KR20100062098A

KR20100062098A - 이미지 센서

Info

Publication number: KR20100062098A
Application number: KR1020080120532A
Authority: KR
Inventors: 박종은; 이용제; 안정착
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2008-12-01
Filing date: 2008-12-01
Publication date: 2010-06-10

Abstract

이미지 센서가 개시된다. 상기 이미지 센서는 다수의 포토다이오드들 사이를 절연하기 위한 다수의 웰들을 포함하며, 상기 다수의 웰들 각각은 P형 웰 영역 및 양의 바이어스 전압을 수신하는 N형 웰 영역을 포함한다. 상기 다수의 웰들은 블루밍 현상 및 암전류 발생을 억제한다.

이미지 센서, 포토다이오드, 블루밍(blooming) 현상, 암전류

Description

이미지 센서{IMAGE SENSOR}

본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토다이오드 상부의 실리콘 표면에서 발생하는 암전류를 억제할 수 있는 BSI 이미지 센서에 관한 것이다.

일반적으로 사용되는 이미지 센서는 CCD(Charge Coupled Device)형 이미지 센서와 CMOS형 이미지 센서(CMOS Image Sensor; CIS)가 있다. 상기 이미지 센서는 2차원 매트릭스 형태로 배치된 다수의 픽셀들을 구비하고, 각각의 픽셀은 빛 에너지로부터 이미지 신호를 출력한다. 다수의 픽셀들 각각은 포토 다이오드를 통하여 입사된 빛의 량에 상응하는 광 전하를 축적하고 축적된 광전하에 기초하여 픽셀 신호를 출력한다.

일반적인 이미지 센서는 픽셀과 픽셀 사이에 형성되며 포토 다이오드에 비하여 상대적으로 높은 포텐셜 장벽(potential barrier)을 갖는 P형 웰을 이용하여 픽셀들 사이를 절연한다. 그러나 아주 강한 빛에 의하여 포토다이오드에서 생성된 전자들은 과도한 전자들이 P형 웰의 포텐셜 장벽을 넘어 이웃한 포토다이오드에 대해서는 잡음으로 작용할 수 있다. 이러한 현상을 블루밍 현상이라 한다.

또한, 이미지 센서의 동작 온도가 상승함에 따라서 P형 웰에서 생성된 전자가 포토다이오드에 잡음으로 작용할 수 있다. 이러한 전자에 의하여 발생되는 전류를 암전류(dark current)라 한다.

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 블루밍 현상 및 암전류 발생을 억제함으로써 선명한 이미지를 제공하기 위한 픽셀 신호를 발생할 수 있는 이미지 센서를 제공하는 것이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 이미지 센서는 다수의 포토다이오드들 및 상기 다수의 포토다이오드들 사이를 절연하기 위한 다수의 웰들을 포함할 수 있다. 상기 다수의 웰들 각각은 P형 웰 영역 및 상기 P형 웰 영역의 내부에 형성되는 N형 웰 영역을 포함할 수 있다.

상기 N형 웰 영역에는 상기 이미지 센서의 동작 상태에 따라서 레벨이 가변될 수 있는 양의 전압이 인가될 수 있다. 상기 이미지 센서는 상기 다수의 웰들 각각의 상부에 형성되는 산화막을 더 포함할 수 있으며, 상기 산화막은 STI(Shallow Tranch Insulation) 공정에 의하여 형성된 트렌치 내에 형성될 수 있다. 상기 이미지 센서는 상기 N형 웰 영역과 서로 전기적으로 접속되는 상기 N형 기판을 더 포함할 수 있다.

상기 다수의 포토다이오드들은 제1 P형 층과 제2 P형 층 사이에 형성될 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는 포토다이오드들 사이에서 발생할 수 있는 블루밍 현상 및 암전류 발생을 억제함으로써 선명한 이미지 신호를 제공할 수 있는 효과가 있다.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.

본 명세서에 있어서는 어느 하나의 구성요소가 다른 구성요소로 데이터 또는 신호를 '전송'하는 경우에는 상기 구성요소는 상기 다른 구성요소로 직접 상기 데이터 또는 신호를 전송할 수 있고, 적어도 하나의 또 다른 구성요소를 통하여 상기 데이터 또는 신호를 상기 다른 구성요소로 전송할 수 있음을 의미한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀 어레이(10)의 레이아웃이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀 어레이(10)의 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 픽셀 어레이(10)의 단위 픽셀은 트랜스퍼 트랜지스터(미도시)의 게이트(TG), P형 웰 영역(P-type well region, 11), N형 웰 영역(12), 컨택트(contact, 13), 제1 P형 층(P-type layer, 14), 제2 P형 층(15), 포토다이오드(PhotoDiode, PD, 16), 및 STI(Shallow Trench Insulation) 구조를 포함한다.

도 1은 픽셀 어레이(10)을 위에서 내려다 본 것이므로 실리콘 기판 위에 형성된 트랜스퍼 트랜지스터(미도시)의 게이트(TG), P형 웰 영역(11), N형 웰 영역(12), 및 컨택트(13) 만이 도시되었다.

도 1 및 도 2에 도시된 이미지 센서는 제1 P형 층(14)과 제2 P형 층(15)에 형성되는 포토다이오드(16)를 포함하는 BSI(Back-Side Illumination) 이미지 센서로 이하에서 이미지 센서라 함은 BSI 이미지 센서를 말한다. 그러나 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.

트랜스퍼 트랜지스터(미도시)는 게이트(TG)에 인가되는 트랜스퍼 신호에 응답하여 포토다이오드(16)에 축적되는 전자들을 플로팅 디퓨전(floating diffusion, 미도시)으로 출력한다. 픽셀 어레이(10)의 단위 픽셀의 동작은 차후 도 8을 참조하여 상세히 설명한다.

P형 웰 영역(11)은 포토다이오드들(16) 사이를 전기적으로 절연시킨다. 즉, 포토다이오드(16)에 비하여 높은 포텐셜 장벽을 가지는 P형 웰 영역(11)은 포토다이오드(16)에서 발생된 전자들이 인접한 포토다이오드로 넘어가는 것을 차단한다.

N형 웰 영역(12)은 P형 웰 영역(11)의 내부에 형성되며 이미지 센서의 동작 상태에 따라서 레벨이 가변될 수 있는 양의 전압(VDD)을 수신한다. 상기 N형 웰 영역(12)은 컨택트(13)을 통하여 양의 전압(VDD)을 공급하는 전압 라인에 접속된다.

N형 웰 영역(12)에 양의 전압(VDD)이 인가되면 강한 빛에 의하여 과도하게 생성된 전자들이 인접한 포토다이오드에 영향을 미치는 블루밍 현상이 억제되는데 그 과정은 도 3을 참조하여 상세히 살펴본다.

도 3은 도 2에 도시된 픽셀 어레이(10) 일부 절단면에 대한 포텐셜 장벽을 나타내는 그래프이다. 포텐셜 장벽이 높은 P형 웰 영역(11)에 둘러 싸인 포토다이오드(FD)에는 전자가 축적된다.

포토다이오드(16)에서 과도하게 생성된 전하가 P형 웰 영역(11)을 넘더라도 그 전하는 P형 웰(11)의 내부에 형성되는 N형 웰(12)에 인가된 양의 전압(VDD)에 의하여 드레인되어 인접한 포토다이오드에 영향을 미치지 않게 된다. 상기 양의 전압(VDD)의 레벨은 이미지 센서의 동작 상태 기초하여 가변될 수 있다.

예컨대, 상기 양의 전압(VDD)의 레벨은 다크 이미지에서 발생하는 노이즈 신호에 기초하여 가변될 수 있는데, 노이즈 신호가 증가할수록 상기 양의 전압(VDD)의 레벨을 높이는 것이 바람직하다. 상기 양의 전압(VDD)의 레벨이 높을 수록 노이즈 신호 제거 능력이 높아지지만 상기 양의 전압(VDD)의 레벨은 상기 P형 웰 영역(11)의 포텐셜 장벽이 유지될 수 있는 범위 이내에서 가변되어야 한다.

만약, N형 웰 영역(12)이 없는 경우에는 P형 웰 영역(11)에서의 포텐셜 장벽은 점선과 같이 나타낼 수 있다. 이때, 포토다이오드(PD)에서 과도하게 생성된 전자들은 드레인되지 않고 P형 웰 영역(11)의 포텐셜 장벽을 넘어가서 인접한 포토다이오드에 영향을 미치게 된다.

또한, N형 웰 영역(12)은 제2 P형 층(15)에서 발생되는 전자가 포토다이오드(16)로 유입되면서 발생하는 암전류를 억제할 수도 있다. 즉, 포토다이오드를 통과하여 입사되는 빛, 동작 온도 상승 등에 기초하여 제2 P형 층(12)에서 발생하는 소수 캐리어(minority carrier)인 전자가 N형 웰 영역(12)으로 드레인될 수 있다.

상술한 바와 같이, N형 웰 영역(12)의 블루밍 현상 억제 및 암전류 발생 억제에 기초하여 이미지 센서는 선명하고 뚜렷한 이미지 신호를 제공할 수 있는 것이다.

제1 P형 층(14)은 포토다이오드(16) 상부의 실리콘 표면에서 생성되는 전자들을 드레인하여 암전류 발생을 억제할 수 있다. 제2 P형 층(15)은 포토다이오드(16) 아래에 형성된다. 제1 P형 층(14), 제2 P형 층(15), 및 포토다이오드(16)의 농도를 조절함으로써 픽셀의 수직 방향, 즉, 제1 P형 층(14), 포토다이오드(16), 및 제2 P형 층(15) 방향으로의 포텐셜 장벽의 높낮이가 결정될 수 있다.

산화막(17)은 P형 웰 영역(11) 및 N형 웰 영역(12)의 상부에 형성되어 포토다이오드들(16) 사이를 절연시킨다. 산화막(17)은 STI(Shallow Tranch Insulation) 공정에 의하여 형성된 트렌치 내에 형성될 수 있다. STI 공정은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 기술이므로 그에 대한 상세한 설명은 생략한다.

만약, 픽셀 어레이(10)가 N형 기판(미도시) 위에 형성되었다면 N형 웰 영역(12)과 N형 기판을 전기적으로 접속시키고 N형 웰 영역(12)에 인가되는 양의 전압이 공통으로 인가될 수도 있다.

도 4는 도 2에 도시된 웰(11 및 12)의 단면을 나타낸다. 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 웰(11 및 12)는 P형 웰 영역(11) 및 P형 웰 영역(11) 내부에 형성되는 N형 웰 영역(12)을 포함한다. 도 4를 참조하면, P형 웰 영역(11) 내부에서 형성되는 N형 웰 영역(12)이 형성되는 깊이 및 깊이에 따른 면적이 조절될 수 있다.

예컨대, N형 웰 영역(12)은 그 깊이에 따른 면적은 드레인해야할 전자들의 발생량을 고려하여 설정될 수 있다. 즉, 드레인되어야할 전자들의 발생량이 많은 깊이에서는 N형 웰 영역(12)의 면적은 더 넓게, 드레인되어야할 전자들의 발생량이 적은 깊이에서는 N형 웰 영역(12)의 면적은 더 좁게 설정될 수 있다.

이미지 센서 설계자는 N형 웰 영역(12)의 깊이 및 깊이에 따른 면적을 조절함으로써 설계 및 생산 공정에 있어서 레이아웃을 효율적으로 활용할 수 있고, 픽셀의 동작 특성을 제어할 수 있다.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀 어레이(10)의 단위 픽셀의 간략한 레이아웃을 나타낸다. 도 5a에 도시된 단위 픽셀에서 포토다이오드(16)은 전체적으로, 도 5b에 도시된 단위 픽셀에서 포토다이오드(16)는 세 방향에 대하여, 도 5c에 도시된 단위 픽셀에서 포토다이오드(16)는 두 방향에 대하여 절연을 위한 웰(11 및 12)로 둘러싸여 있음을 알 수 있다.

도 5a 내지 도 5c은 직사각형 형태의 포토다이오드(16)를 예로 들어, 포토다이오드(16)에 대하여 웰(11 및 12)에 의한 절연 범위가 다르게 설계될 수 있음을 나타내는 것이나, 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀 어레이(10')의 단면도이다. 도 6에 도시된 픽셀 어레이(10')는 도 2에 도시된 픽셀 어레이(10)에서 STI 구조(17)만 생략된 것으로, N형 웰 영역(12)에 바이어스 전압을 인가하여 블루밍 현상 및 암전류를 억제하는 메커니즘은 STI 구조의 유무에 상관없이 이용될 수 있다.

즉, 도 2에 도시된 픽셀 어레이(10)와 같이 도 6에 도시된 픽셀 어레이(10')도 N형 웰 영역(12)에 의하여 블루밍 현상 및 암전류 발생이 억제되므로 선명한 이미지 영상을 제공할 수 있다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서에 포함된 픽셀(20)의 회로도를 나타낸다. 도 7에 도시된 픽셀은 4T(Transistors) 형의 픽셀이다. 도 3을 참조하면, 상기 단위 픽셀(20)은 포토 다이오드(16), 플로팅 디퓨전(floating diffusion) 영역(18), 및 다수의 트랜지스터들(17, 19, 21, 및 22)을 포함한다.

상기 포토 다이오드(16)는 외부로부터 입사되는 빛에 응답하여 광전자를 생성한다. 트랜스퍼 트랜지스터(17)는 전송 신호(TG)에 응답하여 상기 포토 다이오드(16)에서 생성된 상기 광전자를 상기 플로팅 디퓨전 영역(18)으로 전송한다. 리셋 트랜지스터(19)는 리셋 신호(RG)에 응답하여 상기 플로팅 디퓨전 영역(18)을 소정의 전압(VDD)으로 리셋시킨다.

드라이브 트랜지스터(21)는 상기 플로팅 디퓨전 영역(21)의 전압 레벨에 응답하여 가변되는 전압을 수직 신호 라인(23)을 통하여 출력한다. 선택 트랜지스터(22)는 선택 신호(SEL)에 응답하여 픽셀 신호를 출력할 단위 픽셀을 선택한다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서(100)의 블락도를 나타낸다.도 8을 참조하면, 이미지 센서(100)는 광전변환부(110)와 이미지 프로세서(130)를 포함할 수 있다. 이때, 광전변환부(110)와 이미지 프로세서(130) 각각은 별도의 칩(chip) 또는 모듈(moudule) 단위로 구현될 수 있다.

상기 광전변환부(110)는 입사되는 빛에 기초하여 피사체에 대한 이미지 신호 를 생성할 수 있다. 상기 광전변환부(110)는 픽셀 어레이(active pixel array, 111), 로우 디코더(row decoder, 112), 로우 드라이버(row driver, 113), 상관 이중 샘플링(Correlated Double Sampling(CDS)) 블럭(114), 출력버퍼(output buffer, 115), 컬럼 드라이버(column driver, 116), 컬럼 디코더(column decoder, 117), 타이밍 생성기(Timing Generator(TG), 118), 컨트롤 레지스터 블록(control register bolck, 119), 및 램프 신호 생성기(120)를 포함할 수 있다.

픽셀 어레이(111)는 각각이 다수의 로우(row) 라인들(미도시) 및 다수의 컬럼(column) 라인들(미도시)과 접속되는 2차원 메트릭스 형태의 다수의 픽셀들을 포함할 수 있다.

다수의 픽셀들 각각은 레드(red) 스펙트럼 영역의 빛을 전기 신호로 변환하기 위한 레드 픽셀, 그린(green) 스펙트럼 영역의 빛을 전기 신호로 변환하기 위한 그린 픽셀, 및 블루(blue) 스펙트럼 영역의 빛을 전기 신호로 변환하기 위한 블루 픽셀을 포함할 수 있다.

또한, 픽셀 어레이(111)를 구성하는 다수의 픽셀들 각각의 상부에는 도 1에 도시된 바와 같이 특정 스펙트럼 영역의 빛을 투과시키기 위한 각각의 컬러 필터가 배치된다.

로우 디코더(112)는 타이밍 생성기(118)에서 발생된 로우 제어신호(예컨대, 어드레스 신호)를 디코딩하고, 로우 드라이버(113)는 디코딩된 로우 제어신호에 응답하여 픽셀 어레이(111)를 구성하는 로우 라인들(미도시) 중에서 적어도 어느 하나의 로우 라인을 선택할 수 있다.

상관 이중 샘플링 블럭(114)은 픽셀 어레이(111)를 구성하는 컬럼 라인들(미도시) 중에서 어느 하나의 컬럼라인에 접속된 단위 픽셀로부터 출력되는 픽셀 신호에 대해 상관 이중 샘플링을 수행할 수 있다.

보다 상세하게는, 상관 이중 샘플링 블럭(114)은 픽셀 어레이(111)를 구성하는 컬럼 라인들(미도시) 중에서 어느 하나의 컬럼 라인에 접속된 단위 픽셀로부터 출력되는 픽셀 신호에 대해 상관 이중 샘플링을 수행하여 샘플링 신호(미도시)를 생성하고, 샘플링 신호와 램프 신호(Vramp)를 비교하여 비교 결과에 따른 디지털 신호를 생성할 수 있다.

출력버퍼(115)는 컬럼 드라이버(116)에서 출력되는 컬럼 제어신호(예컨대, 어드레스 신호)에 응답하여 상관 이중 샘플링 블럭(114)에서 출력되는 신호들을 버퍼링하여 출력할 수 있다.

컬럼 드라이버(116)는 컬럼 디코더(117)에서 출력되는 디코딩된 제어신호(예컨대, 어드레스 신호)에 응답하여 픽셀 어레이(111)의 컬럼 라인들(미도시) 중에서 적어도 어느 하나의 칼럼 라인을 선택적으로 활성화시킬 수 있다. 컬럼 디코더(117)는 타이밍 생성기(118)에서 발생된 컬럼 제어신호(예컨대, 어드레스 신호)를 디코딩할 수 있다.

타이밍 생성기(118)는 컨트롤 레지스터 블록(119)에서 출력된 명령에 기초하여 픽셀 어레이(111), 로우 디코더112), 출력 버퍼(115), 컬럼 디코더(117), 및 램프 신호 생성기(120) 중에서 적어도 하나의 동작을 제어하기 위한 적어도 하나의 제어 신호를 생성할 수 있다.

컨트롤 레지스터 블록(119)은 광전 변환부(110)를 구성하는 구성요소들을 제어하기 위한 각종 명령을 발생할 수 있다. 램프 신호 생성기(120)는 컨트롤 레지스터 블록(119)으로부터 발생된 명령에 응답하여 상관 이중 샘플링 블럭(114)에 램프 신호(Vramp)를 출력할 수 있다. ISP(26)는 광전 변환부(110)로부터 출력되는 픽셀 신호들에 기초하여 피사체에 대한 이미지를 생성할 수 있다.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서(100)를 포함하는 전자 시스템(200)의 블락도를 나타낸다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 전자 시스템(1)은 시스템 버스(system bus, 220)에 접속된 이미지 센서(100), 메모리 장치(210)와 프로세서(processor, 230)를 포함할 수 있다.

전자 시스템(200)은 디지털 카메라, 디지털 카메라가 부착된 이동 전화기, 카메라가 부착된 인공 위성 시스템(satellite system) 등일 수 있으나 본 발명의 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.

프로세서(130)는 이미지 센서(10) 및 메모리 장치(110)의 동작을 제어하기 위한 제어 신호들을 생성할 수 있다. 이미지 센서(100)는 피사체에 대한 이미지를 생성할 수 있고, 메모리 장치(210)는 상기 이미지를 저장할 수 있다.

실시예에 따라, 본 발명의 실시예에 따른 전자 시스템(200)이 휴대용 어플리케이션(portalble application)으로 구현되는 경우에, 본 발명의 실시예에 따른 전자 시스템(200)은 이미지 센서(100), 메모리 장치(210), 및 프로세서(230)에 동작 전원을 공급하기 위한 배터리(battery, 260)를 더 포함할 수 있다.

이때, 휴대용 어플리케이션은, 휴대용 컴퓨터(portable computer), 디지털 카메라(digital camera), PDA(personal digital assistance), 휴대 전화기(cellular telephone), MP3 플레이어, PMP(portable multimedia player), 차량자동항법장치(automotive navigation system), 메모리 카드(memory card), 또는 전자 사전을 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 전자 시스템(200)은 외부의 데이터 처리 장치와 데이터를 주고 받을 수 있도록 하는 인터페이스, 예컨대 입/출력 장치들(240)를 더 포함할 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 전자 시스템(200)이 무선 시스템인 경우, 본 발명의 실시예에 따른 전자 시스템(200)은 무선 인터페이스(250)를 더 포함할 수 있다.

상기 무선 시스템은 PDA, 휴대용 컴퓨터, 무선 전화기, 페이저(pager), 디지털 카메라와 같은 무선 장치, RFID 리더, 또는 RFID 시스템일 수 있다. 또한, 상기 무선 시스템은 WLAN(Wireless Local Area Network) 시스템 또는 WPAN(Wireless Personal Area Network) 시스템일 수 있다. 또한, 상기 무선 시스템은 이동 전화 네트워크(Cellular Network)일 수 있다.

발명은 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀 어레이의 레이아웃이다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀 어레이의 단면도이다.

도 3은 도 2에 도시된 픽셀 어레이 일부 절단면에 대한 포텐셜 장벽을 나타내는 그래프이다.

도 4는 도 2에 도시된 웰의 단면을 나타낸다.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀 어레이의 단위 픽셀의 간략한 레이아웃을 나타낸다.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀 어레이의 단면도이다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서에 포함된 단위 픽셀의 회로도를 나타낸다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 블락도를 나타낸다.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서를 포함하는 전자 시스템의 블락도를 나타낸다.

Claims

다수의 포토다이오드들; 및

상기 다수의 포토다이오드들 사이를 절연하기 위한 다수의 웰들을 포함하며,

상기 다수의 웰들 각각은

P형 웰 영역; 및

상기 P형 웰의 내부에 형성되는 N형 웰 영역을 포함하는 이미지 센서.
제1항에 있어서, 상기 N형 웰 영역에는

상기 이미지 센서의 동작 상태 기초하여 레벨이 가변될 수 있는 양의 전압이 인가되는 이미지 센서.
제2항에 있어서, 상기 이미지 센서는

상기 다수의 웰들 각각의 상부에 형성되는 산화막을 더 포함하는 이미지 센서.
제3항에 있어서, 상기 산화막은

STI(Shallow Tranch Insulation) 공정에 의하여 형성된 트렌치 내에 형성되는 이미지 센서.
제2항에 있어서, 상기 이미지 센서는

상기 N형 웰 영역과 서로 전기적으로 접속되는 상기 N형 기판을 더 포함하는 이미지 센서.
제2항에 있어서, 상기 N형 웰 영역은

깊이에 따라서 서로 다른 면적을 갖는 이미지 센서.
제2항에 있어서, 상기 다수의 포토다이오드들은

제1 P형 층과 제2 P형 층 사이에 형성되는 이미지 센서.
제6항에 있어서, 상기 N형 웰 영역에는

상기 이미지 센서의 동작 상태에 따라서 레벨이 가변될 수 있는 양의 전압이 인가되는 이미지 센서.
제7항에 있어서, 상기 이미지 센서는

상기 N형 웰 영역과 서로 전기적으로 접속되는 상기 N형 기판을 더 포함하는 이미지 센서.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 이미지 센서를 포함하는 전자 시스템.