성된 유지 테이블과, 상기 유지 테이블을 회전시키는 회전 구동 수단과, 상기 유지 테이블의 유지면에 유지된 웨이퍼의 상면에 다이 본딩용의 액상 접착제를 스크린 인쇄에 의해 도포함으로써 웨이퍼의 이면에 접착제 피막을 피복하는 스크린 인쇄 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치가 제공된다.A screen holding a liquid adhesive for die bonding on a top surface of a wafer held on a holding surface of the holding table, a holding table configured to be rotatable and having a holding surface for holding a wafer, and a rotating drive means for rotating the holding table. There is provided a wafer processing apparatus comprising screen printing means for coating the adhesive film on the back surface of the wafer by coating by means of a coating.

상기 웨이퍼 처리 장치는, 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 상면과 스크린 인쇄 수단의 스크린의 하면 사이의 간극을 미리 정해진 값으로 조정하기 위한 간극 조정 수단을 구비하고 있다.The wafer processing apparatus is provided with gap adjusting means for adjusting the gap between the upper surface of the wafer held on the holding table and the lower surface of the screen of the screen printing means to a predetermined value.

또한, 상기 웨이퍼 처리 장치는, 스크린 인쇄 수단이 위치하는 접착제 도포 영역과 미리 정해진 간격을 두고 마련된 접착제 피막 경화 영역에 배치되는 유지 테이블의 유지면에 유지된 웨이퍼의 상면에 피복된 접착제 피막을 경화시키는 접착제 피막 경화 수단과, 유지 테이블을 접착제 도포 영역과 접착제 경화 영역에 선택적으로 위치 결정하는 유지 테이블 위치 결정 수단을 구비하고 있다.In addition, the wafer processing apparatus cures the adhesive film coated on the upper surface of the wafer held on the holding surface of the holding table disposed in the adhesive film curing region provided at a predetermined interval from the adhesive coating region where the screen printing means is located. The adhesive film hardening means and the holding table positioning means which selectively position a holding table in an adhesive bond application area | region and an adhesive hardening area | region are provided.

본 발명에서는, 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 이면에 점도가 5000 cps∼10000 cps인 다이 본딩용의 액상 접착제를 스크린 인쇄에 의해 도포함으로써 웨이퍼의 이면에 접착제 피막을 피복한 후, 유지 테이블을 700 rpm∼1000 rpm의 회전 속도로 회전시키고, 웨이퍼의 이면에 피복된 접착제 피막에 원심력을 작용시켜 접착제 피막을 평준화함으로써, 웨이퍼의 이면에 두께가 균일한 접착제 피막을 형성하고 있기 때문에, 접착제의 비산이 없어, 웨이퍼의 이면에 두께가 균일한 다이 본딩용의 접착제 피막을 경제적으로 형성할 수 있다.In the present invention, after coating the adhesive film on the back side of the wafer by screen printing, a liquid adhesive for die bonding having a viscosity of 5000 cps to 10000 cps is applied to the back side of the wafer held on the holding table, and then the holding table is 700 rpm. By rotating at a rotational speed of ˜1000 rpm and applying the centrifugal force to the adhesive film coated on the back surface of the wafer to level the adhesive film, an adhesive film with a uniform thickness is formed on the back surface of the wafer, so that no adhesive scatters. The adhesive film for die bonding with a uniform thickness can be economically formed on the back surface of a wafer.

도 1은 본 발명에 따라 구성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하기 위한 웨이퍼 처리 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 웨이퍼 처리 장치의 주요부를 도시하는 사시도이다.
도 3은 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼를 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 방법에서의 웨이퍼 유지 공정 및 접착제 도포 간극 형성 공정의 설명도이다.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 방법에서의 접착제 도포 공정의 설명도이다.
도 6은 도 5에 도시하는 접착제 도포 공정이 실시되어 유지 테이블에 유지된 반도체 웨이퍼의 이면에 피복된 접착제 피막의 상태를 도시하는 설명도이다.
도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 방법에서의 접착제 평준화 공정의 설명도이다.
도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 방법에서의 접착제 경화 공정의 설명도이다.1 is a perspective view of a wafer processing apparatus for forming an adhesive film for die bonding on the back surface of a wafer constructed in accordance with the present invention.
It is a perspective view which shows the principal part of the wafer processing apparatus shown in FIG.
3 shows a semiconductor wafer as a wafer.
4 is an explanatory diagram of a wafer holding step and an adhesive coating gap forming step in the wafer processing method according to the present invention.
It is explanatory drawing of the adhesive agent application process in the wafer processing method which concerns on this invention.
It is explanatory drawing which shows the state of the adhesive film coat | covered on the back surface of the semiconductor wafer which the adhesive agent application process shown in FIG. 5 was implemented and hold | maintained on the holding table.
It is explanatory drawing of the adhesive leveling process in the wafer processing method which concerns on this invention.
It is explanatory drawing of the adhesive hardening process in the wafer processing method which concerns on this invention.

이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 방법 및 웨이퍼 처리 장치의 적합한 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of the wafer processing method and wafer processing apparatus which concern on this invention is described in detail with reference to an accompanying drawing.

도 1에는, 본 발명에 따라 구성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하기 위한 웨이퍼 처리 장치의 사시도가 도시되어 있다. 도시한 실시형태에서의 웨이퍼 처리 장치는, 정지 베이스 테이블(2)과, 후술하는 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블을 구비한 유지 테이블 기구(3)와, 상기 유지 테이블 기구(3)를 접착제 도포 영역(3A)과 접착제 경화 영역(3B)에 선택적으로 위치 결정하는 유지 테이블 위치 결정 수단(4)과, 접착제 도포 영역(3A)에 배치된 스크린 인쇄 수단(5)과, 접착제 경화 영역(3B)에 배치된 접착제 경화 수단(6)을 구비하고 있다. 1 is a perspective view of a wafer processing apparatus for forming an adhesive film for die bonding on the back surface of a wafer constructed in accordance with the present invention. The wafer processing apparatus in the illustrated embodiment includes a holding table mechanism 3 having a stationary base table 2, a holding table for holding a wafer to be described later, and the holding table mechanism 3 using an adhesive coating region ( It is arrange | positioned in the holding-table positioning means 4 which selectively positions in 3A) and the adhesive agent hardening area | region 3B, the screen printing means 5 arrange | positioned at the adhesive agent application area | region 3A, and the adhesive agent hardening area | region 3B. Adhesive curing means 6 is provided.

유지 테이블 기구(3)에 대해서, 도 2를 참조하여 설명한다. The holding table mechanism 3 is demonstrated with reference to FIG.

도시한 실시형태에서의 유지 테이블 기구(3)는, 후술하는 유지 테이블 위치 결정 수단(4)을 구성하는 1쌍의 안내 레일(41, 41)을 따라 이동 가능하게 배치된 이동 베이스 테이블(31)을 구비하고 있다. 이 이동 베이스 테이블(31)은, 그 하면에 상기 1쌍의 안내 레일(41, 41)과 결합하는 1쌍의 피안내홈(311, 311)이 마련되어 있고, 피안내홈(311, 311)이 1쌍의 안내 레일(41, 41)에 결합함으로써, 1쌍의 안내 레일(41, 41)을 따라 이동 가능하게 구성된다. 이동 베이스 테이블(31)의 상면에는, 유지 테이블 지지대(32)가 지지 수단(33)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하게 지지되어 있다. 지지 수단(33)은 도시한 실시형태에서는 4개의 에어 실린더(331)로 이루어져 있고, 유지 테이블 지지대(32)의 4코너를 이동 베이스 테이블(31) 상에 상하 방향으로 이동 가능하게 지지한다.The holding table mechanism 3 in the illustrated embodiment is a movable base table 31 arranged to be movable along a pair of guide rails 41 and 41 constituting the holding table positioning means 4 described later. Equipped with. The movable base table 31 is provided with a pair of guide grooves 311 and 311 engaged with the pair of guide rails 41 and 41 on its lower surface, and the guide grooves 311 and 311 are provided. By engaging with a pair of guide rails 41 and 41, it is comprised so that a movement along a pair of guide rails 41 and 41 is possible. The holding table support 32 is supported on the upper surface of the movement base table 31 by the support means 33 so that a movement to an up-down direction is possible. The support means 33 consists of four air cylinders 331 in embodiment shown, and supports the four corners of the holding table support 32 so that a movement to the up-down direction is possible on the movement base table 31.

상기 유지 테이블 지지대(32) 상에는, 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블(34) 및 상기 유지 테이블(34)을 회전시키는 회전 구동 수단으로서의 서보 모터(35)가 배치되어 있다. 유지 테이블(34)은 테이블 본체(341)와, 상기 테이블 본체(341)의 상면에 배치된 다공질 재료로 형성된 흡착 척(342)을 구비하고 있고, 흡착 척(342)이 도시하지 않는 흡인 수단에 연통되어 있다. 이와 같이 구성된 유지 테이블(34)은, 흡착 척(342)의 상면인 유지면 상에 웨이퍼를 배치하고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동시킴으로써, 흡착 척(342) 상에 웨이퍼를 흡인 유지한다. 서보 모터(35)는 유지 테이블 지지대(32) 상에 배치되고, 그 구동축(351)이 유지 테이블(34)의 테이블 본체(341)에 전동(傳動) 연결되어 있다.On the holding table support 32, a holding table 34 holding a wafer and a servo motor 35 as rotation driving means for rotating the holding table 34 are disposed. The holding table 34 includes a table main body 341 and an adsorption chuck 342 formed of a porous material disposed on an upper surface of the table main body 341, and the suction chuck 342 is provided to suction means (not shown). In communication. The holding table 34 configured as described above sucks and holds the wafer on the suction chuck 342 by arranging the wafer on the holding surface that is the upper surface of the suction chuck 342 and operating suction means (not shown). The servo motor 35 is arrange | positioned on the holding table support 32, and the drive shaft 351 is electrically connected to the table main body 341 of the holding table 34. As shown in FIG.

도시한 실시형태에서의 유지 테이블 기구(3)는, 상기 유지 테이블(34)에 유지된 웨이퍼의 상면과 후술하는 스크린 인쇄 수단(5)의 스크린의 하면 사이의 간극을 미리 정해진 값으로 조정하기 위한 간극 조정 수단(36)을 구비하고 있다. 간극 조정 수단(36)은, 간극 조정판(361)과, 상기 간극 조정판(361)을 상하 방향으로 이동시키는 이동 수단(362)으로 이루어져 있다. 간극 조정판(361)은 직사각 형상으로 형성되어 있고, 중앙부에 상기 유지 테이블(34)의 직경보다 약간 큰 직경을 갖는 개구(361a)가 마련되어 있다. 이동 수단(362)은 4개의 작동 기구(362a)로 이루어져 있고, 간극 조정판(361)의 4코너를 유지 테이블 지지대(32) 상에 상하 방향으로 이동 가능하게 지지한다. 또한, 이동 수단(362)으로서의 4개의 작동 기구(362a)는, 펄스 모터와 상기 펄스 모터에 의해 회전하는 볼스크류로 이루어지는 스크류 기구에 의해 구성되어 있다.The holding table mechanism 3 in the illustrated embodiment is for adjusting the gap between the upper surface of the wafer held by the holding table 34 and the lower surface of the screen of the screen printing means 5 described later to a predetermined value. The gap adjusting means 36 is provided. The gap adjusting means 36 includes a gap adjusting plate 361 and a moving means 362 for moving the gap adjusting plate 361 in the vertical direction. The gap adjusting plate 361 is formed in a rectangular shape, and an opening 361a having a diameter slightly larger than the diameter of the holding table 34 is provided in the center portion. The moving means 362 consists of four operating mechanisms 362a, and supports four corners of the clearance adjusting plate 361 on the holding table support 32 so as to be movable in the vertical direction. The four operating mechanisms 362a as the moving means 362 are configured by a screw mechanism comprising a pulse motor and a ball screw rotating by the pulse motor.

상기 유지 테이블 위치 결정 수단(4)은 정지 베이스 테이블(2) 상에 평행하게 배치된 1쌍의 안내 레일(41, 41)과, 상기 안내 레일(41, 41) 사이에 평행하게 배치된 수나사 로드(42)와, 상기 수나사 로드(42)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(43) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(42)는 그 일단이 상기 정지 베이스 테이블(2)에 고정된 베어링 블록(44)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(43)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또한, 수나사 로드(42)는 상기 이동 베이스 테이블(31)의 중앙부 하면에 돌출하여 마련된 암나사 블록(312)에 형성된 관통 암나사 구멍(312a)에 나사 결합되어 있다. 따라서, 펄스 모터(43)에 의해 수나사 로드(42)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 이동 베이스 테이블(31)을 안내 레일(41, 41)을 따라 이동시켜, 유지 테이블 기구(3)의 유지 테이블(34)을 접착제 도포 영역(3A)과 접착제 경화 영역(3B)에 선택적으로 위치 결정할 수 있다.The holding table positioning means 4 is a pair of guide rails 41 and 41 arranged in parallel on the stationary base table 2 and a male screw rod arranged in parallel between the guide rails 41 and 41. (42) and a drive source such as a pulse motor (43) for rotationally driving the male screw rod (42). One end of the male threaded rod 42 is rotatably supported by a bearing block 44 fixed to the stationary base table 2, and the other end thereof is electrically connected to the output shaft of the pulse motor 43. The male threaded rod 42 is screwed into the through female threaded hole 312a formed in the female threaded block 312 provided to protrude from the lower surface of the central portion of the movable base table 31. Therefore, by moving the external thread rod 42 forward and reverse rotation by the pulse motor 43, the movement base table 31 is moved along the guide rails 41 and 41, and the holding table mechanism 3 is hold | maintained. The table 34 may be selectively positioned in the adhesive application region 3A and the adhesive curing region 3B.

다음에, 상기 스크린 인쇄 수단(5)에 대해서, 도 1을 참조하여 설명한다.Next, the screen printing means 5 will be described with reference to FIG. 1.

도시한 실시형태에서의 스크린 인쇄 수단(5)은 접착제 도포 영역(3A)에 위치 결정된 유지 테이블(34)의 상방에 배치된 프레임체(51)를 구비하고 있다. 이 프레임체(51)는 그 4코너가 4개의 지지 기둥(510)에 의해 정지 베이스 테이블(2) 상에 지지되어 있다. 프레임체(51)의 하면에는 후술하는 웨이퍼의 크기에 대응한 스크린(521)을 구비한 스크린 인쇄 필름(52)이 장착되어 있다. 스크린 인쇄 수단(5)은 상기 스크린 인쇄 필름(52)의 상면을 따라 이동하는 스퀴지(squeegee)(53)를 구비하고 있다. 이 스퀴지(53)는 스퀴지 지지 부재(54)를 통해 상하 방향 이동 수단(55)에 지지된다. 상하 방향 이동 수단(55)은 프레임체(51)의 길이 방향에 평행하게 배치된 안내 레일(56)에 이동 가능하게 지지되어 있고, 도시하지 않는 이동 수단에 의해 안내 레일(56)을 따라 이동하도록 되어 있다.The screen printing means 5 in the shown embodiment is provided with the frame 51 arrange | positioned above the holding table 34 positioned in the adhesive application area | region 3A. The four corners of the frame 51 are supported on the stationary base table 2 by four support pillars 510. The screen printing film 52 provided with the screen 521 corresponding to the size of the wafer mentioned later is attached to the lower surface of the frame 51. The screen printing means 5 is provided with a squeegee 53 which moves along the upper surface of the screen printing film 52. This squeegee 53 is supported by the vertical movement means 55 via the squeegee support member 54. The vertical movement means 55 is movably supported by the guide rail 56 arranged parallel to the longitudinal direction of the frame 51, and moves along the guide rail 56 by a movement means not shown. It is.

다음에, 상기 접착제 경화 영역(3B)에 배치된 접착제 경화 수단(6)에 대해서 설명한다.Next, the adhesive agent hardening means 6 arrange | positioned at the said adhesive hardening area | region 3B is demonstrated.

접착제 경화 수단(6)은 상기 스크린 인쇄 수단(5)에 의해 웨이퍼의 이면에 도포되는 접착제의 특성에 따라 선택되지만, 도시한 실시형태에서는 자외선 조사기(61)가 이용된다.Although the adhesive hardening means 6 is selected according to the characteristic of the adhesive apply | coated to the back surface of the wafer by the said screen printing means 5, in the illustrated embodiment, the ultraviolet irradiator 61 is used.

도시한 실시형태에서의 웨이퍼 처리 장치는 이상과 같이 구성되어 있고, 이하 그 작용에 대해서 설명한다.The wafer processing apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.

도 3에는, 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼의 사시도가 도시되어 있다. 도 3에 도시하는 반도체 웨이퍼(10)는 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(10a)에는 복수의 스트리트(101)가 격자형으로 형성되어 있다. 그리고, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에는, 격자형으로 형성된 복수의 스트리트(101)에 의해 구획된 복수의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(102)가 형성되어 있다. 또한, 도 3에 도시하는 반도체 웨이퍼(10)는 이면(10b)이 연삭되어 미리 정해진 두께(예컨대 60 ㎛)로 형성되어 있다.3 is a perspective view of a semiconductor wafer as a wafer. The semiconductor wafer 10 shown in FIG. 3 is made of a silicon wafer, and a plurality of streets 101 are formed in a lattice shape on the surface 10a. On the surface 10a of the semiconductor wafer 10, devices 102 such as IC and LSI are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets 101 formed in a lattice shape. In addition, in the semiconductor wafer 10 shown in FIG. 3, the back surface 10b is ground and formed in predetermined thickness (for example, 60 micrometers).

이하, 상기 웨이퍼 처리 장치를 이용하여 전술한 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하는 순서에 대해서 설명한다.Hereinafter, the procedure of forming the adhesive film for die bonding on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 using the said wafer processing apparatus is demonstrated.

우선, 유지 테이블 기구(3)를 접착제 도포 영역(3A)과 접착제 경화 영역(3B) 사이에 위치하는 웨이퍼 배치 영역(3C)에 위치 결정한다. 그리고, 도 4에 도시하는 바와 같이 상기 웨이퍼 처리 장치의 유지 테이블(34) 상에 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동시킴으로써, 유지 테이블(34) 상에 반도체 웨이퍼(10)를 흡인 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 유지 테이블(34) 상에 유지된 반도체 웨이퍼(10)는 이면(10b)이 상면으로 된다. 다음에, 간극 조정 수단(36)의 이동 수단(362)을 작동시켜 간극 조정판(361)의 상면과 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면) 사이에 미리 정해진 간극(s)을 형성한다(접착제 도포 간극 형성 공정). 이 간극(s)은 유지 테이블(34)에 유지된 웨이퍼의 이면(10b)(상면)과 상기 스크린 인쇄 수단(5)의 스크린(521)의 하면 사이의 간극으로 되고, 예컨대 10 ㎛ 로 설정되어 있다.First, the holding table mechanism 3 is positioned in the wafer placement region 3C positioned between the adhesive application region 3A and the adhesive curing region 3B. 4, the surface 10a side of the semiconductor wafer 10 is arranged on the holding table 34 of the wafer processing apparatus. Then, the suction means (not shown) is operated to suck and hold the semiconductor wafer 10 on the holding table 34 (wafer holding step). Therefore, the back surface 10b becomes an upper surface of the semiconductor wafer 10 held on the holding table 34. Next, the moving means 362 of the gap adjusting means 36 is operated to advance in advance between the top surface of the gap adjusting plate 361 and the back surface 10b (upper surface) of the semiconductor wafer 10 held by the holding table 34. A predetermined gap s is formed (adhesive coating gap forming step). This gap s becomes a gap between the back surface 10b (upper surface) of the wafer held on the holding table 34 and the lower surface of the screen 521 of the screen printing means 5, for example, is set to 10 m. have.

전술한 웨이퍼 유지 공정 및 접착제 도포 간극 형성 공정을 실시하였으면, 유지 테이블 기구(3)를 접착제 도포 영역(3A)으로 이동시키고, 상기 유지 테이블 기구(3)의 지지 수단(33)을 구성하는 4개의 에어 실린더(331)를 작동시켜 유지 테이블 지지대(32)를 상승시키고, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이 간극 조정판(361)의 상면을 스크린 인쇄 수단(5)의 스크린 인쇄 필름(52)의 하면에 접촉시킨다. 이 상태에서, 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)은 스크린 인쇄 필름(52)에 형성된 스크린(521)의 하면과 예컨대 10 ㎛의 간극을 두고 대향한다. 다음에, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이 스크린 인쇄 필름(52) 상에 자외선을 조사함으로써 경화되는 액상 수지로 이루어지는 다이 본딩용의 접착제(20)를 공급한다. 또한, 액상 접착제(20)의 점도는 5000 cps∼10000 cps로 설정되어 있다. 이와 같이 스크린 인쇄 필름(52) 상에 다이 본딩용의 액상 접착제(20)를 공급하였으면, 스퀴지(53)의 하단을 스크린 인쇄 필름(52)의 상면에 접촉시키고, 스퀴지(53)를 도 5의 (a)에서 화살표 53a로 나타내는 방향으로 이동시키며, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이 스퀴지(53)가 스크린(521)을 넘었으면, 그 이동을 정지한다. 이 결과, 액상 접착제(20)가 스크린(521)을 통과하여 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 도포되고, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에는 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이 접착제 피막(200)이 피복된다(접착제 도포 공정). 이와 같이 하여, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 피복된 접착제 피막(200)은 도 6에 도시하는 바와 같이 중앙부가 부풀어 오른 상태로 된다.After the above-described wafer holding step and adhesive applying gap forming step are carried out, the holding table mechanism 3 is moved to the adhesive applying region 3A, and four supporting members 33 of the holding table mechanism 3 are formed. The air cylinder 331 is operated to raise the holding table support 32, and as shown in FIG. 5A, the upper surface of the gap adjusting plate 361 is formed by the screen printing film 52 of the screen printing means 5. To the bottom of the In this state, the back surface 10b (upper surface) of the semiconductor wafer 10 held on the holding table 34 faces the lower surface of the screen 521 formed on the screen printing film 52 with a gap of, for example, 10 μm. . Next, as shown to Fig.5 (a), the adhesive agent 20 for die bonding which consists of liquid resin hardened | cured by irradiating an ultraviolet-ray on the screen printing film 52 is supplied. In addition, the viscosity of the liquid adhesive 20 is set to 5000 cps-10000 cps. When the liquid adhesive 20 for die bonding is supplied to the screen printing film 52 in this manner, the lower end of the squeegee 53 is brought into contact with the upper surface of the screen printing film 52, and the squeegee 53 is placed in FIG. 5. It moves in the direction shown by arrow 53a in (a), and when the squeegee 53 has crossed the screen 521 as shown to FIG. 5B, the movement is stopped. As a result, the liquid adhesive 20 is applied to the back surface 10b (top surface) of the semiconductor wafer 10 held through the screen 521 and held on the holding table 34, and the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is formed. (Upper surface) is coated with an adhesive film 200 as shown in Fig. 5B (adhesive application step). In this way, the adhesive film 200 coated on the back surface 10b (upper surface) of the semiconductor wafer 10 is in a state in which the central portion thereof is inflated.

다음에, 전술한 바와 같이 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 중앙부가 부풀어 오른 상태로 피복된 접착제 피막(200)에 원심력을 작용시켜 접착제 피막(200)을 평준화함으로써, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 두께가 균일한 접착제 피막을 형성하는 접착제 평준화 공정을 실시한다. 즉, 전술한 접착제 도포 공정을 실시한 상태로부터 유지 테이블 기구(3)의 지지 수단(33)을 구성하는 4개의 에어 실린더(331)를 작동시켜 유지 테이블 지지대(32)를 하강시키며, 간극 조정 수단(36)의 이동 수단(362)을 작동시켜 간극 조정판(361)의 상면을 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)보다 하방에 위치 결정한다. 그리고, 유지 테이블(34)을 회전시키는 서보 모터(35)를 작동시켜, 도 7에 도시하는 바와 같이 유지 테이블(34)을 화살표 34a로 나타내는 방향으로 700 rpm∼1000 rpm의 회전 속도로 10초∼20초간 회전시킨다. 이 결과, 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 중앙부가 부풀어 오른 상태로 피복된 접착제 피막(200)에 원심력을 작용시켜, 접착제 피막(200)은 평준화되며 두께가 균일해진다.Next, as described above, the adhesive film 200 is leveled by applying a centrifugal force to the adhesive film 200 coated on the back surface 10b (upper surface) of the semiconductor wafer 10 with the center portion inflated. The adhesive leveling process of forming the adhesive film of uniform thickness in the back surface 10b (upper surface) of (10) is performed. That is, four air cylinders 331 constituting the holding means 33 of the holding table mechanism 3 are operated to lower the holding table support 32 from the state in which the above-described adhesive agent applying step is performed, and the gap adjusting means ( The moving means 362 of 36 is operated to position the upper surface of the gap adjusting plate 361 below the rear surface 10b (upper surface) of the semiconductor wafer 10 held by the holding table 34. And the servo motor 35 which rotates the holding table 34 is operated, and as shown in FIG. 7, the holding table 34 is 10 second-at a rotational speed of 700 rpm-1000 rpm in the direction shown by arrow 34a. Rotate for 20 seconds. As a result, a centrifugal force is applied to the adhesive film 200 coated with the center portion inflated on the back surface 10b (upper surface) of the semiconductor wafer 10 held by the holding table 34, so that the adhesive film 200 Leveled and uniform in thickness.

전술한 접착제 평준화 공정을 실시하였으면, 상기 유지 테이블 위치 결정 수단(4)을 작동시켜 유지 테이블(34)을 도 1에 도시하는 접착제 경화 영역(3B)으로 이동시키고, 도 8에 도시하는 바와 같이 접착제 경화 수단(6)으로서의 자외선 조사기(61)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 자외선 조사기(61)로부터 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 피복되어 있는 접착제 피막(200)에 자외선을 조사한다. 이 결과, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 피복되어 있는 접착제 피막(200)은 경화된다(접착제 경화 공정).After the above-described adhesive leveling process has been carried out, the holding table positioning means 4 is operated to move the holding table 34 to the adhesive curing region 3B shown in FIG. 1, and as shown in FIG. It is located just below the ultraviolet irradiator 61 as the curing means 6. The ultraviolet ray is irradiated to the adhesive film 200 coated on the back surface 10b (upper surface) of the semiconductor wafer 10 held by the holding table 34 from the ultraviolet irradiator 61. As a result, the adhesive film 200 coated on the back surface 10b (upper surface) of the semiconductor wafer 10 is cured (adhesive curing step).

이상과 같이 도시한 실시형태에서는, 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 점도가 5000 cps∼10000 cps인 다이 본딩용의 액상 접착제(20)를 스크린 인쇄에 의해 도포함으로써 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 접착제 피막(200)을 피복한 후, 유지 테이블(34)을 700 rpm∼1000 rpm의 회전 속도로 회전시키고, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 피복된 접착제 피막(200)에 원심력을 작용시켜 접착제 피막(200)을 평준화함으로써, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 두께가 균일한 접착제 피막(200)을 형성하기 때문에, 접착제의 비산이 없어, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 두께가 균일한 다이 본딩용의 접착제 피막(200)을 경제적으로 형성할 수 있다.In the embodiment shown as above, the screen printing of the liquid adhesive 20 for die bonding whose viscosity is 5000 cps-10000 cps is carried out on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 hold | maintained by the holding table 34. After coating the adhesive film 200 on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 by coating, the holding table 34 is rotated at a rotational speed of 700 rpm to 1000 rpm, and the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is applied. ) By leveling the adhesive film 200 by applying a centrifugal force to the adhesive film 200 coated on the surface of the semiconductor film 10, thereby forming an adhesive film 200 having a uniform thickness on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10. There is no scattering, and the adhesive film 200 for die bonding can be economically formed on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10.

2: 정지 베이스 테이블
3: 유지 테이블 기구
31: 이동 베이스 테이블
32: 유지 테이블 지지대
33: 지지 수단
34: 유지 테이블
35: 서보 모터
36: 간극 조정 수단
361: 간극 조정판
362: 이동 수단
4: 유지 테이블 위치 결정 수단
5: 스크린 인쇄 수단
51: 프레임체
52: 스크린 인쇄 필름
521: 스크린
53: 스퀴지
6: 접착제 경화 수단
10: 반도체 웨이퍼
20: 접착제2: stop base table
3: maintenance table mechanism
31: Moving base table
32: holding table support
33: support means
34: retaining table
35: servo motor
36: gap adjustment means
361: clearance adjustment plate
362: means of transport
4: holding table positioning means
5: screen printing means
51: frame
52: screen printing film
521: screen
53: squeegee
6: adhesive curing means
10: semiconductor wafer
20: adhesive

Claims (6)

표면에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하는 웨이퍼 처리 방법으로서,
회전 가능한 유지 테이블에 이면을 상측으로 하여 유지된 웨이퍼의 이면에 점도가 5000 cps∼10000 cps인 다이 본딩용의 액상 접착제를 스크린 인쇄에 의해 도포함으로써 웨이퍼의 이면에 접착제 피막을 피복하는 접착제 도포 공정과,
상기 접착제 도포 공정을 실시한 후, 유지 테이블을 700 rpm∼1000 rpm의 회전 속도로 회전시키고, 웨이퍼의 이면에 피복된 접착제 피막에 원심력을 작용시켜 접착제 피막을 평준화함으로써, 웨이퍼의 이면에 두께가 균일한 접착제 피막을 형성하는 접착제 평준화 공정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법.A wafer processing method for forming an adhesive film for die bonding on the back surface of a wafer having a plurality of devices formed on the surface thereof,
An adhesive application step of coating an adhesive film on the back surface of the wafer by applying, by screen printing, a liquid adhesive for die bonding having a viscosity of 5000 cps to 10,000 cps to the back surface of the wafer held on the rotatable holding table with the back surface as an upper side; ,
After carrying out the adhesive coating step, the holding table is rotated at a rotational speed of 700 rpm to 1000 rpm, and centrifugal force is applied to the adhesive film coated on the back surface of the wafer to level the adhesive film, whereby the thickness of the back surface of the wafer is uniform. Adhesive Leveling Process to Form an Adhesive Film
Wafer processing method comprising a. 제1항에 있어서, 상기 접착제 평준화 공정은 유지 테이블을 10초∼20초간 회전시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법.The wafer processing method according to claim 1, wherein the adhesive leveling step rotates the holding table for 10 seconds to 20 seconds. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접착제 평준화 공정을 실시한 후에, 웨이퍼의 이면에 피복된 접착제 피막을 경화시키는 접착제 피막 경화 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법.The wafer processing method according to claim 1 or 2, wherein after performing the adhesive leveling step, an adhesive film curing step of curing the adhesive film coated on the back surface of the wafer is performed. 표면에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하는 웨이퍼 처리 장치로서,
웨이퍼를 유지하는 유지면을 가지며 회전 가능하게 구성된 유지 테이블과, 상기 유지 테이블을 회전시키는 회전 구동 수단과, 상기 유지 테이블의 유지면에 유지된 웨이퍼의 상면에 다이 본딩용의 액상 접착제를 스크린 인쇄에 의해 도포함으로써 웨이퍼의 이면에 접착제 피막을 피복하는 스크린 인쇄 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.A wafer processing apparatus for forming an adhesive film for die bonding on the back surface of a wafer having a plurality of devices formed on the surface thereof,
A screen holding a liquid adhesive for die bonding on a top surface of a wafer held on a holding surface of the holding table, a holding table configured to be rotatable and having a holding surface for holding a wafer, and a rotating drive means for rotating the holding table. And a screen printing means for coating the adhesive film on the back surface of the wafer by applying the same. 제4항에 있어서, 상기 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 상면과 상기 스크린 인쇄 수단의 스크린의 하면 사이의 간극을 미리 정해진 값으로 조정하기 위한 간극 조정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.5. A wafer processing apparatus according to claim 4, further comprising gap adjusting means for adjusting a gap between an upper surface of the wafer held on the holding table and a lower surface of the screen of the screen printing means to a predetermined value. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 스크린 인쇄 수단이 위치하는 접착제 도포 영역과 미리 정해진 간격을 두고 마련된 접착제 피막 경화 영역에 배치되는 상기 유지 테이블의 유지면에 유지된 웨이퍼의 상면에 피복된 접착제 피막을 경화시키는 접착제 피막 경화 수단과, 상기 유지 테이블을 접착제 도포 영역과 접착제 피막 경화 영역에 선택적으로 위치 결정하는 유지 테이블 위치 결정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.6. The adhesive according to claim 4 or 5, wherein the adhesive is coated on the upper surface of the wafer held on the holding surface of the holding table, which is arranged in the adhesive film curing region provided at a predetermined distance from the adhesive coating region where the screen printing means is located. And a holding table positioning means for selectively positioning the holding table in the adhesive coating region and the adhesive coating curing region.
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