KR20100034635A - Resistive random access memory - Google Patents

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KR20100034635A
KR20100034635A KR1020080093863A KR20080093863A KR20100034635A KR 20100034635 A KR20100034635 A KR 20100034635A KR 1020080093863 A KR1020080093863 A KR 1020080093863A KR 20080093863 A KR20080093863 A KR 20080093863A KR 20100034635 A KR20100034635 A KR 20100034635A
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electrode
memory
memory resistor
resistor
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KR1020080093863A
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이창범
김창정
이명재
강보수
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삼성전자주식회사
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Abstract

PURPOSE: The upper electrode is formed into the material having the oxidation which the resistivity memory device lows than the metal of the memory register. The stable drive of the resistivity memory device is realized. CONSTITUTION: The resistivity memory device comprises the first electrode(10), the switch fabric(11), the middle electrode(12), the memory register(13) and the second electrode(14). A switch fabric is formed on the first electrode. The middle electrode is formed on the switch fabric. The memory register is formed on the switch fabric. The second electrode is formed on the memory register. The material of the second electrode has the oxidation lower than the metal of the memory register.

Description

저항성 메모리 소자{Resistive random access memory}Resistive random access memory

본 발명의 실시예에 의한 발명은 저항성 메모리 소자에 관한 것으로, 메모리 저항층보다 산화도가 낮은 물질로 형성한 전극을 포함하는 저항성 메모리 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a resistive memory device, and more particularly, to a resistive memory device including an electrode formed of a material having a lower oxidation degree than a memory resistive layer.

일반적으로 반도체 메모리는 회로적으로 연결된 많은 메모리 셀들을 포함한다. 대표적인 반도체 메모리인 DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 경우, 단위 메모리 셀은 한 개의 스위치와 한 개의 커패시터로 구성되는 것이 일반적이다.In general, semiconductor memories include many memory cells that are circuitry connected. In the case of DRAM (Dynamic Random Access Memory), a typical semiconductor memory, a unit memory cell is generally composed of one switch and one capacitor.

DRAM은 집적도가 높고 동작 속도가 빠른 이점이 있다. 그러나, 전원이 꺼진 후에는 저장된 데이타가 모두 소실되는 단점이 있다. 전원이 꺼진 후에도 저장된 데이타가 보존될 수 있는 비휘발성 메모리 소자의 대표적인 예가 플래쉬 메모리이다. 플래쉬 메모리는 휘발성 메모리와 달리 비휘발성의 특성을 지니고 있으나 DRAM에 비해 집적도가 낮고 동작 속도가 느린 단점이 있다. DRAM has the advantage of high integration and fast operation speed. However, after the power is turned off, all stored data is lost. Flash memory is a representative example of a nonvolatile memory device in which stored data can be preserved even after the power is turned off. Unlike volatile memory, flash memory has nonvolatile characteristics, but has a low density and a slow operation speed compared to DRAM.

현재, 많은 연구가 진행되고 있는 비휘발성 메모리 소자로, MRAM(Magnetic Random Access Memory), FRAM(Ferroelectric Random Access Memory), PRAM(Phase-change Random Access Memory) 및 RRAM(resistance random access memory) 등이 있 다. Currently, many researches are being conducted on nonvolatile memory devices including magnetic random access memory (MRAM), ferroelectric random access memory (FRAM), phase-change random access memory (PRAM), and resistance random access memory (RRAM). All.

저항성 메모리인 RRAM(resistance random access memory)은 주로 전이 금속 산화물의 전압에 따른 저항 값이 달라지는 특성(저항 변환 특성)을 이용한 것이다. 저항성 메모리 소자는 일반적으로 상하부 전극 사이에 형성된 메모리 저항체를 포함한다. 메모리 저항체는 통상적으로 전이 금속 산화물로 형성되며, 인가 전압에 따라 저항 값이 변화되는 가변 저항 특성(variable resistance)을 지닌다. Resistance random access memory (RRAM), which is a resistive memory, mainly uses a characteristic (resistance conversion characteristic) in which a resistance value varies depending on a voltage of a transition metal oxide. The resistive memory element generally includes a memory resistor formed between upper and lower electrodes. The memory resistor is typically formed of a transition metal oxide, and has a variable resistance in which the resistance value changes according to the applied voltage.

저항성 메모리 소자의 안정적인 구동이 가능하며, 경제적으로 저렴한 물질로 형성된 저항성 메모리 소자를 제공한다. The resistive memory device can be driven in a stable manner, and the resistive memory device is formed of an economically inexpensive material.

저항성 메모리 소자에 있어서,In a resistive memory device,

제 1전극;A first electrode;

상기 제 1전극 상에 형성된 스위치 구조체; A switch structure formed on the first electrode;

상기 스위치 구조체 상에 형성된 중간 전극;An intermediate electrode formed on the switch structure;

상기 스위치 구조체 상에 형성된 메모리 저항체; 및A memory resistor formed on the switch structure; And

상기 메모리 저항체 상에 형성된 것으로, 상기 메모리 저항체의 금속보다 산화도가 낮은 물질로 형성된 제 2전극;을 포함하는 저항성 메모리 소자를 제공한다.And a second electrode formed on the memory resistor and formed of a material having a lower oxidation degree than that of the metal of the memory resistor.

본 발명의 일 측면에 있어서, 상기 제 2전극은 Cu 또는 Ag 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성된 것일 수 있다.In one aspect of the invention, the second electrode may be formed of at least one material of Cu or Ag.

본 발명의 일 측면에 있어서, 상기 메모리 저항체는 전이 금속 산화물로 형성된 것일 수 있다.In one aspect of the invention, the memory resistor may be formed of a transition metal oxide.

본 발명의 일 측면에 있어서, 상기 전이 금속 산화물은 Ni 산화물, Ti 산화물, Hf 산화물, Zr 산화물, Zn 산화물, W 산화물, Co 산화물 또는 Nb 산화물 중 적어도 어느 한 물질을 포함하는 것일 수 있다.In one aspect of the present invention, the transition metal oxide may include at least one of Ni oxide, Ti oxide, Hf oxide, Zr oxide, Zn oxide, W oxide, Co oxide or Nb oxide.

제 1방향으로 형성된 제 1전극 라인들;First electrode lines formed in a first direction;

상기 제 1전극 라인들 상에 형성된 제 1스위치 구조체;A first switch structure formed on the first electrode lines;

상기 제 1스위치 구조체 상에 형성된 제 1메모리 저항체; 및A first memory resistor formed on the first switch structure; And

상기 제 1메모리 저항체 상에 제 2방향으로 형성된 것으로, 상기 제 1메모리 저항체의 금속보다 산화도가 낮은 물질로 형성된 제 2전극 라인들;을 포함하는 저항성 메모리 소자 어레이를 제공한다.And second electrode lines formed on the first memory resistor in a second direction and formed of a material having a lower oxidation degree than that of the metal of the first memory resistor.

상기 제 2전극 라인들 상에 형성된 제 2스위치 구조체;A second switch structure formed on the second electrode lines;

상기 제 2스위치 구조체 상에 형성된 제 2메모리 저항체; 및 A second memory resistor formed on the second switch structure; And

상기 제 2메모리 저항체 상에 제 1방향으로 형성된 것으로, 상기 제 2메모리 저항체의 금속보다 산화도가 낮은 물질로 형성된 제 3전극 라인들;을 포함할 수 있다. And third electrode lines formed on the second memory resistor in a first direction and formed of a material having a lower oxidation degree than that of the metal of the second memory resistor.

상기 제 2전극 라인들은 Cu 또는 Ag 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성된 것일 수 있다. The second electrode lines may be formed of at least one material of Cu or Ag.

본 발명의 일 실시예에 따르면 안정적으로 저항성 메모리 소자의 전극으로 사용될 수 있으며, 또한 경제적으로 저렴한 물질을 포함하는 저항성 메모리 소자를 제공할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, it can be used as an electrode of a resistive memory device stably, and can also provide a resistive memory device including an economically inexpensive material.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 의한 저항성 메모리 소자에 대해 상세히 설명하고자 한다. 참고로, 도면에 도시된 각각 층 또는 영역들의 두께 및 폭은 설명을 위하여 과장되게 도시한 것임을 명심하여야 한다.Hereinafter, a resistive memory device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. For reference, it should be noted that the thickness and width of each layer or region illustrated in the drawings are exaggerated for the sake of explanation.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 저항성 메모리 소자의 구조를 나타낸 도면이다. 1 is a diagram illustrating a structure of a resistive memory device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 하부 전극(10) 상에 스위치 구조체(11)가 형성되어 있으며, 스위치 구조체(11) 상에 중간 전극(12), 메모리 저항체(13) 및 상부 전극(14)이 순차적으로 형성되어 있다. Referring to FIG. 1, a switch structure 11 is formed on a lower electrode 10, and an intermediate electrode 12, a memory resistor 13, and an upper electrode 14 are sequentially formed on the switch structure 11. Formed.

하부 전극(10) 및 중간 전극(12)은 통상적으로 반도체 소자에 사용되는 전극 물질을 사용할 수 있으며, 금속 또는 전도성 금속 산화물로 형성할 수 있다. 스위치 구조체(11)는 다이오드 또는 바리스터 등으로 형성할 수 있다. 메모리 저항체(13)은 저항성 메모리 소자에 사용되는 물질로 형성시키며 통상적으로 전이금속 산화물로 형성시킨다. 예를 들어, Ni 산화물, Ti 산화물, Hf 산화물, Zr 산화물, Zn 산화물, W 산화물, Co 산화물 또는 Nb 산화물 등이 있으며, 구체적으로 NiO, TiO2, HfO, ZrO, ZnO, WO3, CoO 또는 Nb2O5 중 적어도 어느 한 물질 또는 이들의 화합물을 포함한다.The lower electrode 10 and the intermediate electrode 12 may use an electrode material, which is typically used in a semiconductor device, and may be formed of a metal or a conductive metal oxide. The switch structure 11 may be formed of a diode, a varistor, or the like. The memory resistor 13 is formed of a material used for a resistive memory device and is typically formed of a transition metal oxide. For example, Ni oxide, Ti oxide, Hf oxide, Zr oxide, Zn oxide, W oxide, Co oxide, or Nb oxide, and the like, specifically NiO, TiO 2 , HfO, ZrO, ZnO, WO 3 , CoO or Nb At least one of 2 O 5 or a compound thereof.

본 발명의 실시예에 의한 저항성 메모리 소자에서는 메모리 저항체(13)와 접촉하는 상부 전극(14)이 메모리 저항체(13)의 금속 물질보다 산화도가 낮은 물질로 형성된다. In the resistive memory device according to the exemplary embodiment of the present invention, the upper electrode 14 contacting the memory resistor 13 is formed of a material having a lower oxidation degree than the metal material of the memory resistor 13.

이를 상세히 설명하면 다음과 같다. 가변 저항 특성을 지닌 메모리 저항체, 예를 들어 전이 금속 산화물의 경우, 메모리 저항체 내의 전이 금속에 의해 전자의 전도가 가능한 경로(path), 즉 전류의 흐름이 생성되며, 산소에 의해 전자 전도 경 로가 소멸됨으로써 가변 저항 특성을 지닌 것으로 알려져 있다. 만일, 메모리 저항체 내의 산소가 전자 전도 경로의 소멸에 기여하지 못하고, 전극 물질과 반응하여 산화막을 생성시키는 경우, 메모리 저항체의 가변 저항 특성은 상실된다. This will be described in detail as follows. In the case of a memory resistor having a variable resistance characteristic, for example, a transition metal oxide, a transition metal in the memory resistor generates a path through which electrons can be conducted, that is, a flow of current, and an oxygen conduction path is generated by oxygen. It is known to have variable resistance by being extinguished. If oxygen in the memory resistor does not contribute to the disappearance of the electron conduction path and reacts with the electrode material to produce an oxide film, the variable resistance characteristic of the memory resistor is lost.

따라서, 저항성 메모리 소자의 메모리 저항체와 접촉하는 전극 물질의 선택 시, 메모리 저항체의 금속 물질보다 산화도가 낮은 물질을 사용함으로써 메모리 저항체와 전극 사이에 산화막이 생성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 귀금속보다 가격이 싼 금속을 이용하여 전극을 형성하여 저항성 메모리 소자 제조 시 원가를 절감할 수 있다. Therefore, when the electrode material in contact with the memory resistor of the resistive memory element is selected, an oxide film between the memory resistor and the electrode can be prevented by using a material having a lower oxidation degree than the metal material of the memory resistor. In addition, it is possible to reduce the cost of manufacturing the resistive memory device by forming an electrode using a metal that is cheaper than the precious metal.

도 2는 다양한 금속 물질들의 산화물 상태에서의 자유 에너지(Gibbs free energy)의 값을 나타낸 그래프이다. 도 2를 참조하면, 금속 산화물 상태에서 자유 에너지의 값이 낮은 경우, 물리화학적으로 안정된 상태를 나타내는 것이며, 금속 상태에서 산화물을 형성하고자 하는 산화도가 높다. 따라서, 도 2에 나타낸 금속들의 산화도가 높은 순서로 나열하면 Al > Ti > Ta > Mo > Ni > Cu > Ir > Pd > Ag 순이 된다. 2 is a graph showing values of Gibbs free energy in the oxide state of various metal materials. Referring to FIG. 2, when the value of free energy is low in the metal oxide state, it indicates a physicochemically stable state, and a degree of oxidation to form an oxide in the metal state is high. Therefore, when the degree of oxidation of the metals shown in FIG. 2 is arranged in the order of high order, Al> Ti> Ta> Mo> Ni> Cu> Ir> Pd> Ag.

도 2에 나타낸 금속들의 산화도를 기준으로 상부 전극(14) 물질을 살펴보면, 만일 메모리 저항체(13)가 Ni 산화물인 경우, Ni 보다 산화도가 낮은 금속(M)인 Cu, Ir, Pd 또는 Ag로 상부 전극(14)을 형성한다. 이 중 Ir 또는 Pd의 경우 귀금속으로서 가격이 매우 높기 때문에, 저항성 메모리 소자 제조 시 생산 원가가 크게 증가할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예에 의한 저항성 메모리 소자에서는 메모리 저항체(13)와 접촉하는 상부 전극(14) 물질로 메모리 저항체(13)의 금속 물질보 다 산화도가 높으며, 가격이 매우 저렴한 Cu 또는 Ag를 사용할 수 있다. 현재 Ag의 경우, 통상적으로 저항성 메모리 소자의 전극 물질로 사용되는 Pt와 비교하면 약 1/100이며, Cu는 약 1/8000의 가격에 거래되고 있다. Referring to the material of the upper electrode 14 based on the oxidation degree of the metals shown in FIG. 2, if the memory resistor 13 is Ni oxide, Cu, Ir, Pd or Ag, which is a metal (M) having a lower oxidation rate than Ni, is described. The upper electrode 14 is formed. In the case of Ir or Pd, the cost of the precious metal is very high, and thus the production cost may increase significantly in the manufacture of the resistive memory device. Accordingly, in the resistive memory device according to the exemplary embodiment of the present invention, Cu or Ag, which is higher in oxidation resistance than the metal material of the memory resistor 13, is a material of the upper electrode 14 contacting the memory resistor 13. Can be used. Currently, Ag is about 1/100 compared to Pt, which is typically used as the electrode material of resistive memory devices, and Cu is trading at a price of about 1/8000.

도 3은 메모리 저항체(13)를 Ni 산화물로 형성하며, 상부 전극(14)으로 Cu를 사용하여 형성한 저항성 메모리 소자의 인가 전압(V)에 대한 전류 값(A)을 나타낸 그래프이다. 3 is a graph showing a current value A with respect to an applied voltage V of a resistive memory element in which the memory resistor 13 is formed of Ni oxide and formed of Cu as the upper electrode 14.

도 3을 참조하면, 동일한 인가 전압에 대해 메모리 저항체는 다양한 저항 값을 나타내고 있음을 알 수 있다. 즉, Cu를 상부 전극(14)으로 형성한 경우, 가변 저항 특성을 잘 나타내므로 저항성 메모리 소자로 사용 가능함을 알 수 있다. Referring to FIG. 3, it can be seen that the memory resistors exhibit various resistance values for the same applied voltage. That is, when Cu is formed as the upper electrode 14, it can be seen that it can be used as a resistive memory device because it exhibits a variable resistance characteristic well.

도 4는 메모리 저항체(13)를 Ni 산화물로 형성하며, 상부 전극(14)으로 Ag를 사용하여 형성한 저항성 메모리 소자의 인가 전압(V)에 대한 전류 값(A)을 나타낸 그래프이다. FIG. 4 is a graph showing a current value A with respect to an applied voltage V of a resistive memory device in which the memory resistor 13 is formed of Ni oxide and formed of Ag as the upper electrode 14.

도 4를 참조하면, 메모리 저항체는 동일한 인가 전압에 대해 다양한 저항 값을 나타내고 있음을 알 수 있다. 즉, Ag를 상부 전극(14)으로 형성한 경우, 가변 저항 특성을 잘 나타내므로 저항성 메모리 소자로 사용 가능함을 알 수 있다. Referring to FIG. 4, it can be seen that the memory resistors exhibit various resistance values with respect to the same applied voltage. That is, when Ag is formed as the upper electrode 14, it can be seen that it can be used as a resistive memory device because it exhibits a variable resistance characteristic well.

본 발명의 실시예에 의한 저항성 메모리 소자는 단위 소자뿐만 아니라 메모리 어레이 구조에도 적용될 수 있다. The resistive memory device according to an exemplary embodiment of the present invention may be applied to a memory array structure as well as a unit device.

도 5는 본 발명의 실시예에 의한 저항성 메모리 어레이 구조를 나타낸 사시도이다. 도 5를 참조하면, 제 1방향으로 형성된 제 1전극 라인들(51), 제 1전극 라인들(51) 상에 형성된 제 1스위치 구조체(52) 및 제 1메모리 저항체(53), 제 1메모 리 저항체(53) 상에 제 2방향으로 형성된 제 2전극 라인들(54), 제 2전극 라인들(54) 상에 형성된 제 2스위치 구조체(55) 및 제 2메모리 저항체(56) 및 메모리 저항체(56) 상에 다시 제 1방향으로 형성된 제 3전극 라인들(57)을 포함한다. 여기서 제 1스위치 구조체(52) 및 제 1메모리 저항체(53) 사이와 제 2스위치 구조체(55) 및 제 2메모리 저항체(56) 사이에는 중간 전극을 더 포함할 수 있다. 여기서, 제 1, 제 2 및 제 3전극 라인들(51, 54, 57)은 메모리 저항체(53, 56)보다 산화도가 낮은 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어 Ag 또는 Cu 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성될 수 있다.5 is a perspective view illustrating a resistive memory array structure according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, the first electrode lines 51 formed in the first direction, the first switch structure 52 formed on the first electrode lines 51, the first memory resistor 53, and the first memo are described. Second electrode lines 54 formed in the second direction on the second resistor 53, the second switch structure 55 and the second memory resistor 56 and the memory resistor formed on the second electrode lines 54. Third electrode lines 57 formed on the first surface 56 in the first direction are included. The intermediate electrode may be further included between the first switch structure 52 and the first memory resistor 53, and between the second switch structure 55 and the second memory resistor 56. Here, the first, second and third electrode lines 51, 54, 57 may be formed of a material having a lower oxidation degree than the memory resistors 53, 56, for example, at least one of Ag or Cu. It may be formed of a material of.

상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.While many details are set forth in the foregoing description, they should be construed as illustrative of preferred embodiments, rather than to limit the scope of the invention. Therefore, the scope of the present invention should not be defined by the described embodiments, but should be determined by the technical spirit described in the claims.

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 저항성 메모리 소자의 구조를 나타낸 도면이다. 1 is a diagram illustrating a structure of a resistive memory device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 다양한 금속 물질들의 산화물 상태에서의 자유 에너지(Gibbs free energy)의 값을 나타낸 그래프이다.2 is a graph showing values of Gibbs free energy in the oxide state of various metal materials.

도 3은 메모리 저항체를 Ni 산화물로 형성하며, 상부 전극으로 Cu를 사용하여 형성한 저항성 메모리 소자의 인가 전압(V)에 대한 전류 값(A)을 나타낸 그래프이다. 3 is a graph showing a current value A with respect to an applied voltage V of a resistive memory device in which a memory resistor is formed of Ni oxide and formed using Cu as an upper electrode.

도 4는 메모리 저항체를 Ni 산화물로 형성하며, 상부 전극으로 Ag를 사용하여 형성한 저항성 메모리 소자의 인가 전압(V)에 대한 전류 값(A)을 나타낸 그래프이다. 4 is a graph illustrating a current value A with respect to an applied voltage V of a resistive memory device in which a memory resistor is formed of Ni oxide and formed of Ag as an upper electrode.

도 5는 본 발명의 실시예에 의한 저항성 메모리 어레이 구조를 나타낸 사시도이다5 is a perspective view illustrating a resistive memory array structure according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10... 하부 전극 11... 스위치 구조체10 ... lower electrode 11 ... switch structure

12... 중간 전극 13... 메모리 저항체12 ... intermediate electrode 13 ... memory resistor

14... 상부 전극 51... 제 1전극 라인들 14 ... upper electrode 51 ... first electrode lines

52... 제 1스위치 구조체 53... 제 1메모리 저항체52 ... first switch structure 53 ... first memory resistor

54... 제 2전극 라인들 55... 제 2스위치 구조체54 ... Second electrode lines 55 ... Second switch structure

56... 제 2메모리 저항체 57... 제 3전극 라인들56 ... second memory resistor 57 ... third electrode lines

M : Ni 보다 산화도가 낮은 금속M: metal with lower oxidation degree than Ni

Claims (9)

저항성 메모리 소자에 있어서,In a resistive memory device, 제 1전극;A first electrode; 상기 제 1전극 상에 형성된 스위치 구조체; A switch structure formed on the first electrode; 상기 스위치 구조체 상에 형성된 중간 전극;An intermediate electrode formed on the switch structure; 상기 스위치 구조체 상에 형성된 메모리 저항체; 및A memory resistor formed on the switch structure; And 상기 메모리 저항체 상에 형성된 것으로, 상기 메모리 저항체의 금속보다 산화도가 낮은 물질로 형성된 제 2전극;을 포함하는 저항성 메모리 소자.And a second electrode formed on the memory resistor and formed of a material having a lower oxidation degree than the metal of the memory resistor. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2전극은 Cu 또는 Ag 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성된 저항성 메모리 소자.The second electrode may be formed of at least one of Cu and Ag. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 메모리 저항체는 전이 금속 산화물로 형성된 저항성 메모리 소자.The memory resistor is formed of a transition metal oxide. 제 3항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 전이 금속 산화물은 Ni 산화물, Ti 산화물, Hf 산화물, Zr 산화물, Zn 산화물, W 산화물, Co 산화물 또는 Nb 산화물 중 적어도 어느 한 물질을 포함하는 저항성 메모리 소자.The transition metal oxide includes at least one of Ni oxide, Ti oxide, Hf oxide, Zr oxide, Zn oxide, W oxide, Co oxide or Nb oxide. 제 1방향으로 형성된 제 1전극 라인들;First electrode lines formed in a first direction; 상기 제 1전극 라인들 상에 형성된 제 1스위치 구조체;A first switch structure formed on the first electrode lines; 상기 제 1스위치 구조체 상에 형성된 제 1메모리 저항체; 및A first memory resistor formed on the first switch structure; And 상기 제 1메모리 저항체 상에 제 2방향으로 형성된 것으로, 상기 제 1메모리 저항체의 금속보다 산화도가 낮은 물질로 형성된 제 2전극 라인들;을 포함하는 저항성 메모리 소자 어레이.And second electrode lines formed on the first memory resistor in a second direction and formed of a material having a lower oxidation degree than that of the metal of the first memory resistor. 제 5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제 2전극 라인들 상에 형성된 제 2스위치 구조체;A second switch structure formed on the second electrode lines; 상기 제 2스위치 구조체 상에 형성된 제 2메모리 저항체; 및 A second memory resistor formed on the second switch structure; And 상기 제 2메모리 저항체 상에 제 1방향으로 형성된 것으로, 상기 제 2메모리 저항체의 금속보다 산화도가 낮은 물질로 형성된 제 3전극 라인들;을 포함하는 저항성 메모리 소자 어레이.And third electrode lines formed on the second memory resistor in a first direction and formed of a material having a lower oxidation degree than that of the metal of the second memory resistor. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제 2전극 라인들은 Cu 또는 Ag 중 적어도 어느 하나의 물질로 형성된 저항성 메모리 소자 어레이.And the second electrode lines are formed of at least one of Cu and Ag. 제 5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 제 1메모리 저항체는 전이 금속 산화물로 형성된 저항성 메모리 소자 어레이.And the first memory resistor is formed of a transition metal oxide. 제 8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 전이 금속 산화물은 Ni 산화물, Ti 산화물, Hf 산화물, Zr 산화물, Zn 산화물, W 산화물, Co 산화물 또는 Nb 산화물 중 적어도 어느 한 물질을 포함하는 저항성 메모리 소자 어레이.The transition metal oxide may include at least one of Ni oxide, Ti oxide, Hf oxide, Zr oxide, Zn oxide, W oxide, Co oxide, or Nb oxide.
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CN103943776A (en) * 2014-04-01 2014-07-23 清华大学 Laminated capacitance type resistance random access memory unit structure and operating method thereof
WO2014142843A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memristors with dopant-compensated switching
KR20150091689A (en) * 2014-02-03 2015-08-12 삼성전자주식회사 Memroy Device and Memroy Cell Array

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