KR20100079327A - 상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마표면처리장치 - Google Patents

상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마표면처리장치 Download PDF

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Abstract

상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치를 제공한다. 상기 상압 플라즈마 발생장치는 외부로부터 도입된 반응가스가 흐를 수 있는 이동통로를 내부에 형성하고 있으며, 상기 이동통로로 반응가스 도입을 위한 가스공급포트와, 상기 가스공급포트로부터 이동통로로 도입된 반응가스 분산 배출을 위해 상기 이동통로와 연통되어 상부로 노출되는 다수의 가스분배포트를 가진 전원전극; 상기 전원전극과 상하로 일정한 간격을 두고 이격 배치되며, 상기 전원전극과 반응하여 상기 전원전극과의 사이에 플라즈마를 생성하는 접지전극; 및 상부가 개방되어 상기 접지전극과 대면하는 상기 전원전극의 상면이 노출 가능하도록 전원전극의 하면 및 측면을 감싸며, 상기 가스분배포트에 의해 분산 배출된 반응가스가 통과하는 분배통공이 일정한 간격으로 이격 형성된 가스분배단이 측면 상단부를 따라 외향 돌출된 유전체;를 포함하여 구성됨을 요지로 하며, 상압 플라즈마 표면처리장치는 상기한 구성의 상압 플라즈마 발생장치 및 상압 플라즈마 발생장치를 통해 발생된 플라즈마 가스에 피처리 대상물의 표면이 노출되도록 피처리 대상물을 이송시키는 이송수단을 포함하여 구성됨을 요지로 한다.
상압 플라즈마, 세정, 전원전극, 접지전극

Description

상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치{Atmospheric pressure plasma generating device and atmospheric pressure plasma device for treating the surface having the same}
본 발명은 상압 플라즈마 발생장치 및 상압 플라즈마 표면처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대기압하에서 방전에 의해 플라즈마를 발생시키고 외부로 분사하며 가공대상물의 표면을 처리할 수 있는 전극구조를 가지는 상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치에 관한 것이다.
플라즈마 발생장치는 금속 및 비금속물질의 표면개질, 전자부품과 반도체 웨이퍼의 세정공정 등 다양한 분야에 응용된다. 종래 대부분의 산업용 플라즈마 발생장치는 진공에 가까운 저압을 유지하여 플라즈마를 발생시키는 진공 플라즈마 장치가 채택되고 있으나, 이는 진공을 이루기 위한 조건이 까다롭고, 장치가 대형화되는 등 많은 제약이 뒤따른다. 따라서 최근 들어 점차 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시키는 상압 플라즈마 발생장치로의 전환이 시도되고 있다.
도 1은 종래 일반적인 수직형 구조의 상압 플라즈마 발생장치를 개략적으로 도시한 도면으로서, 상기 수직형 구조의 상압 플라즈마 발생장치는, 가스가 유전체의 충전 및 방전에 의해 플라즈마를 발생시키는 제1유전체(101)와 제2유전체(102) 사이에 형성되는 격벽 유전체 공간(105)으로 유입되며, 상기 제1유전체(101)와 제2유전체(102)는 평판형상으로 가스의 유입 및 플라즈마 분사방향에 대해 수직을 이루며 마주보고 있는 수직평행 대향형을 이루도록 설치되고, 제1유전체(101) 및 제2유전체(102)상에 교류전압을 인가하기 위해 제1유전체(101)상에 전원전극(104), 제2유전체(102)상에 접지전극(103)이 각각 형성된 구성을 가진다.
상기 상압 플라즈마 발생장치에 의하면, 상기 제1유전체(101) 및 제2유전체(102) 사이에 일정한 밀도를 유지하도록 공급하고 전원전극(104)에 고주파 전원을 인가하면, 전원전극(104)과 접지전극(103) 사이의 유전체 공간(105)에 전기장이 형성되고, 가스도입경로(108)를 통해 상기 유전체 공간(105)으로 유입되는 반응가스가 전기장에 의해 해리되면서 플라즈마가 발생된다. 이처럼 발생된 플라즈마는 가스방출구(106)를 통해 하향 분사되어 장치 하측에 설치된 이송장치(160)에 의해 일측으로 이송중인 피처리 대상물(130)의 표면을 개질 하거나, 세정, 또는 살균처리 등과 같은 표면처리에 이용된다.
상기한 종래 상압 플라즈마 발생장치는 초기에 반응가스를 점화시켜 반응가스에 대한 전기적 반응이 일어나도록 하기 위해서는 매우 높은 개시전압이 필요하다. 이처럼 높은 개시전압을 만족시키기 위해서는 고주파 전원(20)을 사용해야 하지만 높은 개시전압으로 인하여 장치 과열의 우려가 있어, 종래 상압 플라즈마 발 생장치의 경우, 장치 과열을 방지할 목적으로 별도의 냉각수단(Process Cooling Water, 미도시)이 채택되어야만 했다.
또한, 상기 유전체 공간(105)에서의 전기적 반응에 의해 발생한 플라즈마 가스를 이용하여 피처리 대상물 표면을 처리함에 있어 표면처리 효과를 높이기 위해서는, 상기 가스방출구(106)을 통해 방출되는 플라즈마의 온도가 적정수준을 유지해야 하고 적정수준의 온도를 유지시키기 위해서는 별도의 가열수단(미도시)이 채택되어야만 했으며, 상기 반응가스를 유전체 공간(105)으로 도입시킴에 있어 유전체 공간 전반에 걸쳐 반응가스가 고르게 분배될 수 있도록 별도의 가스 분배 장치(미도시) 또한 요구되어야만 했다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 장치 과열 방지를 위한 별도의 냉각수단과, 피처리 대상물에 대한 표면처리 효율을 높이기 위해 방출되는 플라즈마 가스 온도를 표면처리에 적합한 적정수준으로 유지시키는 별도의 가열수단 및 반응공간으로 도입되는 반응가스의 고른 분배를 위한 별도의 가스 분배 장치 없이도 보다 안정적이면서 균일한 품질의 플라즈마 가스를 생성할 수 있는 상압 플라즈마 발생장치 및 이를 구비한 상압 플라즈마 표면처리장치를 제공하는 데에 있다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 수단으로서 본 발명은, 대향 전극간의 고주파 전계에 따라 도입된 반응가스를 플라즈마화 하는 상압 플라즈마 발생장치로서, 외부로부터 도입된 반응가스가 흐를 수 있는 이동통로를 내부에 형성하고 있으며, 상기 이동통로로 반응가스 도입을 위한 가스공급포트와, 상기 가스공급포트로부터 이동통로로 도입된 반응가스 분산 배출을 위해 상기 이동통로와 연통되어 상부로 노출되는 다수의 가스분배포트를 가진 전원전극; 상기 전원전극과 상하로 일정한 간격을 두고 이격 배치되며, 상기 전원전극과 반응하여 상기 전원전극과의 사이에 플라즈마를 생성하는 접지전극; 및 상부가 개방되어 상기 접지전극과 대면하는 상기 전원전극의 상면이 노출 가능하도록 전원전극의 하면 및 측면을 감싸며, 상기 가스분배포트에 의해 분산 배출된 반응가스가 통과하는 분배통공이 일정한 간격으로 이격 형성된 가스분배단이 측면 상단부를 따라 외향 돌출된 유전체;를 포함하는 상압 플라즈마 발생장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 있어 상기 가스공급포트는, 상기 전원전극의 일측 중앙에 전원전극 상면으로 노출가능하게 형성되며, 상기 가스공급포트에는 반응가스 도입을 위한 도입관이 분리 가능하게 연결된다.
그리고, 상기 전원전극에 형성된 다수의 가스분배포트는, 가로세로 n*m의 직사각 형태의 배열을 가지도록 구성함이 바람직하다.
또한, 상기 유전체에 형성된 분배통공은, 상기 가스분배단의 길이방향으로 다수가 일정한 간격으로 직렬 배치되는 배열을 가지도록 구성함이 바람직하다.
이때, 상기 유전체에 형성된 분배통공의 개수는, 상기 전원전극의 가스분배포트 형성개수와 같거나 적어도 많은 것이 바람직하다.
본 발명에서의 상기 접지전극은, 상기 가스분배단을 포함하는 유전체의 평면 면적에 대응하는 평면 면적을 갖는 평판형상의 플레이트일 수 있다.
다르게, 본 발명에서의 상기 접지전극은, 상기 가스분배단을 포함하는 유전체의 평면 면적에 대응하는 평면 면적을 가지며, 상기 전원전극과 접지전극이 반응하여 생성된 플라즈마 가스가 통과가능하도록 일정한 밀도로 상하로 관통형성되는 다수의 분사통공이 형성된 평판형상의 플레이트일 수 있다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 다른 수단으로서 본 발명은, 플라즈마 가스를 이용하여 피처리 대상물에 대한 표면처리를 수행하는 장치로서, 전술한 상압 플라즈마 발생장치; 및 상기 상압 플라즈마 발생장치를 통해 발생된 플라즈마 가스에 피처리 대상물의 표면이 노출되도록 피처리 대상물을 이송하는 이송수단;를 포함하는 상압 플라즈마 표면처리장치를 제공한다.
이때, 상기 이송수단은, 상기 상압 플라즈마 발생장치의 전원전극과 접지전극 사이의 반응공간에 위치하거나, 상기 상압 플라즈마 발생장치의 접지전극 하부에 위치하는 구성일 수 있다.
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의하면, 외부로부터 전원전극으로 도입되는 반응가스가 전원전극과 유연체에 각각 형성된 다수의 가습공급포트 및 분배통공을 거쳐 1, 2차에 걸쳐 접지전극과의 사이에 존재하는 반응공간으로 고르게 분산 도입될 수 있는 구조를 가진다. 즉, 반응가스를 반응공간으로 고르게 분산 도입 시키기 위해 종래 기술에서 필수적으로 요구되던 가스 분배 장치가 없이도 반응가스를 반응공간으로 고르게 분산 도입시킬 수 있으며, 이에 따라, 피처리 대상물 전반에 걸쳐 안정적이고 균일한 플라즈마 표면처리를 수행할 수 있다.
또한, 플라즈마 반응이 일어나기 전 외부로부터 도입되어 위와 같이 1, 2차에 걸쳐 장치 전반에 고르게 분산되는 반응가스를 이용하면 별도의 냉각수단 없이도 장치과열을 효과적으로 방지할 수 있으며, 반응가스를 이용하여 장치를 냉각시키는 과정에서 장치로부터 발생한 열을 상기 반응가스가 흡수하여 플라즈마 반응 후 생성된 플라즈마 가스는 별도의 가열수단 없이도 피처리 대상물의 표면처리에 적합한 온도로 변환될 수 있다는 구조적 장점을 가진다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치의 전반적인 구성을 개략적으로 나타낸 개략 단면도이며, 도 3은 도 2에 나타난 상압 플라즈마 표면처리장치의 개략 측면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치에 적용된 상압 플라즈마 발생장치의 평면도이다. 그리고 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 상압 플라즈마 표면처리 장치의 전반적인 구성을 개략적으로 나타낸 개략 측면도이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 상기 상압 플라즈마 표면처리장치는 플라즈마 가스를 이용하여 피처리 대상물에 대한 표면처리를 수행하는 장치로서, 상압 플라즈마 발생장치(100) 및 상기 상압 플라즈마 발생장치에서 방출되는 플라즈마 가스의 분사영역으로 피처리 대상물을 이송시키는 이송수단(200)을 포함한다.
상기 상압 플라즈마 발생장치(100)는 대향 전극간의 고주파 전계에 따라 외부에서 도입된 반응가스를 플라즈마화 시키고, 상기 이송수단(200)은 상기 상압 플라즈마 발생장치(100) 사이(도 2 실시예) 또는 이격된 위치(도 5 다른 실시예)에서 상기 상압 플라즈마 발생장치(100)를 통해 방출되는 플라즈마 가스에 피처리 대상물(10)을 노출시키면서 일측으로 이송시켜 플라즈마 가스를 통해 표면처리가 이루어질 수 있도록 한다.
도시된 도면을 다시 참조하면, 상기 상압 플라즈마 발생장치(100)는 고주파 전원이 전기적으로 연결되어 고주파 전압을 인가받는 전원전극(120), 전원전극(120)과 일정한 이격간격을 두고 배치되어 전원전극(120)과 반응하여 그 사이의 반응공간(130)에 전기장이 형성되도록 하는 접지전극(130) 및 상기 전원전극(120)과 접지전극(130) 사이의 절연 확보를 목적으로 전원전극(120) 둘레를 감싸는 유전체(140)를 포함하여 구성된다.
전원전극(120)은 전기적 반응성이 우수한 금속을 소재로 하며, 상기 접지전극(130)과 전기적으로 반응하여 피처리 대상물(10) 표면처리에 적합한 수준의 플라즈마를 생성할 수 있을 정도의 반응면적을 가진다면 무리없이 적용가능하고, 상기 접지전극(130) 사이의 반응공간(110)에서 외부로부터 도입된 반응가스에 대한 전기 적 반응이 일어날 수 있도록 외부의 고주파 저전압(부호생략)의 전원과 연결되어 전원을 제공받는다.
본 발명에서 상기 전원전극(120)은 외부로부터 도입된 반응가스가 흐를 수 있는 이동통로(121)를 내부에 형성한 전체적으로 중공타입으로 이루어지고, 상기 이동통로(121)로 반응가스 도입을 위하여 상기 이동통로(121)와 연통되는 가스공급포트(122)를 구비한다. 그리고 상기 가스공급포트(122)로부터 이동통로(121)로 도입된 반응가스 분산 배출을 위한 다수의 가스분배포트(124)가 상기 이동통로(121)로부터 상기 전원전극(120)의 상부면으로 노출되는 형태의 구성을 가진다.
반응가스 도입을 위해 상기 전원전극(120)에 형성된 상기 가스공급포트(122)는 상기 전원전극(120)의 일측 중앙에 전원전극(120) 상면으로 노출가능하게 형성되고, 이러한 가스공급포트(122)에는 반응가스 도입을 위한 도입관(미도시)이 분리 가능하게 연결된다. 그리고 상기 전원전극(120)에 형성된 다수의 가스분배포트(124)는 가로세로 n*m의 직사각 형태의 배열을 가져서, 전원전극(120)의 이동통로(121)로 도입된 반응가스는 전원전극(120)을 거치면서 지정 압력과 분배율로 전원전극 상부 전반에 걸쳐 고르게 방출될 수 있다.
본 발명에서의 상기 가스분배포트(124)는 반응가스를 신뢰성있게 분배하여 전원전극 전반에 걸쳐 고른 방출이 가능하다면 그 형상 및 형성 개수가 특정한 형상 및 지정개수에 한정됨이 없이 적용가능하지만, 이를 통해 방출되는 반응가스의 속도와 압력 손실을 최소화하면서 보다 균일한 분배 방출이 이루어지기 위해서는 도면의 도시와 같이 원기둥 형상을 가지면서 가로세로 n*m의 직사각 형태의 배열을 가지는 것이 바람직하며, 상기 가스분배포트(124)의 각도 및 분포 배열을 다르게 형성하거나 조정시킴으로써, 피처리 대상물의 처리조건에 맞추어 상기 가스분배포트(124)를 통해 분배 방출되는 반응가스의 방출압력 및 분배율 등을 다양하게 조정할 수 있다.
유전체(140)는 전극사이의 절연을 확보하여 상기 전원전극(120)과 접지전극(130) 사이의 안정적인 전기적 반응을 유도하기 위해 설치된다. 본 발명에서의 상기 유전체(140)는 상부가 개방되어 가스공급포트(122) 및 가스분배포트(124)가 노출된 전원전극(120) 상면을 제외한 전원전극 측면 및 하면을 감쌀 수 있는 형상을 가지며, 상기 가스분배포트(124)에 의해 분산 배출된 반응가스가 통과하면서 재차 분배가 이루어 질 수 있도록 분배통공(142)이 일정한 간격으로 이격 형성된 가스분배단(141)이 측면 상단부를 따라 외향 돌출된 구성을 가진다.
상기 유전체(140)에 분배통공(142)을 형성함에 있어 상기 분배통공(142)은, 상기 가스분배단(141)의 길이방향으로 다수가 일정한 간격으로 직렬 배치되는 배열을 가지면서 상기 전원전극(120)의 가스분배포트(124) 형성개수와 같거나 적어도 많게 구성함으로써, 전원전극(120)을 거쳐 1차 분배된 반응가스가 전원전극(120)과 접지전극(130) 사이의 반응공간(110)으로 도입됨에 있어 보다 고른 분포도를 가지면서 반응공간(110)으로 도입될 수 있도록 함이 바람직하다.
본 발명에서 상기 전원전극(120) 상면을 제외한 표면을 감싸는 유전체(140) 소재로는 석영, 실리콘, 유리, 알루미나, 세라믹 등이 바람직하지만, 피처리 대상물(10)의 처리조건에 따라 부 상기 소재 이외에도 공지된 다른 소재의 유전체가 적 용될 수 있으며, 상기 유전체(140)를 전원전극(120) 표면에 부착 내지 코팅방법에 대해서는 처리대상물 및 사용조건에 따라 당업계의 공지기술 중에서 적합한 것을 선택적용을 하는 것이 바람직하다.
접지전극(130)은 반응공간(110)을 사이에 두고 상기 전원전극(120)과 이격 배치되며, 상기 전원전극(120)으로 공급되는 전원에 의해 상기 전원전극(120)과 반응하여 그 사이의 반응공간(130)에 전기장을 형성시킨다. 전기장이 형성된 상태에서 상기 전원전극(120) 및 유전체(140)를 통해 반응공간(110)으로 반응가스를 고른 분포로 도입시키면, 상기 전원전극(120)과 접지전극(130) 사이의 전기적 반응에 의해 상기 도입된 반응가스는 플라즈마 상태로 변환되고 이송수단(200) 상의 피처리 대상물(10) 표면에 분사되어 표면처리가 수행된다.
본 발명에서의 상기 접지전극(130)은 도 1의 제1 실시예에서와 같이 상기 가스분배단(141)을 포함하는 유전체(140)의 평면 면적에 대응하는 평면 면적을 갖는 단순 평판형상의 플레이트(130a)이거나, 도 5의 제2 실시예에서 처럼 상기 가스분배단(141)을 포함하는 유전체(140)의 평면 면적에 대응하는 평면 면적을 가지며, 상기 전원전극(120)과 접지전극(130)이 반응하여 생성된 플라즈마 가스가 통과가능하도록 일정한 밀도로 상하로 관통형성되는 다수의 분사통공(132)을 형성한 평판형상의 플레이트(130b)일 수 있다.
제1 실시예에서와 같이 유전체(140)의 평면 면적에 대응하는 평면 면적을 갖는 단순 평판형상의 플레이트(130a)인 경우이면, 피처리 대상물(10)을 이송시키는 이송수단(200)이 전원전극(120)과 접지전극(130) 사이의 반응공간(110)에 위치하여 반응공간(110)으로부터 방전된 플라즈마 가스의 고압확산을 통해 표면처리를 수행함으로써 고효율의 표면처리가 가능한 확산형 구조를 구현할 수 있으며, 제2 실시예에서와 같이 다수의 분사통공(132)이 형성된 평판형상의 플레이트(130b) 형상인 경우이면, 피처리 대상물(10)을 이송시키는 이송수단(200)이 접지전극(130) 하부에 위치함으로써 전반에 걸쳐 안정적이고 균일한 플라즈마 표면처리가 이루어질 수 있는 Remote 타입을 구현할 수 있다..
따라서, 상기 접지전극(130)은 선택은 피처리 대상물의 재질, 면적, 처리형태(세정, 표면개질, 살균), 처리시간 등 다양한 조건을 고려하여 피처리 대상물(10)의 표면처리에 적합한 전극을 선택 적용함으로써, 이송수단(200)을 통해 플라즈마 발생장치를 통과하는 피처리 대상물(10) 전반에 걸쳐 안정적이고 균일한 플라즈마 표면처리가 이루어질 수 있도록 함이 바람직하다.
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 외부로부터 전원전극(120)으로 도입되는 반응가스가 전원전극(120)과 유전체(140)에 각각 형성된 다수의 가스분배포트(124) 및 분배통공(142)을 거쳐 1, 2차에 걸쳐 접지전극(130)과의 사이에 존재하는 반응공간(110)으로 고르게 분산 도입된다. 즉, 본 발명은 반응가스를 반응공간(110)으로 고르게 분산 도입시키기 위해 종래 기술에서 필수적으로 요구되던 가스 분배 장치가 없이도 반응가스를 반응공간(110)으로 고르게 분산 도입시킬 수 있으며, 결국 균일한 플라즈마 방전이 가능해 처리 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 플라즈마 반응이 일어나기 전 외부로부터 전원전극(120)으로 도입된 반응가스가 위와 같이 1, 2차에 걸쳐 장치 전반에 고르게 분산되므로, 이처럼 장치 내부에서 고르게 분사되는 반응가스(N2 또는 Ar)를 이용하면 종래 PCW(Process Cooling Water)와 같은 별도의 냉각수단 없이도 플라즈마 방전 시 발생하는 열을 보다 효과적으로 냉각시킬 수 있다는 이점이 있다.
또, 상기 반응가스를 이용하여 장치를 냉각시키는 과정에서 장치로부터 발생한 열을 상기 반응가스가 흡수하므로, 플라즈마 반응 후 생성된 플라즈마 가스는 별도의 가열수단 없이도 피처리 대상물의 표면처리에 적합한 온도로 변환될 수 있다. 결과적으로, 피처리 대상물 표면에 대한 세정처리 시 세정효과 향상을 위한 별도의 장비(플라즈마 가열수단)가 요구되지 않는 구조적 이점 또한 가진다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되는 것이 아니고, 상기 실시예들을 기존의 공지기술과 단순히 조합적용한 실시예와 함께 본 발명의 특허청구범위와 상세한 설명에서 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 변형하여 이용할 수 있는 기술은 본 발명의 기술범위에 당연히 포함된다고 보아야 할 것이다.
도 1은 종래 일반적인 수직형 상압 플라즈마 세정장치를 도시한 개략도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치의 전반적인 구성을 개략적으로 나타낸 개략 단면도.
도 3은 도 2에 나타난 상압 플라즈마 표면처리장치의 개략 측면도.
도 4는 본 발명에 따른 상압 플라즈마 표면처리장치에 적용된 상압 플라즈마 발생장치의 평면도.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 상압 플라즈마 표면처리 장치의 전반적인 구성을 개략적으로 나타낸 개략 측면도.
<도면에 사용된 주요 부분에 대한 부호설명>
10...피처리 대상물 100...상압 플라즈마 발생장치
110...반응공간 120...전원전극
121...이동통로 122...가스공급포트
124...가스분배포트 130a, 130b...접지전극
140...유전체 141...가스분배단
142...분배통공 200...이송수단

Claims (10)

  1. 대향 전극간의 고주파 전계에 따라 도입된 반응가스를 플라즈마화 하는 상압 플라즈마 발생장치로서,
    외부로부터 도입된 반응가스가 흐르는 이동통로를 내부에 형성하고 있으며, 상기 이동통로로 반응가스 도입을 위한 가스공급포트와, 상기 가스공급포트로부터 이동통로로 도입된 반응가스 분산 배출을 위해 상기 이동통로와 연통되어 상부로 노출되는 다수의 가스분배포트를 가진 전원전극;
    상기 전원전극과 상하로 일정한 간격을 두고 이격 배치되며, 상기 전원전극과 반응하여 상기 전원전극과의 사이에 플라즈마를 생성하는 접지전극; 및
    상부가 개방되어 상기 접지전극과 대면하는 상기 전원전극의 상면이 노출 가능하도록 전원전극의 하면 및 측면을 감싸며, 상기 가스분배포트에 의해 분산 배출된 반응가스가 통과하는 분배통공이 일정한 간격으로 이격 형성된 가스분배단이 측면 상단부를 따라 외향 돌출된 유전체;를 포함하는 상압 플라즈마 발생장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스공급포트는,
    상기 전원전극의 일측 중앙에 전원전극 상면으로 노출가능하게 형성되며, 상기 가스공급포트에는 반응가스 도입을 위한 도입관이 분리 가능하게 연결됨을 특징 으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전원전극에 형성된 다수의 가스분배포트는,
    가로세로 n*m의 직사각 형태의 배열을 갖는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전체에 형성된 분배통공은,
    상기 가스분배단의 길이방향으로 다수가 일정한 간격으로 직렬 배치됨을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전체에 형성된 분배통공의 개수는,
    상기 전원전극의 가스분배포트 형성개수와 같거나 적어도 많은 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 접지전극은,
    상기 가스분배단을 포함하는 유전체의 평면 면적에 대응하는 평면 면적을 갖는 평판형상의 플레이트인 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 접지전극은,
    상기 가스분배단을 포함하는 유전체의 평면 면적에 대응하는 평면 면적을 가지며, 상기 전원전극과 접지전극이 반응하여 생성된 플라즈마 가스가 통과가능하도록 일정한 밀도로 상하로 관통형성되는 다수의 분사통공이 형성된 평판형상의 플레이트인 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 발생장치.
  8. 플라즈마 가스를 이용하여 피처리 대상물에 대한 표면처리를 수행하는 장치로서,
    상기 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 상압 플라즈마 발생장치; 및
    상기 상압 플라즈마 발생장치를 통해 발생된 플라즈마 가스에 피처리 대상물 의 표면이 노출되도록 피처리 대상물을 이송하는 이송수단;을 포함하는 상압 플라즈마 표면처리장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 이송수단은,
    상기 상압 플라즈마 발생장치의 전원전극과 접지전극 사이의 반응공간에 위치하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 표면처리장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 이송수단은,
    상기 상압 플라즈마 발생장치의 접지전극 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 상압 플라즈마 표면처리장치.
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