KR20100076690A - Pellicle and the method for demounting the same - Google Patents
Pellicle and the method for demounting the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100076690A KR20100076690A KR1020080134818A KR20080134818A KR20100076690A KR 20100076690 A KR20100076690 A KR 20100076690A KR 1020080134818 A KR1020080134818 A KR 1020080134818A KR 20080134818 A KR20080134818 A KR 20080134818A KR 20100076690 A KR20100076690 A KR 20100076690A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pellicle
- photomask
- pellicle frame
- shape memory
- memory alloy
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- -1 copper-aluminum-nickel Chemical compound 0.000 claims description 8
- 238000003795 desorption Methods 0.000 claims description 5
- 229910017535 Cu-Al-Ni Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토마스크의 보호 장비로 이용되는 펠리클 및 펠리클의 탈착방법에 관한 것이다.The present invention relates to a photomask, and more particularly, to a pellicle and a method of detaching a pellicle used as protective equipment for a photomask.
포토마스크는 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 공정이 완료된 후 펠리클을 부착하여 포토마스크 제작을 완료한다. 펠리클(pellicle)은 웨이퍼 이미지에 영향을 주지 않는 거리에 위치하면서 레티클(reticle) 또는 포토마스크(photomask)의 표면을 대기 중의 분자나 다른 오염원으로부터 보호하는 역할을 하고 있다. 이러한 펠리클을 포토마스크 상에 부착함에 따라 오염으로부터 보호하고, 포토마스크의 사용 수명 및 세정 주기를 연장시켜 비용을 감소시키고, 최종적으로 반도체 소자의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있어 널리 적용되고 있다. 그런데 포토마스크를 제작하는 과정에서 펠리클 재작업이 필요한 경우가 있다. 예를 들어, 반도체 제조 공정에서 포토마스크를 사용하다가 펠리클이 파손되거나, 펠리클 멤브레인막(pellicle membrane)이 변형되거나, 또는 포토마스크 상에 세정이 필요한 경우에 펠리클 재작업을 진행하고 있다. 이와 같이 펠리클의 재작업이 필요한 경우, 먼저 펠리클을 포토마스크로부터 탈착하고(demount), 포토마스크를 세정하거나 검사하는 작업을 수행한 다음, 포토마스크 상에 펠리클을 다시 부착하는 작업을 수행하여 포토마스크를 형성하고 있다. After the process of forming the mask pattern on the substrate is completed, the photomask is attached to the pellicle to complete the photomask fabrication. The pellicle is located at a distance that does not affect the wafer image and serves to protect the surface of the reticle or photomask from molecules and other contaminants in the atmosphere. Attaching such pellicles on photomasks has been widely applied to protect them from contamination, to extend the service life of the photomasks and the cleaning cycle to reduce costs, and finally to improve the yield of semiconductor devices. However, pellicle rework is sometimes necessary during the manufacture of photomasks. For example, pellicle rework is being performed when a pellicle is broken, a pellicle membrane is deformed, or a cleaning is required on a photomask while using a photomask in a semiconductor manufacturing process. If the pellicle needs to be reworked as described above, the pellicle is first removed from the photomask, the photomask is cleaned or inspected, and then the pellicle is reattached onto the photomask. To form.
도 1은 일반적인 펠리클 구조를 설명하기 위해 나타내보인 도면이다. 그리고 도 2 및 도 3은 펠리클을 포토마스크로부터 탈착시키는 방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.1 is a view showing for explaining a general pellicle structure. 2 and 3 are views for explaining a method of detaching a pellicle from a photomask.
도 1에 도시된 바와 같이, 펠리클(110)은 포토마스크 표면과 일정 간격 이격되어 배치되는 펠리클 멤브레인막(100) 및 펠리클 멤브레인막(100)을 둘러싸면서 지지대 역할을 하는 펠리클 프레임부(pellicle frame, 105)를 포함한다. 펠리클 프레임부(105)는 포토마스크 상에 세정 공정 및 검사 공정을 진행하기 위해 펠리클(110)을 포토마스크로부터 탈착시키기 위한 도구가 부착되는 탈,부착용 홀(hole, 120)을 포함하여 이루어진다. 포토마스크 상에 세정등의 공정을 진행하기 위해 펠리클(110)을 포토마스크로부터 제거하는 경우, 펠리클 프레임(105)을 제거하여 펠리클 멤브레인막(100)과 펠리클 프레임(105)을 동시에 제거하고 있다. 펠리클을 제거하는 방법은 작업자가 직접 도구를 사용하여 제거하는 방식과, 펠리클 탈착도구(pellicle De-mounter)를 사용하여 제거하는 방식이 사용되고 있다. 일반적으로 포토마스크 상에 적용하고 있는 펠리클 프레임의 경우, 단일 금속으로 제작되기 때문에 물리적인 힘을 가하여 펠리클을 탈착하는 방법이 주로 사용되고 있다. As shown in FIG. 1, the
도 2를 참조하면, 작업자가 직접 탈착 도구를 이용하여 수작업으로 펠리클(110)을 포토마스크(200)로부터 탈착시키는 방법은 펠리클 프레임(105)의 양 측 면에 배치된 탈,부착용 홀(120)에 탈착 도구(215)를 밀착시키고 지렛대의 원리를 이용하여 화살표 방향으로 탈착 도구(215)에 물리적 힘을 가한다. 그러면 도 3에 도시된 바와 같이, 접착제(125)에 의해 포토마스크(200)에 부착된 펠리클(110)이 탈착 도구(215)에 가해진 물리적 힘에 의해 포토마스크(200)로부터 탈착된다. 펠리클 탈착 도구(pellicle De-mounter, 미도시함)는 작업자가 수작업으로 물리적 힘을 가하여 펠리클을 탈착시키는 것을 기계식 장력으로 대체한 것이다. 그런데 이러한 물리적인 힘으로 펠리클을 탈착시키는 방법은, 도 3에 도시된 바와 같이, 수작업을 진행함에 따른 작업자의 작업 숙련도에 의해 펠리클 멤브레인막(100)이 파손되어 마스크 패턴 상에 오염(300)이 발생하는 문제가 발생한다. 또한, 탈착 도구(215)를 포토마스크(200) 표면에 밀착시킨 상태에서 펠리클 탈착 작업이 진행함에 따라 포토마스크(200) 표면에 스크래치(scratch)가 발생하거나 오염이 발생하여 재세정이 필요하거나 이 과정에서 잔류물등이 발생하는 문제가 발생한다. 작업자가 수작업으로 물리적 힘을 가하는 대신 펠리클 탈착도구를 이용하여 기계식으로 펠리클을 탈착시키는 방법 또한 마스크 패턴이 오염될 수 있는 위험성이 있으며, 기계적 정밀함을 갖는 펠리클 탈착 도구의 구입 및 제작, 다양한 크기를 갖는 펠리클 프레임에 따라 부품이 추가적으로 요구되거나 사용에 제한이 발생할 수 있다. 이에 따라 포토마스크 상에 부착된 펠리클을 용이하게 탈착시키면서 추가 오염을 발생시키지 않는 방법이 요구된다. Referring to FIG. 2, a method of manually detaching the
본 발명에 따른 펠리클은, 포토마스크와 일정 거리만큼 이격되어 표면을 덮는 펠리클 멤브레인; 및 상기 펠리클 멤브레인을 지지하게 상기 포토마스크와 펠리클 멤브레인 사이에 배치되면서 형상기억합금 물질을 포함하여 형성된 펠리클 프레임을 포함하는 것을 특징으로 한다.The pellicle according to the present invention comprises a pellicle membrane covering a surface spaced apart from the photomask by a predetermined distance; And a pellicle frame disposed between the photomask and the pellicle membrane to support the pellicle membrane and including a shape memory alloy material.
본 발명에 있어서, 상기 형상기억합금 물질을 포함하여 형성된 펠리클 프레임은 200℃ 내지 300℃의 온도에서 제조되고, 이 형상기억합금 물질은 구리-알루미늄-니켈(Cu-Al-Ni) 합금을 포함한다.In the present invention, the pellicle frame formed of the shape memory alloy material is manufactured at a temperature of 200 ℃ to 300 ℃, the shape memory alloy material comprises a copper-aluminum- nickel (Cu-Al-Ni) alloy .
본 발명에 따른 펠리클의 탈착방법은, 포토마스크를 준비하는 단계; 형상기억합금을 재료로 하면서 상기 포토마스크의 표면에 대하여 소정 각도로 휘어진 형상으로 펠리클 프레임을 형성하는 단계; 상기 펠리클 프레임을 상기 포토마스크의 표면과 평행한 형태로 변형하는 단계; 상기 형상기억합금을 재료로 형성한 펠리클 프레임 및 펠리클 멤브레인을 포함하는 펠리클을 상기 포토마스크 상에 부착하는 단계; 및 상기 형상기억합금을 재료로 하는 펠리클 프레임이 상기 포토마스크의 표면에 대하여 소정 각도로 휘어지게 상기 포토마스크 상에 열을 가하여 상기 펠리클 프레임을 탈착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Desorption method of the pellicle according to the present invention, preparing a photomask; Forming a pellicle frame having a shape memory alloy as a material and bent at a predetermined angle with respect to the surface of the photomask; Deforming the pellicle frame in a form parallel to the surface of the photomask; Attaching a pellicle comprising a pellicle frame and a pellicle membrane formed of the shape memory alloy on the photomask; And detaching the pellicle frame by applying heat on the photomask such that the pellicle frame made of the shape memory alloy is bent at a predetermined angle with respect to the surface of the photomask.
본 발명에 있어서, 상기 펠리클 프레임은 구리-알루미늄-니켈(Cu-Al-Ni) 합금을 이용하여 200℃ 내지 300℃의 온도에서 제조하는 것이 바람직하다.In the present invention, the pellicle frame is preferably manufactured at a temperature of 200 ° C to 300 ° C using a copper-aluminum-nickel (Cu-Al-Ni) alloy.
상기 펠리클 프레임을 탈착시키는 단계는, 상기 포토마스크 상에 상기 형상기억합금을 재료로 하는 펠리클 프레임의 제조 온도만큼 열을 가하여 상기 펠리클 프레임을 상기 포토마스크로부터 탈착시키는 것이 바람직하다.In the detaching of the pellicle frame, the pellicle frame may be detached from the photomask by applying heat to the photomask by a manufacturing temperature of the pellicle frame made of the shape memory alloy.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 펠리클의 펠리클 프레임 구조를 설명하기 위해 나타내보인 사시도이다.4 and 5 are perspective views shown to explain the pellicle frame structure of the pellicle according to the present invention.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 펠리클 프레임(400)은 형상기억합금(shape memory alloy) 물질을 재료로 형성한다. 형상기억합금 물질은 실온 또는 실온보다 낮은 저온에서 형상을 변형시키더라도 물질에 온도를 가하여 가열하면 변형 전의 형태로 되돌아가는 성질이 있는 물질이다. 이는 모상(parent phase)에서 형성된 합금이 외부 조건 변화에 의해 새롭게 다른 상(product phase)에 있을 때 변형을 받더라도, 모상의 조건으로 되돌리면 물질의 형상이 다시 원래 형상으로 되돌아가는 성질을 가졌기 때문이다. 예를 들어, 구리-알루미늄-니켈(Cu-Al-Ni) 합금의 원자배열 조직은 상온에서 불안정하여 외부에서 힘을 가하면 다른 원자배열로 바뀐다. 이 구리-알루미늄-니켈(Cu-Al-Ni)의 상(phase)은 일정 온도 이하에서만 안정하므로, 가열하거나 실온으로 되돌리면 원래의 원자배열로 되돌아간다. 이때 외부 힘에 의한 변형과 정반대의 변형이 일어나면서 재료의 형상도 변형 전의 형상으로 되돌아간다. 4, the
이러한 성질을 갖는 형상기억합금을 이용하여 펠리클 프레임(400)을 제조한다. 다시 도 4를 참조하면, 펠리클 프레임(400)은 수평면에 대하여 소정 각도(α)로 휘어진 형상으로 제조한다. 여기서 펠리클 프레임(400)은 형상기억합금, 바람직하게는 구리-알루미늄-니켈(Cu-Al-Ni) 합금을 이용하여 200℃ 내지 300℃의 온도에서 제조한다. 펠리클 프레임(400)은 포토마스크를 충분히 덮을 수 있는 크기로 제작하며, 직사각형 형상으로 형성한다. 펠리클 프레임(400)의 재료인 형상기억합금은 니켈과 티타늄 합금인 니티놀(Ni-Ti)을 이용한 합금을 사용할 수 있으나, 펠리클 프레임의 무게 및 비용등을 고려하여 소정 각도(α)로 휘어진 형상으로 용이하게 제조할 수 있는 구리-알루미늄-니켈(Cu-Al-Ni) 합금을 이용하는 것이 바람직하다. A
다음에 도 5에 도시한 바와 같이, 제조된 형상기억합금을 재료로 한 펠리클 프레임(400a)의 온도를 낮추어 수평면에 대하여 평행한 직사각형 형태로 변형시킨다. 펠리클 프레임(400a)을 제조하면서 적용한 온도인 200℃ 내지 300℃의 온도보다 낮은 온도, 예를 들어 100℃ 미만의 온도로 낮추면 수평면에 대하여 소정 각도(α)로 휘어진 형상이었던 펠리클 프레임(400, 도 4 참조)의 형상이 평평한 형태로 변형된다. 포토마스크를 반도체 제작 공정에서 사용하는 온도는 일반적으로 상온 내지 100℃ 미만의 온도의 환경에서 사용하므로 포토마스크를 사용하는 도중에 펠리클 프레임의 온도 상승으로 인한 형태 변화는 발생하지 않는다. Next, as shown in FIG. 5, the temperature of the
이하 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 본 발명의 펠리클 프레임을 이용한 펠리클 탈착방법을 설명하기로 한다. Hereinafter, a pellicle desorption method using the pellicle frame of the present invention will be described with reference to FIGS. 6A to 6C.
도 6a를 참조하면, 포토마스크(500)를 준비한다. 포토마스크(500)는 비록 도면에 도시하지는 않았지만, 투명 기판에 마스크 패턴이 형성된 구조로 이루어진다. 여기서 투명 기판은 석영(Quartz)을 포함하는 빛을 투과할 수 있는 물질로 이루어진다. 마스크 패턴은 웨이퍼에 전사하고자 하는 패턴으로 크롬(Cr)을 포함하는 차광막 패턴 또는 몰리브덴(Mo)계 화합물을 포함하는 위상반전막 패턴을 포함하여 이루어진다. 이 경우, 마스크 패턴은 포토마스크(500)의 중심부에 형성되며, 포토마스크(500)의 가장자리 부분은 포토마스크의 고정 등을 위해 패턴이 형성되지 않는 영역이다. Referring to FIG. 6A, a
도 6b를 참조하면, 형상기억합금을 재료로 형성한 펠리클 프레임(510)을 포함하는 펠리클(515)을 포토마스크(500) 상에 부착한다. 펠리클(505)의 단면을 일부 잘라내어 나타내보인 도 6b의 (a)를 참조하면, 펠리클(505)은 웨이퍼에 전사하고자 하는 마스크 패턴과 일정 거리만큼 이격되어 표면을 덮는 펠리클 멤브레인(505)과, 펠리클 멤브레인(505)을 지지하도록 마스크 패턴과 펠리클 멤브레인(505) 사이에 배치되는 펠리클 프레임(510)을 포함하여 이루어진다. 펠리클(505)의 측면부를 나타내보인 도 6b의 (b)를 참조하면, 마스크 접착제(520)는 펠리클 프레임(510)과 포토마스크(500)를 부착하여 고정시킨다. 펠리클(515)이 부착되는 영역은 마스크 패턴이 형성된 영역에 영향을 미치지 않는 패드부에 부착된다.Referring to FIG. 6B, a
도 6c를 참조하면, 포토마스크(500)를 가열하여 펠리클 프레임(510)을 형상기억합금의 제조시 형상으로 되돌아가게 하여 펠리클(515)을 포토마스크(500)로부터 탈착시킨다. 구체적으로, 포토마스크(500)를 형상기억합금의 제조 온도인 200℃ 내지 300℃ 온도로 가열한다. 그러면 펠리클 프레임(510)을 이루는 구리-알루미늄-니켈(Cu-Al-Ni) 합금 재료가 원래의 원자배열로 되돌아간다. 이에 따라 외부 힘에 의한 변형과 정반대의 변형이 일어나면서 변형 전의 형상으로 되돌아가는 형상기억합금의 특성에 의해 펠리클 프레임(510)은 도 6c의 (b)에 나타낸 바와 같이, 포토마스크(500)의 수평면에 대하여 소정 각도(α)로 휘어진 형상으로 되돌아간다. 이와 같이 펠리클 프레임(510)의 형상이 원래의 형상으로 되돌아가는 과정에서 포토마스크(500)로부터 탈착이 용이하게 이루어진다. 다음에 도면에 도시하지는 않았지만, 펠리클 프레임(510)을 포함하는 펠리클을 포토마스크(500)로부터 제거하고, 후속 세정 공정 및 검사 공정을 진행한다.Referring to FIG. 6C, the
본 발명에 의한 펠리클 제거방법은, 펠리클 프레임의 재료를 형상기억합금으로 제조함으로써 열처리만으로 펠리클을 포토마스크로부터 용이하게 제거할 수 있다. 이에 따라 물리적인 힘을 이용하여 펠리클을 제거시 발생하는 오염 및 포토마스크 표면에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 추가적인 기계적 장비 없이 용이하게 펠리클을 포토마스크로부터 탈착시킬 수 있다. In the pellicle removing method according to the present invention, the pellicle can be easily removed from the photomask only by heat treatment by manufacturing the material of the pellicle frame from the shape memory alloy. Accordingly, the physical force may be used to prevent contamination of the pellicle and damage to the photomask surface, and the pellicle may be easily detached from the photomask without additional mechanical equipment.
도 1은 일반적인 펠리클 구조를 설명하기 위해 나타내보인 도면이다. 1 is a view showing for explaining a general pellicle structure.
도 2 및 도 3은 펠리클을 포토마스크로부터 탈착시키는 방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.2 and 3 are diagrams for explaining a method of detaching a pellicle from a photomask.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 펠리클의 펠리클 프레임 구조를 설명하기 위해 나타내보인 사시도이다.4 and 5 are perspective views shown to explain the pellicle frame structure of the pellicle according to the present invention.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 펠리클 프레임을 포함하는 펠리클의 탈착방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.6A to 6C are views illustrating a method of detaching a pellicle including a pellicle frame of the present invention.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080134818A KR20100076690A (en) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | Pellicle and the method for demounting the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080134818A KR20100076690A (en) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | Pellicle and the method for demounting the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100076690A true KR20100076690A (en) | 2010-07-06 |
Family
ID=42638371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080134818A KR20100076690A (en) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | Pellicle and the method for demounting the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20100076690A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3944017A1 (en) * | 2020-07-24 | 2022-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Euv pellicle and mounting method thereof on photo mask |
US20240242996A1 (en) * | 2017-04-24 | 2024-07-18 | Photronics, Inc. | Pellicle removal tool |
-
2008
- 2008-12-26 KR KR1020080134818A patent/KR20100076690A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20240242996A1 (en) * | 2017-04-24 | 2024-07-18 | Photronics, Inc. | Pellicle removal tool |
EP3944017A1 (en) * | 2020-07-24 | 2022-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Euv pellicle and mounting method thereof on photo mask |
KR20220013304A (en) * | 2020-07-24 | 2022-02-04 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | Euv pellicle and mounting method thereof on photo mask |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI830485B (en) | Pellicle frame, pellicle, photomask with pellicle, exposure method, method of manufacturing a pattern, and method of manufacturing a semiconductor device | |
KR101743299B1 (en) | A pellicle for lithography and a method for manufacturing the same | |
JP5189614B2 (en) | Pellicle, method of attaching the pellicle, mask with pellicle and mask | |
US20170184955A1 (en) | Pellicle for euv exposure | |
KR20180053251A (en) | Method of manufacturing a graphene film, and method of manufacturing a pellicle using the same | |
JP7456526B2 (en) | Method for manufacturing a pellicle, method for manufacturing a photomask with a pellicle, exposure method, method for manufacturing a semiconductor device, method for manufacturing a liquid crystal display, and method for manufacturing an organic EL display | |
TW201837600A (en) | Pellicle frame and pellicle using the same | |
EP2871521B1 (en) | Method for bonding a pellicle to a stencil | |
KR20130024878A (en) | Photomask unit and method of manufacturing same | |
JP6304884B2 (en) | Pellicle pasting method | |
JP4007752B2 (en) | Large pellicle frame and large pellicle | |
JP4512782B2 (en) | Mask structure and semiconductor device manufacturing method using the same | |
KR20100076690A (en) | Pellicle and the method for demounting the same | |
JP5668346B2 (en) | Mounting structure of pellicle to photomask | |
TWI585517B (en) | Dustproof film module containers for microfilm for developing dustproof film modules | |
TWI498672B (en) | Pellicle for lithography | |
TW202420478A (en) | Pellicle frame and pellicle | |
JP5746661B2 (en) | Pellicle manufacturing method | |
KR20150046716A (en) | Pellicle | |
JP5619436B2 (en) | Large pellicle frame and large pellicle | |
JP4343775B2 (en) | Pellicle frame and pellicle for photolithography | |
TWI440971B (en) | Pellicle frame | |
JP4345882B2 (en) | Large pellicle | |
JP2000305252A (en) | Method for peeling pellicle | |
TWI431413B (en) | A pellicle for lithography |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |