KR20100066318A - Display device and manufacturing method thereof - Google Patents

Display device and manufacturing method thereof

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KR20100066318A KR1020090054001A KR20090054001A KR20100066318A KR 20100066318 A KR20100066318 A KR 20100066318A KR 1020090054001 A KR1020090054001 A KR 1020090054001A KR 20090054001 A KR20090054001 A KR 20090054001A KR 20100066318 A KR20100066318 A KR 20100066318A
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Abstract

PURPOSE: A display device and a manufacturing method thereof are provided to prevent block dim or noise, thereby improving picture quality. CONSTITUTION: A plurality of pattern lines(147a,147b) and a plurality of contact electrodes(141,143) are formed on a substrate(131). An anisotropic conductive film(150) including a plurality of conductive balls(152) is arranged on the substrate. A plurality of driving circuits is arranged on the substrate. The conductive balls are electrically connected to the contact electrodes by bumps(156) of the driving circuits. Contact layers(158) are formed by applying a laser beam to contact areas.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{Display device and manufacturing method thereof}Display device and manufacturing method thereof

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 COG 방식에서 드라이버 IC의 콘택 불량을 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device and a method of manufacturing the same that can prevent contact failure of a driver IC in a COG method.

정보화 사회의 발달로 인해, 정보를 표시할 수 있는 표시 장치가 활발히 개발되고 있다. 표시 장치는 액정표시장치(liquid crystal display device), 유기전계발광 표시장치(organic electro-luminescence display device), 플라즈마 표시장치(plasma display panel) 및 전계 방출 표시장치(field emission display device)를 포함한다.Due to the development of the information society, display devices capable of displaying information have been actively developed. The display device includes a liquid crystal display device, an organic electro-luminescence display device, a plasma display panel, and a field emission display device.

이 중에서, 액정표시장치는 경박 단소, 저 소비 전력 및 풀 컬러 동영상 구현과 같은 장점이 있어, 모바일 폰, 네비게이션, 모니터, 텔레비전에 널리 적용되고 있다.Among these, the liquid crystal display device has advantages such as light weight, small size, low power consumption, and full color video, and is widely applied to mobile phones, navigation, monitors, and televisions.

액정표시장치는 두 기판들과 이들 기판들 사이에 개재된 액정층을 포함하는 액정 패널이 구비되고, 액정 패널의 외부 영역에 구동 집적회로가 위치된다. The liquid crystal display device includes a liquid crystal panel including two substrates and a liquid crystal layer interposed between the substrates, and a driving integrated circuit is positioned in an outer region of the liquid crystal panel.

구동 집적회로는 액정 패널에 실장하는 방식에 따라 칩 온 글래스(COG: chip on glass) 방식, 테이프 캐리어 패키지(TCP: tape carrier package) 방식 및 칩 온 필름(COF: chip on film) 방식으로 나누어진다.The driving integrated circuit is divided into a chip on glass (COG) method, a tape carrier package (TCP) method, and a chip on film (COF) method according to the method of mounting the liquid crystal panel. .

이 중 COG 방식은 TCP 방식에 비해 구조가 간단하고 실장 방법이 용이하므로, 중소형 패널에 널리 적용되고 있다.Among them, the COG method has a simple structure and easy mounting method compared to the TCP method, and thus is widely applied to small and medium panels.

도 1은 종래의 COG 방식의 액정표시장치를 도시한 평면도이다. 1 is a plan view illustrating a liquid crystal display of a conventional COG method.

도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 COG 방식의 액정표시장치는 제1 및 제2 기판들(11, 13)과 이들 기판들(11, 13) 사이에 게재된 액정층(미도시)을 포함한다. 제1 및 제2 기판들(11, 13)이 오버랩된 영역은 영상이 표시되는 표시 영역(9)으로 정의되고, 제1 및 제2 기판들(11, 13)이 오버랩되지 않는 제1 기판(11)의 영역은 영상이 표시되지 않는 비 표시 영역(10)으로 정의된다.As shown in FIG. 1, a conventional COG type liquid crystal display device includes first and second substrates 11 and 13 and a liquid crystal layer (not shown) interposed between the substrates 11 and 13. do. An area in which the first and second substrates 11 and 13 overlap each other is defined as a display area 9 in which an image is displayed, and a first substrate in which the first and second substrates 11 and 13 do not overlap. The area of 11) is defined as the non-display area 10 in which no image is displayed.

제1 기판(11)의 비 표시 영역(10)에 FPC(flexible printing circuit board, 3)가 제1 기판(11)에 접속되고, 비 표시 영역(10)에 게이트 구동 집적회로들(5)과 데이터 구동 집적회로들(25 내지 27)이 실장된다. 게이트 구동 집적회로들(5)과 데이터 구동 집적회로들(25 내지 27)이 유리 재질의 기판 상에 실장되고, 이를 COG 방식이라 명명한다.A flexible printing circuit board (FPC) 3 is connected to the first substrate 11 in the non-display area 10 of the first substrate 11, and the gate driving integrated circuits 5 are connected to the non-display area 10. Data driving integrated circuits 25 to 27 are mounted. The gate driving integrated circuits 5 and the data driving integrated circuits 25 to 27 are mounted on a glass substrate, which is called a COG method.

비 표시 영역(10)에는 다수의 패턴 라인들(15a 내지 15d, 17a, 17c)이 형성된다. 즉, FPC(3)와 게이트 구동 집적회로들(5)을 연결하기 위한 게이트 패턴 라인들(17a, 17b)과 FPC(3)와 데이터 구동 집적회로들(25 내지 27)을 연결하기 위한 데이터 패턴 라인들(15a 내지 15d)이 구비된다. 데이터 구동 집적회로들(25 내지 27) 간에는 데이터 패턴 라인들(15a 내지 15d)에 의해 종속(cascade) 접속된다. A plurality of pattern lines 15a to 15d, 17a, and 17c are formed in the non-display area 10. That is, the gate pattern lines 17a and 17b for connecting the FPC 3 and the gate driver integrated circuits 5 and the data pattern for connecting the FPC 3 and the data driver integrated circuits 25 to 27. Lines 15a to 15d are provided. The data driving integrated circuits 25 to 27 are cascaded by data pattern lines 15a to 15d.

게이트 구동 집적회로들(5)과 표시 영역(9) 간에는 게이트 라인들(21)에 의해 접속되고, 데이터 구동 집적회로들(25 내지 27)과 표시 영역(9) 간에는 데이터 라인들(23)에 의해 접속된다. A gate line 21 is connected between the gate driving integrated circuits 5 and the display region 9, and data lines 23 are connected between the data driving integrated circuits 25 to 27 and the display region 9. Is connected by.

FPC(3)에서 제공된 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호는 데이터 패턴 라인들(15a 내지 15d)을 경유하여 첫 번째 데이터 구동 집적회로로 공급된다. 파워 신호, 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호에 의해 생성된 데이터 전압들이 데이터 라인들(23)을 경유하여 표시 영역(9)으로 공급된다. The power signals VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd, gamma voltage, data signal and control signal provided from the FPC 3 are supplied to the first data driving integrated circuit via the data pattern lines 15a to 15d. The data voltages generated by the power signal, the gamma voltage, the data signal and the control signal are supplied to the display area 9 via the data lines 23.

VDD와 VDD_gnd는 감마 전압의 기준 전압이고, VCC와 VCC_gnd는 데이터 구동 집적회로들(25 내지 27)을 구동하기 위한 전압이다. 이들 파워 신호들은 규격에 의해 정해진 값으로서, 변동이 되는 경우 데이터 구동 집적회로들(25 내지 27) 각각으로부터 출력되는 데이터 전압의 변동을 유발하여 노이즈나 딤(dim) 불량을 야기한다(도 1의 블록 딤 또는 블록 노이즈의 발생 영역).VDD and VDD_gnd are reference voltages of the gamma voltage, and VCC and VCC_gnd are voltages for driving the data driver integrated circuits 25 to 27. These power signals are values determined by the standard, and when fluctuating, they cause fluctuations in data voltages output from each of the data driving integrated circuits 25 to 27, resulting in noise or dim defects (Fig. 1). Block dim or block noise generation area).

이들 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd)는 데이터 구동 집적회로들(25 내지 27)과 데이터 패턴 라인들(15a 내지 15d) 간의 접속시, 이들 간의 콘택 불량에 의해 변동된다.These power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd are changed by contact failures between the data driving integrated circuits 25 to 27 and the data pattern lines 15a to 15d.

도 2는 도 1의 데이터 구동 집적회로를 도시한 평면도이다. FIG. 2 is a plan view illustrating the data driving integrated circuit of FIG. 1.

도 2에 도시한 바와 같이, 데이터 구동 집적회로(25 내지 27)는 다수의 범프(bump, 31, 33, 35)들을 구비한다. 이들 범프들(31, 33, 35)은 데이터 구동 집적회로(25 내지 27)와 데이터 패턴 라인들(15a 내지 15d)을 연결시키는 가교 역할을 한다.As shown in FIG. 2, the data driver integrated circuits 25 to 27 have a plurality of bumps 31, 33, and 35. These bumps 31, 33, and 35 serve as bridges for connecting the data driving integrated circuits 25 to 27 and the data pattern lines 15a to 15d.

데이터 구동 집적회로(25 내지 27)의 길이 방향으로 데이터 구동 집적회로(25 내지 27)의 양 끝단에는 입력측 범프들(31)과 출력측 범프들(33)이 구비되고, 다른 끝단에는 데이터 신호 출력용 범프들(35)이 구비된다. Input side bumps 31 and output side bumps 33 are provided at both ends of the data driving integrated circuits 25 to 27 in the longitudinal direction of the data driving integrated circuits 25 to 27, and bumps for outputting data signals are at other ends. Field 35 is provided.

입력측 범프들(31)은 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호를 입력받고, 출력측 범프들(33)은 파워 신호, 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호를 출력한다. 데이터 신호 출력용 범프들(35)은 데이터 신호를 출력한다. Input side bumps 31 receive power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd, gamma voltages, data signals and control signals, and output side bumps 33 receive power signals, gamma voltages, data signals and control signals. Output Bumps 35 for data signal output output a data signal.

게이트 구동 집적회로(5) 또한 게이트 패턴 라인(17a, 17b)과 게이트 라인들(21)을 전기적으로 연결하기 위한 범프들(미도시)을 구비한다.The gate driving integrated circuit 5 also includes bumps (not shown) for electrically connecting the gate pattern lines 17a and 17b and the gate lines 21.

도 3은 도 2에서 I-I' 라인을 따라 절단했을 때 데이터 구동 집적회로와 제1 기판에 대한 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the data driving integrated circuit and the first substrate when taken along the line II ′ in FIG. 2.

도 3에 도시한 바와 같이, 제1 기판(11)은 게이트 절연막(43), 데이터 패턴 라인들(45), 보호막(47) 및 콘택 전극들(48)을 포함한다. 도면번호 41은 기판이다. 게이트 절연막(43)은 기판(11)의 비 표시 영역(1) 상에 형성된다. 데이터 패턴 라인들(45)은 게이트 절연막(43) 상에 서로 이격되어 형성된다. 즉, 데이터 패턴 라인들(45)은 데이터 구동 집적회로들(25 내지 27)의 입력 터미널 영역들과 출력 터미널 영역들에 형성된다. 보호막(47)은 게이트 절연막(43) 상의 데이터 패턴 라인들(45)을 노출하도록 형성된다. 콘택 전극들(48)은 노출된 데이터 패턴 라인들(45) 상에 형성된다. 콘택 전극들(48)은 각 데이터 구동 집적회로들(25 내지 27)을 데이 터 패턴 라인들(45)에 전기적으로 연결시킨다.As illustrated in FIG. 3, the first substrate 11 includes a gate insulating layer 43, data pattern lines 45, a passivation layer 47, and contact electrodes 48. Reference numeral 41 is a substrate. The gate insulating film 43 is formed on the non-display area 1 of the substrate 11. The data pattern lines 45 are formed to be spaced apart from each other on the gate insulating layer 43. That is, the data pattern lines 45 are formed in the input terminal regions and the output terminal regions of the data driver integrated circuits 25 to 27. The passivation layer 47 is formed to expose the data pattern lines 45 on the gate insulating layer 43. Contact electrodes 48 are formed on the exposed data pattern lines 45. The contact electrodes 48 electrically connect the respective data driver integrated circuits 25 to 27 to the data pattern lines 45.

제1 기판(11)은 비 표시 영역(10) 상에 배치되고 다수의 도전볼들(50)을 포함하는 이방성 도전 필름(ACF: anisotropic conductive film, 49)을 더 포함한다. 이방성 도전 필름(49) 상에는 범프들(31, 33)을 구비한 데이터 구동 집적회로(26)가 위치된다. The first substrate 11 further includes an anisotropic conductive film (ACF) 49 disposed on the non-display area 10 and including the plurality of conductive balls 50. On the anisotropic conductive film 49 is placed a data drive integrated circuit 26 with bumps 31, 33.

데이터 구동 집적회로(26)는 열과 압력에 의해 가압되고, 이러한 가압에 의해 데이터 구동 집적회로(26)의 범프들(31, 33)이 이방성 도전 필름(49)을 누르게 되고 이방성 도전 필름(49)이 녹게 된다. 따라서, 이방성 도전 필름(49)에 포함된 도전볼들(50)이 콘택 전극들(48)에 전기적으로 연결된다. The data driving integrated circuit 26 is pressurized by heat and pressure, which causes the bumps 31 and 33 of the data driving integrated circuit 26 to press the anisotropic conductive film 49 and the anisotropic conductive film 49. Will melt. Therefore, the conductive balls 50 included in the anisotropic conductive film 49 are electrically connected to the contact electrodes 48.

하지만, 이방성 도전 필름(49) 및/또는 도전볼들(50) 및 콘택 전극들(48) 사이의 부착력(adhesions)은 매우 취약한 것이 널리 알려져 있다. 게다가, 도 4에 도시한 바와 같이, 시간이 경과함에 따라 이방성 도전 필름(49)은 경화된다. 따라서, 도전볼(50)을 포함하는 이방성 도전 필름(49)은 콘택 전극들(48)로부터 탈착되어, 도전볼들(50)이 콘택 전극들(48)에 더 이상 연결되지 않게 된다. 그러므로, 콘택 불량(contact defects)이 데이터 구동 집적회로들(25 내지 27)의 입력 터미널 영역들 및/또는 출력 터미널 영역들의 콘택 영역들에서 발생된다. 콘택 불량은 범프들(31, 33)이 각 콘택 전극(48)과 오버랩되는 사이즈로 정의될 수 있다. However, it is widely known that the adhesions between the anisotropic conductive film 49 and / or the conductive balls 50 and the contact electrodes 48 are very weak. In addition, as shown in FIG. 4, the anisotropic conductive film 49 is cured as time passes. Thus, the anisotropic conductive film 49 including the conductive balls 50 is detached from the contact electrodes 48 such that the conductive balls 50 are no longer connected to the contact electrodes 48. Therefore, contact defects occur in the contact terminal regions of the input terminal regions and / or output terminal regions of the data driver integrated circuits 25 to 27. The contact failure may be defined as a size in which bumps 31 and 33 overlap each contact electrode 48.

게다가, 콘택 전극들(48)과 데이터 패턴 라인들(45) 사이의 부착력 또한 비교적 취약한 것이 널리 알려져 있다. 따라서, 콘택 불량이 데이터 구동 집적회로들(25 내지 27)의 입력 터미널 영역들 및/또는 출력 터미널 영역들의 콘택 영역들 에서 추가로 더 발생된다.In addition, it is well known that the adhesion between the contact electrodes 48 and the data pattern lines 45 is also relatively weak. Thus, contact failure is further generated in the contact terminal regions of the input terminal regions and / or output terminal regions of the data driver integrated circuits 25 to 27.

이러한 콘택 불량으로 인해, 데이터 구동 집적회로(26)의 범프(31, 33)와 콘택 전극(48) 사이의 콘택 저항이 증가하게 된다. 이러한 콘택 저항의 증가로 인해 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호가 가변된다. Due to this contact failure, the contact resistance between the bumps 31 and 33 of the data driving integrated circuit 26 and the contact electrode 48 is increased. The increase in the contact resistance causes the power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd to vary, the gamma voltage, the data signal, and the control signal.

예를 들어, 파워 신호(VDD 및 VCC)의 전압 레벨들이 감소하는데 반해, 파워 신호(VDD_gnd 및 VCC_gnd)의 전압 레벨들은 증가한다. 파워 신호(VCC 및 VCC_gnd)는 각 데이터 구동 집적회로(25 내지 27)를 구동하는데 사용되고, 파워 신호(VDD 및 VDD_gnd)는 감마 전압을 생성하기 위한 기준 전압으로서 사용된다.For example, while the voltage levels of the power signals VDD and VCC decrease, the voltage levels of the power signals VDD_gnd and VCC_gnd increase. The power signals VCC and VCC_gnd are used to drive the respective data driving integrated circuits 25 to 27, and the power signals VDD and VDD_gnd are used as reference voltages for generating gamma voltages.

도 5에 도시한 바와 같이, VCC는 2.7V이고 VCC_gnd는 0V를 갖는 것으로 규격으로 정해진 상태에서, 데이터 구동 집적회로(26)의 범프(31, 33)와 콘택 전극(48) 사이의 콘택 저항이 증가하는 경우, VCC는 2.6V로 감소되는데 반해 VCC_gnd는 0.4V로 증가되게 되어, VCC의 마진폭이 2.2V가 된다. 이와 같이 줄어든 마진폭에 의해 데이터 구동 집적회로(26)가 구동되지 않게 된다. As shown in FIG. 5, in a state where VCC is 2.7 V and VCC_gnd is 0 V, the contact resistance between the bumps 31 and 33 of the data driving integrated circuit 26 and the contact electrode 48 is reduced. Increasing, VCC is reduced to 2.6V, while VCC_gnd is increased to 0.4V, and the margin width of VCC is 2.2V. The reduced margin width prevents the data driver integrated circuit 26 from being driven.

특히, 데이터 구동 집적회로들(26)이 종속으로 연결되고, 각 데이터 구동 집적회로(26)의 입력 터미널 영역들과 출력 터미널 영역들에서 콘택 불량이 발생되는 경우, 첫 번째 데이터 구동 집적회로 25에서 마지막 데이터 구동 집적회로 27로 갈수록 파워 신호(VCC)와 파워 신호(VCC_gnd) 사이의 마진폭은 더욱 줄어들게 된다. 따라서, 마지막 데이터 구동 집적회로 27에 이에 인접한 다른 데이터 구동 집적회로들 26은 구동이 되지 않게 된다. 이와 같이, 마지막 데이터 구동 집적회로 (27) 와 이에 인접한 다른 데이터 구동 집적회로들 26은 구동되지 않게 되어 어떠한 데이터 전압도 표시 영역으로 공급되지 않게 되어, 블록 노이즈가 발생될 수 있다. 블록은 각 데이터 구동 집적회로에 연결된 표시 영역의 데이터 라인들을 포함하는 영역으로 정의된다. In particular, when the data driving integrated circuits 26 are cascaded and contact failure occurs in the input terminal regions and the output terminal regions of each data driving integrated circuit 26, The margin between the power signal VCC and the power signal VCC_gnd is further reduced toward the last data driver IC 27. Accordingly, the other data driver integrated circuits 26 adjacent to the last data driver integrated circuit 27 are not driven. As such, the last data driver integrated circuit 27 and the other data driver integrated circuits 26 adjacent thereto are not driven so that no data voltage is supplied to the display area, so that block noise may be generated. A block is defined as an area including data lines of a display area connected to each data driving integrated circuit.

아울러, 이러한 콘택 저항의 증가로 인해 파워 신호(VDD)는 감소하는데 반해 파워 신호(VDD_gnd)는 증가하게 되어, 감마 전압들이 설정된 전압으로 생성되지 않고 가변된 전압으로 생성되게 된다. 이러한 감마 전압들의 가변으로 인해 데이터 구동 집적회로에서 출력된 데이터 전압에 변동이 발생하여 계조 왜곡이 발생된다. 이러한 계조 왜곡은 첫 번째 데이터 구동 집적회로(25)보다는 마지막 데이터 구동 집적회로(27)로 갈수록 더욱 심해지게 된다. 따라서, 콘택 불량으로 인한 이러한 파워 신호(VDD와 VDD_gnd)의 가변으로 인해 마지막 데이터 구동 집적회로(27)와 이에 인접한 다른 데이터 구동 집적회로(26)에 각각 연결된 표시 영역의 데이터 라인으로 계조 왜곡이 발생되고, 이는 블록 딤을 야기한다. In addition, due to the increase in the contact resistance, the power signal VDD is decreased while the power signal VDD_gnd is increased, so that the gamma voltages are not generated as the set voltage but are generated as the variable voltage. Due to the variation of the gamma voltages, variations in the data voltages output from the data driving integrated circuits cause grayscale distortion. The gradation distortion becomes more severe toward the last data driving integrated circuit 27 than the first data driving integrated circuit 25. Therefore, due to the change of the power signals VDD and VDD_gnd due to the contact failure, gradation distortion occurs in the data lines of the display area respectively connected to the last data driver integrated circuit 27 and another data driver integrated circuit 26 adjacent thereto. This causes a block dim.

콘택 불량은 데이터 구동 집적회로(26)의 범프(31, 33)와 데이터 라인(23) 사이에도 발생되고, 이러한 콘택 불량에 의해 데이터 구동 집적회로(26)에서 데이터 라인(23)으로 공급되는 데이터 전압의 왜곡이 발생된다.Contact failure is also generated between the bumps 31 and 33 of the data driving integrated circuit 26 and the data line 23, and the data supplied from the data driving integrated circuit 26 to the data line 23 is caused by the contact failure. Voltage distortion occurs.

따라서, 콘택 불량을 원천적으로 방지하는 것이 시급하다.Therefore, it is urgent to prevent contact defects at the source.

본 발명은 콘택 영역 내의 모든 도전볼들이 콘택 전극에 전기적으로 연결되 도록 하여, 콘택 불량을 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a display device and a method of manufacturing the same, in which all conductive balls in a contact region are electrically connected to a contact electrode, thereby preventing contact failure.

본 발명에 따르면, 표시장치의 제조 방법은, 기판 상에 다수의 패턴 라인들과 이에 접속된 다수의 콘택 전극들을 형성하는 단계; 상기 기판 상에 다수의 도전볼들을 포함하는 이방성 도전 필름을 배치하는 단계; 상기 이방성 도전 필름에 범프들이 대응하도록 다수의 구동 회로들을 상기 기판 상에 배치하는 단계; 상기 구동 회로들에 열과 압력을 가하여 상기 구동 회로들의 범프들에 의해 상기 도전볼들이 상기 콘택 전극들에 전기적으로 접속되는 단계; 및 상기 패턴 라인들과 상기 콘택 전극들을 융용시키기 위해 콘택 영역들에 레이저 광을 조사하여 상기 도전볼들이 접속되기 위한 다수의 콘택층들을 형성하는 단계를 포함한다.According to the present invention, a method of manufacturing a display device includes: forming a plurality of pattern lines and a plurality of contact electrodes connected thereto on a substrate; Disposing an anisotropic conductive film including a plurality of conductive balls on the substrate; Disposing a plurality of drive circuits on the substrate such that bumps correspond to the anisotropic conductive film; Applying heat and pressure to the drive circuits so that the conductive balls are electrically connected to the contact electrodes by bumps of the drive circuits; And irradiating laser light to contact regions to fuse the pattern lines and the contact electrodes to form a plurality of contact layers for connecting the conductive balls.

본 발명에 따르면, 표시 장치는, 패턴 라인과 콘택 전극으로 형성된 기판; 범프를 갖는 구동 회로; 다수의 도전볼들을 갖는 이방성 도전 필름; 및 상기 패턴 라인과 상기 콘택 전극을 융용시켜 형성된 콘택층을 포함하고, 상기 콘택층은 상기 도전볼들에 접속된다.According to the present invention, a display device includes: a substrate formed of a pattern line and a contact electrode; A drive circuit having bumps; An anisotropic conductive film having a plurality of conductive balls; And a contact layer formed by melting the pattern line and the contact electrode, wherein the contact layer is connected to the conductive balls.

본 발명은 콘택 영역들에 레이저 광을 조사하여 데이터 패턴 라인들과 데이터 콘택 전극들을 용융시켜 이들을 포함하는 콘택층들을 형성하는 한편, 콘택층들 상부에 다수의 피크들을 형성하고, 이들 피크들이 도전볼에 접촉된 상태에서 흘러내리면서 서로 결합되며, 결합된 피크들과 콘택층이 경화된다. 이에 따라, 도전볼 들이 결합된 피크들을 매개로 하여 콘택층들에 강하게 접속됨으로써, 블록 딤이나 노이즈를 방지하여 화질을 향상시킬 수 있다. The present invention irradiates laser light to the contact regions to melt the data pattern lines and the data contact electrodes to form contact layers including the same, while forming a plurality of peaks on the contact layers, the peaks being conductive balls. While flowing down in contact with each other, they are bonded to each other, and the joined peaks and the contact layer are cured. Accordingly, since the conductive balls are strongly connected to the contact layers through the combined peaks, the image quality may be improved by preventing block dim or noise.

아울러, 본 발명은 부착력이 좋지 않은 데이터 패턴 라인들과 데이터 콘택 전극들을 레이저 광의 조사에 의해 융용시켜 서로 혼합되도록 함으로써, 데이터 라인들과 데이터 콘택 전극들 사이의 부착력 취약 문제를 해결할 수 있다. In addition, the present invention can solve the problem of adhesion weakness between the data line and the data contact electrodes by fusing the data pattern lines and the data contact electrodes with poor adhesion by the laser light irradiation to be mixed with each other.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 COG 방식의 액정표시장치를 도시한 평면도이다.6 is a plan view showing a liquid crystal display of the COG method according to the present invention.

도 6은 참조하면, 본 발명의 COG 방식의 액정표시장치는 제1 및 제2 기판들(111, 113)과 이들 기판들(111, 113) 사이에 게재된 액정층(미도시)을 포함한다. 제1 및 제2 기판들(111, 113)과 액정층에 의해 액정 패널(101)이 구성된다. 제1 및 제2 기판들(111, 113)이 오버랩된 영역은 영상이 표시되는 표시 영역(125)으로 정의되고, 제1 및 제2 기판들(111, 113)이 오버랩되지 않는 제1 기판(111)의 영역은 영상이 표시되지 않는 비 표시 영역(129)으로 정의된다. 표시 영역(125)은 다수의 서브 표시 영역들(126a, 126b, 127a, 127b, 128a, 128b, 129a 및 129b)로 정의된다. Referring to FIG. 6, the COG type liquid crystal display of the present invention includes first and second substrates 111 and 113 and a liquid crystal layer (not shown) interposed between the substrates 111 and 113. . The liquid crystal panel 101 is formed of the first and second substrates 111 and 113 and the liquid crystal layer. An area in which the first and second substrates 111 and 113 overlap each other is defined as a display area 125 in which an image is displayed, and a first substrate in which the first and second substrates 111 and 113 do not overlap. The region of 111 is defined as the non-display region 129 where no image is displayed. The display area 125 is defined as a plurality of sub display areas 126a, 126b, 127a, 127b, 128a, 128b, 129a, and 129b.

제1 기판(111)의 비 표시 영역(129)에 FPC(flexible printing circuit board, 103)가 제1 기판(111)에 접속되고, 비 표시 영역(129)에 게이트 구동 집적회로들(105)과 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)이 실장된다. 게이트 구동 집적회로들(105)과 데이터 구동 집적회로 들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)이 유리 재질의 제1 기판(111) 상에 실장되고, 이를 COG 방식이라 명명한다.A flexible printing circuit board (FPC) 103 is connected to the first substrate 111 in the non-display area 129 of the first substrate 111, and the gate driving integrated circuits 105 are connected to the non-display area 129. The data driver integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b are mounted. The gate driving integrated circuits 105 and the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b are mounted on the first substrate 111 made of glass, which is called a COG method. Name it.

본 발명에서는 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)이 배치되는 영역을 다수의 데이터 구동 영역들(116 내지 119)로 정의한다. In the present invention, an area in which the data driver integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b are disposed is defined as a plurality of data driving regions 116 to 119.

각 데이터 구동 영역(116 내지 119)은 2개의 다수의 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)을 포함한다. 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)은 각각 서브 표시 영역들(126a, 126b, 127a, 127b, 128a, 128b, 129a 및 129b)에 대응된다. 각 데이터 구동 집적회로(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)로부터 출력된 데이터 신호들은 각 서브 표시 영역(126a, 126b, 127a, 127b, 128a, 128b, 129a 및 129b)에 표시된다. Each data driving region 116-119 includes two plurality of data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b. The data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b respectively correspond to the sub display areas 126a, 126b, 127a, 127b, 128a, 128b, 129a, and 129b. Data signals output from the respective data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b are stored in the respective sub display areas 126a, 126b, 127a, 127b, 128a, 128b, 129a, and 129b. Is displayed.

특히, 제1 데이터 구동 영역(116)의 데이터 구동 집적회로(116a)로부터 출력된 데이터 신호들은 서브 표시 영역(126a)에 표시된다. 제1 데이터 구동 영역(116)의 데이터 구동 집적회로(116b)로부터 출력된 데이터 신호들은 서브 표시 영역(126b)에 표시된다. 제2 데이터 구동 영역(117)의 데이터 구동 집적회로(117a)로부터 출력된 데이터 신호들은 서브 표시 영역(127a)에 표시된다. 제2 데이터 구동 영역(117)의 데이터 구동 집적회로(117b)로부터 출력된 데이터 신호들은 서브 표시 영역(127b)에 표시된다. In particular, data signals output from the data driver integrated circuit 116a of the first data driver region 116 are displayed in the sub display region 126a. Data signals output from the data driver integrated circuit 116b of the first data driver region 116 are displayed in the sub display region 126b. Data signals output from the data driver integrated circuit 117a of the second data driver region 117 are displayed in the sub display region 127a. Data signals output from the data driver integrated circuit 117b of the second data driver region 117 are displayed in the sub display region 127b.

각 데이터 구동 영역(116 내지 119)에 배치된 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)은 서로 종속 연결된다. 예를 들어, 제1 데이터 구동 영역(116)에 배치된 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b)은 서로 종속 연결된다. 제2 데이터 구동 영역(117)에 배치된 데이터 구동 집적회로들(117a, 117b)은 서로 종속 연결된다. 제3 데이터 구동 영역(118)에 배치된 데이터 구동 집적회로들(118a, 118b)은 서로 종속 연결된다. 제4 데이터 구동 영역(119)에 배치된 데이터 구동 집적회로들(119a, 119b)은 서로 종속 연결된다.The data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b disposed in the data driving regions 116 to 119 are connected to each other. For example, the data driving integrated circuits 116a and 116b disposed in the first data driving region 116 are cascaded to each other. The data driver integrated circuits 117a and 117b disposed in the second data driver region 117 are cascaded to each other. The data driving integrated circuits 118a and 118b disposed in the third data driving region 118 are cascaded to each other. The data driving integrated circuits 119a and 119b disposed in the fourth data driving region 119 are cascaded to each other.

FPC(103)에서 제공된 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호는 제1 내지 제4 데이터 구동 영역들(116 내지 119)에 각각 공급된다. 파워 신호(VDD와 VDD_gnd)는 감마 전압의 기준 전압이고, 파워 신호(VCC와 VCC_gnd)는 데이터 구동 집적회로들(116 내지 119)을 구동하는데 사용된다. The power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd, the gamma voltage, the data signal, and the control signal provided from the FPC 103 are supplied to the first to fourth data driving regions 116 to 119, respectively. The power signals VDD and VDD_gnd are reference voltages of gamma voltages, and the power signals VCC and VCC_gnd are used to drive the data driver integrated circuits 116 to 119.

즉, FPC(103)에서 제공된 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호는 각각 제1 내지 제4 데이터 구동 영역(116 내지 119)에 포함된 제1 데이터 구동 집적회로(116a, 117a, 118a 및 119a)에 인가된다. 제1 데이터 구동 집적회로(116a, 117a, 118a 및 119a)에 인가된 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호는 제1 데이터 구동 집적회로(116a, 117a, 118a 및 119a)에 종속적으로 인접하여 배치된 제2 데이터 구동 집적회로(116b, 117b, 118b 및 119b)로 전달된다. 이런 방식으로, 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호는 제1 데이터 구동 집적회로(116a, 117a, 118a 및 119a)로부터 마지막 데이터 구동 집적회 로(116b, 117b, 118b 및 119b)로 순차적으로 전달된다. That is, the power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd, the gamma voltage, the data signal, and the control signal provided from the FPC 103 are driven by the first data included in the first to fourth data driving regions 116 to 119, respectively. Applied to integrated circuits 116a, 117a, 118a, and 119a. The power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd, the gamma voltage, the data signal, and the control signal applied to the first data driving integrated circuits 116a, 117a, 118a, and 119a may be used. And transfer to second data driver integrated circuits 116b, 117b, 118b, and 119b disposed adjacently adjacent to 118a and 119a. In this way, the power signals VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd, gamma voltage, data signal and control signal are transferred from the first data driver integrated circuits 116a, 117a, 118a and 119a to the last data driver integrated circuit 116b, 117b, 118b and 119b) sequentially.

다시 말해, 제1 데이터 구동 영역(116)에서, 제1 데이터 구동 집적회로(116a)에 인가된 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호는 인접하여 종속 연결된 제2 데이터 구동 집적회로(116b)로 인가된다. 이러한 방식으로 마지막 데이터 구동 집적회로(116b)에 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호가 전달된다.In other words, in the first data driving region 116, the power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd, the gamma voltage, the data signal, and the control signal applied to the first data driving integrated circuit 116a are adjacently cascaded. Applied to the second data driver integrated circuit 116b. In this manner, the power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd, the gamma voltage, the data signal, and the control signal are transmitted to the last data driver integrated circuit 116b.

제2 데이터 구동 영역(117)에서, 제1 데이터 구동 집적회로(117a)에 인가된 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호는 인접하여 종속 연결된 제2 데이터 구동 집적회로(117b)로 인가된다. 이러한 방식으로 마지막 데이터 구동 집적회로(117b)에 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호가 전달된다.In the second data driving region 117, the power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd applied to the first data driving integrated circuit 117a, the gamma voltage, the data signal, and the control signal are adjacently connected to the second data. Applied to the driver integrated circuit 117b. In this manner, the power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd, the gamma voltage, the data signal and the control signal are transmitted to the last data driver integrated circuit 117b.

제3 데이터 구동 영역(118)에서, 제1 데이터 구동 집적회로(118a)에 인가된 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호는 인접하여 종속 연결된 제2 데이터 구동 집적회로(118b)로 인가된다. 이러한 방식으로 마지막 데이터 구동 집적회로(118b)에 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호가 전달된다.In the third data driving region 118, the power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd, the gamma voltage, the data signal, and the control signal applied to the first data driving integrated circuit 118a are adjacently connected to the second data. Applied to the driver integrated circuit 118b. In this manner, power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd, gamma voltages, data signals, and control signals are transmitted to the last data driver integrated circuit 118b.

제4 데이터 구동 영역(119)에서, 제1 데이터 구동 집적회로(119a)에 인가된 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호는 인접하여 종속 연결된 제2 데이터 구동 집적회로(119b)로 인가된다. 이러한 방식으로 마지막 데이터 구동 집적회로에 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호가 전달된다.In the fourth data driving region 119, the power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd, the gamma voltage, the data signal, and the control signal applied to the first data driving integrated circuit 119a are adjacently connected to the second data. Applied to the driving integrated circuit 119b. In this manner, power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd, a gamma voltage, a data signal, and a control signal are transmitted to the last data driving integrated circuit.

각 데이터 구동 영역(116 내지 119)에 포함된 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)에서 제공된 출력 신호들은 각 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)에 대응된 각 서브 표시 영역(126a, 126b, 127a, 127b, 128a, 128b, 129a 및 129b)에 영상으로 표시될 수 있다.The output signals provided by the data driver integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b included in the data driver regions 116 through 119 are respectively converted into the data driver integrated circuits 116a, 116b, The sub display areas 126a, 126b, 127a, 127b, 128a, 128b, 129a, and 129b corresponding to 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b may be displayed as images.

비 표시 영역(129)에는 다수의 패턴 라인들(107, 147a, 147b)이 형성된다. 즉, 패턴 라인들은 FPC(103)와 게이트 구동 집적회로들(105) 사이를 전기적으로 연결하기 위한 게이트 패턴 라인들(107), FPC(103)와 데이터 구동 집적회로들(116a, 117a, 118a, 및 119a) 사이를 전기적으로 연결하기 위한 데이터 패턴 라인들(147a) 그리고 서로 인접하는 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b) 사이를 전기적으로 연결하기 위한 데이터 패턴라인들(147b)이 구비된다. A plurality of pattern lines 107, 147a, and 147b are formed in the non-display area 129. That is, the pattern lines may include the gate pattern lines 107, the FPC 103, and the data driver integrated circuits 116a, 117a, 118a for electrically connecting the FPC 103 and the gate driver integrated circuits 105. And data pattern lines 147a for electrically connecting between 119a and data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b for electrically connecting each other. Data pattern lines 147b are provided.

각 게이트 구동 집적회로(105)와 표시 영역(125) 간에는 게이트 라인들(121)에 의해 접속되고, 각 데이터 구동 집적회로(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)와 표시 영역(125) 간에는 데이터 라인들(123)에 의해 접속된다. Each gate driving integrated circuit 105 and the display area 125 are connected by gate lines 121, and each data driving integrated circuit 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b is displayed. The regions 125 are connected by data lines 123.

각 데이터 구동 집적회로(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)는 다수의 범프들(미도시)을 포함한다. 이들 범프들은 게이트 구동 집적회로(105)를 게이트 패턴 라인들(107)로 연결하고 각 데이터 구동 집적회로(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)를 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)을 연결시 키는 가교 역할을 한다.Each data driving integrated circuit 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b includes a plurality of bumps (not shown). These bumps connect the gate driving integrated circuit 105 to the gate pattern lines 107 and each of the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b to the data pattern lines 147a. , 147b) acts as a crosslinking agent.

범프들은 게이트 구동 집적회로(105)와 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a 및 119b) 상의 입력 터미널 영역들 상의 입력 패턴 라인들(147a)을 전기적으로 연결하기 위한 입력 범프들과, 게이트 구동 집적회로(105)와 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a 및 119b) 상의 출력 터미널 영역들 상의 출력 패턴 라인들(147b)을 전기적으로 연결하기 위한 출력측 범프들과, 게이트 구동 집적회로(105)와 데이터 구동 집적회로(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a 및 119b) 상의 게이트 라인(121) 및 데이터 라인들(123)을 전기적으로 연결하기 위한 데이터 신호 출력용 범프들을 포함한다. The bumps electrically connect the gate driving integrated circuit 105 and the input pattern lines 147a on the input terminal regions on the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a and 119b. Input bumps and output pattern lines 147b on the output terminal regions on the gate driver integrated circuit 105 and the data driver integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a and 119b. Output side bumps for electrically connecting, gate line 121 and data lines (e.g., gate drive integrated circuit 105 and data drive integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a and 119b); Bumps for data signal output for electrically connecting 123.

데이터 구동 집적 회로(116a, 117a, 118a, 및 119a)의 입력 범프들에 의해 입력된 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호는 출력 범프들을 통해 인접한 다른 데이터 구동 집적회로(116b, 117b, 118b 및 119b)의 입력 범프들로 제공된다. 데이터 신호 출력용 범프들에 의해 출력된 데이터 신호는 데이터 라인들(123)을 통해 각 서브 표시 영역(126a, 126b, 127a, 127b, 128a, 128b, 129a 및 129b)으로 제공된다. The power signals VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd, gamma voltages, data signals and control signals input by the input bumps of the data driver integrated circuits 116a, 117a, 118a, and 119a are connected to other data adjacent through the output bumps. Input bumps of the driving integrated circuits 116b, 117b, 118b and 119b. The data signal output by the data signal output bumps is provided to the sub display areas 126a, 126b, 127a, 127b, 128a, 128b, 129a, and 129b through the data lines 123.

앞서 설명한 바와 같이, 이방성 도전 필름에 포함된 도전볼들이 콘택 전극들로부터 탈착되고 콘택 전극들과 데이터 패턴 라인들 사이의 부착력이 취약하기 때문에, 범프와 데이터 패턴 라인 사이에 의해 정의된 콘택 영역에서 콘택 불량이 발생될 수 있다.As described above, since the conductive balls included in the anisotropic conductive film are detached from the contact electrodes and the adhesion between the contact electrodes and the data pattern lines is weak, the contact is defined in the contact region defined between the bump and the data pattern line. Defects may occur.

본 발명은 서로 종속적으로 연결된 2개의 데이터 구동 집적회로들(116a 및 116b, 117a 및 117b, 118a 및 118b, 119a 및 119b)을 각 데이터 구동 영역(116 내지 119)로 구분한다. 따라서, 각 데이터 구동 영역(116 내지 119)으로 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호를 개별적으로 공급한다. The present invention divides two data driving integrated circuits 116a and 116b, 117a and 117b, 118a and 118b, 119a and 119b connected to each other into respective data driving regions 116 to 119. Accordingly, power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd, gamma voltages, data signals, and control signals are separately supplied to the data driving regions 116 to 119.

이에 따라, 각 데이터 구동 영역(116 내지 119)에 포함된 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)의 개수가 현저히 줄어들게 되어, 각 데이터 구동 영역(116 내지 119)의 마지막 데이터 구동 집적회로로 입력된 각 데이터 구동 영역(116 내지 119)의 마지막 데이터 구동 집적회로로 입력된 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호에 변동이 발생되지 않게 되어 블록 딤이나 노이즈가 발생되지 않게 된다. As a result, the number of data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b included in each data driving region 116 to 119 is significantly reduced. Power signals VDD, VDD_gnd, VCC, and VCC_gnd input to the last data driving integrated circuit of each data driving region 116 to 119, gamma voltage, data signal, and control signal input to the last data driving integrated circuit of FIGS. No fluctuation occurs in the block, and block dim or noise is not generated.

도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정표시장치의 제조 방법을 도시한 도면이다. 도 7a 내지 도 7f에 도시한 데이터 구동 집적회로는 앞서 설명한 각 데이터 구동 영역에 포함된 데이터 구동 집적회로들 모두에 적용될 수 있다. 또한, 도 7a 내지 도 7f는 데이터 구동 집적회로의 범프와 데이터 패턴 라인 사이의 콘택 불량을 해소하기 위한 액정 표시장치의 제조 공정을 한정하고 있지만, 본 발명은 이에 한정하지 않고 데이터 구동 집적회로의 범프와 데이터 라인 사이의 콘택 불량을 해소하기 위한 액정 표시장치의 제조 공정에도 동일하게 적용될 수 있다.7A to 7F illustrate a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. The data driving integrated circuits illustrated in FIGS. 7A to 7F may be applied to all of the data driving integrated circuits included in each data driving region described above. 7A to 7F limit the manufacturing process of the liquid crystal display device for eliminating contact defects between the bumps of the data driving integrated circuits and the data pattern lines, the present invention is not limited thereto. The same can be applied to the manufacturing process of the liquid crystal display device for eliminating contact defects between the and data lines.

도 6과 도 7a 내지 도 7f를 참조하여 이하의 액정표시장치의 제조 공정을 설 명한다.6 and 7A to 7F, a manufacturing process of the following liquid crystal display device will be described.

도 7a에 도시한 바와 같이, 제1 기판(111)은 기판(131) 상에 게이트 절연막(133), 데이터 패턴 라인들(147a, 147b), 콘택 전극들(141, 143) 및 보호막(139)을 형성하여 제조된다.As shown in FIG. 7A, the first substrate 111 may include a gate insulating layer 133, data pattern lines 147a and 147b, contact electrodes 141 and 143, and a protective layer 139 on the substrate 131. It is prepared by forming a.

보다 상세히 설명하면, 기판(131) 상에 도시하지 않았지만 게이트 메탈 물질로 이루어진 게이트 메탈 필름을 형성하고 게이트 메탈 필름을 패터닝하여 게이트 라인(121), 게이트 전극 및 게이트 패턴 전극을 형성한다. 게이트 라인은 표시 영역(125)에 형성된다. 표시 영역(125)에는 다수의 화소들이 매트릭스로 정의된다. 게이트 라인의 일측 끝단은 표시 영역(125)뿐만 아니라 비 표시 영역(129)에까지 연장되어 형성될 수 있다. 게이트 전극은 각 화소에 형성되고, 게이트 패턴 라인들(107)은 게이트 구동 집적회로들(105) 사이와 FPC(103)와 게이트 구동 집적회로(105) 사이에 형성된다. 게이트 라인(121)을 포함하는 기판(131)의 전 영역 상에 게이트 절연 물질을 이용하여 게이트 절연막(133)을 형성한다. In more detail, although not shown on the substrate 131, a gate metal film formed of a gate metal material is formed, and the gate metal film is patterned to form a gate line 121, a gate electrode, and a gate pattern electrode. The gate line is formed in the display area 125. In the display area 125, a plurality of pixels is defined as a matrix. One end of the gate line may extend to not only the display area 125 but also the non-display area 129. A gate electrode is formed in each pixel, and gate pattern lines 107 are formed between the gate driver integrated circuits 105 and between the FPC 103 and the gate driver integrated circuit 105. The gate insulating layer 133 is formed on the entire region of the substrate 131 including the gate line 121 using a gate insulating material.

게이트 절연막(133) 상에 반도체 물질을 형성하고 패터닝하여 반도체층을 형성한다. A semiconductor material is formed on the gate insulating layer 133 and patterned to form a semiconductor layer.

반도체층을 포함하는 기판(131) 상에 데이터 메탈 물질로 이루어진 데이터 메탈 필름을 형성하고 데이터 메탈 필름을 패터닝하여 데이터 라인(123), 소스/드레인 전극 및 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)을 형성한다. 데이터 라인(123)은 게이트 라인(121)에 교차하여 형성된다. 게이트 라인(121)과 데이터 라인(123)의 교차에 의해 화소가 표시 영역(125)에 정의될 수 있다. 데이터 라인(123)은 표시 영 역(125)뿐만 아니라 비 표시 영역(129)까지 연장되어 형성될 수 있다. 소스/드레인 전극은 게이트 전극에 대응하는 게이트 절연막(133) 상에 서로 이격되어 형성된다. 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)은 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b) 사이와 FPC(103)와 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b) 사이에 형성된다. 데이터 메탈 물질은 게이트 메탈 물질과 동일하거나 다를 수 있다.A data metal film made of a data metal material is formed on the substrate 131 including the semiconductor layer, and the data metal film is patterned to form data lines 123, source / drain electrodes, and data pattern lines 147a and 147b. do. The data line 123 crosses the gate line 121. The pixel may be defined in the display area 125 by the intersection of the gate line 121 and the data line 123. The data line 123 may extend to the non-display area 129 as well as the display area 125. The source / drain electrodes are spaced apart from each other on the gate insulating layer 133 corresponding to the gate electrode. The data pattern lines 147a and 147b are interposed between the data driver integrated circuits 116a and 116b and 117a and 117b and 118a and 118b and 119a and 119b and the FPC 103 and the data driver integrated circuits 116a and 116b and 117a. , 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b. The data metal material may be the same or different than the gate metal material.

게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층 및 소스/드레인 전극에 의해 박막 트랜지스터가 구성된다. 박막 트랜지스터는 각 화소를 정의하는 게이트 라인과 데이터 라인에 연결된다.The thin film transistor is composed of a gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor layer, and a source / drain electrode. The thin film transistor is connected to a gate line and a data line defining each pixel.

데이터 패턴 라인들(147a, 147b)을 포함하는 기판(131) 상에 유기 물질이나 무기 물질을 이용하여 보호막(139)을 형성한다. 이어서, 보호막(139)을 패터닝하여 드레인 전극의 일부 영역이 노출된 드레인 콘택홀(미도시), 비표시 영역(129)으로 연장된 데이터 라인(123)의 끝단 영역이 노출된 데이터 콘택홀(미도시) 및 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)의 일부 영역이 노출된 데이터 패턴 라인 콘택홀(149)을 형성한다. 아울러, 보호막(139)과 게이트 절연막(133)을 패터닝하여 비표시 영역(129)으로 연장된 게이트 라인(121)의 끝단 영역이 노출된 게이트 콘택홀(미도시)과 게이트 패턴 라인들(107)의 일부 영역이 노출된 게이트 패턴 콘택홀(미도시)을 형성한다.The passivation layer 139 is formed on the substrate 131 including the data pattern lines 147a and 147b using an organic material or an inorganic material. Subsequently, the passivation layer 139 is patterned to expose a drain contact hole (not shown) where a portion of the drain electrode is exposed, and a data contact hole (not shown) that exposes an end region of the data line 123 extending to the non-display area 129. And a portion of the data pattern lines 147a and 147b form an exposed data pattern line contact hole 149. In addition, a gate contact hole (not shown) and gate pattern lines 107 exposing end regions of the gate line 121 extending to the non-display area 129 by patterning the passivation layer 139 and the gate insulating layer 133. A portion of the gate pattern contact hole (not shown) is formed.

보호막(139) 상에 투명한 도전 물질, 예컨대 ITO 또는 IZO를 형성하고 패터닝하여 화소 전극(미도시), 게이트 콘택 전극(미도시) 및 데이터 콘택 전극(141, 143)을 형성한다. 화소 전극은 각 화소에 형성되고, 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 전기적으로 연결된다. 게이트 콘택 전극은 게이트 콘택홀을 통해 게이트 라인(121)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 또한 게이트 콘택 전극은 게이트 패턴 라인 콘택홀을 통해 게이트 패턴 라인들(107)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 데이터 콘택 전극(141, 143)은 데이터 콘택홀을 통해 데이터 라인(123)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 데이터 콘택 전극(141, 143)은 데이터 패턴 라인 콘택홀을 통해 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. A transparent conductive material such as ITO or IZO is formed and patterned on the passivation layer 139 to form a pixel electrode (not shown), a gate contact electrode (not shown), and a data contact electrode 141, 143. The pixel electrode is formed in each pixel and is electrically connected to the drain electrode through the drain contact hole. The gate contact electrode is formed to be electrically connected to the gate line 121 through the gate contact hole. In addition, the gate contact electrode is formed to be electrically connected to the gate pattern lines 107 through the gate pattern line contact hole. The data contact electrodes 141 and 143 are formed to be electrically connected to the data line 123 through the data contact holes. The data contact electrodes 141 and 143 are formed to be electrically connected to the data pattern lines 147a and 147b through the data pattern line contact holes.

도 7b에 도시한 바와 같이, 제1 기판(111)의 비 표시 영역(129)에서 게이트 구동 집적회로들(105)과 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)이 위치될 영역들에 랜덤하게 분포된 도전볼들(152)을 포함하는 이방성 도전 필름들(150)이 위치된다. 즉, 이방성 도전 필름들(150)은 게이트 및 데이터 구동 집적회로들(105, 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a 및 119b)의 하부에 위치될 수 있다. 이를 달리 설명하면, 게이트 라인(121)의 끝단 영역, 데이터 라인(123)의 끝단 영역, 게이트 패턴 라인(107)의 양단 영역들 그리고 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)의 양단 영역들에 각각 이방성 도전 필름(150)이 배치될 수 있다. As shown in FIG. 7B, the gate driving integrated circuits 105 and the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, and 119a in the non-display area 129 of the first substrate 111. , Anisotropic conductive films 150 including conductive balls 152 randomly distributed in regions where 119b is to be positioned are positioned. That is, the anisotropic conductive films 150 may be located under the gate and data driving integrated circuits 105, 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a and 119b. In other words, the anisotropy is applied to the end region of the gate line 121, the end region of the data line 123, the end regions of the gate pattern line 107, and the end regions of the data pattern lines 147a and 147b, respectively. The conductive film 150 may be disposed.

도 7c에 도시한 바와 같이, 게이트 구동 집적회로들(105)과 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)에 열이 공급되고 압력이 가해져, 게이트 구동 집적회로들(105)의 범프들이나 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)의 범프들(156)에 의해 도전 볼들(152)이 각각 게이트 라인들(121), 게이트 패턴 라인들(107), 데이터 라인들(123) 및 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)에 연결된다. As shown in FIG. 7C, heat is applied and pressure is applied to the gate driving integrated circuits 105 and the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b to drive the gate. The bumps 156 of the integrated circuits 105 or the bumps 156 of the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b respectively form the conductive lines 152 by the gate lines (gates). 121, the gate pattern lines 107, the data lines 123, and the data pattern lines 147a and 147b.

즉, 게이트 구동 집적회로들(105)이나 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)의 가압에 의해 게이트 구동 집적회로들(105)이나 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)에 구비된 범프들(156)이 가압된다. 이에 따라 이방성 도전 필름(150)이 가압되는 한편 이방성 도전 필름(150)이 녹게 된다. 따라서, 이방성 도전 필름(150)이 게이트 콘택 전극들과 데이터 콘택 전극들(141, 143)에 전기적으로 연결된다. 특히, 이방성 도전 필름(150)에 포함된 도전볼들(152)이 게이트 콘택 전극들과 데이터 콘택 전극들(141, 143)에 전기적으로 연결된다. That is, the gate driving integrated circuits 105 or the data driving integrated circuits are pressed by pressing the gate driving integrated circuits 105 or the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b. The bumps 156 provided in the fields 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a and 119b are pressed. Accordingly, the anisotropic conductive film 150 is pressed while the anisotropic conductive film 150 is melted. Thus, the anisotropic conductive film 150 is electrically connected to the gate contact electrodes and the data contact electrodes 141 and 143. In particular, the conductive balls 152 included in the anisotropic conductive film 150 are electrically connected to the gate contact electrodes and the data contact electrodes 141 and 143.

본 발명에서는 게이트 구동 집적회로들(105)과 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)이 제1 기판(111)에 동시에 실장되는 것으로 설명하고 있지만, 본 발명은 이에 한정하지 않고 게이트 구동 집적회로들(105)과 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)이 제1 기판(111)에 순차적으로 실장될 수도 있다.In the present invention, the gate driving integrated circuits 105 and the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b are described as being simultaneously mounted on the first substrate 111. The present invention is not limited thereto, and the gate driving integrated circuits 105 and the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b may be sequentially mounted on the first substrate 111. It may be.

하지만, 도 7D에 도시한 바와 같이, 이방성 도전 필름(150)이 시간이 경과함에 따라 경화되고, 도전볼들(152) 및 이방성 도전 필름(150)과 게이트 콘택 전극들 및 데이터 콘택 전극들(141, 143) 사이 그리고 게이트 콘택 전극들 및 데이터 콘택 전극들(141, 143)과 게이트 라인들(121), 게이트 패턴 라인들(107), 데이터 라인들(123) 및 데이터 패턴 라인들(147a, 147b) 사이의 부착력이 매우 취약하다. 따라 서, 도전볼들(152) 및 이방성 도전 필름(150)이 게이트 콘택 전극들 및 데이터 콘택 전극들(141, 143)로부터 탈착되고, 게이트 콘택 전극들 및 데이터 콘택 전극들(141, 143)이 게이트 라인들(121), 게이트 패턴 라인들(107), 데이터 라인들(123) 및 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)로부터 탈착된다. 콘택 불량이 게이트 구동 집적회로들(105)과 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a 및 119b)의 입력 터미널 영역들, 출력 터미널 영역들 및 신호 출력 터미널 영역들의 콘택 영역들에서 발생된다. 이러한 콘택 불량으로 인해, 콘택 영역 내의 콘택 저항이 증가하게 되어 궁극적으로는 블록 딤이나 블록 노이즈와 같은 불량이 발생하게 된다.However, as shown in FIG. 7D, the anisotropic conductive film 150 is cured as time passes, and the conductive balls 152 and the anisotropic conductive film 150, the gate contact electrodes, and the data contact electrodes 141 are formed. 143 between the gate contact electrodes and the data contact electrodes 141 and 143 and the gate lines 121, the gate pattern lines 107, the data lines 123 and the data pattern lines 147a and 147b. The adhesion between) is very weak. Accordingly, the conductive balls 152 and the anisotropic conductive film 150 are detached from the gate contact electrodes and the data contact electrodes 141 and 143, and the gate contact electrodes and the data contact electrodes 141 and 143 are removed. The gate lines 121, the gate pattern lines 107, the data lines 123, and the data pattern lines 147a and 147b are detached from the gate lines 121. The contact failure is caused by the input terminal regions, output terminal regions, and signal output terminal regions of the gate driver integrated circuits 105 and the data driver integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b. In contact areas. Due to this contact failure, the contact resistance in the contact region increases, and ultimately, a defect such as block dim or block noise occurs.

이러한 문제를 해결하기 위해, 도 7e에 도시한 바와 같이, 기판(131)의 하부 방향에서 기판(131) 내부의 콘택 영역으로 레이저 광(또는 레이저 빔)을 조사하여 콘택 영역 내의 이중층, 즉 게이트 라인들(121) 및 게이트 콘택 전극들, 게이트 패턴 라인들(107) 및 게이트 콘택 전극들, 데이터 라인들(123) 및 데이터 콘택 전극들(141, 143) 그리고 데이터 패턴 라인들(147a, 147b) 및 데이터 콘택 전극들(141, 143)을 용융시킨다. 이에 따라, 콘택층들(158)이 각 콘택 영역 내에 형성된다. 이와 동시에, 다수의 피크들(158a)이 레이저 광에 의해 각 콘택층(158)의 상부 면 상에 형성된다. 피크들(158a)은 각 도전볼들(152)에 접촉된다. 콘택층(158)은 콘택 영역 내의 이중층, 즉 게이트 라인들(121) 및 게이트 콘택 전극들, 게이트 패턴 라인들(107) 및 게이트 콘택 전극들, 데이터 라인들(123) 및 데이터 콘택 전극들(141, 143) 그리고 데이터 패턴 라인들(147a, 147b) 및 데이터 콘택 전극들(141, 143)을 융용시켜 형성된다.In order to solve this problem, as shown in FIG. 7E, a laser beam (or a laser beam) is irradiated to a contact region inside the substrate 131 in a lower direction of the substrate 131 to form a double layer, that is, a gate line, in the contact region. Gates 121 and gate contact electrodes, gate pattern lines 107 and gate contact electrodes, data lines 123 and data contact electrodes 141 and 143 and data pattern lines 147a and 147b and The data contact electrodes 141 and 143 are melted. Accordingly, contact layers 158 are formed in each contact region. At the same time, a number of peaks 158a are formed on the top surface of each contact layer 158 by laser light. Peaks 158a are in contact with the respective conductive balls 152. The contact layer 158 is a double layer in the contact region, that is, gate lines 121 and gate contact electrodes, gate pattern lines 107 and gate contact electrodes, data lines 123 and data contact electrodes 141. And 143 and the data pattern lines 147a and 147b and the data contact electrodes 141 and 143 are fused.

도 7f에 도시한 바와 같이, 레이저 광의 조사가 완료된 후, 시간이 경과함에 따라 도전볼들(152)에 접촉된 피크들(158a)은 서로 결합되기 위해 각 도전볼(152)의 면을 따라 흘러내린다. 게다가, 결합된 피크들(158b)과 콘택층(158)은 경화된다. 따라서, 도전볼들(152)은 콘택 영역 내의 콘택층(158), 구체적으로 결합된 피크들(158)에 강하게 부착되고 또한 연결된다. As shown in FIG. 7F, after the irradiation of the laser light is completed, as time passes, the peaks 158a contacting the conductive balls 152 flow along the surface of each conductive ball 152 to be coupled to each other. Get off. In addition, the combined peaks 158b and the contact layer 158 are cured. Thus, the conductive balls 152 are strongly attached and connected to the contact layer 158, specifically the combined peaks 158, in the contact region.

레이저 광을 방출하기 위한 레이저 소오스로서는 고체 레이저가 사용될 수 있다. 고체 레이저로는 Nd:YAG, 루비, KCl 또는 RbCl일 수 있다. 이 중에서, 바람직하게는 Nd:YAG로 이루어진 고체 레이저가 본 발명의 레이저 소오스로 사용될 수 있다. 본 발명의 레이저 광은 60mJ 내지 120mJ의 범위의 파워를 갖는 펄스 레이저 광이 사용될 수 있다. As the laser source for emitting the laser light, a solid laser can be used. Solid state lasers may be Nd: YAG, ruby, KCl or RbCl. Among them, preferably, a solid laser made of Nd: YAG can be used as the laser source of the present invention. As the laser light of the present invention, pulsed laser light having a power in the range of 60 mJ to 120 mJ may be used.

이에 따라, 콘택 영역 내에 포함된 모든 도전볼들(152)이 콘택층들(158)에 접촉됨에 따라 콘택 저항이 현저히 줄어든다. 따라서, 게이트 구동 집적회로들(105)과 게이트 라인들(121)이나 게이트 패턴 라인들 사이 그리고 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)과 데이터 라인들(123)이나 데이터 패턴 라인들(147a, 147b) 사이에 신호의 가변 없이 원하는 파워 신호가 정확히 전달될 수 있다.Accordingly, as all conductive balls 152 included in the contact region are in contact with the contact layers 158, the contact resistance is significantly reduced. Thus, between the gate driving integrated circuits 105 and the gate lines 121 or the gate pattern lines, and the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b and data lines The desired power signal can be accurately transmitted without changing the signal between the 123 or the data pattern lines 147a and 147b.

특히, 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)과 데이터 패턴 라인들(147a, 147b) 사이에 콘택 전항에 민감한 파워 신호(VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd), 감마 전압, 데이터 신호 및 제어 신호가 가변되 지 않게 됨에 따라, 블록 딤이나 노이즈가 발생되지 않게 된다. In particular, a power signal VDD, VDD_gnd, VCC, VCC_gnd that is sensitive to contact propagation between the data driver integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b and the data pattern lines 147a and 147b. ), The gamma voltage, the data signal and the control signal are not changed, so that block dim or noise is not generated.

도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정표시장치의 제조 방법을 도시한 도면이다. 8A to 8E illustrate a method of manufacturing a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 8a에 도시한 바와 같이, 제1 기판(도 6의 111)은 데이터 패턴 라인들(147a, 147b), 게이트 절연막(133), 보호막(139) 및 콘택 전극들(141, 143)이 기판(131) 상에 형성됨으로써 제조된다. As illustrated in FIG. 8A, the data pattern lines 147a and 147b, the gate insulating layer 133, the passivation layer 139, and the contact electrodes 141 and 143 may include the substrate (111 in FIG. 6). 131).

구체적으로, 게이트 라인들(121), 게이트 전극들(미도시), 게이트 패턴 라인들(107) 및 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)은 기판(131) 상에 게이트 메탈 물질로 이루어진 게이트 메탈 필름(미도시)을 형성하고 게이트 메탈 필름을 패터닝함으로써 제공된다. 게이트 라인들(121)은 표시 영역(125) 상에 형성된다. 다수의 화소들이 표시 영역(125) 상에 정의된다. 게이트 라인들(121)은 표시 영역(125)뿐만 아니라 비표시 영역(129)으로 연장되어 형성된다. 게이트 전극들은 각 화소 상에 형성되고, 게이트 패턴 라인들(107)은 게이트 구동 집적회로들(105) 사이 그리고 게이트 구동 집적회로들(105)과 FPC(103) 사이에 형성된다. 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)은 데이터 구동 집적회로들(116a 및 116b, 117a 및 117b, 118a 및 118b, 119a 및 119b) 사이 그리고 데이터 구동 집적회로들(116a 및 116b, 117a 및 117b, 118a 및 118b, 119a 및 119b) 및 FPC(103) 사이에 형성된다.In detail, the gate lines 121, the gate electrodes (not shown), the gate pattern lines 107, and the data pattern lines 147a and 147b are formed of a gate metal film on the substrate 131. It is provided by forming (not shown) and patterning the gate metal film. The gate lines 121 are formed on the display area 125. A plurality of pixels is defined on the display area 125. The gate lines 121 extend to the non-display area 129 as well as the display area 125. Gate electrodes are formed on each pixel, and gate pattern lines 107 are formed between the gate driver integrated circuits 105 and between the gate driver integrated circuits 105 and the FPC 103. The data pattern lines 147a and 147b are interposed between the data driver integrated circuits 116a and 116b, 117a and 117b, 118a and 118b, 119a and 119b and the data driver integrated circuits 116a and 116b, 117a and 117b, 118a and 118b, 119a, and 119b and the FPC 103.

게이트 절연막(133)은 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)을 포함하는 기판(131)의 전면 상에 게이 절연 물질로 형성된다.The gate insulating layer 133 is formed of a gay insulating material on the entire surface of the substrate 131 including the data pattern lines 147a and 147b.

반도체층(미도시)은 게이트 절연막(133) 상에 반도체 물질을 형성하고 패터 닝하여 제공된다. 또한, 데이터 라인들(123) 및 소오스/드레인 전극들(미도시)은 반도체층을 포함하는 기판(131) 상에 데이터 메탈 물질로 이루어진 데이터 메탈 필름(미도시)를 형성하고 패터닝하여 제공된다. 소오스/드레인 전극들은 게이트 전극에 대응하는 게이트 절연막(133) 상에 소정 간격으로 서로 이격되어 형성된다. 데이터 메탈 물질은 게이트 메탈 물질과 동일하거나 상이할 수 있다. 데이터 라인들(123)은 게이트 라인들(121)을 교차하여 형성된다. 화소들은 표시 영역(125) 상에 서로 교차하는 게이트 라인들(121)과 데이터 라인들(123)에 의해 정의된다. 데이터 라인들(123)은 표시 영역(125)뿐만 아니라 비표시 영역(129)으로 연장되어 형성된다. The semiconductor layer (not shown) is provided by forming and patterning a semiconductor material on the gate insulating layer 133. In addition, the data lines 123 and the source / drain electrodes (not shown) are provided by forming and patterning a data metal film (not shown) made of a data metal material on the substrate 131 including the semiconductor layer. The source / drain electrodes are spaced apart from each other at predetermined intervals on the gate insulating layer 133 corresponding to the gate electrode. The data metal material may be the same or different than the gate metal material. The data lines 123 are formed to cross the gate lines 121. The pixels are defined by the gate lines 121 and the data lines 123 that cross each other on the display area 125. The data lines 123 extend to the non-display area 129 as well as the display area 125.

게이트 전극, 게이트 절연막(133), 반도체층 및 소오스/드레인 전극들은 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다. 박막 트랜지스터(TFT)는 화소를 정의하는 게이트 라인(121)과 데이터 라인(123)에 연결된다.The gate electrode, the gate insulating layer 133, the semiconductor layer, and the source / drain electrodes constitute a thin film transistor TFT. The thin film transistor TFT is connected to the gate line 121 and the data line 123 that define the pixel.

보호막(139)은 데이터 라인들(123)을 포함하는 기판(131) 상에 유기 또는 무기 물질로 형성된다. 이어서, 보호막(139)이 패터닝되어, 드레인 전극이 부분적으로 노출된 드레인 콘택홀(미도시)과 비표시 영역(129)으로 연장된 데이터 라인들(123)의 끝단 영역이 부분적으로 노출된 데이터 콘택홀(미도시)가 형성된다. 게다가, 보호막(139)과 게이트 절연막(133)이 패터닝되어, 비표시 영역(129)으로 연장된 게이트 라인들(121)의 끝단 영역이 노출된 게이트 콘택홀(미도시), 게이트 패턴 라인들(105)이 부분적으로 노출된 게이트 패턴 라인 콘택홀(미도시) 및 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)이 부분적으로 노출된 데이터 패턴 라인 콘택홀(161)이 형 성된다. The passivation layer 139 is formed of an organic or inorganic material on the substrate 131 including the data lines 123. Subsequently, the passivation layer 139 is patterned so that the drain contact hole (not shown) where the drain electrode is partially exposed and the data contact where the end regions of the data lines 123 extending to the non-display area 129 are partially exposed. Holes (not shown) are formed. In addition, the passivation layer 139 and the gate insulating layer 133 are patterned to expose the gate contact holes (not shown) and gate pattern lines (ie, end regions of the gate lines 121 extending to the non-display area 129). A gate pattern line contact hole (not shown) in which the 105 is partially exposed and a data pattern line contact hole 161 in which the data pattern lines 147a and 147b are partially exposed are formed.

보호막(139) 상에 투명한 도전 물질, 예컨대 ITO 또는 IZO를 형성하고 패터닝하여 화소 전극(미도시), 게이트 콘택 전극(미도시) 및 데이터 콘택 전극(141, 143)을 형성한다. 화소 전극은 각 화소에 형성되고, 드레인 콘택홀을 통해 드레인 전극과 전기적으로 연결된다. 게이트 콘택 전극은 게이트 콘택홀을 통해 게이트 라인(121)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 또한 게이트 콘택 전극은 게이트 패턴 라인 콘택홀을 통해 게이트 패턴 라인들(107)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 데이터 콘택 전극(141, 143)은 데이터 콘택홀을 통해 데이터 라인(123)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. 데이터 콘택 전극(141, 143)은 데이터 패턴 라인 콘택홀(161)을 통해 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. A transparent conductive material such as ITO or IZO is formed and patterned on the passivation layer 139 to form a pixel electrode (not shown), a gate contact electrode (not shown), and a data contact electrode 141, 143. The pixel electrode is formed in each pixel and is electrically connected to the drain electrode through the drain contact hole. The gate contact electrode is formed to be electrically connected to the gate line 121 through the gate contact hole. In addition, the gate contact electrode is formed to be electrically connected to the gate pattern lines 107 through the gate pattern line contact hole. The data contact electrodes 141 and 143 are formed to be electrically connected to the data line 123 through the data contact holes. The data contact electrodes 141 and 143 are formed to be electrically connected to the data pattern lines 147a and 147b through the data pattern line contact hole 161.

도 8b 내지 도 8e는 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)을 제외하고 도 7b 내지 도 7f와 유사하다.8B-8E are similar to FIGS. 7B-7F except data pattern lines 147a, 147b.

도 8b에 도시한 바와 같이, 이방성 도전 필름들(150)이 제1 기판(111)의 비표시 영역(129) 상에 배치된다. 각 이방성 도전 필름(150)은 게이트 구동 집적회로들(105)과 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)이 위치될 영역들에 랜덤하게 분포된 도전볼들(152)을 포함한다. 즉, 이방성 도전 필름들(150)은 게이트 및 데이터 구동 집적회로들(105, 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a 및 119b)의 하부에 위치될 수 있다. 이를 달리 설명하면, 게이트 라인(121)의 끝단 영역, 데이터 라인(123)의 끝단 영역, 게이트 패턴 라 인(107)의 양단 영역들 그리고 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)의 양단 영역들에 각각 이방성 도전 필름(150)이 배치될 수 있다. 게이트 구동 집적회로들(105)과 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a 및 119b)는 그들의 범프들이 각 이방성 도전 필름(15)에 대응하도록 배치된다.As shown in FIG. 8B, anisotropic conductive films 150 are disposed on the non-display area 129 of the first substrate 111. Each of the anisotropic conductive films 150 may include a randomly distributed conductive material in regions where the gate driver integrated circuits 105 and the data driver integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b will be located. Balls 152. That is, the anisotropic conductive films 150 may be located under the gate and data driving integrated circuits 105, 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a and 119b. In other words, the end region of the gate line 121, the end region of the data line 123, the end regions of the gate pattern line 107, and the end regions of the data pattern lines 147a and 147b, respectively. Anisotropic conductive film 150 may be disposed. The gate drive integrated circuits 105 and the data drive integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a and 119b are arranged such that their bumps correspond to the respective anisotropic conductive film 15.

이어서, 게이트 구동 집적회로들(105)과 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)에 열이 공급되고 압력이 가해져, 게이트 구동 집적회로들(105)의 범프들이나 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)의 범프들(156)에 의해 도전볼들(152)이 각각 게이트 라인들(121), 게이트 패턴 라인들(107), 데이터 라인들(123) 및 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)에 연결된다. Subsequently, heat is applied and pressure is applied to the gate driving integrated circuits 105 and the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b, thereby driving the gate driving integrated circuits 105. The bumps 156 of the bumps or the bumps 156 of the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b respectively form the gate lines 121 and the gate pattern. It is connected to the lines 107, the data lines 123 and the data pattern lines 147a and 147b.

즉, 게이트 구동 집적회로들(105)이나 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)의 가압에 의해 게이트 구동 집적회로들(105)이나 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)에 구비된 범프들(156)이 가압된다. 이에 따라 이방성 도전 필름(150)이 가압되는 한편 이방성 도전 필름(150)이 녹게 된다. 따라서, 이방성 도전 필름(150)이 게이트 콘택 전극들과 데이터 콘택 전극들(141, 143)에 전기적으로 연결된다. 특히, 이방성 도전 필름(150)에 포함된 도전볼들(152)이 게이트 콘택 전극들과 데이터 콘택 전극들(141, 143)에 전기적으로 연결된다. That is, the gate driving integrated circuits 105 or the data driving integrated circuits are pressed by pressing the gate driving integrated circuits 105 or the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b. The bumps 156 provided in the fields 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a and 119b are pressed. Accordingly, the anisotropic conductive film 150 is pressed while the anisotropic conductive film 150 is melted. Thus, the anisotropic conductive film 150 is electrically connected to the gate contact electrodes and the data contact electrodes 141 and 143. In particular, the conductive balls 152 included in the anisotropic conductive film 150 are electrically connected to the gate contact electrodes and the data contact electrodes 141 and 143.

본 발명에서는 게이트 구동 집적회로들(105)과 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)이 제1 기판(111)에 동시에 실장되는 것으로 설명하고 있지만, 본 발명은 이에 한정하지 않고 게이트 구동 집적회로들(105)과 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b)이 제1 기판(111)에 순차적으로 실장될 수도 있다.In the present invention, the gate driving integrated circuits 105 and the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b are described as being simultaneously mounted on the first substrate 111. The present invention is not limited thereto, and the gate driving integrated circuits 105 and the data driving integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b may be sequentially mounted on the first substrate 111. It may be.

하지만, 도 8c에 도시한 바와 같이, 이방성 도전 필름(150)이 시간이 경과함에 따라 경화되고, 도전볼들(152) 및 이방성 도전 필름(150)과 게이트 콘택 전극들 및 데이터 콘택 전극들(141, 143) 사이 그리고 게이트 콘택 전극들 및 데이터 콘택 전극들(141, 143)과 게이트 라인들(121), 게이트 패턴 라인들(107), 데이터 라인들(123) 및 데이터 패턴 라인들(147a, 147b) 사이의 부착력이 매우 취약하다. 따라서, 도전볼들(152) 및 이방성 도전 필름(150)이 게이트 콘택 전극들 및 데이터 콘택 전극들(141, 143)로부터 탈착되고, 게이트 콘택 전극들 및 데이터 콘택 전극들(141, 143)이 게이트 라인들(121), 게이트 패턴 라인들(107), 데이터 라인들(123) 및 데이터 패턴 라인들(147a, 147b)로부터 탈착된다. 콘택 불량이 게이트 구동 집적회로들(105)과 데이터 구동 집적회로들(116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a 및 119b)의 입력 터미널 영역들, 출력 터미널 영역들 및 신호 출력 터미널 영역들의 콘택 영역들에서 발생된다. 이러한 콘택 불량으로 인해, 콘택 영역 내의 콘택 저항이 증가하게 되어 궁극적으로는 블록 딤이나 블록 노이즈와 같은 불량이 발생하게 된다.However, as shown in FIG. 8C, the anisotropic conductive film 150 is cured as time passes, and the conductive balls 152 and the anisotropic conductive film 150, the gate contact electrodes, and the data contact electrodes 141 are formed. 143 between the gate contact electrodes and the data contact electrodes 141 and 143 and the gate lines 121, the gate pattern lines 107, the data lines 123 and the data pattern lines 147a and 147b. The adhesion between) is very weak. Accordingly, the conductive balls 152 and the anisotropic conductive film 150 are detached from the gate contact electrodes and the data contact electrodes 141 and 143, and the gate contact electrodes and the data contact electrodes 141 and 143 are gated. Detachment is performed from the lines 121, the gate pattern lines 107, the data lines 123, and the data pattern lines 147a and 147b. The contact failure is caused by the input terminal regions, output terminal regions, and signal output terminal regions of the gate driver integrated circuits 105 and the data driver integrated circuits 116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, and 119b. In contact areas. Due to this contact failure, the contact resistance in the contact region increases, and ultimately, a defect such as block dim or block noise occurs.

이러한 문제를 해결하기 위해, 도 8d에 도시한 바와 같이, 기판(131)의 하부 방향에서 기판(131) 내부의 콘택 영역으로 레이저 광(또는 레이저 빔)을 조사하여 콘택 영역 내의 이중층, 즉 게이트 라인들(121) 및 게이트 콘택 전극들, 게이트 패 턴 라인들(107) 및 게이트 콘택 전극들, 데이터 라인들(123) 및 데이터 콘택 전극들(141, 143) 그리고 데이터 패턴 라인들(147a, 147b) 및 데이터 콘택 전극들(141, 143)을 용융시킨다. 이에 따라, 콘택층들(158)이 각 콘택 영역 내에 형성된다. 이와 동시에, 다수의 피크들(158a)이 레이저 광에 의해 각 콘택층(158)의 상부 면 상에 형성된다. 피크들(158a)은 각 도전볼들(152)에 접촉된다. 콘택층(158)은 콘택 영역 내의 이중층, 즉 게이트 라인들(121) 및 게이트 콘택 전극들, 게이트 패턴 라인들(107) 및 게이트 콘택 전극들, 데이터 라인들(123) 및 데이터 콘택 전극들(141, 143) 그리고 데이터 패턴 라인들(147a, 147b) 및 데이터 콘택 전극들(141, 143)을 융용시켜 형성된다.In order to solve this problem, as shown in FIG. 8D, a laser beam (or a laser beam) is irradiated to a contact region inside the substrate 131 in a lower direction of the substrate 131 to form a double layer, that is, a gate line, in the contact region. Gates 121 and gate contact electrodes, gate pattern lines 107 and gate contact electrodes, data lines 123 and data contact electrodes 141 and 143 and data pattern lines 147a and 147b And melt the data contact electrodes 141, 143. Accordingly, contact layers 158 are formed in each contact region. At the same time, a number of peaks 158a are formed on the top surface of each contact layer 158 by laser light. Peaks 158a are in contact with the respective conductive balls 152. The contact layer 158 is a double layer in the contact region, that is, gate lines 121 and gate contact electrodes, gate pattern lines 107 and gate contact electrodes, data lines 123 and data contact electrodes 141. And 143 and the data pattern lines 147a and 147b and the data contact electrodes 141 and 143 are fused.

도 8e에 도시한 바와 같이, 레이저 광의 조사가 완료된 후, 시간이 경과함에 따라 도전볼들(152)에 접촉된 피크들(158a)은 서로 결합되기 위해 각 도전볼(152)의 면을 따라 흘러내린다. 게다가, 결합된 피크들(158b)과 콘택층(158)은 경화된다. 따라서, 도전볼들(152)은 콘택 영역 내의 콘택층(158), 구체적으로 결합된 피크들(158)에 강하게 부착되고 또한 연결된다. As shown in FIG. 8E, after the irradiation of the laser light is completed, as time passes, peaks 158a contacting the conductive balls 152 flow along the surface of each conductive ball 152 to be coupled to each other. Get off. In addition, the combined peaks 158b and the contact layer 158 are cured. Thus, the conductive balls 152 are strongly attached and connected to the contact layer 158, specifically the combined peaks 158, in the contact region.

이상의 본 발명은 액정표시장치에 한정하여 설명하고 있지만, 본 발명은 이에 한정하지 않고 유기 발광 표시장치에도 적용될 수 있다. Although the present invention has been described with reference to a liquid crystal display device, the present invention is not limited thereto and may be applied to an organic light emitting display device.

도 1은 종래의 COG 방식의 액정표시장치를 도시한 평면도이다. 1 is a plan view illustrating a liquid crystal display of a conventional COG method.

도 2는 도 1의 데이터 구동 집적회로를 도시한 평면도이다. FIG. 2 is a plan view illustrating the data driving integrated circuit of FIG. 1.

도 3은 도 2에서 I-I' 라인을 따라 절단했을 때 데이터 구동 집적회로와 제1 기판에 대한 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the data driving integrated circuit and the first substrate when taken along the line II ′ in FIG. 2.

도 4는 도 3에서의 콘택 불량을 보여주는 도면이다.4 is a view showing a contact failure in FIG.

도 5는 콘택 불량에 의한 파워 신호의 전압 마진의 가변을 도시한 도면이다.5 is a diagram illustrating a change in voltage margin of a power signal due to a poor contact.

도 6은 본 발명에 따른 COG 방식의 액정표시장치를 도시한 평면도이다.6 is a plan view showing a liquid crystal display of the COG method according to the present invention.

도 7a 내지 도 7f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정표시장치의 제조 방법을 도시한 도면이다.7A to 7F illustrate a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정표시장치의 제조 방법을 도시한 도면이다.8A to 8E illustrate a method of manufacturing a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

101: 액정 패널 103: FPC101: liquid crystal panel 103: FPC

105: 게이트 구동 집적회로 111: 제1 기판105: gate driving integrated circuit 111: first substrate

113: 제2 기판 116 내지 119: 데이터 구동 영역113: second substrates 116 to 119: data driving region

116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b: 데이터 구동 집적회로116a, 116b, 117a, 117b, 118a, 118b, 119a, 119b: data driving integrated circuit

121: 게이트 라인 123: 데이터 라인121: gate line 123: data line

125: 표시 영역125: display area

126a, 126b, 127a, 127b, 128a, 128b, 129a, 129b: 서브 표시 영역126a, 126b, 127a, 127b, 128a, 128b, 129a, 129b: sub display area

129: 비 표시 영역 131: 기판129: non-display area 131: substrate

133: 게이트 절연막 139: 보호막133: gate insulating film 139: protective film

141, 143: 데이터 콘택 전극 147a, 147b: 데이터 패턴 라인141 and 143: data contact electrodes 147a and 147b: data pattern line

150: 이방성 도전 필름 152: 도전볼150: anisotropic conductive film 152: conductive ball

156: 범프156: bump

Claims (17)

기판 상에 다수의 패턴 라인들과 이에 접속된 다수의 콘택 전극들을 형성하는 단계;Forming a plurality of pattern lines and a plurality of contact electrodes connected thereto on the substrate; 상기 기판 상에 다수의 도전볼들을 포함하는 이방성 도전 필름을 배치하는 단계;Disposing an anisotropic conductive film including a plurality of conductive balls on the substrate; 상기 이방성 도전 필름에 범프들이 대응하도록 다수의 구동 회로들을 상기 기판 상에 배치하는 단계;Disposing a plurality of drive circuits on the substrate such that bumps correspond to the anisotropic conductive film; 상기 구동 회로들에 열과 압력을 가하여 상기 구동 회로들의 범프들에 의해 상기 도전볼들이 상기 콘택 전극들에 전기적으로 접속되는 단계; 및Applying heat and pressure to the drive circuits so that the conductive balls are electrically connected to the contact electrodes by bumps of the drive circuits; And 상기 패턴 라인들과 상기 콘택 전극들을 융용시키기 위해 콘택 영역들에 레이저 광을 조사하여 상기 도전볼들이 접속되기 위한 다수의 콘택층들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.And irradiating laser light to contact regions to fuse the pattern lines and the contact electrodes to form a plurality of contact layers for connecting the conductive balls. 제1항에 있어서, 상기 레이저 광에 의해 각 콘택층의 상부 면 상에 다수의 피크들이 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein a plurality of peaks are formed on an upper surface of each contact layer by the laser light. 제2항에 있어서, 상기 피크들은 상기 각 도전볼에 접촉되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.The method of claim 2, wherein the peaks are in contact with the conductive balls. 제3항에 있어서, 상기 피크들은 서로 결합되기 위해 상기 도전볼의 면을 따라 흘러내리는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.The method of claim 3, wherein the peaks flow along a surface of the conductive ball to be coupled to each other. 제4항에 있어서, 상기 결합된 피크들과 상기 콘택층들은 시간이 경과함에 따라 경화되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.The method of claim 4, wherein the combined peaks and the contact layers are cured as time passes. 제1항에 있어서, 상기 레이저 광은 고체 레이저로부터 방출되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the laser light is emitted from a solid state laser. 제6항에 있어서, 상기 고체 레이저는 Nd:YAG 레이저, 루비 레이저, KCl 레이저 및 RbCl 레이저 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the solid state laser comprises any one of an Nd: YAG laser, a ruby laser, a KCl laser, and an RbCl laser. 제1항에 있어서, 상기 레이저 광은 60mJ 내지 120mJ의 범위의 파워를 갖는 펄스 레이저로부터 방출되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the laser light is emitted from a pulse laser having a power in a range of 60 mJ to 120 mJ. 제1항에 있어서, 상기 패턴 라인들은 게이트 패턴 라인들과 데이터 패턴 라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the pattern lines include gate pattern lines and data pattern lines. 패턴 라인과 콘택 전극으로 형성된 기판;A substrate formed of a pattern line and a contact electrode; 범프를 갖는 구동 회로;A drive circuit having bumps; 다수의 도전볼들을 갖는 이방성 도전 필름; 및An anisotropic conductive film having a plurality of conductive balls; And 상기 패턴 라인과 상기 콘택 전극을 융용시켜 형성된 콘택층을 포함하고, A contact layer formed by melting the pattern line and the contact electrode, 상기 콘택층은 상기 도전볼들에 접속되는 것을 특징으로 하는 표시장치.And the contact layer is connected to the conductive balls. 제10항에 있어서, The method of claim 10, 상기 기판 상에 형성된 게이트 라인;A gate line formed on the substrate; 상기 게이트 라인을 포함하는 상기 기판 상에 형성된 절연막;An insulating film formed on the substrate including the gate line; 상기 절연막 상에 상기 게이트 라인과 교차하여 형성된 데이터 라인;A data line formed on the insulating layer to intersect the gate line; 상기 데이터 라인을 포함하는 상기 기판 상에 형성된 보호막 및A protective film formed on the substrate including the data line; 상기 보호막 상에 형성된 화소 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.And a pixel electrode formed on the passivation layer. 제11항에 있어서, 상기 패턴 라인은 상기 게이트 라인과 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.The display device of claim 11, wherein the pattern line is formed together with the gate line. 제12항에 있어서, 상기 콘택 전극은 상기 절연막과 상기 보호막을 통해 상기 패턴 라인과 접촉되는 것을 특징으로 하는 표시장치.The display device of claim 12, wherein the contact electrode is in contact with the pattern line through the insulating layer and the passivation layer. 제11항에 있어서, 상기 패턴 라인은 상기 데이터 라인과 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.The display device of claim 11, wherein the pattern line is formed together with the data line. 제14항에 있어서, 상기 콘택 전극은 상기 보호막을 통해 상기 패턴 라인에 접촉되는 것을 특징으로 하는 표시장치.The display device of claim 14, wherein the contact electrode is in contact with the pattern line through the passivation layer. 제11항에 있어서, 상기 콘택 전극은 상기 화소 전극과 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.The display device of claim 11, wherein the contact electrode is formed together with the pixel electrode. 제11항에 있어서, 상기 도전볼들에 접촉시키기 위해 상기 콘택층의 상부 면 상에 형성된 다수의 피크들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.The display device of claim 11, further comprising a plurality of peaks formed on an upper surface of the contact layer to contact the conductive balls.
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