KR20100066844A - 수직공진 표면발광레이저 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (9)
- 기판의 결정방향으로 배열되도록,브래그 반사층들, 클래드층들, 활성층, 전류 주입구층 및 오믹금속층들을 포함하여 이루어진 발광부와, 상기 발광부의 측면에 빛이 방출되는 않는 벽들을 형성함으로써,상기 벽들에 의해 상기 발광부에서 방출된 빛에 편광 특성을 주는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광레이저.
- 중심 메사 패턴과 상기 중심 메사 패턴의 양쪽에 측면 메사 패턴들이 각각 기판의 결정방향으로 배열되되, 상기 중심 메사 패턴에서는 빛이 방출되는 영역이 개구되어 있어 상기 빛이 방출되고, 상기 측면 메사 패턴은 빛이 방출되지 않도록 빛이 방출되는 영역이 금속층 또는 절연성 물질로 덮여있어, 상기 측면 메사 패턴들에 의해 상기 중심 메사 패턴에서 방출된 빛에 편광 특성을 주는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광레이저.
- 제 2항에 있어서, 상기 중심 메사 패턴과 상기 측면 메사 패턴들 사이의 이격거리는 0.1㎛ ~ 100㎛인 것을 수직공진 표면발광레이저.
- 제 2항에 있어서, 상기 중심 메사 패턴은 반도체 기판 상에 순차적으로 형성 된 브래그 반사층들, 클래드층들, 활성층, 전류 주입구층 및 상기 빛이 방출되도록 소정영역이 개구된 상부 오믹금속층과, 상기 기판 하부에 형성된 하부 오믹금속층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광레이저.
- 제 2항에 있어서, 상기 측면 메사 패턴은 반도체 기판 상에 순차적으로 형성된 브래그 반사층들, 클래드층들, 활성층, 전류 주입구층 및 상기 빛이 방출되지 않도록 상기 전류 주입구층을 완전히 덮는 상부 오믹금속층과, 상기 기판 하부에 형성된 하부 오믹금속층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광레이저.
- 제 2항에 있어서, 상기 측면 메사 패턴은 반도체 기판 상에 순차적으로 형성된 브래그 반사층들, 클래드층들, 활성층, 전류 주입구층 및 상기 빛이 방출되지 않도록 상기 전류 주입구층을 완전히 덮는 절연층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광레이저.
- 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 전류 주입구층은 산화 또는 이온 주입 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광레이저.
- 제 2항에 있어서, 상기 절연성 물질은 폴리이미드, SiOx, SiNx 등으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직공진 표면발광레이저.
- 제 2항에 있어서, 상기 기판의 결정 방향은 <011> 방향인 것을 특징으로 하는 수직공진 표면 발광 레이저
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