KR20100059427A - Bake chamber - Google Patents

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KR20100059427A KR1020080118197A KR20080118197A KR20100059427A KR 20100059427 A KR20100059427 A KR 20100059427A KR 1020080118197 A KR1020080118197 A KR 1020080118197A KR 20080118197 A KR20080118197 A KR 20080118197A KR 20100059427 A KR20100059427 A KR 20100059427A
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Abstract

PURPOSE: A bake chamber is provided to uniformly maintain inner temperature of a bake process chamber by discharging exhaust gas through a discharging channel while surrounding a bake process chamber. CONSTITUTION: A bake process chamber(120) comprises a plate(110) in which a substrate(1) is stored. The bake process chamber forms a space in which a bake process is executed. A bake storing chamber(140) stores the bake process chamber. The bake storing chamber forms a discharging channel discharging the exhaust gas. The bake process chamber discharges the exhaust gas inside the chamber to the outside of a lid. The bake storing chamber comprises a storing container and a lid opening and closing the storing container.

Description

베이크 챔버{Bake chamber}Bake chamber

본 발명은 베이크 챔버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조 공정 중에 발생하는 흄(Fume)을 포함하는 배기가스를 챔버의 주위로 배기되도록 하여 챔버 내부 온도를 일정하게 유지시키도록 할 수 있는 베이크 챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a bake chamber, and more particularly, to a bake chamber which allows exhaust gas containing fumes generated during a semiconductor manufacturing process to be exhausted to the periphery of the chamber to maintain a constant temperature inside the chamber. It is about.

일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 기판 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.In general, a semiconductor device includes a Fab process for forming an electrical circuit including electrical elements on a silicon substrate used as a semiconductor substrate, an EDS process for inspecting electrical characteristics of the semiconductor devices formed in the fab process, and Each of the semiconductor devices is manufactured through a package assembly process for encapsulating and individualizing the semiconductor devices.

상기 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 반도체 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 반도체 기판 상의 오염원을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 반도체 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.The fab process includes a deposition process for forming a film on a semiconductor substrate, a chemical mechanical polishing process for planarizing the film, a photolithography process for forming a photoresist pattern on the film, and the photoresist pattern using the photoresist pattern. An etching process for forming the film into a pattern having electrical characteristics, an ion implantation process for implanting specific ions into a predetermined region of the semiconductor substrate, a cleaning process for removing contaminants on the semiconductor substrate, and the film or pattern Inspection process for inspecting the surface of the semiconductor substrate;

상기 포토리소그래피 공정은 반도체 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 막 내의 용매를 제거하여 균일하고 건조한 포토레지스트 막을 얻기 위하여 상기 반도체 기판을 소프트 베이크 하는 단계와, 상기 포토레지스트 막 상에 소정의 회로 패턴 정보를 갖는 광을 조사하여 노광하는 단계와, 상기 노광된 포토레지스트 막을 현상하여 선택적으로 상기 포토레지스트를 제거하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하고 상기 포토레지스트 패턴을 경화시키기 위해 하드 베이크 공정을 더 수행한다.The photolithography process includes forming a photoresist film on the semiconductor substrate, soft baking the semiconductor substrate to remove a solvent in the photoresist film to obtain a uniform and dry photoresist film, and onto the photoresist film. Irradiating and exposing light having predetermined circuit pattern information, and developing the exposed photoresist film to selectively remove the photoresist to form a photoresist pattern. In addition, a hard bake process may be further performed to form the photoresist pattern and to cure the photoresist pattern.

이 중, 도 1에 도시된 종래의 베이크 챔버에서와 같이, 상기 포토레지스트 패턴에 대한 베이크 공정을 수행하는 장치에 대하여 살펴보면, 포토레지스트 패턴이 형성된 반도체 기판(1)을 수용하고 가열처리를 수행하기 위한 공간을 제공하는 챔버(10), 챔버(10) 내부에 제공되어 반도체 기판(1)을 지지하고 가열하기 위한 플레이트(20) 및 챔버(10)의 상측 리드(30)에 베이크 공정 동안 상기 포토레지스트 패턴으로부터 용매가 증발하면서 발생하는 흄(Fume)을 포함하는 배기가스를 배기시키는 배기관(40)을 포함한다.Among them, as in the conventional baking chamber illustrated in FIG. 1, the apparatus for performing the baking process for the photoresist pattern is described in order to accommodate the semiconductor substrate 1 on which the photoresist pattern is formed and to perform heat treatment. A chamber 10 which provides a space for the chamber 10, a plate 20 provided inside the chamber 10 to support and heat the semiconductor substrate 1, and an upper lid 30 of the chamber 10 during the baking process. It includes an exhaust pipe 40 for exhausting the exhaust gas containing the fume (Fume) generated when the solvent evaporates from the resist pattern.

여기서, 배기관(40)은 'ㄴ'자 형상으로 굽은 엘보우(Elbow)관(41)의 일단에 배기수단(미도시) 등에 연결되는 주름배관(42)이 연장되어 있다. Here, the exhaust pipe 40 is a corrugated pipe 42 connected to the exhaust means (not shown) is extended to one end of the elbow (41) bent in the 'b' shape.

따라서 종래의 베이크 챔버를 이용한 베이크 공정은, 엘보우관(41)의 일단에 연결된 주름배관(42)이 연결되기 때문에 주름배관(42)의 경화시 주름배관(42)이 찢 어지게 되어 배기수단(미도시)에 의해 배기되는 배기가스의 배기압이 저하되어 배기효율이 저하되는 문제점이 있다.Therefore, in the baking process using the conventional baking chamber, since the corrugated pipe 42 connected to one end of the elbow pipe 41 is connected, the corrugated pipe 42 is torn when the corrugated pipe 42 is hardened, and the exhaust means ( There is a problem in that the exhaust pressure of the exhaust gas exhausted by the (not shown) is lowered to reduce the exhaust efficiency.

또한, 엘보우관(41) 또는 주름배관(42) 내부에 흄이 부착되어 시간이 경과함에 따라 배기유로가 협소해져 배기효율이 저하되는 문제점이 있다.In addition, the fume is attached to the elbow 41 or the corrugated pipe 42, the exhaust passage is narrowed over time has a problem that the exhaust efficiency is lowered.

또한, 챔버(10)의 상측으로 배기가스가 배출되기 때문에 챔버(10) 내부의 온도가 균일하지 못하게 되어 베이크 공정효율이 저하되는 문제점이 있으며, 이를 해결하기 위해선 챔버(10)와 리드(30)를 두껍게 형성하여야 하기 때문에 제조비용이 증가하게 되는 문제점이 있다.In addition, since the exhaust gas is discharged to the upper side of the chamber 10, the temperature inside the chamber 10 may not be uniform, resulting in a decrease in baking process efficiency. To solve this problem, the chamber 10 and the lid 30 are solved. Since the thick to be formed there is a problem that the manufacturing cost increases.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 고려하여 안출된 것으로서, 반도체기판에 대한 베이크 공정 중 베이크 공정챔버의 외부를 감싸도록 형성되는 배기유로를 가지는 베이크 수용챔버에 베이크 공정챔버를 수용하여 상기 배기유로를 통하여 배기가스가 배출되도록 하여 배기효율을 향상시킬 수 있는 베이크 챔버를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, the baking process chamber is accommodated in the baking receiving chamber having an exhaust passage formed to surround the outside of the baking process chamber during the baking process for the semiconductor substrate through the exhaust passage It is an object of the present invention to provide a bake chamber capable of improving exhaust efficiency by allowing exhaust gas to be discharged.

또한, 본 발명은 배기가스가 베이크 공정챔버의 외부를 감싸는 배기유로를 통해 배출되도록 하여 베이크 공정챔버 내부의 온도를 균일하게 유지되도록 하여 베이크 공정효율을 향상시킬 수 있는 베이크 챔버를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a baking chamber that can be exhausted through the exhaust flow path surrounding the outside of the baking process chamber to maintain a uniform temperature inside the baking process chamber to improve the baking process efficiency do.

또한, 본 발명은 베이크 공정챔버의 외부를 감싸면서 배출되는 배기가스를 통해 베이크 공정챔버 내부의 온도를 균일하게 하여 베이크 공정챔버의 두께를 얇게 하여 제조비용을 절감시킬 수 있는 베이크 챔버를 제공하는 것이다.In addition, the present invention is to provide a baking chamber that can reduce the manufacturing cost by reducing the thickness of the baking process chamber by making the temperature inside the baking process chamber uniformly through the exhaust gas exhausted while wrapping the outside of the baking process chamber. .

한편, 본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Meanwhile, the object of the present invention is not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 베이크 챔버는, 기판이 수용되는 플레이트가 구비되며 베이크 공정이 수행되는 공간을 형성하는 베이크공정챔버와; 상기 베이크공정챔버를 수용하며 상기 베이크공정챔버로 부터 배기되는 배기가스가 상기 베이크공정챔버를 감싸면서 배기되도록 하는 배기유로를 형성하는 베이크수용챔버를 포함한다.In order to achieve the above object, a baking chamber according to a preferred embodiment of the present invention includes a baking process chamber having a plate in which a substrate is accommodated and forming a space in which baking process is performed; And a bake accommodating chamber accommodating the bake process chamber and forming an exhaust passage through which the exhaust gas exhausted from the bake process chamber surrounds the bake process chamber.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 베이크공정챔버는, 공정용기의 상부를 개폐시키는 리드의 배기가스배출구를 통하여 챔버 내부의 배기가스를 상기 리드의 외부로 배출시킨다.According to a preferred embodiment of the present invention, the baking process chamber discharges the exhaust gas inside the chamber to the outside of the lid through the exhaust gas outlet of the lid for opening and closing the upper portion of the process vessel.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 베이크수용챔버는, 상기 베이크공정챔버가 수용되는 공간을 가지는 수용용기와; 상기 수용용기의 상측에 상기 수용용기를 개폐시키는 뚜껑을 가지며, 상기 수용용기와 뚜껑은 각각 상기 베이크공정챔버의 공정용기와 리드에 일정 간격을 유지하도록 하여 상기 배기유로를 형성한다.According to a preferred embodiment of the present invention, the bake accommodating chamber includes: an accommodation container having a space in which the bake process chamber is accommodated; A lid for opening and closing the accommodation container on the upper side of the accommodation container, wherein the accommodation container and the lid to maintain a predetermined distance between the process vessel and the lid of the baking process chamber, respectively, to form the exhaust flow path.

본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 배기유로의 일단은 상기 베이크수용챔버의 수용용기 외부로 관통된 배기유로구까지 연장된다.According to a preferred embodiment of the present invention, one end of the exhaust passage extends to an exhaust passage opening penetrated outside the receiving container of the bake receiving chamber.

본 발명에 의하면, 상기 베이크공정챔버로부터 배기되는 배기가스가 상기 베이크공정챔버를 감싸면서 배기유로를 통하여 외부로 배출됨으로써, 상기 베이크공정챔버의 내부 온도를 균일한 상태를 가지도록 할 수 있고 흄의 부착에 의한 배기효율이 저하되는 것을 방지할 수 있어 생산성과 공정효율을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, the exhaust gas exhausted from the bake process chamber is discharged to the outside through the exhaust passage while surrounding the bake process chamber, so that the internal temperature of the bake process chamber can be uniform. It is possible to prevent the exhaust efficiency from being lowered due to the adhesion, thereby improving productivity and process efficiency.

또한, 종래와 같이, 엘보우관이나 주름배관 등이 사용되지 않음으로써, 상기 주름배관이 찢어지거나 하여 발생되는 배기압 저하가 발생되지 않아 배기효율을 향상시킬 수 있다.In addition, since the elbow pipe or the corrugated pipe is not used as in the related art, the exhaust gas pressure drop caused by the corrugated pipe is not torn, so that the exhaust efficiency can be improved.

또한, 배기가스가 상기 베이크공정챔버 내부의 온도를 균일한 상태를 가지도록 상기 베이크공정챔버를 감싸면서 배기됨으로써, 상기 베이크공정챔버의 공정용기와 리드의 두께를 얇게 제조 가능하게 하여 제조비용을 향상시킬 수 있다.In addition, the exhaust gas is exhausted while covering the bake process chamber to have a uniform temperature inside the bake process chamber, thereby making it possible to manufacture the process container and the lead of the bake process chamber thinly, thereby improving the manufacturing cost. You can.

한편, 본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.On the other hand, the effects of the present invention are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, only the embodiments are to make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention belongs It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 베이크 챔버를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a baking chamber according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 베이크 챔버는, 기판(1)이 수용되는 플레이트(110)가 구비되며 베이크 공정이 수행되는 공간을 형성하는 베이크공정챔버(120), 베이크공정챔버(120)를 수용하며 베이크공정챔 버(120)로부터 배기되는 배기가스가 베이크공정챔버(120)를 감싸면서 배기되도록 하는 배기유로(130)를 형성하는 베이크수용챔버(140) 및 배기유로(130)에 연장 설치된 배기량제어수단(150)을 포함한다.As shown in FIG. 2, the bake chamber according to the preferred embodiment of the present invention includes a bake process chamber 120 having a plate 110 in which the substrate 1 is accommodated and forming a space in which the bake process is performed. A bake accommodating chamber 140 and an exhaust accommodating the bake process chamber 120 and forming an exhaust passage 130 through which the exhaust gas exhausted from the bake process chamber 120 surrounds the bake process chamber 120. It includes a displacement control means 150 extending in the flow path (130).

베이크공정챔버(120)는 공정용기(121) 내부에 기판(1)을 지지하는 플레이트(110)를 가열하기 위한 히터 등과 같은 가열수단(미도시)을 포함하며, 보다 바람직하게는 플레이트(110) 자체가 발열체로 형성되어 기판(1)을 직접 가열하도록 한다. The baking process chamber 120 includes a heating means (not shown) such as a heater for heating the plate 110 supporting the substrate 1 in the process vessel 121, and more preferably, the plate 110. It forms itself as a heating element to directly heat the substrate 1.

또한, 베이크공정챔버(120)는 공정용기(121) 상부를 개폐시키는 리드(122)의 배기가스배출구(123)를 통하여 챔버 내부에서 베이크 공정 중 발생되는 흄을 포함하는 배기가스를 배기가스배출구(123)를 통하여 리드(122)의 외부로 배출되도록 한다.In addition, the bake process chamber 120 includes an exhaust gas including fumes generated during the bake process in the chamber through the exhaust gas outlet 123 of the lid 122 that opens and closes the upper part of the process container 121. Through the 123 to be discharged to the outside of the lid 122.

베이크수용챔버(140)는 베이크공정챔버(120)가 수용되는 공간을 가지는 수용용기(141)와 수용용기(141)의 상측에 수용용기(141)를 개폐시키는 뚜껑(142)을 포함한다. 수용용기(141)와 뚜껑(142)은 각각 베이크공정챔버(120)의 공정용기(121)와 리드(122)에 일정 간격을 유지하도록 하여 배기유로(130)를 형성하며, 배기유로(130)의 일단은 베이크수용챔버(140)의 수용용기(141) 외부로 관통된 배기유로구(143)까지 연장된다. The bake accommodating chamber 140 includes an accommodating container 141 having a space in which the baking process chamber 120 is accommodated and a lid 142 for opening and closing the accommodating container 141 on an upper side of the accommodating container 141. Receiving vessel 141 and the lid 142 to form an exhaust flow path 130 to maintain a predetermined interval in the process container 121 and the lid 122 of the baking process chamber 120, respectively, exhaust flow path 130 One end of the extends to the exhaust flow path 143 penetrated outside the receiving container 141 of the baking accommodation chamber 140.

따라서 베이크수용챔버(140)에 의하면, 베이크공정챔버(120)를 감싸면서 배기유로(130)가 형성되어 베이크공정챔버(120)로부터 배기되는 배기가스가 베이크공정챔버(120)를 감싸면서 배기유로(130)를 통하여 외부로 배출됨으로써, 베이크공정 챔버(120)의 내부 온도를 균일한 상태를 가지도록 할 수 있고 종래와 같은 엘보우관이나 주름배관을 사용하지 않기 때문에 흄의 부착에 의한 배기효율이 저하되는 것을 방지할 수 있어 생산성과 공정효율을 향상시킬 수 있다. Therefore, according to the baking accommodation chamber 140, the exhaust passage 130 is formed while wrapping the baking process chamber 120, and the exhaust gas exhausted from the baking process chamber 120 surrounds the baking process chamber 120. By discharging to the outside through the 130, the internal temperature of the baking process chamber 120 can have a uniform state, and since the elbow pipe or the corrugated pipe as in the prior art is not used, the exhaust efficiency due to the attachment of the fume is increased. The degradation can be prevented and productivity and process efficiency can be improved.

또한, 엘보우관이나 주름배관 등이 사용되지 않기 때문에 상기 주름배관이 찢어지거나 하여 발생되는 배기압 저하가 발생되지 않아 배기효율을 향상시킬 수 있다.In addition, since the elbow pipe or the corrugated pipe is not used, the exhaust gas pressure drop caused by the tearing of the corrugated pipe does not occur, thereby improving the exhaust efficiency.

또한, 배기가스가 베이크공정챔버(120) 내부의 온도를 균일한 상태를 가지도록 베이크공정챔버(120)를 감싸면서 배기되기 때문에 베이크공정챔버(120)의 공정용기(121)와 리드(122)의 두께를 얇게 제조 가능하게 하여 제조비용을 향상시킬 수 있다.In addition, since the exhaust gas is exhausted while surrounding the bake process chamber 120 to have a uniform temperature inside the bake process chamber 120, the process vessel 121 and the lead 122 of the bake process chamber 120 are disposed. The manufacturing cost can be improved by making it possible to manufacture the thickness of thinner.

또한, 베이크수용챔버(140)의 내부에 베이크공정챔버(120)의 수용/탈수용이 가능하기 때문에 배기유로(130)의 청소 등을 간편히 할 수 있다. In addition, since the baking process chamber 120 may be accommodated / dehydrated inside the bake accommodating chamber 140, the cleaning of the exhaust passage 130 may be simplified.

배기량제어수단(150)은, 배기가스를 배기시키기 위한 배기부(160)와, 배기가스의 배기량을 조절하기 위한 조절가스공급부(170) 및 조절가스공급부(170)를 제어하기 위한 제어부(180)를 포함한다.The exhaust amount control means 150 includes an exhaust unit 160 for exhausting the exhaust gas, a control gas supply unit 170 for adjusting the exhaust amount of the exhaust gas, and a control unit 180 for controlling the control gas supply unit 170. It includes.

배기부(160)는 베이크수용챔버(140)의 배기유로구(143)에 연결된 배기관(161)과, 배기관(161)의 압력 또는 유량을 일정하게 유지하기 위한 배기압조절기(162)를 포함한다. 또한, 배기부(160)는 배기관(161)의 관로 상에 제공되어 배기가스 중의 이물질 등을 여과하기 위한 여과수단을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 여과수단은 트랩(163)을 포함한다. The exhaust unit 160 includes an exhaust pipe 161 connected to the exhaust flow passage 143 of the bake accommodation chamber 140, and an exhaust pressure regulator 162 for maintaining a constant pressure or flow rate of the exhaust pipe 161. . In addition, the exhaust unit 160 may be further provided on the conduit of the exhaust pipe 161 may further include a filtration means for filtering foreign matters in the exhaust gas. For example, the filtering means comprises a trap 163.

한편, 상기 배기가스는 기판(1)의 가열처리 중에 발생되는 기체들로서 액체미립자(Mist)와 응결미립자(Fume) 및 고체미립자(Dust) 등을 포함할 수 있다.The exhaust gas may include liquid fine particles (Mist), condensed fine particles (Fume), solid fine particles (Dust), and the like as gases generated during the heat treatment of the substrate 1.

배기관(161)은 상기 배기유로구(143)에 연결되며 일정한 단면적을 가질 수 있다. 특히, 배기관(161)은 상기 조절가스가 투입되는 지점의 전후로 일정한 단면적을 가질 수 있다. 또한, 배기관(161)은 배기가스의 유속이 급격하게 변할 수 있는 절곡부 등이 형성되지 않도록 비교적 직선 또는 완만한 유로를 형성하도록 배치되는 것이 좋다.The exhaust pipe 161 is connected to the exhaust flow passage 143 and may have a constant cross-sectional area. In particular, the exhaust pipe 161 may have a constant cross-sectional area before and after the point where the control gas is injected. In addition, the exhaust pipe 161 may be disposed so as to form a relatively straight or gentle flow path such that a bent portion or the like, in which the flow velocity of the exhaust gas is rapidly changed, is not formed.

배기관(161)과 배기유로구(143)에 제공되는 트랩(163)은 가스성분과 상기 가스성분 보다 밀도가 큰 흄 등이 혼합된 배기가스에서 관성을 이용하여 상기 배기가스로부터 흄을 분리시키기 위한 장치이다. 예를 들어, 상기 트랩(163)은 상기 배기가스의 유동방향을 급격하게 변경시켜 상기 배기가스의 유속을 변화시키고 밀도가 큰 흄은 침전시키고 밀도가 작은 가스성분은 배기관(161)을 통해 배출시킬 수 있다. 여기서, 상기 트랩(163)은 상기 배기가스의 구성성분에 대한 밀도차와 관성을 보다 효율적으로 이용할 수 있도록 수평 관로 상에 설치될 수 있다. 상기 트랩(163)은 이에 한정되는 것은 아니며, 배기관(161)에서 실질적으로 다양한 위치에 제공될 수 있으며, 다수의 트랩(163)으로 제공될 수 있을 것이다.The trap 163 provided to the exhaust pipe 161 and the exhaust flow passage 143 is used to separate the fume from the exhaust gas by using inertia in an exhaust gas in which a gas component and a fume having a greater density than the gas component are mixed. Device. For example, the trap 163 may change the flow direction of the exhaust gas rapidly to change the flow velocity of the exhaust gas, to precipitate a high density fume, and to discharge a small density gas component through the exhaust pipe 161. Can be. Here, the trap 163 may be installed on a horizontal pipeline so as to more efficiently use the density difference and the inertia of the components of the exhaust gas. The trap 163 is not limited thereto, and may be provided at substantially various positions in the exhaust pipe 161, and may be provided as a plurality of traps 163.

배기관(161)의 배기가스 토출부위에 제공되는 배기압조절기(162)는 상기 배기가스가 토출되는 배기량을 일정하게 유지하기 위한 것으로, 예를 들어, 질량유량계(mass flow controller)를 포함할 수 있다.The exhaust pressure regulator 162 provided at the exhaust gas discharge portion of the exhaust pipe 161 is for maintaining a constant amount of exhaust gas discharged, and may include, for example, a mass flow controller. .

조절가스공급부(170)는, 상기 배기가스의 배기량을 조절하기 위한 조절가스 가 저장되는 저장탱크(171)와 상기 배기관(161)에 연결되어 조절가스를 투입하기 위한 조절관(172) 및 상기 조절가스의 투입량을 조절하기 위한 조절밸브(173)를 포함한다.The regulating gas supply unit 170 is connected to the storage tank 171 in which the regulating gas for adjusting the exhaust amount of the exhaust gas is stored and the exhaust pipe 161 is connected to the regulating pipe 172 and the regulating gas. And a control valve 173 for adjusting the input amount of gas.

조절관(172)은 저장탱크(171)에 저장된 조절가스를 상기 배기관(161)으로 투입되도록 저장탱크(171)와 배기관(161) 사이에 제공된다.The control pipe 172 is provided between the storage tank 171 and the exhaust pipe 161 so that the control gas stored in the storage tank 171 is introduced into the exhaust pipe 161.

조절밸브(173)는 후술하는 제어부(180)의 신호를 받아 상기 조절관(172)의 개도를 조절할 수 있도록 상기 제어부(400)와 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 조절밸브(173)는 유량조절밸브 또는 질량유량계를 포함할 수 있다. 상기 조절밸브(173)는 제어부(180)에서 전송되는 신호에 따라 상기 배기관(161)으로 투입될 상기 조절가스의 유량을 조절한다.The control valve 173 is electrically connected to the control unit 400 to receive a signal from the control unit 180 to be described later to adjust the opening degree of the control pipe 172. For example, the control valve 173 may include a flow control valve or a mass flow meter. The control valve 173 adjusts the flow rate of the control gas to be introduced into the exhaust pipe 161 according to the signal transmitted from the controller 180.

또한, 조절밸브(173)는 상기 조절관(172)의 관로 상에서 배기관(161)과 조절관(172)의 연결부에 인접하여 제공될 수 있다. 이는, 상기 조절관(172)과 배기관(161)의 연결부에서 상기 배기가스가 상기 조절관(172)으로 역류하는 것을 방지하고, 또한, 상기 연결부에서 유로 형상이 변화되는 것으로 인해 발생할 수 있는 와류 등과 같은 배기가스의 유동 불안정을 방지하기 위함이다.In addition, the control valve 173 may be provided adjacent to the connection portion of the exhaust pipe 161 and the control pipe 172 on the pipeline of the control pipe 172. This prevents the exhaust gas from flowing back to the control pipe 172 at the connection portion between the control pipe 172 and the exhaust pipe 161, and also may cause vortices, etc., which may occur due to a change in the shape of the flow path at the connection portion. This is to prevent the flow instability of the same exhaust gas.

제어부(180)는 상기 조절밸브(173)와 전기적으로 연결되어 조절가스의 투입량을 조절하여 배기가스의 배기량을 조절할 수 있다. 이를 위하여, 배기관(161)에는 서로 다른 두 지점에 상기 배기가스의 유량을 측정하는 제1 및 제2 유량센서(181,182)를 포함할 수 있으며, 상기 유량센서를 통해 측정된 배기가스의 압력이 제어부(180)로 전송되어 제어부(180)는 두 압력의 차를 이용하여 상기 배기가스의 유량을 산출하게 된다.The controller 180 may be electrically connected to the control valve 173 to control the amount of control gas to adjust the amount of exhaust gas. To this end, the exhaust pipe 161 may include first and second flow rate sensors 181 and 182 for measuring the flow rate of the exhaust gas at two different points, and the pressure of the exhaust gas measured by the flow rate sensor is controlled. The control unit 180 calculates the flow rate of the exhaust gas using the difference between the two pressures.

따라서 상술한 바와 같은 본 발명에 의하면, 상기 베이크공정챔버로부터 배기되는 배기가스가 상기 베이크공정챔버를 감싸면서 배기유로를 통하여 외부로 배출됨으로써, 상기 베이크공정챔버의 내부 온도를 균일한 상태를 가지도록 할 수 있고 흄의 부착에 의한 배기효율이 저하되는 것을 방지할 수 있어 생산성과 공정효율을 향상시킬 수 있다. Therefore, according to the present invention as described above, the exhaust gas exhausted from the baking process chamber is discharged to the outside through the exhaust passage while surrounding the baking process chamber, so that the internal temperature of the baking process chamber to have a uniform state It is possible to prevent the deterioration of the exhaust efficiency due to the adhesion of the fume can improve the productivity and process efficiency.

또한, 종래와 같이, 엘보우관이나 주름배관 등이 사용되지 않기 때문에 상기 주름배관이 찢어지거나 하여 발생되는 배기압 저하가 발생되지 않아 배기효율을 향상시킬 수 있다.In addition, since the elbow pipe or the corrugated pipe is not used as in the related art, the exhaust gas pressure drop caused by the tearing of the corrugated pipe does not occur, thereby improving the exhaust efficiency.

또한, 배기가스가 상기 베이크공정챔버 내부의 온도를 균일한 상태를 가지도록 상기 베이크공정챔버를 감싸면서 배기되기 때문에 상기 베이크공정챔버의 공정용기와 리드의 두께를 얇게 제조 가능하게 하여 제조비용을 향상시킬 수 있다.In addition, since exhaust gas is exhausted while surrounding the bake process chamber to have a uniform temperature inside the bake process chamber, the thickness of the process vessel and the lead of the bake process chamber can be made thin, thereby improving manufacturing cost. You can.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains have various permutations and modifications without departing from the spirit or essential features of the present invention. It is to be understood that the present invention may be practiced in other specific forms, since modifications may be made. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

도 1은 종래의 베이크 챔버를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional baking chamber.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 베이크 챔버를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a baking chamber according to a preferred embodiment of the present invention.

<주요 도면 부호에 관한 간단한 설명><Brief description of the major reference numerals>

1 : 기판 110 : 플레이트1: substrate 110: plate

120 : 베이크공정챔버 130 : 배기유로120: baking process chamber 130: exhaust passage

140 : 베이크수용챔버 150 : 배기량제어수단140: bake accommodation chamber 150: displacement control means

Claims (5)

기판이 수용되는 플레이트가 구비되며 베이크 공정이 수행되는 공간을 형성하는 베이크공정챔버와;A baking process chamber having a plate accommodating the substrate and forming a space in which the baking process is performed; 상기 베이크공정챔버를 수용하며 상기 베이크공정챔버로부터 배기되는 배기가스가 상기 베이크공정챔버를 감싸면서 배기되도록 하는 배기유로를 형성하는 베이크수용챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 챔버.And a bake accommodating chamber accommodating the bake process chamber and forming an exhaust passage through which the exhaust gas exhausted from the bake process chamber surrounds the bake process chamber. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 베이크공정챔버는, 공정용기의 상부를 개폐시키는 리드의 배기가스배출구를 통하여 챔버 내부의 배기가스를 상기 리드의 외부로 배출시키는 것을 특징으로 하는 베이크 챔버.The baking chamber is a baking chamber, characterized in that for discharging the exhaust gas inside the chamber to the outside of the lid through the exhaust gas outlet of the lid for opening and closing the upper portion of the process vessel. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 베이크수용챔버는, The bake receiving chamber, 상기 베이크공정챔버가 수용되는 공간을 가지는 수용용기와;An accommodation container having a space in which the baking process chamber is accommodated; 상기 수용용기의 상측에 상기 수용용기를 개폐시키는 뚜껑을 가지며,Has a lid to open and close the accommodation container on the upper side of the container, 상기 수용용기와 뚜껑은 각각 상기 베이크공정챔버의 공정용기와 리드에 일정 간격을 유지하도록 하여 상기 배기유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 베이크 챔버.The receiving chamber and the lid is a baking chamber, characterized in that to form the exhaust flow path to maintain a predetermined interval between the process container and the lid of the baking process chamber, respectively. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 배기유로의 일단은 상기 베이크수용챔버의 수용용기 외부로 관통된 배기유로구까지 연장되는 것을 특징으로 하는 베이크 챔버.One end of the exhaust passage extends to an exhaust passage opening which penetrates outside the receiving container of the bake receiving chamber. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 배기유로구에 연결된 배기관에 배기가스의 배기량을 조절하는 조절가스를 투입시키는 조절관,A control tube for introducing a control gas for controlling the exhaust amount of the exhaust gas into an exhaust pipe connected to the exhaust flow passage; 상기 조절관에 설치되어 상기 조절가스의 유량을 조절하는 조절밸브,A control valve installed in the control pipe to control the flow rate of the control gas; 상기 배기가스의 배기량을 측정하는 측정수단, 및Measuring means for measuring an exhaust amount of the exhaust gas, and 상기 측정수단으로부터 신호를 받아 상기 조절밸브를 제어하는 배기량제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 베이크 챔버.And a displacement control means for receiving the signal from the measurement means to control the regulating valve.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140084997A (en) * 2012-12-27 2014-07-07 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for removing solvent and photolithography apparatus having the same
KR20140084728A (en) * 2012-12-27 2014-07-07 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus
KR101524714B1 (en) * 2013-11-29 2015-06-02 주식회사 나래나노텍 Fume Processing Device and Method for Heat Treatment Chamber, and Heat Treatment Chamber and Apparatus of Substrate Having the Same

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