KR20100033710A - Method for manufacturing of array substrate for liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A manufacturing method of an array panel for a liquid crystal display is provided to prevent a point defect by preventing a side etch through forming a silicon leach layer using a change of gas flow rate when forming a second passivation layer. CONSTITUTION: A manufacturing method of an array panel for a liquid crystal display comprises the following steps: forming a gate electrode(102) on a substrate(101); forming a gate insulating layer(104) in the front side of the substrate with the gate electrode; forming an active layer(105), an ohmic contact layer(106), a source electrode(107a) and a drain electrode(107b) on the gate insulating layer; forming a first passivation layer(108) in the front of the substrate including the source electrode and the drain electrode; plasma processing the surface of the first passivation layer; forming a color filter layer(109) on the first passivation layer; forming a second passivation layer(110); forming a contact hole(111) and forming a pixel electrode electrically connected with the drain electrode.

Description

액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법{Method for manufacturing Of Array substrate for Liquid Crystal Display Device}Method for manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device {Method for manufacturing Of Array substrate for Liquid Crystal Display Device}

본 발명은 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 더블 구조를 갖는 패시베이션층의 계면에서 발생하는 역 테이퍼(taper)를 개선하도록 한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly, to a method for manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device in which an inverse taper generated at an interface of a passivation layer having a double structure is improved.

일반적으로, 액정표시장치는 액정분자의 광학적 이방성과 복굴절 특성을 이용하여 화상을 표현하는 것으로, 전계가 인가되면 액정의 배열이 달라지고 달라진 액정의 배열 방향에 따라 빛이 투과되는 특성 또한 달라진다.In general, a liquid crystal display device displays an image by using optical anisotropy and birefringence characteristics of liquid crystal molecules. When an electric field is applied, the alignment of liquid crystals is changed, and the characteristics of light transmission vary according to the arrangement direction of the changed liquid crystals.

일반적으로, 액정표시장치는 전계 생성 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고, 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.In general, a liquid crystal display device arranges two substrates on which the field generating electrodes are formed so that the surfaces on which the two electrodes are formed face each other, injects a liquid crystal material between the two substrates, and then applies a voltage to the two electrodes. By moving the liquid crystal molecules by the generated electric field, the device expresses the image by the transmittance of light that varies accordingly.

도 1은 일반적인 액정표시장치를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 COT 구조를 갖는 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.1 is a plan view illustrating a general liquid crystal display, and FIG. 2 is a cross-sectional view of a liquid crystal display having a COT structure along the line II ′ of FIG. 1.

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 투명한 기판(11) 위에 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 게이트 전극(12)이 형성되어 있고, 상기 게이트 전극(12) 위에 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiO2)으로 이루어진 게이트 절연막(13)이 게이트 전극(12)을 덮고 있다. 1 and 2, a gate electrode 12 made of a conductive material such as a metal is formed on a transparent substrate 11, and a silicon nitride film SiNx or a silicon oxide film is formed on the gate electrode 12. The gate insulating film 13 made of SiO 2 covers the gate electrode 12.

상기 게이트 전극(12) 상부의 게이트 절연막(13) 위에는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(14)이 형성되어 있으며, 상기 액티브층(14) 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(15)을 개재하여 일정한 간격을 갖고 소오스 전극(16a) 및 드레인 전극(16b)이 형성되어 있는데, 상기 소오스 및 드레인 전극(16a, 16b)은 상기 게이트 전극(12)과 함께 박막트랜지스터(T)를 이룬다.An active layer 14 made of amorphous silicon is formed on the gate insulating layer 13 on the gate electrode 12. An ohmic contact layer 15 made of amorphous silicon doped with impurities is formed on the active layer 14. Source electrodes 16a and drain electrodes 16b are formed at regular intervals therebetween, and the source and drain electrodes 16a and 16b form a thin film transistor T together with the gate electrode 12.

상기 박막트랜지스터(T)를 포함한 제 1 기판(11)의 전면에 제 1 패시베이션층(17)이 형성되어 있고, 상기 제 1 패시베이션층(17)상에 일정한 간격을 갖고 R, G, B의 칼라 필터층(18)이 형성되어 있다.The first passivation layer 17 is formed on the entire surface of the first substrate 11 including the thin film transistor T, and the R, G, and B colors are formed at regular intervals on the first passivation layer 17. The filter layer 18 is formed.

상기 칼라 필터층(18)을 포함한 제 1 기판(11)의 전면에 제 2 패시베이션층(19)이 형성되어 있고, 상기 제 1 패시베이션층(17)과 제 2 패시베이션층(19)을 관통하여 상기 드레인 전극(16b)과 전기적으로 연결되게 화소전극(20)이 형성되어 있으며, 상기 화소전극(20)과 일정한 간격을 갖게 복수의 공통전극(도시되지 않음)이 형성되어 있다.The second passivation layer 19 is formed on the entire surface of the first substrate 11 including the color filter layer 18, and passes through the first passivation layer 17 and the second passivation layer 19 to drain the drain. The pixel electrode 20 is formed to be electrically connected to the electrode 16b, and a plurality of common electrodes (not shown) are formed to have a predetermined distance from the pixel electrode 20.

한편, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 게이트 전극(12)은 게이트 배선과 연결되어 있고, 상기 소오스 전극(16a)은 데이터 배선과 연결되어 있으며, 게이트 배선과 데이터 배선(16)은 서로 직교하여 화소 영역을 정의한다.Although not shown in the drawing, the gate electrode 12 is connected to the gate wiring, the source electrode 16a is connected to the data wiring, and the gate wiring and the data wiring 16 are orthogonal to each other. Define.

또한, 상기 게이트 배선과 동일한 방향으로 갖고 상기 공통전극에 연결되되도록 상기 게이트 전극(12)과 일정한 간격을 갖고 상기 기판(11)상에 공통배선(21)이 형성되어 있다.In addition, a common wiring 21 is formed on the substrate 11 at regular intervals from the gate electrode 12 so as to be connected to the common electrode in the same direction as the gate wiring.

상기와 같이 컬러 필터층(18)을 기판(하부 기판)(11)상에 형성할 경우, 컬러 필터층(18)과 화소 전극(20)간의 오정렬을 방지하여 블랙 매트릭스(도시되지 않음)의 폭을 넓게 형성하지 않아도 되므로 개구율을 향상시킬 수 있다.When the color filter layer 18 is formed on the substrate (lower substrate) 11 as described above, misalignment between the color filter layer 18 and the pixel electrode 20 is prevented to widen the width of the black matrix (not shown). Since it does not need to form, an opening ratio can be improved.

도 3a 내지 도 3e는 종래 기술에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 나타낸 공정단면도이다. 3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to the prior art.

도 3a에 도시한 바와 같이, 투명한 재질의 기판(31)상에 금속 물질을 증착하고, 포토 및 식각 공정을 통해 상기 금속 물질을 선택적으로 제거하여 게이트 전극(32)을 형성한다.As shown in FIG. 3A, a metal material is deposited on a transparent substrate 31, and the metal material is selectively removed through a photo and etching process to form a gate electrode 32.

여기서, 상기 게이트 전극(32)의 형성시 게이트 전극(32)과 연결되어 일방향으로 연장되어 있는 게이트 배선(도시하지 않음)과 함께 공통배선(33)도 함께 형성된다.When the gate electrode 32 is formed, the common wiring 33 is also formed together with the gate wiring (not shown) connected to the gate electrode 32 and extending in one direction.

이어서, 상기 게이트 전극(32)을 포함한 기판(31)의 전면에 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막과 같은 절연 물질을 증착하여 게이트 절연막(34)을 형성한다.Subsequently, an insulating material such as a silicon nitride film or a silicon oxide film is deposited on the entire surface of the substrate 31 including the gate electrode 32 to form the gate insulating film 34.

도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(34)상에 비정질 실리콘층 및 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층을 차례로 증착한다.As shown in FIG. 3B, an amorphous silicon layer and an amorphous silicon layer doped with impurities are sequentially deposited on the gate insulating layer 34.

이어서, 상기 비정질 실리콘층상에 소오스 및 드레인 전극용 금속막을 연속 하여 증착한다.Subsequently, a metal film for source and drain electrodes is successively deposited on the amorphous silicon layer.

그리고 포토 및 식각 공정을 통해 상기 금속막, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층 및 비정질 실리콘층을 선택적으로 제거하여 액티브층(35)과 오믹콘택층(36) 및 소오스 전극(37a) 및 드레인 전극(37b)을 형성한다.The active layer 35, the ohmic contact layer 36, the source electrode 37a, and the drain electrode 37b may be selectively removed by removing the metal layer, the amorphous silicon layer and the amorphous silicon layer doped with impurities through a photo and etching process. ).

여기서, 상기 소오스 전극(37a) 및 드레인 전극(37b)의 형성시 상기 소오스 전극(37a)에 연장되어 상기 게이트 배선과 직교하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선(도시하지 않음)도 함께 형성된다.When the source electrode 37a and the drain electrode 37b are formed, a data line (not shown) that extends to the source electrode 37a and defines a pixel area orthogonal to the gate line is also formed.

그리고 상기 소오스 전극(37a) 및 드레인 전극(37b)에 의해 노출된 오믹콘택층(36)을 선택적으로 제거한다.The ohmic contact layer 36 exposed by the source electrode 37a and the drain electrode 37b is selectively removed.

이때, 상기 소오스 전극(37a) 및 드레인 전극(37b)은 추후 공정에서 채널을 형성하기 위해, 서로 일정간격 이격되도록 형성한다.In this case, the source electrode 37a and the drain electrode 37b are formed to be spaced apart from each other by a predetermined interval to form a channel in a later process.

전술한 바와 같이, 상기 소오스 및 드레인 전극(37a,37b)은 게이트 전극(32)과 함께 박막트랜지스터를 이룬다.As described above, the source and drain electrodes 37a and 37b form a thin film transistor together with the gate electrode 32.

도 3c에 도시한 바와 같이, 상기 소오스 및 드레인 전극(37a,37b)을 포함한 기판(31)의 전면에 제 1 패시베이션층(38)을 형성한다.As shown in FIG. 3C, the first passivation layer 38 is formed on the entire surface of the substrate 31 including the source and drain electrodes 37a and 37b.

도 3d에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 패시베이션층(38)상에 감광성 물질을 도포하고 노광 및 패터닝함으로써 화소 영역에 컬러 필터층(39)을 형성한다. As shown in FIG. 3D, the color filter layer 39 is formed in the pixel region by applying, exposing and patterning a photosensitive material on the first passivation layer 38.

여기서, 상기 컬러 필터층(39)은 적, 녹, 청의 세 가지 색으로 이루어지므로, 이러한 도포와 노광 및 현상 공정을 세 번 반복하여 각각의 색을 구현하는 컬러필터를 형성한다. Since the color filter layer 39 is formed of three colors of red, green, and blue, the color filter layer 39 repeats the application, exposure, and development processes three times to form a color filter for realizing each color.

이어서, 상기 컬러 필터층(39)을 포함한 기판(31)의 전면에 제 2 패시베이션층(40)을 형성하고, 상기 드레인 전극(37b)의 표면이 노출되도록 상기 칼라 필터층(39) 경계 부분의 제 2 패시베이션층(40)과 제 1 패시베이션층(38)을 선택적으로 제거하여 콘택홀(41)을 형성한다.Subsequently, a second passivation layer 40 is formed on the entire surface of the substrate 31 including the color filter layer 39, and the second portion of the boundary portion of the color filter layer 39 is exposed so that the surface of the drain electrode 37b is exposed. The passivation layer 40 and the first passivation layer 38 are selectively removed to form the contact hole 41.

도 3e에 도시한 바와 같이, 상기 콘택홀(41)을 포함한 기판(31)의 전면에 투명 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 상기 드레인 전극(37b)과 전기적으로 연결되는 화소전극(42)을 형성함과 함께 상기 화소전극(42)과 일정한 간격을 갖는 공통전극(43)을 형성한다.As shown in FIG. 3E, a transparent conductive material is deposited and patterned on the entire surface of the substrate 31 including the contact hole 41 to form a pixel electrode 42 electrically connected to the drain electrode 37b. In addition, a common electrode 43 having a predetermined distance from the pixel electrode 42 is formed.

그러나 상기와 같은 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법은 제 1 패시베이션층과 제 2 패시베이션층의 계면에서 접착(adhesion)이 취약하여 상기 제 2 패시베이션층과 제 1 패시베이션층을 선택적으로 식각하여 콘택홀을 형성할 때 사이드 에치(side etch)(도 4)가 발생하여 역 테이퍼(taper)가 형성되어 포인트 디펙트(point defect)가 발생하는 문제점이 있었다.However, in the method of manufacturing the array substrate for the liquid crystal display device as described above, since the adhesion is weak at the interface between the first passivation layer and the second passivation layer, the second passivation layer and the first passivation layer are selectively etched to contact holes. When the side etch (side etch) (Fig. 4) is generated to form a reverse taper (taper) there was a problem that a point defect (point defect) occurs.

즉, 도 4는 종래 기술에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조시 발생하는 문제를 설명하기 위한 도면이다.That is, FIG. 4 is a view for explaining a problem occurring in manufacturing the array substrate for a liquid crystal display device according to the prior art.

도 4에 도시한 바와 같이, 제 1 패시베이션층(38)과 제 2 패시베이션층(40)의 계면에서 오염 또는 C, H, O와 같은 물질에 의해 SiNx의 증착을 방해하여 결합력이 약화되어 콘택홀을 형성하기 위한 식각 공정시 계면에서 에칭 속도가 빠르게 진행하여 사이드 에치가 발생하게 된다.As shown in FIG. 4, at the interface between the first passivation layer 38 and the second passivation layer 40, contamination or the deposition of SiNx is prevented by a material such as C, H, O, thereby weakening the bonding force, thereby causing contact holes. During the etching process to form the etching rate at the interface proceeds quickly to cause side etch.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서 더블 패시베이션층 계면에서 사이드 에치를 방지하여 포인트 디펙트(point defect)를 방지할 수 있도록 한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and to provide a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device, which can prevent side defects at the double passivation layer interface to prevent point defects. have.

본 발명에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법은 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 포함한 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극과 대응되는 상기 게이트 절연막상에 액티브층, 오믹콘택층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함한 기판의 전면에 제 1 패시베이션층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 패시베이션층의 표면에 플라즈마 처리를 실시하는 단계와, 상기 표면이 플라즈마 처리된 제 1 패시베이션층상에 칼라 필터층을 형성하는 단계와, 상기 칼라 필터층을 포함한 기판의 전면에 제 2 패시베이션층을 형성하는 단계와, 상기 드레인 전극의 표면이 소정부분 노출되도록 제 2 패시베이션층 및 제 1 패시베이션층을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 한다.A method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention includes the steps of forming a gate electrode on a substrate, forming a gate insulating film on the entire surface of the substrate including the gate electrode, and the gate corresponding to the gate electrode. Forming an active layer, an ohmic contact layer, a source electrode and a drain electrode on the insulating film, and forming a first passivation layer on the front surface of the substrate including the source electrode and the drain electrode, and a surface of the first passivation layer. Plasma treatment, forming a color filter layer on the first passivation layer on which the surface is plasma treated, forming a second passivation layer on the entire surface of the substrate including the color filter layer, and the drain electrode. Selectively remove the second passivation layer and the first passivation layer to expose a portion of the surface of the substrate And forming a contact hole, and forming a pixel electrode electrically connected to the drain electrode through the contact hole.

본 발명에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법은 다음과 같은 효과 가 있다.The method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention has the following effects.

즉, 제 1 패시베이층을 형성한 후에 표면에 N2 플라즈마 처리를 실시하거나 제 2 패시베이션층을 형성할 때 가스 유량을 변화시켜 에칭비가 낮은 실리콘 리치층을 형성함으로써 패시베이션층의 계면에서 사이드 에치를 방지하여 포인트 디펙트(point defect)를 방지할 수 있다.That is, after forming the first passivation layer, when the N 2 plasma treatment is applied to the surface or the second passivation layer is formed, the gas flow rate is changed to form a silicon rich layer having a low etching rate so that the side etch is performed at the interface of the passivation layer. This prevents point defects.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.5A to 5E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 5a에 도시한 바와 같이, 투명한 재질의 기판(101)상에 금속 물질을 증착하고, 포토 및 식각 공정을 통해 상기 금속 물질을 선택적으로 제거하여 게이트 전극(102)을 형성한다.As shown in FIG. 5A, a metal material is deposited on a transparent substrate 101, and the metal material is selectively removed through a photo and etching process to form a gate electrode 102.

여기서, 상기 게이트 전극(102)의 형성시 게이트 전극(102)과 연결되어 일방향으로 연장되어 있는 게이트 배선(도시하지 않음)과 함께 공통배선(103)도 함께 형성된다.When the gate electrode 102 is formed, the common wiring 103 is also formed together with the gate wiring (not shown) connected to the gate electrode 102 and extending in one direction.

이어, 상기 게이트 전극(102)을 포함한 기판(101)의 전면에 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막과 같은 절연 물질을 증착하여 게이트 절연막(104)을 형성한다.Subsequently, an insulating material such as a silicon nitride film or a silicon oxide film is deposited on the entire surface of the substrate 101 including the gate electrode 102 to form the gate insulating film 104.

도 5b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(104)상에 비정질 실리콘층 및 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층을 차례로 증착한다.As shown in FIG. 5B, an amorphous silicon layer and an amorphous silicon layer doped with impurities are sequentially deposited on the gate insulating layer 104.

이어서, 상기 비정질 실리콘층상에 소오스 및 드레인 전극용 금속막을 연속하여 증착한다.Subsequently, a metal film for source and drain electrodes is successively deposited on the amorphous silicon layer.

그리고 포토 및 식각 공정을 통해 상기 금속막, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층 및 비정질 실리콘층을 선택적으로 제거하여 액티브층(105)과 오믹콘택층(106) 및 소오스 전극(107a) 및 드레인 전극(107b)을 형성한다.The active layer 105, the ohmic contact layer 106, the source electrode 107a, and the drain electrode 107b may be selectively removed by removing the metal layer, the amorphous silicon layer doped with impurities, and the amorphous silicon layer through a photo and etching process. ).

여기서, 상기 소오스 전극(107a) 및 드레인 전극(107b)의 형성시 상기 소오스 전극(107a)에 연장되어 상기 게이트 배선과 직교하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선(도시하지 않음)도 함께 형성된다.When the source electrode 107a and the drain electrode 107b are formed, a data line (not shown) that extends to the source electrode 107a and defines a pixel area orthogonal to the gate line is also formed.

그리고 상기 소오스 전극(107a) 및 드레인 전극(107b)에 의해 노출된 오믹콘택층(106)을 선택적으로 제거한다.The ohmic contact layer 106 exposed by the source electrode 107a and the drain electrode 107b is selectively removed.

이때, 상기 소오스 전극(107a) 및 드레인 전극(107b)은 추후 공정에서 채널을 형성하기 위해, 서로 일정간격 이격되도록 형성한다.In this case, the source electrode 107a and the drain electrode 107b are formed to be spaced apart from each other by a predetermined interval to form a channel in a later process.

전술한 바와 같이, 상기 소오스 및 드레인 전극(107a,107b)은 게이트 전극(102)과 함께 박막트랜지스터를 이룬다.As described above, the source and drain electrodes 107a and 107b together with the gate electrode 102 form a thin film transistor.

도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 소오스 및 드레인 전극(107a,107b)을 포함한 기판(101)의 전면에 제 1 패시베이션층(108)을 형성한다.As shown in FIG. 5C, the first passivation layer 108 is formed on the entire surface of the substrate 101 including the source and drain electrodes 107a and 107b.

이어서, 상기 제 1 패시베이션층(108)의 표면에 N2 플라즈마 처리를 실시한다.Subsequently, N 2 plasma treatment is performed on the surface of the first passivation layer 108.

도 5d에 도시한 바와 같이, 상기 표면이 N2 플라즈마 처리된 제 1 패시베이션층(108)상에 감광성 물질을 도포하고 노광 및 패터닝함으로써 화소 영역에 컬러 필터층(109)을 형성한다. As shown in FIG. 5D, the color filter layer 109 is formed in the pixel region by applying, exposing and patterning a photosensitive material on the first passivation layer 108 whose surface is N 2 plasma treated.

여기서, 상기 컬러 필터층(109)은 적, 녹, 청의 세 가지 색으로 이루어지므로, 이러한 도포와 노광 및 현상 공정을 세 번 반복하여 각각의 색을 구현하는 컬러필터를 형성한다. Here, since the color filter layer 109 is composed of three colors of red, green, and blue, the color filter layer 109 is repeated three times to form a color filter for implementing each color.

이어서, 상기 컬러 필터층(109)을 포함한 기판(101)의 전면에 제 2 패시베이션층(110)을 형성하고, 상기 드레인 전극(107b)의 표면이 노출되도록 상기 칼라 필터층(109) 경계 부분의 제 2 패시베이션층(110)과 제 1 패시베이션층(108)을 선택적으로 제거하여 콘택홀(111)을 형성한다.Subsequently, a second passivation layer 110 is formed on the entire surface of the substrate 101 including the color filter layer 109 and the second portion of the boundary portion of the color filter layer 109 is exposed so that the surface of the drain electrode 107b is exposed. The passivation layer 110 and the first passivation layer 108 are selectively removed to form the contact hole 111.

여기서, 상기 콘택홀(111)을 형성할 때 상기 제 1 패시베이션층(108)의 표면에 N2 플라즈마 처리로 물리적 세정효과 및 N흡착에 의해 계면 접착력을 강화시켜 상기 제 1 패시베이션층(108)과 제 2 패시베이션층(110)의 계면에서 사이드 에치를 방지하여 역테이퍼를 방지할 수 있다.Here, when the contact hole 111 is formed, the surface adhesion of the first passivation layer 108 is enhanced by physical cleaning effect and N adsorption by N 2 plasma treatment on the surface of the first passivation layer 108 and the first passivation layer 108. The reverse taper may be prevented by preventing side etch at the interface of the second passivation layer 110.

도 5e에 도시한 바와 같이, 상기 콘택홀(111)을 포함한 기판(101)의 전면에 투명 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 상기 드레인 전극(107b)과 전기적으로 연결되는 화소전극(112)을 형성함과 함께 상기 화소전극(112)과 일정한 간격을 갖는 공통전극(113)을 형성한다.As illustrated in FIG. 5E, a transparent conductive material is deposited and patterned on the entire surface of the substrate 101 including the contact hole 111 to form a pixel electrode 112 electrically connected to the drain electrode 107b. In addition, a common electrode 113 having a predetermined distance from the pixel electrode 112 is formed.

도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.6A to 6F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

도 6a에 도시한 바와 같이, 투명한 재질의 기판(201)상에 금속 물질을 증착하고, 포토 및 식각 공정을 통해 상기 금속 물질을 선택적으로 제거하여 게이트 전극(102)을 형성한다.As shown in FIG. 6A, a metal material is deposited on a transparent substrate 201, and the metal material is selectively removed through a photo and etching process to form a gate electrode 102.

여기서, 상기 게이트 전극(202)의 형성시 게이트 전극(202)과 연결되어 일방향으로 연장되어 있는 게이트 배선(도시하지 않음)과 함께 공통배선(203)도 함께 형성된다.When the gate electrode 202 is formed, the common wiring 203 is also formed together with the gate wiring (not shown) connected to the gate electrode 202 and extending in one direction.

이어서, 상기 게이트 전극(202)을 포함한 기판(201)의 전면에 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막과 같은 절연 물질을 증착하여 게이트 절연막(204)을 형성한다.Subsequently, an insulating material such as a silicon nitride film or a silicon oxide film is deposited on the entire surface of the substrate 201 including the gate electrode 202 to form a gate insulating film 204.

도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 절연막(204)상에 비정질 실리콘층 및 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층을 차례로 증착한다.As shown in FIG. 6B, an amorphous silicon layer and an amorphous silicon layer doped with impurities are sequentially deposited on the gate insulating layer 204.

이어서, 상기 비정질 실리콘층상에 소오스 및 드레인 전극용 금속막을 연속하여 증착한다.Subsequently, a metal film for source and drain electrodes is successively deposited on the amorphous silicon layer.

그리고 포토 및 식각 공정을 통해 상기 금속막, 불순물이 도핑된 비정질 실리콘층 및 비정질 실리콘층을 선택적으로 제거하여 액티브층(205)과 오믹콘택층(206) 및 소오스 전극(207a) 및 드레인 전극(207b)을 형성한다.The active layer 205, the ohmic contact layer 206, the source electrode 207a, and the drain electrode 207b are selectively removed by removing the metal layer, the amorphous silicon layer doped with impurities, and the amorphous silicon layer through a photo and etching process. ).

여기서, 상기 소오스 전극(207a) 및 드레인 전극(207b)의 형성시 상기 소오스 전극(207a)에 연장되어 상기 게이트 배선과 직교하여 화소영역을 정의하는 데이터 배선(도시하지 않음)도 함께 형성된다.When the source electrode 207a and the drain electrode 207b are formed, a data line (not shown) that extends to the source electrode 207a and defines a pixel area orthogonal to the gate line is also formed.

그리고 상기 소오스 전극(207a) 및 드레인 전극(207b)에 의해 노출된 오믹콘 택층(206)을 선택적으로 제거한다.The ohmic contact layer 206 exposed by the source electrode 207a and the drain electrode 207b is selectively removed.

이때, 상기 소오스 전극(207a) 및 드레인 전극(207b)은 추후 공정에서 채널을 형성하기 위해, 서로 일정간격 이격되도록 형성한다.In this case, the source electrode 207a and the drain electrode 207b are formed to be spaced apart from each other by a predetermined interval to form a channel in a later process.

전술한 바와 같이, 상기 소오스 및 드레인 전극(207a,207b)은 게이트 전극(202)과 함께 박막트랜지스터를 이룬다.As described above, the source and drain electrodes 207a and 207b together with the gate electrode 202 form a thin film transistor.

도 6c에 도시한 바와 같이, 상기 소오스 및 드레인 전극(207a,207b)을 포함한 기판(201)의 전면에 제 1 패시베이션층(208)을 형성한다.As shown in FIG. 6C, a first passivation layer 208 is formed on the entire surface of the substrate 201 including the source and drain electrodes 207a and 207b.

도 6d에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 패시베이션층(208)상에 감광성 물질을 도포하고 노광 및 패터닝함으로써 화소 영역에 컬러 필터층(209)을 형성한다. As shown in FIG. 6D, the color filter layer 209 is formed in the pixel region by applying, exposing and patterning a photosensitive material on the first passivation layer 208.

여기서, 상기 컬러 필터층(209)은 적, 녹, 청의 세 가지 색으로 이루어지므로, 이러한 도포와 노광 및 현상 공정을 세 번 반복하여 각각의 색을 구현하는 컬러필터를 형성한다. Since the color filter layer 209 is composed of three colors of red, green, and blue, the color filter layer 209 is repeated three times to form a color filter for implementing each color.

이어서, 상기 컬러 필터층(209)을 포함한 기판(201)의 전면에 가스 유량비를 변화시켜 에칭 비(etching rate)가 낮은 버퍼층(210)을 형성함과 함께 제 2 패시베이션층(211)을 형성한다.Subsequently, the gas flow rate ratio is changed on the entire surface of the substrate 201 including the color filter layer 209 to form the buffer layer 210 having a low etching rate and the second passivation layer 211.

여기서, 상기 가스는 SiH4 + NH3을 주로 사용하는데, 상기 SiH4 가스의 유량을 높이면서 상기 제 2 패시베이션층(211)을 증착한다. 이때 상기 제 2 패시베이션층(211)과 함께 버퍼층(210)이 동시에 형성된다.Here, the gas mainly uses SiH 4 + NH 3 , and the second passivation layer 211 is deposited while increasing the flow rate of the SiH 4 gas. In this case, the buffer layer 210 is simultaneously formed together with the second passivation layer 211.

도 6e에 도시한 바와 같이, 상기 드레인 전극(207b)의 표면이 노출되도록 상 기 칼라 필터층(209) 경계 부분의 제 2 패시베이션층(211) 및 버퍼층(210)과 제 1 패시베이션층(208)을 선택적으로 제거하여 콘택홀(212)을 형성한다.As shown in FIG. 6E, the second passivation layer 211 and the buffer layer 210 and the first passivation layer 208 at the boundary of the color filter layer 209 are exposed so that the surface of the drain electrode 207b is exposed. It is selectively removed to form the contact hole 212.

여기서, 상기 콘택홀(212)을 형성할 때 상기 제 2 패시베이션층(211)을 형성할 때 가스 유량비를 조절하여 에칭 비가 낮은 버퍼층(210)을 형성함으로써 상기 제 1 패시베이션층(208)과 제 2 패시베이션층(211)의 계면에서 사이드 에치를 방지하여 역테이퍼를 방지할 수 있다.Here, when the second passivation layer 211 is formed when the contact hole 212 is formed, the first passivation layer 208 and the second passivation layer are formed by forming a buffer layer 210 having a low etching rate by adjusting a gas flow rate ratio. The reverse taper may be prevented by preventing side etch at the interface of the passivation layer 211.

도 6f에 도시한 바와 같이, 상기 콘택홀(212)을 포함한 기판(201)의 전면에 투명 도전 물질을 증착하고 패터닝하여 상기 드레인 전극(207b)과 전기적으로 연결되는 화소전극(213)을 형성함과 함께 상기 화소전극(213)과 일정한 간격을 갖는 공통전극(214)을 형성한다.As illustrated in FIG. 6F, a transparent conductive material is deposited and patterned on the entire surface of the substrate 201 including the contact hole 212 to form a pixel electrode 213 electrically connected to the drain electrode 207b. In addition, the common electrode 214 having a predetermined distance from the pixel electrode 213 is formed.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조시 가스 유량을 변화시켜 버퍼층을 형성한 후 패시배이션층간의 식각된 계면을 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a view illustrating an etched interface between passivation layers after forming a buffer layer by changing a gas flow rate during fabrication of an array substrate for a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

도 7에서와 같이, 가스 유량비의 변경으로 버퍼층(210)과 제 2 패시베이션층(211)을 동시에 형성하여 콘택홀을 형성할 때 패시베이션층의 계면에 발생하는 사이드 에치를 방지할 수 있다.As illustrated in FIG. 7, when the gas flow rate ratio is changed, side etch generated at the interface of the passivation layer may be prevented when the buffer layer 210 and the second passivation layer 211 are formed at the same time.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.On the other hand, the present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, it is possible that various substitutions, modifications and changes within the scope without departing from the technical spirit of the present invention It will be apparent to those skilled in the art.

도 1은 일반적인 액정표시장치를 나타낸 평면도1 is a plan view showing a general liquid crystal display device

도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선에 따른 COT 구조를 갖는 액정표시장치를 나타낸 단면도FIG. 2 is a cross-sectional view of an LCD having a COT structure along the line II ′ of FIG. 1.

도 3a 내지 도 3e는 종래 기술에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 나타낸 공정단면도3A to 3E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to the prior art.

도 4는 종래 기술에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조시 발생하는 문제를 설명하기 위한 도면4 is a view for explaining a problem occurring in the manufacturing of the array substrate for a liquid crystal display device according to the prior art;

도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 나타낸 공정 단면도5A through 5E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 6a 내지 도 6f는 본 발명의 제 2 실시예에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법을 나타낸 공정 단면도6A through 6F are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조시 가스 유량을 변화시켜 버퍼층을 형성한 후 식각된 계면을 나타낸 도면FIG. 7 is a view illustrating an interface etched after forming a buffer layer by changing a gas flow rate during fabrication of an array substrate for a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

108 : 제 1 패시베이션층 109 : 칼라 필터층108: first passivation layer 109: color filter layer

110 : 제 2 패시베이션층 112 : 화소전극110: second passivation layer 112: pixel electrode

Claims (6)

기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode on the substrate; 상기 게이트 전극을 포함한 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film on an entire surface of the substrate including the gate electrode; 상기 게이트 전극과 대응되는 상기 게이트 절연막상에 액티브층, 오믹콘택층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;Forming an active layer, an ohmic contact layer, a source electrode, and a drain electrode on the gate insulating layer corresponding to the gate electrode; 상기 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함한 기판의 전면에 제 1 패시베이션층을 형성하는 단계;Forming a first passivation layer on an entire surface of the substrate including the source electrode and the drain electrode; 상기 제 1 패시베이션층의 표면에 플라즈마 처리를 실시하는 단계;Performing a plasma treatment on the surface of the first passivation layer; 상기 표면이 플라즈마 처리된 제 1 패시베이션층상에 칼라 필터층을 형성하는 단계;Forming a color filter layer on the surface-treated first passivation layer; 상기 칼라 필터층을 포함한 기판의 전면에 제 2 패시베이션층을 형성하는 단계;Forming a second passivation layer on a front surface of the substrate including the color filter layer; 상기 드레인 전극의 표면이 소정부분 노출되도록 제 2 패시베이션층 및 제 1 패시베이션층을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계;Forming a contact hole by selectively removing the second passivation layer and the first passivation layer so that the surface of the drain electrode is partially exposed; 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.And forming a pixel electrode electrically connected to the drain electrode through the contact hole. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 패시베이션층의 표면에 N2 플라즈마 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.The method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to claim 1, wherein an N 2 plasma treatment is performed on the surface of the first passivation layer. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극을 형성할 때 상기 게이트 전극과 일정한 간격을 갖는 공통배선을 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.The method of manufacturing an array substrate for a liquid crystal display device according to claim 1, wherein a common wiring having a predetermined distance from the gate electrode is simultaneously formed when the gate electrode is formed. 제 1 항에 있어서, 상기 화소전극을 형성할 때 상기 화소전극과 일정한 간격을 갖는 공통전극을 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.2. The method of claim 1, wherein a common electrode having a predetermined distance from the pixel electrode is formed simultaneously when the pixel electrode is formed. 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode on the substrate; 상기 게이트 전극을 포함한 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film on an entire surface of the substrate including the gate electrode; 상기 게이트 전극과 대응되는 상기 게이트 절연막상에 액티브층, 오믹콘택층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;Forming an active layer, an ohmic contact layer, a source electrode, and a drain electrode on the gate insulating layer corresponding to the gate electrode; 상기 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함한 기판의 전면에 제 1 패시베이션층을 형성하는 단계;Forming a first passivation layer on an entire surface of the substrate including the source electrode and the drain electrode; 상기 제 1 패시베이션층상에 칼라 필터층을 형성하는 단계;Forming a color filter layer on the first passivation layer; 상기 칼라 필터층을 포함한 기판의 전면에 가스 유량비를 변화시키면서 버퍼 층과 동시에 제 2 패시베이션층을 형성하는 단계;Forming a second passivation layer simultaneously with the buffer layer while varying the gas flow rate on the front surface of the substrate including the color filter layer; 상기 드레인 전극의 표면이 소정부분 노출되도록 제 2 패시베이션층, 버퍼층 및 제 1 패시베이션층을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계;Forming a contact hole by selectively removing the second passivation layer, the buffer layer, and the first passivation layer so that the surface of the drain electrode is partially exposed; 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.And forming a pixel electrode electrically connected to the drain electrode through the contact hole. 제 5 항에 있어서, 상기 가스는 SiH4 + NH3을 사용하고, 상기 SiH4 가스의 유량을 높이면서 상기 제 2 패시베이션층을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법.The method of claim 5, wherein the gas is SiH 4 + NH 3 , and the second passivation layer is formed while increasing the flow rate of the SiH 4 gas.
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