KR20100078526A - Apparatus for plasma processing - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A plasma process apparatus is provided to uniformly distribute the plasma on the front area of the substrate by partially controlling a spacing distance between a shower head and a stage according to the strength of the high frequency power applied to the shower head. CONSTITUTION: A chamber(110) offers the process space which is sealed tight. A stage(120) is located on the lower part of the chamber. The stage supports the substrate(S) carried in into the chamber. A first cooling plate(121) is arranged on the stage for cooling substrate. A shower head(130) is located on the top of the chamber. The shower head is connected with a supply tube(10) of source gas(G) supplied from the outside.

Description

플라즈마 처리장치{Apparatus for plasma processing }Apparatus for plasma processing

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판의 박막 증착 또는, 기판의 박막 식각에 사용되는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus used for thin film deposition of a substrate or thin film etching of a substrate.

기판에 박막을 증착하는 공정, 또는 기판에 형성된 박막을 식각하는 공정에는 플라즈마 처리장치가 사용된다. 플라즈마 처리장치는 진공이 유지되는 챔버 내부로 원료가스를 공급하고 원료가스에 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 장치이다.In the process of depositing a thin film on a substrate or the process of etching a thin film formed on the substrate, a plasma processing apparatus is used. The plasma processing apparatus is a device for supplying a source gas into a chamber in which vacuum is maintained and generating a plasma in the source gas to process a substrate.

일반적인 플라즈마 처리장치는 진공이 유지되는 챔버, 챔버의 상부에 배치되어 챔버로 공급되는 원료가스를 챔버 내부로 분사시키는 샤워헤드 및 챔버의 하부에 배치되어 기판을 지지하는 스테이지로 구성된다.A typical plasma processing apparatus includes a chamber in which a vacuum is maintained, a shower head disposed above the chamber and injecting a source gas supplied to the chamber into the chamber, and a stage disposed below the chamber to support the substrate.

이러한 플라즈마 처리장치는 원료가스를 챔버 내부로 분사시키는 동시에, 스테이지가 접지되는 상태에서 샤워헤드에 고주파 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마는 원료를 기판으로 전송하여 기판에 박막을 형성하거나, 기판의 박막을 식각할 수 있도록 한다.Such a plasma processing apparatus injects a source gas into a chamber and simultaneously generates high-frequency power to the shower head while the stage is grounded. The plasma transmits the raw material to the substrate to form a thin film on the substrate or to etch the thin film of the substrate.

하지만 종래의 플라즈마 처리장치에 포함되는 샤워헤드는 스테이지를 향한 면이 동일한 평면을 가지도록 형성된다. 이에 따라 챔버 내에서 발생되는 플라즈마는 샤워헤드로 인가되는 고주파 전원의 분포에 따라 불균일하게 확산될수 있다.However, the shower head included in the conventional plasma processing apparatus is formed to have the same plane facing the stage. Accordingly, the plasma generated in the chamber may be unevenly spread according to the distribution of the high frequency power applied to the shower head.

이와 같이 플라즈마가 챔버 내에서 불균일하게 확산된 상태에서 기판을 처리하면, 기판 중앙부와 가장자리부에서 박막의 두께가 불균일하게 형성되어 기판의 품질을 저하시키는 문제점이 있다. As described above, when the substrate is processed in a state where the plasma is unevenly diffused in the chamber, the thickness of the thin film is unevenly formed at the center and the edge of the substrate, thereby degrading the quality of the substrate.

이러한 문제점은 기판이 대면적화 됨에 따라 더욱 심각하게 발생된다. This problem occurs more seriously as the substrate becomes larger.

본 발명의 목적은 기판의 전면적에 대해 플라즈마를 균일하게 분포시키도록 한 플라즈마 처리장치를 제공하기 위한 것이다.It is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus for uniformly distributing a plasma over the entire surface of a substrate.

플라즈마 처리장치는 밀폐되는 처리공간을 제공하는 챔버;상기 챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 스테이지;및 상기 챔버의 내부에서 상기 스테이지와 대향되어 상기 기판의 처리를 위해 공급되는 원료가스를 상기 스테이지에 지지되는 상기 기판 측으로 분사하며, 상기 스테이지를 향한 면에 단차가 형성되어 중앙부와 가장자리부가 서로 다른 평면을 가지는 샤워헤드;를 포함한다.A plasma processing apparatus may include: a chamber providing a processing space that is sealed; a stage disposed in the chamber to support a substrate; and a source gas supplied to process the substrate to face the stage in the chamber; And a shower head which is sprayed to the substrate side supported by the step, and a step is formed on a surface facing the stage so that the center portion and the edge portion have different planes.

상기 샤워헤드는 상기 원료가스를 상기 스테이측으로 분사하는 분사판을 포함하며, 상기 분사판은 중앙부에 배치되는 제1 분사판;및 가장자리부에 배치되며, 상기 제1 분사판으로부터 분리가능한 제2 분사판을 포함할 수 있다.The shower head includes a jet plate for injecting the raw material gas to the stay side, the jet plate is a first jet plate disposed in the center portion; and a second jet disposed in the edge portion, the second injection plate is removable from the first jet plate It may include a plate.

상기 제1 분사판은 상기 제2 분사판으로부터 상기 스테이지 측으로 돌출될 수 있다.The first jet plate may protrude from the second jet plate toward the stage.

상기 제2 분사판은 상기 제1 분사판으로부터 상기 스테이지 측으로 돌출될 수 있다.The second jet plate may protrude toward the stage from the first jet plate.

상기 분사판은 상기 제1 분사판과 상기 제2 분사판의 사이에 배치되는 기밀부재를 더 포함할 수 있다.The jet plate may further include an airtight member disposed between the first jet plate and the second jet plate.

상기 샤워헤드는 내부에 상기 원료가스를 확산시키는 확산공간이 형성되며, 상기 확산공간의 하부에 배치되어 상기 확산공간에서 확산된 상기 원료가스를 분배하는 분배판을 더 포함할 수 있다.The shower head may further include a distribution plate having a diffusion space for diffusing the source gas therein, and disposed below the diffusion space to distribute the source gas diffused in the diffusion space.

상기 플라즈마 처리장치는 상기 샤워헤드의 내부에 배치되어 샤워헤드를 냉각시키는 냉각판을 더 포함할 수 있다.The plasma processing apparatus may further include a cooling plate disposed inside the shower head to cool the shower head.

상기 플라즈마 처리장치는 상기 챔버의 외벽과 상기 샤워헤드의 외벽 및 상기 챔버의 외벽과 상기 스테이지의 외벽에 배치되며, 상기 샤워헤드와 상기 스테이지의 사이에서 발생하는 플라즈마가 상기 샤워헤드와 상기 스테이지의 사이 이외의 공간으로 확산되는 것을 차단하는 차단막을 더 포함할 수 있다.The plasma processing apparatus is disposed on an outer wall of the chamber, an outer wall of the shower head, an outer wall of the chamber, and an outer wall of the stage, and plasma generated between the shower head and the stage is disposed between the shower head and the stage. It may further include a barrier film to block the diffusion to other spaces.

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 기판의 전면적에 대해 플라즈마를 균일하게 분포시킬 수 있으므로, 기판 박막의 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. Plasma processing apparatus according to the present invention can distribute the plasma uniformly over the entire surface of the substrate, there is an effect that can improve the quality of the substrate thin film.

이하, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. Hereinafter, a plasma processing apparatus according to the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 샤워헤드를 나타낸 사시도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 플라즈마 처리장치는 챔버(110), 스테이지(120) 및 샤워헤드(130)를 포함한다.1 is a cross-sectional view showing a plasma processing apparatus according to the present embodiment, Figure 2 is a perspective view showing a shower head of the plasma processing apparatus according to the present embodiment. 1 and 2, the plasma processing apparatus includes a chamber 110, a stage 120, and a showerhead 130.

챔버(110)는 밀폐되는 처리공간(111)을 제공한다. 도시되지 않았지만 챔버(110)의 일측벽에는 기판(S)의 반입 및 반출을 위한 게이트밸브(미도시)와, 처리공간(111)을 배기시켜 처리공간(111)을 진공상태로 유지하는 진공배기부(미도시)를 포함하는 것이 바람직하다. The chamber 110 provides a processing space 111 that is sealed. Although not shown in the drawing, one side wall of the chamber 110 may include a gate valve (not shown) for loading and unloading the substrate S, and a vacuum pump for evacuating the processing space 111 to maintain the processing space 111 in a vacuum state. It is preferable to include a base (not shown).

스테이지(120)는 챔버(110)의 하부에 배치된다. 스테이지(120)는 챔버(110)로 반입되는 기판(S)을 지지한다. 스테이지(120)에는 기판(S)을 냉각시키는 제1 냉각판(121)이 배치된다. 제1 냉각판(121)에는 제1 냉각라인(122)이 내장되며, 제1 냉각라인(122)으로 냉매를 순환시켜 공냉식, 또는 수냉식으로 기판을 냉각시킬 수 있다. 도시되지 않았지만 스테이지(120)는 기판(S)을 스테이지(120)에 고정시키기 위해 진공척, 정전척, 마그네틱척 등과 같은 기판 고정수단을 포함할 수 있다.The stage 120 is disposed below the chamber 110. The stage 120 supports the substrate S carried into the chamber 110. In the stage 120, a first cooling plate 121 for cooling the substrate S is disposed. A first cooling line 122 may be built in the first cooling plate 121, and the substrate may be cooled by air cooling or water cooling by circulating a refrigerant through the first cooling line 122. Although not shown, the stage 120 may include substrate fixing means such as a vacuum chuck, an electrostatic chuck, a magnetic chuck, and the like to fix the substrate S to the stage 120.

샤워헤드(130)는 챔버(110)의 상부에 배치되어 스테이지(120)와 대향된다. 샤워헤드(130)에는 외부로부터 공급되는 원료가스(G)의 공급관(10)이 연결된다. 샤워헤드(130)의 내부에는 공급관(10)을 통해 공급되는 원료가스(G)가 확산되는 확산공간(131)이 형성된다. The showerhead 130 is disposed above the chamber 110 to face the stage 120. The shower head 130 is connected to the supply pipe 10 of the raw material gas (G) supplied from the outside. A diffusion space 131 through which the raw material gas G supplied through the supply pipe 10 is diffused is formed in the shower head 130.

확산공간(131)의 하부에는 확산공간(131)에서 확산된 원료가스(G)를 균일하게 분배하는 분배판(132)이 배치된다. 분배판(132)은 서로 균일한 간격으로 이격되 는 복수의 분배구(132a)를 포함한다. 분배판(132)의 하측에는 분배판(132)에 의해 균일하게 분배된 원료가스(G)를 스테이지(120) 측으로 분사하는 분사판(135)이 배치된다. 분사판(135)은 서로 균일한 간격으로 이격되는 복수의 분사구(135a)를 포함한다. A distribution plate 132 is disposed below the diffusion space 131 to uniformly distribute the source gas G diffused in the diffusion space 131. The distribution plate 132 includes a plurality of distribution holes 132a spaced apart from each other at uniform intervals. Below the distribution plate 132, a jet plate 135 for injecting the raw material gas G uniformly distributed by the distribution plate 132 toward the stage 120 is disposed. The injection plate 135 includes a plurality of injection holes 135a spaced apart from each other at uniform intervals.

분사판(135)은 중앙부와 가장자리부가 서로 다른 평면을 가지도록 단차가 형성된다. 즉, 분사판(135)은 중앙부에 배치되는 제1 분사판(133)과, 가장자리부에 배치되어 제1 분사판(133)과 분리되는 제2 분사판(134)을 포함한다. 제1 분사판(133)과 제2 분사판(134)의 사이에는 오-링과 같은 기밀부재(135b)가 배치된다. 기밀부재(135b)는 제1 분사판(133)과 제2 분사판(134)으로부터 원료가스(G)가 새어나가는 것을 방지한다. The jet plate 135 has a step so that the center portion and the edge portion have different planes. That is, the jet plate 135 includes a first jet plate 133 disposed in the center portion and a second jet plate 134 disposed on the edge portion and separated from the first jet plate 133. An airtight member 135b such as an o-ring is disposed between the first and second jet plates 133 and 134. The airtight member 135b prevents the raw material gas G from leaking from the first jetting plate 133 and the second jetting plate 134.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 제2 분사판(134)은 제1 분사판(133)으로부터 스테이지(120) 측으로 돌출될 수 있으며, 다른 실시예로 도 3에 도시된 바와 같이 제1 분사판(133)은 제2 분사판(134)으로부터 스테이지(120) 측으로 돌출될 수 있다. 따라서 제1 분사판(133)과 샤워헤드(130) 간의 이격거리는 제2 분사판(134)과 샤워헤드(130) 간의 이격거리와 서로 다르게 형성된다. As shown in FIGS. 1 and 2, the second jet plate 134 may protrude from the first jet plate 133 toward the stage 120, and in another embodiment, the first jet plate 134 may be formed as shown in FIG. 3. The plate 133 may protrude from the second jetting plate 134 toward the stage 120. Therefore, the separation distance between the first jet plate 133 and the shower head 130 is formed differently from the separation distance between the second jet plate 134 and the shower head 130.

분사판(135)의 상부에는 분사판(135)을 냉각시키는 제2 냉각판(136)이 배치된다. 제2 냉각판(136)에는 제2 냉각라인(137)이 내장되며, 제2 냉각라인(137)으로 냉매를 순환시켜 공냉식, 또는 수냉식으로 샤워헤드(130)를 냉각시킬 수 있다. 제2 냉각판(136)은 복수의 분배구(132a)와 연통되는 복수의 관통홀(136a)이 형성되는 것이 바람직하다. The second cooling plate 136 for cooling the injection plate 135 is disposed above the injection plate 135. The second cooling plate 136 may include a second cooling line 137 and may circulate the refrigerant through the second cooling line 137 to cool the shower head 130 by air cooling or water cooling. The second cooling plate 136 preferably has a plurality of through holes 136a communicating with the plurality of distribution holes 132a.

한편, 플라즈마를 발생시키기 위해 샤워헤드(130)는 고주파 전원에 연결되고, 스테이지(120)는 접지된다. 챔버(110)의 내벽과 샤워헤드(130)의 외벽의 사이 및 챔버(110)의 내벽과 스테이지(120)의 외벽의 사이에는 플라즈마가 샤워헤드(130)와 스테이지(120)의 사이 이외 의 공간으로 확산되는 것을 방지하는 차단막(140)이 형성된다.Meanwhile, the showerhead 130 is connected to a high frequency power source and the stage 120 is grounded to generate plasma. Plasma between the inner wall of the chamber 110 and the outer wall of the shower head 130 and between the inner wall of the chamber 110 and the outer wall of the stage 120 is a space other than between the shower head 130 and the stage 120. A blocking film 140 is formed to prevent diffusion into the substrate.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 작동에 대해 설명하도록 한다. Hereinafter, an operation of the plasma processing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치로 원료가스가 공급되는 상태를 나타낸 단면도이다. 도 4를 참조하면, 게이트밸브(미도시)에 의해 챔버(110)가 개방되면, 기판(S)은 챔버(110)의 내부로 반입되어 스테이지(120)에 지지된다. 기판(S)이 스테이지(120)에 지지되면, 게이트밸브(미도시)에 의해 챔버(110)는 밀폐된다. 챔버(110)가 밀폐되면 진공배기부(미도시)는 처리공간(111)을 배기시켜 처리공간(111)을 진공상태로 유지시킨다.4 is a cross-sectional view illustrating a state in which source gas is supplied to the plasma processing apparatus according to the present embodiment. Referring to FIG. 4, when the chamber 110 is opened by a gate valve (not shown), the substrate S is carried into the chamber 110 and supported by the stage 120. When the substrate S is supported by the stage 120, the chamber 110 is closed by a gate valve (not shown). When the chamber 110 is sealed, the vacuum exhaust unit (not shown) exhausts the processing space 111 to maintain the processing space 111 in a vacuum state.

이후, 원료가스(G)는 공급관(10)을 통해 샤워헤드(130)로 공급된다. 원료가스(G)는 확산공간(131)에서 샤워헤드(130)의 내벽과 분배판(132)의 사이에서 원자가 충돌하여 확산된다. 확산된 원료가스(G)는 복수의 분배구(132a)를 통해 분사판(135)으로 균일하게 분배되며, 원료가스(G)의 공급압력에 의해 복수의 분사구(135a)를 통해 샤워헤드(130) 측으로 분사된다. Thereafter, the raw material gas G is supplied to the shower head 130 through the supply pipe 10. In the diffusion gas 131, the source gas G diffuses by colliding with atoms between the inner wall of the shower head 130 and the distribution plate 132. The diffused source gas G is uniformly distributed to the injection plate 135 through the plurality of distribution ports 132a, and the shower head 130 through the plurality of injection ports 135a by the supply pressure of the source gas G. Sprayed to the side.

동시에, 스테이지(120)가 접지된 상태에서 샤워헤드(130)로 고주파 전원이 인가된다. At the same time, the high frequency power is applied to the shower head 130 while the stage 120 is grounded.

도 5는 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 플라즈마가 발생되는 상태를 나타낸 단면도이다. 도 5를 참조하면, 고주파 전원은 제1 분사판(133)에 집중되고, 제2 분사판(134) 측으로 전달되면서 그 세기가 점차 감쇄될 수 있다. 이때 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 제1 분사판(133)과 샤워헤드(130) 간의 이격거리는 제2 분사판(134)과 샤워헤드(130) 간의 이격거리보다 크게 형성된다. 이에 따라 고주파 전계는 제1 분사판(133)과 샤워헤드(130)의 사이에서 보다 제2 분사판(134)과 샤워헤드(130)의 사이에서 더 우세하게 형성된다.5 is a cross-sectional view illustrating a state in which plasma is generated in the plasma processing apparatus according to the present embodiment. Referring to FIG. 5, the high frequency power may be concentrated on the first jet plate 133, and may be gradually attenuated while being transmitted to the second jet plate 134. 1 and 2, the separation distance between the first jetting plate 133 and the shower head 130 is greater than the separation distance between the second jetting plate 134 and the showerhead 130. Accordingly, the high frequency electric field is more predominantly formed between the second jet plate 134 and the shower head 130 than between the first jet plate 133 and the shower head 130.

따라서, 고주파 전원이 제1 분사판(133)에 집중되고, 제2 분사판(134) 측으로 전달되면서 그 세기가 점차 감쇄된다 하더라도, 샤워헤드(130)와 스테이지(120)의 사이에서 균일한 고주파 전계를 형성하여 기판(S)의 전면적에 대해 플라즈마를 균일하게 분포시킬 수 있다.Therefore, even if the high frequency power is concentrated on the first jet plate 133 and transmitted to the second jet plate 134, the intensity is gradually attenuated, evenly between the showerhead 130 and the stage 120. By forming an electric field, the plasma may be uniformly distributed over the entire area of the substrate S. FIG.

반면, 고주파 전원은 제2 분사판(134)에 집중되고, 제1 분사판(133) 측으로 전달되면서 그 세기가 점차 감쇄될 수 있다. 이때 도 3에 도시된 바와 같이 제1 분사판(133)과 샤워헤드(130) 간의 이격거리는 제2 분사판(134)과 샤워헤드(130) 간의 이격거리보다 작게 형성된다. 이에 따라 고주파 전계는 제2 분사판(134)과 샤워헤드(130)의 사이에서 보다 제1 분사판(133)과 샤워헤드(130)의 사이에서 더 우세하게 형성된다.On the other hand, the high frequency power is concentrated on the second jet plate 134, the intensity may be gradually reduced while being transmitted to the first jet plate 133 side. In this case, as shown in FIG. 3, the separation distance between the first jetting plate 133 and the showerhead 130 is smaller than the separation distance between the second jetting plate 134 and the showerhead 130. Accordingly, the high frequency electric field is more predominantly formed between the first jet plate 133 and the shower head 130 than between the second jet plate 134 and the shower head 130.

따라서, 고주파 전원이 제2 분사판(134)에 집중되고, 제1 분사판(133) 측으로 전달되면서 그 세기가 점차 감쇄된다 하더라도, 샤워헤드(130)와 스테이지(120)의 사이에서 균일한 고주파 전계를 형성하여, 기판(S)의 전면적에 대해 플라즈마를 균일하게 분포시킬 수 있다.Therefore, even if the high frequency power is concentrated on the second jet plate 134 and transmitted to the first jet plate 133 side, and the intensity is gradually reduced, the high frequency power is uniform between the showerhead 130 and the stage 120. By forming an electric field, the plasma can be uniformly distributed over the entire area of the substrate S. FIG.

한편, 샤워헤드(130)와 스테이지(120)의 사이에서 발생되는 플라즈마는 샤워헤드(130)와 스테이지(120)의 사이뿐만 아니라 챔버(110)의 내부 전체 공간으로 확산될 수 있다. 차단막(140)은 플라즈마가 샤워헤드(130)와 스테이지(120)의 사이 외에 다른 공간으로 확산되는 것을 차단한다. 따라서 플라즈마의 손실을 방지할 수 있으며, 기판(S)의 처리 후 원료가스(G)가 챔버(110)의 내벽, 샤워헤드(130)의 외벽, 스테이지(120)의 외벽 등에 증착되어 다른 기판의 처리공정에서 이물질로 작용하는 것을 방지한다.Meanwhile, the plasma generated between the showerhead 130 and the stage 120 may diffuse into the entire interior space of the chamber 110 as well as between the showerhead 130 and the stage 120. The blocking layer 140 prevents the plasma from diffusing into other spaces other than between the showerhead 130 and the stage 120. Therefore, plasma loss can be prevented, and after processing the substrate S, the source gas G is deposited on the inner wall of the chamber 110, the outer wall of the shower head 130, the outer wall of the stage 120, and the like. Prevents foreign matter from being processed.

한편, 제2 냉각판(136)은 고주파 전원이 인가됨에 따라 가열되는 샤워헤드(130)를 냉각시켜 샤워헤드(130)의 온도를 조절할 수 있도록 한다. Meanwhile, the second cooling plate 136 cools the shower head 130 that is heated as the high frequency power is applied to adjust the temperature of the shower head 130.

또한 기판(S)에 박막을 증착하는 공정시, 제1 냉각판(121)은 기판(S)을 냉각시켜 플라즈마에 의해 전송되는 원료가 기판(S)에 원활하게 증착될 수 있도록 한다. In addition, during the process of depositing a thin film on the substrate (S), the first cooling plate 121 cools the substrate (S) so that the raw material transmitted by the plasma can be smoothly deposited on the substrate (S).

상술한 바와 같이 플라즈마 처리장치는 샤워헤드(130)로 인가되는 고주파 전원의 세기에 따라 샤워헤드(130)와 스테이지(120) 간의 이격거리를 부분적으로 조절함으로써, 기판(S)의 전면적에 대해 플라즈마를 균일하게 분포시킬 수 있다.As described above, the plasma processing apparatus partially adjusts the separation distance between the shower head 130 and the stage 120 according to the intensity of the high frequency power applied to the shower head 130, thereby controlling the plasma on the entire surface of the substrate S. Can be uniformly distributed.

도 1은 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a plasma processing apparatus according to the present embodiment.

도 2는 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 샤워헤드를 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view showing the shower head of the plasma processing apparatus according to the present embodiment.

도 3은 다른 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 샤워헤드를 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view illustrating a showerhead of a plasma processing apparatus according to another embodiment.

도 4는 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치로 원료가스가 공급되는 상태를 나타낸 단면도이다. 4 is a cross-sectional view illustrating a state in which source gas is supplied to the plasma processing apparatus according to the present embodiment.

도 5는 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 플라즈마가 발생되는 상태를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a state in which plasma is generated in the plasma processing apparatus according to the present embodiment.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawings>

110 : 챔버 130 : 샤워헤드110: chamber 130: shower head

133 : 제1 분사판 134 : 제2 분사판133: first jet plate 134: second jet plate

Claims (8)

밀폐되는 처리공간을 제공하는 챔버;A chamber providing a closed treatment space; 상기 챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 스테이지;및A stage disposed inside the chamber to support a substrate; and 상기 챔버의 내부에서 상기 스테이지와 대향되어 상기 기판의 처리를 위해 공급되는 원료가스를 상기 스테이지에 지지되는 상기 기판 측으로 분사하며, 상기 스테이지를 향한 면에 단차가 형성되어 중앙부와 가장자리부가 서로 다른 평면을 가지는 샤워헤드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Injecting the source gas supplied for processing the substrate to the substrate side facing the stage in the chamber, and a step is formed on the surface facing the stage to form a plane different from the center portion and the edge portion. Plasma processing apparatus comprising a; shower head. 제1 항에 있어서, 상기 샤워헤드는 상기 원료가스를 상기 스테이측으로 분사하는 분사판을 포함하며,According to claim 1, wherein the shower head comprises a jet plate for injecting the raw material gas to the stay side, 상기 분사판은The jet plate is 중앙부에 배치되는 제1 분사판;및A first jet plate disposed in the center portion; and 가장자리부에 배치되며, 상기 제1 분사판으로부터 분리가능한 제2 분사판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And a second jet plate disposed at an edge portion and detachable from the first jet plate. 제2 항에 있어서, 상기 제1 분사판은 상기 제2 분사판으로부터 상기 스테이지 측으로 돌출되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus of claim 2, wherein the first jet plate protrudes from the second jet plate toward the stage. 제2 항에 있어서, 상기 제2 분사판은 상기 제1 분사판으로부터 상기 스테이 지 측으로 돌출되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus of claim 2, wherein the second jet plate protrudes from the first jet plate to the stage side. 제2 항에 있어서, 상기 분사판은 상기 제1 분사판과 상기 제2 분사판의 사이에 배치되는 기밀부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. The plasma processing apparatus of claim 2, wherein the jet plate further comprises an airtight member disposed between the first jet plate and the second jet plate. 제1 항에 있어서, 상기 샤워헤드는 내부에 상기 원료가스를 확산시키는 확산공간이 형성되며, According to claim 1, wherein the shower head is formed therein the diffusion space for diffusing the source gas, 상기 확산공간의 하부에 배치되어 상기 확산공간에서 확산된 상기 원료가스를 분배하는 분배판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And a distribution plate disposed under the diffusion space to distribute the source gas diffused in the diffusion space. 제1 항에 있어서, 상기 샤워헤드의 내부에 배치되어 샤워헤드를 냉각시키는 냉각판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus of claim 1, further comprising a cooling plate disposed inside the shower head to cool the shower head. 제1 항에 있어서, 상기 챔버의 외벽과 상기 샤워헤드의 외벽 및 상기 챔버의 외벽과 상기 스테이지의 외벽에 배치되며, 상기 샤워헤드와 상기 스테이지의 사이에서 발생하는 플라즈마가 상기 샤워헤드와 상기 스테이지의 사이 이외의 공간으로 확산되는 것을 차단하는 차단막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.According to claim 1, wherein the outer wall of the chamber and the outer wall of the shower head, the outer wall of the chamber and the outer wall of the stage, the plasma generated between the shower head and the stage of the shower head and the stage Plasma processing apparatus further comprises a blocking film for preventing the diffusion into spaces other than between.
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