KR20100089923A - Liquid crystal display and method for manufacturing the same - Google Patents

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이병진
박홍식
정종현
홍선영
김봉균
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Abstract

PURPOSE: An LCD device and a method for manufacturing the same is provided to form a trench on the reiteration part of a color filter, thereby preventing a speed cone from being formed on the reiteration part. CONSTITUTION: Color filters(230R,230G) are formed on a first substrate(110) and a light blocking film(220). A gate line and data line(171) are formed on the color filters. A TFT(154) is connected to the gate line and the data line. A pixel electrode(191) is connected to the TFT transistor. The color filters are overlapped on the upper part of the light blocking film. A trench(111) is formed on a part of corresponding to the data line and the TFT transistor.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Liquid crystal display device and its manufacturing method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 색필터 및 차광 부재 위에 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 배열되어 있는 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a liquid crystal display device in which a thin film transistor and a pixel electrode are arranged on a color filter and a light blocking member.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.The liquid crystal display is one of the most widely used flat panel display devices. The liquid crystal display includes two display panels on which electrodes are formed and a liquid crystal layer interposed therebetween to rearrange the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer by applying a voltage to the electrode. The display device controls the amount of light transmitted.

액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 전기장 생성 전극이 두 표시판에 각각 구비되어 있는 구조이다. 이 중에서도, 하나의 표시판(이하 '박막 트랜지스터 표시판'이라 한다)에는 복수의 박막 트랜지스터와 화소 전극이 행렬의 형태로 배열되어 있고, 다른 표시판(이하 '공통 전극 표시판'이라 한다)에는 적색, 녹색 및 청색의 색 필터가 형성되어 있고 그 전면을 공통 전극이 덮고 있는 구조가 주류이다. Among the liquid crystal display devices, which are currently mainly used are structures in which electric field generating electrodes are provided on two display panels, respectively. Among these, a plurality of thin film transistors and pixel electrodes are arranged in a matrix form on one display panel (hereinafter referred to as a 'thin film transistor display panel'), and red, green, and other display panels (hereinafter, referred to as a 'common electrode display panel'). The main structure is the structure in which the blue color filter is formed and the common electrode covers the whole surface.

그러나, 이러한 액정 표시 장치는 화소 전극과 색 필터가 다른 표시판에 형성되므로 화소 전극과 색 필터 사이에 정확한 정렬(align)이 곤란하여 정렬 오차가 발생할 수 있다. 이를 해결하기 위하여, 색 필터 및 블랙 매트릭스(black matrix)라 하는 차광 부재를 화소 전극과 동일한 표시판에 형성하는 구조가 제안되었다.However, since the liquid crystal display device is formed on a display panel having a different pixel electrode and a color filter, it is difficult to accurately align the pixel electrode and the color filter, thereby causing an alignment error. In order to solve this problem, a structure in which a light blocking member such as a color filter and a black matrix is formed on the same display panel as the pixel electrode has been proposed.

이러한 구조 중 기판 위에 색필터 및 블랙 매트릭스를 먼저 형성하고, 그 위에 복수의 박막 트랜지스터와 화소 전극을 형성하는 어레이 온 컬러 필터(array on color filter) 구조는 색필터를 형성한 후, 색필터의 중첩에 의한 단차를 평탄화 하기 위하여 절연막을 형성한다.Among these structures, an array on color filter structure in which a color filter and a black matrix are first formed on a substrate, and a plurality of thin film transistors and pixel electrodes are formed thereon forms a color filter and then overlaps the color filters. An insulating film is formed to planarize the step difference.

하지만, 이러한 절연막은 측면 빛샘 마진 감소 및 공정 추가로 인하여 원가 상승, 생산성 저하 및 수율 감소를 초래한다. 또한, 절연막을 형성하지 않으면, 색필터 사이의 단차 및 굴곡으로 기인한 단선 등의 불량이 생길 수 있다.However, these insulating films result in increased cost, lower productivity, and lower yields due to reduced side light leakage margin and process addition. In addition, if the insulating film is not formed, defects such as disconnection due to the step and bending between the color filters may occur.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 색필터가 중첩하는 부분의 단차를 제거하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to remove the step of the overlapping portion of the color filter.

본 발명의 실시예에 액정 표시 장치는 제1 기판, 제1 기판 위에 형성되어 있는 차광막, 제1 기판 및 차광막 위에 형성되어 있는 색필터, 색필터 위에 형성되어 있는 게이트선 및 데이터선, 게이트선과 데이터선의 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극, 그리고 제1 기판에 대향하며, 공 통 전극을 포함하는 제2 기판을 포함하고, 색필터는 차광막의 상부에서 서로 중첩한다.In an exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal display includes a first substrate, a light shielding film formed on the first substrate, a color filter formed on the first substrate and the light shielding film, gate lines and data lines formed on the color filter, gate lines and data. A thin film transistor connected to a line, a pixel electrode connected to the thin film transistor, and a second substrate facing the first substrate and including a common electrode, the color filters overlap each other on the top of the light shielding film.

제1 기판은 데이터선 및 박막 트랜지스터에 대응하는 부분에 형성되어 있는 트렌치를 가질 수 있다.The first substrate may have a trench formed in a portion corresponding to the data line and the thin film transistor.

차광막은 트렌치 내부에 형성되어 있을 수 있다.The light blocking film may be formed in the trench.

제1 기판은 알칼리 글래스로 이루어져 있을 수 있다.The first substrate may be made of alkali glass.

제1 기판과 색필터 사이에 형성되어 있는 절연막을 더 포함할 수 있다.The display device may further include an insulating film formed between the first substrate and the color filter.

절연막은 제1 기판을 노출하는 개구부를 가질 수 있다.The insulating film may have an opening that exposes the first substrate.

차광막은 개구부에 형성되어 있을 수 있다.The light shielding film may be formed in the opening.

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판 위에 감광막 패턴을 형성하는 단계, 제1 기판에 트렌치를 형성하는 단계, 트렌치 내부에 차광막을 형성하는 단계, 제1 기판 및 차광막 위에 색필터를 형성하는 단계, 색필터 위에 게이트선, 데이터선 및 게이트선 및 데이터선과 연결되는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming a photoresist pattern on a first substrate, forming a trench in the first substrate, forming a light shielding film in the trench, and forming a light blocking film on the first substrate and the light shielding film. Forming a color filter, forming a gate line, a data line, and a thin film transistor connected to the gate line and the data line on the color filter, and forming a pixel electrode connected to the thin film transistor.

제1 기판에 트렌치를 형성하는 단계는 감광막 패턴을 마스크로 하여 인산, 황산, 불화암모늄 및 초순수의 혼합물을 사용하여 제1 기판을 습식 식각하는 단계를 포함할 수 있다.Forming the trench in the first substrate may include wet etching the first substrate using a mixture of phosphoric acid, sulfuric acid, ammonium fluoride, and ultrapure water using the photoresist pattern as a mask.

트렌치 내부에 차광막을 형성하는 단계는 감광막 패턴 및 트렌치 위에 차광 부재를 형성하는 단계, 리프트 오프 공정을 실시하여 감광막 패턴 및 감광막 패턴 위에 형성된 차광 부재를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the light blocking film in the trench may include forming the light blocking member on the photoresist pattern and the trench, and performing a lift off process to remove the light blocking member formed on the photoresist pattern and the photoresist pattern.

감광막 패턴을 형성하는 단계 이전에 제1 기판 위에 베리어막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming a barrier film on the first substrate before forming the photoresist pattern.

제1 기판에 트렌치를 형성하는 단계는 감광막 패턴을 마스크로 하여 베리어막을 식각하여 제1 기판을 노출하는 단계, 감광막 패턴을 마스크로 하여 플루오르가 포함된 산을 사용하여 제1 기판의 노출된 부분을 습식 식각하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the trench in the first substrate may include exposing the first substrate by etching the barrier layer using the photoresist pattern as a mask, and exposing the exposed portion of the first substrate using an acid containing fluorine using the photoresist pattern as a mask. Wet etching may include the step of wet etching.

트렌치 내부에 차광막을 형성하는 단계는 감광막 패턴을 제거하는 단계, 베리어막 및 트렌치 위에 차광 부재를 형성하는 단계, 차광 부재를 배면 노광 후 현상하여 베리어막 위에 형성되어 있는 차광 부재를 제거하는 단계, 베리어막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the light blocking film in the trench may include removing the photoresist pattern, forming the light blocking member on the barrier film and the trench, developing the light blocking member after back exposure, and removing the light blocking member formed on the barrier film. Removing the membrane.

본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판 위에 절연막을 형성하는 단계, 절연막 위에 감광막 패턴을 형성하는 단계, 절연막에 제1 기판을 노출하는 개구부를 형성하는 단계, 개구부에 차광막을 형성하는 단계, 절연막 및 차광막 위에 색필터를 형성하는 단계, 색필터 위에 게이트선, 데이터선 및 게이트선 및 데이터선과 연결되는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.According to another exemplary embodiment of the present invention, a method of manufacturing a liquid crystal display device includes forming an insulating film on a first substrate, forming a photoresist pattern on the insulating film, forming an opening exposing the first substrate on the insulating film, and Forming a light blocking film, forming a color filter on the insulating film and the light blocking film, forming a thin film transistor connected to the gate line, the data line and the gate line and the data line on the color filter, and forming a pixel electrode connected to the thin film transistor. Steps.

제1 기판은 알칼리 글래스로 형성할 수 있다.The first substrate may be formed of alkali glass.

절연막에 제1 기판을 노출하는 개구부를 형성하는 단계는 감광막 패턴을 마스크로 하여 절연막을 식각하여 제1 기판을 노출하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the opening for exposing the first substrate in the insulating layer may include exposing the first substrate by etching the insulating layer using the photoresist pattern as a mask.

개구부에 차광막을 형성하는 단계는 개구부 및 감광막 패턴 위에 차광 부재를 형성하는 단계, 리프트 오프 공정을 실시하여 감광막 패턴 및 감광막 패턴 위에 형성된 차광 부재를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.The forming of the light blocking film in the opening may include forming the light blocking member on the opening and the photoresist pattern, and performing a lift off process to remove the light blocking member formed on the photoresist pattern and the photoresist pattern.

본 발명의 실시예에 의하면, 색필터가 중첩하는 부분에 트렌치를 형성하여 단차를 형성하였기 때문에 색필터가 중첩하는 부분에 단차가 생기지 않아 이 후에 평탄화 공정을 실시하지 않아도 된다.According to the embodiment of the present invention, since a step is formed by forming a trench in a portion where the color filters overlap, a step does not occur in a portion where the color filters overlap, and there is no need to perform a planarization step thereafter.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

그러면 본 발명의 실시예에 따른 색필터의 단차를 줄이는 방법을 도 1 내지 도 3을 참고로 상세하게 설명한다. Next, a method of reducing the step of the color filter according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 3.

<제1 실시예><First Embodiment>

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 색필터의 단차를 줄이는 방법을 나타낸 순서도이다.1 is a flowchart illustrating a method of reducing a step of a color filter according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 기판 위에 감광막 패턴을 형성한다(S10). 기판 위에 감광막을 형성한 후, 이 후 트렌치를 형성할 부분을 노출할 수 있도록 감광막 패턴을 형성한다.As shown in FIG. 1, a photosensitive film pattern is formed on a substrate (S10). After the photoresist film is formed on the substrate, a photoresist pattern is formed to expose a portion where the trench is to be formed.

이어서, 감광막 패턴을 마스크로 하여 기판에 트렌치를 형성한다(S20). 트렌치를 형성할 때, 글래스 식각액을 사용하여 습식 식각 공정을 실시하는데, 이는 이 후에 차광 부재를 리프트 오프(lift-off) 방법으로 제거하기 위하여, 언더 컷을 형성하기 위함이다.Next, a trench is formed in the substrate using the photoresist pattern as a mask (S20). When forming the trench, a wet etching process is carried out using a glass etching solution, in order to form an undercut, in order to subsequently remove the light blocking member by a lift-off method.

이어서, 감광막 패턴 및 기판의 트렌치에 차광 부재를 적층한다(S30). 이 때, 차광 부재는 언더 컷 부분에는 형성되지 않는다.Next, a light blocking member is laminated on the photoresist pattern and the trench of the substrate (S30). At this time, the light blocking member is not formed in the undercut portion.

이어서, 리프트 오프 방법으로 감광막 패턴을 제거한다(S40). 이 때, 감광막 패턴 위에 형성된 차광 부재도 같이 제거되므로, 트렌치 내부에 차광막이 형성된다.Next, the photosensitive film pattern is removed by a lift-off method (S40). At this time, since the light blocking member formed on the photosensitive film pattern is also removed, a light blocking film is formed in the trench.

이어서, 색필터를 형성한다(S50). Next, a color filter is formed (S50).

이와 같이, 색필터가 중첩하는 부분에 트렌치를 형성하여 단차를 형성하였기 때문에 색필터가 중첩하는 부분에 단차가 생기지 않아 이 후에 평탄화 공정을 실시하지 않아도 된다.In this way, since the trench is formed in the portion where the color filters overlap, the step is formed, so that no step occurs in the portion where the color filters overlap, so that the planarization step may not be performed afterwards.

<제2 실시예>Second Embodiment

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 색필터의 단차를 줄이는 방법을 나타낸 순서도이다.2 is a flowchart illustrating a method of reducing a step of a color filter according to a second embodiment of the present invention.

제2 실시예는 제1 실시예와는 달리, 식각액을 플루오르가 포함된 산을 사용한다.Unlike the first embodiment, the second embodiment uses an acid containing fluorine as an etching solution.

도 2에 도시한 바와 같이, 기판 위에 베리어막을 적층한다(P10). 베리어막은 이 후에 기판 위에 트렌치를 형성할 때, 손상이 가지 않도록 하기 위한 것으로 구리, 몰리브덴, 크롬 등의 금속으로 형성한다.As shown in Fig. 2, a barrier film is laminated on the substrate (P10). The barrier film is formed of a metal such as copper, molybdenum, chromium and the like so as not to be damaged when the trench is subsequently formed on the substrate.

이어서, 베리어막 위에 감광막 패턴을 형성하고(P20), 감광막 패턴을 마스크로 하여 베리어막을 식각한다(P30).Subsequently, a photoresist pattern is formed on the barrier film (P20), and the barrier film is etched using the photoresist pattern as a mask (P30).

이어서, 감광막 패턴을 마스크로 하여 기판에 트렌치를 형성한다(P40). 이 때 습식 식각 공정을 실시하는데, 식각액으로는 플루오르가 포함된 산을 사용한다.Next, a trench is formed in the substrate using the photosensitive film pattern as a mask (P40). At this time, a wet etching process is performed, and an acid containing fluorine is used as the etching solution.

이어서, 감광막 패턴을 제거하고(P50), 베리어막 및 트렌치에 차광 부재를 형성한다(P60).Next, the photosensitive film pattern is removed (P50), and a light blocking member is formed in the barrier film and the trench (P60).

이어서, 배면 노광 및 현상을 실시하여 베리어막 위의 차광 부재를 제거하고, 트렌치 내부에 차광막을 형성한다(P70).Next, back exposure and development are performed to remove the light blocking member on the barrier film, and a light shielding film is formed in the trench (P70).

이어서, 베리어막을 제거하고(P80), 색필터를 형성한다(P90).Next, the barrier film is removed (P80) to form a color filter (P90).

이와 같이, 색필터가 중첩하는 부분에 트렌치를 형성하여 단차를 형성하였기 때문에 색필터가 중첩하는 부분에 단차가 생기지 않아 이 후에 평탄화 공정을 실시하지 않아도 된다.In this way, since the trench is formed in the portion where the color filters overlap, the step is formed, so that no step occurs in the portion where the color filters overlap, so that the planarization step may not be performed afterwards.

<제3 실시예>Third Embodiment

도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 색필터의 단차를 줄이는 방법을 나타낸 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of reducing a step of a color filter according to a third embodiment of the present invention.

제3 실시예는 제1 실시예와는 달리, 알칼리 글래스로 기판을 형성한다.Unlike the first embodiment, the third embodiment forms a substrate from alkali glass.

도 3에 도시한 바와 같이, 기판 위에 절연막을 적층한다(G10). 알칼리 기판은 열 및 물리적인 영향에 약하므로 절연막을 적층한다.As shown in FIG. 3, an insulating film is laminated on the substrate (G10). Alkali substrates are susceptible to thermal and physical influences, so an insulating film is laminated.

이어서, 절연막 위에 감광막 패턴을 형성하고(G20), 감광막 패턴을 마스크로 하여 절연막을 식각하여 기판을 노출시키는 개구부를 형성한다(G20). 이 때, 언더 컷을 형성하기 위하여 습식 식각 공정을 실시한다.Subsequently, a photosensitive film pattern is formed on the insulating film (G20), and the opening is exposed to expose the substrate by etching the insulating film using the photosensitive film pattern as a mask (G20). At this time, a wet etching process is performed to form an undercut.

이어서, 감광막 패턴 및 개구부에 차광 부재를 형성하고(G40), 리프트 오프 방법으로 감광막 패턴을 제거한다(G50). 이 때, 감광막 패턴 위에 형성된 차광 부재도 같이 제거되므로, 개구부에 차광막이 형성된다.Next, a light blocking member is formed in the photoresist pattern and the opening (G40), and the photoresist pattern is removed by a lift-off method (G50). At this time, since the light blocking member formed on the photosensitive film pattern is also removed, the light blocking film is formed in the opening.

이어서, 색필터를 형성한다(G60).Next, a color filter is formed (G60).

이와 같이, 알칼리 글래스 기판 위에 절연막을 형성하고, 색필터가 중첩하는 부분에 개구부를 형성하여 단차를 형성하였기 때문에 색필터가 중첩하는 부분에 단차가 생기지 않아 이 후에 평탄화 공정을 실시하지 않아도 된다.In this way, since an insulating film is formed on the alkali glass substrate, and an opening is formed in a portion where the color filter overlaps, a step is formed, so that a step does not occur in the portion where the color filter overlaps.

그럼, 제1 내지 제3 실시예에 따른 색필터의 단차를 줄이는 방법을 적용하여 제조한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, a liquid crystal display device manufactured by applying a method for reducing the step difference of the color filters according to the first to third embodiments and a manufacturing method thereof will be described.

<제4 실시예><Fourth Embodiment>

도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 5는 도 4의 액정 표시 장치를 Ⅴ-Ⅴ 선을 따라 자른 단면도이다.4 is a layout view of a liquid crystal display according to a fourth exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV of the liquid crystal display of FIG. 4.

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(100) 및 이와 마주하는 공통 전극 표시판(200), 그리고 두 표시판(100, 200) 사이에 있는 액정층(3)을 포함한다. 4 and 5, the liquid crystal display according to the fourth exemplary embodiment of the present invention includes a thin film transistor array panel 100 and a common electrode panel 200 facing the thin film transistor array panel 100 and between the two display panels 100 and 200. It includes a liquid crystal layer (3) in the.

먼저, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.First, the thin film transistor array panel 100 will be described.

유리 또는 플라스틱 따위의 절연 물질로 만들어진 기판(110)에 트렌치(111)가 형성되어 있다. 트렌치(111)는 이 후에 설명하는 박막 트랜지스터, 데이터선(171) 및 색필터(230R, 230G, 230B)의 중첩하는 부분의 아래에 형성되어 있다.The trench 111 is formed in the substrate 110 made of an insulating material such as glass or plastic. The trench 111 is formed below the overlapping portion of the thin film transistor, the data line 171, and the color filters 230R, 230G, and 230B described later.

트렌치(111)의 내부에는 차광막(220)이 형성되어 있고, 기판(110) 및 차광막(220) 위에 색필터(230R, 230G, 230B)가 형성되어 있으며, 색필터(230R, 230G, 230B)는 차광막(220) 위에서 서로 겹쳐진다.A light blocking film 220 is formed in the trench 111, and color filters 230R, 230G, and 230B are formed on the substrate 110 and the light blocking film 220, and the color filters 230R, 230G, and 230B are formed. The light blocking film 220 overlaps each other.

색필터(230R, 230G, 230B) 위에 게이트 전극(124)을 포함하는 복수의 게이트선(121), 그 위에는 게이트 절연막(140), 복수의 반도체(154), 복수의 저항성 접촉 부재(163, 165), 복수의 데이터선(171) 및 복수의 드레인 전극(175)이 차례로 형성되어 있다.The plurality of gate lines 121 including the gate electrode 124 on the color filters 230R, 230G, and 230B, the gate insulating layer 140, the plurality of semiconductors 154, and the plurality of ohmic contacts 163 and 165 thereon. ), A plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 are formed in this order.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있고, 데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(173)을 포함한다. 드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있으며 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주한다.The gate line 121 transmits a gate signal and mainly extends in a horizontal direction, and the data line 171 transmits a data signal and mainly extends in a vertical direction and crosses the gate line 121. Each data line 171 includes a plurality of source electrodes 173 extending toward the gate electrode 124. The drain electrode 175 is separated from the data line 171 and faces the source electrode 173 around the gate electrode 124.

반도체(154)는 게이트 전극(124) 위에 위치하며 그 위의 저항성 접촉 부 재(163, 165)는 반도체(154)와 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 배치되어 이 둘 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다.The semiconductor 154 is positioned over the gate electrode 124, and the ohmic contacts 163 and 165 thereon are disposed only between the semiconductor 154 and the data line 171 and the drain electrode 175 so as to be disposed between the two. Lower the contact resistance.

하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체(154)에 형성된다. 박막 트랜지스터는 트렌치(111)의 상부에 위치한다.One gate electrode 124, one source electrode 173, and one drain electrode 175 together with the semiconductor 154 constitute one thin film transistor (TFT), and the channel of the thin film transistor is a source. It is formed in the semiconductor 154 between the electrode 173 and the drain electrode 175. The thin film transistor is positioned above the trench 111.

게이트선(121), 데이터선(171) 및 박막 트랜지스터 위에 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)에는 드레인 전극(175)을 드러내는 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다. The passivation layer 180 is formed on the gate line 121, the data line 171, and the thin film transistor. In the passivation layer 180, a contact hole 185 exposing the drain electrode 175 is formed.

보호막(180) 위에는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 연결되어 있으며 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다.The pixel electrode 191 is formed on the passivation layer 180. The pixel electrode 191 is connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185 and receives a data voltage from the drain electrode 175.

공통 전극 표시판(200)은 박막 트랜지스터 표시판(100)과 마주 보며, 기판(210)과 그 위에 형성되어 있는 공통 전극(270)을 포함한다. 그러나 공통 전극(270)은 박막 트랜지스터 표시판(100)에 형성될 수도 있다. The common electrode panel 200 faces the thin film transistor array panel 100 and includes a substrate 210 and a common electrode 270 formed thereon. However, the common electrode 270 may be formed on the thin film transistor array panel 100.

공통 전극 표시판(200)과 박막 트랜지스터 표시판(100) 사이에는 액정층(3)이 위치한다.The liquid crystal layer 3 is positioned between the common electrode panel 200 and the thin film transistor array panel 100.

도 6 내지 도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 도면이다.6 to 9 are diagrams sequentially illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

도 6 내지 도 9에 도시한 바와 같이, 기판(110) 위에 감광막 패턴(50)을 형성한 후, 감광막 패턴(50)을 마스크로 하여 기판(110)을 식각하여 트렌치(111)을 형성한다. 이 때, 언더 컷(A)을 형성하기 위하여 인산, 황산, 불화암모늄(NH4F) 및 초순수의 혼합물로 이루어진 글래스 식각액을 사용하여 습식 공정을 실시한다.6 to 9, after the photoresist pattern 50 is formed on the substrate 110, the trench 110 is formed by etching the substrate 110 using the photoresist pattern 50 as a mask. At this time, a wet process is performed using a glass etching solution made of a mixture of phosphoric acid, sulfuric acid, ammonium fluoride (NH 4 F) and ultrapure water to form the undercut (A).

이어서, 감광막 패턴(50) 및 트렌치(111) 위에 차광 부재(225)를 적층한다. 이 때, 언더 컷(A) 부분에는 차광 부재(225)가 적층되지 않는다.Next, the light blocking member 225 is stacked on the photosensitive film pattern 50 and the trench 111. At this time, the light blocking member 225 is not laminated to the undercut A portion.

이어서, 리프트 오프 공정을 실시하여 감광막 패턴(50)을 제거한다. 이 때, 감광막 패턴(50) 위에 적층되어 있는 차광 부재(225)도 함께 제거되어 트렌치(111) 내부에 차광막(220)이 형성된다.Next, the lift-off process is performed to remove the photosensitive film pattern 50. At this time, the light blocking member 225 stacked on the photoresist pattern 50 is also removed to form the light blocking film 220 inside the trench 111.

이어서, 기판(110) 및 차광막(220) 위에 색필터(230R, 230G, 230B)를 형성한다. 색필터(230R, 230G, 230B)는 차광막(220) 위에서 겹쳐진다.Subsequently, color filters 230R, 230G, and 230B are formed on the substrate 110 and the light shielding film 220. The color filters 230R, 230G, and 230B overlap the light shielding film 220.

이 후에는 도 5에 도시한 바와 같이, 색필터(230R, 230G, 230B) 위에 게이트선(121), 게이트 절연막(140), 반도체층(154), 저항성 접촉층(163, 165), 데이터선(171), 드레인 전극(175), 보호막(180) 및 화소 전극(191)을 형성한다.After that, as illustrated in FIG. 5, the gate line 121, the gate insulating layer 140, the semiconductor layer 154, the ohmic contact layers 163 and 165, and the data line are disposed on the color filters 230R, 230G, and 230B. 171, the drain electrode 175, the passivation layer 180, and the pixel electrode 191 are formed.

공통 전극 표시판(200)은 절연 기판(210) 위에 공통 전극(270)을 형성한다.The common electrode display panel 200 forms a common electrode 270 on the insulating substrate 210.

다음 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 중 하나 위에 액정을 적하한 후, 두 표시판(100, 200)을 합착(assembly)한다.Next, after the liquid crystal is dropped on one of the thin film transistor array panel 100 and the common electrode display panel 200, the two display panels 100 and 200 are assembled.

이와 같이, 색필터가 중첩하는 부분에 트렌치를 형성하여 단차를 형성하였기 때문에 색필터가 중첩하는 부분에 단차가 생기지 않아 이 후에 평탄화 공정을 실시하지 않아도 된다.In this way, since the trench is formed in the portion where the color filters overlap, the step is formed, so that no step occurs in the portion where the color filters overlap, so that the planarization step may not be performed afterwards.

<제5 실시예><Fifth Embodiment>

본 발명의 제5 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조와 동일하다. 하지만, 식각액을 제4 실시예와는 다르게 식각액을 플루오르가 포함된 산을 사용한다.The liquid crystal display according to the fifth embodiment of the present invention has the same structure as that of the liquid crystal display according to the fourth embodiment. However, unlike the fourth embodiment, the etchant uses an acid containing fluorine.

도 10 내지 도 15는 본 발명의 제5 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 도면이다.10 to 15 are diagrams sequentially illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display according to a fifth exemplary embodiment of the present invention.

도 10 내지 도 15에 도시한 바와 같이, 기판(110) 위에 베리어막(120)을 형성한다. 베리어막(120)은 이 후에 기판 위에 트렌치를 형성할 때, 손상이 가지 않도록 하기 위한 것으로 구리, 몰리브덴, 크롬 등의 금속으로 형성하고, 두께는 100Å이상으로 형성한다.10 to 15, the barrier film 120 is formed on the substrate 110. The barrier film 120 is formed of a metal such as copper, molybdenum, chromium, and the like so as not to be damaged when the trench is subsequently formed on the substrate, and has a thickness of 100 kPa or more.

이어서, 베리어막(120) 위에 감광막 패턴(50)을 형성한 후, 감광막 패턴(50)을 마스크로 하여 베리어막(120)을 식각한다. 그리고 나서, 감광막 패턴(50)을 마스크로 하여 기판(110)을 식각하여 트렌치(111)을 형성한다. 이 때, 식각액을 플루오르가 포함된 산으로 이루어진 식각액을 사용하여 습식 공정을 실시한다.Subsequently, after the photoresist pattern 50 is formed on the barrier film 120, the barrier film 120 is etched using the photoresist pattern 50 as a mask. Then, the substrate 110 is etched using the photoresist pattern 50 as a mask to form the trench 111. At this time, the etchant is subjected to a wet process using an etchant consisting of an acid containing fluorine.

식각 과정에서, 식각액이 감광막 패턴(50)에 손상을 줄 수 있는데, 베리어막(120)이 식각액에 의한 감광막 패턴(50)의 손상을 막는 역할을 한다.In the etching process, the etchant may damage the photoresist pattern 50, and the barrier film 120 serves to prevent the photoresist pattern 50 from being damaged by the etchant.

이어서, 감광막 패턴(50) 및 트렌치(111) 위에 차광 부재(225)를 적층하고, 배면 노광을 실시한 후 현상하여, 트렌치(111) 내부에 차광막(220)을 형성한다.Subsequently, the light blocking member 225 is laminated on the photosensitive film pattern 50 and the trench 111, and subjected to back exposure, followed by development, to form the light blocking film 220 inside the trench 111.

이어서, 베리어막(120)을 제거한 후, 기판(110) 및 차광막(220) 위에 색필터(230R, 230G, 230B)를 형성한다. 색필터(230R, 230G, 230B)는 차광막(220) 위에 서 겹쳐진다.Subsequently, after the barrier layer 120 is removed, the color filters 230R, 230G, and 230B are formed on the substrate 110 and the light blocking layer 220. The color filters 230R, 230G, and 230B are superimposed on the light shielding film 220.

이 후 공정은 제4 실시예와 동일하다.The subsequent process is the same as in the fourth embodiment.

이와 같이, 색필터가 중첩하는 부분에 트렌치를 형성하여 단차를 형성하였기 때문에 색필터가 중첩하는 부분에 단차가 생기지 않아 이 후에 평탄화 공정을 실시하지 않아도 된다.In this way, since the trench is formed in the portion where the color filters overlap, the step is formed, so that no step occurs in the portion where the color filters overlap, so that the planarization step may not be performed afterwards.

<제6 실시예>Sixth Example

본 발명의 제6 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조와 거의 동일하며, 기판을 알칼리 글래스로 형성하는 것이 제4 실시예와 다르다.The liquid crystal display device according to the sixth embodiment of the present invention is almost the same as the structure of the liquid crystal display device according to the fourth embodiment, and forming the substrate from alkali glass is different from the fourth embodiment.

도 16은 본 발명의 제6 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이고, 도 17 내지 도 20은 본 발명의 제6 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 도면이다.16 is a cross-sectional view of a liquid crystal display according to a sixth embodiment of the present invention, and FIGS. 17 to 20 are views sequentially illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display according to a sixth embodiment of the present invention.

도 16에 도시한 바와 같이, 알칼리 글래스로 이루어진 기판(110) 위에 절연막(130)이 형성되어 있다. 절연막(130)에는 개구부(131)가 형성되어 있다. 개구부(131)는 이 후에 설명하는 색필터(230R, 230G, 230B)의 중첩하는 부분, 박막 트랜지스터 및 데이터선(171)의 아래에 형성되어 있다.As shown in FIG. 16, an insulating film 130 is formed on a substrate 110 made of alkali glass. The opening 131 is formed in the insulating layer 130. The opening 131 is formed below the overlapping portions of the color filters 230R, 230G, and 230B, the thin film transistor, and the data line 171 described later.

개구부(131)의 내부에는 차광막(220)이 형성되어 있고, 기판(110) 및 차광막(220) 위에 색필터(230R, 230G, 230B)가 형성되어 있으며, 색필터(230R, 230G, 230B)는 차광막(220) 위에서 서로 겹쳐진다.The light blocking film 220 is formed in the opening 131, and the color filters 230R, 230G, and 230B are formed on the substrate 110 and the light blocking film 220, and the color filters 230R, 230G, and 230B are formed. The light blocking film 220 overlaps each other.

색필터(230R, 230G, 230B) 위에 게이트 전극(124)을 포함하는 복수의 게이트 선(121), 그 위에는 게이트 절연막(140), 복수의 반도체(154), 복수의 저항성 접촉 부재(163, 165), 복수의 데이터선(171) 및 복수의 드레인 전극(175)이 차례로 형성되어 있다.The plurality of gate lines 121 including the gate electrode 124 on the color filters 230R, 230G, and 230B, the gate insulating layer 140, the plurality of semiconductors 154, and the plurality of ohmic contacts 163 and 165 thereon. ), A plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 are formed in this order.

이 후의 구조는 제4 실시예와 동일하다The subsequent structure is the same as in the fourth embodiment.

도 17 내지 도 20에 도시한 바와 같이, 알칼리 글래스로 이루어진 기판(110)을 준비한 다음, 기판(110) 위에 절연막(130)을 형성한다. 알칼리 글래스 기판은 열이나 물리적인 영향에 취약하므로, 절연막(130)을 형성한다. 이 때, 절연막(130)은 500 내지 1000Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.17 to 20, after preparing a substrate 110 made of alkali glass, an insulating film 130 is formed on the substrate 110. Since the alkali glass substrate is vulnerable to heat or physical influence, the insulating glass 130 is formed. At this time, the insulating film 130 is preferably formed to a thickness of 500 to 1000 500.

절연막(130) 위에 감광막 패턴(50)을 형성하고, 감광막 패턴(50)을 마스크로 하여 절연막(130)을 식각하여 기판(110)을 노출시키는 개구부(131)를 형성한다. 이 때, 언더 컷(A)을 형성하기 위하여 습식 식각 공정을 실시한다.The photoresist pattern 50 is formed on the insulating layer 130, and the openings 131 are formed to expose the substrate 110 by etching the insulating layer 130 using the photoresist pattern 50 as a mask. At this time, a wet etching process is performed in order to form the undercut (A).

이어서, 감광막 패턴(50) 및 개구부(131) 위에 차광 부재(225)를 적층한다. 이 때, 언더 컷(A) 부분에는 차광 부재(225)가 적층되지 않는다.Next, the light blocking member 225 is stacked on the photosensitive film pattern 50 and the opening 131. At this time, the light blocking member 225 is not laminated to the undercut A portion.

이어서, 리프트 오프 공정을 실시하여 감광막 패턴(50)을 제거한다. 이 때, 감광막 패턴(50) 위에 적층되어 있는 차광 부재(225)도 함께 제거되어 개구부(131) 내부에 차광막(220)이 형성된다.Next, the lift-off process is performed to remove the photosensitive film pattern 50. At this time, the light blocking member 225 stacked on the photoresist pattern 50 is also removed to form the light blocking film 220 inside the opening 131.

이어서, 기판(110) 및 차광막(220) 위에 색필터(230R, 230G, 230B)를 형성한다. 색필터(230R, 230G, 230B)는 차광막(220) 위에서 겹쳐진다.Subsequently, color filters 230R, 230G, and 230B are formed on the substrate 110 and the light shielding film 220. The color filters 230R, 230G, and 230B overlap the light shielding film 220.

이 후의 공정은 제4 실시예에 동일하다.The subsequent steps are the same as in the fourth embodiment.

이와 같이, 알칼리 글래스 기판 위에 절연막을 형성하고, 색필터가 중첩하는 부분에 개구부를 형성하여 단차를 형성하였기 때문에 색필터가 중첩하는 부분에 단차가 생기지 않아 이 후에 평탄화 공정을 실시하지 않아도 된다.In this way, since an insulating film is formed on the alkali glass substrate, and an opening is formed in a portion where the color filter overlaps, a step is formed, so that a step does not occur in the portion where the color filter overlaps.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 색필터의 단차를 줄이는 방법을 나타낸 순서도 이다.1 is a flowchart illustrating a method of reducing a step of a color filter according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 색필터의 단차를 줄이는 방법을 나타낸 순서도 이다.2 is a flowchart illustrating a method of reducing a step of a color filter according to a second embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 색필터의 단차를 줄이는 방법을 나타낸 순서도 이다. 3 is a flowchart illustrating a method of reducing a step of a color filter according to a third embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치를 도시한 도면이다.4 is a diagram illustrating a liquid crystal display according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 도 4의 액정 표시 장치를 Ⅴ-Ⅴ 선을 따라 자른 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 4 taken along the line VV. FIG.

도 6 내지 도 9는 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 도면이다.6 to 9 are diagrams sequentially illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

도 10 내지 도 15는 본 발명의 제5 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 도면이다.10 to 15 are diagrams sequentially illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display according to a fifth exemplary embodiment of the present invention.

도 16은 본 발명의 제6 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단면도이다.16 is a cross-sectional view of a liquid crystal display according to a sixth exemplary embodiment of the present invention.

도 17 내지 도 20은 본 발명의 제6 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 도면이다.17 to 20 are diagrams sequentially illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display according to a sixth embodiment of the present invention.

<주요 도면 부호의 설명> <Description of Main Reference Signs>

110, 210: 기판 111: 트렌치110, 210: substrate 111: trench

130: 절연막 131: 개구부130: insulating film 131: opening

220: 차광막 230R, 230G, 230B: 색필터220: light shielding film 230R, 230G, 230B: color filter

Claims (17)

제1 기판, First substrate, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 차광막,A light shielding film formed on the first substrate, 상기 제1 기판 및 상기 차광막 위에 형성되어 있는 색필터,A color filter formed on the first substrate and the light blocking film; 상기 색필터 위에 형성되어 있는 게이트선 및 데이터선,A gate line and a data line formed on the color filter; 상기 게이트선과 상기 데이터선의 연결되어 있는 박막 트랜지스터,A thin film transistor connected between the gate line and the data line, 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극, 그리고A pixel electrode connected to the thin film transistor, and 상기 제1 기판에 대향하며, 공통 전극을 포함하는 제2 기판을 포함하고A second substrate opposite the first substrate, the second substrate including a common electrode; 상기 색필터는 상기 차광막의 상부에서 서로 중첩하는 액정 표시 장치.And the color filters overlap each other on the light blocking layer. 제1항에서, In claim 1, 상기 제1 기판은 상기 데이터선 및 상기 박막 트랜지스터에 대응하는 부분에 형성되어 있는 트렌치를 가지는 액정 표시 장치.And the first substrate has a trench formed in a portion corresponding to the data line and the thin film transistor. 제2항에서,In claim 2, 상기 차광막은 상기 트렌치 내부에 형성되어 있는 액정 표시 장치.And the light blocking layer is formed inside the trench. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 기판은 알칼리 글래스로 이루어져 있는 액정 표시 장치.And the first substrate is made of alkali glass. 제4항에서,In claim 4, 상기 제1 기판과 상기 색필터 사이에 형성되어 있는 절연막을 더 포함하는 액정 표시 장치A liquid crystal display further comprising an insulating film formed between the first substrate and the color filter. 제5항에서,In claim 5, 상기 절연막은 상기 제1 기판을 노출하는 개구부를 가지는 액정 표시 장치.The insulating layer has an opening that exposes the first substrate. 제6항에서,In claim 6, 상기 차광막은 상기 개구부에 형성되어 있는 액정 표시 장치. And the light blocking film is formed in the opening. 제1 기판 위에 감광막 패턴을 형성하는 단계,Forming a photoresist pattern on the first substrate, 상기 제1 기판에 트렌치를 형성하는 단계,Forming a trench in the first substrate, 상기 트렌치 내부에 차광막을 형성하는 단계,Forming a light shielding film in the trench, 상기 제1 기판 및 상기 차광막 위에 색필터를 형성하는 단계,Forming a color filter on the first substrate and the light blocking film; 상기 색필터 위에 게이트선, 데이터선 및 상기 게이트선 및 데이터선과 연결되는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,Forming a thin film transistor connected to the gate line, the data line, and the gate line and the data line on the color filter; 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor 를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.Method of manufacturing a liquid crystal display comprising a. 제8항에서,In claim 8, 상기 제1 기판에 트렌치를 형성하는 단계는Forming a trench in the first substrate is 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 인산, 황산, 불화암모늄 및 초순수의 혼합물을 사용하여 상기 제1 기판을 습식 식각하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.And wet etching the first substrate by using a mixture of phosphoric acid, sulfuric acid, ammonium fluoride, and ultrapure water using the photoresist pattern as a mask. 제9항에서,The method of claim 9, 상기 트렌치 내부에 차광막을 형성하는 단계는Forming a light shielding film in the trench 상기 감광막 패턴 및 상기 트렌치 위에 차광 부재를 형성하는 단계,Forming a light blocking member on the photoresist pattern and the trench; 리프트 오프 공정을 실시하여 상기 감광막 패턴 및 상기 감광막 패턴 위에 형성된 상기 차광 부재를 제거하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.And removing the photoresist pattern and the light blocking member formed on the photoresist pattern by performing a lift-off process. 제8항에서,In claim 8, 상기 감광막 패턴을 형성하는 단계 이전에 상기 제1 기판 위에 베리어막을 형성하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.And forming a barrier film on the first substrate before forming the photoresist pattern. 제11항에서,In claim 11, 상기 제1 기판에 트렌치를 형성하는 단계는Forming a trench in the first substrate is 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 베리어막을 식각하여 상기 제1 기판을 노출하는 단계,Etching the barrier layer using the photoresist pattern as a mask to expose the first substrate; 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 플루오르가 포함된 산을 사용하여 상기 제1 기판의 노출된 부분을 습식 식각하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.And wet-etching the exposed portion of the first substrate using an acid containing fluorine using the photoresist pattern as a mask. 제12항에서,In claim 12, 상기 트렌치 내부에 차광막을 형성하는 단계는Forming a light shielding film in the trench 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계,Removing the photoresist pattern; 상기 베리어막 및 상기 트렌치 위에 차광 부재를 형성하는 단계,Forming a light blocking member on the barrier layer and the trench; 상기 차광 부재를 배면 노광 후 현상하여 상기 베리어막 위에 형성되어 있는 상기 차광 부재를 제거하는 단계,Developing the light blocking member after back exposure to remove the light blocking member formed on the barrier film; 상기 베리어막을 제거하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.And removing the barrier layer. 제1 기판 위에 절연막을 형성하는 단계,Forming an insulating film on the first substrate, 상기 절연막 위에 감광막 패턴을 형성하는 단계,Forming a photoresist pattern on the insulation layer; 상기 절연막에 상기 제1 기판을 노출하는 개구부를 형성하는 단계,Forming an opening in the insulating layer to expose the first substrate, 상기 개구부에 차광막을 형성하는 단계,Forming a light shielding film in the opening; 상기 절연막 및 상기 차광막 위에 색필터를 형성하는 단계,Forming a color filter on the insulating film and the light blocking film; 상기 색필터 위에 게이트선, 데이터선 및 상기 게이트선 및 데이터선과 연결되는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,Forming a thin film transistor connected to the gate line, the data line, and the gate line and the data line on the color filter; 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계Forming a pixel electrode connected to the thin film transistor 를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.Method of manufacturing a liquid crystal display comprising a. 제14항에서,The method of claim 14, 상기 제1 기판은 알칼리 글래스로 형성하는 액정 표시 장치의 제조 방법.The first substrate is formed of an alkali glass. 제15항에서,16. The method of claim 15, 상기 절연막에 상기 제1 기판을 노출하는 개구부를 형성하는 단계는Forming an opening exposing the first substrate in the insulating film; 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 절연막을 식각하여 상기 제1 기판을 노출하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.And etching the insulating film using the photoresist pattern as a mask to expose the first substrate. 제16항에서,The method of claim 16, 상기 개구부에 차광막을 형성하는 단계는Forming a light shielding film in the opening 상기 개구부 및 상기 감광막 패턴 위에 차광 부재를 형성하는 단계,Forming a light blocking member on the opening and the photoresist pattern; 리프트 오프 공정을 실시하여 상기 감광막 패턴 및 상기 감광막 패턴 위에 형성된 상기 차광 부재를 제거하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.And removing the photoresist pattern and the light blocking member formed on the photoresist pattern by performing a lift-off process.
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