KR101293572B1 - Organic light emitting diode display - Google Patents

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KR101293572B1
KR101293572B1 KR1020060066848A KR20060066848A KR101293572B1 KR 101293572 B1 KR101293572 B1 KR 101293572B1 KR 1020060066848 A KR1020060066848 A KR 1020060066848A KR 20060066848 A KR20060066848 A KR 20060066848A KR 101293572 B1 KR101293572 B1 KR 101293572B1
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Abstract

본 발명은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 제1 HOMO 준위와 제1 LUMO 준위를 가지는 제1 발광층, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 제2 HOMO 준위와 제2 LUMO 준위를 가지는 제2 발광층을 포함하며, 상기 제1 HOMO 준위와 상기 제2 HOMO 준위는 서로 다르고 상기 제1 LUMO 준위와 상기 제2 LUMO 준위는 서로 다르며, 상기 제1 HOMO 준위와 상기 제1 LUMO 준위 사이의 띠 간격(band gap)과 상기 제2 HOMO 준위와 상기 제2 LUMO 준위 사이의 띠 간격은 동일한 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention provides a substrate, a first electrode formed on the substrate, a second electrode facing the first electrode, positioned between the first electrode and the second electrode and having a first HOMO level and a first LUMO level. A first light emitting layer and a second light emitting layer positioned between the first electrode and the second electrode and having a second HOMO level and a second LUMO level, wherein the first HOMO level and the second HOMO level are different from each other; The first LUMO level and the second LUMO level are different from each other, and a band gap between the first HOMO level and the first LUMO level and a band gap between the second HOMO level and the second LUMO level. Relates to the same organic light emitting display device.

유기 발광 표시 장치, 발광 층, 에너지 준위, 띠 간격, 색 안정성 Organic light emitting display, light emitting layer, energy level, strip thickness, color stability

Description

유기 발광 표시 장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light-

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 수동형 유기 발광 표시 장치(passive matrix OLED display)의 평면도이고, 1 is a plan view of a passive matrix OLED display according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 II-II 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 1 taken along the line II-II. FIG.

도 3은 도 1 및 도 2에 도시한 유기 발광 표시 장치에서 각 층의 에너지 준위를 보여주는 개략도이고,3 is a schematic diagram illustrating energy levels of respective layers in the organic light emitting diode display illustrated in FIGS. 1 and 2.

도 4는 NTSC 규격 대비 소자 1, 소자 2 및 소자 3의 색 좌표 특성을 보여주는 그래프이고,4 is a graph showing the color coordinate characteristics of the device 1, device 2 and device 3 compared to the NTSC standard,

도 5 및 도 6은 전압에 따른 색 좌표의 변화를 보여주는 그래프이고,5 and 6 are graphs showing changes in color coordinates according to voltage,

도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이고,7 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 8 is a layout view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment.

도 9는 도 8의 유기 발광 표시 장치를 IX-IX 선을 따라 자른 단면도이고, FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 8 taken along line IX-IX. FIG.

도 10은 도 9의 유기 발광 표시 장치에서 'A'부분을 확대하여 표시한 확대도이다.FIG. 10 is an enlarged view illustrating an enlarged portion 'A' of the organic light emitting diode display of FIG. 9.

<도면 부호의 설명>&Lt; Description of reference numerals &

20: 애노드 30, 371: 정공 전달층20: anode 30, 371: hole transport layer

40, 372: 발광층 60: 전자 전달층40, 372: light emitting layer 60: electron transport layer

50: 정공 저지층 70: 전자 주입층50: hole blocking layer 70: electron injection layer

80: 캐소드 81, 82: 접촉 보조 부재80: cathode 81, 82: contact auxiliary member

85: 연결 부재 370: 발광 부재85: connection member 370: light emitting member

10, 110: 절연 기판 121: 게이트선10, 110: insulating substrate 121: gate line

124a: 제1 제어 전극 124b: 제2 제어 전극124a: first control electrode 124b: second control electrode

127: 유지 전극 129: 게이트선의 끝 부분127: sustain electrode 129: end of gate line

140: 게이트 절연막 151: 선형 반도체140: gate insulating film 151: linear semiconductor

154a: 반도체 돌출부 154b: 제2 반도체154a: semiconductor protrusion 154b: second semiconductor

171: 데이터선 172: 구동 전압선171: Data line 172: Driving voltage line

173a: 제1 입력 전극 173b: 제2 입력 전극173a: first input electrode 173b: second input electrode

175a: 제1 출력 전극 175b: 제2 출력 전극175a: first output electrode 175b: second output electrode

179: 데이터선의 끝 부분 191: 화소 전극179: end of data line 191: pixel electrode

181, 182, 184, 185a, 185b: 접촉 구멍 181, 182, 184, 185a, 185b: contact hole

270: 공통 전극 361: 격벽270: common electrode 361: partition wall

Qs: 스위칭 트랜지스터 Qd: 구동 트랜지스터Qs: switching transistor Qd: driving transistor

LD: 유기 발광 다이어드 Vss: 공통 전압LD: organic light emitting diode Vss: common voltage

Cst: 유지 축전기Cst: retaining capacitor

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display.

최근 모니터 또는 텔레비전 등의 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube, CRT)이 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)로 대체되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, a cathode ray tube (CRT) has been replaced by a liquid crystal display (LCD) in accordance with such a demand.

그러나, 액정 표시 장치는 수발광 소자로서 별도의 백라이트(backlight)가 필요할 뿐만 아니라, 응답 속도 및 시야각 등에서 한계가 있다.However, a liquid crystal display device requires not only a backlight but also a response speed and a viewing angle.

최근 이를 극복할 수 있는 표시 장치로서, 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display)가 주목받고 있다.Recently, as a display device capable of overcoming this, an organic light emitting diode display (OLED display) has attracted attention.

유기 발광 표시 장치는 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 두 전극 사이에 위치하는 발광층에서 결합하여 엑시톤(exciton)을 생성하고, 엑시톤이 에너지를 방출하면서 발광한다.In the organic light emitting diode display, electrons injected from one electrode and holes injected from another electrode combine in a light emitting layer positioned between the two electrodes to generate excitons, and the excitons emit energy. It emits light.

유기 발광 표시 장치는 자체 발광형으로 별도의 광원이 필요 없으므로 소비 전력이 낮다.The organic light emitting diode display is self-emission and does not require a separate light source, thereby reducing power consumption.

이러한 소비 전력을 더욱 낮추기 위해서는 유기 발광 표시 장치의 발광 효율을 높여야 한다. 발광 효율은 발광층에서 생성된 엑시톤의 개수에 비례하므로, 발광층에 도달하는 전자와 정공을 균형있게 전달해줄 필요가 있다.In order to further lower the power consumption, the light emission efficiency of the organic light emitting diode display should be increased. Since the luminous efficiency is proportional to the number of excitons generated in the light emitting layer, it is necessary to balance the electrons and holes reaching the light emitting layer.

그러나 일반적으로 정공의 이동도와 전자의 이동도가 다르다. 이 때문에 발광층 이외의 영역에서 엑시톤이 생성되고 인가된 전류의 증가에 따라 색 안정성이 저하될 수 있다.However, in general, the mobility of holes and the mobility of electrons are different. For this reason, excitons may be generated in regions other than the light emitting layer, and color stability may decrease as the applied current increases.

이를 해결하기 위하여 발광층에 도펀트를 첨가하여 발광 효율을 높이는 방안이 제안되었지만 도핑 농도에 따라 발광 효율의 변화가 크고 색 순도가 떨어질 수 있다.In order to solve this problem, a method of increasing the light emission efficiency by adding a dopant to the light emitting layer has been proposed, but the light emission efficiency may be large and color purity may be deteriorated according to the doping concentration.

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이를 해결하기 위한 것으로서 발광 효율을 높이면서도 높은 색 순도 및 색 안정성을 얻는 것이다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to solve the problem and to obtain high color purity and color stability while improving luminous efficiency.

본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 제1 HOMO 준위와 제1 LUMO 준위를 가지는 제1 발광층, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 제2 HOMO 준위와 제2 LUMO 준위를 가지는 제2 발광층을 포함하며, 상기 제1 HOMO 준위와 상기 제2 HOMO 준위는 서로 다르고, 상기 제1 LUMO 준위와 상기 제2 LUMO 준위는 서로 다르며, 상기 제1 HOMO 준위와 상기 제1 LUMO 준위 사이의 띠 간격(band gap)과 상기 제2 HOMO 준위와 상기 제2 LUMO 준위 사이의 띠 간격은 동일하다.An organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate, a first electrode formed on the substrate, a second electrode facing the first electrode, and positioned between the first electrode and the second electrode. A first light emitting layer having a first HOMO level and a first LUMO level, and a second light emitting layer positioned between the first electrode and the second electrode and having a second HOMO level and a second LUMO level, the first HOMO The level and the second HOMO level are different from each other, the first LUMO level and the second LUMO level are different from each other, a band gap between the first HOMO level and the first LUMO level and the second HOMO level The band gap between the level and the second LUMO level is the same.

상기 제1 전극과 상기 제1 발광층 사이에 형성되어 있는 정공 전달층을 더 포함할 수 있다.The electronic device may further include a hole transport layer formed between the first electrode and the first light emitting layer.

상기 제2 전극과 상기 제2 발광층 사이에 형성되어 있는 정공 저지층을 더 포함할 수 있다.The display device may further include a hole blocking layer formed between the second electrode and the second light emitting layer.

상기 제1 HOMO 준위는 상기 제2 HOMO 준위보다 낮을 수 있다.The first HOMO level may be lower than the second HOMO level.

상기 제1 HOMO 준위는 상기 제2 HOMO 준위보다 약 13 내지 20% 낮을 수 있다.The first HOMO level may be about 13-20% lower than the second HOMO level.

상기 제1 발광층은 4,4'-비스(카바졸-9-일)비페닐(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl), 4,4'-비스(9-카바졸일)-2,2'-디메틸비페닐(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9'-디메틸-플루오렌(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9'-dimethyl-fluorene)에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하고, 상기 제2 발광층은 4,4'-비스(2,2'-디페닐-에텐-1-일)비페닐(4,4'-bis(2,2'-diphenyl-ethen-1-yl)biphenyl), 4,4'-비스(2,2'-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디메틸페닐)(4,4'-bis(2,2'-diphenyl-ethen-1-yl)-4,4'-dimethylphenyl), 4,4'-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-4,4'-디-(t-부틸)페닐(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethen-1-yl)-4,4'-di-(t-butyl)phenyl)에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The first light emitting layer is 4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl (4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl), 4,4'-bis (9-carbazolyl) -2,2'-dimethylbiphenyl (4,4'-bis (9-carbazolyl) -2,2'-dimethyl-biphenyl), 4,4'-bis (carbazol-9-yl) -9,9 '-Dimethyl-fluorene (4,4'-bis (carbazol-9-yl) -9,9'-dimethyl-fluorene) comprises at least one material selected from, and the second light emitting layer is 4,4'- Bis (2,2'-diphenyl-ethen-1-yl) biphenyl (4,4'-bis (2,2'-diphenyl-ethen-1-yl) biphenyl), 4,4'-bis (2 , 2'-diphenyl-ethen-1-yl) -4,4'-dimethylphenyl) (4,4'-bis (2,2'-diphenyl-ethen-1-yl) -4,4'-dimethylphenyl ), 4,4'-bis (2,2-diphenyl-ethen-1-yl) -4,4'-di- (t-butyl) phenyl (4,4'-bis (2,2-diphenyl- ethen-1-yl) -4,4'-di- (t-butyl) phenyl).

상기 정공 저지층과 상기 제2 전극 사이에 형성되어 있는 전자 전달층을 더 포함할 수 있다.The method may further include an electron transport layer formed between the hole blocking layer and the second electrode.

상기 기판과 상기 제1 전극 사이에는 서로 교차하는 제1 신호선 및 제2 신호선, 상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제1 박막 트랜지스터, 상기 제1 박막 트랜지스터 및 상기 제1 전극과 연결되어 있는 제2 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.A first thin film transistor, a first thin film transistor connected to the first signal line and the second signal line, and a first signal line and the second signal line which cross each other between the substrate and the first electrode. It may further include a second thin film transistor.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. It will be understood that when an element such as a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the element directly over another element, Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

그러면 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 1 및 도 2를 참고하여 상세하게 설명한다.Next, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 수동형 유기 발광 표시 장치(passive matrix OLED display)의 평면도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 II-II 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.1 is a plan view of a passive matrix OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 1 taken along line II-II.

투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(10) 위에 복수의 애노드(anode)(20)와 복수의 캐소드(cathode)(80)가 교차하게 형성되어 있다.A plurality of anodes 20 and a plurality of cathodes 80 are formed to intersect on the insulating substrate 10 made of transparent glass or plastic.

애노드(20)는 소정 간격을 두고 형성되어 있으며 절연 기판(10)의 한 방향을 따라 뻗어 있다. 애노드(20)는 정공(hole)이 주입되는 전극으로, 일 함수(work function)가 높고 발광된 빛이 외부로 나올 수 있는 투명 도전 물질로 만들어지며, 예컨대 ITO 또는 IZO 따위일 수 있다. The anode 20 is formed at predetermined intervals and extends along one direction of the insulating substrate 10. The anode 20 is an electrode into which holes are injected. The anode 20 is made of a transparent conductive material having a high work function and emitted light, and may be, for example, ITO or IZO.

캐소드(80) 또한 소정 간격을 두고 형성되어 있으며 절연 기판(10)의 다른 방향을 따라 뻗어 있어 애노드(20)와 교차한다. 캐소드(80)는 전자(electron)가 주입되는 전극으로, 일 함수가 낮고 유기 물질에 영향을 미치지 않는 도전 물질로 만들어지며, 예컨대 알루미늄(Al), 칼슘(Ca) 및 바륨(Ba) 등에서 선택될 수 있다.The cathode 80 is also formed at predetermined intervals and extends along the other direction of the insulating substrate 10 to intersect the anode 20. The cathode 80 is an electrode into which electrons are injected. The cathode 80 is made of a conductive material having a low work function and does not affect organic materials. For example, the cathode 80 may be selected from aluminum (Al), calcium (Ca), and barium (Ba). Can be.

애노드(20)와 캐소드(80) 사이에는 유기 발광 부재(organic light emitting member)가 형성되어 있다. An organic light emitting member is formed between the anode 20 and the cathode 80.

유기 발광 부재는 발광층(emitting layer)(40) 및 발광층(40)의 발광 효율을 높이기 위한 복수의 부대층(auxiliary layer)을 포함한다.The organic light emitting member includes a light emitting layer 40 and a plurality of auxiliary layers for increasing the light emission efficiency of the light emitting layer 40.

발광층(40)은 서로 다른 에너지 준위를 가지는 물질로 만들어진 제1 발광층(40a)과 제2 발광층(40b)을 포함한다. The light emitting layer 40 includes a first light emitting layer 40a and a second light emitting layer 40b made of materials having different energy levels.

부대층은 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 정공 전달층(hole transporting layer)(30), 전자 주입층(electron injecting layer)(70), 전자 전달층(electron transporting layer)(60) 및 정공 저지층(hole blocking layer)(50)을 포함한다.The auxiliary layer includes a hole transporting layer 30, an electron injecting layer 70, an electron transporting layer 60, and a hole blocking layer to balance electrons and holes. (hole blocking layer) 50.

정공 전달층(30)은 애노드(20)와 발광층(40) 사이에 위치하며, 정공이 애노드(20)에서 발광층(40)으로 용이하게 전달되도록 한다. 정공 전달층(30)은 애노드(20)와 발광층(40) 사이의 일 함수(work function)를 가지는 물질로 만들어지며, 예컨대, NPB(N,N'-bis(1-naphtyl)-N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine), TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine), PPD(p-phenylenediamine), 프탈로시아닌(phthalocyanine), CuPc, m-MTDATA, 폴리아 닐린(polyaniline) 및 폴리티오펜(polythiophene)에서 선택된 하나 이상을 포함할 수 있다.The hole transport layer 30 is positioned between the anode 20 and the light emitting layer 40, and allows holes to be easily transferred from the anode 20 to the light emitting layer 40. The hole transport layer 30 is made of a material having a work function between the anode 20 and the light emitting layer 40. For example, NPB (N, N'-bis (1-naphtyl) -N, N '-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine), TPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4 It may include one or more selected from '-diamine, PPD (p-phenylenediamine), phthalocyanine, CuPc, m-MTDATA, polyaniline and polythiophene.

전자 전달층(60) 및 전자 주입층(70)은 발광층(40)과 캐소드(80) 사이에 위치하며, 전자가 캐소드(80)에서 발광층(40)으로 용이하게 전달되도록 한다. 전자 전달층(60) 및 전자 주입층(70)은 캐소드(80)와 발광층(40) 사이의 일 함수를 가지는 물질로 만들어지며, 예컨대 LiF(litium fluoride), Liq(lithium quinolate), 옥사디아졸(oxadiazole), 트리아졸(triazole) 및 트리아진(triazine) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The electron transport layer 60 and the electron injection layer 70 are positioned between the light emitting layer 40 and the cathode 80 to allow electrons to be easily transferred from the cathode 80 to the light emitting layer 40. The electron transport layer 60 and the electron injection layer 70 are made of a material having a work function between the cathode 80 and the light emitting layer 40, for example, lithium fluoride (LiF), lithium quinolate (Liq), and oxadiazole It may include at least one substance selected from (oxadiazole), triazole (triazole) and triazine (triazine).

정공 저지층(50)은 발광층(40)과 정공 전달층(60) 사이에 위치하며, 정공이 발광층(40)을 통과하는 것을 차단할 수 있다. 정공 저지층(50)은 예컨대 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페나트롤린(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)(BCP) 따위를 포함할 수 있다. The hole blocking layer 50 may be positioned between the light emitting layer 40 and the hole transport layer 60 and may block holes from passing through the light emitting layer 40. The hole blocking layer 50 is, for example, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenathroline (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) (BCP) It may include something like.

이에 대하여 도 3을 도 1 및 도 2와 함께 참고하여 상세하게 설명한다.3 will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

도 3은 도 1 및 도 2에 도시한 유기 발광 표시 장치에서 각 층의 에너지 준위를 보여주는 개략도이다.3 is a schematic diagram illustrating energy levels of respective layers in the organic light emitting diode display illustrated in FIGS. 1 and 2.

도 3에서, 왼쪽에서 오른쪽으로 차례로 애노드(20)의 에너지 준위(2), 정공 전달층(30)의 HOMO(highest occupied molecular orbital) 준위(3H) 및 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital) 준위(3L), 제1 발광층(40a)의 HOMO 준위(4aH) 및 LUMO 준위(4aL), 제2 발광층(40b)의 HOMO 준위(4bH) 및 LUMO 준위(4bL), 정공 저지층(50)의 HOMO 준위(5H) 및 LUMO 준위(5L), 전자 전달층(60)의 HOMO 준위(6H) 및 LUMO 준위(6L), 전자 주입층(70)의 HOMO 준위(7H) 및 LUMO 준위(7L), 캐소드(80)의 에너지 준위(8)를 나타낸다.In FIG. 3, the energy level 2 of the anode 20 in order from left to right, the highest occupied molecular orbital (HOMO) level (H) of the hole transport layer 30 and the lower unoccupied molecular orbital (LUMO) level (3L) , HOMO level (4aH) and LUMO level (4aL) of the first light emitting layer 40a, HOMO level (4bH) and LUMO level (4bL) of the second light emitting layer 40b, HOMO level (5H) of the hole blocking layer 50 ) And LUMO level (5L), HOMO level (6H) and LUMO level (6L) of electron transport layer 60, HOMO level (7H) and LUMO level (7L), cathode (80) of electron injection layer 70 Represents the energy level (8).

여기서, 각 층의 HOMO 준위와 LUMO 준위 사이의 간격을 띠 간격(band gap)이라고 한다.Here, the interval between the HOMO level and the LUMO level of each layer is referred to as a band gap.

먼저, 애노드(20)로부터 주입되는 정공의 이동을 설명한다.First, the movement of holes injected from the anode 20 will be described.

정공은 약 -4.0 내지 -5.0eV의 에너지 준위(2)를 가지는 애노드(20)에서 주입되어 정공 전달층(30)의 HOMO 준위(3H)를 통과하여 제1 발광층(40a)의 HOMO 준위(4aH) 및 제2 발광층(40b)의 HOMO 준위(4bH)에 도달한다.Holes are injected from the anode 20 having an energy level 2 of about −4.0 to −5.0 eV, and pass through the HOMO level 3H of the hole transport layer 30 to provide a HOMO level of the first light emitting layer 40a (4aH). ) And the HOMO level 4bH of the second light emitting layer 40b.

제1 발광층(40a)과 제2 발광층(40b)은 각각 다른 HOMO 준위(4aH, 4bH) 및 LUMO 준위(4aL, 4bL)을 가지는 한편, 제1 발광층(40a)의 HOMO 준위와 LUMO 준위의 에너지 차이 또는 제2 발광층(40b)의 HOMO 준위와 LUMO 준위의 에너지 차이인 띠 간격은 같다.The first light emitting layer 40a and the second light emitting layer 40b have different HOMO levels 4aH and 4bH and LUMO levels 4aL and 4bL, respectively, while the energy difference between the HOMO level and the LUMO level of the first light emitting layer 40a is different. Alternatively, the band interval that is the energy difference between the HOMO level and the LUMO level of the second light emitting layer 40b is the same.

이 경우 도 3에 도시한 바와 같이, 정공은 애노드(20)의 에너지 준위(2), 정공 전달층(30)의 HOMO 준위(3H) 및 제1 발광층(40a)의 HOMO 준위(4aH)를 따라 점점 낮은 에너지 준위로 이동한다.   In this case, as shown in FIG. 3, holes are along the energy level 2 of the anode 20, the HOMO level 3H of the hole transport layer 30, and the HOMO level 4aH of the first light emitting layer 40a. Moves to lower and lower energy levels.

한편, 제2 발광층(40b)은 제1 발광층(40a)보다 HOMO 준위가 높기 때문에 제1 발광층(40a)에 도달한 정공이 제2 발광층(40b)으로 전달되는데 에너지 장벽이 있다. 이러한 에너지 장벽은 제1 발광층(40a)의 HOMO 준위(4aH)와 제2 발광층(40b)의 HOMO 준위(4bH)의 차이이며, 제1 발광층(40a) 또는 제2 발광층(40b)의 띠 간격 대비 약 13 내지 20% 정도이다.On the other hand, since the second light emitting layer 40b has a higher HOMO level than the first light emitting layer 40a, holes reaching the first light emitting layer 40a are transferred to the second light emitting layer 40b. The energy barrier is a difference between the HOMO level 4aH of the first light emitting layer 40a and the HOMO level 4bH of the second light emitting layer 40b, and is compared with the band gap between the first light emitting layer 40a or the second light emitting layer 40b. About 13-20%.

이러한 에너지 장벽에 의해 제1 발광층(40a)에 도달한 정공 중 일부는 제2 발광층(40b)으로 전달되지 못하고 속박되어 있다.Some of the holes reaching the first light emitting layer 40a by this energy barrier are not delivered to the second light emitting layer 40b and are constrained.

또한, 캐소드(80)로부터 주입되는 전자의 이동을 살펴보면, 전자는 약 -3.0 내지 -4.0eV의 에너지 준위(8)를 가지는 캐소드(80)로부터 주입되어 전자 주입층(70)의 LUMO 준위(7L), 전자 전달층(60)의 LUMO 준위(6L), 정공 저지층(50)의 LUMO 준위(5L)를 통과하여 제2 발광층(40b)의 LUMO 준위(4bL) 및 제1 발광층(40a)의 LUMO 준위(4aL)에 도달한다. 이 때 제1 발광층(40a)의 LUMO 준위(4aL)는 제2 발광층(40b)의 LUMO 준위(4bL)보다 낮으며, 그 차이는 제1 발광층(40a) 또는 제2 발광층(40b)의 띠 간격 대비 약 13 내지 20% 정도이다.In addition, looking at the movement of electrons injected from the cathode 80, electrons are injected from the cathode 80 having an energy level 8 of about −3.0 to −4.0 eV, so that the LUMO level 7L of the electron injection layer 70 may be obtained. ), The LUMO level (6L) of the electron transport layer 60, the LUMO level (5L) of the hole blocking layer 50 to pass through the LUMO level (4bL) and the first light emitting layer 40a of the second light emitting layer (40b) The LUMO level (4aL) is reached. At this time, the LUMO level 4aL of the first light emitting layer 40a is lower than the LUMO level 4bL of the second light emitting layer 40b, and the difference is the gap between the first light emitting layer 40a or the second light emitting layer 40b. It is about 13-20%.

한편, 제2 발광층(40b)을 통과하여 제1 발광층(40a)에 도달한 전자는 제1 발광층(40a)과 정공 전달층(30) 사이의 높은 에너지 장벽으로 인하여 제1 발광층(40a)에 속박된다.Meanwhile, electrons passing through the second light emitting layer 40b and reaching the first light emitting layer 40a are bound to the first light emitting layer 40a due to the high energy barrier between the first light emitting layer 40a and the hole transport layer 30. do.

이와 같이 본 발명의 한 실시예에 따르면, 발광층(40)은 서로 다른 에너지 준위를 가지며 동일한 띠 간격을 가지는 제1 발광층(40a)과 제2 발광층(40b)을 포함한다. 제1 발광층(40a) 및 제2 발광층(40b)은 정공과 전자가 이동하는데 에너지 장벽을 형성하여 정공과 전자를 속박하며 발광층(40) 내에서 엑시톤 생성 확률을 높인다. As described above, the light emitting layer 40 includes a first light emitting layer 40a and a second light emitting layer 40b having different energy levels and having the same band gap. The first light emitting layer 40a and the second light emitting layer 40b form an energy barrier to move holes and electrons to bind the holes and the electrons, and increase the probability of generating excitons in the light emitting layer 40.

이 때, 제1 발광층(40a)과 제2 발광층(40b)의 HOMO 준위의 차이 또는 LUMO 준위의 차이는 띠 간격의 약 13 내지 20%이다.At this time, the difference between the HOMO level or the LUMO level of the first light emitting layer 40a and the second light emitting layer 40b is about 13 to 20% of the band interval.

이러한 제1 발광층(40a)의 물질에는, 예컨대 4,4'-비스(카바졸-9-일)비페 닐(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl)(CBP), 4,4'-비스(9-카바졸일)-2,2'-디메틸비페닐(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl)(CDBP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9'-디메틸-플루오렌(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9'-dimethyl-fluorene)(DMFL-CBP)에서 선택된 적어도 하나를 들 수 있고, 제2 발광층(40b)의 물질에는 예컨대 4,4'-비스(2,2'-디페닐비닐)비페닐(4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)biphenyl)(DPVBi), 4,4'-비스(2,2'-디페닐비닐)-4,4'-디메틸페닐)(4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)-4,4'-dimethylphenyl)(p-DMDPVBi), 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)-4,4'-디-(t-부틸)페닐(4,4'-bis(2,2-diphenylvinyl)-4,4'-di-(t-butyl)phenyl)(p-TDPVBi)에서 선택된 적어도 하나를 들 수 있다. Examples of the material of the first light emitting layer 40a include 4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl (4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl) (CBP), 4, 4'-bis (9-carbazolyl) -2,2'-dimethylbiphenyl (4,4'-bis (9-carbazolyl) -2,2'-dimethyl-biphenyl) (CDBP), 4,4'- Selected from bis (carbazol-9-yl) -9,9'-dimethyl-fluorene (4,4'-bis (carbazol-9-yl) -9,9'-dimethyl-fluorene) (DMFL-CBP) At least one may be mentioned, and the material of the second light emitting layer 40b may be, for example, 4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) biphenyl (4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl)). biphenyl) (DPVBi), 4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) -4,4'-dimethylphenyl) (4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) -4,4 '-dimethylphenyl) (p-DMDPVBi), 4,4'-bis (2,2-diphenylvinyl) -4,4'-di- (t-butyl) phenyl (4,4'-bis (2,2 and at least one selected from -diphenylvinyl) -4,4'-di- (t-butyl) phenyl) (p-TDPVBi).

이와 같이 정공과 전자는 제1 발광층(40a) 및 제2 발광층(40b)에서 속박된다. 따라서 정공과 전자가 이동도 차이에 의해 발광층(40)을 통과하여 발광층(40) 이외의 영역에서 엑시톤이 생성되는 것을 줄일 수 있고 이에 따라 원하지 않는 색이 발광되는 것을 방지하여 색 순도를 높일 수 있다. 또한 이와 같이 원하지 않는 색의 발광이 줄어듦으로써 전류 밀도의 변화에 따른 불필요한 발광을 억제할 수 있어서 NTSC(national television system committee) 규격에 가까운 안정된 색 좌표를 나타낼 수 있다. As described above, the holes and the electrons are bound in the first light emitting layer 40a and the second light emitting layer 40b. As a result, holes and electrons may pass through the light emitting layer 40 due to the difference in mobility, thereby reducing the generation of excitons in regions other than the light emitting layer 40, thereby preventing color from being emitted undesirably, thereby increasing color purity. . In addition, since the emission of unwanted color is reduced, unnecessary emission due to the change in current density can be suppressed, and thus stable color coordinates close to the NTSC (national television system committee) standard can be exhibited.

또한 두 층의 발광층(40)에 더하여, 제2 발광층(40b)과 전자 전달층(60) 사이에 정공 속박층(50)을 포함함으로써 정공이 발광층(40)을 통과하는 것을 더욱 방지할 수 있다. In addition to the two light emitting layers 40, the hole binding layer 50 may be included between the second light emitting layer 40b and the electron transport layer 60 to further prevent holes from passing through the light emitting layer 40. .

아래와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치와 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치를 제작하여 발광 효율 및 색 안정성 등을 확인하였다. As described below, the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention and the organic light emitting diode display according to the comparative example were manufactured to check light emission efficiency and color stability.

[실시예 1]Example 1

본 실시예에서는 도 1 및 도 2에 도시한 유기 발광 표시 장치를 제작한다.In the present embodiment, the organic light emitting diode display shown in FIGS. 1 and 2 is manufactured.

절연 기판(10) 위에 ITO 따위의 투명 도전체를 스퍼터링(sputtering) 따위로 적층하여 애노드(20)를 형성한다.An anode 20 is formed by stacking a transparent conductor such as ITO on the insulating substrate 10 by sputtering.

이어서, 아세톤 또는 이소프로필알코올(isopropyl alcohol) 등이 채워져 있는 챔버(chamber)에 기판을 넣고 초음파 세척한 후 산소 플라스마 처리를 하여 애노드(20)의 계면 특성을 좋게 한다.Subsequently, the substrate is placed in a chamber filled with acetone or isopropyl alcohol, and ultrasonically cleaned, followed by oxygen plasma treatment to improve the interfacial characteristics of the anode 20.

다음, 애노드(20) 위에 NPB를 약 10nm 정도 진공 증착하여 정공 전달층(30)을 형성한다.Next, NPB is vacuum deposited about 10 nm on the anode 20 to form the hole transport layer 30.

다음, 정공 전달층(30) 위에 CBP를 약 15nm 정도 진공 증착하여 제1 발광층(40a)을 형성하고, 그 위에 DPVBi를 약 15nm 진공 증착하여 제2 발광층(40b)을 형성한다.Next, the first light emitting layer 40a is formed by vacuum depositing about 15 nm of CBP on the hole transport layer 30, and the second light emitting layer 40b is formed by vacuum depositing about 15 nm of DPVBi thereon.

다음, 제2 발광층(40b) 위에 약 5nm의 BCP, 약 25nm의 Alq3 및 약 2nm의 Liq를 차례로 증착하여 정공 저지층(50), 전자 전달층(60) 및 전자 주입층(70)을 차례로 형성한다. Next, about 5 nm of BCP, about 25 nm of Alq3, and about 2 nm of Liq are sequentially deposited on the second emission layer 40b to sequentially form the hole blocking layer 50, the electron transport layer 60, and the electron injection layer 70. do.

마지막으로, 전자 주입층(70) 위에 알루미늄을 적층하여 캐소드(80)를 형성한다.Finally, aluminum is laminated on the electron injection layer 70 to form the cathode 80.

이로써, 기판 위에, ITO/NPB/CBP/DPVBi/BCP/Alq3/Liq/Al이 차례로 적층되어 있는 유기 발광 표시 장치(이하 '소자 3'이라 한다)를 제작하였다.As a result, an organic light emitting display device (hereinafter referred to as “element 3”) in which ITO / NPB / CBP / DPVBi / BCP / Alq3 / Liq / Al is sequentially stacked is fabricated.

[비교예 1]Comparative Example 1

본 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상술한 실시예와 달리 제2 발광층(40b)이 없다. 즉 기판 위에 ITO/NPB/CBP/BCP/Alq3/Liq/Al이 차례로 적층되어 있는 유기 발광 표시 장치(이하, '소자 2'라 한다)를 제작하였다.The organic light emitting diode display according to the comparative example does not have the second light emitting layer 40b unlike the above-described embodiment. In other words, an organic light emitting display device (hereinafter referred to as “device 2”) in which ITO / NPB / CBP / BCP / Alq3 / Liq / Al are sequentially stacked is fabricated.

[비교예 2]Comparative Example 2

본 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상술한 실시예와 달리, 제1 발광층(40a)이 없다. 즉 기판 위에 ITO/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Liq/Al이 차례로 적층되어 있는 유기 발광 표시 장치(이하, '소자 1'이라 한다)를 제작하였다.Unlike the above-described embodiment, the organic light emitting diode display according to the comparative example does not have the first light emitting layer 40a. In other words, an organic light emitting display device (hereinafter referred to as “element 1”) in which ITO / NPB / DPVBi / BCP / Alq3 / Liq / Al are sequentially stacked is fabricated.

이하, 상술한 실시예 및 비교예 1, 2에 따른 소자 1, 소자 2 및 소자 3의 색순도 및 색 안정성에 대하여 도 4 내지 도 6을 참고하여 설명한다.Hereinafter, color purity and color stability of the device 1, the device 2, and the device 3 according to the above-described Examples and Comparative Examples 1 and 2 will be described with reference to FIGS. 4 to 6.

먼저 도 4를 참고하여 색 순도 특성을 살펴본다.First, the color purity characteristics will be described with reference to FIG. 4.

도 4는 NTSC 규격 대비 소자 1, 소자 2 및 소자 3의 색 좌표 특성을 보여주는 그래프이다.4 is a graph showing color coordinate characteristics of devices 1, 2, and 3 compared to the NTSC standard.

도 4에서 '별표(★)'는 NTSC 규격에 따른 색도를 나타내는 것으로 적색(0.67, 0.33)(표시되지 않음), 녹색(0.21, 0.71) 및 청색(0.14, 0.08)을 가리킨다. 여기서 별표에 가까울수록 채도가 높은, 즉 색 순도가 높다고 정의할 수 있다.In FIG. 4, an asterisk (*) indicates chromaticity according to the NTSC standard and indicates red (0.67, 0.33) (not shown), green (0.21, 0.71), and blue (0.14, 0.08). Here, the closer to the asterisk, the higher the saturation, that is, the higher the color purity can be defined.

도 4에서 청색 발광하는 소자 1(■), 소자 2(●) 및 소자 3(▲)의 발광 좌표는 작은 상자 안에 확대하여 도시되어 있으며, 이에 따르면 소자 3의 발광 좌표가 NTSC 규격에 따른 청색 좌표와 가장 가까운 것을 알 수 있다. In FIG. 4, the light emission coordinates of the device 1 (■), the device 2 (●), and the device 3 (▲) that emit blue light are enlarged in a small box. It can be seen that the closest to.

이것으로 보아, 두 층의 발광층을 포함하는 본 발명의 한 실시예에 따른 소자 3이 단일층인 발광층을 포함하는 소자 1 및 소자 2에 비하여 색 순도가 높은 것을 확인할 수 있다.From this, it can be seen that device 3 according to an embodiment of the present invention including two light emitting layers has a higher color purity than device 1 and device 2 including a single light emitting layer.

다음 도 5 및 도 6을 도 4와 함께 참고하여 소자 1, 소자 2 및 소자 3의 색 안정성을 살펴본다.Next, referring to FIGS. 5 and 6 together with FIG. 4, the color stability of the device 1, the device 2, and the device 3 will be described.

도 5 및 도 6은 전압에 따른 색 좌표의 변화를 보여주는 그래프이다.5 and 6 are graphs showing changes in color coordinates according to voltage.

도 5 및 도 6에서, 전압 변화에 따라 색 좌표(CIE x, CIE y) 값의 크기가 많이 변화하는 것은 전압에 따라 색이 진하게 또는 연하게 변화하는 것으로 색 안정성이 낮은 것을 의미하고, 전압 변화에 따라 색 좌표 값이 일정한 것은 전압에 따라 색이 변하지 않는 것이 색 안정성이 높은 것을 의미한다.In FIG. 5 and FIG. 6, the change in the magnitude of the color coordinates (CIE x, CIE y) values largely according to the voltage change means that the color changes darkly or lightly according to the voltage, and thus the color stability is low. According to the constant color coordinate value, the color does not change with voltage means high color stability.

도 5 및 도 6에서 보는 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 소자 3은 전압 변화에 따라 거의 일정한 색 좌표(CIE x, CIE y) 값을 나타내어 색 안정성이 높은 반면, 비교예에 따른 소자 1 및 소자 2는 상대적으로 색 좌표(CIE x, CIE y) 값의 변화가 큰 것을 확인할 수 있다.As shown in FIG. 5 and FIG. 6, the device 3 according to an embodiment of the present invention exhibits almost constant color coordinate (CIE x, CIE y) values according to voltage changes, and thus has high color stability. It can be seen that 1 and device 2 have a relatively large change in color coordinate (CIE x, CIE y) values.

이것으로 보아, 두 층의 발광층을 포함하는 본 발명의 한 실시예에 따른 소자 3이 단일층인 발광층을 포함하는 소자 1 및 소자 2에 비하여 전압에 따른 색 안정성이 높은 것을 확인할 수 있다. From this, it can be seen that device 3 according to an embodiment of the present invention including two light emitting layers has higher color stability according to voltage than device 1 and device 2 including a single light emitting layer.

도 4 내지 도 6을 종합하여 볼 때 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 비교예의 유기 발광 표시 장치와 비교하여 색 순도 및 색 안정성이 높은 것을 알 수 있다.4 to 6, it can be seen that the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment has a higher color purity and color stability than the organic light emitting diode display of the comparative example.

[실시예 2][Example 2]

이하, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 7 내지 도 10을 참고하여 설명한다. 본 실시예에서는 전술한 실시예와 달리 능동형 유기 발광 표시 장치(active matrix OLED display)에 대하여 설명한다. Hereinafter, an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 10. Unlike the above-described embodiment, the present embodiment will be described with respect to an active matrix OLED display.

전술한 실시예와 중복되는 내용은 생략한다.The content overlapping with the above-described embodiment is omitted.

도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.7 is an equivalent circuit diagram of an OLED display according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)를 포함한다.Referring to FIG. 7, the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment includes a plurality of signal lines 121, 171, and 172, and a plurality of pixels connected to them and arranged in a substantially matrix form. do.

신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(data line)(171) 및 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)과 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.The signal line includes a plurality of gate lines 121 for transmitting a gate signal (or scan signal), a plurality of data lines 171 for transmitting a data signal, and a plurality of driving voltage lines for transmitting a driving voltage. and a driving voltage line 172. The gate lines 121 extend substantially in the row direction, are substantially parallel to each other, and the data lines 171 and the driving voltage lines 172 extend in a substantially column direction and are substantially parallel to each other.

각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)(LD)를 포함한다.Each pixel PX includes a switching transistor Qs, a driving transistor Qd, a storage capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED. It includes.

스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121) 에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.The switching transistor Qs has a control terminal, an input terminal, and an output terminal. The control terminal is connected to the gate line 121, and the input terminal is connected to the data line 171. ) And the output terminal is connected to the driving transistor Qd. The switching transistor Qs transfers the data signal applied to the data line 171 to the driving transistor Qd in response to the scan signal applied to the gate line 121.

구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 다이오드(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.The driving transistor Qd also has a control terminal, an input terminal and an output terminal, the control terminal being connected to the switching transistor Qs, the input terminal being connected to the driving voltage line 172, and the output terminal being the organic light emitting diode. It is connected to (LD). The driving transistor Qd flows an output current I LD whose magnitude varies depending on the voltage applied between the control terminal and the output terminal.

축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.The capacitor Cst is connected between the control terminal and the input terminal of the driving transistor Qd. The capacitor Cst charges the data signal applied to the control terminal of the driving transistor Qd and holds it even after the switching transistor Qs is turned off.

유기 발광 다이오드(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 다이오드(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.The organic light emitting diode LD has an anode connected to the output terminal of the driving transistor Qd and a cathode connected to the common voltage Vss. The organic light emitting diode LD displays an image by emitting light having a different intensity depending on the output current I LD of the driving transistor Qd.

스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이다. 그러나 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 다이오드(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.The switching transistor Qs and the driving transistor Qd are n-channel field effect transistors (FETs). However, at least one of the switching transistor Qs and the driving transistor Qd may be a p-channel field effect transistor. In addition, the connection relationship between the transistors Qs and Qd, the capacitor Cst, and the organic light emitting diode LD may be changed.

그러면 도 7에 도시한 유기 발광 표시 장치의 상세 구조에 대하여 도 8 내지 도 10을 도 7과 함께 참고하여 상세하게 설명한다. Next, a detailed structure of the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 7 will be described in detail with reference to FIGS. 8 to 10 along with FIG. 7.

도 8은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 9는 도 8의 유기 발광 표시 장치를 IX-IX 선을 따라 자른 단면도이고, 도 10은 도 9의 유기 발광 표시 장치에서 'A'부분을 확대하여 표시한 확대도이다.8 is a layout view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment. FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 8 taken along the line IX-IX. FIG. 10 is an organic light emitting diode display of FIG. 9. This is an enlarged view showing the 'A' portion enlarged in the device.

절연 기판(110) 위에 제1 제어 전극(control electrode)(124a)을 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 유지 전극(127)을 포함하는 복수의 제2 제어 전극(124b)을 포함하는 복수의 게이트 도전체(gate conductor)가 형성되어 있다.A plurality of second control electrodes 124b including a plurality of gate lines 121 and sustain electrodes 127 including a first control electrode 124a on an insulating substrate 110, A gate conductor is formed.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함하며, 제1 제어 전극(124a)은 게이트선(121)으로부터 위로 뻗어 있다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 게이트 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.The gate line 121 transmits the gate signal and extends mainly in the horizontal direction. Each gate line 121 includes a wide end portion 129 for connection with another layer or an external driving circuit, and the first control electrode 124a extends upward from the gate line 121. When a gate driving circuit (not shown) generating a gate signal is integrated on the substrate 110, the gate line 121 may extend to be directly connected to the gate driving circuit.

제2 제어 전극(124b)은 게이트선(121)과 분리되어 있으며 어느 한쪽으로 길게 뻗은 유지 전극(127)을 포함한다.The second control electrode 124b is separated from the gate line 121 and includes a storage electrode 127 extending to either side.

게이트 도전체(121, 124b)는 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.The gate conductors 121 and 124b are made of aluminum-based metals such as aluminum (Al) and aluminum alloys, silver-based metals such as silver (Ag) and silver alloys, copper-based metals such as copper (Cu) and copper alloys, and molybdenum (Mo) It may be made of molybdenum-based metals such as molybdenum alloys, chromium (Cr), tantalum (Ta), and titanium (Ti). However, they may have a multi-film structure including two conductive films (not shown) having different physical properties.

게이트 도전체(121, 124b)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80° 인 것이 바람직하다.Side surfaces of the gate conductors 121 and 124b are inclined with respect to the substrate 110 surface, and the inclination angle is preferably about 30 ° to about 80 °.

게이트 도전체(121, 124b) 위에는 질화규소 또는 산화규소 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.On the gate conductors 121 and 124b, a gate insulating layer 140 made of silicon nitride or silicon oxide is formed.

게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 선형 반도체(151)와 섬형 반도체(154b)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며 제1 제어 전극(124a)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(projection)(154a)를 포함한다. 섬형 반도체(154b)는 제2 제어 전극(124b) 위에 위치한다.On the gate insulating layer 140, a plurality of linear semiconductors 151 and island-like semiconductors 154b made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated as a-Si) or polysilicon are formed. have. The linear semiconductor 151 mainly extends in the longitudinal direction and includes a plurality of projections 154a extending toward the first control electrode 124a. The island semiconductor 154b is positioned on the second control electrode 124b.

선형 및 섬형 반도체(151, 154b) 위에는 각각 복수 쌍의 제1 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163a, 165a)와 복수 쌍의 제2 저항성 접촉 부재(163b, 165b)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 섬 모양이며, 인(P) 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 제1 저항성 접촉 부재(163a, 165a)는 쌍을 이루어 선형 반도체(151) 위에 배치되어 있고, 제2 저항 성 접촉 부재(163b, 165b) 또한 쌍을 이루어 섬형 반도체(154b) 위에 배치되어 있다.A plurality of pairs of first ohmic contacts 163a and 165a and a plurality of pairs of second ohmic contacts 163b and 165b are formed on the linear and island semiconductors 151 and 154b, respectively. The ohmic contacts 163a, 163b, 165a, and 165b have an island shape, and may be made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon in which n-type impurities such as phosphorus (P) are heavily doped, or made of silicide. have. The first ohmic contacts 163a and 165a are arranged in pairs on the linear semiconductor 151, and the second ohmic contacts 163b and 165b are also arranged in pairs and disposed on the island semiconductor 154b.

저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(171)과 복수의 구동 전압선(172)과 복수의 제1 및 제2 출력 전극(output electrode)(175a, 175b)을 포함하는 복수의 데이터 도전체(data conductor)가 형성되어 있다.The plurality of data lines 171, the plurality of driving voltage lines 172, and the plurality of first and second output electrodes 175a are disposed on the ohmic contacts 163a, 163b, 165a, and 165b and the gate insulating layer 140. , A plurality of data conductors including 175b are formed.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 제1 제어 전극(124a)을 향하여 뻗은 복수의 제1 입력 전극(input electrode)(173a)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 데이터 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.The data line 171 transmits a data signal and extends mainly in the vertical direction and crosses the gate line 121. Each data line 171 has a wide end portion 179 for connection of a plurality of first input electrodes 173a extending toward the first control electrode 124a with another layer or an external driving circuit. It includes. When a data driving circuit (not shown) generating a data signal is integrated on the substrate 110, the data line 171 may be extended to be directly connected to the data driving circuit.

구동 전압선(172)은 구동 전압을 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 구동 전압선(172)은 제2 제어 전극(124b)을 향하여 뻗은 복수의 제2 입력 전극(173b)을 포함하며, 유지 전극(127)과 중첩된 부분을 포함한다.The driving voltage line 172 transmits the driving voltage and extends mainly in the vertical direction and crosses the gate line 121. Each driving voltage line 172 includes a plurality of second input electrodes 173b extending toward the second control electrode 124b, and include a portion overlapping the sustain electrode 127.

제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)은 서로 분리되어 있고 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)과도 분리되어 있다. 제1 입력 전극(173a)과 제1 출력 전극(175a)은 제1 제어 전극(124a)을 중심으로 서로 마주보고, 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b)은 제2 제어 전극(124b)을 중심으로 서로 마주본다.The first and second output electrodes 175a and 175b are separated from each other and are separated from the data line 171 and the driving voltage line 172. [ The first input electrode 173a and the first output electrode 175a face each other with respect to the first control electrode 124a, and the second input electrode 173b and the second output electrode 175b are the second control electrode. Face each other with reference to (124b).

데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b)는 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 이루어진 다중막 구조를 가질 수 있다.The data conductors 171, 172, 175a, and 175b are preferably made of a refractory metal such as molybdenum, chromium, tantalum, and titanium, or an alloy thereof, and include a refractory metal film (not shown) and a low resistance conductive film (not shown). It may have a multi-layer structure consisting of a).

게이트 도전체(121, 124b)와 마찬가지로 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.Like the gate conductors 121 and 124b, the data conductors 171, 172, 175a and 175b also preferably have their side surfaces inclined at an inclination angle of about 30 ° to 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 그 아래의 반도체(151, 154b)와 그 위의 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 준다. 반도체(154a, 154b)에는 입력 전극(173a, 173b)과 출력 전극(175a, 175b) 사이를 비롯하여 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b)로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.The ohmic contacts 163a, 163b, 165a, and 165b exist only between the semiconductors 151 and 154b below and the data conductors 171, 172, 175a, and 175b thereon, thereby lowering the contact resistance. The semiconductors 154a and 154b have portions exposed between the input electrodes 173a and 173b and the output electrodes 175a and 175b and not covered by the data conductors 171, 172, 175a and 175b.

데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b) 및 노출된 반도체(154a, 154b) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어지며 표면이 평탄할 수 있다. 무기 절연물의 예로는 질화규소와 산화규소를 들 수 있다. 유기 절연물은 감광성을 가질 수 있으며 그 유전 상수는 4.0 이하인 것이 바람직하다. 그러나 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(151, 154b) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.A passivation layer 180 is formed on the data conductors 171, 172, 175a, and 175b and the exposed portions of the semiconductors 154a and 154b. The protective film 180 is made of an inorganic insulating material or an organic insulating material and may have a flat surface. Examples of the inorganic insulating material include silicon nitride and silicon oxide. The organic insulator may have photosensitivity and preferably has a dielectric constant of 4.0 or less. However, the passivation layer 180 may have a double layer structure of the lower inorganic layer and the upper organic layer so as not to damage the exposed portions of the semiconductors 151 and 154b while maintaining excellent insulating properties of the organic layer.

보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 제1 및 제2 출력 전 극(175b)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185a, 185b)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)과 제2 입력 전극(124b)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(181, 184)이 형성되어 있다.The passivation layer 180 has a plurality of contact holes 182, 185a, and 185b exposing the end portion 179 of the data line 171 and the first and second output electrodes 175b, respectively. In the passivation layer 180 and the gate insulating layer 140, a plurality of contact holes 181 and 184 exposing the end portion 129 of the gate line 121 and the second input electrode 124b are formed.

보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191), 복수의 연결 부재(connecting member)(85) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.A plurality of pixel electrodes 191, a plurality of connecting members 85, and a plurality of contact assistants 81 and 82 are formed on the passivation layer 180. These may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO or a reflective metal such as aluminum, silver or an alloy thereof.

화소 전극(191)은 접촉 구멍(185b)을 통하여 제2 출력 전극(175b)과 물리적·전기적으로 연결되어 있다.The pixel electrode 191 is physically and electrically connected to the second output electrode 175b through the contact hole 185b.

연결 부재(85)는 접촉 구멍(184, 185a)을 통하여 제2 제어 전극(124b) 및 제1 출력 전극(175a)과 연결되어 있다.The connecting member 85 is connected to the second control electrode 124b and the first output electrode 175a through the contact holes 184 and 185a.

접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결되어 있다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 끝 부분(129, 179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact auxiliary members 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through the contact holes 181 and 182, respectively. The contact auxiliary members 81 and 82 compensate for and protect the adhesion between the end portions 129 and 179 of the gate line 121 and the data line 171 and the external device.

보호막(180) 위에는 격벽(partition)(361)이 형성되어 있다. 격벽(361)은 화소 전극(191) 가장자리 주변을 둘러싸서 개구부(opening)(365)를 정의하며 유기 절연물 또는 무기 절연물로 만들어진다. 격벽(361)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광재로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽(361)은 차광 부재의 역할을 하며 그 형성 공정이 간단하다.A partition 361 is formed on the passivation layer 180. The partition 361 defines an opening 365 by surrounding the edge of the pixel electrode 191 and is made of an organic insulator or an inorganic insulator. The partition 361 may also be made of a photosensitive material containing black pigment, in which case the partition 361 serves as a light blocking member and the forming process is simple.

개구부(365)에는 유기 발광 부재(370)가 형성되어 있다. The organic light emitting member 370 is formed in the opening 365.

유기 발광 부재(370)는 발광층(372) 및 발광층(372)의 효율을 높이기 위한 복수의 부대층을 포함한다.The organic light emitting member 370 includes a light emitting layer 372 and a plurality of auxiliary layers for increasing the efficiency of the light emitting layer 372.

발광층(372)은 서로 다른 에너지 준위를 가지는 제1 발광층(372a) 및 제2 발광층(372b)을 포함하며, 제1 발광층(372a)과 제2 발광층(372b)의 에너지 준위 차이는 제1 발광층(372a) 또는 제2 발광층(372b)의 띠 간격의 약 13 내지 20% 정도이다. 제1 발광층(372a)은 예컨대 4,4'-비스(카바졸-9-일)비페닐(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl)(CBP), 4,4'-비스(9-카바졸일)-2,2'-디메틸비페닐(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl)(CDBP), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9'-디메틸-플루오렌(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9'-dimethyl-fluorene)(DMFL-CBP)에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있고, 제2 발광층(40b)은 예컨대 4,4'-비스(2,2'-디페닐비닐)비페닐(4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)biphenyl)(DPVBi), 4,4'-비스(2,2'-디페닐비닐)-4,4'-디메틸페닐)(4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)-4,4'-dimethylphenyl)(p-DMDPVBi), 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)-4,4'-디-(t-부틸)페닐(4,4'-bis(2,2-diphenylvinyl)-4,4'-di-(t-butyl)phenyl)(p-TDPVBi)에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. The light emitting layer 372 includes a first light emitting layer 372a and a second light emitting layer 372b having different energy levels, and a difference in energy levels between the first light emitting layer 372a and the second light emitting layer 372b is determined by the first light emitting layer ( 372a) or about 13 to 20% of the band gap of the second light emitting layer 372b. The first light emitting layer 372a is, for example, 4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl (4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl) (CBP), 4,4'-bis (9-carbazolyl) -2,2'-dimethylbiphenyl (4,4'-bis (9-carbazolyl) -2,2'-dimethyl-biphenyl) (CDBP), 4,4'-bis (carbazole -9-yl) -9,9'-dimethyl-fluorene (4,4'-bis (carbazol-9-yl) -9,9'-dimethyl-fluorene) (DMFL-CBP) The second light emitting layer 40b may be, for example, 4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) biphenyl (4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) biphenyl) (DPVBi). , 4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) -4,4'-dimethylphenyl) (4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) -4,4'-dimethylphenyl) ( p-DMDPVBi), 4,4'-bis (2,2-diphenylvinyl) -4,4'-di- (t-butyl) phenyl (4,4'-bis (2,2-diphenylvinyl) -4 And 4'-di- (t-butyl) phenyl) (p-TDPVBi).

부대층은 정공 전달층(371), 정공 저지층(373), 전자 전달층(374) 및 전자 주입층(375)을 포함한다. 상세한 설명은 전술한 바와 같다.The auxiliary layer includes a hole transport layer 371, a hole blocking layer 373, an electron transport layer 374, and an electron injection layer 375. The detailed description is as described above.

유기 발광 부재(370) 위에는 공통 전극(common electrode)(270)이 형성되어 있다. The common electrode 270 is formed on the organic light emitting member 370.

공통 전극(270) 위에는 밀봉층(encapsulation layer)(도시하지 않음)이 형성될 수 있다. 밀봉층은 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)을 밀봉(encapsulation)하여 외부로부터 수분 및/또는 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다.An encapsulation layer (not shown) may be formed on the common electrode 270. The encapsulation layer encapsulates the organic light emitting member 370 and the common electrode 270 to prevent moisture and / or oxygen from penetrating from the outside.

이러한 유기 발광 표시 장치에서, 게이트선(121)에 연결되어 있는 제1 제어 전극(124a), 데이터선(171)에 연결되어 있는 제1 입력 전극(173a) 및 제1 출력 전극(175a)은 선형 반도체(151)의 돌출부(154a)와 함께 스위칭 박막 트랜지스터(switching TFT)(Qs)를 이루며, 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)의 채널(channel)은 제1 입력 전극(173a)과 제1 출력 전극(175a) 사이의 돌출부(154a)에 형성된다. 제1 출력 전극(175a)에 연결되어 있는 제2 제어 전극(124b), 구동 전압선(172)에 연결되어 있는 제2 입력 전극(173b) 및 화소 전극(191)에 연결되어 있는 제2 출력 전극(175b)은 섬형 반도체(154b)와 함께 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)(Qd)를 이루며, 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 채널은 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b) 사이의 섬형 반도체(154b)에 형성된다. 구동 전류를 크게 하기 위하여 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 채널의 폭을 크게 하거나 채널 길이를 짧게 할 수 있다. In the organic light emitting diode display, the first control electrode 124a connected to the gate line 121, the first input electrode 173a and the first output electrode 175a connected to the data line 171 are linear. A switching TFT Qs is formed together with the protrusion 154a of the semiconductor 151, and a channel of the switching TFT Qs is formed by the first input electrode 173a and the first output electrode 175a. Is formed in the projections 154a between the. The second control electrode 124b connected to the first output electrode 175a, the second input electrode 173b connected to the driving voltage line 172, and the second output electrode connected to the pixel electrode 191 ( 175b forms a driving TFT Qd together with the island semiconductor 154b, and a channel of the driving TFT Qd is an island between the second input electrode 173b and the second output electrode 175b. It is formed in the semiconductor 154b. In order to increase the driving current, the channel width of the driving thin film transistor Qd may be increased or the channel length may be shortened.

화소 전극(191), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 다이오드(LD)를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드(anode), 공통 전극(270)이 캐소드(cathode)가 되거나 반대로 화소 전극(191)이 캐소드, 공통 전극(270)이 애노드 가 된다. 또한 서로 중첩하는 유지 전극(127)과 구동 전압선(172)은 유지 축전기(storage capacitor)(Cst)를 이룬다.The pixel electrode 191, the organic light emitting member 370, and the common electrode 270 form an organic light emitting diode LD, and the pixel electrode 191 is an anode and the common electrode 270 is a cathode. Alternatively, the pixel electrode 191 becomes a cathode and the common electrode 270 becomes an anode. In addition, the storage electrode 127 and the driving voltage line 172 overlapping each other form a storage capacitor Cst.

한편, 반도체(151, 154b)가 다결정 규소인 경우에는, 제어 전극(124a, 124b)과 마주보는 진성 영역(intrinsic region)(도시하지 않음)과 그 양쪽에 위치한 불순물 영역(extrinsic region)(도시하지 않음)을 포함한다. 불순물 영역은 입력 전극(173a, 173b) 및 출력 전극(175a, 175b)과 전기적으로 연결되며, 저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 생략할 수 있다.On the other hand, when the semiconductors 151 and 154b are polycrystalline silicon, an intrinsic region (not shown) facing the control electrodes 124a and 124b and an impurity region (extrinsic region) located at both sides thereof are not shown. Not included). The impurity region is electrically connected to the input electrodes 173a and 173b and the output electrodes 175a and 175b, and the ohmic contacts 163a, 163b, 165a and 165b may be omitted.

또한, 제어 전극(124a, 124b)을 반도체(151, 154b) 위에 둘 수 있으며 이때에도 게이트 절연막(140)은 반도체(151, 154b)와 제어 전극(124a, 124b) 사이에 위치한다. 이때, 데이터 도전체(171, 172, 173b, 175b)는 게이트 절연막(140) 위에 위치하고 게이트 절연막(140)에 뚫린 접촉 구멍(도시하지 않음)을 통하여 반도체(151, 154b)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이와는 달리 데이터 도전체(171, 172, 173b, 175b)가 반도체(151, 154b) 아래에 위치하여 그 위의 반도체(151, 154b)와 전기적으로 접촉할 수 있다.In addition, the control electrodes 124a and 124b may be disposed on the semiconductors 151 and 154b, and the gate insulating layer 140 may be positioned between the semiconductors 151 and 154b and the control electrodes 124a and 124b. In this case, the data conductors 171, 172, 173b, and 175b may be disposed on the gate insulating layer 140 and may be electrically connected to the semiconductors 151 and 154b through contact holes (not shown) bored in the gate insulating layer 140. . Alternatively, the data conductors 171, 172, 173b, and 175b may be positioned under the semiconductors 151 and 154b to be in electrical contact with the semiconductors 151 and 154b thereon.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, And falls within the scope of the invention.

발광층에서 엑시톤 생성 효율을 높여 색 순도 및 색 안정성을 높일 수 있다.Exciton production efficiency may be increased in the emission layer to increase color purity and color stability.

Claims (9)

기판,Board, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극,A first electrode formed on the substrate, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, A second electrode facing the first electrode, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 제1 HOMO 준위와 제1 LUMO 준위를 가지는 제1 발광층, 그리고A first light emitting layer positioned between the first electrode and the second electrode and having a first HOMO level and a first LUMO level, and 상기 제1 발광층과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 제2 HOMO 준위와 제2 LUMO 준위를 가지는 제2 발광층A second emission layer positioned between the first emission layer and the second electrode and having a second HOMO level and a second LUMO level; 을 포함하며,/ RTI &gt; 상기 제1 HOMO 준위와 상기 제2 HOMO 준위는 서로 다르고 상기 제1 LUMO 준위와 상기 제2 LUMO 준위는 서로 다르며,The first HOMO level and the second HOMO level are different from each other, and the first LUMO level and the second LUMO level are different from each other, 상기 제1 HOMO 준위와 상기 제1 LUMO 준위 사이의 띠 간격(band gap)과 상기 제2 HOMO 준위와 상기 제2 LUMO 준위 사이의 띠 간격은 동일하고,A band gap between the first HOMO level and the first LUMO level and a band gap between the second HOMO level and the second LUMO level are equal, 상기 제1 HOMO 준위는 상기 제2 HOMO 준위보다 상기 제1 HOMO 준위와 상기 제1 LUMO 준위 사이의 띠 간격 대비 13% 내지 20% 낮은The first HOMO level is 13% to 20% lower than the band gap between the first HOMO level and the first LUMO level than the second HOMO level. 유기 발광 표시 장치.Organic light emitting display. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 전극과 상기 제1 발광층 사이에 형성되어 있는 정공 전달층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.And a hole transport layer formed between the first electrode and the first emission layer. 제2항에서,3. The method of claim 2, 상기 제2 전극과 상기 제2 발광층 사이에 형성되어 있는 정공 저지층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.And a hole blocking layer formed between the second electrode and the second light emitting layer. 삭제delete 삭제delete 제3항에서,4. The method of claim 3, 상기 제1 발광층은 4,4'-비스(카바졸-9-일)비페닐(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl), 4,4'-비스(9-카바졸일)-2,2'-디메틸비페닐(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl), 4,4'-비스(카바졸-9-일)-9,9'-디메틸-플루오렌(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9'-dimethyl-fluorene)에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하고, The first light emitting layer is 4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl (4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl), 4,4'-bis (9-carbazolyl) -2,2'-dimethylbiphenyl (4,4'-bis (9-carbazolyl) -2,2'-dimethyl-biphenyl), 4,4'-bis (carbazol-9-yl) -9,9 At least one substance selected from '-dimethyl-fluorene (4,4'-bis (carbazol-9-yl) -9,9'-dimethyl-fluorene), 상기 제2 발광층은 4,4'-비스(2,2'-디페닐비닐)비페닐(4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)biphenyl), 4,4'-비스(2,2'-디페닐비닐)-4,4'-디메틸페닐)(4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)-4,4'-dimethylphenyl), 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)-4,4'-디-(t-부틸)페닐(4,4'-bis(2,2-diphenylvinyl)-4,4'-di-(t-butyl)phenyl)에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 The second emission layer is 4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) biphenyl (4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) biphenyl), 4,4'-bis (2, 2'-diphenylvinyl) -4,4'-dimethylphenyl) (4,4'-bis (2,2'-diphenylvinyl) -4,4'-dimethylphenyl), 4,4'-bis (2,2 -Diphenylvinyl) -4,4'-di- (t-butyl) phenyl (4,4'-bis (2,2-diphenylvinyl) -4,4'-di- (t-butyl) phenyl) selected from Containing at least one substance 유기 발광 표시 장치.Organic light emitting display. 제3항에서,4. The method of claim 3, 상기 정공 저지층과 상기 제2 전극 사이에 형성되어 있는 전자 전달층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. The organic light emitting display device further comprises an electron transport layer formed between the hole blocking layer and the second electrode. 제1항에서,In claim 1, 상기 기판과 상기 제1 전극 사이에는 Between the substrate and the first electrode 서로 교차하는 제1 신호선 및 제2 신호선,A first signal line and a second signal line crossing each other, 상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제1 박막 트랜지스터, 그리고A first thin film transistor connected to the first signal line and the second signal line, and 상기 제1 박막 트랜지스터 및 상기 제1 전극과 연결되어 있는 제2 박막 트랜지스터A second thin film transistor connected to the first thin film transistor and the first electrode 를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.An organic light emitting display device further comprising. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 LUMO 준위는 상기 제2 LUMO 준위보다 상기 제1 HOMO 준위와 상기 제1 LUMO 준위 사이의 띠 간격 대비 13% 내지 20% 낮은 유기 발광 표시 장치.The first LUMO level is 13% to 20% lower than the band gap between the first HOMO level and the first LUMO level than the second LUMO level.
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