KR20100058047A - Organic light emitting device, display including the same and manufacturing method of the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기 발광 소자, 이를 포함하는 표시 장치 및 유기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device, a display device including the same, and a method of manufacturing the organic light emitting device.
유기 발광 소자는 두 개의 전극 사이에 유기 발광층을 형성하고, 2 개의 전극으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 유기 발광층 내로 주입시켜 전자와 정공의 결합에 따른 여기자(exciton)를 생성하고, 이 여기자가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 광이 발생하는 원리를 이용한 소자이다.The organic light emitting device forms an organic light emitting layer between two electrodes, and injects electrons and holes from the two electrodes into the organic light emitting layer, respectively, to generate excitons according to the combination of electrons and holes, This device uses the principle that light is generated when the excitons fall from the excited state to the ground state.
한편 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치는 자체 발광형으로 별도의 광원이 필요 없으므로 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 대비비(contrast ratio)도 우수하다.On the other hand, the organic light emitting diode display including the organic light emitting diode is a self-emission type, and thus, an additional light source is not only advantageous in terms of power consumption, but also excellent in response speed, viewing angle, and contrast ratio.
유기 발광 소자는 유기 발광층(emitting layer)외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. 부대층에 사용되는 화합물에 따라 유기 발광 표시 장치의 구동 전압, 발광 효율, 수 명 등이 달라지기 때문에, 이러한 화합물에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.The organic light emitting device may have a structure in addition to the organic light emitting layer (auxiliary layer) for improving the light emitting efficiency of the light emitting layer. Since the driving voltage, the light emission efficiency, the lifespan, and the like of the organic light emitting diode display vary depending on the compound used in the auxiliary layer, research on such a compound is being actively conducted.
본 발명은 유기 발광 소자의 구동 전압, 발광 효율 및 수명을 향상하는 것을 목적으로 한다.An object of this invention is to improve the drive voltage, luminous efficiency, and lifetime of an organic light emitting element.
본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.The above and other objects of the present invention can be achieved by the present invention described below.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 소자는 기판 위에 형성되어 있는 애노드(anode), 상기 애노드 위에 형성되어 있는 정공 수송층, 상기 정공 수송층 위에 형성되어 있는 발광층, 상기 발광층 위에 형성되어 있으며, 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 전자 수송층, 그리고 상기 전자 수송층 위에 형성되어 있는 캐소드(cathode)를 포함한다.An organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention is an anode formed on a substrate, a hole transport layer formed on the anode, a light emitting layer formed on the hole transport layer, formed on the light emitting layer, Or an electron transport layer containing a compound represented by the formula (2), and a cathode (cathode) formed on the electron transport layer.
[화학식 1][Formula 1]
[화학식 2][Formula 2]
(R1 내지 R10은 서로 동일 또는 상이하며, 각각 수소, 할로겐, 시아노기, 히드록실기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기이고, L 은 아릴기 또는 헤테로사이클로알킬기를 포함하는 화합물이고, n과 m은 각각 0 또는 1의 정수임)(R1 to R10 are the same or different from each other, and each hydrogen, halogen, cyano group, hydroxyl group, substituted or unsubstituted C1-C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C3-C20 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C5-C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1-C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group, substituted or unsubstituted C6-C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C2-C30 is a heteroaryl group, L is a compound containing an aryl group or heterocycloalkyl group, n and m are each an integer of 0 or 1)
상기 애노드와 상기 정공 수송층 사이에 형성되어 있는 정공 주입층을 더 포함할 수 있다.The method may further include a hole injection layer formed between the anode and the hole transport layer.
상기 전자 수송층과 상기 캐소드 사이에 형성되어 있는 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.The method may further include an electron injection layer formed between the electron transport layer and the cathode.
상기 발광층과 상기 전자 주입층 사이에 형성되어 있는 정공 저지층을 더 포함할 수 있다.The method may further include a hole blocking layer formed between the emission layer and the electron injection layer.
상기 전자 주입층 및 상기 정공 저지층은 상기 화학식 1 또는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.The electron injection layer and the hole blocking layer may include a compound represented by Formula 1 or Formula 2.
상기 전자 주입층, 상기 전자 수송층 및 상기 정공 저지층은 유기 금속 착제, 유기 이온 염, 금속 이온, 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.The electron injection layer, the electron transport layer and the hole blocking layer may include an organic metal complex, an organic ion salt, a metal ion, or a mixture thereof.
상기 화학식 1 또는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물에서 L은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물 군으로부터 적어도 하나가 선택될 수 있다.In the compound represented by Chemical Formula 1 or Chemical Formula 2, L may be selected from at least one compound group represented by Chemical Formula 3.
[화학식3][Formula 3]
(R'는 서로 동일 또는 상이하며, 각각 수소, 할로겐, 시아노기, 히드록실 기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기임)(R 'is the same or different from each other, and each hydrogen, halogen, cyano group, hydroxyl group, substituted or unsubstituted C1-C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C3-C20 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted) C5-C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1-C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group, substituted or unsubstituted C6-C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C2 -Heteroaryl group of C30)
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 서로 교차하는 제1 신호선 및 제2 신호선, 상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 스위칭 박막 트랜지스터, 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 구동 박막 트랜지스터, 상기 제1 신호선, 제2 신호선, 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터를 덮고 있는 유기막, 상기 유기막 위에 형성되어 있으며 상기 구동 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극, 상기 유기막 위에 형성되어 있으며 상기 화소 전극을 둘러싸는 화소 정의층, 상기 화소 전극 위에 형성되어 있고, 상기 화학식 1 또는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 전자 수송층을 포함하는 발광 부재, 그리고 상기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통 전극을 포함한다.An organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a switching thin film transistor connected to a first signal line and a second signal line crossing each other, the first signal line and the second signal line, and a driving connected to the switching thin film transistor. An organic film covering the thin film transistor, the first signal line, the second signal line, the switching thin film transistor, and the driving thin film transistor, a pixel electrode formed on the organic film and connected to the driving thin film transistor, and formed on the organic film. A light emitting member including a pixel defining layer surrounding the pixel electrode, an electron transport layer formed on the pixel electrode and including the compound represented by Formula 1 or Formula 2, and a common electrode formed on the light emitting member It includes.
상기 발광 부재는 전자 주입층을 포함할 수 있다.The light emitting member may include an electron injection layer.
상기 발광 부재는 정공 저지층을 포함할 수 있다.The light emitting member may include a hole blocking layer.
상기 전자 주입층 및 상기 정공 저지층은 상기 화학식 1 또는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.The electron injection layer and the hole blocking layer may include a compound represented by Formula 1 or Formula 2.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 소자는 기판 위에 위치하는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하며, 상기 화학식 1 또는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기층, 그리고 상기 유기층 위에 위치하는 제2 전극을 포함한 다.An organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first electrode positioned on a substrate, an organic layer disposed on the first electrode, and including an compound represented by Formula 1 or Formula 2, and positioned on the organic layer. And a second electrode.
상기 유기층은 전자 수송층, 발광층, 전자 주입층 및 정공 저지층 중 적어도 어느 한 층을 포함할 수 있다.The organic layer may include at least one of an electron transport layer, a light emitting layer, an electron injection layer, and a hole blocking layer.
상기 유기층은 유기 금속 착제, 유기 이온 염, 금속 이온, 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.The organic layer may include an organometallic complex, an organic ion salt, a metal ion, or a mixture thereof.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법은 상기 제1 전극 위에 상기 화학식 1 또는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기층을 형성하는 단계, 그리고 상기 유기층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.Method of manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention comprises the steps of forming an organic layer comprising a compound represented by the formula (1) or (2) on the first electrode, and forming a second electrode on the organic layer Steps.
본 발명의 한 실시예에 따르면 유기 발광 소자의 전자 수송 능력 또는 전자 주입 능력을 향상시킴으로써 구동 전압이 감소되며 발광 효율이 향상되고, 유기 발광층의 결정화를 억제함으로써 수명이 향상된다.According to one embodiment of the present invention, the driving voltage is reduced, the light emission efficiency is improved, and the lifespan is improved by suppressing crystallization of the organic light emitting layer by improving the electron transport ability or the electron injection ability of the organic light emitting device.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대해 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호가 사용되었다. 또한 널리 알려져 있는 공지기술의 경우 그 구체적인 설명은 생략한다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same reference numerals are used for the same or similar components throughout the specification. In the case of publicly known technologies, a detailed description thereof will be omitted.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 한편, 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 한편, 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the other hand, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle. Conversely, when a part of a layer, film, region, plate, etc. is "below" another part, this includes not only the other part "below" but also another part in the middle. On the other hand, when a part is "just below" another part, it means that there is no other part in the middle.
그러면, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 소자에 대하여 도 1을 참고하여 상세하게 설명한다.Next, an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 1.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략도이다.1 is a schematic view of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
기판(110) 위에 애노드(anode)(11)가 형성되어 있다. 애노드(11)는 정공의 주입이 가능하도록 높은 일 함수(work function)를 갖는 물질로 이루어지며, 구체적인 예로는 인듐주석 산화물(ITO), 인듐 산화물의 투명산화물 등이 사용될 수 있다.An
애노드(11) 위에는 유기 발광 부재(370)가 형성되어 있다. 유기 발광 부재(370)는 정공 수송층(hole transport layer, HTL)(374), 발광층(emission layer, EL)(375) 및 전자 수송층(electron transport layer, ETL)(376)을 포함한다. The organic
정공 수송층(374)과 전자 수송층(376)은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 유기막이며, 발광층(375)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 고분자 물질 또는 저분자 물질 또는 이들의 혼합물로 구성되어 있다. 정공 수송층(374)은 p형 반도체를 포함할 수 있다. The
전자 수송층(376)은 하기 화학식 1 또는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함한다.The
[화학식 1][Formula 1]
[화학식 2][Formula 2]
상기 화학식 1 내지 화학식 2에서 R1 내지 R10은 서로 동일 또는 상이하며, 각각 수소, 할로겐, 시아노기, 히드록실기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된C3-C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2- C30의 헤테로아릴기이고, L 은 아릴기 또는 헤테로사이클로알킬기를 포함하는 화합물이고, n과 m은 각각 0 또는 1의 정수이다.In Formula 1 to Formula 2, R1 to R10 are the same as or different from each other, and each hydrogen, halogen, cyano group, hydroxyl group, substituted or unsubstituted C1-C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C3-C20 cyclo Alkyl group, substituted or unsubstituted C5-C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1-C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group, substituted or unsubstituted C6-C30 arylalkyl group , A substituted or unsubstituted C2-C30 heteroaryl group, L is a compound containing an aryl group or heterocycloalkyl group, n and m are each an integer of 0 or 1.
상기 L의 구체적인 예로는 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물들이 있다.Specific examples of the L are compounds represented by the following formula (3).
[화학식 3](3)
R'는 서로 동일 또는 상이하며, 각각 수소, 할로겐, 시아노기, 히드록실기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C20의 사이클로알킬 기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기이다. R 'is the same or different from each other, and each hydrogen, halogen, cyano group, hydroxyl group, substituted or unsubstituted C1-C20 alkyl group, substituted or unsubstituted C3-C20 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C5-C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1-C20 alkoxy group, substituted or unsubstituted C6-C30 aryl group, substituted or unsubstituted C6-C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C2 -C30 heteroaryl group.
전자 수송층(376)은 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물 외에도 유기 금속 착화합물, 유기 이온 화합물, 금속 이온 화합물, n형 반도체 또는 이들의 혼합물을 더 포함할 수 있다. The
또한 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물은 전자 수송층(376) 외에도 발광층(375)에도 포함될 수 있다.In addition, the compound represented by Formula 1 or Formula 2 may be included in the
정공 수송층(374), 발광층(375) 및 전자 수송층(376) 등의 유기막은 제조 방법에 따라 진공 증착 방법이나 용액 도포 방법에 의하여 형성될 수 있다. 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스핀 코팅과 같은 용액 도포 방법의 경우에는 제조가 용이하고 제조 비용이 저렴하며 쉐도우 마스크를 사용하는 경우보다 상대적으로 우수한 해상도를 얻을 수 있다. 여러 가지 화합물을 포함하도록 유기막을 제조하기 위해서, 공동 증착(co-deposition) 등의 방법을 이용할 수 있다.Organic films such as the
전자 수송층(376) 위에는 캐소드(cathode)(12)가 형성되어 있다. 캐소드(12)는 전자 수송층(376)으로 전자주입이 용이하도록 일 함수가 작은 물질로 이루어진다. 예를 들어, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 금, 은, 백금, 니켈, 구리, 텅스텐, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 및 이들의 합금, LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al, 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질 등을 사용할 수 있다.A
다음, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자에 대하여 도 2를 참고하여 상세하게 설명한다.Next, an organic light emitting diode according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략도이다. 애노드(11)와 정공 수송층(374) 사이에 정공 주입층(hole injecting layer)(373)이 형성되어 있고, 캐소드(12)와 전자 수송층(376) 사이에 전자 주입층(electron injecting layer)(377)이 형성되어 있고, 발광층(375)과 전자 수송층(376) 사이에 정공 저지층(hole blocking layer)(378)이 형성되어 있는 것을 제외하고는 전술한 도 1의 유기 발광 소자와 동일하다. 정공 주입층(373)과 전자 주입층(377)은 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 것이다. 아울러, 화학식 2로 표시되는 화합물은 전자 수송 능력과 전자 주입 능력을 모두 가지고 있기 때문에, 도 2의 유기 발광 소자에서 전자 수송층(376)과 전자 주입층(377)을 한 개의 층으로 형성할 수 있고, 이 경우 공정 비용이 절감되는 효과가 있다.2 is a schematic view of an organic light emitting device according to another embodiment of the present invention. A
이때, 전자 주입층(377)이나 정공 저지층(378)은 상기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. 또한 정공 저지층(378)은 생략될 수 있다.In this case, the electron injection layer 377 or the
다음, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 3을 참고하여 상세하게 설명한다.Next, an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이 다.3 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(PX)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment includes a plurality of
신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(171) 및 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)과 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.The signal line includes a plurality of
각 화소(PX)는 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)(Qs), 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)(LD)를 포함한다.Each pixel PX includes a switching thin film transistor (Qs), a driving thin film transistor (Qd), a storage capacitor (Cst), and an organic light emitting diode. , OLED) (LD).
스위칭 박막 트랜지스터(Qs)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 박막 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막 트랜지스터(Qd)에 전달한다.The switching thin film transistor Qs has a control terminal, an input terminal, and an output terminal. The control terminal is connected to the
구동 박막 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구 동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 다이오드(LD)에 연결되어 있다. 구동 박막 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.The driving thin film transistor Qd also has a control terminal, an input terminal, and an output terminal. The control terminal is connected to the switching thin film transistor Qs, the input terminal is connected to the driving
축전기(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.The capacitor Cst is connected between the control terminal and the input terminal of the driving thin film transistor Qd. The capacitor Cst charges a data signal applied to the control terminal of the driving thin film transistor Qd and maintains it even after the switching thin film transistor Qs is turned off.
유기 발광 다이오드(LD)는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 소자를 포함하며, 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 다이오드(LD)는 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.The organic light emitting diode LD includes an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment, and includes an anode connected to an output terminal of the driving thin film transistor Qd and a cathode connected to a common voltage Vss. has a cathode The organic light emitting diode LD displays an image by emitting light having a different intensity depending on the output current ILD of the driving thin film transistor Qd.
스위칭 박막 트랜지스터(Qs) 및 구동 박막 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이다. 그러나 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)와 구동 박막 트랜지스터(Qd) 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 박막 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 다이오드(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.The switching thin film transistor Qs and the driving thin film transistor Qd are n-channel field effect transistors (FETs). However, at least one of the switching thin film transistor Qs and the driving thin film transistor Qd may be a p-channel field effect transistor. In addition, the connection relationship between the thin film transistors Qs and Qd, the capacitor Cst, and the organic light emitting diode LD may be changed.
그러면 도 3에 도시한 유기 발광 표시 장치의 상세 구조에 대하여 도 4 및 도 5를 도 3과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.Next, the detailed structure of the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 3 will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5 along with FIG. 3.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 5는 도 4의 유기 발광 표시 장치를 III-III 선을 따라 자른 단면도이다.4 is a layout view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 4 taken along line III-III.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110)을 준비한다. 이 때 절연 기판(110)은 전열처리(pre-compaction) 되어 있을 수 있다. 전열처리는 약 500 내지 800℃에서 기판을 미리 열처리함으로써 기판이 열에 의해 미리 팽창 및 수축되도록 하는 것이다. An insulating
절연 기판(110) 위에 스위칭 제어 전극(switching control electrode)(124a)을 포함하는 게이트선(121) 및 구동 제어 전극(driving control electrode)(124b)이 형성되어 있다.A
게이트선(121)은 기판의 한 방향을 따라 길게 뻗어 있으며 위로 확장되어 있는 스위칭 제어 전극(124a)과 외부 구동 회로와 연결하기 위한 끝 부분(129)을 포함한다.The
구동 제어 전극(124b)은 게이트선(121)과 분리되어 있으며, 위쪽으로 길게 뻗은 유지 전극(127)을 포함한다.The driving
게이트선(121) 및 구동 제어 전극(124b)은 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴 합금을 포함하는 몰리브덴 함유 금속, 크롬(Cr) 또는 크롬 합금을 포함하는 크롬 함유 금속, 티타늄(Ti) 또는 티타늄 합금을 포함하는 티타늄 함유 금속, 탄탈륨(Ta) 또는 탄탈륨 합금을 포함하는 탄탈륨 함유 금속 및 텅스텐(W) 또는 텅스텐 합금을 포함하는 텅스텐 함유 금속 따위의 내화성 금속(refractory metal) 또는 알루미늄(Al), 구리(Cu) 또는 은(Ag) 따위의 저저항성 금속으로 만들어질 수 있다.The
게이트선(121)과 구동 제어 전극(124b) 위에는 구동 게이트 절연막(140p)이 형성되어 있다. 구동 게이트 절연막(140p)은 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiO2)로 만들어질 수 있으며 약 500 내지 2000Å의 두께를 가진다. The driving
구동 게이트 절연막(140p) 위에는 구동 제어 전극(124b)과 중첩하는 위치에 구동 반도체(154b)가 형성되어 있다. 구동 반도체(154b)는 섬형이며 미세 결정질 규소(microcrystalline silicon) 또는 다결정 규소(polycrystalline silicon) 따위의 결정질 규소로 만들어진다. The driving
구동 반도체(154b)는 도핑 영역(155b)과 비도핑 영역(156b)을 포함한다. 도핑 영역(155b)은 비도핑 영역(156b)을 중심에 두고 양쪽에 위치하며 결정질 규소에 보론(boron, B) 따위의 p형 불순물 또는 인(phosphorous, P) 따위의 n형 불순물이 도핑되어 있다. 비도핑 영역(156b)은 불순물이 도핑되지 않은 진성 반도체로 만들어지며 구동 박막 트랜지스터의 채널(channel)이 형성된다.The driving
구동 반도체(154b) 및 구동 게이트 절연막(140p) 위에는 구동 입력 전극(173b)을 포함하는 구동 전압선(172)과 구동 출력 전극(175b)이 형성되어 있다.The driving
구동 전압선(172)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차하며 구동 전압을 전달한다. 구동 전압선(172)은 구동 반도체(154b) 위로 뻗어 있는 구동 입력 전극(173b)을 포함하며, 구동 전압선(172)의 일부는 구동 제어 전극(124b)의 유지 전극(127)과 중첩하여 유지 축전기(storage capacitor, Cst)를 형성한다.The driving
구동 출력 전극(175b)은 구동 전압선(172)과 분리되어 있으며 섬형이다.The driving
구동 입력 전극(173b)과 구동 출력 전극(175b)은 각각 구동 반도체(154b)의 도핑 영역(155b) 위에 위치하며, 구동 반도체(154b)의 비도핑 영역(156b)을 중심으 로 서로 마주한다. 이 때 구동 입력 전극(173b)과 비도핑 영역(156b), 구동 출력 전극(175b)과 비도핑 영역(156b)은 각각 소정 간격 떨어져 있다. 이러한 구동 입력 전극(173b)과 비도핑 영역(156b) 사이 또는 구동 출력 전극(175b)과 비도핑 영역(156b) 사이는 오프셋(offset)이다.The driving
구동 전압선(172)과 구동 출력 전극(175b)은 전술한 내화성 금속 또는 알루미늄(Al), 구리(Cu) 또는 은(Ag) 따위의 저저항성 금속으로 만들어질 수 있으며, 단일막 외에 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo) 따위의 다중막으로 형성될 수 있다. 다중막인 경우 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)은 각각 약 300Å, 약 2500Å 및 약 1000Å의 두께를 가질 수 있다.The driving
구동 전압선(172) 및 구동 출력 전극(175b) 위에는 스위칭 게이트 절연막(140q)이 형성되어 있다. 스위칭 게이트 절연막(140q)은 질화규소(SiNx)로 만들어질 수 있으며 약 3000 내지 4500Å의 두께를 가진다.The switching gate insulating layer 140q is formed on the driving
스위칭 게이트 절연막(140q) 위에는 스위칭 제어 전극(124a)과 중첩하는 위치에 스위칭 반도체(154a)가 형성되어 있다. 스위칭 반도체(154a)는 비정질 규소로 만들어질 수 있으며 약 1500 내지 2500Å의 두께를 가진다.The switching
스위칭 반도체(154a) 위에는 한 쌍의 저항성 접촉 부재(163a, 165a)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163a, 165a)는 비정질 규소에 n형 또는 p형 불순물이 도핑되어 있을 수 있으며 약 500Å의 두께를 가진다.A pair of
저항성 접촉 부재(163a, 165a) 및 스위칭 게이트 절연막(140q) 위에는 스위칭 입력 전극(173a)을 포함하는 데이터선(171)과 스위칭 출력 전극(175a)이 형성되 어 있다.The
데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차하며 데이터 신호를 전달한다. 데이터선(171)의 일부분은 스위칭 반도체(154a)와 중첩하는 스위칭 입력 전극(173a)을 이룬다.The
스위칭 출력 전극(175a)은 스위칭 반도체(154a) 위에서 스위칭 입력 전극(173a)과 마주한다.The switching
데이터선(171)과 스위칭 출력 전극(175a)은 전술한 내화성 금속 또는 알루미늄(Al), 구리(Cu) 또는 은(Ag) 따위의 저저항성 금속으로 만들어질 수 있으며, 단일막 외에 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo) 따위의 다중막으로 형성될 수 있다. 다중막인 경우 몰리브덴(Mo)/알루미늄(Al)/몰리브덴(Mo)은 각각 약 300Å, 2500Å 및 1000Å의 두께를 가질 수 있다.The
데이터선(171) 및 스위칭 출력 전극(175a) 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 평탄화 특성이 우수한 폴리아크릴 따위의 유기 물질로 만들어지며, 그 두께는 약 2000Å 내지 2㎛일 수 있다.A
보호막(180) 에는 스위칭 출력 전극(175a) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)을 각각 드러내는 접촉 구멍(183a, 182)이 형성되어 있고, 보호막(180) 및 스위칭 게이트 절연막(140q)에는 구동 출력 전극(175b)을 드러내는 접촉 구멍(185b)이 형성되어 있으며, 보호막(180), 스위칭 게이트 절연막(140q) 및 구동 게이트 절연막(140p)에는 각각 구동 제어 전극(124b) 및 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 각각 드러내는 접촉 구멍(183b, 181)이 형성되어 있다.In the
보호막(180) 위에는 화소 전극(191), 연결 부재(85) 및 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있다.The
화소 전극(191)은 접촉 구멍(185b)을 통하여 구동 출력 전극(175b)과 전기적으로 연결되어 있으며, ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전체로 만들어질 수 있다.The
연결 부재(85)는 접촉 구멍(183a, 183b)을 통하여 스위칭 출력 전극(175a)과 구동 제어 전극(124b)을 전기적으로 연결한다.The connecting
접촉 보조 부재(81, 82)는 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 또는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결되어 있다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121)의 끝 부분(129) 또는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact
보호막(180)과 연결 부재(85) 위에는 화소 정의층(361)이 형성되어 있다. 화소 정의층(361)은 화소 전극(191)의 둘레를 둑(bank)처럼 둘러싸고 있다. 화소 정의층(361)은 유기 절연 물질로 형성될 수 있다.The
화소 전극(191) 위에는 발광 부재(370)가 형성되어 있다. 발광 부재(370)는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 소자에서 설명한 정공 주입층(373), 정공 수송층(374), 발광층(375), 정공 저지층(378), 전자 수송층(376) 및 전자 주입층(377)을 적절하게 포함할 수 있다.The
발광 부재(370) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 기판의 전면(全面)에 형성되어 있으며, 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W) 또는 이들의 합금 따위의 불투명 도전체로 만들어질 수 있다.The
공통 전극(270)은 화소 전극(191)과 쌍을 이루어 발광 부재(370)에 전류를 흘려 보낸다. 화소 전극(191), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 발광 다이오드(LD)를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드(anode), 공통 전극(270)이 캐소드(cathode)가 되거나 반대로 화소 전극(191)이 캐소드, 공통 전극(270)이 애노드가 된다. The
한편, 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터의 층간 구조나 배치 구조는 위에서 예시한 것 이외에 여러 다양한 형태로 변형될 수 있다.Meanwhile, the interlayer structure or the arrangement structure of the switching thin film transistor and the driving thin film transistor may be modified in various forms in addition to those exemplified above.
다음 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자에 대하여 상세하게 설명한다.Next, an organic light emitting diode according to another exemplary embodiment of the present invention will be described in detail.
애노드(11)와 캐소드(12) 사이에 상기 화학식 1 또는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기층이 형성될 수 있다. 이때 유기층은 전자 수송층(375), 발광층(375), 전자 주입층(377) 및 정공 저지층(378) 중 적어도 어느 한 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송층(375)만을 포함할 수도 있으며, 전자 수송층(375), 발광층(375) 및 전자 주입층(377)을 포함할 수도 있다. 또한 유기층은 유기 금속 착제, 유기 이온 염, 금속 이온, 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.An organic layer including the compound represented by Formula 1 or Formula 2 may be formed between the
다음 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.Next, a method of manufacturing an organic light emitting diode according to still another embodiment of the present invention will be described in detail.
기판 위에 애노드(11) 또는 캐소드(12)를 형성한다. 다음, 상기 화학식 1 또는 상기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 유기층을 형성한다. 다음, 유기층 위에 애노드(11) 또는 캐소드(12) 중 유기층 아래 있는 전극과 반대되는 전극을 형성한다. 전자 수송층, 발광층, 전자 주입층, 정공 저지층 등을 포함하는 유기층 및 전극의 형성 방법은 증착, 공동 증착, 잉크젯 프린팅, 스핀 코팅, 사진 식각 등 통상의 방법이 사용될 수 있다. An
이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the following Examples are only preferred examples of the present invention, and the present invention is not limited to the following Examples.
실시예 1Example 1
애노드는 15 Ω/cm2 (1000Å) ITO 유리 기판을 50 mm x 50 mm x 0.7 mm크기로 잘라서 아세톤 이소프로필 알콜과 순수물 속에서 각 15 분 동안 초음파 세정한 후, 30 분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다. ITO 유리 기판 상부에 화합물 4,4',4"-트리스(N,N-디페닐아미노)트리페닐아민(mTDATA)를 진공 증착하여 600 Å 두께의 정공 주입층을 형성한 후, 정공 주입층에 화합물N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤디딘(NPB)를 진공 증착하여 300 Å 두께의 정공 수송층을 형성하고, 정공 수송층 상부에 화합물 2-t-부틸-9,10-다이-(2-나프틸)안트라센(TBADN) 및 4, 4′-비스[2-{4-(N, N-디페닐아미노)페닐}비닐]비페닐(DPAVBi)를 중량비 100:5의 비 율로 진공 증착하여 300 Å 두께의 발광층을 형성하였다. 다음, 발광층 상부에9,10-di(thiazolo[5,4-b]pyridin-5-yl)anthracene를증착하여 250 Å의 두께의 전자 수송층을 형성하였다. 전자 수송층 상부에 LiF 6 Å (전자주입층)과 Al 1500 Å(캐소드)을 순차적으로 진공 증착하여, 유기 발광 소자를 제조하였다.The anode was cut into 50 mm x 50 mm x 0.7 mm sized 15 Ω / cm2 (1000 Å) ITO glass substrates, sonicated for 15 minutes in acetone isopropyl alcohol and pure water, followed by UV ozone cleaning for 30 minutes. It was. Compound 4,4 ', 4 "-tris (N, N-diphenylamino) triphenylamine (mTDATA) was vacuum deposited on the ITO glass substrate to form a hole injection layer having a thickness of 600 Å, followed by a hole injection layer. Compound N, N'-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-bendidine (NPB) was vacuum deposited to form a 300 층 thick hole transport layer, and compound 2-t on top of the hole transport layer -Butyl-9,10-di- (2-naphthyl) anthracene (TBADN) and 4,4'-bis [2- {4- (N, N-diphenylamino) phenyl} vinyl] biphenyl (DPAVBi) Was vacuum deposited at a weight ratio of 100: 5 to form a light emitting layer having a thickness of 300., Followed by depositing 9,10-di (thiazolo [5,4-b] pyridin-5-yl) anthracene on top of the light emitting layer. An electron transport layer having a thickness of VII was formed LiF 6 VII (electron injection layer) and Al 1500 Å (cathode) were sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to manufacture an organic light emitting device.
실시예 2Example 2
전자 수송층의 재료로 9,10-di(thiazolo[5,4-b]pyridin-5-yl)anthracene 대신 9,10-bis(4-(thiazolo[5,4-b]pyridin-5-yl)phenyl)anthracene를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하였다.9,10-bis (4- (thiazolo [5,4-b] pyridin-5-yl) instead of 9,10-di (thiazolo [5,4-b] pyridin-5-yl) anthracene as the material for the electron transport layer Except for using phenyl) anthracene was carried out in the same manner as in Example 1.
실시예 3Example 3
전자 수송층의 재료로 9,10-di(thiazolo[5,4-b]pyridin-5-yl)anthracene 대신 (2-(8-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-1,10-phenanthrolin-3-yl)cyclopenta-2,4-dienyl)lithium을 사용하였고, 전자 주입층을 증착하지 않고 전자 수송층 상부에 캐소드를 바로 진공 증착한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하였다.(2- (8- (9,10-diphenylanthracen-2-yl) -1,10-phenanthrolin instead of 9,10-di (thiazolo [5,4-b] pyridin-5-yl) anthracene as an electron transporting material -3-yl) cyclopenta-2,4-dienyl) lithium was used, and the same method as in Example 1 was carried out except that the cathode was directly vacuum deposited on the electron transport layer without depositing the electron injection layer.
실시예 4Example 4
전자 수송층의 재료로 (2-(8-(9,10-diphenylanthracen-2-yl)-1,10-phenanthrolin-3-yl)cyclopenta-2,4-dienyl)lithium 대신 (2-(8-(9,10- diphenylanthracen-2-yl)-1,10-phenanthrolin-3-yl)cyclopenta-2,4-dienyl)lithium을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 3과 동일한 방법으로 수행하였다.As a material for the electron transport layer, instead of (2- (8- (9,10-diphenylanthracen-2-yl) -1,10-phenanthrolin-3-yl) cyclopenta-2,4-dienyl) lithium (2- (8- ( 9,10-diphenylanthracen-2-yl) -1,10-phenanthrolin-3-yl) cyclopenta-2,4-dienyl) lithium was carried out in the same manner as in Example 3 except that.
비교예 1Comparative Example 1
전자 수송층의 재료로 9,10-di(thiazolo[5,4-b]pyridin-5-yl)anthracene 대신 Alq3를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하였다.It was carried out in the same manner as in Example 1, except that Alq3 was used instead of 9,10-di (thiazolo [5,4-b] pyridin-5-yl) anthracene as the material of the electron transport layer.
상기 실시예 1 내지 4와 비교예 1에서 제조된 유기 발광 소자의 구동 전압, 전류 밀도, 발광 효율 및 휘도 반감 수명을 측정하면 하기 표 1과 같다.The driving voltage, current density, luminous efficiency, and luminance half life of the organic light emitting diodes manufactured in Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 are measured as shown in Table 1 below.
[표 1]TABLE 1
(V)Driving voltage
(V)
(mA/cm2)Current density
(mA / cm2)
(cd/A)Luminous efficiency
(cd / A)
(hr)Luminance Half Life
(hr)
상기 실시예 1과 실시예 2의 결과로부터 알 수 있는 것처럼, 화학식 1로 표시되는 화합물을 전자 수송층으로 사용한 경우, Alq3를 사용한 비교예 1보다 구동 전압이 작고 전류 밀도가 크다는 것으로부터, 화학식 1로 표시 되는 화합물의 전자 수송 능력이 더 우수함을 알 수 있다. 또한 발광 효율이 더 크고, 휘도 반감 수명이 더 길다는 것도 알 수 있다.As can be seen from the results of Examples 1 and 2, when the compound represented by Formula 1 is used as the electron transporting layer, the driving voltage is smaller and the current density is larger than that of Comparative Example 1 using Alq3. It can be seen that the electron transport ability of the compound represented is better. It can also be seen that the luminous efficiency is greater and the luminance half life is longer.
상기 실시예 3과 실시예 4의 결과로부터 알 수 있는 것처럼, 화학식 2로 표 시되는 화합물을 전자 수송층으로 사용하고 전자 주입층을 별도로 형성하지 않은 경우에도 비교예 1보다 구동 전압이 작고 전류 밀도가 크다는 것을 알 수 있다. 또한 발광 효율도 크고, 휘도 반감 수명도 길다. 아울러 전자 주입층을 사용하지 않았기 때문에 공정 비용이 절감되는 효과도 있다.As can be seen from the results of Examples 3 and 4, even when the compound represented by the formula (2) is used as the electron transport layer and the electron injection layer is not formed separately, the driving voltage is lower than that of Comparative Example 1 and the current density is lower. You can see that it is large. In addition, the luminous efficiency is large, and the luminance half life is long. In addition, the process cost is reduced because the electron injection layer is not used.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략도이다.1 is a schematic view of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략도이다.2 is a schematic view of an organic light emitting device according to another embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.3 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이다.4 is a layout view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
도 5는 도 4의 유기 발광 표시 장치를 V-V 선을 따라 자른 단면도이다.5 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 4 taken along a line V-V.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
110: 기판 11: 애노드110: substrate 11: anode
12: 캐소드 370: 발광 부재12: cathode 370: light emitting member
373: 정공 주입층 374: 정공 수송층373: hole injection layer 374: hole transport layer
375: 발광층 376: 전자 수송층375: light emitting layer 376: electron transport layer
377: 전자 주입층 378: 정공 저지층377: electron injection layer 378: hole blocking layer
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- 2008-11-24 KR KR1020080116715A patent/KR101583350B1/en active IP Right Grant
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