KR20100077826A - Chemical vapor deposition apparatus - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A plasma processing device is provided to regularly form the deposition gas partial pressure of an injection nozzle and a supply line by regularly forming the length of the supply line. CONSTITUTION: A susceptor(103) is formed inside a process chamber(101). A substrate(10) is settled in the susceptor. A gas source(123) provides the deposition gas. A plurality of injection nozzles(121a-121d) is formed inside the process chamber. The injection nozzles provide the deposition gas to the substrate. A plurality of supply lines(122a-122d) is formed in the inner side of the process chamber. The supply lines interlink the gas source and injection nozzle. The supply lines independently connect a plurality of injection nozzles to the gas source. The distance to the injection nozzle in the gas source is the same each other.

Description

플라즈마 처리장치{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}Plasma Processing Equipment {CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 분사노즐에서 분사되는 증착가스의 분압이 일정하게 유지되도록 하는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to provide a plasma processing apparatus for maintaining a partial pressure of a deposition gas injected from an injection nozzle.

태양전지(solar cell 또는 photovoltaic cell)는 태양에너지를 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자이다. 태양전지는 실리콘 기판(single c-Si 또는 multi c-Si wafer)을 절단 등의 가공으로 제조하는 것이 일반적이다. 이러한 방식은 태양전지의 원래의 목적이라고 할 수 있는 전기 생산효율 면에서는 우수하나, 고가인 실리콘 기판이 필요 이상으로 과도하게 사용되고 있기 때문에 생산 단가가 높다는 문제점이 있다. 즉, 기존의 c-Si 태양전지는 제조기술(혹은 절단기술)의 한계로 인하여 300~400 ㎛의 두께로 제조되고 있으나, 실제로 태양전지에서 광(光)을 흡수하여 전기를 생산하는데 필요한 실리콘의 두께는 50 ㎛면 충분하므로 나머지 두께의 실리콘 기판은 낭비되고 있는 것이다.Solar cells (solar cells or photovoltaic cells) are the key elements of photovoltaic power generation that converts solar energy directly into electricity. Solar cells are generally manufactured by cutting a silicon substrate (single c-Si or multi c-Si wafer). This method is excellent in terms of electricity production efficiency, which can be called the original purpose of the solar cell, but has a problem in that the production cost is high because expensive silicon substrates are excessively used. That is, the existing c-Si solar cell is manufactured to a thickness of 300 ~ 400 ㎛ due to the limitation of manufacturing technology (or cutting technology), but in fact, it is necessary to absorb the light from the solar cell to produce electricity. Since 50 micrometers of thickness is enough, the remaining silicon substrate is wasted.

이러한 문제점을 해결하고자 고가의 실리콘 기판 대신 유리, 금속, 플라스틱과 같은 저가 기판 상에 1~3 ㎛의 실리콘 박막층을 형성하여 태양전지를 제조하는 기술이 연구되고 있다. 이러한 박막 태양전지는 기존의 반도체 장치나 디스플레이 장치의 제조와 유사한 기술을 이용하여 대면적, 대량생산이 가능하므로 생산성 향상 및 제조 단가를 획기적으로 낮출 수 있는 장점이 있다. 대표적인 예로, 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si:H) 박막을 기판 위에 비정질 상태로 증착하고 증착된 비정질 실리콘 박막을 결정화하여 태양전지를 제조하는 기술이 개발되어 있다.In order to solve this problem, a technology of manufacturing a solar cell by forming a silicon thin film layer of 1 to 3 μm on a low-cost substrate such as glass, metal, or plastic instead of an expensive silicon substrate is being studied. Such thin film solar cells have a large area and can be mass-produced using a technology similar to that of a conventional semiconductor device or display device, thereby improving productivity and significantly lowering manufacturing costs. As a representative example, a technology for manufacturing a solar cell by depositing an amorphous silicon (a-Si: H) thin film on an substrate in an amorphous state and crystallizing the deposited amorphous silicon thin film has been developed.

이러한 박막 태양전지의 제조를 위한 실리콘 박막을 증착하는 장치로는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리 기상 증착(physical vapor deposition, PVD)이나 플라즈마를 이용한 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 등 다양한 형태의 증착장치가 사용될 수 있다.As a device for depositing a silicon thin film for manufacturing a thin film solar cell, physical vapor deposition (PVD) using physical collisions such as sputtering or chemical vapor deposition (CVD) using plasma Various types of deposition apparatuses, such as) may be used.

한편, 기존의 증착장치는 기판에 증착가스를 제공하기 위해서 노즐이나 샤워헤드가 구비된다. 그런데, 기존의 샤워헤드는 홀을 균일하게 배치한다고 하더라도 그 형태 상의 특성으로 인해 기판 표면에 도달하는 증착가스의 균일도가 저하되는 문제점이 있다.On the other hand, conventional deposition apparatus is provided with a nozzle or a shower head to provide a deposition gas to the substrate. However, the conventional shower head has a problem in that even if the holes are uniformly arranged, the uniformity of the deposition gas reaching the substrate surface is lowered due to its shape characteristics.

또한, 노즐 형태에서는 프로세스 챔버 내부에 복수개의 노즐이 구비되고 각 노즐로 증착가스를 공급하는 가스공급원 및 공급라인이 구비된다. 그런데, 기존의 노즐은 가스공급원과 연결되는 유입부에서의 거리에 따라 공급라인 상의 증착가스 분압의 차이와 이로 인한 분사량의 차이가 발생한다. 특히, 반도체 기판이 점차 대형화됨에 따라 플라즈마 처리장치의 크기도 대형화되고 있으며, 이로 인해 공급라인 상에서의 분압차 역시 증가하며 이러한 공급라인 및 분사노즐에서의 증착가스 밀도차로 인해 플라즈마가 균일하게 발생하지 못하는 문제점이 있다.In addition, in the nozzle form, a plurality of nozzles are provided inside the process chamber, and a gas supply source and a supply line for supplying deposition gas to each nozzle are provided. However, in the conventional nozzles, the difference in the partial pressure of the deposition gas on the supply line and the injection amount thereof are generated according to the distance from the inlet connected to the gas supply source. In particular, as the semiconductor substrate is gradually enlarged, the size of the plasma processing apparatus is also enlarged. As a result, the partial pressure difference on the supply line also increases, and the plasma cannot be uniformly generated due to the deposition gas density difference in the supply line and the injection nozzle. There is a problem.

따라서, 기판의 대형화에 대응하고 다양한 형태를 갖는 기판에 유연하게 대응하기 위해서는 공급라인 및 분사노즐에서 분사되는 증착가스의 양을 일정하게 유지시키고 플라즈마를 균일하게 발생시킬 수 있는 플라즈마 처리장치가 요구된다 할 것이다.Therefore, in order to cope with the increase in size of the substrate and to flexibly respond to the substrate having various shapes, a plasma processing apparatus capable of maintaining a constant amount of deposition gas injected from the supply line and the injection nozzle and generating the plasma uniformly is required. something to do.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 태양전지의 제조를 위해 대면적 기판에 박막을 증착할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to solve the above-mentioned problems, to provide a plasma processing apparatus capable of depositing a thin film on a large area substrate for manufacturing a solar cell.

또한, 본 발명은 대면적 기판의 처리가 가능하도록 분사가스의 제공량을 일정하게 유지시킴으로써 플라즈마 밀도와 균일도를 향상시킨 플라즈마 처리장치를 제공하기 위한 것이다.In addition, the present invention is to provide a plasma processing apparatus that improves the plasma density and uniformity by maintaining a constant amount of injection gas to enable processing of a large area substrate.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판으로 균일하게 증착가스를 분사하는 플라즈마 처리장치는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 기판이 안착되는 서셉터, 증착가스를 제공하는 가스공급원, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되며 상기 기판으로 증착가스를 제공하는 복수개의 분사노즐 및 상기 프로세스 챔버 내측에 구비되며 상기 가스공급원과 상기 분사노즐을 연결하는 공급라인을 포함하여 이루어지며, 상기 공급라인은 상기 복수개의 분사노즐을 상기 가스공급원에 독립적으로 연결시키는 복수개의 공급라인이 구비되되, 상기 가스공급원에서 상기 분사노즐까지의 거리가 서로 동일하도록 형성된다.According to embodiments of the present invention for achieving the above object of the present invention, the plasma processing apparatus for uniformly injecting the deposition gas to the substrate is provided in the process chamber, the susceptor, the deposition gas is mounted in the process chamber, the substrate A gas supply source for providing a plurality of injection nozzles provided in the process chamber and providing a deposition gas to the substrate, and a supply line provided inside the process chamber and connecting the gas supply source and the injection nozzles; The supply line may include a plurality of supply lines for independently connecting the plurality of injection nozzles to the gas supply source, and the distances from the gas supply source to the injection nozzles are equal to each other.

실시예에서, 상기 분사노즐은 상기 프로세스 챔버 내부에서 상기 서셉터 상부로 증착가스를 제공하도록 구비될 수 있다. 여기서, 상기 프로세스 챔버는 원형 단면 형태를 갖고, 상기 공급라인은 상기 프로세스 챔버의 원주에 대응되는 호의 형태로 형성될 수 있다. 또한, 상기 프로세스 챔버 내부에서 서로 일정한 간격으로 이격되어 복수개의 분사노즐이 구비되며, 상기 공급라인은 상기 프로세스 챔버의 둘레 길이의 1/2에 대응되는 길이로 형성될 수 있다.In an embodiment, the injection nozzle may be provided to provide a deposition gas to the susceptor in the process chamber. Here, the process chamber has a circular cross-sectional shape, the supply line may be formed in the form of an arc corresponding to the circumference of the process chamber. In addition, a plurality of injection nozzles may be provided in the process chamber and spaced apart from each other at regular intervals, and the supply line may have a length corresponding to 1/2 of the circumferential length of the process chamber.

한편, 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예들에 따르면, 기판으로 균일하게 증착가스를 분사하는 플라즈마 처리장치는 돔 형태의 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 기판이 안착되는 서셉터, 상기 프로세스 챔버 일측에 구비되어 상기 프로세스 챔버 내로 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부 및 상기 프로세스 챔버 상부에 구비되어 상기 프로세스 챔버 내부로 증착가스를 제공하되 증착가스공급원에서 분사노즐까지의 거리가 일정하게 형성된 증착가스 제공부를 포함하여 이루어진다.On the other hand, according to other embodiments of the present invention for achieving the above object of the present invention, the plasma processing apparatus for uniformly injecting the deposition gas to the substrate is provided in the process chamber of the dome-shaped, the process chamber is seated substrate A susceptor provided on one side of the process chamber, a plasma generation unit generating plasma into the process chamber, and provided on an upper portion of the process chamber to provide deposition gas into the process chamber, but a distance from the deposition gas supply source to the injection nozzle It comprises a deposition gas providing unit formed uniformly.

실시예에서, 상기 증착가스 제공부는, 증착가스를 공급하는 가스공급원, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되며 상기 기판으로 증착가스를 제공하는 복수개의 분사노즐 및 상기 복수개의 분사노즐과 상기 가스공급원에 독립적으로 연결시키며 상기 가스공급원에서 상기 분사노즐까지의 거리가 서로 동일하도록 형성된 상기 가스공급원과 상기 분사노즐을 연결하는 공급라인을 포함하여 구성된다.In an embodiment, the deposition gas providing unit may include a gas supply source for supplying deposition gas, a plurality of injection nozzles provided in the process chamber and providing deposition gas to the substrate, and independently of the plurality of injection nozzles and the gas supply source. And a supply line connecting the gas supply source and the injection nozzle formed such that a distance from the gas supply source to the injection nozzle is equal to each other.

예를 들어, 상기 분사노즐은 상기 프로세스 챔버 내측에 구비되되 기판 표면과 평행한 상기 프로세스 챔버의 횡단면 상에 구비될 수 있다. 또한, 상기 프로세스 챔버 내주면을 따라 90° 간격으로 4개의 분사노즐이 구비되고, 상기 가스공급원은 상기 4개의 분사노즐 중 하나의 분사노즐과 대응되는 위치에 구비되며, 상기 공급라인은 상기 프로세스 챔버의 내주면을 따라 호의 형태로 형성되되 상기 프로세스 챔버의 둘레 길이의 1/2에 대응되는 길이로 형성된다.For example, the injection nozzle may be provided inside the process chamber but on a cross section of the process chamber parallel to the substrate surface. In addition, four injection nozzles are provided at intervals of 90 ° along the inner circumferential surface of the process chamber, and the gas supply source is provided at a position corresponding to one of the four injection nozzles, and the supply line of the process chamber It is formed in the form of an arc along the inner circumferential surface, the length corresponding to one half of the circumferential length of the process chamber.

본 발명에 따르면, 공급라인의 길이를 일정하게 형성함으로써 공급라인 및 분사노즐의 증착가스 분압이 일정하게 형성되도록 하여 플라즈마 발생 밀도와 균일도를 효과적으로 향상시킬 수 있다.According to the present invention, by uniformly forming the length of the supply line so that the deposition gas partial pressure of the supply line and the injection nozzle is uniformly formed, the plasma generation density and uniformity can be effectively improved.

첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Although the preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited or restricted by the embodiments.

이하, 도 1과 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 대해 상세하게 설명한다. 참고적으로 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 설명하기 위한 종단면도이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 처리장치의 횡단면도이다.Hereinafter, a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. For reference, FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view illustrating a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the plasma processing apparatus of FIG. 1.

도 1을 참조하면, 플라즈마 처리장치(100)는 프로세스 챔버(101), 증착가스 제공부(102), 서셉터(103) 및 플라즈마 발생부(104)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, the plasma processing apparatus 100 includes a process chamber 101, a deposition gas providing unit 102, a susceptor 103, and a plasma generating unit 104.

한편, 본 발명에 따른 플라즈마 발생부(104)는 증착장치를 예로 들어 설명하나, 증착장치 이외에도 식각이나 애싱(ashing)과 같이 플라즈마를 이용한 장치에는 모두 적용이 가능하다.On the other hand, the plasma generating unit 104 according to the present invention is described by taking a deposition apparatus as an example, in addition to the deposition apparatus can be applied to any device using a plasma, such as etching or ashing (ashing).

상기 프로세스 챔버(101)는 기판(10)을 수용하여 플라즈마가 발생되는 공간 을 제공하며, 상부가 돔(dome) 형태를 갖는다.The process chamber 101 accommodates the substrate 10 to provide a space in which a plasma is generated, and has a dome shape at an upper portion thereof.

상기 서셉터(103)는 상기 프로세스 챔버(101) 내에 구비되어 상기 기판(10)이 안착된되며, 증착 공정을 위해 상기 기판(10)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 구비될 수 있다.The susceptor 103 may be provided in the process chamber 101, on which the substrate 10 is seated, and a heater (not shown) for heating the substrate 10 for a deposition process may be provided.

상기 플라즈마 발생부(104)는 상기 프로세스 챔버(101) 상부에 구비되어 상기 프로세스 챔버(101) 내부 공간에 플라즈마를 발생시킨다. 예를 들어, 상기 플라즈마 발생부(104)는 상기 프로세스 챔버(101) 둘레에 구비되어 상부에 구비되어 유도결합 방식(inductively coupled plasma, ICP)으로 플라즈마를 발생시키는 ICP 안테나일 수 있다. 일 예로서, 상기 플라즈마 발생부(104)는 상기 프로세스 챔버(101) 둘레를 따라 권선된 코일이며, 상기 플라즈마 발생부(104)의 일측에는 상기 플라즈마 발생부(104)에 고주파 전원을 인가하는 전원공급부와 그라운드와 연결되는 접지부가 연결된다.The plasma generator 104 is provided above the process chamber 101 to generate plasma in the space inside the process chamber 101. For example, the plasma generating unit 104 may be an ICP antenna provided around the process chamber 101 to be disposed thereon to generate plasma in an inductively coupled plasma (ICP). For example, the plasma generator 104 is a coil wound along the circumference of the process chamber 101, and a power supply for applying high frequency power to the plasma generator 104 on one side of the plasma generator 104. The supply and ground connected to ground are connected.

또는, 상기 플라즈마 발생부(104)는 상기 프로세스 챔버(101) 상부에 구비되며 상기 서셉터(103)와 한쌍의 전극이 되어 정전결합 방식(conductively coupled plasma, 이하, CCP라 한다)으로 플라즈마를 발생시키는 CCP 전극일 수 있다. 이 경우, 상기 플라즈마 발생부(104)가 CCP 전극이 되기 위해서는 상기 서셉터(103)에 평행한 평판 형태로 형성된다.Alternatively, the plasma generating unit 104 is provided above the process chamber 101 and becomes a pair of electrodes with the susceptor 103 to generate plasma in a conductively coupled plasma (hereinafter referred to as CCP). It may be a CCP electrode. In this case, the plasma generating unit 104 is formed in the form of a plate parallel to the susceptor 103 in order to become a CCP electrode.

상기 증착가스 제공부(102)는 상기 프로세스 챔버(101) 상부에 구비된 복수개의 분사노즐(121)과 상기 프로세스 챔버(101) 외부 일측에 구비된 가스공급원(123) 및 상기 분사노즐(121)과 상기 가스공급원(123)을 연결시키는 공급라 인(122)을 포함하여 구성된다.The deposition gas providing unit 102 includes a plurality of injection nozzles 121 provided on the process chamber 101 and a gas supply source 123 and the injection nozzles 121 provided at one outside of the process chamber 101. And a supply line 122 connecting the gas supply source 123 to each other.

한편, 상기 가스공급원(123)에서 멀어질수록 상기 분사노즐(121) 및 상기 공급라인(122)에 부가되는 증착가스의 분압이 점차 감소하게 되므로 상기 분사노즐(121)에서 분사되는 증착가스의 분사량 역시 감소하게 된다. 따라서 본 실시예에서는 상기 분사노즐(121)에서 위치와 상관없이 증착가스 분사량을 일정하게 유지시키기 위해서 상기 공급라인(122)의 길이가 서로 동일하게 형성된다.On the other hand, since the partial pressure of the deposition gas added to the injection nozzle 121 and the supply line 122 is gradually reduced away from the gas supply source 123, the injection amount of the deposition gas injected from the injection nozzle 121 It will also decrease. Therefore, in the present embodiment, the length of the supply line 122 is formed to be the same in order to maintain a constant deposition gas injection amount regardless of the position in the injection nozzle 121.

도 2를 참조하면, 상기 프로세스 챔버(101)는 돔 형태를 가지며 상기 기판(10) 및 상기 서셉터(103)에 대응되는 원형 단면을 갖는다. 여기서, 본 실시예에서는 원형 기판(10)을 사용하므로 원형 단면을 갖는 프로세스 챔버(101)를 예시하였으나 실질적으로 다양한 형태의 기판(10)을 사용할 수 있으며 상기 기판(10)의 형태에 따라 상기 프로세스 챔버(101)의 형태 역시 변경된다.Referring to FIG. 2, the process chamber 101 has a dome shape and a circular cross section corresponding to the substrate 10 and the susceptor 103. Here, in this embodiment, since the circular substrate 10 is used, the process chamber 101 having a circular cross section is illustrated, but various types of substrates 10 may be used, and the process may be performed according to the shape of the substrate 10. The shape of the chamber 101 is also changed.

상기 공급라인(122)은 상기 프로세스 챔버(101) 벽 내부에 구비되며 상기 가스공급원(123)에서 상기 분사노즐(121)까지 독립된 유로를 형성하는 복수개의 공급라인(122)이 형성되며 상기 각 공급라인(122)은 서로 동일한 길이를 갖도록 형성된다.The supply line 122 is provided inside a wall of the process chamber 101, and a plurality of supply lines 122 are formed to form independent flow paths from the gas supply source 123 to the injection nozzle 121. The lines 122 are formed to have the same length as each other.

예를 들어, 상기 프로세스 챔버(101) 내부에는 90° 간격으로 이격되어 4개의 분사노즐(121a, 121b, 121c, 121d)이 구비되고, 상기 가스공급원(123)에서 상기 4개의 분사노즐(121a, 121b, 121c, 121d)까지 서로 동일하게 연결할 수 있도록 상기 프로세스 챔버(101) 둘레를 따라 4개의 공급라인(122a, 122b, 122c, 122d)이 형성된다.For example, four injection nozzles 121a, 121b, 121c, and 121d are spaced apart at intervals of 90 ° in the process chamber 101, and the four injection nozzles 121a, Four supply lines 122a, 122b, 122c, and 122d are formed along the periphery of the process chamber 101 so as to be equally connected to each other up to 121b, 121c, and 121d.

이하에서는, 설명의 편의를 위해 상기 4개의 분사노즐(121a, 121b, 121c, 121d)과 상기 4개의 공급라인(122a, 122b, 122c, 122d)은 각각 도면부호의 마지막에 영문자 a, b, c, d 붙여서 구분하기로 한다.Hereinafter, for convenience of description, the four injection nozzles 121a, 121b, 121c, and 121d and the four supply lines 122a, 122b, 122c, and 122d are respectively written at the end of the letters a, b, and c. , and d to separate them.

상기 가스공급원(123)은 제1 분사노즐(121a)에 대응되는 위치에 구비되고, 제2 및 제4 분사노즐(121b, 121d)은 상기 제1 분사노즐(121a)에서 좌우로 각각 90° 이격된 위치에 구비되며 제3 분사노즐(121c)은 상기 제1 분사노즐(121a)과 180° 이격되어 대향되는 위치에 배치된다. 그리고 상기 4개의 공급라인(122a, 122b, 122c, 122d)은 상기 프로세스 챔버(101)의 둘레 길이의 1/2에 해당하는 길이를 갖는다.The gas supply source 123 is provided at a position corresponding to the first injection nozzle 121a, and the second and fourth injection nozzles 121b and 121d are each spaced 90 ° from the first injection nozzle 121a. The third injection nozzle 121c is disposed at a position opposite to the first injection nozzle 121a by 180 °. In addition, the four supply lines 122a, 122b, 122c, and 122d have a length corresponding to 1/2 of the circumferential length of the process chamber 101.

도 2에 도시한 바와 같이, 제1 공급라인(122a)은 상기 프로세스 챔버(101) 둘레를 따라 상기 가스공급원(123)에서 일측으로 90° 지점인 상기 제2 분사노즐(121b)(또는 제4 분사노즐(121d))까지 연장된 후 연장된 지점에서 다시 상기 제1 분사노즐(121a)로 연결된다.As shown in FIG. 2, the first supply line 122a is the second injection nozzle 121b (or fourth) located at 90 ° to one side from the gas supply source 123 around the process chamber 101. After extending to the injection nozzle (121d), it is connected to the first injection nozzle (121a) at the extended point again.

그리고 상기 제2 공급라인(122b)은 상기 가스공급원(123)에서 상기 프로세스 챔버(101) 둘레를 따라 상기 제2 분사노즐(121b)보다 45°를 더 지난 지점까지 연장된 후 연장된 지점에서 상기 제2 분사노즐(121b)로 연결되도록 형성된다.In addition, the second supply line 122b extends 45 ° longer than the second injection nozzle 121b along the circumference of the process chamber 101 at the gas supply source 123 and then at the extended point. It is formed to be connected to the second injection nozzle (121b).

마찬가지로 상기 제4 공급라인(122d) 역시 상기 제2 공급라인(122b)과 상기 프로세스 챔버(101)의 중심점을 기준으로 대칭되는 형태로 형성된다.Similarly, the fourth supply line 122d is also formed to be symmetrical with respect to the center point of the second supply line 122b and the process chamber 101.

상기 제3 공급라인(122c)은 상기 가스공급원(123)에서 상기 프로세스 챔버(101) 둘레를 따라 상기 제3 분사노즐(121c)까지 연결된다.The third supply line 122c is connected from the gas supply source 123 to the third injection nozzle 121c along the circumference of the process chamber 101.

한편 상기 분사노즐(121)의 형태와 수가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(10) 및 상기 프로세스 챔버(101)의 형태와 크기에 따라 실질적으로 다양하게 변경 가능하다. 또한 상기 공급라인(122)의 형태 역시 상기 가스공급원(123)에서 각 분사노즐(121)로 연결되는 공급라인(122)의 길이가 일정하도록 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 공급되는 증착가스의 종류에 따라 복수개의 가스공급원(123)이 구비될 수 있으며, 상기 가스공급원(123)의 수나 상기 분사노즐(121)의 수에 따라 상기 공급라인(122)의 형태가 실질적으로 변경되는 것은 당연하다 할 것이다.The shape and number of injection nozzles 121 are not limited by the drawings, and may be changed in various ways depending on the shape and size of the substrate 10 and the process chamber 101. In addition, the shape of the supply line 122 may also be changed in various ways such that the length of the supply line 122 connected to each injection nozzle 121 in the gas supply source 123 is constant. For example, a plurality of gas supply sources 123 may be provided according to the type of deposition gas to be supplied, and the supply line 122 may be provided according to the number of the gas supply sources 123 or the number of the injection nozzles 121. It will be obvious that the form is substantially changed.

한편, 상술한 실시예에서는 상기 프로세스 챔버(101)에서 상기 분사노즐(121)이 분기되는 부분과 상기 분사노즐(121)이 상기 프로세스 챔버(101) 내부로 주입되는 부분이 동일한 평면에서 형성된 것으로 예시하였으나, 상술한 실시예와는 달리, 상기 분사노즐(121)에서 가스가 분기되는 부분과 상기 프로세스 챔버(101) 내부로 주입되는 부분이 서로 다른 층으로 형성하는 것도 가능할 것이다. 즉, 상기 분사노즐(121)은 상기 프로세스 챔버(101) 내부에서 원주 방향뿐만 아니라 위도 방향으로도 서로 다른 방향으로 다수로 분지되어 형성될 수 있다.Meanwhile, in the above-described embodiment, the part where the injection nozzle 121 is branched from the process chamber 101 and the part where the injection nozzle 121 is injected into the process chamber 101 are formed in the same plane. However, unlike the above-described embodiment, it may be possible to form a different layer between the portion in which the gas is branched from the injection nozzle 121 and the portion injected into the process chamber 101. That is, the injection nozzle 121 may be formed in a plurality of branches in different directions not only in the circumferential direction but also in the latitude direction in the process chamber 101.

또한, 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 상기 분사노즐(121)의 수는 4개를 비롯하여 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.In addition, the present invention is not limited by the drawings and the number of the injection nozzles 121 may be changed in various ways including four.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art various modifications and variations of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 설명하기 위한 종단면도;1 is a longitudinal sectional view for explaining a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1의 플라즈마 처리장치의 횡단면도이다.2 is a cross-sectional view of the plasma processing apparatus of FIG. 1.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10: 기판 100: 플라즈마 처리장치10: substrate 100: plasma processing apparatus

101: 프로세스 챔버 102: 증착가스 제공부101: process chamber 102: deposition gas providing unit

103: 서셉터 104: 플라즈마 발생부103: susceptor 104: plasma generator

121, 121a, 121b, 121c, 121d: 분사노즐121, 121a, 121b, 121c, 121d: Injection nozzle

122, 122a, 122b, 122c, 122d: 공급라인122, 122a, 122b, 122c, 122d: supply line

123: 가스공급원123: gas supply source

Claims (8)

프로세스 챔버;Process chambers; 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 기판이 안착되는 서셉터;A susceptor provided in the process chamber to seat a substrate; 증착가스를 제공하는 가스공급원;A gas supply source for providing a deposition gas; 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되며 상기 기판으로 증착가스를 제공하는 복수개의 분사노즐; 및A plurality of injection nozzles provided in the process chamber and providing a deposition gas to the substrate; And 상기 프로세스 챔버 내측에 구비되며 상기 가스공급원과 상기 분사노즐을 연결하는 공급라인;A supply line provided inside the process chamber and connecting the gas supply source and the injection nozzle; 을 포함하고,Including, 상기 공급라인은 상기 복수개의 분사노즐을 상기 가스공급원에 독립적으로 연결시키는 복수개의 공급라인이 구비되되, 상기 가스공급원에서 상기 분사노즐까지의 거리가 서로 동일하도록 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The supply line is provided with a plurality of supply lines for independently connecting the plurality of injection nozzles to the gas supply source, characterized in that the distance from the gas supply source to the injection nozzle is formed so as to be equal to each other. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사노즐은 상기 프로세스 챔버 내부에서 상기 서셉터 상부로 증착가스를 제공하도록 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And the injection nozzle is provided to provide a deposition gas to the susceptor in the process chamber. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 프로세스 챔버는 원형 단면 형태를 갖고,The process chamber has a circular cross-sectional shape, 상기 공급라인은 상기 프로세스 챔버의 원주에 대응되는 호의 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The supply line is a plasma processing apparatus, characterized in that formed in the form of an arc corresponding to the circumference of the process chamber. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 프로세스 챔버 내부에서 서로 일정한 간격으로 이격되어 복수개의 분사노즐이 구비되며,In the process chamber is provided with a plurality of injection nozzles spaced apart from each other at regular intervals, 상기 공급라인은 상기 프로세스 챔버의 둘레 길이의 1/2에 대응되는 길이로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The supply line is a plasma processing apparatus, characterized in that formed in a length corresponding to 1/2 of the circumferential length of the process chamber. 돔 형태의 프로세스 챔버;A process chamber in the form of a dome; 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 기판이 안착되는 서셉터;A susceptor provided in the process chamber to seat a substrate; 상기 프로세스 챔버 일측에 구비되어 상기 프로세스 챔버 내로 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부; 및A plasma generation unit provided at one side of the process chamber to generate plasma into the process chamber; And 상기 프로세스 챔버 상부에 구비되어 상기 프로세스 챔버 내부로 증착가스를 제공하되 증착가스공급원에서 분사노즐까지의 거리가 일정하게 형성된 증착가스 제공부;A deposition gas providing unit provided on the process chamber to provide a deposition gas into the process chamber but having a constant distance from the deposition gas supply source to the injection nozzle; 를 포함하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus comprising a. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 증착가스 제공부는The deposition gas providing unit 증착가스를 공급하는 가스공급원;A gas supply source for supplying a deposition gas; 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되며 상기 기판으로 증착가스를 제공하는 복수개의 분사노즐; 및A plurality of injection nozzles provided in the process chamber and providing a deposition gas to the substrate; And 상기 복수개의 분사노즐과 상기 가스공급원에 독립적으로 연결시키며 상기 가스공급원에서 상기 분사노즐까지의 거리가 서로 동일하도록 형성된 상기 가스공급원과 상기 분사노즐을 연결하는 공급라인;A supply line connected to the plurality of injection nozzles and the gas supply source independently and connecting the gas supply source and the injection nozzle formed such that a distance from the gas supply source to the injection nozzle is equal to each other; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus comprising a. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 분사노즐은 상기 프로세스 챔버 내측에 구비되되 기판 표면과 평행한 상기 프로세스 챔버의 횡단면 상에 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And the injection nozzle is provided inside the process chamber and provided on a cross section of the process chamber parallel to a substrate surface. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 프로세스 챔버 내주면을 따라 90° 간격으로 4개의 분사노즐이 구비되고,Four injection nozzles are provided at 90 ° intervals along the inner circumferential surface of the process chamber, 상기 가스공급원은 상기 4개의 분사노즐 중 하나의 분사노즐과 대응되는 위치에 구비되며,The gas supply source is provided at a position corresponding to one of the four injection nozzles, 상기 공급라인은 상기 프로세스 챔버의 내주면을 따라 호의 형태로 형성되되 상기 프로세스 챔버의 둘레 길이의 1/2에 대응되는 길이로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The supply line is formed in the form of an arc along the inner circumferential surface of the process chamber, characterized in that formed in a length corresponding to 1/2 of the circumferential length of the process chamber.
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