KR20100067823A - Electroplating device and fabricating method for the - Google Patents

Electroplating device and fabricating method for the Download PDF

Info

Publication number
KR20100067823A
KR20100067823A KR1020080126383A KR20080126383A KR20100067823A KR 20100067823 A KR20100067823 A KR 20100067823A KR 1020080126383 A KR1020080126383 A KR 1020080126383A KR 20080126383 A KR20080126383 A KR 20080126383A KR 20100067823 A KR20100067823 A KR 20100067823A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plating
wiring board
liquid
plating liquid
plated body
Prior art date
Application number
KR1020080126383A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이혁수
김지윤
박기태
강승태
김화진
김애림
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020080126383A priority Critical patent/KR20100067823A/en
Publication of KR20100067823A publication Critical patent/KR20100067823A/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/028Electroplating of selected surface areas one side electroplating, e.g. substrate conveyed in a bath with inhibited background plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/08Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/188Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by direct electroplating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

PURPOSE: A plating device and a wiring board manufacturing method using the same are provided to carry out plating without dipping a work piece in plating liquid by employing a floating method which makes the plating liquid contact only to a single side of the work piece. CONSTITUTION: A plating device(50) comprises a plating bath(51), a plating unit, a plating liquid supply unit(53), and conducting units(11,13). The plating bath in which plating liquid is filled so that a single side of a work piece(60) is plated by contacting the plating liquid. The plating liquid supply unit is formed under the plating tub and comprises a plurality of holes for supplying the plating liquid to the single side of the work piece. The conducting units apply current to the work piece.

Description

도금 장치 및 이를 이용한 배선 기판의 제조 방법{electroplating device and fabricating method for the}Plating apparatus and fabrication method of wiring board using same {electroplating device and fabricating method for the}

실시예는 도금 장치 및 이를 이용한 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a plating apparatus and a manufacturing method of a wiring board using the same.

전자기기는 점점 소형화, 경량화 및 박형화가 되는데, 이에 따라 전자기기에 사용되는 부품의 고집적화가 요구된다. 이에 대응하기 위한 패키지로는 파인피치(Fine Pitch)의 구현이 가능한 절연체인 테이프 형태의 폴리이미드를 사용한 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package : 이하 "TCP"라 함) 등이 있다.Electronic devices are becoming smaller, lighter, and thinner, and thus, high integration of components used in electronic devices is required. To cope with this, a tape carrier package using a polyimide in the form of a tape, which is an insulator capable of implementing a fine pitch, may be a tape carrier package (hereinafter referred to as "TCP").

전자부품으로서 사용되는 테이프 캐리어 등과 같은 배선 기판에서는 일반적으로 이너리드(inner lead) 등의 배선 패턴을 기판 표면에 형성하고 비아 홀(via hole), 그라운드 패턴(ground pattern) 등의 각종 홀 패턴을 그 이면에 형성한다.In a wiring board such as a tape carrier used as an electronic component, a wiring pattern such as an inner lead is generally formed on the surface of a substrate, and various hole patterns such as via holes and ground patterns are formed. It forms on the back side.

비아 홀은 절연체 기판을 관통하고 배선 패턴에 이르는 관통공으로써 그 홀 내에 금속을 도금함으로써 표면에 형성된 배선 패턴과 이면을 전기적으로 도통시키는 역할을 한다.The via hole is a through hole penetrating through the insulator substrate and reaching the wiring pattern, and serves to electrically connect the wiring pattern formed on the surface and the back surface by plating a metal in the hole.

배선 패턴의 외부 접속단자 접합부에 솔더볼과의 접합 강도가 높고, 고 신뢰성을 확보하기 위해 비아홀을 충전하는 비아 필링 구리 도금법이 많이 이용되고 있 다.Solder ball to the external connection terminal junction of the wiring pattern In order to secure high bonding strength and high reliability, via-filling copper plating is commonly used to fill via holes.

도 1은 일반적인 도금장치를 이용한 도금 공정을 보여주는 블럭도이다.1 is a block diagram showing a plating process using a general plating apparatus.

도 1을 참조하면, 일반적인 도금장치는 도금조 내에서 피도금체에 도금을 하기 위한 도금부(3)와, 도금액에서 도금 금속 이온이 환원되어 도금이 이루어지도록 상기 도금부(3) 전후단에서 피도금체에 전류를 인가하는 제1통전부(1) 및 제2통전부(5), 상기 도금부(3)로 반입되기 전에 도금이 이루어지지 않는 부분에 마스킹 테이프를 부착하기 위한 마스크 형성부(2), 상기 도금부(3)로 반출되어 도금이 완료된 피도금체에서 마스킹 테이프를 제거하기 위한 마스크 제거부(4)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a general plating apparatus includes a plating part 3 for plating a plated body in a plating bath, and a plating part 3 at front and rear ends of the plating part 3 so that plating metal ions are reduced in plating solution. Mask forming portion for attaching a masking tape to the first conducting portion 1 and the second conducting portion 5 for applying current to the object to be plated, and the portion where plating is not performed before being carried into the plating portion 3. (2), the mask removal part 4 for removing the masking tape from the to-be-plated body which is carried out to the said plating part 3 and the plating is completed is included.

상기 제1통전부(1)는 도금부(3) 전에 배치되어 피도금체와 연결되고, 제2통전부(5)는 도금부(3) 이후에 배치되어 피도금체와 연결됨으로써 상기 도금부(3) 내에 위치하는 피도금체에 전류가 흐를 수 있도록 한다.The first conducting portion 1 is disposed before the plating portion 3 and connected to the plated body, and the second conducting portion 5 is disposed after the plating portion 3 and connected to the plated body to thereby form the plating portion. (3) Allow current to flow to the plated body located in (3).

상기 도금조 내에는 도금액을 분사하기 위한 분류판 및 양극판을 더 포함할 수 있다.The plating bath may further include a splitter plate and a positive electrode plate for injecting a plating liquid.

이와 같은 일반적인 도금장치는 마스크 형성부(2) 및 마스크 제거부(4)가 필요하며, 이는 도금부(3) 내에서 테이프 캐리어 전체가 도금액에 잠긴 상태에서 도금이 이루어지기 때문이다.Such a general plating apparatus requires a mask forming portion 2 and a mask removing portion 4 because plating is performed while the entire tape carrier is immersed in the plating liquid in the plating portion 3.

즉, 종래에는 피도금체인 테이프 캐리어 전체를 도금조 내의 도금액에 담근 상태에서 스프레이로 도금액을 피도금체에 분사하는 방식을 사용하였다. 이 경우, 테이프 캐리어의 편면에만 도금이 이루어지도록 하기 위해 회로면에 마스킹 테이프를 부착하는 공정 및 도금 후에는 이 마스킹 테이프를 탈착하는 공정이 필요하다. That is, conventionally, the method of spraying a plating liquid to a to-be-plated body with the spray was used, soaking the whole tape carrier which is a to-be-plated body in the plating liquid in a plating tank. In this case, a process of attaching the masking tape to the circuit surface and a process of detaching the masking tape after plating are required in order to allow plating only on one side of the tape carrier.

이 마스킹 테이프의 탈/부착 공정이 추가될 경우 장비 투자비 및 재료비가 상승하고 불량 발생에 따른 공정 수율이 떨어지는 문제점이 있다. When the masking tape is detached / attached, the equipment investment cost and material cost are increased, and the process yield due to defects is lowered.

또한, 마스킹 테이프를 회로부에 부착할 경우 통전 방식이 복잡해져서 전체적인 공정의 복잡도를 증가시키기게 되고, 탈착 과정에서 마스킹 테이프를 완전히 제거하지 못할 경우 이물에 의하여 불량이 발생될 수 있다. In addition, when the masking tape is attached to the circuit part, the current passing method becomes complicated, which increases the complexity of the entire process, and when the masking tape is not completely removed in the detachment process, defects may be caused by foreign matter.

또한, 스프레이로 도금액을 고압 분사함에 따라 테이프 캐리어가 들려 비아홀 내 액침투가 균일하게 이루어지지 않으므로 도금이 불균일하게 이루어지는 문제점이 발생될 수 있다.In addition, as the tape carrier is lifted by spraying the plating liquid at a high pressure by spraying, the liquid penetration in the via hole is not uniformly performed, so that plating may be uneven.

실시예는 피도금체의 편면에만 도금액이 접촉되어 도금이 이루어지는 도금 장치를 제공한다.The embodiment provides a plating apparatus in which the plating liquid contacts only one surface of the to-be-plated body to perform plating.

실시예는 마스킹 테이프의 탈부착 공정을 위한 장치가 생략되어 콤팩트하고 간단한 도금 장치를 제공한다.The embodiment provides a compact and simple plating apparatus by omitting the apparatus for the detaching process of the masking tape.

실시예는 공정이 간단하고 공정 신뢰성이 향상된 도금장치를 이용한 배선 기판의 제조 방법을 제공한다.The embodiment provides a method of manufacturing a wiring board using a plating apparatus with a simple process and improved process reliability.

실시예에 따른 도금 장치는, 도금액이 담기는 도금조 및 피도금체의 편면이 상기 도금액과 접촉하도록 하는 도금부를 포함한다.The plating apparatus according to the embodiment includes a plating tank in which a plating liquid is contained and a one side of a plated body to contact the plating liquid.

실시예에 따른 도금 장치를 이용한 배선 기판의 제조 방법은, 도금액이 담긴 도금조로 배선 기판이 반입되는 단계, 상기 배선 기판의 편면이 상기 도금액과 접촉하며 도금이 이루어지는 단계 및 상기 배선 기판이 도금조에서 반출되는 단계를 포함한다.In the method of manufacturing a wiring board using the plating apparatus according to the embodiment, the wiring board is carried into a plating bath containing a plating solution, one side of the wiring board is in contact with the plating solution and plating is performed, and the wiring board is in a plating bath. Including the steps to be taken out.

실시예에 따른 도금 장치는 마스킹 테이프의 탈부착 공정 장치가 필요없어 장비가 콤팩트하며 도금 공정 시간이 단축되는 효과가 있다.The plating apparatus according to the embodiment does not need a process for attaching and detaching a masking tape, so the equipment is compact and the plating process time is shortened.

실시예에 따른 도금 장치는 마스킹 테이프를 탈부착 할 필요가 없어 통전 방 식이 간단해지므로 공정이 단순해지고 수율이 향상되는 효과가 있다.The plating apparatus according to the embodiment does not need to attach or detach the masking tape, so that the current flow becomes simple, thereby simplifying the process and improving yield.

실시예에 따른 도금 장치는 편면에만 도금액을 접촉시키는 플로팅(floating) 방식으로서, 도금이 이루어지므로 피도금체를 도금액에 침적시킬 필요가 없어 장비의 구성이 간단한 효과가 있다.Plating apparatus according to the embodiment is a floating (floating) method for contacting the plating liquid only on one side, the plating is made, there is no need to deposit the plated body in the plating liquid has a simple configuration of the equipment.

실시예에 따른 도금 장치를 이용하여 제조된 배선 기판은 비아홀 내 액침투 균일성이 뛰어나 도금 특성이 우수한 효과가 있다.The wiring board manufactured by using the plating apparatus according to the embodiment has an excellent effect of excellent plating characteristics in the liquid penetration uniformity in the via hole.

실시예에 따른 도금 장치 및 이를 이용한 배선 기판의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.A plating apparatus and a method of manufacturing a wiring board using the same according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/위(on/over)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/위(on/over)는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. In the description of the embodiments, where described as being formed "on / over" of each layer, the on / over may be directly or through another layer ( indirectly) includes everything formed.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

도 2는 실시예에 따른 도금 장치의 구성을 보여주는 블럭도이다. 또한, 도 3은 실시예에 따른 도금 장치의 도금 공정을 보여주는 단면도이다.2 is a block diagram showing the configuration of a plating apparatus according to the embodiment. 3 is a cross-sectional view showing a plating process of the plating apparatus according to the embodiment.

도 2 및 도 3을 참조하면, 도금 장치(50)는 도금액(57)이 담기는 도금조(51) 및 상기 도금조(51)의 하부에 배치되어 상기 피도금체(60)의 편면으로 도금액(57) 을 일정 유량으로 공급하는 다수의 홀이 형성된 도금액 공급부(53) 및 상기 도금조(51)의 양단에 배치되어 상기 피도금체(60)에 전류를 인가하는 통전부(11, 13)를 포함한다.2 and 3, the plating apparatus 50 is disposed below the plating bath 51 in which the plating liquid 57 is contained and the plating bath 51, and the plating solution 50 is formed on one side of the plated body 60. Plating liquid supply parts 53 having a plurality of holes for supplying 57 at a constant flow rate, and conducting parts 11 and 13 disposed at both ends of the plating bath 51 to apply current to the plated body 60. It includes.

상기 도금 장치는 피도금체(60)의 편면이 상기 도금액(57)과 접촉하도록 가이드하는 가이드부를 더 포함할 수도 있다.The plating apparatus may further include a guide part for guiding one side of the plated body 60 to contact the plating solution 57.

상기 피도금체(60)는 테이프 캐리어(tape carrier) 구조로 이루어질 수 있다.The plated body 60 may be formed in a tape carrier structure.

상기 피도금체(60)는 예를 들어, 일면에 회로면이 형성되고 다른면에 비아홀이 형성된 배선 기판으로서, 상기 도금 장치에 의하여 상기 비아홀 내에 도금이 이루어진다.The to-be-plated body 60 is, for example, a wiring board having a circuit surface formed on one surface and a via hole formed on the other surface, and plating is performed in the via hole by the plating apparatus.

상기 피도금체(60)는 상기 도금조(51) 내에서 도금액(57) 상에 플로팅되어 편면에만 도금이 이루어지며, 도금이 되지 않는 다른 면 즉, 회로면은 외부 공기와 접촉된다.The to-be-plated body 60 is floated on the plating liquid 57 in the plating tank 51 to be plated only on one side, and the other surface that is not plated, that is, the circuit surface is in contact with the outside air.

도시하지는 않았으나, 가이드부는 상기 피도금체(60)에 도금이 균일하게 이루어지도록 들뜸을 방지하도록 일정한 장력을 유지시켜 준다. 상기 가이드부는 롤러 타입으로 이루어질 수 있으며, 상기 가이드부는 피도금체(60)를 도금부(12) 내에서 일정한 속력으로 이송시키는 역할을 할 수도 있다.Although not shown, the guide unit maintains a constant tension to prevent the lifting to be uniformly plated on the plated body (60). The guide part may be formed in a roller type, and the guide part may serve to transfer the plated body 60 at a constant speed in the plating part 12.

상기 가이드부는 테이프 캐리어 형태의 피도금체(60)의 이송 방향을 전환시키는 역할을 할 수도 있으며, 쳐짐을 방지할 수 있다.The guide portion may serve to change the conveying direction of the plated body 60 in the form of a tape carrier, and prevent sagging.

상기 통전부는 제1통전부(11) 및 제2통전부(13)를 포함할 수 있다.The conductive part may include a first conductive part 11 and a second conductive part 13.

상기 제1통전부(11)는 피도금체(60)의 이송 방향을 기준으로 하였을 때, 상기 도금부(12) 전단에 배치되며, 상기 제2통전부(13)는 상기 도금부(12) 후단에 배치된다.The first conducting portion 11 is disposed in front of the plating portion 12 when the transfer direction of the plated body 60 is a reference, and the second conducting portion 13 is the plating portion 12. It is placed at the rear end.

이로써, 상기 도금부(12) 내에 위치하는 피도금체(60)에 전류를 인가할 수 있다.As a result, a current may be applied to the plated body 60 positioned in the plating part 12.

상기 피도금체(60)와 대응하도록 상기 도금조(51) 내에 전극판(55)이 더 배치된다.The electrode plate 55 is further disposed in the plating bath 51 to correspond to the plated body 60.

상기 전극판(55)은 예를 들어, 양극판일 수 있다. 이 경우, 상기 피도금체(60)는 음극판의 역할을 한다.The electrode plate 55 may be, for example, a positive electrode plate. In this case, the plated body 60 serves as a negative electrode plate.

상기 전극판(55)은 티타늄(Ti)에 이리듐 산화막(IrO2)이 코팅된 불용성 기판을 사용할 수 있다.The electrode plate 55 may use an insoluble substrate coated with an iridium oxide film (IrO 2 ) on titanium (Ti).

상기 전극판(55)은 상기 피도금체(60)와 상기 도금액 공급부(53) 사이에 배치될 수 있으며, 상기 전극판(55)은 메쉬(mesh)구조로 이루어질 수 있다.The electrode plate 55 may be disposed between the plated body 60 and the plating solution supply unit 53, and the electrode plate 55 may have a mesh structure.

상기 피도금체(60)와 상기 전극판(55)에 의해 형성된 전류에 의하여 상기 피도금체(60)와 상기 전극판(55) 사이에 도금액(57)의 도금 금속의 세세한 입자가 음극쪽에서 환원되어 피도금체(60)의 표면에서 석출되면서 견고히 부착되게 되어 도금이 이루어진다.The fine particles of the plating metal of the plating liquid 57 are reduced between the plated body 60 and the electrode plate 55 by the current formed by the plated body 60 and the electrode plate 55 at the cathode side. It is deposited on the surface of the plated body 60 is firmly attached to the plating is made.

한편, 도금부(12) 내에서 피도금체(60)에 도금이 이루어질 때 도금조(51) 하부에 배치된 도금액 공급부(53)에서는 지속적으로 도금액(57)을 전극판(55)으로 공급하고, 이 도금액(57)은 메쉬 구조의 전극판(55)을 통해 피도금체의(60) 도금 면 으로 공급된다.Meanwhile, when plating is performed on the plated body 60 in the plating unit 12, the plating solution supply unit 53 disposed under the plating tank 51 continuously supplies the plating solution 57 to the electrode plate 55. The plating liquid 57 is supplied to the plating surface of the plated body 60 through the mesh plate electrode plate 55.

상기 도금액 공급부(53)는 다공판 구조로 이루어질 수 있으며, 다수의 홀들을 통해서 일정 유량으로 도금액(57)이 분사된다.The plating liquid supply unit 53 may have a porous plate structure, and the plating liquid 57 is injected at a predetermined flow rate through the plurality of holes.

일반적인 침적 타입의 도금 장치(50)의 경우 피도금체(60)가 도금액(57) 내에 침적되어 도금이 이루어지며 침적된 피도금체(60)에 도금액(57)이 스프레이 방식으로 고압 분사되나, 실시예에 따른 도금 장치(50)는 피도금체(60)가 도금액(57) 상에 플로팅(floating)되어 편면만 접촉한 채로 도금이 이루어지기 때문에 상기 도금액 공급부(53)는 유량 제어부(12a)에 의하여 30~80ℓ/min.의 유량으로 도금액을 분사한다.In the general deposition type plating apparatus 50, the plated body 60 is deposited by plating in the plating solution 57, and the plating solution 57 is sprayed at a high pressure by spraying on the deposited plated body 60. In the plating apparatus 50 according to the embodiment, the plating solution 50 is plated with the plated body 60 floating on the plating solution 57 so that only one surface thereof is in contact with the plating solution 50. By spraying the plating liquid at a flow rate of 30 to 80 l / min.

상기 유량은 도금액(57)이 피도금체(60)에 분사될 경우 상기 도금액(57)과 접촉하지 않는 피도금체(60)의 이면으로 도금액이 넘치지 않도록 유량 제어부(12a)에서 조절하여 결정된다.The flow rate is determined by adjusting the flow rate control unit 12a so that the plating liquid does not overflow to the back surface of the plated body 60 that does not contact the plating liquid 57 when the plating liquid 57 is injected onto the plated body 60. .

이때, 상기 피도금체(60)는 필름 타입이므로 처짐이 발생되지 않도록 장력 및 패쓰 라인(path line)의 최적화가 이루어진다.At this time, since the to-be-plated body 60 is a film type, tension and path lines are optimized to prevent sagging.

따라서, 상기 도금액 공급부(53)의 홀의 사이즈도 일반적인 침적 타입의 도금 장치(50)에서 사용하는 분류판의 홀 사이즈보다 크게 형성될 수 있다.Therefore, the hole size of the plating liquid supply part 53 may also be larger than the hole size of the splitter plate used in the plating apparatus 50 of the general deposition type.

도금액(57)은 황산구리(CuSO4), 황산(H2SO4), 황산철(FeSO4) 및 염화나트륨(NaCl) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The plating solution 57 may include at least one of copper sulfate (CuSO 4 ), sulfuric acid (H 2 SO 4 ), iron sulfate (FeSO 4 ), and sodium chloride (NaCl).

도금액은 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 상기 첨가제는 가속제, 감속제 및 평탄제 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The plating liquid may further include an additive, and the additive may include at least one of an accelerator, a moderator, and a planarizer.

가속제는 디설파이드(disulfide)계열의 SPS(Bissulfopropyl disulfide), MPSA(3-mercapto-1-propanesulfonic acid), DPS(3-N,N-dimethylaminodithiocarbamoyl-1-propanesulfonic acid) 및 MBIS(2-mercapto-5-benzimidazolesulfonic acid) 중 적어도 하나를 포함한다.Accelerators include disulfide-based BISSulfopropyl disulfide (SPS), MPSA (3-mercapto-1-propanesulfonic acid), DPS (3-N, N-dimethylaminodithiocarbamoyl-1-propanesulfonic acid) and MBIS (2-mercapto-5 -benzimidazolesulfonic acid).

감속제는 PEG(Polyethylene glycol) 및 Thiourea 중 적어도 하나를 포함한다.The moderator includes at least one of polyethylene glycol (PEG) and Thiourea.

평탄제는 질소(nitrogen) 및/또는 암모늄(ammonium) 계열을 주로 사용한다.The planarizer mainly uses the nitrogen and / or ammonium series.

여기서, 상기 도금부(12) 전단에 초음파 수세조를 배치하여, 상기 초음파 수세조 내에 일정 농도의 가속제를 투입하여 비아홀 내의 젖음성(wettability)을 향상시킬 수 있다.Here, by placing an ultrasonic washing tank in front of the plating unit 12, by adding a accelerator of a predetermined concentration in the ultrasonic washing tank can improve the wettability (wettability) in the via hole.

도 4는 도 3의 "A" 부분을 확대하여 보여주는 도면이다. FIG. 4 is an enlarged view of portion “A” of FIG. 3.

또한, 도 5는 실시예에 따른 도금 장치를 이용하여 제조된 배선 기판을 보여주는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a wiring board manufactured using the plating apparatus according to the embodiment.

도 3 내지 도 5를 참조로 하여, 실시예에 따른 도금 장치(50)에 의하여 도금 공정이 이루어지는 피도금체(60)의 제조 공정을 살펴보기로 한다.3 to 5, a manufacturing process of the plated body 60 in which the plating process is performed by the plating apparatus 50 according to the embodiment will be described.

먼저, 절연성의 기판(10)을 준비한다.First, an insulating substrate 10 is prepared.

상기 기판(10)은 폴리이미드 재질 또는 유리 섬유에 에폭시 및 무기 필러(filler)가 충진된 형태의 기판일 수 있다. 상기 기판(10)의 두께는 20~200㎛일 수 있다. The substrate 10 may be a substrate in which epoxy and an inorganic filler are filled in a polyimide material or glass fiber. The thickness of the substrate 10 may be 20 ~ 200㎛.

기판(10)에 복수 개의 비아홀(20)을 형성한다. 상기 비아홀(20)은 기판(10) 을 기계 드릴, 레이저 드릴 및 펀칭 가공 중 하나를 사용함으로써 형성할 수 있다. 상기 비아홀(20)은 기판(10)을 포토 리소그래피와 같은 선택적 식각 공법을 통하여 형성할 수도 있다.A plurality of via holes 20 are formed in the substrate 10. The via hole 20 may be formed by using the substrate 10 by using one of a mechanical drill, a laser drill, and a punching process. The via hole 20 may also form the substrate 10 through a selective etching method such as photolithography.

비아홀(20)이 형성된 기판(10)의 다른 면에 금속막(30)을 형성한다.The metal film 30 is formed on the other surface of the substrate 10 on which the via holes 20 are formed.

상기 금속막(30)은 구리박막일 수 있다.The metal film 30 may be a copper thin film.

상기 금속막(30)은 접착제를 이용하여 기판(10)에 부착될 수 있다.The metal film 30 may be attached to the substrate 10 using an adhesive.

상기와 같이 준비된 기판(10)은 도금액이 담긴 도금조(51)로 반입된다.The substrate 10 prepared as described above is carried into the plating bath 51 containing the plating liquid.

이때, 비아홀(20)이 형성된 기판(10)의 편면만 상기 도금액(57)과 접촉할 수 있도록 도금액(57)에 플로팅되어 반입이 이루어진다.At this time, only one side of the substrate 10 on which the via hole 20 is formed is floated in the plating liquid 57 so as to be brought into contact with the plating liquid 57.

상기 도금액(57)과 접촉된 기판(10)은 제1 및 제2 통전부(11, 13)에 의해 전류가 흐르고 전극판(55)에 소정의 전압이 인가됨으로써 상기 기판(10)과 상기 전극판(55) 사이에 흐르는 전류 밀도에 의하여 도금액(57) 내의 도금 금속의 환원되어 비아홀(20) 내에 도금 금속이 충진된다.The substrate 10, which is in contact with the plating liquid 57, has a current flowing through the first and second conducting portions 11 and 13 and a predetermined voltage is applied to the electrode plate 55, thereby providing the substrate 10 and the electrode. The plating metal in the plating solution 57 is reduced by the current density flowing between the plates 55 so that the plating metal is filled in the via hole 20.

상기 도금액(57) 상에 플로팅된 기판(10)이 들뜨거나 기판(10)의 회로면 상으로 도금액이 넘치지 않도록 상기 배선 기판의 편면으로 분사되는 도금액의 유량은 30~80ℓ/min.이 되도록 제어한다.The flow rate of the plating liquid injected to one side of the wiring substrate is controlled to be 30 to 80 l / min. So that the substrate 10 floated on the plating liquid 57 does not lift or the plating liquid overflows on the circuit surface of the substrate 10. do.

실시예에 따른 도금 장치(50)는 마스킹 테이프를 탈부착 할 필요가 없어 통전 방식이 간단해지므로 공정이 단순해지고 수율이 향상될 수 있다.The plating apparatus 50 according to the embodiment does not need to attach or detach the masking tape, so that the current flow becomes simple, the process may be simplified and the yield may be improved.

또한, 실시예에 따른 도금 장치(50)는 편면에만 도금액을 접촉시키는 플로팅(floating) 방식으로서, 도금이 이루어지므로 피도금체(60)를 도금액(57)에 침적 시킬 필요가 없어 장비의 구성이 간단하다. In addition, the plating apparatus 50 according to the embodiment is a floating method of contacting the plating liquid only on one side, and since plating is performed, there is no need to deposit the plated body 60 in the plating liquid 57 so that the configuration of the equipment is reduced. Simple.

실시예에 따른 도금 장치(50)를 이용하여 제조된 배선기판은 비아홀 내 액침투 균일성이 뛰어나 도금 특성이 우수하다.The wiring board manufactured using the plating apparatus 50 according to the embodiment has excellent plating characteristics because of excellent liquid penetration uniformity in the via hole.

하나의 도금조(51) 내에서 원하는 두께만큼 도금이 이루어질 수도 있고, 도금조(51)가 복수 개 마련되어 복수 개의 도금조에서 차례로 도금이 이루어질 수 있다.Plating may be performed by a desired thickness in one plating bath 51, or a plurality of plating baths 51 may be provided to sequentially plate a plurality of plating baths.

이후, 상기 기판(10)이 도금조(51)에서 반출되어 상기 비아홀 내에 원하는 두께의 도체층이 형성되어 도금 공정이 완료된다.Thereafter, the substrate 10 is removed from the plating bath 51 to form a conductor layer having a desired thickness in the via hole, thereby completing the plating process.

도 5를 참조하면, 상기 배선 기판이 도금조(51)에서 반출된 이후에, 기판(20)의 다른 일면에 형성된 금속막(30)을 패터닝하여 금속 패턴(30a)을 형성한다. 금속 패턴(30a)은 실장될 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 회로부를 형성한다.Referring to FIG. 5, after the wiring board is taken out of the plating bath 51, the metal pattern 30 formed on the other surface of the substrate 20 is patterned to form the metal pattern 30a. The metal pattern 30a forms a circuit portion electrically connected to the semiconductor chip to be mounted.

금속 패턴(30a)은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성할 수 있다.The metal pattern 30a may be formed using a photolithography process.

금속 패턴(30a)은 상기 도체층(42)과 상기 기판(10) 상에 실장될 반도체 칩을 전기적으로 연결하기 위한 배선 패턴일 수 있다.The metal pattern 30a may be a wiring pattern for electrically connecting the conductor layer 42 and the semiconductor chip to be mounted on the substrate 10.

금속 패턴(30a) 상에 기판(10) 보호를 위하여 비전도성의 솔더 레지스트(50)를 형성한다. 솔더 레지스트(50)는 반도체 칩과 연결되는 금속 패턴 영역을 제외한 다른 영역의 금속 패턴(30a) 상에 절연막을 형성하는 것이다.A non-conductive solder resist 50 is formed on the metal pattern 30a to protect the substrate 10. The solder resist 50 forms an insulating film on the metal pattern 30a in a region other than the metal pattern region connected to the semiconductor chip.

상기 솔더 레지스트(50)는 상기 금속 패턴(30a)의 일부를 노출시킬 수 있다.The solder resist 50 may expose a portion of the metal pattern 30a.

비아홀(11) 내의 도체층(42) 상에 제 1 도금 패턴(61) 및 상기 제1 도금 패 턴(61) 상에 제 2 도금 패턴(62)을 형성한다.A first plating pattern 61 is formed on the conductor layer 42 in the via hole 11 and a second plating pattern 62 is formed on the first plating pattern 61.

제 1 및 제 2 도금 패턴(61, 62)은 Au, Ti, Ta, Ag, Ni, Pd 및 Co 를 포함하는 금속 그룹 중 적어도 하나를 포함한다. The first and second plating patterns 61 and 62 include at least one of metal groups including Au, Ti, Ta, Ag, Ni, Pd, and Co.

상기 실시예에서 도체층(42) 상에 이중층의 도금 패턴(제 1 및 제 2 도금 패턴)을 형성하였으나, 이는 단층의 도금 패턴으로 형성될 수도 있으며, 둘 이상의 복수 개의 도금 패턴으로 형성될 수도 있는 것이다.In the above embodiment, the plating pattern (first and second plating patterns) of the double layer is formed on the conductor layer 42, but it may be formed by a single layer plating pattern, or may be formed by two or more plating patterns. will be.

상기 제 1 도금 패턴(61) 및 상기 제 2 도금 패턴(62)은 상기 솔더 레지스트(50)에 의해 드러난 금속 패턴(30a) 상에도 형성될 수 있다.The first plating pattern 61 and the second plating pattern 62 may also be formed on the metal pattern 30a exposed by the solder resist 50.

비아홀(11)에 솔더볼(70)을 형성하여 BGA(Ball Grid Array) 패키지를 완성한다.A solder ball 70 is formed in the via hole 11 to complete a ball grid array (BGA) package.

상기 비아홀(11)에 솔더볼(70)을 형성하기 전에 기판(10)의 금속 패턴(30a) 상부에 반도체 칩을 실장할 수 있다.Before forming the solder ball 70 in the via hole 11, a semiconductor chip may be mounted on the metal pattern 30a of the substrate 10.

즉, 기판(10)의 솔더 레지스트 상에 접착제를 이용하여 반도체 칩을 접착하고, 상기 금속 패턴(30a)과 상기 반도체 칩의 외부 전극을 본딩 와이어로 전기적으로 접속한 후, 상기 반도체 칩 주위를 절연체로 밀봉한다. That is, after the semiconductor chip is bonded to the solder resist of the substrate 10 by using an adhesive, and the metal pattern 30a and the external electrode of the semiconductor chip are electrically connected by bonding wires, an insulator is formed around the semiconductor chip. Seal with.

그후, 상기 반도체 칩을 실장한 상기 기판(10)을 뒤집어 비아홀(11) 위치에 외부 접속 단자를 형성하기 위한 솔더볼(70)을 얹는다. 상기 솔더볼(70)을 얹은 상태에서 가열하면 상기 솔더볼(70)이 리플로우되어 비아홀(11) 내에서 솔더볼(70)이 도금 패턴(61, 62)과 접합된다.Thereafter, the substrate 10 on which the semiconductor chip is mounted is turned upside down, and a solder ball 70 for forming an external connection terminal is placed on the via hole 11. When the solder balls 70 are heated, the solder balls 70 are reflowed to bond the solder balls 70 to the plating patterns 61 and 62 in the via holes 11.

실시예에 따른 도금 장치를 이용하여 제조된 배선 기판은 비아홀 내 액침투 균일성이 뛰어나 충진된 도금막의 특성이 우수하므로, 상기 솔더볼과의 접합 신뢰성이 향상되는 장점이 있다.Since the wiring board manufactured by using the plating apparatus according to the embodiment has excellent liquid permeation uniformity in the via hole and excellent properties of the filled plating film, bonding reliability with the solder ball may be improved.

이상 상기 실시예를 구체적으로 설명하였으나, 본 발명은 이 실시예에 한정되는 것이 아니라, 그 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능한 것은 당연하다.While the above embodiments have been described in detail, the present invention is not limited to these embodiments, and various changes can be made without departing from the spirit thereof.

도 1은 일반적인 도금장치를 이용한 도금 공정을 보여주는 블럭도이다.1 is a block diagram showing a plating process using a general plating apparatus.

도 2는 실시예에 따른 도금 장치의 구성을 보여주는 블럭도이다. 2 is a block diagram showing the configuration of a plating apparatus according to the embodiment.

도 3은 실시예에 따른 도금 장치의 도금 공정을 보여주는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a plating process of the plating apparatus according to the embodiment.

도 4는 도 3의 "A" 부분을 확대하여 보여주는 도면이다.FIG. 4 is an enlarged view of portion “A” of FIG. 3.

도 5는 실시예에 따른 도금 장치를 이용하여 제조된 배선 기판을 보여주는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a wiring board manufactured using the plating apparatus according to the embodiment.

Claims (12)

도금액이 담기는 도금조; 및A plating bath containing a plating liquid; And 피도금체의 편면이 상기 도금액과 접촉하며 도금이 이루어지는 도금부를 포함하는 도금 장치.A plating apparatus comprising a plating portion in which one surface of a to-be-plated body contacts the plating liquid and is plated. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도금조의 하부에 배치되어 상기 피도금체의 편면으로 도금액을 공급하는 다수의 홀이 형성된 도금액 공급부를 더 포함하는 도금 장치.And a plating solution supply unit disposed under the plating bath and having a plurality of holes formed therein to supply the plating solution to one side of the plated body. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도금조의 양단에 배치되어 상기 피도금체에 전류를 인가하는 통전부를 더 포함하는 도금 장치.Plating apparatus further comprises a conducting portion disposed on both ends of the plating bath for applying a current to the plated body. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도금조 내에 배치된 전극판을 더 포함하는 도금 장치.Plating apparatus further comprising an electrode plate disposed in the plating bath. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 도금액 공급부는 30~80ℓ/min.의 유량으로 도금액을 공급하는 것을 특징으로 하는 도금 장치.The plating apparatus supplying portion supplying the plating liquid at a flow rate of 30 ~ 80l / min. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 전극판은 상기 피도금체와 상기 도금액 공급부 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 도금 장치.And the electrode plate is disposed between the plated body and the plating liquid supply unit. 도금액이 담긴 도금조로 배선 기판이 반입되는 단계;Bringing the wiring board into the plating bath containing the plating liquid; 상기 배선 기판의 편면이 상기 도금액과 접촉하며 도금이 이루어지는 단계; 및Plating on one side of the wiring board while contacting the plating liquid; And 상기 배선 기판이 도금조에서 반출되는 단계를 포함하는 배선 기판의 제조 방법.And manufacturing the wiring board from the plating bath. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 배선 기판의 편면이 상기 도금액과 접촉하며 도금이 이루어지는 단계에 있어서,In the step of plating the one side of the wiring substrate in contact with the plating liquid, 상기 배선 기판의 편면으로 분사되는 도금액의 유량은 30~80ℓ/min.인 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.The flow rate of the plating liquid sprayed to one side of the said wiring board is 30-80 L / min., The manufacturing method of the wiring board. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 도금조로 상기 배선 기판이 반입되는 단계 이전에,Before the step of bringing the wiring board into the plating bath, 상기 배선 기판을 관통하는 복수 개의 비아홀을 형성하는 단계; 및Forming a plurality of via holes penetrating the wiring substrate; And 상기 배선 기판의 일면에 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 배선 기판의 제조 방법.Forming a metal film on one surface of the wiring board manufacturing method of a wiring board. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 도금액과 접촉하는 편면은 상기 비아홀이 형성된 면인 것을 특징으로 하는 배선 기판의 제조 방법.The one side in contact with the plating liquid is a surface on which the via hole is formed. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 배선 기판이 상기 도금조에서 반출되는 단계 이후에,After the wiring board is taken out of the plating bath, 상기 금속막을 패터닝하여 회로부를 형성하는 단계를 포함하는 배선 기판의 제조 방법.And forming a circuit part by patterning the metal film. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 배선 기판의 편면이 상기 도금액과 접촉하며 도금이 이루어지는 단계에 있어서,In the step of plating the one side of the wiring substrate in contact with the plating liquid, 상기 배선 기판의 다른면은 외부 공기와 접촉되는 것을 하는 배선 기판의 제조 방법.And the other side of the wiring board is in contact with the outside air.
KR1020080126383A 2008-12-12 2008-12-12 Electroplating device and fabricating method for the KR20100067823A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080126383A KR20100067823A (en) 2008-12-12 2008-12-12 Electroplating device and fabricating method for the

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080126383A KR20100067823A (en) 2008-12-12 2008-12-12 Electroplating device and fabricating method for the

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100067823A true KR20100067823A (en) 2010-06-22

Family

ID=42366368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080126383A KR20100067823A (en) 2008-12-12 2008-12-12 Electroplating device and fabricating method for the

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100067823A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101103450B1 (en) * 2010-07-27 2012-01-09 주식회사 케이씨텍 Apparatus to plate substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101103450B1 (en) * 2010-07-27 2012-01-09 주식회사 케이씨텍 Apparatus to plate substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW404156B (en) Process for selective application of solder to circuit packages
TWI403240B (en) Method of manufacturing a circuit carrier and the use of the method
KR101199807B1 (en) Method for manufacturing printed wiring board and printed wiring board
KR100495184B1 (en) A tape substrate and tin plating method of the tape substrate
US20080174975A1 (en) Flexible wiring substrate and method for producing the same
KR20100067823A (en) Electroplating device and fabricating method for the
JP4129665B2 (en) Manufacturing method of substrate for semiconductor package
JP5822212B2 (en) Electrolytic plating equipment
JP2012074487A (en) Method of manufacturing semiconductor package
US6426290B1 (en) Electroplating both sides of a workpiece
WO2014024754A1 (en) Circuit board for semiconductor package and method for producing same
CN105990288B (en) Semiconductor substrate and its manufacturing method
KR101034089B1 (en) core substrate and method for fabricating the same
KR101124784B1 (en) core substrate and method for fabricating the same
JP3741683B2 (en) Method of manufacturing film carrier tape for mounting electronic component and plating apparatus usable in this method
KR19990005679A (en) Manufacturing method of package for flip chip mounting
KR100771313B1 (en) Plating apparatus and method of printed circuit board using the same
KR101039961B1 (en) core substrate and method for fabricating the same
JP2013197416A (en) Manufacturing method of semiconductor package, and semiconductor package
KR20120031725A (en) The printed circuit board and the method for manufacturing the same
JP5145661B2 (en) Printed wiring board manufacturing method and plating apparatus
TWI621379B (en) Printed circuit board and methods for forming the same
JP5136799B2 (en) Manufacturing method of tape carrier for semiconductor device
JP2004059952A (en) Method for electrolytically plating flexible multilayer interconnection substrate
JP3815431B2 (en) Tape carrier for semiconductor device and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application