KR20100015006A - Plasma generating apparatus and plasma processing method - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A plasma generating device and a processing method are provided to stabilize plasma by removing a factor related to the reduced speed of a deposition rate in a high pressure process. CONSTITUTION: A plasma is formed inside a chamber(100). A RF power source(110) is used in order to form the plasma. A feedthrough(120) is connected to the RF power. The feedthrough is installed to the chamber. A rod electrode(130) is installed inside the chamber. The rod electrode is connected to the feedthrough. The RF power is applied to the rod electrode. The insulation part(140) is formed inside the chamber. The insulation part covers a part of the rod electrode and the feedthrough. A counter electrode(150) is located to be faced with the rod electrode.

Description

플라즈마 발생 장치 및 처리 방법 { Plasma generating apparatus and plasma processing method }Plasma generating apparatus and plasma processing method

본 발명은 플라즈마를 안정하고 균일하게 발생시킬 수 있는 플라즈마 발생 장치 및 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma generating apparatus and processing method capable of generating plasma stably and uniformly.

일반적으로, 물질의 상태는 고체, 액체, 기체, 플라즈마 상태(제 4의 상태)가 있다.In general, the state of matter is a solid, liquid, gas, plasma state (fourth state).

여기서, 플라즈마 상태는 기체분자나 원자에 에너지를 인가하면, 최외각 전자가 궤도를 이탈함으로써 자유전자가 되어 양전하를 띄게 되며 분자 혹은 원자와 음전하를 갖는 전자가 생성된다.In the plasma state, when energy is applied to a gas molecule or an atom, the outermost electrons move out of the orbit to become free electrons, thereby displaying positive charges, and electrons having negative charges with molecules or atoms are generated.

이런 플라즈마 상태에서는 양전하의 이온과 전자들이 다수가 모여 군집활동을 하며, 전체적으로는 전기적인 성질이 중성(즉, 이온들의 수와 전자들의 수가 거의 같은 수로 존재하게 되는 상태)이 된다.In this plasma state, a large number of positively charged ions and electrons gather and cluster, and as a whole, the electrical property is neutral (that is, the number of ions and electrons are about the same number).

또한, 플라즈마 상태에서 물질의 기본 구성요소들은 많은 응용에 유용하게 하는 이온화된 형태로 존재한다.In addition, the basic components of the material in the plasma state exist in ionized form, making them useful for many applications.

플라즈마 발생 장치는 전자 부품, 집적회로, 및 의료장비의 제조와, 다양한 상품들과 기계의 작동에 폭넓게 사용되고 있다. Plasma generators are widely used in the manufacture of electronic components, integrated circuits, and medical equipment, and in the operation of various goods and machines.

특히, 플라즈마는 원하는 물질층을 증착하고, 재료를 높은 정밀도로 에칭하고, 재료의 표면 특성을 변화시킴으로써 대상물을 살균하는 데에 광범위하게 사용된다.In particular, plasma is widely used to sterilize objects by depositing a desired layer of material, etching the material with high precision, and changing the surface properties of the material.

도 1은 일반적으로 플라스마가 발생되는 것을 설명하기 위한 개념도로서, 제 1과 2 전극(10,11)이 상호 대향되고 있고, 상기 제 1 전극(10)에 고주파 바이어스 전압이 인가되면, 상기 제 1과 2 전극(10,11) 사이의 플라즈마용 가스의 분자가 여기되어 플라즈마가 발생된다.FIG. 1 is a conceptual diagram for describing a generation of plasma in general. When the first and second electrodes 10 and 11 are opposed to each other and a high frequency bias voltage is applied to the first electrode 10, the first and second electrodes 10 and 11 are opposite to each other. The molecules of the gas for plasma between the two electrodes 10 and 11 are excited to generate a plasma.

이러한 플라즈마는 안정적으로 그리고 균일하게 발생되는 것이 중요하며, 이를 위하여 다양한 연구가 진행되고 있다. It is important that such plasma is generated stably and uniformly, and various studies have been conducted for this purpose.

본 발명은 플라즈마가 불안정하고 불균일하게 발생되는 문제를 해결하는 것이다.The present invention is to solve the problem that the plasma is unstable and unevenly generated.

본 발명의 바람직한 제 1 양태(樣態)는, According to a first preferred embodiment of the present invention,

내부에 플라즈마가 형성되는 챔버와; A chamber in which plasma is formed;

상기 플라즈마를 형성하기 위한 알에프(RF) 전원과; An RF power source for forming the plasma;

상기 알에프 전원과 연결되고, 상기 챔버에 장착된 피드 스루우(Feed-through)와; A feed-through connected to the RF power supply and mounted in the chamber;

상기 챔버 내부에 설치되고, 상기 피드 스루우에 연결되어 상기 알에프 전원이 공급되는 봉전극과; A rod electrode installed inside the chamber and connected to the feed through to supply the RF power;

상기 챔버 내부에 형성되며, 상기 피드 스루우 및 봉전극의 일부를 감싸고 있는 절연부와; An insulation part formed inside the chamber and surrounding a part of the feed through and the rod electrode;

상기 봉전극과 대향되어 있는 대향 전극을 포함하여 구성된 플라즈마 발생 장치가 제공된다.Provided is a plasma generating device including an opposing electrode facing the rod electrode.

본 발명의 바람직한 제 2 양태(樣態)는, According to a second preferred embodiment of the present invention,

내부에 플라즈마가 형성되는 챔버와; A chamber in which plasma is formed;

상기 플라즈마를 형성하기 위한 알에프 전원과; An RF power supply for forming the plasma;

상기 알에프 전원과 연결되고, 상기 챔버에 장착된 피드 스루우와; A feed through connected to the RF power supply and mounted to the chamber;

상기 챔버 내부에 설치되고, 상기 피드 스루우에 연결되어 상기 알에프 전원이 공급되는 봉전극과; A rod electrode installed inside the chamber and connected to the feed through to supply the RF power;

상기 봉전극과 대향되어 있는 대향 전극과; An opposite electrode facing the rod electrode;

상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역과 상기 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역을 분할하도록, 상기 봉전극에 장착되어 있는 분할부를 포 함하여 구성된 플라즈마 발생 장치가 제공된다.There is provided a plasma generating apparatus including a partition mounted to the rod electrode to divide the chamber region where the feed through is mounted and the chamber region where the feed through is not mounted.

본 발명의 바람직한 제 3 양태(樣態)는, According to a third preferred embodiment of the present invention,

내부에 플라즈마가 형성되는 챔버와, 상기 플라즈마를 형성하기 위한 알에프 전원과, 상기 알에프 전원과 연결되고 상기 챔버에 장착된 피드 스루우와, 상기 챔버 내부에 설치되고 상기 피드 스루우에 연결되어 상기 알에프 전원이 공급되는 봉전극과, 상기 챔버 내부에 형성되며 상기 피드 스루우 및 봉전극의 일부를 감싸고 있는 절연부와, 상기 봉전극과 대향되어 있는 대향 전극과, 상기 대향 전극을 감싸고 있는 서셉터(Susceptor)와, 상기 서셉터 상부에 올려진 기판을 포함하여 구성된 플라즈마 발생 장치를 준비하는 단계와;A chamber in which a plasma is formed therein, an RF power source for forming the plasma, a feed through connected to the RF power source and mounted in the chamber, and an RF power source installed in the chamber and connected to the feed through A rod electrode to be supplied, an insulating portion formed inside the chamber and surrounding a portion of the feed through and the rod electrode, an opposite electrode facing the rod electrode, and a susceptor surrounding the opposite electrode. And preparing a plasma generating device including a substrate mounted on the susceptor;

상기 챔버 내부에 플라즈마용 가스를 주입하는 단계와;Injecting plasma gas into the chamber;

상기 알에프 전원을 상기 봉전극에 인가하여, 상기 봉전극과 대향 전극 사이에 플라즈마를 형성하는 단계와;Applying an RF power to the rod electrode to form a plasma between the rod electrode and the counter electrode;

상기 형성된 플라즈마로 상기 기판을 처리하는 단계로 구성된 플라즈마 처리 방법이 제공된다.There is provided a plasma processing method comprising the steps of treating the substrate with the formed plasma.

본 발명의 바람직한 제 4 양태(樣態)는, According to a fourth preferred embodiment of the present invention,

내부에 플라즈마가 형성되는 챔버와; 상기 플라즈마를 형성하기 위한 알에프 전원과, 상기 알에프 전원과 연결되고 상기 챔버에 장착된 피드 스루우와, 상기 챔버 내부에 설치되고 상기 피드 스루우에 연결되어 상기 알에프 전원이 공급되는 봉 전극과, 상기 봉전극과 대향되어 있는 대향 전극과, 상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역과 상기 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역을 분할하도록 상기 봉전극에 장착되어 있는 분할부와, 상기 대향 전극을 감싸고 있는 서셉터와, 상기 서셉터 상부에 올려진 기판을 포함하여 구성된 플라즈마 발생 장치를 준비하는 단계와; A chamber in which plasma is formed; An RF power source for forming the plasma, a feed through connected to the RF power supply and mounted in the chamber, a rod electrode installed inside the chamber and connected to the feed through to supply the RF power, and the rod electrode. A counterpart mounted on the rod electrode to divide the counter electrode facing the counter electrode, the chamber area where the feed through is mounted and the chamber area where the feed through is not mounted, and a susceptor surrounding the counter electrode. And preparing a plasma generating device including a substrate mounted on the susceptor;

상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역을 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역보다 저압 상태를 만드는 단계와;Making the chamber region in which the feed through is mounted is lower than the chamber region in which the feed through is mounted;

상기 챔버 내부에 플라즈마용 가스를 주입하는 단계와;Injecting plasma gas into the chamber;

상기 알에프 전원을 상기 봉전극에 인가하여, 상기 봉전극과 대향 전극 사이에 플라즈마를 형성하는 단계와;Applying an RF power to the rod electrode to form a plasma between the rod electrode and the counter electrode;

상기 형성된 플라즈마로 상기 기판을 처리하는 단계로 구성된 플라즈마 처리 방법이 제공된다.There is provided a plasma processing method comprising the steps of treating the substrate with the formed plasma.

본 발명은 봉전극을 적용하여 플라즈마를 균일하게 얻을 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of uniformly obtaining the plasma by applying the rod electrode.

또한, 본 발명은 절연부가 피드 스루우를 감싸서 구성함으로써, 봉전극의 파워가 챔버벽으로 전달되기 위해 필요한 플라즈마의 전하를 원천적으로 제거하여 전류의 흐름을 방지할 수 있으므로, 고압에서 불안정한 플라즈마의 발생을 억제할 수 있고, 파워의 소모를 줄일 수 있으며, 고압 공정에서 성막 속도가 감소되는 원인을 제거하고, 플라즈마를 안정화시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, since the insulation portion is formed to surround the feed-through, it is possible to prevent the flow of the current by removing the charge of the plasma required to transfer the power of the rod electrode to the chamber wall, thereby generating an unstable plasma at high pressure. It can suppress the, can reduce the power consumption, eliminate the cause of the film formation rate is reduced in the high-pressure process, there is an effect that can stabilize the plasma.

더불어, 본 발명은 챔버 내부에 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역과 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역을 분할하는 분할부를 형성하여 고압 플라즈마 영역이 챔버벽과 닿지 않도록 하고, 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역을 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역보다 저압 상태로 유지시켜 플라즈마 발생을 억제하고, 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역에서는 고압에서 발생하는 불안정한 플라즈마 발생을 억제할 수 있으므로, 생산성이 높은 고압 공정을 수행할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention forms a divider for dividing the chamber area in which the feed through is mounted and the chamber area in which the feed through is not mounted, so that the high pressure plasma region does not contact the chamber wall, and the feed through is mounted. It is possible to suppress the generation of plasma by keeping the chamber area at a lower pressure than the chamber area without the feed through, and to suppress the unstable plasma generation at high pressure in the chamber area without the feed through. There is an effect that can perform a high pressure process.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 내부에 플라즈마가 형성되는 챔버(100)와; 상기 플라즈마를 형성하기 위한 알에프(RF) 전원(110)과; 상기 알에프 전원(110)과 연결되고, 상기 챔버(100)에 장착된 피드 스루우(Feed-through)(120)와; 상기 챔버(100) 내부에 설치되고, 상기 피드 스루우(120)에 연결되어 상기 알에프 전원(110)이 공급되는 봉전극(130)과; 상기 챔버(100) 내부에 형성되며, 상기 피드 스루우(120) 및 봉전극(130)의 일부를 감싸고 있는 절연부(140)와; 상기 봉전극(130)과 대향되어 있는 대향 전극(150)을 포함하여 구성된다.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for describing a plasma generating apparatus according to a first embodiment of the present invention, and includes a chamber 100 in which plasma is formed; An RF power source (110) for forming the plasma; A feed-through (120) connected to the RF power supply (110) and mounted to the chamber (100); A rod electrode 130 installed inside the chamber 100 and connected to the feed through 120 to supply the RF power 110; An insulating part 140 formed inside the chamber 100 and surrounding a part of the feed through 120 and the rod electrode 130; It includes a counter electrode 150 facing the rod electrode 130.

여기서, 상기 봉전극(130)은 Sus, Al, Cu 등의 금속으로 형성되어 있는 봉전극 또는 금속 봉에 절연물이 피복되어진 봉전극인 것이 바람직하다.Here, the rod electrode 130 is preferably a rod electrode formed of a metal such as Sus, Al, Cu, or a rod electrode coated with an insulator on the metal rod.

그리고, 상기 대향 전극(150)은 서셉터(Susceptor)(160)의 내부에 형성되어 있고, 상기 대향 전극(150)은 접지되어 있는 것이 바람직하다.In addition, the counter electrode 150 may be formed inside the susceptor 160, and the counter electrode 150 may be grounded.

또, 상기 피드 스루우(120)는 알에프 전원(110)과 봉전극(130)을 챔버(100) 외부에서 내부로 연결시키는 것이고, 이와 동시에 챔버(100) 내부의 진공을 유지시켜 줄 수 있는 밀폐 구조를 갖는다.In addition, the feed-through 120 is to connect the RF power supply 110 and the rod electrode 130 from the outside of the chamber 100 to the inside, and at the same time hermetically sealed to maintain the vacuum inside the chamber 100. Has a structure.

또한, 상기 절연부(140)는 SiO2, Al2O3와 플라스틱류 중 하나 또는 이들을 조합하여 형성된 절연부인 것이 바람직하며, 이외의 전류가 흐르지 않는 등가의 물질도 사용할 수 있다.In addition, the insulator 140 is preferably an insulator formed by combining one of SiO 2 , Al 2 O 3 and plastics, or a combination thereof, and an equivalent material to which no current flows can be used.

게다가, 상기 알에프 전원(110)에서 상기 봉전극(130)으로 인가되는 전압은 AC 전압 또는 DC 전압이고, 상기 전압의 주파수는 13.56㎒ ~ 150㎒의 VHF(Very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition) 영역을 포함하고 있는 것이 바람직하다.In addition, the voltage applied from the RF power supply 110 to the rod electrode 130 is an AC voltage or a DC voltage, and the frequency of the voltage is 13.56 MHz to 150 MHz VHF (Very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition) region. It is preferable that it contains.

이와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치는 봉전극으로 플라즈마를 균일하게 얻을 수 있는 장점이 있다.As described above, the plasma generating apparatus according to the first embodiment of the present invention has an advantage of uniformly obtaining plasma as a rod electrode.

그러나, 이러한 봉형태의 전극은 챔버내에 위치하고 있고, RF전원을 공급받기 위해 피드 스루우가 챔버에 장착되어 있어야 하는데, 이 피드 스루우가 플라즈 마에 노출되어 있기 때문에 여러가지 문제를 야기시킨다.However, these rod-shaped electrodes are located in the chamber, and feed throughs must be mounted in the chamber to receive RF power, which causes various problems because the feed throughs are exposed to the plasma.

즉, 피드 스루우와 챔버벽 사이의 거리가 짧기 때문에 분자밀도가 높아 쉽게 방전하는 고압공정에서 플라즈마 밀도가 높은 전극의 도입부분에서 파워의 소모가 쉽게 발생하게 된다.That is, since the distance between the feed through and the chamber wall is short, power consumption is easily generated at the introduction portion of the electrode having high plasma density in the high-pressure process of high molecular density and easy discharge.

그리고, 고압공정에서 플라즈마 밀도가 높아져 RF파워가 전극을 타고 진행되기 전에 플라즈마를 통해 가까운 챔버벽쪽으로 에너지가 쏠리는 형상이 발생되며, 플라즈마가 시간에 따라 크게 변동되는 불안정한 상태가 발생된다.In addition, the plasma density increases in the high-pressure process, so that energy is concentrated toward the chamber walls close to the chamber before the RF power is carried on the electrode, and an unstable state in which the plasma fluctuates greatly with time is generated.

따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치는 절연부(140)가 피드 스루우(120)를 감싸서 구성하고 있기 때문에, 봉전극(130)의 파워가 챔버벽으로 전달되기 위해 필요한 플라즈마의 전하를 원천적으로 제거하여 전류의 흐름을 방지할 수 있으므로, 고압에서 불안정한 플라즈마의 발생을 억제할 수 있고, 파워의 소모를 줄일 수 있는 장점이 있다.Therefore, in the plasma generating apparatus according to the first embodiment of the present invention, since the insulating unit 140 is formed to surround the feed through 120, the plasma required for the power of the rod electrode 130 to be transferred to the chamber wall is provided. Since the charge of the source can be removed to prevent the flow of current, it is possible to suppress the generation of an unstable plasma at a high pressure, there is an advantage that can reduce the consumption of power.

그러므로, 본 발명은 고압 공정에서 성막 속도가 감소되는 원인을 제거하고, 플라즈마를 안정화시킬 수 있게 된다.Therefore, the present invention can eliminate the cause of the decrease in the film formation rate in the high pressure process and stabilize the plasma.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치는 챔버(100) 내부에 플라즈마용 가스를 주입한 후, 상기 알에프 전원(110)을 상기 봉전극(130)에 인가하게 되면, 상기 봉전극(130)과 대향 전극(150) 사이에서 상기 플라즈마용 가스의 분자가 여기되어 플라즈마가 발생되는 것이다.Meanwhile, in the plasma generating apparatus according to the first embodiment of the present invention, when the plasma gas is injected into the chamber 100, the RF power supply 110 is applied to the rod electrode 130. A molecule of the plasma gas is excited between the 130 and the counter electrode 150 to generate a plasma.

이때, 상기 서셉터(160) 상부에 플라즈마를 처리하기 위한 기판(170)이 올려져 있으면, 상기 발생된 플라즈마에 의해 기판(170)을 처리할 수 있게 된다.In this case, when the substrate 170 for processing plasma is placed on the susceptor 160, the substrate 170 may be processed by the generated plasma.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치의 절연부가 형성된 상태를 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 본 발명의 플라즈마 발생 장치는 챔버(100)를 관통하여 피드 스루우(120)가 형성되어 있다.3 is a schematic cross-sectional view for describing a state in which an insulating portion of the plasma generating apparatus according to the first embodiment of the present invention is formed. The plasma generating apparatus of the present invention passes through the chamber 100 so that the feed-through 120 Formed.

이 피드 스루우(120)는 세라믹과 같은 절연성 바디(121)를 도전성 와이어(122)가 관통하고, 상기 도전성 와이어(122)의 일측은 상기 챔버(100) 내부에 있는 봉전극(130)과 연결되어 있고, 상기 도전성 와이어(122)의 타측은 상기 챔버(100) 외부에 있는 RF 전원(미도시)과 연결되어 있다.The feed through 120 is a conductive wire 122 penetrates an insulating body 121 such as ceramic, and one side of the conductive wire 122 is connected to the rod electrode 130 inside the chamber 100. The other side of the conductive wire 122 is connected to an RF power source (not shown) outside the chamber 100.

이때, 상기 피드 스루우(120) 및 상기 봉전극(130)의 일부를 감싸며, 상기 챔버 내측벽에 절연부(140)가 형성되는 것이다.In this case, a portion of the feed through 120 and the rod electrode 130 is wrapped, and an insulating part 140 is formed on the inner wall of the chamber.

도 4는 본 발명에 따라 챔버에 피드 스루우 및 봉전극이 형성된 상태를 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 챔버(100)의 상측부에는 피드 스루우가 장착된다.4 is a schematic cross-sectional view illustrating a state in which a feed through and a rod electrode are formed in a chamber according to the present invention, and a feed through is mounted on an upper portion of the chamber 100.

그러므로, 상기 피드 스루우에 연결된 봉전극도 챔버의 상측부에 형성되는 것이다.Therefore, the rod electrode connected to the feed through is also formed at the upper side of the chamber.

그리고, 상기 봉전극과 대향되어 있는 대향전극은 챔버의 하부에 설치되어 있으므로, 상기 봉전극과 대향전극 사이의 챔버 영역에는 플라즈마가 형성된다.Since the counter electrode facing the rod electrode is provided under the chamber, plasma is formed in the chamber region between the rod electrode and the counter electrode.

여기서, 상기 피드 스루우는 복수개로 구성할 수 있다.Here, the feed through may be configured in plurality.

즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수개의 피드 스루우들(120a,120b,120c,120d,120e,120f,120g)이 챔버(100)에 장착되어 있고, 각각의 피드 스루우들(120a,120b,120c,120d,120e,120f,120g)에는 봉전극들(130a,130b,130c, 130d,130e,130f,130g)이 연결되는 것이다.That is, as shown in Figure 4, a plurality of feed throughs (120a, 120b, 120c, 120d, 120e, 120f, 120g) is mounted in the chamber 100, each of the feedthroughs (120a, The rod electrodes 130a, 130b, 130c, 130d, 130e, 130f, and 130g are connected to 120b, 120c, 120d, 120e, 120f, and 120g.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하기 위한 개략적인 일부 단면도로서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치는 피드 스루우(120)가 장착되어 있는 챔버 영역과 피드 스루우(120)가 장착되어 있지 않은 챔버 영역을 분할하는 분할부(200)가 봉전극(130)에 장착되어 있다.FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a plasma generating apparatus according to a second embodiment of the present invention. In the plasma generating apparatus according to the second embodiment of the present invention, a chamber region in which a feed through 120 is mounted is shown. The division unit 200 for dividing the chamber region where the feed through 120 is not mounted is mounted to the rod electrode 130.

여기서, 상기 분할부(200)는 봉전극(130)을 분할하게 된다.Here, the dividing unit 200 divides the rod electrode 130.

또, 상기 분할부(200)는 절연물질로 형성된 분할부를 사용하는 것이 바람직하나, 전도성물질로 형성된 분할부도 사용할 수 있으며, 이 경우 챔버로부터 이격되어 챔버와 전기적으로 플로팅(Floating)되어 있는 것이 바람직하다.In addition, the dividing unit 200 may be a dividing unit formed of an insulating material, but a dividing unit formed of a conductive material may also be used. In this case, the dividing unit 200 may be spaced apart from the chamber and electrically floated with the chamber. Do.

그리고, 본 발명의 제 2 실시예는 분할부(200)로 분할된 챔버 영역들의 한 영역에서는 플라즈마가 발생되고, 다른 영역에서는 플라즈마가 발생되지 않도록 구성하는 것이다.In the second embodiment of the present invention, the plasma is generated in one region of the chamber regions divided by the divider 200 and the plasma is not generated in the other region.

다시 말해, 상기 피드 스루우(120)가 장착되어 있는 챔버 영역에서는 플라즈마가 발생되지 않도록 구성하고, 상기 피드 스루우(120)가 장착되어 있지 않은 챔버 영역에서는 플라즈마가 발생되도록 구성하는 것이다.In other words, plasma is not generated in the chamber region where the feed through 120 is mounted, and plasma is generated in the chamber region where the feed through 120 is not mounted.

이를 위하여, 상기 피드 스루우(120)가 장착되어 있는 챔버 영역이 상기 피 드 스루우(120)가 장착되어 있지 않은 챔버 영역보다 저압 상태로 유지시키는 것이 바람직하다.To this end, it is preferable to keep the chamber area in which the feed through 120 is mounted at a lower pressure than the chamber area in which the feed through 120 is not mounted.

즉, 상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역은 1mm torr 이하의 저압 상태이고, 상기 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역은 1mm torr 이상의 고압 상태이다.That is, the chamber region in which the feed through is mounted is in a low pressure state of 1 mm torr or less, and the chamber region in which the feed through is not mounted is in a high pressure state of 1 mm torr or more.

그러므로, 상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역은 플라즈마가 형성되지 않는 영역이 되고, 상기 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역은 고압 플라즈마 영역이 된다.Therefore, the chamber region in which the feed through is mounted becomes a region where no plasma is formed, and the chamber region in which the feed through is mounted becomes a high pressure plasma region.

따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치는 챔버 내부에 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역과 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역을 분할하는 분할부를 형성하여 고압 플라즈마 영역이 챔버벽과 닿지 않도록 하고, 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역을 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역보다 저압 상태로 유지시켜 플라즈마 발생을 억제하고, 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역에서는 고압에서 발생하는 불안정한 플라즈마 발생을 억제할 수 있으므로, 생산성이 높은 고압 공정을 수행할 수 있는 장점이 있다. Therefore, the plasma generating apparatus according to the second embodiment of the present invention forms a partition that divides the chamber region where the feed through is mounted and the chamber region where the feed through is not mounted, so that the high pressure plasma region forms the chamber wall. To prevent plasma generation by keeping the chamber area equipped with the feed through at a lower pressure than the chamber area without the feed through, and unstable at high pressure in the chamber area without the feed through. Since it is possible to suppress the generation of plasma, there is an advantage that can perform a high-pressure process of high productivity.

결과적으로, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치는 내부에 플라즈마가 형성되는 챔버와; 상기 플라즈마를 형성하기 위한 알에프 전원과; 상기 알에프 전원과 연결되고, 상기 챔버에 장착된 피드 스루우(Feed-through)와; 상기 챔버 내부에 설치되고, 상기 피드 스루우에 연결되어 상기 알에프 전원이 공급되는 봉전극과; 상기 봉전극과 대향되어 있는 대향 전극과; 상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역과 상기 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역을 분할하도록, 상기 봉전극에 장착되어 있는 분할부를 포함하여 구성된다.As a result, the plasma generating apparatus according to the second embodiment of the present invention includes a chamber in which a plasma is formed; An RF power supply for forming the plasma; A feed-through connected to the RF power supply and mounted in the chamber; A rod electrode installed inside the chamber and connected to the feed through to supply the RF power; An opposite electrode facing the rod electrode; And a divider mounted to the rod electrode to divide the chamber region in which the feed through is mounted and the chamber region in which the feed through is not mounted.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치의 압력을 설정하기 위한 개략적인 구성도로서, 챔버(100)는 분할부(200)에 의해 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역(제 1 영역)과 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역(제 2 영역)으로 분할되어 있다.FIG. 6 is a schematic configuration diagram for setting the pressure of the plasma generating apparatus according to the second embodiment of the present invention, wherein the chamber 100 includes a chamber region in which a feed through is mounted by the divider 200 (first Area) and a chamber area (second area) to which the feed through is not mounted.

이때, 제 1 영역에서는 플라즈마가 발생되지 않도록, 제 1 펌프(301)에 의해 저압상태를 유지시키고, 제 2 영역에서는 플라즈마가 발생되도록 제 2 펌프(302)에 의해 고압상태를 만든다.At this time, the low pressure state is maintained by the first pump 301 so that the plasma is not generated in the first region, and the high pressure state is created by the second pump 302 so that the plasma is generated in the second region.

그러므로, 상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역(제 1 영역)과 상기 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역(제 2 영역) 각각은 독립적인 펌프로 압력이 유지되는 것이다.Therefore, each of the chamber region (first region) in which the feed through is mounted and the chamber region (second region) in which the feed through is not mounted is a pressure maintained by an independent pump.

도 7a와 7b는 본 발명에 따라 플라즈마 처리 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 먼저, 도 7a와 같이, 내부에 플라즈마가 형성되는 챔버(100)와; 상기 플라즈마를 형성하기 위한 알에프 전원(110)과; 상기 알에프 전원(110)과 연결되고, 상기 챔버(100)에 장착된 피드 스루우(Feed-through)와; 상기 챔버(100) 내부 에 설치되고, 상기 피드 스루우에 연결되어 상기 알에프 전원(110)이 공급되는 봉전극과; 상기 챔버 내부에 형성되며, 상기 피드 스루우 및 봉전극의 일부를 감싸고 있는 절연부와; 상기 봉전극과 대향되어 있는 대향 전극과; 상기 대향 전극을 감싸고 있는 서셉터(Susceptor)와; 상기 서셉터 상부에 올려진 기판을 포함하여 구성된 플라즈마 발생 장치를 준비한다.7A and 7B are schematic cross-sectional views for explaining a plasma processing method according to the present invention. First, as shown in FIG. 7A, a chamber 100 in which a plasma is formed therein; An RF power supply (110) for forming the plasma; A feed-through connected to the RF power supply 110 and mounted to the chamber 100; A rod electrode installed inside the chamber 100 and connected to the feed through to supply the RF power 110; An insulation part formed inside the chamber and surrounding a part of the feed through and the rod electrode; An opposite electrode facing the rod electrode; A susceptor surrounding the counter electrode; A plasma generating device including a substrate mounted on the susceptor is prepared.

그 다음, 상기 챔버(100) 내부에 플라즈마용 가스를 주입한다.Next, a plasma gas is injected into the chamber 100.

여기서, 상기 플라즈마용 가스는 실리콘 박막을 형성하기 위한 SiH4(Silane) 가스와 H2가스인 것이 바람직하다.Here, the plasma gas is preferably SiH 4 (Silane) gas and H 2 gas for forming a silicon thin film.

그 후, 상기 알에프 전원(110)을 상기 봉전극에 인가하여, 상기 봉전극과 대향 전극 사이에 플라즈마를 형성한다.(도 7b)Thereafter, the RF power supply 110 is applied to the rod electrode to form a plasma between the rod electrode and the counter electrode (FIG. 7B).

여기서, 상기 봉전극에 고주파 바이어스 전압이 인가되면, 상기 플라즈마용 가스의 분자가 여기되어, 플라즈마 상태가 된다.Here, when a high frequency bias voltage is applied to the rod electrode, molecules of the plasma gas are excited to enter a plasma state.

이어서, 상기 형성된 플라즈마로 상기 기판을 처리한다.Subsequently, the substrate is treated with the formed plasma.

여기서, 상기 플라즈마로 기판을 처리하는 것은 플라즈마 상태가 기판에 영향을 인가하는 것으로, 상기 기판을 식각하거나 또는 상기 기판에 박막을 형성하는 등의 미세 가공을 하는 것이 바람직하다.Here, the treatment of the substrate with the plasma is that the plasma state affects the substrate, and it is preferable to perform fine processing such as etching the substrate or forming a thin film on the substrate.

전술된 기판은 태양 전지를 형성하기 위한 기판이고, 상기 플라즈마 처리로 상기 기판에는 pin 구조의 결정질 실리콘 박막이 형성되는 것이 바람직하다.The above-mentioned substrate is a substrate for forming a solar cell, and it is preferable that a crystalline silicon thin film having a pin structure is formed on the substrate by the plasma treatment.

도 8a와 8b는 본 발명에 따라 봉전극의 구조를 설명하기 위한 개략적인 일부 단면도로서, 봉전극의 내부에는 냉각수 또는 플라즈마용 가스가 흐를 수 있는 관통홀이 형성되어 있는 것이 바람직하다.8A and 8B are schematic partial cross-sectional views for explaining the structure of the rod electrode according to the present invention, and it is preferable that a through hole through which cooling water or a gas for plasma flows is formed in the rod electrode.

즉, 도 8a에 도시된 바와 같이, 봉전극(131)에는 관통홀(131a)이 형성되어 있고, 이 관통홀(131a)에 냉각수가 흐르도록 구성한다.That is, as illustrated in FIG. 8A, a through hole 131a is formed in the rod electrode 131, and the cooling water flows through the through hole 131a.

또한, 도 8b와 같이, 봉전극(132)에도 제 1 관통홀(132a)이 형성되어 있고, 이 제 1 관통홀(132a)의 일부에 제 2 관통홀(132b)가 형성되도록 구성할 수도 있다.In addition, as shown in FIG. 8B, a first through hole 132a is formed in the rod electrode 132, and a second through hole 132b may be formed in a part of the first through hole 132a. .

그러므로, 도 8b의 봉전극 구조는 제 1 관통홀(132a)로 플라즈마용 가스가 흐르고, 상기 제 2 관통홀(132b)을 통하여 챔버 내부로 플라즈마용 가스가 공급되는 것이다.Therefore, in the rod electrode structure of FIG. 8B, the plasma gas flows into the first through hole 132a and the plasma gas is supplied into the chamber through the second through hole 132b.

따라서, 본 발명은 플라즈마용 가스를 공급하기 위하여, 챔버에 별도로 공급관을 설치할 필요가 없는 것이다.Therefore, the present invention does not require a separate supply pipe in the chamber in order to supply the gas for plasma.

도 9는 도 8b를 구현하기 위한 일례를 도시한 개략적인 단면도로서, 도 8b의 봉전극(132)의 제 1 관통홀(132a)은 챔버(100) 외부에 있는 플라즈마용 가스 저장부(350)와 연통되도록 구성할 수 있다.FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating an example for implementing FIG. 8B, wherein the first through hole 132a of the rod electrode 132 of FIG. 8B has a gas storage unit 350 for plasma outside the chamber 100. It can be configured to communicate with.

그러므로, 상기 챔버(100) 외부에 위치되어 있는 플라즈마용 가스 저장부(350)의 플라즈마용 가스는 봉전극 (132)의 제 1 관통홀(132a)을 통하여 챔버(100) 내부로 용이하게 주입될 수 있게 된다.Therefore, the plasma gas of the plasma gas storage unit 350 positioned outside the chamber 100 can be easily injected into the chamber 100 through the first through hole 132a of the rod electrode 132. It becomes possible.

도 10은 본 발명에 따라 다른 플라즈마 처리 방법을 설명하기 위한 개략적인 흐름도로서, 내부에 플라즈마가 형성되는 챔버와; 상기 플라즈마를 형성하기 위한 알에프 전원과; 상기 알에프 전원과 연결되고, 상기 챔버에 장착된 피드 스루우(Feed-through)와; 상기 챔버 내부에 설치되고, 상기 피드 스루우에 연결되어 상기 알에프 전원이 공급되는 봉전극과; 상기 봉전극과 대향되어 있는 대향 전극과; 상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역과 상기 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역을 분할하도록, 상기 봉전극에 장착되어 있는 분할부와; 상기 대향 전극을 감싸고 있는 서셉터와; 상기 서셉터 상부에 올려진 기판을 포함하여 구성된 플라즈마 발생 장치를 준비한다.(S100단계)10 is a schematic flowchart illustrating another plasma processing method according to the present invention, comprising: a chamber in which plasma is formed; An RF power supply for forming the plasma; A feed-through connected to the RF power supply and mounted in the chamber; A rod electrode installed inside the chamber and connected to the feed through to supply the RF power; An opposite electrode facing the rod electrode; A dividing unit mounted to the rod electrode to divide the chamber region where the feed through is mounted and the chamber region where the feed through is not mounted; A susceptor surrounding the counter electrode; A plasma generating apparatus including a substrate mounted on the susceptor is prepared.

이어서, 상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역을 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역보다 저압 상태를 만든다.(S110단계)Subsequently, the chamber area in which the feed through is mounted is made lower than the chamber area in which the feed through is not mounted (step S110).

연이어, 상기 챔버 내부에 플라즈마용 가스를 주입한다.(S120단계)Subsequently, plasma gas is injected into the chamber.

그 다음, 상기 알에프 전원을 상기 봉전극에 인가하여, 상기 봉전극과 대향 전극 사이에 플라즈마를 형성한다.(S130단계)Next, the RF power is applied to the rod electrode to form a plasma between the rod electrode and the counter electrode (step S130).

마지막으로, 상기 형성된 플라즈마로 상기 기판을 처리한다.(S140단계)Finally, the substrate is processed with the plasma formed (step S140).

본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the invention has been described in detail only with respect to specific examples, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit of the invention, and such modifications and variations belong to the appended claims.

도 1은 일반적으로 플라스마가 발생되는 것을 설명하기 위한 개념도1 is a conceptual diagram for explaining that plasma is generally generated

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도2 is a schematic cross-sectional view for explaining a plasma generating apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치의 절연부가 형성된 상태를 설명하기 위한 개략적인 단면도3 is a schematic cross-sectional view for explaining a state in which an insulating portion is formed in the plasma generating apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 따라 챔버에 피드 스루우 및 봉전극이 형성된 상태를 설명하기 위한 개략적인 단면도4 is a schematic cross-sectional view illustrating a state in which a feed through and a rod electrode are formed in a chamber according to the present invention.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하기 위한 개략적인 일부 단면도5 is a schematic partial cross-sectional view for explaining a plasma generating apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치의 압력을 설정하기 위한 개략적인 구성도6 is a schematic configuration diagram for setting the pressure of the plasma generating apparatus according to the second embodiment of the present invention

도 7a와 7b는 본 발명에 따라 플라즈마 처리 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도7A and 7B are schematic cross-sectional views for explaining a plasma processing method according to the present invention.

도 8a와 8b는 본 발명에 따라 봉전극의 구조를 설명하기 위한 개략적인 일부 단면도8A and 8B are schematic partial cross-sectional views illustrating the structure of a rod electrode according to the present invention.

도 9는 도 8b를 구현하기 위한 일례를 도시한 개략적인 단면도9 is a schematic cross-sectional view illustrating an example for implementing FIG. 8B.

도 10은 본 발명에 따라 다른 플라즈마 처리 방법을 설명하기 위한 개략적인 흐름도10 is a schematic flowchart illustrating another plasma processing method according to the present invention.

Claims (18)

내부에 플라즈마가 형성되는 챔버와; A chamber in which plasma is formed; 상기 플라즈마를 형성하기 위한 알에프(RF) 전원과; An RF power source for forming the plasma; 상기 알에프 전원과 연결되고, 상기 챔버에 장착된 피드 스루우(Feed-through)와; A feed-through connected to the RF power supply and mounted in the chamber; 상기 챔버 내부에 설치되고, 상기 피드 스루우에 연결되어 상기 알에프 전원이 공급되는 봉전극과; A rod electrode installed inside the chamber and connected to the feed through to supply the RF power; 상기 챔버 내부에 형성되며, 상기 피드 스루우 및 봉전극의 일부를 감싸고 있는 절연부와; An insulation part formed inside the chamber and surrounding a part of the feed through and the rod electrode; 상기 봉전극과 대향되어 있는 대향 전극을 포함하여 구성된 플라즈마 발생 장치.And a counter electrode facing the rod electrode. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 절연부는,The insulation portion, SiO2, Al2O3와 플라스틱류 중 하나 또는 이들을 조합하여 형성된 절연부인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.Plasma generator, characterized in that the insulating portion formed by combining one or a combination of SiO 2 , Al 2 O 3 and plastics. 내부에 플라즈마가 형성되는 챔버와; A chamber in which plasma is formed; 상기 플라즈마를 형성하기 위한 알에프 전원과; An RF power supply for forming the plasma; 상기 알에프 전원과 연결되고, 상기 챔버에 장착된 피드 스루우와; A feed through connected to the RF power supply and mounted to the chamber; 상기 챔버 내부에 설치되고, 상기 피드 스루우에 연결되어 상기 알에프 전원이 공급되는 봉전극과; A rod electrode installed inside the chamber and connected to the feed through to supply the RF power; 상기 봉전극과 대향되어 있는 대향 전극과; An opposite electrode facing the rod electrode; 상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역과 상기 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역을 분할하도록, 상기 봉전극에 장착되어 있는 분할부를 포함하여 구성된 플라즈마 발생 장치.And a divider mounted to the rod electrode to divide the chamber region in which the feed through is mounted and the chamber region in which the feed through is not mounted. 청구항 3에 있어서, The method according to claim 3, 상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역은,The chamber area in which the feed through is mounted is 상기 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역보다 저압 상태로 유지되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And at a lower pressure than a chamber region in which the feed through is not mounted. 청구항 4에 있어서, The method according to claim 4, 상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역과 상기 피드 스루우가 장착되 어 있지 않은 챔버 영역 각각은,Each of the chamber region in which the feed through is mounted and the chamber region in which the feed through is not mounted, 독립적인 펌프로 압력을 유지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.Plasma generator, characterized in that the pressure is maintained by an independent pump. 청구항 3에 있어서, The method according to claim 3, 상기 분할부는,The division part, 절연물질로 형성된 분할부이거나, A division formed of an insulating material, or 또는 상기 챔버와 이격되어 챔버와 전기적으로 플로팅(Floating)되고, 전도성물질로 형성된 분할부인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.Or a partition part spaced apart from the chamber and electrically floating with the chamber and formed of a conductive material. 청구항 1 내지 6 중 한 항에 있어서, The method of claim 1, wherein 상기 봉전극은,The rod electrode, 금속으로 형성되어 있는 봉전극 또는 금속봉에 절연물이 피복되어진 봉전극인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And a rod electrode formed of a metal or a rod electrode coated with an insulator on a metal rod. 청구항 1 내지 6 중 한 항에 있어서, The method of claim 1, wherein 상기 대향 전극은 접지되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And said counter electrode is grounded. 청구항 1 내지 6 중 한 항에 있어서, The method of claim 1, wherein 상기 알에프 전원은,The RF power supply, 상기 봉전극으로 AC 전압 또는 DC 전압을 인가하고, Applying an AC voltage or a DC voltage to the rod electrode, 상기 전압의 주파수는 13.56㎒ ~ 150㎒인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.The frequency of the voltage is a plasma generator, characterized in that 13.56MHz ~ 150MHz. 청구항 1 내지 6 중 한 항에 있어서, The method of claim 1, wherein 상기 피드 스루우는 복수개이고,.The feed through is a plurality; 상기 복수개의 피드 스루우들 각각에는 봉전극들이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And a rod electrode is connected to each of the plurality of feed throughs. 청구항 1 내지 6 중 한 항에 있어서, The method of claim 1, wherein 상기 봉전극에는 관통홀이 형성되어 있고, Through-holes are formed in the rod electrode, 상기 관통홀에 냉각수가 흐르도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And a cooling water flows through the through-holes. 청구항 1 내지 6 중 한 항에 있어서, The method of claim 1, wherein 상기 봉전극에는 제 1 관통홀이 형성되어 있고, The rod electrode has a first through hole is formed, 상기 제 1 관통홀의 일부에 제 2 관통홀이 형성되어 있고,A second through hole is formed in a part of the first through hole, 상기 제 1 관통홀로 플라즈마용 가스가 흐르고, 상기 제 2 관통홀을 통하여 상기 챔버 내부로 플라즈마용 가스가 공급되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And a plasma gas flows into the first through hole, and the plasma gas is supplied into the chamber through the second through hole. 내부에 플라즈마가 형성되는 챔버와, 상기 플라즈마를 형성하기 위한 알에프 전원과, 상기 알에프 전원과 연결되고 상기 챔버에 장착된 피드 스루우와, 상기 챔버 내부에 설치되고 상기 피드 스루우에 연결되어 상기 알에프 전원이 공급되는 봉전극과, 상기 챔버 내부에 형성되며 상기 피드 스루우 및 봉전극의 일부를 감싸고 있는 절연부와, 상기 봉전극과 대향되어 있는 대향 전극과, 상기 대향 전극을 감싸고 있는 서셉터(Susceptor)와, 상기 서셉터 상부에 올려진 기판을 포함하여 구성된 플라즈마 발생 장치를 준비하는 단계와;A chamber in which a plasma is formed therein, an RF power source for forming the plasma, a feed through connected to the RF power source and mounted in the chamber, and an RF power source installed in the chamber and connected to the feed through A rod electrode to be supplied, an insulating portion formed inside the chamber and surrounding a portion of the feed through and the rod electrode, an opposite electrode facing the rod electrode, and a susceptor surrounding the opposite electrode. And preparing a plasma generating device including a substrate mounted on the susceptor; 상기 챔버 내부에 플라즈마용 가스를 주입하는 단계와;Injecting plasma gas into the chamber; 상기 알에프 전원을 상기 봉전극에 인가하여, 상기 봉전극과 대향 전극 사이에 플라즈마를 형성하는 단계와;Applying an RF power to the rod electrode to form a plasma between the rod electrode and the counter electrode; 상기 형성된 플라즈마로 상기 기판을 처리하는 단계로 구성된 플라즈마 처리 방법.And treating the substrate with the formed plasma. 내부에 플라즈마가 형성되는 챔버와; 상기 플라즈마를 형성하기 위한 알에프 전원과, 상기 알에프 전원과 연결되고 상기 챔버에 장착된 피드 스루우와, 상기 챔버 내부에 설치되고 상기 피드 스루우에 연결되어 상기 알에프 전원이 공급되는 봉전극과, 상기 봉전극과 대향되어 있는 대향 전극과, 상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역과 상기 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역을 분할하도록 상기 봉전극에 장착되어 있는 분할부와, 상기 대향 전극을 감싸고 있는 서셉터와, 상기 서셉터 상부에 올려진 기판을 포함하여 구성된 플라즈마 발생 장치를 준비하는 단계와; A chamber in which plasma is formed; An RF power source for forming the plasma, a feed through connected to the RF power supply and mounted in the chamber, a rod electrode installed inside the chamber and connected to the feed through to supply the RF power, and the rod electrode. A counterpart mounted on the rod electrode to divide the counter electrode facing the counter electrode, the chamber area where the feed through is mounted and the chamber area where the feed through is not mounted, and a susceptor surrounding the counter electrode. And preparing a plasma generating device including a substrate mounted on the susceptor; 상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역을 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역보다 저압 상태를 만드는 단계와;Making the chamber region in which the feed through is mounted is lower than the chamber region in which the feed through is mounted; 상기 챔버 내부에 플라즈마용 가스를 주입하는 단계와;Injecting plasma gas into the chamber; 상기 알에프 전원을 상기 봉전극에 인가하여, 상기 봉전극과 대향 전극 사이에 플라즈마를 형성하는 단계와;Applying an RF power to the rod electrode to form a plasma between the rod electrode and the counter electrode; 상기 형성된 플라즈마로 상기 기판을 처리하는 단계로 구성된 플라즈마 처리 방법.And treating the substrate with the formed plasma. 청구항 14에 있어서, The method according to claim 14, 상기 피드 스루우가 장착되어 있는 챔버 영역은,The chamber area in which the feed through is mounted is 플라즈마가 형성되지 않는 영역이 되고, Become a region where no plasma is formed, 상기 피드 스루우가 장착되어 있지 않은 챔버 영역은,The chamber area in which the feed through is not mounted is 고압 플라즈마 영역이 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.And a high pressure plasma region. 청구항 13 내지 15 중 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 13 to 15, 상기 플라즈마로 기판을 처리하는 단계는,Treating the substrate with the plasma, 상기 플라즈마로 상기 기판을 식각하거나 또는 상기 기판에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.Etching the substrate with the plasma or forming a thin film on the substrate. 청구항 13 내지 15 중 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 13 to 15, 상기 기판은,The substrate, 태양 전지를 형성하기 위한 기판이고, A substrate for forming a solar cell, 상기 플라즈마로 기판을 처리하는 단계를 수행하여, 상기 기판에 pin 구조의 결정질 실리콘 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.And treating the substrate with the plasma to form a crystalline silicon thin film having a pin structure on the substrate. 청구항 13 내지 15 중 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 13 to 15, 상기 플라즈마용 가스는,The plasma gas, SiH4(Silane) 가스와 H2가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.A plasma processing method comprising SiH 4 (Silane) gas and H 2 gas.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20220018203A (en) * 2020-08-06 2022-02-15 (주)아이작리서치 Plasma processing apparatus and its RF power supply

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