KR20100067823A - Electroplating device and fabricating method for the - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 도금 장치 및 이를 이용한 배선 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a plating apparatus and a manufacturing method of a wiring board using the same.
전자기기는 점점 소형화, 경량화 및 박형화가 되는데, 이에 따라 전자기기에 사용되는 부품의 고집적화가 요구된다. 이에 대응하기 위한 패키지로는 파인피치(Fine Pitch)의 구현이 가능한 절연체인 테이프 형태의 폴리이미드를 사용한 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package : 이하 "TCP"라 함) 등이 있다.Electronic devices are becoming smaller, lighter, and thinner, and thus, high integration of components used in electronic devices is required. To cope with this, a tape carrier package using a polyimide in the form of a tape, which is an insulator capable of implementing a fine pitch, may be a tape carrier package (hereinafter referred to as "TCP").
전자부품으로서 사용되는 테이프 캐리어 등과 같은 배선 기판에서는 일반적으로 이너리드(inner lead) 등의 배선 패턴을 기판 표면에 형성하고 비아 홀(via hole), 그라운드 패턴(ground pattern) 등의 각종 홀 패턴을 그 이면에 형성한다.In a wiring board such as a tape carrier used as an electronic component, a wiring pattern such as an inner lead is generally formed on the surface of a substrate, and various hole patterns such as via holes and ground patterns are formed. It forms on the back side.
비아 홀은 절연체 기판을 관통하고 배선 패턴에 이르는 관통공으로써 그 홀 내에 금속을 도금함으로써 표면에 형성된 배선 패턴과 이면을 전기적으로 도통시키는 역할을 한다.The via hole is a through hole penetrating through the insulator substrate and reaching the wiring pattern, and serves to electrically connect the wiring pattern formed on the surface and the back surface by plating a metal in the hole.
배선 패턴의 외부 접속단자 접합부에 솔더볼과의 접합 강도가 높고, 고 신뢰성을 확보하기 위해 비아홀을 충전하는 비아 필링 구리 도금법이 많이 이용되고 있 다.Solder ball to the external connection terminal junction of the wiring pattern In order to secure high bonding strength and high reliability, via-filling copper plating is commonly used to fill via holes.
도 1은 일반적인 도금장치를 이용한 도금 공정을 보여주는 블럭도이다.1 is a block diagram showing a plating process using a general plating apparatus.
도 1을 참조하면, 일반적인 도금장치는 도금조 내에서 피도금체에 도금을 하기 위한 도금부(3)와, 도금액에서 도금 금속 이온이 환원되어 도금이 이루어지도록 상기 도금부(3) 전후단에서 피도금체에 전류를 인가하는 제1통전부(1) 및 제2통전부(5), 상기 도금부(3)로 반입되기 전에 도금이 이루어지지 않는 부분에 마스킹 테이프를 부착하기 위한 마스크 형성부(2), 상기 도금부(3)로 반출되어 도금이 완료된 피도금체에서 마스킹 테이프를 제거하기 위한 마스크 제거부(4)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a general plating apparatus includes a plating
상기 제1통전부(1)는 도금부(3) 전에 배치되어 피도금체와 연결되고, 제2통전부(5)는 도금부(3) 이후에 배치되어 피도금체와 연결됨으로써 상기 도금부(3) 내에 위치하는 피도금체에 전류가 흐를 수 있도록 한다.The first conducting
상기 도금조 내에는 도금액을 분사하기 위한 분류판 및 양극판을 더 포함할 수 있다.The plating bath may further include a splitter plate and a positive electrode plate for injecting a plating liquid.
이와 같은 일반적인 도금장치는 마스크 형성부(2) 및 마스크 제거부(4)가 필요하며, 이는 도금부(3) 내에서 테이프 캐리어 전체가 도금액에 잠긴 상태에서 도금이 이루어지기 때문이다.Such a general plating apparatus requires a
즉, 종래에는 피도금체인 테이프 캐리어 전체를 도금조 내의 도금액에 담근 상태에서 스프레이로 도금액을 피도금체에 분사하는 방식을 사용하였다. 이 경우, 테이프 캐리어의 편면에만 도금이 이루어지도록 하기 위해 회로면에 마스킹 테이프를 부착하는 공정 및 도금 후에는 이 마스킹 테이프를 탈착하는 공정이 필요하다. That is, conventionally, the method of spraying a plating liquid to a to-be-plated body with the spray was used, soaking the whole tape carrier which is a to-be-plated body in the plating liquid in a plating tank. In this case, a process of attaching the masking tape to the circuit surface and a process of detaching the masking tape after plating are required in order to allow plating only on one side of the tape carrier.
이 마스킹 테이프의 탈/부착 공정이 추가될 경우 장비 투자비 및 재료비가 상승하고 불량 발생에 따른 공정 수율이 떨어지는 문제점이 있다. When the masking tape is detached / attached, the equipment investment cost and material cost are increased, and the process yield due to defects is lowered.
또한, 마스킹 테이프를 회로부에 부착할 경우 통전 방식이 복잡해져서 전체적인 공정의 복잡도를 증가시키기게 되고, 탈착 과정에서 마스킹 테이프를 완전히 제거하지 못할 경우 이물에 의하여 불량이 발생될 수 있다. In addition, when the masking tape is attached to the circuit part, the current passing method becomes complicated, which increases the complexity of the entire process, and when the masking tape is not completely removed in the detachment process, defects may be caused by foreign matter.
또한, 스프레이로 도금액을 고압 분사함에 따라 테이프 캐리어가 들려 비아홀 내 액침투가 균일하게 이루어지지 않으므로 도금이 불균일하게 이루어지는 문제점이 발생될 수 있다.In addition, as the tape carrier is lifted by spraying the plating liquid at a high pressure by spraying, the liquid penetration in the via hole is not uniformly performed, so that plating may be uneven.
실시예는 피도금체의 편면에만 도금액이 접촉되어 도금이 이루어지는 도금 장치를 제공한다.The embodiment provides a plating apparatus in which the plating liquid contacts only one surface of the to-be-plated body to perform plating.
실시예는 마스킹 테이프의 탈부착 공정을 위한 장치가 생략되어 콤팩트하고 간단한 도금 장치를 제공한다.The embodiment provides a compact and simple plating apparatus by omitting the apparatus for the detaching process of the masking tape.
실시예는 공정이 간단하고 공정 신뢰성이 향상된 도금장치를 이용한 배선 기판의 제조 방법을 제공한다.The embodiment provides a method of manufacturing a wiring board using a plating apparatus with a simple process and improved process reliability.
실시예에 따른 도금 장치는, 도금액이 담기는 도금조 및 피도금체의 편면이 상기 도금액과 접촉하도록 하는 도금부를 포함한다.The plating apparatus according to the embodiment includes a plating tank in which a plating liquid is contained and a one side of a plated body to contact the plating liquid.
실시예에 따른 도금 장치를 이용한 배선 기판의 제조 방법은, 도금액이 담긴 도금조로 배선 기판이 반입되는 단계, 상기 배선 기판의 편면이 상기 도금액과 접촉하며 도금이 이루어지는 단계 및 상기 배선 기판이 도금조에서 반출되는 단계를 포함한다.In the method of manufacturing a wiring board using the plating apparatus according to the embodiment, the wiring board is carried into a plating bath containing a plating solution, one side of the wiring board is in contact with the plating solution and plating is performed, and the wiring board is in a plating bath. Including the steps to be taken out.
실시예에 따른 도금 장치는 마스킹 테이프의 탈부착 공정 장치가 필요없어 장비가 콤팩트하며 도금 공정 시간이 단축되는 효과가 있다.The plating apparatus according to the embodiment does not need a process for attaching and detaching a masking tape, so the equipment is compact and the plating process time is shortened.
실시예에 따른 도금 장치는 마스킹 테이프를 탈부착 할 필요가 없어 통전 방 식이 간단해지므로 공정이 단순해지고 수율이 향상되는 효과가 있다.The plating apparatus according to the embodiment does not need to attach or detach the masking tape, so that the current flow becomes simple, thereby simplifying the process and improving yield.
실시예에 따른 도금 장치는 편면에만 도금액을 접촉시키는 플로팅(floating) 방식으로서, 도금이 이루어지므로 피도금체를 도금액에 침적시킬 필요가 없어 장비의 구성이 간단한 효과가 있다.Plating apparatus according to the embodiment is a floating (floating) method for contacting the plating liquid only on one side, the plating is made, there is no need to deposit the plated body in the plating liquid has a simple configuration of the equipment.
실시예에 따른 도금 장치를 이용하여 제조된 배선 기판은 비아홀 내 액침투 균일성이 뛰어나 도금 특성이 우수한 효과가 있다.The wiring board manufactured by using the plating apparatus according to the embodiment has an excellent effect of excellent plating characteristics in the liquid penetration uniformity in the via hole.
실시예에 따른 도금 장치 및 이를 이용한 배선 기판의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.A plating apparatus and a method of manufacturing a wiring board using the same according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/위(on/over)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/위(on/over)는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. In the description of the embodiments, where described as being formed "on / over" of each layer, the on / over may be directly or through another layer ( indirectly) includes everything formed.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.
도 2는 실시예에 따른 도금 장치의 구성을 보여주는 블럭도이다. 또한, 도 3은 실시예에 따른 도금 장치의 도금 공정을 보여주는 단면도이다.2 is a block diagram showing the configuration of a plating apparatus according to the embodiment. 3 is a cross-sectional view showing a plating process of the plating apparatus according to the embodiment.
도 2 및 도 3을 참조하면, 도금 장치(50)는 도금액(57)이 담기는 도금조(51) 및 상기 도금조(51)의 하부에 배치되어 상기 피도금체(60)의 편면으로 도금액(57) 을 일정 유량으로 공급하는 다수의 홀이 형성된 도금액 공급부(53) 및 상기 도금조(51)의 양단에 배치되어 상기 피도금체(60)에 전류를 인가하는 통전부(11, 13)를 포함한다.2 and 3, the
상기 도금 장치는 피도금체(60)의 편면이 상기 도금액(57)과 접촉하도록 가이드하는 가이드부를 더 포함할 수도 있다.The plating apparatus may further include a guide part for guiding one side of the
상기 피도금체(60)는 테이프 캐리어(tape carrier) 구조로 이루어질 수 있다.The
상기 피도금체(60)는 예를 들어, 일면에 회로면이 형성되고 다른면에 비아홀이 형성된 배선 기판으로서, 상기 도금 장치에 의하여 상기 비아홀 내에 도금이 이루어진다.The to-
상기 피도금체(60)는 상기 도금조(51) 내에서 도금액(57) 상에 플로팅되어 편면에만 도금이 이루어지며, 도금이 되지 않는 다른 면 즉, 회로면은 외부 공기와 접촉된다.The to-
도시하지는 않았으나, 가이드부는 상기 피도금체(60)에 도금이 균일하게 이루어지도록 들뜸을 방지하도록 일정한 장력을 유지시켜 준다. 상기 가이드부는 롤러 타입으로 이루어질 수 있으며, 상기 가이드부는 피도금체(60)를 도금부(12) 내에서 일정한 속력으로 이송시키는 역할을 할 수도 있다.Although not shown, the guide unit maintains a constant tension to prevent the lifting to be uniformly plated on the plated body (60). The guide part may be formed in a roller type, and the guide part may serve to transfer the
상기 가이드부는 테이프 캐리어 형태의 피도금체(60)의 이송 방향을 전환시키는 역할을 할 수도 있으며, 쳐짐을 방지할 수 있다.The guide portion may serve to change the conveying direction of the
상기 통전부는 제1통전부(11) 및 제2통전부(13)를 포함할 수 있다.The conductive part may include a first
상기 제1통전부(11)는 피도금체(60)의 이송 방향을 기준으로 하였을 때, 상기 도금부(12) 전단에 배치되며, 상기 제2통전부(13)는 상기 도금부(12) 후단에 배치된다.The first conducting
이로써, 상기 도금부(12) 내에 위치하는 피도금체(60)에 전류를 인가할 수 있다.As a result, a current may be applied to the
상기 피도금체(60)와 대응하도록 상기 도금조(51) 내에 전극판(55)이 더 배치된다.The
상기 전극판(55)은 예를 들어, 양극판일 수 있다. 이 경우, 상기 피도금체(60)는 음극판의 역할을 한다.The
상기 전극판(55)은 티타늄(Ti)에 이리듐 산화막(IrO2)이 코팅된 불용성 기판을 사용할 수 있다.The
상기 전극판(55)은 상기 피도금체(60)와 상기 도금액 공급부(53) 사이에 배치될 수 있으며, 상기 전극판(55)은 메쉬(mesh)구조로 이루어질 수 있다.The
상기 피도금체(60)와 상기 전극판(55)에 의해 형성된 전류에 의하여 상기 피도금체(60)와 상기 전극판(55) 사이에 도금액(57)의 도금 금속의 세세한 입자가 음극쪽에서 환원되어 피도금체(60)의 표면에서 석출되면서 견고히 부착되게 되어 도금이 이루어진다.The fine particles of the plating metal of the plating
한편, 도금부(12) 내에서 피도금체(60)에 도금이 이루어질 때 도금조(51) 하부에 배치된 도금액 공급부(53)에서는 지속적으로 도금액(57)을 전극판(55)으로 공급하고, 이 도금액(57)은 메쉬 구조의 전극판(55)을 통해 피도금체의(60) 도금 면 으로 공급된다.Meanwhile, when plating is performed on the
상기 도금액 공급부(53)는 다공판 구조로 이루어질 수 있으며, 다수의 홀들을 통해서 일정 유량으로 도금액(57)이 분사된다.The plating
일반적인 침적 타입의 도금 장치(50)의 경우 피도금체(60)가 도금액(57) 내에 침적되어 도금이 이루어지며 침적된 피도금체(60)에 도금액(57)이 스프레이 방식으로 고압 분사되나, 실시예에 따른 도금 장치(50)는 피도금체(60)가 도금액(57) 상에 플로팅(floating)되어 편면만 접촉한 채로 도금이 이루어지기 때문에 상기 도금액 공급부(53)는 유량 제어부(12a)에 의하여 30~80ℓ/min.의 유량으로 도금액을 분사한다.In the general deposition
상기 유량은 도금액(57)이 피도금체(60)에 분사될 경우 상기 도금액(57)과 접촉하지 않는 피도금체(60)의 이면으로 도금액이 넘치지 않도록 유량 제어부(12a)에서 조절하여 결정된다.The flow rate is determined by adjusting the flow
이때, 상기 피도금체(60)는 필름 타입이므로 처짐이 발생되지 않도록 장력 및 패쓰 라인(path line)의 최적화가 이루어진다.At this time, since the to-
따라서, 상기 도금액 공급부(53)의 홀의 사이즈도 일반적인 침적 타입의 도금 장치(50)에서 사용하는 분류판의 홀 사이즈보다 크게 형성될 수 있다.Therefore, the hole size of the plating
도금액(57)은 황산구리(CuSO4), 황산(H2SO4), 황산철(FeSO4) 및 염화나트륨(NaCl) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The
도금액은 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 상기 첨가제는 가속제, 감속제 및 평탄제 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The plating liquid may further include an additive, and the additive may include at least one of an accelerator, a moderator, and a planarizer.
가속제는 디설파이드(disulfide)계열의 SPS(Bissulfopropyl disulfide), MPSA(3-mercapto-1-propanesulfonic acid), DPS(3-N,N-dimethylaminodithiocarbamoyl-1-propanesulfonic acid) 및 MBIS(2-mercapto-5-benzimidazolesulfonic acid) 중 적어도 하나를 포함한다.Accelerators include disulfide-based BISSulfopropyl disulfide (SPS), MPSA (3-mercapto-1-propanesulfonic acid), DPS (3-N, N-dimethylaminodithiocarbamoyl-1-propanesulfonic acid) and MBIS (2-mercapto-5 -benzimidazolesulfonic acid).
감속제는 PEG(Polyethylene glycol) 및 Thiourea 중 적어도 하나를 포함한다.The moderator includes at least one of polyethylene glycol (PEG) and Thiourea.
평탄제는 질소(nitrogen) 및/또는 암모늄(ammonium) 계열을 주로 사용한다.The planarizer mainly uses the nitrogen and / or ammonium series.
여기서, 상기 도금부(12) 전단에 초음파 수세조를 배치하여, 상기 초음파 수세조 내에 일정 농도의 가속제를 투입하여 비아홀 내의 젖음성(wettability)을 향상시킬 수 있다.Here, by placing an ultrasonic washing tank in front of the
도 4는 도 3의 "A" 부분을 확대하여 보여주는 도면이다. FIG. 4 is an enlarged view of portion “A” of FIG. 3.
또한, 도 5는 실시예에 따른 도금 장치를 이용하여 제조된 배선 기판을 보여주는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a wiring board manufactured using the plating apparatus according to the embodiment.
도 3 내지 도 5를 참조로 하여, 실시예에 따른 도금 장치(50)에 의하여 도금 공정이 이루어지는 피도금체(60)의 제조 공정을 살펴보기로 한다.3 to 5, a manufacturing process of the plated
먼저, 절연성의 기판(10)을 준비한다.First, an insulating
상기 기판(10)은 폴리이미드 재질 또는 유리 섬유에 에폭시 및 무기 필러(filler)가 충진된 형태의 기판일 수 있다. 상기 기판(10)의 두께는 20~200㎛일 수 있다. The
기판(10)에 복수 개의 비아홀(20)을 형성한다. 상기 비아홀(20)은 기판(10) 을 기계 드릴, 레이저 드릴 및 펀칭 가공 중 하나를 사용함으로써 형성할 수 있다. 상기 비아홀(20)은 기판(10)을 포토 리소그래피와 같은 선택적 식각 공법을 통하여 형성할 수도 있다.A plurality of via holes 20 are formed in the
비아홀(20)이 형성된 기판(10)의 다른 면에 금속막(30)을 형성한다.The
상기 금속막(30)은 구리박막일 수 있다.The
상기 금속막(30)은 접착제를 이용하여 기판(10)에 부착될 수 있다.The
상기와 같이 준비된 기판(10)은 도금액이 담긴 도금조(51)로 반입된다.The
이때, 비아홀(20)이 형성된 기판(10)의 편면만 상기 도금액(57)과 접촉할 수 있도록 도금액(57)에 플로팅되어 반입이 이루어진다.At this time, only one side of the
상기 도금액(57)과 접촉된 기판(10)은 제1 및 제2 통전부(11, 13)에 의해 전류가 흐르고 전극판(55)에 소정의 전압이 인가됨으로써 상기 기판(10)과 상기 전극판(55) 사이에 흐르는 전류 밀도에 의하여 도금액(57) 내의 도금 금속의 환원되어 비아홀(20) 내에 도금 금속이 충진된다.The
상기 도금액(57) 상에 플로팅된 기판(10)이 들뜨거나 기판(10)의 회로면 상으로 도금액이 넘치지 않도록 상기 배선 기판의 편면으로 분사되는 도금액의 유량은 30~80ℓ/min.이 되도록 제어한다.The flow rate of the plating liquid injected to one side of the wiring substrate is controlled to be 30 to 80 l / min. So that the
실시예에 따른 도금 장치(50)는 마스킹 테이프를 탈부착 할 필요가 없어 통전 방식이 간단해지므로 공정이 단순해지고 수율이 향상될 수 있다.The
또한, 실시예에 따른 도금 장치(50)는 편면에만 도금액을 접촉시키는 플로팅(floating) 방식으로서, 도금이 이루어지므로 피도금체(60)를 도금액(57)에 침적 시킬 필요가 없어 장비의 구성이 간단하다. In addition, the
실시예에 따른 도금 장치(50)를 이용하여 제조된 배선기판은 비아홀 내 액침투 균일성이 뛰어나 도금 특성이 우수하다.The wiring board manufactured using the
하나의 도금조(51) 내에서 원하는 두께만큼 도금이 이루어질 수도 있고, 도금조(51)가 복수 개 마련되어 복수 개의 도금조에서 차례로 도금이 이루어질 수 있다.Plating may be performed by a desired thickness in one
이후, 상기 기판(10)이 도금조(51)에서 반출되어 상기 비아홀 내에 원하는 두께의 도체층이 형성되어 도금 공정이 완료된다.Thereafter, the
도 5를 참조하면, 상기 배선 기판이 도금조(51)에서 반출된 이후에, 기판(20)의 다른 일면에 형성된 금속막(30)을 패터닝하여 금속 패턴(30a)을 형성한다. 금속 패턴(30a)은 실장될 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 회로부를 형성한다.Referring to FIG. 5, after the wiring board is taken out of the plating
금속 패턴(30a)은 포토리소그래피 공정을 이용하여 형성할 수 있다.The
금속 패턴(30a)은 상기 도체층(42)과 상기 기판(10) 상에 실장될 반도체 칩을 전기적으로 연결하기 위한 배선 패턴일 수 있다.The
금속 패턴(30a) 상에 기판(10) 보호를 위하여 비전도성의 솔더 레지스트(50)를 형성한다. 솔더 레지스트(50)는 반도체 칩과 연결되는 금속 패턴 영역을 제외한 다른 영역의 금속 패턴(30a) 상에 절연막을 형성하는 것이다.A non-conductive solder resist 50 is formed on the
상기 솔더 레지스트(50)는 상기 금속 패턴(30a)의 일부를 노출시킬 수 있다.The solder resist 50 may expose a portion of the
비아홀(11) 내의 도체층(42) 상에 제 1 도금 패턴(61) 및 상기 제1 도금 패 턴(61) 상에 제 2 도금 패턴(62)을 형성한다.A
제 1 및 제 2 도금 패턴(61, 62)은 Au, Ti, Ta, Ag, Ni, Pd 및 Co 를 포함하는 금속 그룹 중 적어도 하나를 포함한다. The first and
상기 실시예에서 도체층(42) 상에 이중층의 도금 패턴(제 1 및 제 2 도금 패턴)을 형성하였으나, 이는 단층의 도금 패턴으로 형성될 수도 있으며, 둘 이상의 복수 개의 도금 패턴으로 형성될 수도 있는 것이다.In the above embodiment, the plating pattern (first and second plating patterns) of the double layer is formed on the
상기 제 1 도금 패턴(61) 및 상기 제 2 도금 패턴(62)은 상기 솔더 레지스트(50)에 의해 드러난 금속 패턴(30a) 상에도 형성될 수 있다.The
비아홀(11)에 솔더볼(70)을 형성하여 BGA(Ball Grid Array) 패키지를 완성한다.A
상기 비아홀(11)에 솔더볼(70)을 형성하기 전에 기판(10)의 금속 패턴(30a) 상부에 반도체 칩을 실장할 수 있다.Before forming the
즉, 기판(10)의 솔더 레지스트 상에 접착제를 이용하여 반도체 칩을 접착하고, 상기 금속 패턴(30a)과 상기 반도체 칩의 외부 전극을 본딩 와이어로 전기적으로 접속한 후, 상기 반도체 칩 주위를 절연체로 밀봉한다. That is, after the semiconductor chip is bonded to the solder resist of the
그후, 상기 반도체 칩을 실장한 상기 기판(10)을 뒤집어 비아홀(11) 위치에 외부 접속 단자를 형성하기 위한 솔더볼(70)을 얹는다. 상기 솔더볼(70)을 얹은 상태에서 가열하면 상기 솔더볼(70)이 리플로우되어 비아홀(11) 내에서 솔더볼(70)이 도금 패턴(61, 62)과 접합된다.Thereafter, the
실시예에 따른 도금 장치를 이용하여 제조된 배선 기판은 비아홀 내 액침투 균일성이 뛰어나 충진된 도금막의 특성이 우수하므로, 상기 솔더볼과의 접합 신뢰성이 향상되는 장점이 있다.Since the wiring board manufactured by using the plating apparatus according to the embodiment has excellent liquid permeation uniformity in the via hole and excellent properties of the filled plating film, bonding reliability with the solder ball may be improved.
이상 상기 실시예를 구체적으로 설명하였으나, 본 발명은 이 실시예에 한정되는 것이 아니라, 그 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능한 것은 당연하다.While the above embodiments have been described in detail, the present invention is not limited to these embodiments, and various changes can be made without departing from the spirit thereof.
도 1은 일반적인 도금장치를 이용한 도금 공정을 보여주는 블럭도이다.1 is a block diagram showing a plating process using a general plating apparatus.
도 2는 실시예에 따른 도금 장치의 구성을 보여주는 블럭도이다. 2 is a block diagram showing the configuration of a plating apparatus according to the embodiment.
도 3은 실시예에 따른 도금 장치의 도금 공정을 보여주는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a plating process of the plating apparatus according to the embodiment.
도 4는 도 3의 "A" 부분을 확대하여 보여주는 도면이다.FIG. 4 is an enlarged view of portion “A” of FIG. 3.
도 5는 실시예에 따른 도금 장치를 이용하여 제조된 배선 기판을 보여주는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing a wiring board manufactured using the plating apparatus according to the embodiment.
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KR1020080126383A KR20100067823A (en) | 2008-12-12 | 2008-12-12 | Electroplating device and fabricating method for the |
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KR101103450B1 (en) * | 2010-07-27 | 2012-01-09 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus to plate substrate |
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