KR101508314B1 - Chemical vapor deposition apparatus - Google Patents
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Abstract
플라즈마 밀도와 균일도를 향상시켜 태양전지 제조를 위한 대면적 기판의 처리가 가능한 플라즈마 처리장치가 개시된다. 기판으로 균일하게 증착가스를 분사하는 플라즈마 처리장치는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 기판이 안착되는 서셉터, 증착가스를 제공하는 가스공급원, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되며 상기 기판으로 증착가스를 제공하는 복수개의 분사노즐 및 상기 프로세스 챔버 내측에 구비되며 상기 가스공급원과 상기 분사노즐을 연결하는 공급라인을 포함하여 이루어지며, 상기 공급라인은 상기 복수개의 분사노즐을 상기 가스공급원에 독립적으로 연결시키는 복수개의 공급라인이 구비되되, 상기 가스공급원에서 상기 분사노즐까지의 거리가 서로 동일하도록 형성된다. 따라서, 가스공급원에서 분사노즐까지의 거리가 일정하므로 분사노즐에서 분사되는 증착가스의 양을 일정하게 유지할 수 있다.A plasma processing apparatus capable of processing a large area substrate for manufacturing a solar cell by improving plasma density and uniformity is disclosed. A plasma processing apparatus for uniformly spraying a deposition gas onto a substrate includes a process chamber, a susceptor provided in the process chamber for mounting the substrate, a gas supply source for supplying the deposition gas, And a supply line which is provided inside the process chamber and connects the gas supply source and the injection nozzle, and the supply line connects the plurality of injection nozzles to the gas supply source independently A plurality of supply lines are provided so that the distances from the gas supply source to the injection nozzles are equal to each other. Therefore, since the distance from the gas supply source to the injection nozzle is constant, the amount of the deposition gas injected from the injection nozzle can be kept constant.
돔 형태 증착장치, CVD, 태양전지 Dome type deposition equipment, CVD, solar cell
Description
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 분사노즐에서 분사되는 증착가스의 분압이 일정하게 유지되도록 하는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus for maintaining a partial pressure of a deposition gas injected from an injection nozzle at a constant level.
태양전지(solar cell 또는 photovoltaic cell)는 태양에너지를 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자이다. 태양전지는 실리콘 기판(single c-Si 또는 multi c-Si wafer)을 절단 등의 가공으로 제조하는 것이 일반적이다. 이러한 방식은 태양전지의 원래의 목적이라고 할 수 있는 전기 생산효율 면에서는 우수하나, 고가인 실리콘 기판이 필요 이상으로 과도하게 사용되고 있기 때문에 생산 단가가 높다는 문제점이 있다. 즉, 기존의 c-Si 태양전지는 제조기술(혹은 절단기술)의 한계로 인하여 300~400 ㎛의 두께로 제조되고 있으나, 실제로 태양전지에서 광(光)을 흡수하여 전기를 생산하는데 필요한 실리콘의 두께는 50 ㎛면 충분하므로 나머지 두께의 실리콘 기판은 낭비되고 있는 것이다.Solar cells (solar cells or photovoltaic cells) are the core elements of solar power generation that convert solar energy directly into electricity. Solar cells are generally fabricated by cutting a silicon substrate (single c-Si or multi c-Si wafer). This method is excellent in terms of the electric production efficiency, which is the original purpose of the solar cell. However, since the expensive silicon substrate is used excessively more than necessary, there is a problem that the production cost is high. That is, a conventional c-Si solar cell is manufactured to have a thickness of 300 to 400 μm due to the limitations of the manufacturing technology (or cutting technology), but in reality, the silicon required for producing electricity by absorbing light from the solar cell The thickness of 50 탆 is sufficient, and the remaining thickness of the silicon substrate is wasted.
이러한 문제점을 해결하고자 고가의 실리콘 기판 대신 유리, 금속, 플라스틱과 같은 저가 기판 상에 1~3 ㎛의 실리콘 박막층을 형성하여 태양전지를 제조하는 기술이 연구되고 있다. 이러한 박막 태양전지는 기존의 반도체 장치나 디스플레이 장치의 제조와 유사한 기술을 이용하여 대면적, 대량생산이 가능하므로 생산성 향상 및 제조 단가를 획기적으로 낮출 수 있는 장점이 있다. 대표적인 예로, 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si:H) 박막을 기판 위에 비정질 상태로 증착하고 증착된 비정질 실리콘 박막을 결정화하여 태양전지를 제조하는 기술이 개발되어 있다.In order to solve such a problem, a technique for manufacturing a solar cell by forming a silicon thin film layer of 1 to 3 占 퐉 on a low-cost substrate such as glass, metal, and plastic instead of an expensive silicon substrate is being studied. Such a thin film solar cell can be mass-produced in a large area using a technique similar to that of the conventional semiconductor device or display device, and thus it is advantageous in that productivity and manufacturing cost can be drastically reduced. As a typical example, a technique has been developed for depositing an amorphous silicon (a-Si: H) thin film on a substrate in an amorphous state and crystallizing the deposited amorphous silicon thin film to manufacture a solar cell.
이러한 박막 태양전지의 제조를 위한 실리콘 박막을 증착하는 장치로는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리 기상 증착(physical vapor deposition, PVD)이나 플라즈마를 이용한 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 등 다양한 형태의 증착장치가 사용될 수 있다.As a device for depositing a silicon thin film for the fabrication of such a thin film solar cell, physical vapor deposition (PVD) using physical collision such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD) using plasma, ) May be used.
한편, 기존의 증착장치는 기판에 증착가스를 제공하기 위해서 노즐이나 샤워헤드가 구비된다. 그런데, 기존의 샤워헤드는 홀을 균일하게 배치한다고 하더라도 그 형태 상의 특성으로 인해 기판 표면에 도달하는 증착가스의 균일도가 저하되는 문제점이 있다.Meanwhile, a conventional evaporation apparatus is provided with a nozzle or a shower head to provide a deposition gas on a substrate. However, even if the showerhead is uniformly arranged, the uniformity of the deposition gas reaching the substrate surface is deteriorated due to the shape characteristics of the showerhead.
또한, 노즐 형태에서는 프로세스 챔버 내부에 복수개의 노즐이 구비되고 각 노즐로 증착가스를 공급하는 가스공급원 및 공급라인이 구비된다. 그런데, 기존의 노즐은 가스공급원과 연결되는 유입부에서의 거리에 따라 공급라인 상의 증착가스 분압의 차이와 이로 인한 분사량의 차이가 발생한다. 특히, 반도체 기판이 점차 대형화됨에 따라 플라즈마 처리장치의 크기도 대형화되고 있으며, 이로 인해 공급라인 상에서의 분압차 역시 증가하며 이러한 공급라인 및 분사노즐에서의 증착가스 밀도차로 인해 플라즈마가 균일하게 발생하지 못하는 문제점이 있다.In the nozzle configuration, a plurality of nozzles are provided in the process chamber, and a gas supply source and a supply line for supplying the deposition gas to each nozzle are provided. However, in the conventional nozzle, the difference in the partial pressure of the deposition gas on the supply line and the resulting injection amount is caused by the distance from the inflow portion connected to the gas supply source. Particularly, as the size of the semiconductor substrate gradually increases, the size of the plasma processing apparatus is also becoming larger, thereby increasing the partial pressure difference on the supply line, and the plasma is not uniformly generated due to the difference in the deposition gas density in the supply line and the injection nozzle There is a problem.
따라서, 기판의 대형화에 대응하고 다양한 형태를 갖는 기판에 유연하게 대응하기 위해서는 공급라인 및 분사노즐에서 분사되는 증착가스의 양을 일정하게 유지시키고 플라즈마를 균일하게 발생시킬 수 있는 플라즈마 처리장치가 요구된다 할 것이다.Therefore, in order to cope with the enlargement of the substrate and flexibly cope with the substrate having various shapes, a plasma processing apparatus is required which can uniformly generate the plasma while keeping the amount of the deposition gas injected from the supply line and the injection nozzle constant something to do.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 태양전지의 제조를 위해 대면적 기판에 박막을 증착할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of depositing a thin film on a large area substrate for manufacturing a solar cell.
또한, 본 발명은 대면적 기판의 처리가 가능하도록 분사가스의 제공량을 일정하게 유지시킴으로써 플라즈마 밀도와 균일도를 향상시킨 플라즈마 처리장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a plasma processing apparatus in which plasma density and uniformity are improved by keeping the supply amount of the injection gas constant so as to enable processing of a large area substrate.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판으로 균일하게 증착가스를 분사하는 플라즈마 처리장치는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 기판이 안착되는 서셉터, 증착가스를 제공하는 가스공급원, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되며 상기 기판으로 증착가스를 제공하는 복수개의 분사노즐 및 상기 프로세스 챔버 내측에 구비되며 상기 가스공급원과 상기 분사노즐을 연결하는 공급라인을 포함하여 이루어지며, 상기 공급라인은 상기 복수개의 분사노즐을 상기 가스공급원에 독립적으로 연결시키는 복수개의 공급라인이 구비되되, 상기 가스공급원에서 상기 분사노즐까지의 거리가 서로 동일하도록 형성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus for uniformly spraying a deposition gas onto a substrate. The plasma processing apparatus includes a process chamber, a susceptor disposed in the process chamber, A plurality of injection nozzles provided in the process chamber to supply a deposition gas to the substrate, and a supply line provided inside the process chamber and connecting the gas supply source and the injection nozzle, The supply line includes a plurality of supply lines for independently connecting the plurality of the injection nozzles to the gas supply source, and the distances from the gas supply source to the injection nozzles are equal to each other.
실시예에서, 상기 분사노즐은 상기 프로세스 챔버 내부에서 상기 서셉터 상부로 증착가스를 제공하도록 구비될 수 있다. 여기서, 상기 프로세스 챔버는 원형 단면 형태를 갖고, 상기 공급라인은 상기 프로세스 챔버의 원주에 대응되는 호의 형태로 형성될 수 있다. 또한, 상기 프로세스 챔버 내부에서 서로 일정한 간격으로 이격되어 복수개의 분사노즐이 구비되며, 상기 공급라인은 상기 프로세스 챔버의 둘레 길이의 1/2에 대응되는 길이로 형성될 수 있다.In an embodiment, the injection nozzle may be provided to provide a deposition gas within the process chamber over the susceptor. Here, the process chamber has a circular cross-sectional shape, and the supply line may be formed in the form of an arc corresponding to the circumference of the process chamber. Also, the plurality of injection nozzles may be spaced apart from each other at a predetermined interval in the process chamber, and the supply line may be formed to have a length corresponding to one-half of the circumferential length of the process chamber.
한편, 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예들에 따르면, 기판으로 균일하게 증착가스를 분사하는 플라즈마 처리장치는 돔 형태의 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어 기판이 안착되는 서셉터, 상기 프로세스 챔버 일측에 구비되어 상기 프로세스 챔버 내로 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부 및 상기 프로세스 챔버 상부에 구비되어 상기 프로세스 챔버 내부로 증착가스를 제공하되 증착가스공급원에서 분사노즐까지의 거리가 일정하게 형성된 증착가스 제공부를 포함하여 이루어진다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus for uniformly depositing a deposition gas on a substrate. The plasma processing apparatus includes a process chamber in the form of a dome, A plasma generator disposed on one side of the process chamber to generate a plasma into the process chamber, and a plasma generator provided on the process chamber to supply a deposition gas into the process chamber, wherein a distance from the deposition gas supply source to the spray nozzle is And a deposition gas supply unit formed constantly.
실시예에서, 상기 증착가스 제공부는, 증착가스를 공급하는 가스공급원, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되며 상기 기판으로 증착가스를 제공하는 복수개의 분사노즐 및 상기 복수개의 분사노즐과 상기 가스공급원에 독립적으로 연결시키며 상기 가스공급원에서 상기 분사노즐까지의 거리가 서로 동일하도록 형성된 상기 가스공급원과 상기 분사노즐을 연결하는 공급라인을 포함하여 구성된다.In an embodiment, the deposition gas providing portion may include a gas supply source for supplying a deposition gas, a plurality of injection nozzles provided in the process chamber for providing a deposition gas to the substrate, and a plurality of injection nozzles independently provided for the plurality of injection nozzles and the gas supply source And a supply line connecting the gas supply source and the injection nozzle so that distances from the gas supply source to the injection nozzles are equal to each other.
예를 들어, 상기 분사노즐은 상기 프로세스 챔버 내측에 구비되되 기판 표면과 평행한 상기 프로세스 챔버의 횡단면 상에 구비될 수 있다. 또한, 상기 프로세스 챔버 내주면을 따라 90° 간격으로 4개의 분사노즐이 구비되고, 상기 가스공급원은 상기 4개의 분사노즐 중 하나의 분사노즐과 대응되는 위치에 구비되며, 상기 공급라인은 상기 프로세스 챔버의 내주면을 따라 호의 형태로 형성되되 상기 프로세스 챔버의 둘레 길이의 1/2에 대응되는 길이로 형성된다.For example, the injection nozzle may be provided on the cross-section of the process chamber, which is disposed inside the process chamber and parallel to the substrate surface. In addition, four injection nozzles are provided at intervals of 90 degrees along the inner circumferential surface of the process chamber, and the gas supply source is provided at a position corresponding to one of the four injection nozzles, And is formed in the shape of a arc along the inner circumferential surface and has a length corresponding to 1/2 of the circumferential length of the process chamber.
본 발명에 따르면, 공급라인의 길이를 일정하게 형성함으로써 공급라인 및 분사노즐의 증착가스 분압이 일정하게 형성되도록 하여 플라즈마 발생 밀도와 균일도를 효과적으로 향상시킬 수 있다.According to the present invention, by forming the length of the supply line to be constant, the deposition gas partial pressure of the supply line and the injection nozzle can be uniformly formed, thereby effectively improving the plasma generation density and uniformity.
첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to or limited by the embodiments.
이하, 도 1과 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 대해 상세하게 설명한다. 참고적으로 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 설명하기 위한 종단면도이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 처리장치의 횡단면도이다.Hereinafter, a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a longitudinal sectional view for explaining a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a cross-sectional view of the plasma processing apparatus of Fig.
도 1을 참조하면, 플라즈마 처리장치(100)는 프로세스 챔버(101), 증착가스 제공부(102), 서셉터(103) 및 플라즈마 발생부(104)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, a
한편, 본 발명에 따른 플라즈마 발생부(104)는 증착장치를 예로 들어 설명하나, 증착장치 이외에도 식각이나 애싱(ashing)과 같이 플라즈마를 이용한 장치에는 모두 적용이 가능하다.Meanwhile, the
상기 프로세스 챔버(101)는 기판(10)을 수용하여 플라즈마가 발생되는 공간 을 제공하며, 상부가 돔(dome) 형태를 갖는다.The
상기 서셉터(103)는 상기 프로세스 챔버(101) 내에 구비되어 상기 기판(10)이 안착된되며, 증착 공정을 위해 상기 기판(10)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 구비될 수 있다.The
상기 플라즈마 발생부(104)는 상기 프로세스 챔버(101) 상부에 구비되어 상기 프로세스 챔버(101) 내부 공간에 플라즈마를 발생시킨다. 예를 들어, 상기 플라즈마 발생부(104)는 상기 프로세스 챔버(101) 둘레에 구비되어 상부에 구비되어 유도결합 방식(inductively coupled plasma, ICP)으로 플라즈마를 발생시키는 ICP 안테나일 수 있다. 일 예로서, 상기 플라즈마 발생부(104)는 상기 프로세스 챔버(101) 둘레를 따라 권선된 코일이며, 상기 플라즈마 발생부(104)의 일측에는 상기 플라즈마 발생부(104)에 고주파 전원을 인가하는 전원공급부와 그라운드와 연결되는 접지부가 연결된다.The
또는, 상기 플라즈마 발생부(104)는 상기 프로세스 챔버(101) 상부에 구비되며 상기 서셉터(103)와 한쌍의 전극이 되어 정전결합 방식(conductively coupled plasma, 이하, CCP라 한다)으로 플라즈마를 발생시키는 CCP 전극일 수 있다. 이 경우, 상기 플라즈마 발생부(104)가 CCP 전극이 되기 위해서는 상기 서셉터(103)에 평행한 평판 형태로 형성된다.Alternatively, the
상기 증착가스 제공부(102)는 상기 프로세스 챔버(101) 상부에 구비된 복수개의 분사노즐(121)과 상기 프로세스 챔버(101) 외부 일측에 구비된 가스공급원(123) 및 상기 분사노즐(121)과 상기 가스공급원(123)을 연결시키는 공급라 인(122)을 포함하여 구성된다.The
한편, 상기 가스공급원(123)에서 멀어질수록 상기 분사노즐(121) 및 상기 공급라인(122)에 부가되는 증착가스의 분압이 점차 감소하게 되므로 상기 분사노즐(121)에서 분사되는 증착가스의 분사량 역시 감소하게 된다. 따라서 본 실시예에서는 상기 분사노즐(121)에서 위치와 상관없이 증착가스 분사량을 일정하게 유지시키기 위해서 상기 공급라인(122)의 길이가 서로 동일하게 형성된다.The partial pressure of the deposition gas added to the
도 2를 참조하면, 상기 프로세스 챔버(101)는 돔 형태를 가지며 상기 기판(10) 및 상기 서셉터(103)에 대응되는 원형 단면을 갖는다. 여기서, 본 실시예에서는 원형 기판(10)을 사용하므로 원형 단면을 갖는 프로세스 챔버(101)를 예시하였으나 실질적으로 다양한 형태의 기판(10)을 사용할 수 있으며 상기 기판(10)의 형태에 따라 상기 프로세스 챔버(101)의 형태 역시 변경된다.Referring to FIG. 2, the
상기 공급라인(122)은 상기 프로세스 챔버(101) 벽 내부에 구비되며 상기 가스공급원(123)에서 상기 분사노즐(121)까지 독립된 유로를 형성하는 복수개의 공급라인(122)이 형성되며 상기 각 공급라인(122)은 서로 동일한 길이를 갖도록 형성된다.The supply line 122 is provided in a wall of the
예를 들어, 상기 프로세스 챔버(101) 내부에는 90° 간격으로 이격되어 4개의 분사노즐(121a, 121b, 121c, 121d)이 구비되고, 상기 가스공급원(123)에서 상기 4개의 분사노즐(121a, 121b, 121c, 121d)까지 서로 동일하게 연결할 수 있도록 상기 프로세스 챔버(101) 둘레를 따라 4개의 공급라인(122a, 122b, 122c, 122d)이 형성된다.For example, four
이하에서는, 설명의 편의를 위해 상기 4개의 분사노즐(121a, 121b, 121c, 121d)과 상기 4개의 공급라인(122a, 122b, 122c, 122d)은 각각 도면부호의 마지막에 영문자 a, b, c, d 붙여서 구분하기로 한다.Hereinafter, for convenience of description, the four
상기 가스공급원(123)은 제1 분사노즐(121a)에 대응되는 위치에 구비되고, 제2 및 제4 분사노즐(121b, 121d)은 상기 제1 분사노즐(121a)에서 좌우로 각각 90° 이격된 위치에 구비되며 제3 분사노즐(121c)은 상기 제1 분사노즐(121a)과 180° 이격되어 대향되는 위치에 배치된다. 그리고 상기 4개의 공급라인(122a, 122b, 122c, 122d)은 상기 프로세스 챔버(101)의 둘레 길이의 1/2에 해당하는 길이를 갖는다.The
도 2에 도시한 바와 같이, 제1 공급라인(122a)은 상기 프로세스 챔버(101) 둘레를 따라 상기 가스공급원(123)에서 일측으로 90° 지점인 상기 제2 분사노즐(121b)(또는 제4 분사노즐(121d))까지 연장된 후 연장된 지점에서 다시 상기 제1 분사노즐(121a)로 연결된다.2, the
그리고 상기 제2 공급라인(122b)은 상기 가스공급원(123)에서 상기 프로세스 챔버(101) 둘레를 따라 상기 제2 분사노즐(121b)보다 45°를 더 지난 지점까지 연장된 후 연장된 지점에서 상기 제2 분사노즐(121b)로 연결되도록 형성된다.The
마찬가지로 상기 제4 공급라인(122d) 역시 상기 제2 공급라인(122b)과 상기 프로세스 챔버(101)의 중심점을 기준으로 대칭되는 형태로 형성된다.Similarly, the
상기 제3 공급라인(122c)은 상기 가스공급원(123)에서 상기 프로세스 챔버(101) 둘레를 따라 상기 제3 분사노즐(121c)까지 연결된다.The
한편 상기 분사노즐(121)의 형태와 수가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(10) 및 상기 프로세스 챔버(101)의 형태와 크기에 따라 실질적으로 다양하게 변경 가능하다. 또한 상기 공급라인(122)의 형태 역시 상기 가스공급원(123)에서 각 분사노즐(121)로 연결되는 공급라인(122)의 길이가 일정하도록 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 공급되는 증착가스의 종류에 따라 복수개의 가스공급원(123)이 구비될 수 있으며, 상기 가스공급원(123)의 수나 상기 분사노즐(121)의 수에 따라 상기 공급라인(122)의 형태가 실질적으로 변경되는 것은 당연하다 할 것이다.Meanwhile, the shape and number of the
한편, 상술한 실시예에서는 상기 프로세스 챔버(101)에서 상기 분사노즐(121)이 분기되는 부분과 상기 분사노즐(121)이 상기 프로세스 챔버(101) 내부로 주입되는 부분이 동일한 평면에서 형성된 것으로 예시하였으나, 상술한 실시예와는 달리, 상기 분사노즐(121)에서 가스가 분기되는 부분과 상기 프로세스 챔버(101) 내부로 주입되는 부분이 서로 다른 층으로 형성하는 것도 가능할 것이다. 즉, 상기 분사노즐(121)은 상기 프로세스 챔버(101) 내부에서 원주 방향뿐만 아니라 위도 방향으로도 서로 다른 방향으로 다수로 분지되어 형성될 수 있다.It should be noted that in the embodiment described above, the portion where the
또한, 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 상기 분사노즐(121)의 수는 4개를 비롯하여 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.In addition, the present invention is not limited to the drawings, and the number of the
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments thereof, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. It can be understood that
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 설명하기 위한 종단면도;1 is a longitudinal sectional view for explaining a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
도 2는 도 1의 플라즈마 처리장치의 횡단면도이다.2 is a cross-sectional view of the plasma processing apparatus of Fig.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art
10: 기판 100: 플라즈마 처리장치10: substrate 100: plasma processing device
101: 프로세스 챔버 102: 증착가스 제공부101: process chamber 102: deposition gas supply
103: 서셉터 104: 플라즈마 발생부103: susceptor 104: plasma generator
121, 121a, 121b, 121c, 121d: 분사노즐121, 121a, 121b, 121c, 121d:
122, 122a, 122b, 122c, 122d: 공급라인122, 122a, 122b, 122c, 122d: supply line
123: 가스공급원123: gas supply source
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KR20070028705A (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-13 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for high density plasma chemical vapor deposition |
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