KR20100040044A - Image sensor and method for manufacturing thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An image sensor and a method for manufacturing the same are provided to minimize light loss due to a ground contact by forming the contact for connecting the upper ground of a photodiode on the sidewall of a pixel isolation region. CONSTITUTION: A readout circuitry including a wiring(150) is formed on a first substrate. An image sensor(210) including a first conductive layer(214) and a second conductive layer(216) is formed on the wiring. A pixel isolation region(250) is formed on the image sensor on the boundary of pixels. A ground contact(271) is formed on the pixel isolation region. The image sensor on the boundary of pixels is removed to form a trench. An insulation layer fills the trench in order to form the pixel isolation region.

Description

이미지센서 및 그 제조방법{Image Sensor and Method for Manufacturing thereof}Image sensor and method for manufacturing

실시예는 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. Embodiments relate to an image sensor and a manufacturing method thereof.

이미지센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 전하결합소자(Charge Coupled Device: CCD)와 씨모스(CMOS) 이미지센서(Image Sensor)(CIS)로 구분된다.An image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal, and is divided into a charge coupled device (CCD) and a CMOS image sensor (CIS). do.

종래의 기술에서는 기판에 포토다이오드(Photodiode)를 이온주입 방식으로 형성시킨다. 그런데, 칩사이즈(Chip Size) 증가 없이 픽셀(Pixel) 수 증가를 위한 목적으로 포토다이오드의 사이즈가 점점 감소함에 따라 수광부 면적 축소로 이미지 특성(Image Quality)이 감소하는 경향을 보이고 있다.In the prior art, a photodiode is formed on a substrate by ion implantation. However, as the size of the photodiode gradually decreases for the purpose of increasing the number of pixels without increasing the chip size, the image quality decreases due to the reduction of the area of the light receiver.

또한, 수광부 면적 축소만큼의 적층높이(Stack Height)의 감소가 이루어지지 못하여 에어리 디스크(Airy Disk)라 불리는 빛의 회절현상으로 수광부에 입사되는 포톤(Photon)의 수 역시 감소하는 경향을 보이고 있다.In addition, since the stack height is not reduced as much as the area of the light receiving unit is reduced, the number of photons incident on the light receiving unit is also decreased due to diffraction of light called an airy disk.

이를 극복하기 위한 대안 중 하나로 포토다이오드를 비정질 실리콘(amorphous Si)으로 증착하거나, 웨이퍼 대 웨이퍼 본딩(Wafer-to-Wafer Bonding) 등의 방법으로 리드아웃 서킷(Readout Circuitry)은 실리콘 기판(Si Substrate)에 형성시키고, 포토다이오드는 리드아웃 서킷 상부에 형성시키는 시도(이하 "3차원 이미지센서"라고 칭함)가 이루어지고 있다. 포토다이오드와 리드아웃 서킷은 배선(Metal Line)을 통해 연결된다.One alternative to overcome this is to deposit photodiodes with amorphous Si, or read-out circuitry using wafer-to-wafer bonding such as silicon substrates. And photodiodes are formed on the lead-out circuit (hereinafter referred to as "three-dimensional image sensor"). The photodiode and lead-out circuit are connected via a metal line.

한편, 종래기술에 의하면 2개의 wafer를 결합한 후 상부의 포토다이오드(Photo Diode)가 형성된 웨이퍼(wafer)의 시그널 라인(Signal line) 형성공정이 필요하다. 이때 메탈라인에 의한 빛의 반사로 인하여 3D 소자를 구현함에도 불구하고 광손실을 겪는 부분이 존재하는 문제가 있다.Meanwhile, according to the related art, a process of forming a signal line of a wafer having a photodiode formed thereon is required after combining two wafers. In this case, although the 3D device is implemented due to the reflection of light by the metal line, there is a problem in which a part that suffers from light loss exists.

즉, 종래기술에 의하면 포토다이오드 상부에 그라운드 콘택을 포토다이오드 상부의 일정영역에 형성하여는데 상기 그라운드 콘택을 연결하기 위하여는 다시 메탈라인이 필요한데, 메탈은 빛을 반사하기 때문에 광손실을 유발하는 문제가 있다.That is, according to the prior art, a ground contact is formed on the photodiode in a predetermined region of the photodiode, but a metal line is needed to connect the ground contact, but the metal causes light loss because it reflects light. There is.

실시예는 광손실을 최소화 하기 위하여 시그널 라인(Signal Line)의 형성을 최적화할 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.Embodiments provide an image sensor and a method of manufacturing the same that can optimize the formation of a signal line in order to minimize light loss.

실시예에 따른 이미지센서는 제1 기판에 배선을 포함하여 형성된 리드아웃 회로; 상기 배선 상에 제1 도전형 전도층과 제2 도전형 전도층을 포함하여 형성된 이미지감지부; 픽셀 경계의 상기 이미지감지부에 형성된 픽셀분리영역; 및 상기 픽셀분리영역 상에 형성된 그라운드 컨택;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In another embodiment, an image sensor includes a readout circuit including a wiring on a first substrate; An image sensing unit including a first conductivity type conductive layer and a second conductivity type conductive layer on the wiring; A pixel separation area formed in the image sensing unit at a pixel boundary; And a ground contact formed on the pixel isolation region.

또한, 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법은 제1 기판에 배선을 포함하는 리드아웃 회로를 형성하는 단계; 상기 배선 상에 제1 도전형 전도층과 제2 도전형 전도층을 포함하는 이미지감지부를 형성하는 단계; 픽셀 경계의 상기 이미지감지부에 픽셀분리영역을 형성하는 단계; 및 상기 픽셀분리영역 상에 그라운드 컨택을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the manufacturing method of the image sensor according to the embodiment comprises the steps of forming a readout circuit including a wiring on the first substrate; Forming an image sensing unit including a first conductivity type conductive layer and a second conductivity type conductive layer on the wiring; Forming a pixel separation region in the image sensing unit at a pixel boundary; And forming a ground contact on the pixel isolation region.

실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 포토다이오드의 상부 그라운드 연결을 위한 콘택형성을 포토다이오드 상부에 위치시키는 종래의 방법을 개선하여 픽셀분리 영역의 측벽에 형성함으로써 그라운드 컨택에 의한 광손실을 최소화하여 시그널 라인(Signal Line)의 형성을 최적화할 수 있다.According to the image sensor and the method of manufacturing the same according to the embodiment, the conventional method of placing the contact formation for connecting the upper ground of the photodiode above the photodiode is formed on the sidewall of the pixel isolation region, thereby reducing the optical loss due to the ground contact. Minimization can optimize the formation of signal lines.

이하, 실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an image sensor and a method of manufacturing the same according to an embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/아래(on/under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/아래는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.In the description of the embodiments, where it is described as being formed "on / under" of each layer, it is understood that the phase is formed directly or indirectly through another layer. It includes everything.

본 발명은 씨모스 이미지센서에 한정되는 것이 아니며, 포토다이오드가 필요한 이미지센서에 적용이 가능하다.The present invention is not limited to the CMOS image sensor, and may be applied to an image sensor requiring a photodiode.

(실시예)(Example)

도 1은 실시예에 따른 이미지센서의 평면도이며, 도 2는 도 1의 AA선을 따른 단면도이고, 도 3은 도 1의 BB선을 따른 단면도이다.1 is a plan view of an image sensor according to an embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 1.

실시예에 따른 이미지센서는 제1 기판(미도시)에 배선(150)을 포함하여 형성된 리드아웃 회로(미도시); 상기 배선(150) 상에 제1 도전형 전도층(214)과 제2 도전형 전도층(216)을 포함하여 형성된 이미지감지부(210); 픽셀 경계의 상기 이미지감지부에 형성된 픽셀분리영역(250); 및 상기 픽셀분리영역(250) 상에 형성된 그라운드 컨택(273);을 포함하는 것을 특징으로 한다.The image sensor according to the embodiment includes a readout circuit (not shown) formed including a wiring 150 on a first substrate (not shown); An image sensing unit 210 formed on the wiring 150 including a first conductive conductive layer 214 and a second conductive conductive layer 216; A pixel separation region 250 formed in the image sensing unit at a pixel boundary; And a ground contact 273 formed on the pixel isolation region 250.

실시예에 따른 이미지센서에 의하면 포토다이오드의 상부 그라운드 연결을 위한 그라운드 콘택을 포토다이오드 상부에 위치시키는 종래의 방법을 개선하여 픽셀분리 영역의 측벽에 형성함으로써 그라운드 컨택에 의한 광손실을 최소화하여 시그널 라인(Signal Line)의 형성을 최적화할 수 있다.According to the image sensor according to the embodiment, a signal line is minimized by minimizing light loss due to ground contact by improving the conventional method of placing a ground contact for connecting the upper ground of the photodiode to the upper side of the photodiode and forming it on the sidewall of the pixel isolation region. It is possible to optimize the formation of a signal line.

도 2 내지 도 12를 참조하여 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법을 설명한 다.A method of manufacturing the image sensor according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 12.

우선, 도 2는 도 1의 AA선을 따른 단면도이며, 도 2를 참조하여 배선(150) 상에 형성된 이미지감지부(210)을 형성하는 단계를 설명한다.First, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1, and the step of forming the image sensing unit 210 formed on the wiring 150 will be described with reference to FIG. 2.

제1 기판(미도시)에 배선(150)을 포함하는 리드아웃 회로(미도시)를 형성한다. 상기 리드아웃 회로는 트랜스퍼 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 드라이브 트랜지스터 및 실렉트 트랜지스터를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.A lead-out circuit (not shown) including a wiring 150 is formed on the first substrate (not shown). The readout circuit may include, but is not limited to, a transfer transistor, a reset transistor, a drive transistor, and a select transistor.

상기 제1 기판 상에 제1 층간절연층(160)을 형성하고, 상기 리드아웃 회로와 전기적으로 연결하는 배선(150)을 상기 제1 층간절연층(160)에 형성하고, 상기 배선(162) 상에 제2 층간절연층(162)을 형성할 수 있다.A first interlayer insulating layer 160 is formed on the first substrate, and a wiring 150 is formed on the first interlayer insulating layer 160 to electrically connect the lead-out circuit. The wiring 162 is formed on the first substrate. The second interlayer insulating layer 162 may be formed on the second insulating layer 162.

이후, 제2 기판(미도시)에 결정형 반도체층을 형성하고, 이온주입에 의해 제1 도전형 전도층(214), 제2 도전형 전도층(216)을 형성할 수 있다. 실시예는 상기 제1 도전형 전도층(214) 하측에 고농도 제1 도전형 전도층(212)을 형성하여 오믹컨택층 기능을 할 수 있다.Thereafter, the crystalline semiconductor layer may be formed on the second substrate (not shown), and the first conductivity type conductive layer 214 and the second conductivity type conductive layer 216 may be formed by ion implantation. According to an embodiment, the first conductive type conductive layer 212 may be formed under the first conductive type conductive layer 214 to function as an ohmic contact layer.

이후, 상기 제1 기판과 제2 기판을 본딩하되, 배선(150)과 이미지감지부(210)가 대응하도록 본딩할 수 있다. 이후, 상기 이미지감지부(210)를 남기고 상기 제2 기판을 제거할 수 있다.Subsequently, the first substrate and the second substrate may be bonded, and the wiring 150 and the image sensing unit 210 may be bonded to correspond. Thereafter, the second substrate may be removed while leaving the image sensing unit 210.

이후, 상기 이미지감지부(210)를 일부 제거하여 상기 배선(150)을 노출하는 트렌치(미도시)를 형성하고, 상기 트렌치를 금속층으로 메운 후 제2 도전형 전도층과 접하는 금속층은 제거하여 컨택플러그(230)를 형성할 수 있다. 이후, 컨택플러그(230) 상에 제1 절연층(260)을 형성할 수 있다. 이때, 상기 컨택플러그(230)와 상기 이미지감지부(210) 사이에 배리어메탈(231)을 더 형성할 수 있다.Subsequently, a portion of the image sensing unit 210 is removed to form a trench (not shown) exposing the wiring 150. The trench is filled with a metal layer, and then the metal layer contacting the second conductive conductive layer is removed. The plug 230 may be formed. Thereafter, the first insulating layer 260 may be formed on the contact plug 230. In this case, a barrier metal 231 may be further formed between the contact plug 230 and the image sensing unit 210.

이후, 픽셀경계의 이미지감지부를 제거하고 절연층을 메워서 픽셀분리영역(250)을 형성할 수 있다.Subsequently, the pixel isolation region 250 may be formed by removing the image sensing unit of the pixel boundary and filling the insulating layer.

이후, 상기 픽셀분리영역 상측에 금속층으로 그라운드 라인(271)을 형성할 수 있다.Thereafter, the ground line 271 may be formed of a metal layer on the pixel isolation region.

실시예는 컨택플러그(230)를 배선(150)과 이미지감지부(210)가 직접 연결되도록 형성하여 전기적인 신호전달력을 높일 수 있다.In an embodiment, the contact plug 230 may be formed so that the wiring 150 and the image sensing unit 210 are directly connected to each other to increase the electrical signal transfer power.

또한, 실시예는 제2 도전형 전도층(216)과 접하는 컨택플러그(230)을 제거함으로써 전기적인 숏트를 방지할 수 있다.In addition, the embodiment may prevent the electrical short by removing the contact plug 230 in contact with the second conductivity type conductive layer 216.

다음으로, 도 3은 도 1의 BB선을 따른 단면도이며, 도 4 내지 도 12를 참조하여 도 3에 도시된 픽셀경계에 형성된 그라운드 컨택(273)을 형성하는 단계를 설명한다.Next, FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 1, and the steps of forming the ground contact 273 formed at the pixel boundary shown in FIG. 3 will be described with reference to FIGS. 4 to 12.

우선, 도 4와 같이 배선(150) 상에 이미지감지부(210)를 형성한다. 이때 상기 이미지감지부(210) 상에는 제1 절연층(260)이 형성되어 있을 수 있다.First, an image sensing unit 210 is formed on the wiring 150 as shown in FIG. 4. In this case, a first insulating layer 260 may be formed on the image sensing unit 210.

다음으로, 도 5와 같이 상기 이미지감지부(210)에 픽셀분리영역(250)을 형성한다. 예를 들어, 제1 감광막(310)을 식각마스크로하여 픽셀 경계의 이미지감지부(210)를 제거하여 제1 트렌치(T1)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 5, a pixel separation region 250 is formed in the image sensing unit 210. For example, the first trenches T1 are formed by removing the image sensing unit 210 at the pixel boundary by using the first photoresist layer 310 as an etch mask.

다음으로, 도 6과 같이 상기 제1 감광막(310)을 제거하고, 도 7과 같이 상기 제1 트렌치(T1)에 절연층으로 픽셀분리영역(250)을 형성할 수 있다.Next, as illustrated in FIG. 6, the first photoresist layer 310 may be removed, and the pixel isolation region 250 may be formed as an insulating layer in the first trench T1 as illustrated in FIG. 7.

다음으로, 도 8과 같이 제2 감광막(315)를 식각마스크로 상기 픽셀분리영 역(250)의 일부를 제거하여 상기 이미지감지부(210)의 제2 도전형 전도층(216)의 측면을 노출시키는 제2 트렌치(T2)를 형성한다. 이때, 상기 제2 트렌치(T2)는 제2 도전형 전도층(216)의 측면을 노출시키면 되며, 제1 도전형 전도층(214)은 노출시키지 않도록 한다.Next, as shown in FIG. 8, a portion of the pixel isolation region 250 is removed by using the second photoresist layer 315 as an etch mask to form a side surface of the second conductive conductive layer 216 of the image sensing unit 210. A second trench T2 to be exposed is formed. In this case, the second trench T2 may expose a side surface of the second conductive conductive layer 216, and the first conductive conductive layer 214 may not be exposed.

다음으로, 도 9와 같이 상기 제2 트렌치(T2)에 그라운드 컨택용 금속층(273a)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 9, the ground contact metal layer 273a is formed in the second trench T2.

다음으로, 도 10과 같이 상기 픽셀분리영역(250) 상의 그라운드 컨택용 금속층(273a)을 노출하지 않는 제3 감광막(320)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 10, a third photoresist layer 320 that does not expose the ground contact metal layer 273a on the pixel isolation region 250 is formed.

다음으로, 도 11과 같이 상기 제3 감광막(320)을 식각마스크로 상기 노출된 그라운드 컨택용 금속층(273a)을 식각하여 상기 노출된 제2 도전형 전도층(216)의 측면과 접촉하는 그라운드 컨택(273)을 형성할 수 있다. 이후, 도 12와 같이 상기 제3 감광막(320)을 제거하여 도 3에 도시된 픽셀경계에 형성된 그라운드 컨택(273)을 완성할 수 있다.Next, as shown in FIG. 11, the exposed ground contact metal layer 273a is etched using the third photoresist layer 320 as an etch mask to contact the side surface of the exposed second conductive type conductive layer 216. (273) can be formed. Thereafter, as shown in FIG. 12, the third photoresist layer 320 may be removed to complete the ground contact 273 formed at the pixel boundary of FIG. 3.

실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법에 의하면 포토다이오드의 상부 그라운드 연결을 위한 그라운드 콘택을 포토다이오드 상부에 위치시키는 종래의 방법을 개선하여 픽셀분리 영역의 측벽에 형성함으로써 그라운드 컨택에 의한 광손실을 최소화하여 시그널 라인(Signal Line)의 형성을 최적화할 수 있다.According to the image sensor and the manufacturing method thereof according to the embodiment, the conventional method of placing the ground contact for connecting the upper ground of the photodiode on the photodiode is formed on the sidewall of the pixel isolation region, thereby reducing the optical loss due to the ground contact. Minimization can optimize the formation of signal lines.

본 발명은 기재된 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 청구항의 권리범위에 속하는 범위 안에서 다양한 다른 실시예가 가능하다.The present invention is not limited to the described embodiments and drawings, and various other embodiments are possible within the scope of the claims.

도 1은 실시예에 따른 이미지센서의 평면도.1 is a plan view of an image sensor according to an embodiment;

도 2는 실시예에 따른 이미지센서의 AA선을 따른 단면도.2 is a cross-sectional view along line AA of the image sensor according to the embodiment.

도 3은 실시예에 따른 이미지센서의 BB선을 따른 단면도.3 is a cross-sectional view taken along line BB of the image sensor according to the embodiment.

도 4 내지 도 12는 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법의 공정단면도.4 to 12 are cross-sectional views of a method of manufacturing the image sensor according to the embodiment.

Claims (11)

제1 기판에 배선을 포함하여 형성된 리드아웃 회로;A readout circuit including a wiring on the first substrate; 상기 배선 상에 제1 도전형 전도층과 제2 도전형 전도층을 포함하여 형성된 이미지감지부;An image sensing unit including a first conductivity type conductive layer and a second conductivity type conductive layer on the wiring; 픽셀 경계의 상기 이미지감지부에 형성된 픽셀분리영역; 및A pixel separation area formed in the image sensing unit at a pixel boundary; And 상기 픽셀분리영역 상에 형성된 그라운드 컨택;을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.And a ground contact formed on the pixel isolation region. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 픽셀분리영역은,The pixel separation region, 픽셀 경계의 상기 이미지감지부를 제거하여 형성된 제1 트렌치에 절연층을 메워서 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.And an insulating layer is filled in the first trench formed by removing the image sensing unit at the pixel boundary. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 그라운드 컨택은,The ground contact, 상기 픽셀분리영역의 일부를 제거하여 상기 이미지감지부의 제2 도전형 전도층의 측면을 노출시키는 제2 트렌치에 금속층을 형성하여 상기 그라운드 컨택이 상기 노출된 제2 도전형 전도층의 측면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.Removing a portion of the pixel isolation region to form a metal layer in a second trench that exposes a side surface of the second conductive conductive layer of the image sensing unit so that the ground contact contacts the side surface of the exposed second conductive conductive layer. Image sensor, characterized in that. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 이미지감지부를 일부 제거하여 상기 배선을 노출하는 제3 트렌치에 형성된 컨택플러그를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서.And a contact plug formed in the third trench exposing the wiring by partially removing the image sensing unit. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 컨택플러그는The contact plug is 상기 이미지감지부의 제1 도전형 전도층과 접하는 것을 특징으로하는 이미지센서.And the first conductive type conductive layer is in contact with the image sensing unit. 제1 기판에 배선을 포함하는 리드아웃 회로를 형성하는 단계;Forming a lead-out circuit including wiring on the first substrate; 상기 배선 상에 제1 도전형 전도층과 제2 도전형 전도층을 포함하는 이미지감지부를 형성하는 단계;Forming an image sensing unit including a first conductivity type conductive layer and a second conductivity type conductive layer on the wiring; 픽셀 경계의 상기 이미지감지부에 픽셀분리영역을 형성하는 단계; 및Forming a pixel separation region in the image sensing unit at a pixel boundary; And 상기 픽셀분리영역 상에 그라운드 컨택을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And forming a ground contact on the pixel separation region. 제6 항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 이미지감지부에 픽셀분리영역을 형성하는 단계는,Forming a pixel separation area in the image sensing unit, 픽셀 경계의 이미지감지부를 제거하여 제1 트렌치를 형성하는 단계; 및Removing the image sensing unit at the pixel boundary to form a first trench; And 상기 제1 트렌치에 절연층으로 픽셀분리영역을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And forming a pixel isolation region in the first trench as an insulating layer. 제6 항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 그라운드 컨택을 형성하는 단계는,Forming the ground contact, 상기 픽셀분리영역의 일부를 제거하여 상기 이미지감지부의 제2 도전형 전도층의 측면을 노출시키는 단계; 및Removing a portion of the pixel isolation region to expose a side surface of the second conductive conductive layer of the image sensing unit; And 상기 노출된 제2 도전형 전도층의 측면과 접촉하는 그라운드 컨택을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.Forming a ground contact in contact with a side surface of the exposed second conductive type conductive layer. 제6 항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 그라운드 컨택을 형성하는 단계는,Forming the ground contact, 상기 픽셀분리영역의 일부를 제거하여 상기 이미지감지부의 제2 도전형 전도층의 측면을 노출시키는 제2 트렌치를 형성하는 단계; 및Removing a portion of the pixel isolation region to form a second trench that exposes a side surface of the second conductive conductive layer of the image sensing unit; And 상기 제2 트렌치에 금속층을 형성하여 상기 노출된 제2 도전형 전도층의 측면과 접촉하는 그라운드 컨택을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And forming a metal layer in the second trench to form a ground contact in contact with a side surface of the exposed second conductive type conductive layer. 제6 항에 있어서,The method according to claim 6, 상기 이미지감지부를 일부 제거하여 상기 배선을 노출하는 제3 트렌치를 형성하는 단계;Removing a portion of the image sensing unit to form a third trench exposing the wiring; 상기 제3 트렌치를 금속층으로 메우는 컨택플러그를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And forming a contact plug to fill the third trench with a metal layer. 제10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제3 트렌치를 메우는 금속층 중 상기 제2 도전형 전도층과 접하는 금속층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.And removing the metal layer in contact with the second conductivity type conductive layer among the metal layers filling the third trenches.
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