KR20100041820A - 가변적 열 전도 프로파일을 구비하는 공정 시스템 플래튼 - Google Patents

가변적 열 전도 프로파일을 구비하는 공정 시스템 플래튼 Download PDF

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KR20100041820A
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비크람 싱흐
리차드 에스. 무카
티모시 제이. 밀러
최창훈
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베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
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    • H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
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Abstract

공정 시스템을 위한 플래튼은 적어도 하나의 경계에 의해 분리되는 제1 및 제2 열 영역을 포함한다. 제1 유체 도관이 제1 열 영역 내에 위치한다. 제2 유체 도관이 제2 열 영역 내에 위치한다. 유체 저장소는 상기 제1 열 유체 도관에 결합하는 제1 출력단 및 상기 제2 열 도관에 결합하는 제2 출력단을 갖는다. 상기 유체 저장소는 상기 플래튼에서 미리 설정된 열 전도 프로파일이 달성되도록 상기 제1 열 영역에 제1 열 전도성을 제공하는 제1 유체 조건들로 상기 제1 유체 도관에 유체를 제공하고 상기 제2 열 영역에 제2 열 전도성을 제공하는 제2 유체 조건들로 상기 제2 유체 도관에 유체를 제공한다.

Description

가변적 열 전도 프로파일을 구비하는 공정 시스템 플래튼{A PROCESSING SYSTEM PLATEN HAVING A VARIABLE THERMAL CONDUCTIVITY PROFILE}
(본원에 사용된 소제목은 구조적 목적으로만 사용되고 본원에 개시된 발명을 제한하도록 이해되어서는 안 된다.)
반도체는 반도체 소자를 포함한 많은 제품에 폭 넓게 사용되어 왔다. 소자의 성능을 개선하기 위하여 소자 제조 공정을 개선하기 위한 많은 노력이 있어왔다. 일반적으로, 많은 수의 반도체 소자가 단일 반도체 기판상에 형성된다. 반도체 소자의 복잡성에 의해, 기판은 수많은 공정을 겪게 된다.
플라즈마 기반 공정은 그러한 반도체 소자 제조 공정의 하나이다. 특히, 플라즈마 기반 공정은 기판을 세정, 식각, 및 밀링(milling)하거나 또는 기판상에 물질을 증착하기 위해 사용될 수 있다. 더욱 최근에, 플라즈마 기반 공정은 도핑 또는 주입 공정으로서 사용되고 있다. 당해 분야에 공지된 바와 같이, 도핑 또는 주입 공정은 기판의 전기적, 광학적 및/또는 기계적 특성을 변경하기 위하여 불순물을 기판으로 도입하는 공정이다. 종종 PLAD 또는 플라즈마 잠입 이온 주입(plasma immersion ion implantation, PIII)으로 불리우는 플라즈마 도핑 공정은 최근의 전기적 또는 광학적 소자의 도핑 요구사항들을 충족하도록 발전되어 왔다.
PLAD 공정은 종래 빔 라인 이온 주입 공정과 상이하다. 빔 라인 이온 주입 공정에서, 바람직한 종(species)의 이온은 빔 라인 이온 주입 시스템의 이온 소스에서 발생한다. 발생한 이온은 그 후에 추출 전극에 의해 추출되고, 정해진 에너지로 기판의 앞면 쪽으로 가속된다. 이온을 기판 쪽으로 가속하는 공정에서, 이온은 그들의 질량 대 전하비(mass-to-charge ratio)에 따라 여과될 수 있고, 바람직한 이온들만이 기판에 주입될 수 있다.
PLAD 공정에서, 기판은 도펀트 이온을 포함하는 플라즈마에 잠입될 수 있다. 기판은 플라즈마로부터 이온을 끌어당기기 위하여 일련의 전압 펄스로 바이어스될 수 있고, 끌어당겨진 이온은 기판에 주입될 수 있다. 용어 '기판'은 본원에서 주입되는 금속, 반도체, 절연성 작업대상물로서 정의된다.
당해 기술에 공지된 바와 같이, PLAD 공정을 수행하기 위한 시스템은 챔버, 유전창(dielectric window) 및 유전창 근처에 배치되는 무선주파수(radio frequency, RF) 코일을 포함할 수 있다. 플래튼(platen)에 의해 지지되는 기판은 챔버 내에 배치된다. 여러 시스템에서, 유전창은 실린더형 유전창일 수 있고, 코일은 실린더형 유전창을 둘러싸는 나선형 코일일 수 있다. 몇몇 다른 시스템에서, 유전창은 수평적으로 연장하는 유전창일 수 있고, 코일은 수평적으로 연장하는 유전창 위에 배치되는 평면 코일일 수 있다.
작동시, PLAD 시스템의 챔버는 플라즈마를 발생시키고 유지하기에 적합한 낮은 압력으로 배기될 수 있다. 불순물을 포함하는 적어도 하나의 공정 가스가 챔버내로 도입될 수 있다. 그 후에, 무선 주파수 전류가 공정 가스를 플라즈마로 변환하기 위하여 코일에 인가될 수 있다. 플라즈마에는, 전자, 공정가스 이온, 뉴트럴(neutrals) 및 잔여물들(residuals)이 포함될 수 있다. 바이어스 전압이 기판에 인가될 수 있고, 플라즈마에 포함된 이온들이 가속되어 기판에 주입될 수 있다.
당해 기술에 공지된 바와 같이, PLAD 공정은 고온 공정일 수 있다. 플라즈마는 많은 양의 열을 발생시킬 수 있다. 또한, 이온들이 기판에 주입됨에 따라, 열이 발생되어 기판에 가해질 수 있다. 당해 기술에 공지된 바와 같이, 기판에 가해지는 과잉의 열은 성능이 불량한 소자를 초래할 수 있고/있거나 소자 수율을 감소시킬 수 있다.
과잉의 열과 관련된 해로운 효과를 보상하기 위하여, 다양한 방법들 및 장치가 제안되어 왔다. 하나의 제안은 기판의 앞면이 처리될 때 기판의 뒷면(back surface) 근처에 냉각 가스를 제공하기 위한 공간을 포함하는 플래튼을 제공한다. 냉각 가스를 뒷면 근처에 제공함으로써, 기판의 온도가 낮아질 수 있고, 과잉 열의 해로운 효과가 감소할 수 있다.
그러나, 과잉의 열은 기판 공정 동안 기판에 발생하거나 가해지는 열과 관련된 여러 개의 부작용 중 하나일 뿐이다. 상술한 플래튼이 그러한 효과의 하나를 보상할 수 있을지라도, 플래튼은 다른 열 관련 부작용에 대처하지 못할 수 있다. 따라서, 더 나은 방법 및 장치가 필요하다.
본 발명은 바람직하고 전형적 실시예들에 따라 그들의 추가적 이점과 함께 첨부된 도면과 함께 다음에서 더 구체적이고 상세히 설명된다. 도면은 반드시 축척에 맞지는 않으며, 대신에 본 발명의 원리를 예시하기 위해 대체로 과장될 수 있다.
도 1a는 제1 공정 환경하에서 플라즈마 도핑과 같은 플라즈마 공정 동안의 기판 온도 프로파일을 예시한다.
도 1b는 제2 공정 환경하에서 플라즈마 도핑과 같은 플라즈마 공정 동안의 기판 온도 프로파일을 예시한다.
도 1c는 제3 공정 환경하에서 플라즈마 도핑과 같은 플라즈마 공정 동안의 기판 온도 프로파일을 예시한다.
도 2a는 플라즈마 공정 동안 균일한 기판 온도 프로파일을 유지하는 본 발명의 일 실시예에 따른 플래튼의 간략한 평면도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따라 플라즈마 공정 동안 균일한 기판 온도 프로파일을 유지하는 도 2a에 도시된 플래튼의 상세한 평면도이다.
도 2c는 도 2a-도 2b와 관련하여 개시된 플래튼 및 기판의 측면도를 예시한다.
도 3은 중앙 영역(central region) 및 복수의 인접 영역들(adjacent regions)을 구비하는 본 발명에 따른 플래튼의 다른 실시예의 평면도이다.
도 4는 중앙 영역 및 제1 및 제2 서브 영역들(sub-regions)에서의 복수의 인접 영역들을 구비하는 본 발명에 따른 플래튼의 또 다른 실시예의 평면도이다.
도 5는 매트릭스로 위치하는 복수의 직사각형 영역들을 포함하는 본 발명에 따른 플래튼의 또 다른 실시예의 평면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 플래튼에 유체(fluids)를 공급하는 유체 공급기(fluid supply)의 일 실시예를 예시한다.
도 7은 본 발명에 따른 플래튼에 유체를 공급하는 유체 공급기의 다른 실시예를 예시한다.
도 8은 본 발명에 따른 플래튼과 유체 공급기를 포함하는 플라즈마 공정 시스템을 예시한다.
본원에서 '일 실시예' 또는 '실시예'는 그 실시예와 관련하여 설명되는 특별한 특징, 구조 또는 특성이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되는 것을 의미한다. 본원의 다양한 곳에서 보이는 '일 실시예에서'라는 문구는 반드시 모두가 동일한 실시예를 언급하는 것은 아니다.
본 발명의 방법들의 개별 단계들은 본 발명이 작동 가능한 한 임의의 순서 및/또는 동시에 수행될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 본 발명의 장치 및 방법들은 본 발명이 작동 가능한 한 개시된 실시예들 중 임의의 수 또는 모두를 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
본 발명이 이제 첨부된 도면에 도시된 전형적 실시예들을 참조하여 더욱 상세하게 설명될 것이다. 본 발명이 다양한 실시예들 및 예들과 관련하여 설명되지만, 본 발명이 그러한 실시예들에 한정되도록 의도되진 않는다. 오히려, 해당 기술의 당업자들에게 이해될 것인 바와 같이, 본 발명은 다양한 대안, 변형 및 균등물을 포함한다. 본원의 교시에 접근할 수 있는 해당 기술의 통상의 당업자들은 추가적 이행, 변형 및 실시예들 뿐 아니라 다른 분야의 사용을 인지할 것인데, 이들은 본원에 설명된 본 발명의 범위에 속한다. 예를 들어, 본 발명의 교시는 빔 라인 이온 주입 시스템 또는 다른 플라즈마 기반 기판 공정 시스템을 포함한 다른 유형의 기판 공정 시스템들에 동일하게 적용가능할 수 있다. 다른 실시예에서, 본 발명은 금속, 반도체, 초전도성(superconducting) 또는 절연성 기판을 포함한 다양한 유형의 기판들에 동일하게 적용가능할 수 있다.
본 발명은, 적어도 부분적으로, 플라즈마 공정을 겪는 기판이 방사상(radial) 및 방위각(azimuthal) 방향들 중 하나 또는 모두에서 불균일한 온도 프로파일을 가질 수 있다는 것에 대한 인식이다. 도 1a 내지 도 1c는 상이한 플라즈마 챔버 환경들하에서 플라즈마 도핑 또는 플라즈마 증착과 같은 플라즈마 공정 동안의 기판의 3차원 온도 프로파일(102,104,106)을 예시한다. 본 발명에서, 상이한 환경은 상이한 챔버 압력과 관련될 수 있다. 온도 프로파일(102,104,106)에서 T-축은 기판의 온도를 나타낸다.
도 1a는 제1 공정 환경하에서 플라즈마 도핑과 같은 플라즈마 공정 동안의 기판 온도 프로파일(102)을 예시한다. 도 1a에 예시된 바와 같이, 제1 플라즈마 공정 환경하에서 기판은 온도 편차(variation)를 경험할 수 있다. 예를 들어, 기판은 기판의 중앙(110) 근처에서 낮은 온도 및 제1 주변 영역(periphery region, 120)에서 높은 온도를 경험할 수 있다. 한편, 제2 주변 영역(130) 근처의 온도는 제1 주변 영역(120) 근처의 온도보다 더 높을 수 있다. 기판은 제3 주변 영역(140)에서 상대적으로 최고 온도를 경험할 수 있다.
도 1b는 제2 공정 환경하에서 기판의 온도 프로파일(104)을 예시한다. 도 1b에 예시된 바와 같이, 제2 환경하에서 기판은 또한 방사상 및 방위각 방향 중 하나 또는 모두를 따라 온도 편차를 경험할 수 있다.
도 1c는 제3 플라즈마 공정 조건 동안의 기판 온도 프로파일(106)을 예시한다. 제1 및 제2 공정 환경하의 기판과 달리, 제3 환경하에서 기판은 중앙 가까이에 더 높은 온도를 가질 수 있다. 도면에 예시된 바와 같이, 제3 환경하에서 기판의 온도는 방사상 및 방위각 방향 중 하나 또는 모두를 따라 변할 수 있다. 그러나, 방위각 방향을 따르는 온도 편차의 정도는 덜 현저할 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 플래튼(200)의 간략한 평면도이다. 도 2b는 도 2A에 도시된 플래튼(200)의 상세한 평면도이고, 도 2c는 기판(212)을 지지하는 플래튼(200)의 측면도이다. 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 플래튼(200)은 제1 내지 제3 영역(201 내지 203); 제1 내지 제3 유체 입력 영역(208 내지 210); 및 유체를 운반하기 위한 적어도 하나의 유체 홈(groove, 211)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 플래튼(200)은 3개의 영역(201-203), 4개의 경계(boundaries, 204-207) 및 3개의 유체 홈(211)을 포함할 수 있다. 그러나, 플래튼(200)이 임의 갯수의 영역, 경계 및 유체 홈을 가질 수 있다는 것이 고려된다. 각 영역(204-207)이 임의 갯수의 홈을 포함할 수 있다는 것이 또한 고려된다. 예를 들어, 각 영역(204-207)은 하나의 유체 홈(211) 또는 다중 유체 홈들(211)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 플래튼(200)의 적어도 하나의 영역은 홈(211)을 포함하지 않을 수 있다.
위에서 살펴본 바와 같이, 플래튼(200)은 제1 내지 제3 영역 유체 입력 포트(208-310)를 또한 포함할 수 있다. 도 2b에서 예시된 바와 같이, 플래튼(200)은 각 영역(201-203)에 단일 유체 입력 포트를 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 영역(201-203) 중 적어도 하나는 복수의 유체 입력 포트들을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 영역(201-203)은 상이한 갯수의 유체 입력 포트를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에서, 영역(201-203) 중 적어도 하나는 유체 입력 포트가 없을 수 있다. 마지막 실시예에서, 영역(201-203) 중 하나로 들어가는 유체는 영역(201-203) 중 다른 하나로 운반될 수 있다. 플래튼(200)은 또한 제1 내지 제3 영역(201-203) 중 적어도 하나에 배치된 적어도 하나의 가스 출력 포트(도시 안 됨)를 또한 선택사양으로(optionally) 포함할 수 있다. 플래튼(200)의 각 영역(201-203)에는 유체 출력 포트가 제공될 수 있다. 그러나, 영역(201-203) 중 적어도 하나 또는 전부가 유체 출력 포트가 없을 수 있다는 것이 또한 고려된다. 영역 중 하나가 유체 출력 포트를 포함하지 않을 경우, 상기 영역에 있는 유체는 인접한 다른 영역 또는 플라즈마 챔버로 나간다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 기판(212)은 플래튼(200)에 의해 지지될 수 있다. 기판(212)의 뒷면이 제1 내지 제3 영역(201-203) 및 제1 내지 제4 경계(304-207) 쪽에 마주할 수 있다. 본 발명에서, 유체는 상기 뒷면 근처에 제공될 수 있고, 유체는 열 전도성을 제공하기 위하여 뒷면에 접촉할 수 있다. 한편, 기판(212)의 앞면 및 처리되는 표면은 제1 내지 제3 영역(201-203) 및 제1 내지 제4 경계(304-207)로부터 이격되어 배치될 수 있다.
본 발명의 본 실시예에서, 플래튼(200)의 제1 영역(201)은 중앙 가까이에 배치될 수 있는 반면, 제2 및 제 3 영역(202,203)은 제1 영역(201) 가까이 배치될 수 있다. 비록 본 실시예의 플래튼(200)이 특별한 위치에서 제공되는 3개의 영역을 포함할 수 있을 지라도, 당업자는 각 영역의 위치가 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다.
상이한 영역들의 형상은 또한 본 발명에서 제한되지 않는다. 예를 들어, 본 실시예의 플래튼(200)은 중앙 근처의 제1 영역(201)이 실질적으로 원형 모양을 갖는 반면, 제2 및 제3 영역 (202, 203)은 서로 거울상(mirror image)인 형태를 갖도록 배열될 수 있다. 그러나, 당업자는 본 발명의 플래튼의 영역들이 다른 형상 또는 외형 구조를 가질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 플래튼(200)은 영역의 어느 것도 다른 영역의 거울상이 되지 않도록 배열될 수 있다. 당업자는 상이한 영역의 형상 또는 외형 구조가 동일하거나 상이할 수 있다는 것을 또한 인지할 것이다. 예를 들어, 상기 영역들은 영역들이 동일하거나 상이한 부피를 가질 수 있도록 동일하거나 상이한 높이를 가질 수 있다.
본 발명에서, 플래튼(200)은 다른 영역의 한 부분에 바로 인접한 한 부분을 갖도록 상기 영역(201-203)들 내에 구성될 수 있다. 예를 들어, 플래튼(200)은 제2 영역(202)의 적어도 한 부분이 제3 영역(203)의 적어도 한 부분에 인접하도록 모양 지어질 수 있다. 그러나, 당업자는 플래튼이 다른 영역에 바로 인접하지 않는 영역들이 있도록 구성될 수 있다는 것을 인지할 것이다. 예를 들어, 플래튼은 제1 영역은 플래튼의 중앙 가까이 배치되고 제2 및 제3 영역은 제1 영역의 반대쪽에 배치되는, 나란히 배치되는 3개의 영역을 포함할 수 있다. 이러한 실시예에서, 제2 및 제3 영역은 서로 인접한 부분들을 가질 필요가 없다.
본원에 기재된 바와 같이, 제1 내지 제4 경계(204-207)는 제1 내지 제3 영역(201-903)을 정의할 수 있다. 플래튼(200)의 제1 경계(204)는 제1 및 제2 영역(201, 202) 및/또는 제1 및 제3 영역(201, 203) 사이에 위치할 수 있다. 제2 경계(205)는 플래튼(200)의 외연에 인접할 수 있고, 제3 및 제4 경계(206, 207)는 제2 영역 및 제3 영역(202, 203) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 경계(204)는 예를 들어 약 100mm의 지름 및 예를 들어 약 1mm의 두께를 가질 수 있다. 한편, 제2 경계(205)는 예를 들어 약 295mm의 지름 및 예를 들어 약 2mm의 두께를 가질 수 있다. 또한, 유체 홈(211)은 약 1mm의 두께 및 약 0.5mm의 깊이를 가질 수 있다.
본 실시예에서, 하나 이상의 유체 유형이 하나 이상의 영역(201-203)에 제공될 수 있다. 영역(201-203)에서, 유체는 열 전도성을 제공하기 위하여 기판(212)의 뒷면 가까이에 또는 심지어 접촉하여 제공될 수 있다. 본 실시예가 각 영역에 제공되는 유체를 개시하지만, 유체가 제공되지 않는 적어도 하나의 영역이 있을 수 있다는 것이 또한 고려된다.
본 발명에서, 상기 유체는 정적 모드(static mode), 동적 모드(dynamic mode) 또는 그들의 조합으로 제공될 수 있다. 정적 모드에서, 유체는 소정의 시간 동안 영역에 제공되어 유지될 수 있다. 동적 모드에서, 유체는 플래튼(212)에 열 전도성을 제공하기 위하여 영역(201-203)으로 연속적으로 유입하고, 그 후에 영역(201-203)을 나올 수 있다.
본 발명에서, 동일 또는 상이한 유형의 유체가 상이한 영역에 제공될 수 있다. 예를 들어, 기체 또는 액체 형태로, 에어, 탈이온수(deionized water), Ar, He, H2, N2, Xe 및 Ne 유체 중 하나 또는 조합이 플래튼(200)의 제1 내지 제3 영역(201-203)에 제공될 수 있다. 다른 예에서, 영역(201-203) 중 하나에는 에어, 물, Ar, He, H2, N2, Xe 및 Ne 유체의 하나 또는 조합이 제공될 수 있고, 영역(201-203) 중 다른 하나에는 에어, 물, Ar, He, H2, N2, Xe 및 Ne 유체의 다른 조합이 제공될 수 있다.
동일한 유형의 유체가 상이한 영역에 제공된 경우라도, 상이한 영역(201-203)에 제공된 유체는 동일하거나 상이한 특성들을 가질 수 있다. 예를 들어, 상이한 영역에 제공되는 유체는 동일하거나 상이한 온도를 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 유체는 동일하거나 상이한 유량(flow rate)으로 상이한 영역(201-203)에 제공될 수 있다. 또한, 상이한 영역의 유체는 동일하거나 상이한 압력 수준하에서 유지될 수 있다.
본 발명에서, 경계(204-207)는 한 영역을 다른 영역들로부터 분리하도록 작용할 수 있다. 또한, 제2 경계(205)는 플래튼(200)의 영역(201-203)을 플라즈마 챔버 조건으로부터 분리하도록 작용할 수 있다. 그러나 바람직하다면, 적어도 하나의 채널(도시 안 됨)이 하나의 영역에 제공되는 유체가 다른 영역으로 흐를 수 있도록 하나의 경계에 배치될 수 있다. 본 발명에서, 이러한 채널은 하나 이상의 경계(204-207)의 상부(top), 중간부(middle) 및/또는 저부(bottom portion) 근처에 배치될 수 있다.
영역(201-203)이 서로 분리될 경우, 영역들의 조건은 기판(212)의 상이한 부분에 동일하거나 상이한 열 전도성을 제공하도록 동일하거나 상이한 조건으로 유지될 수 있다. 예를 들어, 영역(201-203)은 기판(212)의 상이한 부분에 동일하거나 상이한 열 전도성을 제공하도록 동일하거나 상이한 온도로 유지될 수 있다. 또 다른 예에서, 영역(201-203)은 동일하거나 상이한 열 전도율을 제공하도록 동일하거나 상이한 압력 수준으로 유지될 수 있다. 또 다른 예에서, 유체는 동일하거나 상이한 유량으로 상이한 영역들에 제공될 수 있다. 또 다른 예에서, 영역(201-203)에는 동일한 유형의 유체가 제공될 수 있다. 또한, 영역(201-203)은 상이한 열 전도성을 제공하도록 상이한 열 전도성을 갖는 상이한 유형의 유체가 제공될 수 있다. 동일하거나 상이한 열 전도율을 제공함으로써, 본 발명의 플래튼은 도 1a 내지 도 1c에 도시된 것과 같은 기판의 온도 편차를 촉진하거나 저지할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플래튼(300)의 정면도이다. 도 3에 예시된 바와 같이, 플래튼(300)은 플래튼(300)의 중앙 근처의 제1 영역(301) 및 제1 영역(301)에 인접한 제2 내지 제9 영역(302-309)을 포함한다. 또한, 플래튼(300)은 제1 내지 제9 영역(309)를 정의하는 복수의 경계(310-319)를 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 경계(310)는 제1 영역(301)과 제2 내지 제9 영역(302-309) 사이에 배치되고, 제2 경계(311)는 플래튼(300)의 외주에 인접하여 배치된다. 한편, 제3 내지 제10 경계(312-319) 각각은 제2 내지 제9 영역(302-309)을 정의하도록 배치될 수 있다.
본 발명에서, 본 실시예의 플래튼(300)은 도 2a 내지 도 2c와 관련하여 개시된 플래튼(200)의 특징들(features)과 유사한 많은 특징을 가질 수 있다. 이러한 유사한 특징은 플래튼(300)이 또한 유사하거나 상이하게 모양 지어진(302-309 참조) 영역들(301-309)을 포함할 수 있다는 사실을 포함할 수 있다. 또한, 플래튼(300)의 영역(301-309)은 플래튼(300)에 의해 지지되는 기판(도시됨)에 열 전도성을 제공하기 위한 유체를 포함할 수 있다.
도 2와 관련하여 개시된 플래튼(200)과 유사하게, 본 실시예의 플래튼(300)은 상이한 영역(301-209)의 조건들이 동일하거나 상이한 조건하에서 제어되고 유지될 수 있도록 배열될 수 있다. 본원에 개시된 바와 같이, 플래튼(300)의 상이한 영역들의 조건을 제어함으로써 플래튼(300)은 균일하거나 불균일한 열 전도성을 제공할 수 있고 기판의 불균일한 온도 프로파일을 최소화하도록 할 수 있다. 바람직하다면, 플래튼(300)은 본원에서 플래튼(200)과 관련하여 기재된 바와 같이 균일한 온도 프로파일을 최소화하기 위하여 균일하거나 불균일한 열 전도성을 제공할 수 있다. 플래튼(300)의 상이한 영역(301-309)의 조건들은 영역(301-309)에 동일하거나 상이한 성질을 갖는 유체를 제공함으로써 제어될 수 있다. 예를 들어, 동일하거나 상이한 열 전도성을 갖는 유체가 영역들(301-309)에 제공될 수 있다. 다른 예에서, 동일하거나 상이한 온도를 갖는 동일하거나 상이한 유체가 영역(301-309)에 제공될 수 있다.
영역(301-309)의 조건들은 동일하거나 상이한 유량하에서 유체를 제공함으로써 또한 제어될 수 있다. 또한, 상이한 영역의 압력은 동일하거나 상이한 수준으로 유지될 수 있다. 본 실시예에서, 영역들에 제공되는 유체는 예를 들어, 기체 또는 액체 형태로, 에어, 물, Ar, He, H2, N2, Xe 및 Ne 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
플래튼(200)과 상이한 본 플래튼(300)의 특징들은 영역(301-309)의 몇개 또는 전부의 개수, 형상, 치수 및 또는 상대적적인 위치일 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플래튼(400)의 평면도이다. 도 4에 예시된 바와 같이, 플래튼(400)은 플래튼(400)의 중앙 근처의 제1 영역(401); 제1 영역(401)에 인접한 제2 내지 제9 서브영역(sub-regions)(402-409); 및 제2 내지 제9 서브영역(402-409)에 인접한 제10 내지 제17 서브영역(410-417)을 포함할 수 있다. 플래튼(400)은 제1 영역(401)과 제2 내지 제9 서브영역(402-409) 사이에 위치하는 제1 경계(418); 플래튼(400)의 외연에 인접한 제2 경계(419); 제2 내지 제9 서브영역(402-409)과 제10 내지 제17 서브영역(410-417) 사이에 위치하는 제3 경계(420)를 또한 포함할 수 있다. 플래튼(400)은 플래튼(600)의 제2 내지 제17 서브영역(402-417)을 정의하는 복수의 서브경계(421-436)를 또한 포함할 수 있다.
본 발명에서, 본 실시예의 플래튼(400)은 플래튼(200,300)의 특징과 유사한 여러 특징을 가질 수 있다. 명확하고 간단하게 할 목적으로, 유사한 특징들은 도 4와 관련하여 설명하지 않겠다.
도 4에 도시된 본 실시예의 하나의 다른 특징은 플래튼(400)의 제10 내지 제17 영역(410-417)에서 찾을 수 있다. 도 4에 예시된 바와 같이, 제10 내지 제17 영역(410-417)은 제1 영역(401)로부터 이격되고 바로 인접하지 않을 수 있다. 이러한 구성은 제1 영역이, 예를 들어, 제10 내지 제17 영역(410-417)으로부터 열적으로 분리되도록 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플래튼(500)의 평면도이다. 도 5에 예시된 바와 같이, 본 실시예의 플래튼(500)은 어레이(array)로 위치하는 복수의 직사각형 영역(502); 영역(502)을 정의하도록 위치되는 복수의 경계(504)를 포함할 수 있다. 본 발명에서, 본 실시예의 플래튼(500)은 전술한 플래튼(200, 300, 400)의 특징들과 유사한 여러 특징을 포함할 수 있다. 명확하고 간단하게 할 목적으로, 플래튼(500)의 유사한 특징들은 도 5와 관련하여 설명하지 않겠다.
도 5에 도시된 본 실시예의 하나의 다른 특징은 영역(502)의 형상 및 치수에서 찾을 수 있다. 또한, 다른 영역들(502)과 관련하여 각 역역의 위치가 다를 수 있다. 예를 들어, 플래튼(500)의 영역들(502)은 동심원(concentric)이 아니다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플래튼(200, 300, 400, 500)에 유체를 공급하기 위한 유체 공급 유닛(600)을 예시한다. 유체 공급 유닛(600)은 유체 저장소(601) 및 제1 내지 제3 압력 제어기(602-604); 및 제1 내지 제3 필터(605-607); 제1 내지 제3 밸브(608-610); 제1 내지 제3 구멍(orifices, 611-613); 밸러스트 탱크(ballast tank, 614); 및 진공펌프(615)를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제1 내지 제3 압력 제어기(602-604)는 저장소(601)로부터 제1 내지 제3 유체 도관(601A, 601B, 601C)으로의 유량 및/또는 유체의 압력을 독립적으로 제어할 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 압력 제어기(602-604)는 각 영역에 제공되는 유체의 압력을 모니터 및/또는 설정할 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 필터(605-607)는 제1 내지 제3 도관(801A, 801B, 801C)를 통과하는 유체를 여과할 수 있다.
제1 내지 제3 밸브(608-610)는 필터(605-607)로부터 밸브(608-610)와 연통하는 플래튼(620)의 영역들로의 유체의 흐름을 제어할 수 있다. 제1 내지 제3 밸브(608-610)에 평행하게 연결된 제1 및 제3 구멍(611-613)은 플라즈마(620)의 영역으로의 유체의 흐름을 제한할 수 있다.
도 6에 예시된 바와 같이, 밸러스트 탱크(614)는 제1 내지 제3 밸브(608-610) 및 제1 내지 제3 구멍(611-613)에 결합할 수 있다. 한편, 진공펌프(615)는 밸러스트 탱크(614)에 결합하여 유체 저장소(601)로부터 제1 내지 제3 유체 도관(601A, 601B, 60Cc)을 통하여 유체를 운반하기 위한 차압을 발생시킬 수 있다. 또한, 진공펌프(615)는 플래튼(620)의 영역들로부터 유체를 배기하기 위한 차압을 발생시킬 수 있다. 일 실시예에서, 유체 공급 유닛(600)은 저장소(601) 근처에 위치하는 히터 및/또는 냉각기와 같은 적어도 하나의 온도 제어기(601D)를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 온도 제어기(도시하지 않음)가 도관(601A, 601B, 601C)에서 유체의 온도를 독립적으로 제어하기 위하여 제1 내지 제3 도관(601A, 601B, 601C) 중 적어도 하나에 제공될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3 압력 제어기(602-604)는 저장소(601)에 직접 결합될 수 있다. 제1 압력 제어기(602), 제1 필터(605) 및 제1 밸브(608)는 제1 도관(601A)을 통하여 서로 직렬로 결합할 수 있다. 제2 압력 제어기(603), 제2 필터(606) 및 제2 밸브(609)는 제2 도관(601B)을 통하여 서로 직렬로 결합할 수 있다. 제3 압력 제어기(604), 제3 필터(607) 및 제3 밸브(610)는 제3 도관(601C)을 통하여 서로 직렬로 결합할 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 구멍(611-613)은 제1 내지 제3 밸브(608-610) 각각에 평행하게 결합할 수 있다. 밸러스트 탱크(614)는 제1 내지 제3 밸브(608-610) 및 제1 내지 제3 구멍(611-613)에 결합할 수 있다. 진공펌프(615)는 밸러스트 탱크(614)에 결합할 수 있다.
작동시, 진공펌프(615)는 차압을 발생시키고 저장소(601)의 유체를 제1 내지 제3 유체 도관(601A-601C)으로 운반할 수 있다. 앞에서 언급된 바와 같이, 유체 저장소(601)에 담겨서 제1 내지 제3 유체 도관(601A-601C)을 통하여 운반되는 유체는 에어, 탈이온수, Ar, He, H2, N2, Xe 및 Ne 중 하나이거나 조합일 수 있다. 유체 저장소(601)에 담긴 유체는 액체 또는 기체 형태일 수 있다.
제1 내지 제3 유체 도관(601A, 601B, 601C)을 통하여 흐르는 유체의 압력은 압력 제어기(602-604)에 의해 독립적으로 제어될 수 있다. 예를 들어, 압력 제어기(602-604)는 제1 내지 제3 유체 도관(601A, 601B, 601C) 중 임의의 하나를 통하여 고유량(high flow rate), 중간유량(intermediate flow rate) 또는 저유량(low flow rate)으로 흐르는 유체를 모니터 및 설정하는데 사용될 수 있다. 또는, 압력 제어기(602-604)는 유체가 제1 내지 제3 유체 도관((601A, 601B, 601C) 중 임의의 하나를 통하여 흐르는 것을 방지할 수 있다. 필터(605-607) 각각은 유체를 여과할 수 있고, 밸브(608-613)는 플래튼(300)의 영역, 구멍(611-613) 및 밸러스트 탱크(614)로의 유체 흐름을 제어할 수 있다. 압력 제어기(602-604), 밸러스트 탱크(614), 구멍(611-613) 및 진공펌프(615)의 조합은 플래튼(300)의 영역들 내 유체 압력을 하나 이상의 원하는 수준으로 유지할 수 있다.
예를 들어, 각 압력 제어기(602-604)는 미리 설정된 압력으로 유체를 공급하도록 구성될 수 있다. 밸러스트 탱크(614) 및 진공펌프(615)는 급속히 펌핑하여 제1 내지 제3 유체 도관(601A, 601B, 601C) 내 유체에 차압을 제공하도록 구성된다. 제1 내지 제3 구멍(611-613)은 압력 제어기(602-604)로부터 밸러스트 탱크(614)로 유체의 흐름을 감소시킬 수 있다. 제1 내지 제3 구멍(611-613)은 또한 하나 이상의 미리 설정된 수준으로 플래튼(300)의 각 영역에서의 압력을 유지하도록 설계된다.
본 발명에서, 유체 공급 유닛(600)은 상기 영역들에 포함된 유체가 영역들을 나와 밸러스트 탱크(614)에 제공될 수 있도록 하는 유체 출력 도관들(도시하지 않음)을 또한 포함할 수 있다. 이러한 유체 출력 도관들은 또한 제1 내지 제3 밸브(608-610)에 결합할 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 유체 공급 유닛(700)의 다른 실시예를 예시한다. 유체 공급 유닛(700)은 유체 공급 유닛(600)의 특징들과 유사한 특징들을 포함할 수 있다. 그러나, 유체 공급 유닛(700)은 복수의 유체 저장소(701, 702); 복수의 상응하는 밸러스트 탱크(715, 716); 및 복수의 진공 펌프(717, 718)를 포함할 수 있다.
도 7에 예시된 바와 같이, 유체 공급 유닛(700)은 제1 및 제2 유체 저장소(701, 702)를 포함할 수 있다. 그러나, 당업자는 유체 공급 유닛(700)이 상이한 개수의 유체 저장소를 포함할 수 있다는 것을 인지할 것이다. 본 발명에서, 저장소(701, 702)는 동일하거나 상이한 유형의 유체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 저장소(701, 702)는 상이한 열 전도성을 갖는 상이한 유체를 포함할 수 있다. 또한, 저장소(701, 702)는 동일하거나 상이한 성질(예, 온도 및 유량)을 갖는 유체를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 유체 저장소(701,702) 각각은 유체 온도를 조절하기 위한 온도 제어기(701A, 702A)를 포함할 수 있다. 본원에 개시된 다른 실시예의 온도 제어기와 같이, 본 실시예의 온도 제어기(701D, 702D)는 히터 및/또는 냉각기일 수 있다. 또한, 적어도 하나의 온도 제어기(도시 안 됨)가 저장소(701,702) 가까이의 온도 제어기(701D, 702D)에 추가적으로 또는 그 대신에 도관(701A, 701B, 701C) 근처에 제공될 수 있다.
도 7에 예시된 바와 같이, 제1 및 제2 압력 제어기(703, 704)가 제1 저장소(701)에 결합할 수 있는 반면, 제3 압력 제어기(705)는 제2 저장소(702)에 결합할 수 있다. 제1 압력 제어기(703)는 제1 유체 도관(701A)을 통하여 제1 필터(706) 및 제1 밸브(709)에 직렬로 결합할 수 있다. 또한, 제2 압력 제어기(704)는 제2 유체 도관(701B)을 통하여 제2 필터(707) 및 제2 밸브(710)에 직렬로 결합할 수 있다. 또한, 제3 압력 제어기(705)는 제3 유체 도관(701C)을 통하여 제3 필터(708) 및 제3 밸브(711)에 직렬로 결합할 수 있다.
도 7에 예시된 바와 같이, 제1 내지 제3 구멍(712-714) 각각은 제1 내지 제3 밸브(709-711)에 각각 평행하게 연결될 수 있다. 제1 밸러스트 탱크(715)는 제1 및 제2 밸브(709, 710)와 제1 및 제2 구멍(712, 713)에 결합할 수 있다. 또한, 제2 밸러스트 탱크(716)는 제3 밸브(711)와 제3 구멍(714)에 결합할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 진공펌프(717, 718)는 제1 및 제2 밸러스트 탱크(715, 716)에 각각 결합할 수 있다.
유체 공급 유닛(700)의 작동은 도 6과 관련하여 설명된 유체 공급 유닛(600)의 작동과 유사할 수 있다. 본원에 기재된 바와 같이, 공급 유닛(700)은 상이한 유형의 유체에 상이한 유체 특성 및 작동 조건들을 제공할 수 있다.
도 8은 본 발명에 따른 플래튼(805) 및 유체 공급기(806)를 포함하는 플라즈마 공정 시스템(800)을 예시한다. 일 실시예에서, 플라즈마 공정 시스템(800)은 플라즈마 도핑 시스템이다. 그러나, 당업자는 본 발명의 플래튼 및 유체 공급 유닛들이 임의 유형의 플라즈마 기반 공정 시스템 및 플래튼을 사용하는 임의의 다른 유형의 공정 시스템에 적용될 수 있다는 것을 알 것이다. 예를 들어, 플라즈마 공정 시스템은 빔라인 이온 주입 시스템과 같은 다른 유형의 도핑 시스템 또는 플라즈마 기반 식각 또는 증착 시스템일 수 있다.
플라즈마 공정 시스템(800)은 기판(802)이 배치되거나 처리되는 적어도 하나의 챔버(801)를 포함한다. 챔버(801)는 플래튼(805) 및/또는 기판(802)의 온도를 제어하는 히터 및/또는 냉각기를 포함할 수 있다. 유체 공급 유닛(806)은, 도 6 및 도 7과 함께 이미 설명된 바 있는 도 6 및 도 7과 관련하여 설명된 유체 공급 유닛(600, 700)과 같이, 플래튼(805)의 각 영역에 적어도 하나의 유형의 유체를 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 유체 공급 유닛(806)은 상술된 압력 제어기(602-604, 703-705)와 같은 압력 제어기들을 포함한다. 상기 압력 제어기들은 플래튼(805)의 각 영역으로 운반되는 유체들의 압력을 모니터 및 설정하도록 구성될 수 있다. 또한, 상기 시스템(800)은 압력 제어기들 이외에 플래튼(805)의 각 영역에서 유체 특징을 모니터링하는 하나 이상의 유체 모니터를 포함할 수 있다. 플라즈마 공정 시스템(800)은 또한 기판(802)의 온도 편차를 모니터하는 온도 모니터를 포함할 수 있다.
챔버(801)는 제1 및 제2 코일(803, 804)을 포함한다. 제1 및 제2 코일(803, 804) 중 적어도 하나는 RF 전원(807)에 직접 접속되는 활성 코일(active coil)이다. 몇몇 실시예에서, 제1 및 제2 코일(803, 804) 중 하나는 기생코일 또는 기생 안테나이다. 용어 '기생 안테나'는 여기에서 활성 안테나와 전자기 통신을 하나, 전원 공급기에 직접 연결되지 않은 안테나를 뜻하는 것으로 정의된다. 달리 말해, 기생 안테나는 전원 공급기에 의해 직접 여기되지 않고, 오히려 기생 안테나와 전자기적으로 통신하도록 위치하는 활성 안테나에 의해 여기된다. 본 발명의 몇몇 실시예들에 있어서, 기생 안테나의 일단은 안테나 동조 기능을 제공하기 위하여 접지 전위에 전기적으로 연결된다. 이 실시예에서, 기생 안테나는 기생 안테나 코일에서 유효 권선수를 변경하는데 사용되는 코일 조정기를 포함한다. 금속 단락과 같은 수많은 다양한 형태의 코일 조정기가 사용될 수 있다.
작동시, 기판(802)은 챔버(801) 내에 위치할 수 있고, 챔버(801)는 배기될 수 있다. 유체 공급 유닛(806)은 플래튼(805)의 상이한 영역에 미리 설정된 압력 및/또는 온도로 적어도 하나의 유형의 유체를 제공할 수 있다. 플래튼(805)의 상이한 영역에 제공되는 미리 설정된 압력 및/또는 온도를 갖는 유체는 기판(802)에서 원하는 열 전도 프로파일을 달성할 수 있다.
일 실시예에서, 유체 공급 유닛(806)은 또한 플래튼(805)의 적어도 하나의 영역에서의 유체의 압력을 모니터링한다. 유체 공급 유닛(806)이 유체 누출의 존재를 검출한 경우, 압력 제어기(60-604, 703-705)는 공정을 중단하거나 원하는 기판(802) 온도 프로파일을 유지하기 위한 보정 조치를 취하도록 시스템(800)에 신호를 보낼 수 있다. 영역 사이의 유체 누출은 하나의 영역에서 압력의 감소 및/또는 다른 영역에서 압력의 증가를 검출함으로써 결정될 수 있다. 플래튼(805) 내 영역들 사이의 유체누출은 기판(802)의 온도 편차의 증가를 검출함으로써 또한 결정될 수 있다. 전체 공정 수율은 유체누출을 검출하고 보정 조치를 취함으로써 개선될 수 있다.
무선 주파 전력(radio frequency power)이 제1 및 제2 코일(803, 804) 중 적어도 하나에 인가된다. 상기 적어도 하나의 전력 공급된 코일은 플라즈마(809)를 발생시킨다. 플라즈마로(809)로부터 이온은 그 후에 예를 들어, 플래튼(805) 또는 기판(802)에 직접 또는 간접적으로 바이어스를 인가함으로써 기판(802) 쪽으로 인도된다.
플래튼(805)의 상이한 영역들에 상이한 압력 및/또는 온도의 유체들을 제공함으로써, 상이한 열 전도율(즉, 냉각 및/또는 가열 속도)이 기판(802)의 상이한 영역들에 제공될 수 있다. 따라서, 유체 공급 유닛(806)은 특정 플라즈마 공정에 대해 바람직한 열 전도 프로파일을 제공할 수 있다. 수많은 상이한 공정을 수행하는데 사용될 수 있는 거의 무제한 수의 열 전도 프로파일들이 있다. 가장 간단한 예로서, 유체 공급 유닛(806)이 플래튼(805)을 가로질러 온도 편차를 최소화하는 플래튼(805) 내 상대적으로 균일한 열 전도 프로파일을 제공하는데 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 적어도 두개의 상이한 유형의 유체가 기판(805)의 적어도 두개의 상이한 영역에 제공된다. 다양한 실시예들에서, 상이한 유형의 유체들의 열 전도성들은 상당히 상이할 수 있거나 유사할 수 있다. 적어도 2개의 상이한 유형의 유체를 사용함으로써 플래튼(805)의 상이한 섹션(section)에 상이한 유체 압력을 사용하지 않으면서 비교적 균일한 열 전도 프로파일을 제공할 수 있다. 예를 들어, 유체 공급 유닛(806)은 상대적으로 낮은 온도를 갖는 기판(802)의 일부 근처의 플래튼(805)의 한 영역에 N2와 같은 비교적 낮은 열 전도성을 갖는 유체를 제공함으로써 비교적 균일한 열 전도 프로파일을 제공할 수 있다. 또한, 유체 공급 유닛(806)은 비교적 높은 온도를 갖는 기판(802) 근처의 다른 영역에 He과 같은 비교적 높은 열 전도성을 갖는 유체를 제공할 수 있다.
본 발명의 플래튼의 하나의 이점은 상기 플래튼이 상이한 유형의 유체 및/또는 동일하거나 상이한 특징들을 갖는 유체를 제공하거나 유지할 수 있다는 것이다. 이와 같이, 본 발명의 플래튼은 효과적이지만 값비싼 유체의 요구량을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, He은 열 전도성을 제공하는데 매우 효과적이지만, 비싸다. 플라즈마 공정의 전체 비용은 He을 높은 열 전도를 필요로 하는 기판의 부분들에만 제공하고, 열 전도를 덜 필요로 하는 부분들에는 낮은 열 전도성을 갖는 덜 비싼 유체를 제공함으로써 감소될 수 있다.
본 발명이 다양한 실시예 및 예들과 함께 설명되었지만, 본 발명은 그러한 실시예들에 한정되도록 의도되지 않는다. 오히려, 당업자에 의해 이해될 것인 바, 본 발명은 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 만들어질 수 있는 다양한 대안, 변형 및 균등물을 포함한다.

Claims (25)

  1. 공정 시스템을 위한 플래튼에 있어서,
    a. 적어도 하나의 경계에 의해 분리되는 제1 및 제2 열 영역(thermal region);
    b. 상기 제1 열 영역에 위치하는 제1 유체 도관;
    c. 상기 제2 열 영역에 위치되는 제2 유체 도관; 및
    d. 상기 제1 유체 도관에 결합되는 제1 출력단 및 상기 제2 유체 도관에 결합되는 제2 출력단을 갖는 저장소를 포함하되,
    상기 저장소는 미리 설정된 열 전도 프로파일이 상기 플래튼에서 달성되도록 상기 제1 열 영역에 제1 열 전도성을 제공하는 제1 유체 조건으로 상기 제1 유체 도관에 유체를 제공하고 상기 제2 열 영역에 제2 열 전도성을 제공하는 제2 유체 조건으로 상기 제2 유체 도관에 유체를 제공하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 영역은 별개의 유체 입력 포트를 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 및 제2 유체 도관 중 적어도 하나는 유체를 운반하기 위한 상기 플래튼 내 홈을 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 및 제2 유체 조건들은 유체 유량, 유체 압력, 유체 온도, 유체 열 전도성 및 유체 유형 중 적어도 하나를 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 미리 설정된 열 전도 프로파일은 상기 플래튼을 가로질러 균일한 온도 프로파일을 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 미리 설정된 열 전도 프로파일은 상기 플래튼의 방사상 및 방위각 방향 모두에서 열 불균일성을 보상하는 열 전도 프로파일을 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 미리 설정된 열 전도 프로파일은 상기 플래튼의 주변 영역과 비교하여 상기 플래튼의 중앙 영역이 상대적으로 낮은 온도를 갖게 하는 플라즈마 공정에서 발생하는 열 불균일성을 보상하는 열 전도 프로파일을 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 유체는 액체 및 가스 중 적어도 하나를 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 유체는 적어도 하나의 액체 및 적어도 하나의 가스의 조합을 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  10. 공정 시스템을 위한 플래튼에 있어서,
    a. 각 열 영역이 적어도 하나의 경계에 의해 분리되고 적어도 하나의 유체 도관을 포함하는 복수의 열 영역(thermal regions); 및
    b. 복수의 유체 저장소를 포함하되,
    상기 복수의 유체 유체 저장소 각각의 출력단은 상기 복수의 열 영역 중 적어도 하나의 입력단에 결합하고, 상기 복수의 유체 저장소는 미리 설정된 열 전도 프로파일이 상기 플래튼에서 달성되도록 상기 복수의 열 영역에 상이한 유체 조건들로 유체를 제공하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 복수의 유체 저장소 중 적어도 두개는 상기 복수의 열 영역 중 적어도 두개에 상이한 열 전도성을 구비하는 유체들을 제공하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  12. 청구항 10에 있어서, 상기 복수의 유체 저장소 중 적어도 하나는 상기 복수의 열 영역 중 적어도 두개에 유체들을 제공하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  13. 청구항 10에 있어서, 상기 복수의 열 영역 중 적어도 두개는 상기 복수의 유체 저장소 중 하나에 직접 결합된 별도의 유체 입력 포트를 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  14. 청구항 10에 있어서, 상기 유체 조건들은 유체 유량, 유체 압력, 유체 온도, 유체 열 전도성 및 유체 유형 중 적어도 하나를 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  15. 청구항 10에 있어서, 상기 미리 설정된 열 전도 프로파일은 플래튼을 가로질러 균일한 온도 프로파일을 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  16. 청구항 10에 있어서, 상기 미리 설정된 열 전도 프로파일은 상기 플래튼의 방사상 및 방위각 방향 모두에서 열 불균일성을 보상하는 열 전도 프로파일을 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  17. 청구항 10에 있어서, 상기 미리 설정된 열 전도 프로파일은 상기 플래튼의 주변 영역과 비교하여 상기 플래튼의 중앙 영역이 상대적으로 낮은 온도를 갖게 하는 플라즈마 공정에서 발생하는 열 불균일성을 보상하는 열 전도 프로파일을 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
  18. 공정 시스템을 위한 플래튼에서 미리 설정된 열 전도 프로파일을 달성하는 방법으로,
    a. 적어도 하나의 경계에 의해 분리되는 복수의 열 영역을 갖는 플래튼을 제공하고;
    b. 적어도 하나의 유체 저장소로부터 상기 복수의 영역 내의 유체 도관들로 유체를 흐르게 하고; 및
    c. 미리 설정된 열 전도 프로파일이 상기 플래튼에서 달성되도록 상기 복수의 영역 중 적어도 두 개 내의 유체 도관들을 흐르는 유체의 유체 조건들을 선택하는 것을 포함하는 방법.
  19. 청구항 18에 있어서, 상기 공정은 플라즈마 공정을 포함하는 방법.
  20. 청구항 18에 있어서, 상기 유체는 적어도 하나의 액체 및 적어도 하나의 가스의 조합을 포함하는 방법.
  21. 청구항 18에 있어서, 상기 유체 조건들을 선택하는 것은 유체 유량, 유체 압력, 유체 온도, 유체 열 전도성 및 유체 유형 중 적어도 하나를 선택하는 것을 포함하는 방법.
  22. 청구항 18에 있어서, 상기 미리 설정된 열 전도 프로파일은 상기 플래튼을 가로질러 균일한 온도 프로파일을 포함하는 방법.
  23. 청구항 18에 있어서, 상기 미리 설정된 열 전도 프로파일은 상기 플래튼의 방사상 및 방위각 방향 모두에서 열 불균일성을 보상하는 열 전도 프로파일을 포함하는 방법.
  24. 청구항 18에 있어서, 상기 미리 설정된 열 전도 프로파일은 상기 플래튼의 주변 영역과 비교하여 상기 플래튼의 중앙 영역이 상대적으로 낮은 온도를 갖게 하는 플라즈마 공정에서 발생하는 열 불균일성을 보상하는 열 전도 프로파일을 포함하는 방법.
  25. 공정 시스템을 위한 플래튼에 있어서,
    a. 적어도 하나의 경계에 의해 분리되는 복수의 열 영역을 갖는 플래튼;
    b. 적어도 하나의 유체 저장소로부터 상기 복수의 영역 내의 유체 도관들로 유체를 흐르게 하는 수단; 및
    c. 미리 설정된 열 전도 프로파일이 상기 플래튼에서 달성되도록 상기 복수의 영역 중 적어도 두 개에서 적어도 두 개의 유체 도관을 흐르는 유체들의 유체 조건들을 선택하는 수단을 포함하는 공정 시스템을 위한 플래튼.
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