KR20100036815A - 나노입자 제조방법 및 그 나노입자를 이용한 비휘발성 기억소자 제조방법 - Google Patents

나노입자 제조방법 및 그 나노입자를 이용한 비휘발성 기억소자 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100036815A
KR20100036815A KR1020080096209A KR20080096209A KR20100036815A KR 20100036815 A KR20100036815 A KR 20100036815A KR 1020080096209 A KR1020080096209 A KR 1020080096209A KR 20080096209 A KR20080096209 A KR 20080096209A KR 20100036815 A KR20100036815 A KR 20100036815A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nanoparticles
manufacturing
mixed solution
metal oxide
memory device
Prior art date
Application number
KR1020080096209A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100989610B1 (ko
Inventor
김태환
손동익
정재훈
김원태
Original Assignee
한양대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한양대학교 산학협력단 filed Critical 한양대학교 산학협력단
Priority to KR1020080096209A priority Critical patent/KR100989610B1/ko
Publication of KR20100036815A publication Critical patent/KR20100036815A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100989610B1 publication Critical patent/KR100989610B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/02554—Oxides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23B—TURNING; BORING
    • B23B3/00—General-purpose turning-machines or devices, e.g. centre lathes with feed rod and lead screw; Sets of turning-machines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/024—Group 12/16 materials
    • H01L21/02403—Oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02469—Group 12/16 materials
    • H01L21/02472—Oxides

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

나노입자 제조방법 및 그 나노입자를 이용한 비휘발성 기억소자 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 나노입자 제조방법은 DMF(dimethylformamide)에 금속 아세테이트 디하이드레이트(acetate dihydrate)를 용해시켜 혼합용액을 형성하고, 혼합용액을 일정 시간 동안 가열한 후, 가열온도를 단계적으로 낮추어 나노입자를 형성한다. 본 발명에 따르면, 금속 아세테이트 디하이드레이트와 DMF를 혼합하고 열처리하는 공정만으로 나노입자의 형성이 가능하므로, 고가의 장비가 필요없게 되고, 공정이 간단하게 된다. 그리고 100℃ 정도의 저온에서 열처리가 가능하고, 복잡한 추출 과정 없이 크기와 밀도가 균일한 나노입자를 대량으로 제조하는 것이 가능하다.

Description

나노입자 제조방법 및 그 나노입자를 이용한 비휘발성 기억소자 제조방법{Method for manufacturing nanoparticle and method for manufacturing nonvolatile memory device using the nanoparticle}
본 발명은 나노입자 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비휘발성 기억소자에 이용되는 나노입자 제조방법에 관한 것이다.
소자의 스케일이 작아짐에 따라 균일한 나노입자를 저렴하게 제조되는 요구가 증대되고 있다. 특히, 비휘발성 기억소자에 산화 아연 나노입자가 다양하게 이용되고 있는 추세이다. 종래의 산화 아연 나노입자를 제조하는 방법은 기상법, 졸-겔법, 산화아연이 용해되어 있는 고분자 물질을 스핀 코팅과 열처리를 통해 제조하는 방법, Zn(NO3)·6H2O 또는 Zn(OH)2와 질산의 혼합물에 연료물질인 글리신(glycine) 또는 카보하이드라자이드(carbohydrazide)를 혼합하여 제조하는 방법 등이 있다.
기상법의 경우는 공정반응조건의 조절이 현실상 불가능하여 형성되는 산화아연이 응집체로 형성되기 때문에, 나노크기의 산화아연 나노입자를 제조하는데 적용 하는 것은 적절치 않다.
졸-겔법을 이용하면, 균일한 크기의 산화아연 나노입자의 형성이 가능하다. 그러나 공기 중에서 발생되는 격렬한 가수분해 반응으로 인해 반응 조건을 매우 엄격하게 유지해야 하는 문제점이 있다. 그리고 알콕사이드와 같이 고가의 재료를 사용해야 하기 때문에 제조 단가의 상승으로 상업화가 이루어지지 않고 있다.
산화아연이 용해되어 있는 고분자 물질을 스핀코팅하고 열처리하여 산화아연 나노입자를 제조하는 방법은 산화아연 나노입자를 단독으로 제조할 수 없으며, 항상 특정 고분자 물질 내에 산화아연 나노입자가 분포되어 있는 형태로만 제조가 가능하다. 따라서 고분자 물질 내에서 산화아연 나노입자를 추출하기 위한 별도의 공정이 필요하게 된다. 그리고 이 방법은 고온의 열처리가 필요하게 되고, 반드시 기판이 필요하다는 단점이 있다.
Zn(NO3)·6H2O 또는 Zn(OH)2와 질산의 혼합물에 연료물질인 글리신 또는 카보하이드라자이드를 혼합하여 산화아연 나노입자를 제조하면, 저렴한 비용으로 대량 생산하는 것이 가능하나, 제조 공정이 지나치게 복잡하다는 문제점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 간단하고 저렴한 방법으로 대량의 나노입자를 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 나노입자가 분산되어 있는 고분자 물질을 이용한 비휘발성 기억소자를 간단하고 저렴하게 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 나노입자 제조방법은 DMF(dimethylformamide)에 금속 아세테이트 디하이드레이트(acetate dihydrate)를 용해시켜 혼합용액을 형성하는 단계; 및 상기 혼합용액을 일정 시간 동안 가열한 후, 가열온도를 단계적으로 낮추어 나노입자를 형성하는 단계;를 갖는다.
상기의 다른 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 비휘발성 기억소자 제조방법은 DMF에 금속 아세테이트 디하이드레이트를 용해시켜 혼합용액을 형성하는 단계; 상기 혼합용액을 일정 시간 동안 가열한 후, 가열온도를 단계적으로 낮추어 금속 산화물 나노입자를 형성하는 단계; 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 상기 나노입자가 분산된 고분자 물질로 이루어진 메모리층을 형성하는 단계; 및 상기 메모리층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 갖는다.
본 발명에 따르면, 금속 아세테이트 디하이드레이트와 DMF를 혼합하고 열처리하는 공정만으로 나노입자의 형성이 가능하므로 고가의 장비가 필요없게 되고, 공정이 간단하게 된다. 그리고 100℃ 정도의 저온에서 열처리가 이루어지므로, 고온 공정시에 발생되는 문제점이 개입할 여지가 없게 된다. 또한, 복잡한 추출 과정 없이 나노입자를 대량으로 획득하는 것이 가능하고 제조된 나노입자의 크기와 밀도가 고르게 유지된다. 따라서 이와 같은 방법으로 제조된 나노입자를 이용하면, 높은 신뢰성과 재현성을 갖는 비휘발성 기억소자를 제조할 수 있게 된다.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 나노입자 제조방법 및 그 나노입자를 이용한 비휘발성 기억소자 제조방법의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 나노입자 제조방법에 대한 바람직한 일 실시예의 수행과정을 나타낸 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 나노입자 제조방법은 우선, DMF(dimethylformamide)에 금속 아세테이트 디하이드레이트(acetate dihydrate)를 용해시켜 혼합용액을 형성한다(S110).
금속 아세테이트 디하이드레이트는 M(CH3COO)2·2H2O(여기서, M은 금속)로 표현되는 화합물이다. 금속은 Zn, Al, Ba, Bi, Ca, Ce, Cr, Fe, Ga, In, Li, Co, Mg, Mn, Nb, Pb, Sb, Sn, Sr, Ta, Ti, V, W 및 Zr 중에서 선택된 1종 이상이 이용될 수 있다.
다음으로, 혼합용액을 일정시간 가열한 후, 가열온도를 단계적으로 낮추어 나노입자를 형성한다(S120). 가열온도는 100℃ 정도의 상대적으로 높지 않은 온도를 이용하여 나노입자를 형성할 수 있다. 그리고 가열한 후, 급속하게 냉각시키지 않고 가열온도를 단계적으로 낮추는 것이 필요하다. 이때 형성되는 나노입자는 금속 산화물 또는 탄산염으로 이루어질 수 있다. 금속 산화물은 ZnO, Al2O3, Bi2O3, CeO2, Cr2O3, Fe2O3, Ga2O3, In2O3, LiCoO2, MgO, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, PbO, Sb2O3, SnO2, Ta2O5, TiO2, BaTiO3, V2O5, WO3 및 ZrO2 중 어느 하나일 수 있으며, 탄산염은 BaCO3, CaCO3, Li2CO3, SrCO3 및 MnCO3 중 어느 하나일 수 있다. 그리고 DMF와 금속 아세테이트 디하이드레이트의 비율, 가열온도 및 가열시간을 조절하여 형성되는 나노입자의 밀도 및 크기를 변화시킬 수 있다.
이와 같이, 간단한 공정만으로 나노입자의 형성이 가능하므로 고가의 장비가 필요없게 되어 나노입자 제조시 비용이 적게 소요된다. 그리고 공정이 간단하고 단순하므로, 공정변수의 복잡함에 따른 제반 문제점이 발생하지 않게 된다. 또한, 100℃ 정도의 저온에서 열처리가 이루어지므로, 고온 공정이 불필요하게 되며, 복 잡한 추출 과정 없이 나노입자를 대량으로 제조하는 것이 가능하다.
(나노입자 제조예)
100 mg의 아연 아세테이트 디하이드레이트(Zn(CH3COO)2·2H2O) 분말을 10 ml의 DMF에 용해시켜 혼합용액을 만든 후, 초음파 혼합기를 사용하여 혼합용액을 10분 동안 고르게 혼합한다. 그리고 혼합용액을 105 ℃에서 5시간 동안 가열한 후, 80 ℃, 60 ℃, 40 ℃로 한 시간씩 유지하며, 단계적으로 가열온도를 낮춘다. 이러한 과정을 거치면, 혼합용액 내에 산화아연(ZnO) 나노입자가 형성된다. 이와 같이 형성된 산화아연 나노입자를 추출하여 촬영한, 평면 투과전자현미경(plan-view TEM) 이미지를 도 2 및 도 3에 나타내었고, X-선 회절상을 도 4에 나타내었다.
도 2는 일반적인 투과전자현미경 이미지이고, 도 3은 고해상도 투과전자현미경(HRTEM) 이미지이다. 도 2 및 도 3을 살펴보면, 나노입자가 균일한 크기와 밀도로 형성되었음을 알 수 있다. 그리고 도 4에 나타낸 바와 같이, 산화아연 피크가 측정됨에 따라, 형성된 나노입자가 산화아연으로 이루어져 있음을 알 수 있다.
도 5(a) 내지 도 5(c)는 본 발명에 따른 비휘발성 기억소자 제조방법에 대한 바람직한 일 실시예의 과정을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
본 발명에 따른 비휘발성 기억소자 제조방법은 우선, 도 5(a)에 도시된 바와 같이 기판(510) 상에 하부 전극(520)을 형성한다. 기판(510)은 Si, Ge, GaAs, GaN, GaP, InAs, InP, InSb, CdSe, CdTe, ZnS, Al2O3, SiC, 유리(glass) 및 석영(quartz) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 그리고 하부 전극(520)은 ITO(indium-tin oxide)로 이루어질 수 있다.
그리고 도 5(b)에 도시된 바와 같이, 하부 전극(520) 상에 메모리층(530)을 형성한다. 메모리층(530)은 금속 산화물 나노입자(531)가 고분자 물질(532) 내에 분산되어 있는 구성을 가진다. 이때 금속 산화물 나노입자(531)는 도 1에서 설명한 방법과 동일한 방법으로 제조된다. 금속 산화물 나노입자(531)는 ZnO, Al2O3, Bi2O3, CeO2, Cr2O3, Fe2O3, Ga2O3, In2O3, LiCoO2, MgO, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, PbO, Sb2O3, SnO2, Ta2O5, TiO2, BaTiO3, V2O5, WO3 및 ZrO2 중 어느 하나가 이용될 수 있다. 그리고 고분자 물질은 PVP(poly vinyl pyrrolidone), PS(poly styrene), PMMA(poly methyl methacrylate), PVK(poly-N-vinylcarbazole) 및 PI(poly imide) 중에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어질 수 있다.
다음으로 도 5(c)에 도시된 바와 같이, 메모리층(530) 상에 상부 전극(540)을 형성한다. 상부 전극(540)은 Al, Ag, Cr, Ti 및 MgAg 중에서 선택된 1종 이상의 물질로 이루어질 수 있다.
이와 같이 제조된 비휘발성 기억소자는 도 1에서 설명한 바와 같은 금속 산화물 나노입자를 이용하므로 크기와 밀도가 균일한 나노입자가 사용되므로, 높은 신뢰성과 재현성을 갖는 비휘발성 기억소자를 제조할 수 있게 된다.
(비휘발성 기억소자 제조예)
우선, 상기 나노입자 제조예에서 제시한 방법과 동일하게, DMF와 아연 아세테이트 디하이드레이트를 혼합하여 혼합용액을 만든 후, 열처리하여 산화아연 나노 입자가 형성된 혼합용액을 준비한다.
그리고 유리 기판의 표면을 화학적으로 처리하고, 표면처리된 유리 기판 상에 하부 전극으로 이용될 ITO 박막을 스퍼터링 공정을 통해 형성한다.
그리고 산화아연 나노입자가 형성된 혼합용액에 절연성 고분자 물질인 PMMA를 녹인 후, 초음파 혼합기를 이용하여 10분 동안 고르게 혼합하여 고분자 용액을 만든다. 그 후 고분자 용액을 ITO 박막 상에 2000 rpm의 속도로 20초 동안 스핀코팅하고, 오븐에서 100 ℃로 30분 동안 열을 가해 DMF를 제거하여 메모리층을 형성한다. 스핀코팅시 회전 속도 및 회전 시간, 그리고 DMF와 PMMA 간의 농도비를 조절하여 형성되는 메모리층의 두께 및 산화아연 나노입자 밀도를 조절할 수 있다.
다음으로 메모리층 상에 열증착법을 이용하여 상부 전극으로 이용될 Al 박막을 증착한다.
상기의 방법으로 제조된 비휘발성 기억소자의 전압-전류 그래프를 도 6에 나타내었다. 이때 하부 전극인 ITO 박막에는 (+)극을, 상부 전극인 Al 박막에는 (-)극이 인가되도록 회로를 구성하였다.
소자의 초기상태는 산화아연 나노입자에 전자가 포획되지 않은 상태로서, 상태 "1"로 정의하고, 이때 소자에 흐르는 전류를 ION으로 정의한다. 그리고 쓰기 전압(VW)을 인가하여 산화아연 나노입자에 전자가 포획된 상태를 상태 "0"으로 정의하고, 이때 소자에 흐르는 전류를 IOFF로 정의한다. 상태 "0"은 상대적으로 전도도가 낮은 상태이고, 상태 "1"은 상대적으로 전도도가 높은 상태이다. 그리고 소자가 상 태 "0"에 있을 때 소거 전압(VE)을 인가하면 상태 "0"으로 전환된다.
도 6에 도시된 바와 같이 읽기 전압(VR)인 1V 정도의 전압을 인가하면, ION/IOFF 전류 비율이 105 이상의 차이가 나므로, 전류의 크기 차이를 감지하여 소자의 상태를 판별할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
도 1은 본 발명에 따른 나노입자 제조방법에 대한 바람직한 일 실시예의 수행과정을 나타낸 흐름도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명에 따라 제조된 나노입자의 평면 투과전자현미경(plan-view TEM) 이미지이다.
도 4는 본 발명에 따라 제조된 나노입자의 X-선 회절상을 나타낸 도면이다.
도 5(a) 내지 도 5(c)는 본 발명에 따른 비휘발성 기억소자 제조방법에 대한 바람직한 일 실시예의 과정을 개략적으로 나타내는 도면들이다.
도 6은 본 발명에 따라 제조된 비휘발성 기억소자의 전압-전류 그래프이다.

Claims (10)

  1. DMF(dimethylformamide)에 금속 아세테이트 디하이드레이트(acetate dihydrate)를 용해시켜 혼합용액을 형성하는 단계; 및
    상기 혼합용액을 가열한 후, 가열온도를 단계적으로 낮추어 나노입자를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 금속은 Zn, Al, Ba, Bi, Ca, Ce, Cr, Fe, Ga, In, Li, Co, Mg, Mn, Nb, Pb, Sb, Sn, Sr, Ta, Ti, V, W 및 Zr 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 나노입자 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 나노입자는 금속 산화물 또는 탄산염으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노입자 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 ZnO, Al2O3, Bi2O3, CeO2, Cr2O3, Fe2O3, Ga2O3, In2O3, LiCoO2, MgO, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, PbO, Sb2O3, SnO2, Ta2O5, TiO2, BaTiO3, V2O5, WO3 및 ZrO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노입자 제조방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 탄산염은 BaCO3, CaCO3, Li2CO3, SrCO3 및 MnCO3 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노입자 제조방법.
  6. DMF에 금속 아세테이트 디하이드레이트를 용해시켜 혼합용액을 형성하는 단계;
    상기 혼합용액을 가열한 후, 가열온도를 단계적으로 낮추어 금속 산화물 나노입자를 형성하는 단계;
    기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;
    상기 하부 전극 상에 상기 금속 산화물 나노입자가 분산된 고분자 물질로 이루어진 메모리층을 형성하는 단계; 및
    상기 메모리층 상에 상부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억소자 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 ZnO, Al2O3, Bi2O3, CeO2, Cr2O3, Fe2O3, Ga2O3, In2O3, LiCoO2, MgO, MnO2, Mn3O4, Nb2O5, PbO, Sb2O3, SnO2, Ta2O5, TiO2, BaTiO3, V2O5, WO3 및 ZrO2 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억소자 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 기판은 Si, Ge, GaAs, GaN, GaP, InAs, InP, InSb, CdSe, CdTe, ZnS, Al2O3, SiC, 유리(glass) 및 석영(quartz) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억소자 제조방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 고분자 물질은 PVP(poly vinyl pyrrolidone), PS(poly styrene), PMMA(poly methyl methacrylate), PVK(poly-N-vinylcarbazole) 및 PI(poly imide) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억소자 제조방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 하부 전극은 ITO(indium-tin-oxide)이고,
    상기 상부 전극은 Al, Ag, Cr, Ti 및 MgAg 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 비휘발성 기억소자 제조방법.
KR1020080096209A 2008-09-30 2008-09-30 나노입자 제조방법 및 그 나노입자를 이용한 비휘발성 기억소자 제조방법 KR100989610B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080096209A KR100989610B1 (ko) 2008-09-30 2008-09-30 나노입자 제조방법 및 그 나노입자를 이용한 비휘발성 기억소자 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080096209A KR100989610B1 (ko) 2008-09-30 2008-09-30 나노입자 제조방법 및 그 나노입자를 이용한 비휘발성 기억소자 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100036815A true KR20100036815A (ko) 2010-04-08
KR100989610B1 KR100989610B1 (ko) 2010-10-26

Family

ID=42214269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080096209A KR100989610B1 (ko) 2008-09-30 2008-09-30 나노입자 제조방법 및 그 나노입자를 이용한 비휘발성 기억소자 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100989610B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130060089A (ko) * 2011-11-29 2013-06-07 에스케이하이닉스 주식회사 가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 이들의 제조 방법
CN116588967A (zh) * 2023-06-16 2023-08-15 永氢(常州)能源科技有限公司 一种三维多级结构氧化锌、制备方法及其应用

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100654361B1 (ko) 2005-09-15 2006-12-08 한양대학교 산학협력단 고분자 박막 내에 형성된 나노 결정체를 사용한 비휘발성고분자 쌍안정성 기억 소자 및 그 제조 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130060089A (ko) * 2011-11-29 2013-06-07 에스케이하이닉스 주식회사 가변 저항체, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 이들의 제조 방법
CN116588967A (zh) * 2023-06-16 2023-08-15 永氢(常州)能源科技有限公司 一种三维多级结构氧化锌、制备方法及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
KR100989610B1 (ko) 2010-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Xu et al. Coexistence of the bipolar and unipolar resistive switching behaviors in vanadium doped ZnO films
Huang et al. Forming-free resistive switching of tunable ZnO films grown by atomic layer deposition
Ge et al. Effect of Mn doping on electroforming and threshold voltages of bipolar resistive switching in Al/Mn: NiO/ITO
US11434148B2 (en) Hydrogen-containing transition metal oxide, method for making the same, and primary battery
CN106111482B (zh) 一种刮涂制备铁酸铋薄膜的方法
He et al. Unipolar resistive switching properties of Pr-doped ZnO thin films
KR100989610B1 (ko) 나노입자 제조방법 및 그 나노입자를 이용한 비휘발성 기억소자 제조방법
Jin et al. Resistive switching in reactive cosputtered MFe2O4 (M= Co, Ni) films
Miao et al. Modulation of resistive switching characteristics for individual BaTiO3 microfiber by surface oxygen vacancies
Han et al. Compensation for volatile elements to modify the microstructure and energy storage performance of (W, Ni)-codoped Na0. 5Bi0. 5TiO3 ceramic films
CN101262040B (zh) 氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构及其制备方法
CN106007705B (zh) 一种类钙钛矿层状结构固溶体系材料及其制备方法
Said et al. Dielectric, pyroelectric, and ferroelectric properties of gadolinium doped Sr0. 53Ba0. 47Nb2O6 ceramic
Zhang et al. Enhanced dielectric, ferroelectric, and ferromagnetic properties of 0.7 Bi1− xTmxFeO3–0.3 BaTiO3 ceramics by Tm-induced structural modification
JP6846067B2 (ja) 相転移電子デバイス
Tanaka et al. Microstructure control and dielectric/piezoelectric properties of alkoxy-derived Ba (Ti, Zr) O3 thin films
Sahana et al. The effect of titanium on the lithium intercalation capacity of V2O5 thin films
CN105200404B (zh) 外延生长的具有垂直相界的铌酸钾钠‑锆酸钡‑钛酸铋钠无铅压电薄膜的制备方法
Wang et al. Dielectric property and energy-storage performance of (100)-preferred (1-x) PbTiO3-xBi (Mg0. 5Ti0. 5) O3 relaxor ferroelectric thin films
Li et al. Effect of annealing temperature on resistive switching behavior of Al/La0. 7Sr0. 3MnO3/LaNiO3 devices
He et al. Narrowing the band gap to enhance the resistive switching properties of Pr 3+-doped ZnO thin films by Cd-ion doping
Tang et al. Resistive Switching Properties of Sol–Gel-Derived V-Doped SrTiO 3 Thin Films
Zhang et al. Enhanced resistive switching characteristics of FeMnO3 resistive random access memory devices with embedding Au nanoparticles
Maity et al. Enhanced stability and low operational voltage of resistive switching behavior in defect engineered LaMnO3 film
Chen et al. A novel way to prepare PbZrO3 nanocomposite films for increasing electrical properties and energy storage performance

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130905

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee